KR100884240B1 - 반도체 소자 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
각각이 적어도 하나 이상의 전하를 저장할 수 있으며, 떨어져서 서로 전기적으로 절연된 복수 개의 전하저장 요소를 포함하는 메모리 소자.
메모리 소자, 플래시 메모리, 풀러렌
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 소자를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 C60을 개략적으로 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 풀러렌 메모리층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 개략적으로 도시한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 풀러렌 메모리층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 전압-커패시턴스 곡선을 개략적으로 도시한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로그램 전압 크기와 반도체 소자의 문턱전압 관계를 개략적으로 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로그램 시간과 반도체 소자의 문턱전압 사이의 관계를 개략적으로 도시한다.
본 발명은 반도체 소자 및 그 형성 방법에 관련된 것으로서, 보다 상세하게는 메모리 소자 및 그 형성 방법에 관련된 것이다.
메모리 소자의 집적도가 증가하면서 전하를 트랩(trap)할 수 있는 나노입자를 이용한 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 종래에는 나노입자를 뿌리는 방식 또는 증착하는 방식을 사용하여 나노입자층을 형성하였다. 이 같은 종래 방식에 따르면, 예를 들어 인접한 나노입자들이 물리적으로 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다. 인접한 나노입자층들 사이의 전기적인 연결은 트랩 밀도를 증가시키는 데 방해인자로 작용하여 결국에는 고집적 메모리 소자를 구현하는데 걸림돌이 된다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 나노입자를 이용한 메모리 소자 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 나노입자를 이용한 메모리 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 소자 형성 방법은: 기판 상에 절연막을 형성하는 것; 상기 절연막 상에 각각이 적어도 하나의 전하를 저장할 수 있으며 서로 떨어져서 전기적으로 절연된 복수 개의 전하저장 요소를 포함하는 메모리층을 형성하는 것; 그리고, 상기 메모리층 상에 게이트를 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 소자는: 기판 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 그리고, 상기 절연막 내에 배치되며 각각이 적어도 하나 이상의 전하를 저장할 수 있으며, 떨어져서 서로 전기적으로 절연된 복수 개의 전하저장 요소를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 소자는: 기판 상에 배치된 터널 절연막; 상기 터널 절연막 상에 배치되는 적어도 한층 이상의 메모리층; 그리고 상기 적어도 한층 이상의 메모리층 상에 배치된 게이트를 포함할 수 있으며, 상기 적어도 한층 이상의 메모리층 중에서 적어도 하나는 각각이 적어도 하나 이상의 전하를 저장할 수 있으며, 떨어져서 서로 전기적으로 절연된 복수 개의 전하저장 요소를 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해서 설명을 한다. 하지만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 (또는 층) 및 영역 등의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 요소를 기술하기 위해서 사용되었지만, 이 요소들이 이 같은 용어에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이 용어는 단지 어느 한 요소를 다른 요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다.
본 발명의 실시예들은 반도체 소자에 관련된 것으로서, 상세하게는 메모리 소자 특히 비휘발성 메모리 소자에 관련된 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 비휘발성 메모리 소자는 각각이 적어도 하나 이상의 전하를 트랩할 수 있는 복수 개의 전하저장 요소(charge storage element)를 포함하는 메모리층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 복수 개의 전하저장 요소는 서로 떨어져서 서로 전기적으로 절연된다. 이에 따라, 메모리층의 트랩 밀도를 증가시킬 수 있고 고집적 메모리 소자를 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면 전하저장 요소들은 실질적으로 동일한 간격으로 서로 떨어질 수 있다. 이에 따라 메모리층의 트랩 밀도를 더욱 더 증가시킬 수 있고 보다 높은 집적도의 메모리 소자를 형성할 수 있다.
