KR100886828B1 - 보호막 및 그 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 형성되어 그 표면에 산소 공공을 가지는 제 1 박막과, 제 1 박막의 상부에 형성된 제 2 박막과, 제 2 박막의 상부에 형성되어 제 2 박막과의 계면에 산소 공공을 가지는 제 3 박막을 포함하며, 플라즈마 방전 개시 전압을 크게 낮출 수 있어 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 크게 줄일 수 있다.
PDP, 다층 보호막, MgO막, 레이저 조사, 산화막, 산소 공공

Description

보호막 및 그 형성 방법{Passivation film and method of forming the same}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 보호막이 적용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도.
도 2(a) 내지 도 2(c)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 보호막의 형성 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도.
도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 보호막의 형성 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도.
도 4는 종래의 MgO 단일층 보호막과 본 발명에 따른 다층 보호막의 플라즈마 방전 특성 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 주사 전극
30 : 표시 전극 20a 및 30a : 투명 전극
20b 및 30b : 버스 전극 40 : 유전체막
50 : 제 1 MgO막 60 : 산화막
70 : 제 2 MgO막 80 : 산소 공공
100 : 방전 유지 전극 200 : 보호막
65 : 금속막 85 : 반도체막
본 발명은 보호막 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등에 이용되는 MgO 보호막의 방전 특성을 향상시킬 수 있는 보호막 및 그 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 발광 셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 자외선으로 형광체를 여기시켜서 화상을 구현하는 표시 장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 새로운 평판 표시 장치로서 각광받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 일 예로서, 각 발광 셀에 대응하여 후면 기판에 어드레스 전극과 격벽 및 형광층이 형성되고, 전면 기판에 주사 전극과 표시 전극으로 구별되는 방전 유지 전극이 형성된 구조가 제시되었다. 어드레스 전극과 방전 유지 전극은 각각 유전체막으로 덮여 있으며, 발광 셀 내부는 방전 가스로 충전되어 있다. 이러한 구성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널은 어드레스 전극과 주사 전극 간에 어드레스 전압이 인가됨으로써 어드레스 방전이 일어나고, 이 어드레스방전의 결과로 어드레스 전극 상의 유전층과 방전 유지 전극 상의 유전층에 벽전 하(wall charge)가 생성됨으로써 주방전이 일어날 발광 셀이 선택된다. 그 후 선택된 발광 셀의 주사 전극과 표시 전극 사이에 유지 전압이 인가되면, 주사 전극 상에 쌓여 있던 양이온들과 표시 전극 상에 쌓여 있던 전자들이 충돌하여 주방전을 일으키고, 이 주방전 시에 여기된 Xe의 에너지 준위가 낮아지면서 자외선이 방출된다. 그리고, 이 자외선이 발광 셀 내에 도포된 형광체를 여기시키는데, 이 여기된 형광체의 에너지 준위가 낮아지면서 가시광이 방출되며, 이 방출된 가시광이 화상을 구성하게 된다.
방전 셀에서 플라즈마 방전이 일어날 때 전면 기판의 유전체막 상부에 형성된 MgO막은 플라즈마에 직접 노출되면서 플라즈마의 방전 개시 및 유지에 직접 관여하게 되고, 플라즈마 디스플레이 패널의 전기적, 광학적 특성과 밀접한 관련을 갖게 된다. MgO막이 갖는 높은 2차 전자 방출 계수는 방전 셀의 방전 전압을 낮춰 소자의 전체적인 전력 소모를 줄여주고, 높은 플라즈마 이온 내구성은 플라즈마 디스플레이 패널의 수명 연장에도 중요한 역할을 한다. 또한, MgO막은 밴드갭 에너지가 7.8eV이상으로 높아 플라즈마에 의해 발생한 자외선이 형광체를 여기시킬 때 발생하는 가시광선을 효율적으로 투과시켜 주는 역할을 한다.