서로 떨어져서 전기적으로 절연된 전하저장 요소가 적어도 하나 이상의 전하를 트랩할 수 있어, 본 발명의 실시예들에 따른 각 단위 메모리 소자는 적어도 1 비트 이상의 정보를 저장할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 전하저장 요소는 나노 입자를 포함할 수 있다. 나노 입자는 예를 들어 풀러렌(fullerene)을 포함할 수 있다. 풀러렌은 예를 들어 C60, C70, C76, C78, C84, C90, C120, C240 또는 탄소나노튜브(CarbonNanotube) 등을 포함할 수 있다. 또한, 풀러렌은 그 내부에 금속원자를 포함하는 엔도헤드랄(Endohedral) 메탈로풀러렌(metallofullerne) 물질일 수 있다. 여기에서, 풀러렌에 포함되는 금속원자는 La, Er, Gd, Ho, Nd 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, C60 풀러렌 분자는 탄소원자 60개로 만들어진 분자로서, 탄소가 결합해 만드는 6각형과 5각형을 포함하고 있어, 전체적인 모양은 축구공처럼 생겼으며, 특히 빛을 흡수하고 전자를 잘 받는 성질을 가진다. 이 C60 풀러렌 분자는 적어도 하나 이상의 전하를 트랩할 수 있으며, 최대 6개의 전하를 트랩할 수 있다. 이 C60 풀러렌은 대략 0.7 내지 1 나노미터의 직경을 가지며, 실리콘 나노 입자에 비해서 훨씬 작은 직경을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 있어서, 전하저장 요소들을 하지막에 고정하는 연결 분자 (이하 설명의 편의를 위해서 '제1 연결 분자'라 칭함)에 의해서 인접한 전하저장 요소들이 서로 떨어져 전기적으로 절연될 수 있다. 제1 연결 분자는 전하저장 요소 및 상기 전하저장 요소 아래의 하지막에 각각 결합하는 제1 관능기 및 제2 관능기를 포함한다.
제1 연결 분자의 제1 관능기 및 제2 관능기는 탄화수소 또는 그 유도체에 연결될 수 있다. 전하저장 요소에 결합하는 제1 연결 분자의 제1 관능기는 예를 들어 NH2, B2F4 -, CONH2, NH3Cl을 포함할 수 있다. 하지막 예를 들어 터널 절연막에 결합하는 제1 연결 분자의 제2 관능기는 예를 들어 OH, CH3, CO, COO, COOH, NH2, SinH2n+2, SiO를 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 연결 분자들은 하지막상에 자발적으로 화학흡착하여 제1 연결 분자로 구성된 자기조직화 단분자막(self-assembled monolayer)을 형성할 수 있다. 예를 들어 터널 절연막 같은 하지막을 포함하는 기판을 제1 연 결 분자를 포함하는 용액에 담그는 것 또는 침적하는 것에 의해 하지막 표면에 제1 연결 분자로 이루어진 자기조직화 단분자막이 형성될 수 있다. 제1 연결 분자를 포함하는 용액에 터널 절연막이 형성된 기판을 침적하면, 터널 절연막표면에 도달한 제1 연결 분자는 터널 절연막과 화학반응을 해서 터널 절연막 표면에 흡착하여 고정될 수 있다. 다른 방법으로, 기상 성장(vapor phase growth) 방식을 사용하여 자기조직화 단분자막이 전극에 화학흡착하여 형성될 수 있다.
화학결합에 의해서 제1 연결 분자가 터널 절연막으로부터 이동이 불가능하고 인접하는 제1 연결 분자들 사이에는 상호작용(interaction), 예를 들어 서로 끌어당기는 상호작용(attractive interaction)이 발생하기 때문에, 제1 연결 분자로 형성되는 자기조직화 단분자막은 기계적, 화학적, 열역학적으로 매우 안정적이다. 그리고, 전하저장 요소는 제1 연결 분자에 의한 자기조직화 단분자막 상에 형성된다. 즉, 전하저장 요소는 제1 연결 분자의 제1 관능기에 결합한다. 예를 들어 전하저장 요소는 제1 연결 분자가 터널 절연막에 결합하는 방식과 유사하게 자기조직적으로 제1 연결 분자로 이루어진 자기조직화 단분자막 상에 형성될 수 있다.
전하저장 요소가 제1 연결 분자에 의해서 하지막에 고정되고 인접한 전하저장 요소들 그리고/또는 인접한 제1 연결 분자들 사이의 정전기적 상호작용(electostatic interaction) 때문에, 제1 연결 분자로 구성된 자기조직화 단분자막에 결합한 인접한 전하저장 요소들이 서로 떨어져서 전기적으로 확실히 절연될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 인접한 전하저장 요소들 사이의 간격은 인접한 전하 저장 요소들에 결합하는 제1 관능기 및 제2 관능기를 포함하는 연결 분자 (이하 설명의 편의를 위해서 '제2 연결 분자'라 칭함) 에 의해서 실실적으로 일정하게 유지될 수 있다.
제2 연결 분자의 제1 관능기 및 제2 관능기는 예를 들어 아민을 포함할 수 있다. 또, 제2 연결 분자의 제1 관능기 및 제2 관능기는 탄화수소 또는 그 유도체에 연결될 수 있다. 예를 들어 제2 연결 분자는 디아민 (NH2-R-NH2)을 포함할 수 있다. 아민(NH2)은 C60과 강하게 결합하며, R의 탄소 개수에 의해서 인접한 전하저장 요소들 사이의 거리가 결정될 수 있다. 예를 들어 R은 (CH2)n 이며, 여기서 n은 4, 6, 12이다. 인접한 전하저장 요소들 사이의 거리는 n에 의해 크게 좌우되며, 이는 원하는 대로 적절하게 조절될 수 있다. 따라서, 인접한 전하저장 요소들 사이의 거리가 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다.
본 발명의 실시예에서 제1 연결 분자에 의해서 전하저장 요소가 그 아래의 하지막에 고정되는 것도 동시에 인접한 전하저장 요소들은 제2 연결 분자에 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 아민은 하지막 뿐만 아니라 전하저장 요소에 대해서도 강한 결합을 나타내기 때문에, 디아민이 인접한 전하저장 요소들을 연결하고 또한 전하저장 요소와 하지막을 연결할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 메모리층은 여러 층이 적층될 수 있으며 이 적층된 메모리층들 중에서 적어도 한층은 상술한 메모리층 구조를 나타낼 수 있다. 또, 각 메모리층은 서로 다른 구조를 나타낼 수 있다. 예를 들어 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리는 디아민에 의해서 일정하게 거리가 유지되는 복수 개의 풀러렌을 포함하는 메모리층, 전하를 트랩할 수 있는 질화막 같은 메모리층, 다른 메모리층의 조합에 의한 적층 메모리층을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판(10) 상에 형성된 메모리층(35)을 포함한다. 이 메모리층(35)에는 풀러렌 같은 복수 개의 전하저장 요소(30)가 서로 떨어져서 전기적으로 절연되도록 배치된다. 예를 들어 전하저장 요소(30)는 실질적으로 일전한 간격을 두고 이차원 또는 3차원적으로 배치될 수 있다. 메모리층(35)은 터널 절연막(20)에 의해서 기판(10)으로부터 보다 상세하게는 기판의 채널 영역(16)과 절연되며, 제어 절연막(40)에 의해서 게이트(50)와 절연된다. 즉, 기판(10) 상에 터널 절연막(20), 메모리층(35), 제어 절연막(40) 그리고 게이트(50)가 순차적으로 적층된다.
메모리층(35) 양측의 기판(10)에 소스/드레인 영역으로 작용하는 불순물 확산 영역들(12, 14)이 위치하고 이 불순물 확산 영역들(12, 14) 사이의 기판에 채널 영역(16)이 형성된다.