현재 플라즈마 디스플레이 패널에 이용되는 MgO막은 전면 기판의 유전체막 상부에 전자빔 증착법, 이온 플레이팅법 등을 이용하여 형성한다. MgO막은 플라즈마 방전에 직접 연관하여 소자의 전력 소모를 결정짓는 지배적인 역할을 하기 때문에 MgO막의 플라즈마 방전 개시 전압을 낮추기 위한 연구가 현재 각광받고 있다. 이에 따라 증착 방법 및 도핑을 통하여 MgO막의 결정성, 밀도, 응력 등을 조절하는 방법이나 MgO막보다 우수한 특성을 갖는 새로운 보호막 재료를 제조하는 방법 등의 연구가 진행되고 있다. 한편, 플라즈마 방전을 직접적으로 유도하는 MgO막의 2차 전자는 MgO막 내부의 전자가 터널링하여 비활성 기체, 예를들어 네온(Ne)의 양이온과 중화할 때 형성되는 에너지를 흡수하여 방출되기 때문에 결정성, 밀도, 응력과 같은 벌크 특성보다 표면의 특성에 크게 지배받게 되지만, 이를 이용한 연구는 충분히 이루어지지 않았다. 또한, MgO막 대체 연구에 있어서도 일부 새로운 보호막 재료의 경우에는 우수한 방전 특성을 갖는 연구 결과들이 보고되고 있지만, MgO막에 비하여 낮은 신뢰성을 갖기 때문에 실제 생산 공정에 사용될 수 없는 단점이 있다.
이와 같은 어려움으로 인하여 낮은 방전 개시 전압을 갖는 보호막을 개발하고 연구하는데 한계가 있다.
본 발명의 목적은 MgO막, 산화막 및 MgO막의 다층 구조로 보호막을 형성하여 플라즈마 방전에 필요한 2차 전자 방출 장벽을 낮춤으로써 방전 개시 전압을 낮추고 전력 소모를 감소시킬 수 있는 보호막 및 그 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 MgO막 사이에 산화물 형성이 용이한 삽입막을 형성한 후 레이저를 조사하여 산화시키고, 이때 발생되는 MgO막 계면의 결함을 이용하여 플라즈마 방전에 필요한 2차 전자 방출 장벽을 낮춤으로써 방전 개시 전압을 낮추고 전력 소모를 감소시킬 수 있는 보호막 및 그 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 보호막은 소정의 구조가 형성된 기판; 및 상기 기판 상부에 순차적으로 형성된 제 1 MgO막, 삽입막 및 제 2 MgO막을 포함한다.
상기 기판은 전극 및 상기 전극을 포함한 기판상에 형성된 유전체막을 포함한다.
상기 제 1 및 제 2 MgO막과 상기 삽입막 사이에 형성된 산소 공공을 포함한다.
상기 삽입막은 레이저 조사에 의해 산화된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 보호막 형성 방법은 소정의 구조가 형성된 기판 상부에 제 1 MgO막, 삽입막 및 제 2 MgO막을 순차적으로 형성하는 단계; 및 레이저를 조사하여 상기 삽입막을 산화시켜 산화막을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 MgO막과 상기 산화막의 계면에 산소 공공을 생성하는 단계를 포함한다.
상기 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 전극을 포함한 상기 기판 상에 유전체막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 제 1 및 제 2 MgO막은 전자선 증착법, 이온 플레이팅법, RF 반응성 스퍼터링법 중 어느 하나를 이용하여 형성한다.
상기 삽입막은 상기 제 1 및 제 2 MgO막과 동일한 방법으로 형성한다.
상기 삽입막은 금속막 또는 반도체막이며, 상기 금속막은 In, Ti, Ta, Nb, Y, Al, V, Zr, Cr중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하고, 상기 반도체막은 Si 또는 Ge중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하되, 상기 반도체막은 상기 레이저의 에너지 밴드갭보다 적은 에너지 밴드갭을 갖는 물질을 이용한다.