터널 절연막(20)은 예를 들어, 실리콘산화물로 형성될 수 있다. 또한, 터널 절연막(20)은 실리콘산화물보다 높은 유전상수(Dielectric constant; high-k)를 가지는 고유전 물질, 예를 들어, 알루미늄산화물, 하프늄산화물, 하프늄알루미늄산화물, 하프늄실리콘산화물, 지르코늄산화물, 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 또한 실리콘산화물과 고유전 물질의 조합으로 터널 절연막(20)이 형성될 수도 있다. 제어 절연막(40)은 예를 들어 실리콘산화물로 형성될 수 있다. 또한, 제어 절연막(40)으로서 알루미늄산화물, 하프늄산화물, 하프늄알루미늄산화물, 하프늄실리콘산화물, 지르코늄산화물 등과 같이 유전율이 높은 절연체 또는 이들의 조합이 사용될 수 있다. 게이트(50)는 폴리실리콘, 금속, 금속실리사이드, 금속의 질화물, 금속의 산화물, 금속의 황화물, 금속합금, 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전하저장 요소(30)는 풀러렌으로 형성될 수 있다. 풀러렌은 C60, C70, C76, C78, C84, C90, C120, C240 또는 탄소나노튜브(CarbonNanotube) 등을 포함한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 C60 풀러렌을 개략적으로 도시한다. C60 풀러렌은 도시된 바와 같이, 탄소원자 60개로 만들어진 분자로서, 탄소가 결합해 만드는 6각형과 5각형을 포함하고 있어 전체적인 모양은 축구공처럼 생겼다. 이 C60 풀러렌은 대략 0.7 내지 1 나노미터의 직경을 가지며 그 내부에 적어도 하나 이상의 전하 또는 전기를 띤 분자를 트랩할 수 있다. C60 풀러렌은 보다 나은 전도성 또는 자화성을 나타내기 위해서 그 내부에 금속원자를 더 포함할 수 있다. 예를 들어 C60 풀러렌은 그 내부에 La, Er, Gd, Ho, Nd 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 풀러렌 같은 작은 직경의 전하저장 요소가 실질적으로 일정한 간격으로 배치되기 때문에, 높은 트랩 밀도를 갖는 메모리층을 형성할 수있으며, 보다 높은 집적도를 갖는 비휘발성 메모리 소자를 형성할 수 있다. 또한, 전하저장 요소가 일정한 간격으로 서로 떨어져서 배치되어 절연되기 때 문에, 반복적인 동작에 따른 문턱전압 산포가 양호하게 된다. 또한, 전하저장 요소가 일정한 간격으로 서로 떨어져서 배치되어 절연되기 때문에, 터널 절연막을 통한 누설 전류에 따른 영향을 최소화할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에서, 메모리층(35) 내에서 풀러렌(30)의 배열을 설명하기 위한 모식도이다. 도 3을 참조하면, 인접하는 풀러렌(30)은 서로 떨어져서 전기적으로 절연된 체로 메모리층(35) 내에 배열된다.
제1 연결 분자(69)들은 자발적으로 터널 절연막(20) 표면에 자발적으로 화학 흡착하여 제1 연결 분자 자기조직화 단분자막(60)을 형성한다. 이로써, 제1 연결 분자(69)가 터널 절연막(20) 상에 고정된다. 그리고, 풀러렌(30)을 포함하는 메모리층(35)은 제1 연결 분자(69)로 구성된 자기조직화 단분자막(60) 상에 자발적으로 화학흡착하여 자기조직적으로 형성될 수 있다. 이로써, 풀러렌(30)은 제1 연결 분자 자기조직화 단분자막(60)에 고정될 수 있다.
제1 연결 분자(69)는 A-R1-B로 표시될 수 있으며, 여기서, A는 풀러렌(30)에 결합하는 제1 관능기(63)이고 B는 터널 절연막(20)에 결합하는 제2 관능기이며, R1은 제1 관능기(63)와 제2 관능기(65)를 연결하는 몸체(67)이다. 몸체 R1은 지방족 또는 방향족 탄화수소, 또는 그 유도체일 수 있다. 제1 연결 분자(69)의 제2 관능기(65)는 터널 절연막(20)에 자발적으로 화학흡착할 있고 풀러렌(30)은 제1 연결 분자(69)의 제1 관능기(63)에 자발적으로 화학흡착할 수 있다.
제1 연결 분자(69)의 제1 관능기(63)는 예를 들어 NH2, B2F4 -, CONH2, NH3Cl 을 포함할 수 있다. 제1 연결 분자(69)의 제2 관능기(65)는 예를 들어 OH, CH3, CO, COO, COOH, NH2, SinH2n+2, SiO를 포함할 수 있다.
터널 절연막(20)이 형성된 기판(10)을 제1 연결 분자(69)를 포함하는 용액에 담그면 터널 절연막(20) 표면에 제1 연결 분자(69)에 의한 자기조직화 단분자막(60)이 형성된다. 이어서 풀러렌(30)을 포함하는 용액에 자기조직화 단분자막(60)이 형성된 기판(10)을 담그면 서로 떨어진 복수 개의 풀러렌(30)을 포함하는 메모리층(35)이 자기조직화 단분자막(60) 상에 형성된다.
예를 들어 디아민을 사용할 경우, 터널 절연막(20)이 형성된 기판(10)을 디아민이 용해된 에탄올 용액에 담가 디아민 자기조직화 단분자막을 형성한다. 디아민 자기조직화 단분자막을 형성한 후, 기판을 풀러렌이 분산된 클로로벤젠 용액에 담그면 서로 떨어진 풀러렌을 포함하는 메모리층이 자기조직화 단분자막 상에 형성된다. 벤젠, 디클로로메탄, 아세톤 니트릴 등의 용액을 사용하여 자기조직화 단분자막을 형성한 후에 그리고/또는 메모리층을 형성한 후에 기판을 세정할 수도 있다.
다른 방법으로 풀러렌을 포함하는 용액에 제1 연결 분자를 모두 포함하는 용액을 섞은 후 이 혼합 용액에 터널 절연막(20)이 형성된 기판(10)에 담글 수 있다. 또는 풀러렌과 제1 연결 분자를 모두 포함하는 용액에 터널 절연막(20)이 형성된 기판(10)을 담글 수 있다.
용액을 사용하는 대신에, 자기조직화 단분자막은 기상 증착 방식에 의해서 형성될 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 연결 분자(69)의 제2 관능기(65)는 터널 절연막(20) 표면에 화학반응을 통해 흡착하여 자기조직화 단분자막(60)을 형성한다. 따라서, 제1 연결 분자(69)는 터널 절연막(20) 표면에 화학흡착하여 고정된다. 화학결합으로 인해서 제1 연결 분자(69)가 터널 절연막(20)으로부터 이동이 불가능하고, 인접하는 제1 연결 분자들 사이에는 상호작용, 예를 들어 서로 끌어당기는 상호작용(attractive interaction)이 발생하기 때문에, 자기조직화 단분자막(60)은 기계적, 화학적, 열역학적으로 매우 안정적이다. 예를 들어 자기조직화 단분자막(60)에서 인접한 제1 연결 분자(69)들 사이의 거리는 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 제1 연결 분자(69)들의 제1 관능기(63)들에 결합하는 풀러렌(30)들은 물리적으로 서로 떨어져 배치될 수 있다. 예를 들어 풀러렌(30)의 직경은 인접한 제1 연결 분자들 사이의 거리보다 더 클 수 있으며, 따라서 인접한 풀러렌들은 서로 떨어져서 전기적으로 절연될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에서, 메모리층(35) 내에서 풀러렌(30)의 배열을 설명하기 위한 모식도이다. 도 4를 참조하면, 풀러렌(30)은 제1 연결 분자(69)를 통해서 터널 절연막(20)에 연결된다. 또, 인접한 풀러렌(30)들은 제2 연결 분자(79)에 의해서 서로 연결된다. 따라서 본 실시예에 따르면 인접한 풀러렌(30)들이 서로 전기적으로 확실히 절연될 뿐만 아니라, 제2 연결 분자(79)로 인해서 인접한 풀러렌(30)들이 실질적으로 일정한 간격으로 서로 떨어져서 배치될 수 있다. 이 때, 인접한 풀러렌(30)들 사이의 실질적으로 일정한 간격은 주로 제2 연결 분자(79)에 의해서 결정될 수 있다.