상기 레이저는 ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF중 어느 하나의 레이저를 이용한다.
상기 제 2 MgO막은 상기 레이저를 통과시키고 상기 산소 공공이 생성되도록 하는 두께로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유리 기판(10) 상부에 방전 유지 전극(100)으로서의 주사 전극(20) 및 표시 전극(30)이 소정 간격 이격되어 형성된다. 주사 전극(20) 및 표시 전극(30) 각각은 투명 전극(20a 및 30a)과 투명 전극(20a 및 30a) 상부에 부분적으로 형성된 버스 전극(20b 및 30b)으로 구성된다. 투명 전극(20a 및 30a)은 투과도를 고려하여 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명성 도전 물질을 이용하여 형성하고, 버스 전극(20b 및 30b)는 투명 전극(20a 및 30a)의 높은 저항을 보상하기 위하여 Ag 단일막으로 형성하거나, Cr, Cu 및 Cr의 적층막을 이용하여 형성한다. 주사 전극(20) 및 표시 전극(30)을 포함한 유리 기판(10) 상부에 유전체막(40)이 형성된다. 유전체막(40)은 방전시 인접한 주사 전극(20)과 표시 전극(30)이 직접 통전되는 것과 양이온 또는 전자가 주사 전극(20) 또는 표시 전극(30)에 직접 충돌하여 주사 전극(20) 또는 유지 전극(30)을 손상시키는 것을 방지하면서 전하를 유도하여 벽전하를 축적할 수 있고, 또한 광투과성이 우수한 유전체를 이용하여 형성하는데, 예를들어 PbO, B2O3, SiO2 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성한다. 또한, 유전체막(40)은 주사 전극(20) 및 표시 전극(30)이 구동되어도 유전체막(40)이 파손되지 않을 정도의 충분한 두께로 형성되어야 한다. 그러나, 유전체막(40)의 두께가 너무 두꺼우면 어드레스 전압이 상승하게 되고, 재료가 낭비되는 단점이 있다. 유전체막(40) 상부에 제 1 박막으로서 제 1 MgO막(50), 제 2 박막으로서 산화막(60) 및 제 3 박막으로서 제 2 MgO막(70)이 적층된 다층 구조의 보호막(200)이 형성된다. 여기서, 산화막(60)은 예를 들어 금속 산화막 또는 실리콘 산화막으로 형성된다. 또한, 산화막(60)은 산화되기 쉬운 재료를 산화시켜 형성되는 막으로, 예를들어 산화막(60)은 금속막 또는 실리콘막을 형성한 후 제 2 MgO막(70) 상부에서 조사되는 레이저에 의해 금속막 또는 실리콘막을 산화시켜 형성된다. 이때, 제 1 MgO막(50)의 산화막(60)과의 계면, 즉 제 1 MgO막(50)의 표면에 다수의 산소 공공(vacancy)(80)이 형성되는 결함이 발생함과 아울러 제 2 MgO막(70)의 산화막(60)과의 계면에 역시 다수의 산소 공공(80)이 형성되는 결함이 발생한다. 이처럼, 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)의 계면에 산소 공공(80)을 다수 발생시킴에 따라 플라즈마 방전에 필요한 2차 전자 방출 장벽을 낮추게 되며, 이로부터 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 감소시키고, 전력 소모를 감소시킬 수 있다.
도 2(a) 내지 도 2(c)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 단면도이다.