제2 연결 분자(79)는 C-R2-D로 표시될 수 있으며, 여기서, C 및 D는 각각 풀러렌(30)에 결합하는 제1 관능기(73) 및 제2 관능기(75)이며, R2은 제1 관능기(73)와 제2 관능기(75)를 연결하는 몸체(77)이다. 몸체 R2(77)은 지방족 또는 방향족 탄화수소, 또는 그 유도체이다.
제2 연결 분자(79)의 몸체(77)가 인접한 풀러렌(30)들 사이의 거리를 주로 결정한다. 예를 들어 제1 관능기(73) 및 제2 관능기(75)는 풀러렌에 강하게 결합할 수 있는 아민을 포함한다.
예를 들어 제2 연결 분자(79)는 디아민(NH2-R2-NH2)을 포함할 수 있다. 예를 들어 R2은 (CH2)n 이며, 여기서 n은 4, 6, 12일 수 있다. 인접한 풀러렌(30)들 사이의 거리는 몸체(77)의 탄소의 개수 n에 의해 크게 좌우되며, 이는 원하는 대로 적절하게 조절될 수 있다. 따라서, 인접한 풀러렌(30)들 사이의 거리가 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다.
도 3을 참조하여 설명을 한 방법으로 자기조직화 단분자막(60) 및 풀러렌(30)을 형성한 후에, 제2 연결 분자를 포함하는 용액에 기판을 담그면, 제2 연결 분자(79)가 메모리층(35)의 풀러렌(30)에 결합한다. 즉, 제2 연결 분자(79)가 인접하는 풀러렌을 서로 연결한다. 이에 따라 인접하는 풀러렌들 사이의 거리가 제2 연 결 분자로 인해서 실실적으로 일정하게 유지될 수 있다.
예를 들어 제2 연결 분자로서 디아민을 사용할 경우, 자기조직화 단분자막(60) 및 풀러렌(30)을 형성한 후에 기판을 디아민이 용해된 에탄올 용액에 담근다. 이에 다라 인접한 풀러렌들 사이의 거리가 디아민에 의해서 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다.
다른 방법으로 터널 절연막(20) 상에 자기조직화 단분자막(60)을 형성한 후에, 풀러렌을 포함하는 용액과 제2 연결 분자를 포함하는 용액의 혼합 용액에 자기조직화 단분자막이 형성된 기판을 담글 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자에서, 풀러렌(30)은 3차원적으로 배열될 수 있다. 즉, 풀러렌(30)을 포함하는 메모리층(35)이 터널 절연막(20) 상에 여러 층 적층될 수 있다. 또한, 풀러렌(30)을 포함하는 메모리층(35)의 아래, 위에 또는 아래 및 위에 전하를 트랩할 수 있는 추가적인 메모리층이 위치할 수도 있다. 이 추가적인 메모리층은 예를 들어 전하를 저장할 수 있는 질화막, 알루미늄산화막(Al2O3), 하프늄산화막(HfO), 하프늄알루미늄산화막(HfAlO), 하프늄실리콘산화막(HfSiO) 등과 같이 전하에 대한 트랩 밀도(trap density)가 많은 절연체로 형성되거나 도핑된 폴리실리콘, 금속(Metal), 그리고 이 물질들의 나노 입자를 포함할 수 있다.
시료 메모리 소자의 제작
기판 상에 터널 절연막으로서 약 5nm 두께의 실리콘 산화막을 기상증착 방법 또는 열산화 방법을 사용하여 형성하였다. 디아민이 용해된 에탄올 용액에 기판을 담근 후 풀러렌이 분산된 클로로벤젠 용액에 기판을 담가 풀러렌 메모리층을 형성하였다. 기상증착 방법을 사용하여 풀러렌 메모리층과 터널 절연막 상에 제어 절연막으로서 약 20nm 두께의 하프늄 산화막을 형성하였다. 제어 절연막 상에 알루미늄을 사용하여 제어 전극을 형성하였다.
터널 절연막을 경유하여 기판과 풀러렌 메모리층 사이의 전하 이동을 확인하기 위하여, 시료 메모리 소자의 알루미늄 제어 전극에 다양한 값의 바이어스 전압(V) -19V, 10V, 11V, 12V, 13V, 14V, 15V를 인가하여 시료 메모리 소자를 소거 또는 프로그램하였다. 소거 또는 프로그램은 약 85℃에서 진행되었으며 바이어스 전압으로 약 1초의 폭을 갖는 펄스가 사용되었다.
도 5는 소거 또는 프로그램된 시료 메모리 소자의 전압-커패시턴스(C-V) 특성을 나타낸다. 도 5에서 가로 축은 소거 또는 프로그램된 메모리 소자의 제어 전극에 가해지는 전압(VG) 을 그리고 세로 축은 커패시턴스(F)를 가리킨다. 도 5에서 곡선 ①은 시료 메모리 소자의 제어 전극에 약 -19V의 소거 전압을 인가하여 시료 메모리 소자를 소거 상태로 한 후에 측정한 C-V 곡선이다. 그리고 곡선 ② 내지 ⑦은 각각 소거 상태의 시료 메모리 소자에 프로그램 전압으로서 10, 11, 12, 13, 14, 15V를 인가한 후에 측정한 C-V 곡선이다.
도 5를 참조하면, 제어 전극에 인가되는 프로그램 전압이 증가할수록, 주어 진 제어 전극 전압(VG) 에서 커패시턴스가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이로써, 터널 절연막을 관통하여 전하가 기판으로부터 풀러렌 메모리층으로 주입되는 것을 알 수 있다.
도 6은 프로그램 전압(V)에 따른 문턱 전압(VT)을 보여주는 그래프이다. 도 6을 참조하면, 소거된 시료 메모리 소자의 문턱전압은 대략 -1.83V이고, 약 10V로 프로그램했을 대의 시료 메모리 소자의 문턱 전압은 대략 1.5V 였다. 그리고 프로그램 전압(V)이 증가할수록 시료 메모리 소자의 문턱전압(VT)이 증가하는 것을 확인할 수 있으며, 약 15V로 프로그램했을 때의 문턱전압은 약 4.82V 였다. 이 같은 실험 결과로부터 본 발명의 실시예에 따른 풀러렌 메모리층이 비휘발성 메모리 소자에 유용하게 적용될 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 소거 상태의 문턱전압과 프로그램 상태의 문턱전압의 차이가 상당히 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
도 7은 프로그램 시간에 따른 시료 메모리 소자의 문턱전압을 개략적으로 도시한다. 도 7을 참조하면, 프로그램 시간이 증가할수록 문턱전압이 증가하는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 인접한 전하저장 요소들을 확실히 전기적으로 절연할 수 있어, 높은 집적도를 갖는 메모리 소자를 형성할 수 있다.
또 본 발명의 실시예들에 따르면 인접한 전하저장 요소들이 실질적으로 동일한 간격을 두고 서로 떨어져 배치될 수 있어, 보다 높은 집적도를 갖는 메모리 소 자를 형성할 수 있다.
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- 기판 상에 형성된 터널 절연막;상기 터널 절연막 상의 제어 절연막;상기 제어 절연막 상에 형성된 게이트;상기 제어 절연막 내에 배치되며 각각이 적어도 하나 이상의 전하를 저장하고, 서로 떨어져서 전기적으로 절연된 복수 개의 전하저장 요소; 그리고상기 복수 개의 전하 저장 요소를 서로 떨어지게 배치하는 연결 분자를 포함하되,상기 연결 분자는 제1 연결 분자를 포함하고,상기 전하저장 요소는 상기 제1 연결 분자에 의해 상기 터널 절연막에 결합하는 메모리 소자.
- 청구항 16에 있어서, 상기 제1 연결 분자는 상기 전하저장 요소에 결합하는 제1 관능기와 상기 터널 절연막에 결합하는 제2 관능기를 포함하는 메모리 소자.