도 2(a)를 참조하면, 유리 기판(10) 상부의 소정 영역에 서로 소정 간격 이격되도록 투명 전극(20a 및 30a)을 형성한다. 투명 전극(20a 및 30a)는 ITO 및 IZO 등의 투명성 도전 물질을 유리 기판(10) 상부에 형성한 후 패터닝하여 형성한다. 그리고, 투명 전극(20a 및 30a) 상부의 소정 영역에 버스 전극(20b 및 30b)을 형성한다. 버스 전극(20b 및 30b)는 투명 전극(20a 및 30a)의 높은 저항을 보상하기 위해 투명 전극(20a 및 30a)의 가장자리에 형성하며, Ag의 단일막 또는 Cr, Cu 및 Cr의 적층막을 이용하여 형성한다. 이렇게 하여 투명 전극(20a 및 30a) 및 버스 전극(20b 및 30b)이 적층된 주사 전극(20) 및 표시 전극(30)이 형성되어 방전 유지 전극(100)을 이룬다. 방전 유지 전극(100)이 형성된 유리 기판(10) 상부에 유전체막(40)을 형성한다. 유전체막(40)은 PbO, B2O3, SiO2 등을 이용하여 형성한다. 유전체막(40)은 방전 유지 전극(100)이 구동되어도 유전체막(40)이 파손되지 않으면서 어드레스 전압을 상승시키지 않는 두께로 형성한다.
도 2(b)를 참조하면, 유전체막(40) 상부에 제 1 MgO막(50), 금속막(65) 및 제 2 MgO막(70)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 제 1 MgO막(50) 및 제 2 MgO막(70)은 각각 전자선 증착법, 이온 플레이팅법, RF 반응성 스퍼터링법 등의 박막 형성 방법을 이용하여 형성한다. 금속막(65)도 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)과 동 일한 방법으로 형성한다. 또한, 금속막(65)은 산화가 쉬운 금속을 이용하여 형성하는데, 예를들어 In, Ti, Ta, Nb, Y, Al, V, Zr, Cr등의 금속을 이용하여 형성한다.
도 2(c)를 참조하면, 제 2 MgO막(70) 상부에서 레이저를 조사한다. 조사된 레이저는 제 2 MgO막(70)을 통과하여 그 하부의 금속막(65)에 흡수되고, 금속막(65)에 흡수된 레이저는 그 에너지가 주위의 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로 분산된다. 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)에 분산된 레이저의 에너지에 의해 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로부터 산소가 분해되는데, 분해된 산소는 금속막(65)과 반응하여 금속막(65)을 산화시켜 산화막(60)을 형성한다. 이때, 제 1 MgO막(50)과 산화막(60)의 계면, 그리고 산화막(60)과 제 2 MgO막(70)의 계면에 다량의 결함, 즉 산소 공공(80)이 형성된다. 따라서, 레이저는 제 2 MgO막(70)을 손상시키지 않으면서 금속막(65)을 산화시킬 수 있는 범위의 에너지로 조사된다. 이를 위해 레이저를 예를들어 200∼400㎚의 파장으로 조사하고, 또한 ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 등의 기체 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 레이저를 효과적으로 통과시키고 금속막(65)의 산화시 제 2 MgO막(70)의 산소 공공(80)이 생성되도록 하기 위하여 제 2 MgO막(70)은 0.5∼100㎚의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 금속막(65)은 그 두께가 너무 두꺼우면 완전 산화되지 않으면서 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로부터 분해되는 산소의 양을 증가시키게 되고, 금속막(65)의 두께가 너무 얇으면 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로부터 원하는 양의 산소를 분해시키지 전에 산화된다. 따라서, 금속막(65)은 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)에 원하는 만큼의 산소 공공(80)을 형성할 수 있을 정도의 두께로 형성한다.
도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도로서, 도 2(a) 내지 도 2(c)의 내용에서 중복되는 내용의 상세한 설명은 생략하고 상이한 내용을 중점적으로 설명하겠다.
도 3(a)를 참조하면, 유리 기판(10) 상부의 소정 영역에 서로 소정 간격 이격되도록 투명 전극(20a 및 30a)을 형성한다. 그리고, 투명 전극(20a 및 30a) 상부의 소정 영역에 버스 전극(20b 및 30b)을 형성한다. 이렇게 하여 투명 전극(20a 및 30a) 및 버스 전극(20b 및 30b)이 적층된 주사 전극(20) 및 표시 전극(30)이 형성되어 방전 유지 전극(100)을 이룬다. 방전 유지 전극(100)이 형성된 유리 기판(10) 상부에 유전체막(40)을 형성한다.