- 청구항 17에 있어서, 상기 제1 관능기는 NH2, B2F4 -, CONH2, NH3Cl을 포함하는 메모리 소자.
- 청구항 17에 있어서, 상기 제2 관능기는 OH, CH3, CO, COO, COOH, NH2, SinH2n+2, SiO를 포함하는 메모리 소자.
- 청구항 17에 있어서,상기 연결 분자는 제2 연결 분자를 더 포함하고,서로 인접하는 전하저장 요소들 사이의 간격은 상기 서로 인접하는 전하저장 요소들에 결합하는 상기 제2 연결 분자에 의해서 결정되는 메모리 소자
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080296662A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Gerhard Poeppel | Discrete Trap Memory (DTM) Mediated by Fullerenes |
| US20120012919A1 (en) * | 2009-03-27 | 2012-01-19 | Cornell University | Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same |
| US8542540B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-09-24 | Cornell University | Nonvolatile memory and methods for manufacturing the same with molecule-engineered tunneling barriers |
| KR100989615B1 (ko) | 2009-09-02 | 2010-10-26 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| CN102723439A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法 |
| JP2013187362A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| KR102192950B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2020-12-18 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 나노 플로팅 게이트를 갖는 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
| KR20150072288A (ko) * | 2013-12-19 | 2015-06-29 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 전하트랩층을 갖는 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
| CN106098942B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-09-20 | 南京邮电大学 | 一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050053626A (ko) * | 2002-08-22 | 2005-06-08 | 아트멜 코포레이숀 | 나노결정 전자 소자 |
| KR100550452B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2006-02-08 | 한국과학기술원 | 정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법 |
| KR20060093384A (ko) * | 2005-02-21 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0843360A1 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Hitachi Europe Limited | Memory device |
| EP0865078A1 (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-16 | Hitachi Europe Limited | Method of depositing nanometre scale particles |
| EP0926260A3 (en) * | 1997-12-12 | 2001-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Using antibody - antigen interaction for formation of a patterened metal film |
| US6472705B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-10-29 | International Business Machines Corporation | Molecular memory & logic |
| US20030218927A1 (en) | 2000-12-11 | 2003-11-27 | Yaron Mayer | RAM memory based on nanotechnology, capable, among other things, of replacing the hard disk in computers |
| US6896864B2 (en) * | 2001-07-10 | 2005-05-24 | Battelle Memorial Institute | Spatial localization of dispersed single walled carbon nanotubes into useful structures |
| US6674121B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-01-06 | The Regents Of The University Of California | Method and system for molecular charge storage field effect transistor |
| CN1257283C (zh) * | 2003-01-21 | 2006-05-24 | 中国科学院遗传与发育生物学研究所 | 一种培育高抗病毒转基因植物的方法与应用 |
| EP1671365B1 (en) * | 2003-10-06 | 2018-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Non-volatile memory device |
| US7595528B2 (en) * | 2004-03-10 | 2009-09-29 | Nanosys, Inc. | Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays |
| KR100654386B1 (ko) | 2004-06-25 | 2006-12-05 | 중앙대학교 산학협력단 | 나노 정보소자 및 그 제조방법 |
| WO2006127589A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanoparticles in a flash memory using chaperonin proteins |
| US7262991B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-08-28 | Intel Corporation | Nanotube- and nanocrystal-based non-volatile memory |
| FR2889620B1 (fr) * | 2005-08-02 | 2007-11-30 | Commissariat Energie Atomique | Polyoxometallates dans des dispositifs de memoire |
| US7482619B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge trap memory device comprising composite of nanoparticles and method of fabricating the charge trap memory device |
-
2006
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2007
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050053626A (ko) * | 2002-08-22 | 2005-06-08 | 아트멜 코포레이숀 | 나노결정 전자 소자 |
| KR100550452B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2006-02-08 | 한국과학기술원 | 정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법 |
| KR20060093384A (ko) * | 2005-02-21 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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