도 3(b)를 참조하면, 유전체막(40) 상부에 제 1 박막으로서 제 1 MgO막(50), 제 2 박막으로서 반도체막(85) 및 제 3 박막으로서 제 2 MgO막(70)을 순차적으로 형성한다. 반도체막(85)은 Si, Ge등과 같은 물질로 형성하며, 사용하고자 하는 레이저 파장에 해당하는 에너지 밴드갭보다 작은 에너지 밴드갭을 갖는 물질을 이용하여 형성한다. 이는 레이저 파장에 해당하는 에너지 밴드갭보다 작은 에너지 밴드갭을 갖는 반도체막(85)이어야만 레이저를 흡수할 수 있기 때문이다. 예를들어 248㎚의 파장에 해당하는 KrF 레이저는 그 파장에 해당하는 에너지 밴드갭이 약 5eV이므로, 에너지 밴드갭이 1.1eV인 Si과 같은 반도체막을 사용할 수 있다.
도 3(c)를 참조하면, 제 2 MgO막(70) 상부에서 레이저를 조사한다. 조사된 레이저는 제 2 MgO막(70)을 통과하여 그 하부의 반도체막(85)에 흡수되고, 반도체막(85)에 흡수된 레이저는 그 에너지가 주위의 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로 분산된다. 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)에 분산된 레이저에 의해 제 1 및 제 2 MgO막(50 및 70)으로부터 산소가 분해되는데, 분해된 산소는 반도체막(85)과 반응하여 반도체막(85)을 산화시켜 산화막(60)이 형성된다. 이때, 제 1 MgO막(50)과 산화막(60)의 계면, 그리고 산화막(60)과 제 2 MgO막(70)의 계면의 다량의 결함, 즉 산소 공공(vacancy)(80)이 형성된다. 따라서, 레이저는 제 2 MgO막(70)을 손상시키지 않으면서 반도체막(85)을 산화시킬 수 있는 범위의 에너지로 조사되고, ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 등의 기체 레이저를 이용하는 것이 바람직하다.
도 4는 종래의 단일 MgO막과 본 발명에 따른 다층 보호막의 플라즈마 방전 특성의 변화를 측정한 결과를 도시한 그래프이다. 보호막의 플라즈마 방전 특성 변화를 측정하기 위해 보호막을 음극에 설치하고, Cu 양극과의 사이에 플라즈마 방전에 사용하기 위한 기체를 주입한 후 양극과 음극을 일정한 거리가 유지되도록 하여 양단에 전압을 인가함으로써 플라즈마 방전으로 인한 임계 전류 증가 지점을 찾는다. 이때, 임계 전류 증가 지점이 방전 개시 전압으로 정의된다. 방전에 사용하는 기체는 He, Ar, Ne, Xe 등 불활성 가스가 모두 사용 가능하며, 이들 기체의 혼합 가스도 사용 가능하다.
본 실시 예에서는 제 1 MgO막을 250℃의 온도에서 전자선 증착 장비를 이용하여 700㎚의 두께로 증착하였으며, 증착 속도는 2㎚/sec로 하였다. 그리고 1㎚두 께의 Cr막을 상기와 동일한 온도에서 전자선 증착 장비를 이용하여 제 1 MgO막 상부에 증착하였고, 제 2 MgO막은 제 1 MgO막의 증착과 동일한 조건에서 15㎚의 두께로 증착하였다. 제 1 MgO막, Cr막 및 제 2 MgO막의 적층 구조에 KrF 가스 레이저를 조사하였으며, 500mJ의 에너지로 3초간 조사하였다. 방전 측정에 사용한 기체는 Xe이 10% 혼합된 Ne 가스를 사용하였으며, 실제 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 영역인 5.4 Torr cm에서의 방전 특성을 비교하였다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 다층 구조의 보호막의 방전 개시 전압(B)이 종래의 단일 MgO막의 방전 개시 전압(A)에 비해 71V 감소한 것을 확인 할 수 있다.
한편, 상기 실시 예로서는 플라즈마 디스플레이 패널에 적용된 다층 보호막에 대해 설명하였으나, 이에 국한되지 않고 플라즈마에 노출되는 다양한 소자의 보호막으로 사용 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 제 1 MgO막, 삽입막 및 제 2 MgO막을 적층한 후 레이저를 조사하여 삽입막을 산화시키는 동시에 제 1 및 제 2 MgO막과 삽입막의 계면에 결함을 발생시킴으로써 플라즈마 방전 개시 전압을 크게 낮출 수 있어 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 크게 줄일 수 있다. 또한, 기존 MgO막을 기본으로 사용하고, 삽입막도 MgO막과 동일한 장비 내에서 증착하기 때문에 기존의 설비를 그대로 활용할 수 있다. 그리고, 레이저 조사를 이용하여 삽입막을 산 화시키기 때문에 삽입막을 산화시키기 위한 별도의 열처리 공정 등을 실시하지 않아도 되므로 열처리 공정 등에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 변형 및 특성 변화를 방지할 수 있다.

Claims (14)

  1. 디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막으로서,
    상기 기판의 상부에 형성되어 그 표면에 산소 공공을 가지는 제 1 박막과,
    상기 제 1 박막의 상부에 형성된 제 2 박막과,
    상기 제 2 박막의 상부에 형성되어 상기 제 2 박막과의 계면에 상기 산소 공공을 가지는 제 3 박막
    을 포함하는 보호막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 박막은, 산화막인 것
    을 특징으로 하는 보호막.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 산화막은, 금속 산화막 또는 실리콘 산화막인 것
    을 특징으로 하는 보호막.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 박막은, 0.5∼100㎚의 두께인 것
    을 특징으로 하는 보호막.
  5. 디스플레이 패널의 기판을 보호하는 보호막을 형성하는 방법으로서,
    상기 기판의 상부에 제 1 박막을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 박막의 상부에 제 2 박막을 형성하는 단계와,
    상기 제 2 박막의 상부에 제 3 박막을 형성하는 단계와,
    상기 제 3 박막의 상부에서 에너지를 조사하여 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 산소를 분해시켜 상기 산소가 상기 제 2 박막과 반응하여 상기 제 1 및 제 3 박막의 상기 제 2 박막과의 계면에 산소 공공이 형성되도록 하는 단계
    를 포함하는 보호막 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 박막을 형성하는 단계 또는 상기 제 3 박막을 형성하는 단계는, 전자선 증착법, 이온 플레이팅법, RF 반응성 스퍼터링법 중 어느 하나의 박막 형성법을 이용하여 형성하며,
    상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 또는 상기 제 3 박막의 형성 시와 동일한 박막 형성법을 이용하여 형성하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 박막을 형성하는 단계는, 금속막 또는 반도체막을 형성하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속막의 형성은, In, Ti, Ta, Nb, Y, Al, V, Zr, Cr 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 반도체막의 형성은, Si 또는 Ge 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 1 박막 및 제 3 박막의 산소를 상기 제 2 박막과 반응시켜 상기 제 2 박막을 산화막으로 형성하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 산소 공공을 형성하는 단계는, 상기 제 3 박막에 레이저를 조사하여 상기 제 2 박막에 흡수시키고, 흡수된 레이저의 에너지가 주위의 상기 제 1 및 제 3 박막으로 분산되어 분산된 레이저의 에너지에 의해 상기 제 1 및 제 3 박막으로부터 상기 산소가 분해되도록 하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저는, 200∼400㎚의 파장으로 조사하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저는, ArF, KrCl, KrF, XeCl, XeF 중 어느 하나의 레이저를 이용하는 것
    을 특징으로 하는 보호막 형성 방법.
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