KR100861488B1 - 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법은, 납(Pb) 또는 비스무트(Bi)가 포함된 동합금 스크랩을 준비하는 동합금 준비단계; 동에 희토류 금속 또는 미시메탈(misch metal)을 고용시켜 모합금을 제조하는 모합금 제조단계; 상기 동합금 스크랩을 용융시킨 용탕에 상기 모합금을 첨가하여 그 용탕 중의 납 또는 비스무트와 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈의 금속간 화합물을 형성시키는 금속간 화합물 형성단계; 상기 금속간 화합물 형성단계에서 형성된 금속간 화합물을 상기 용탕으로부터 제거하는 금속간 화합물 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법{Method of extracting lead or bismuth from copper alloy}

도 1 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 순서도이다.

도 2는 본 발명의 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태가 아닌 형태로 첨가 하였을 때의 동합금의 미세조직 사진이다.

도 3은 본 발명의 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태로 첨가 하였을 때의 동합금의 미세조직 사진이다.

도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 사진상의 금속간 화합물의 성분분석 결과를 보여주는 표이다.

도 5는 본 발명의 금속간 화합물 제거단계에서 수평방식의 필터가 채용된 경우 그 필터의 배치상태를 보여주는 개략적 도면이다.

도 6은 본 발명의 금속간 화합물 제거단계에서 수직방식의 필터가 채용된 경우 그 필터의 배치상태를 보여주는 개략적 도면이다.

도 7은 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 납의 제거효과를 보여주는 실험결과이다.

도 8은 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 비스무트의 제거효과를 보여주는 실험결과이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10,20...필터

본 발명은 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태로 제조하여 용융된 동합금에 첨가함으로써 납 또는비스무트와 희토류 금속간 고체상태의 금속간 화합물을 형성시켜 그 금속간 화합물을 용탕으로부터 제거함으로써 납 또는 비스무트를 동합금으로부터 제거하는 방법에 관한 것이다.

납(Pb)과 비스무트(Bi) 입자는 동합금의 결정립의 계면 또는 입내에서 고용되지 않고 자유롭게 존재한다. 또한 용융온도가 납이 327℃, 비스무트가 271℃로 서 황동의 융융온도 보다 낮으며, 비중은 납이 11.34, 비스무트는 9.8로 황동의 8.43보다 높은 특성을 가지고 있다.

절삭 가공용 소재로 사용되고 있는 함연 황동 소재는 일반적으로 납(Pb)을 3% 정도 함유하고 있다. 최근 환경 규제 강화에 따라 납 사용량을 제한함에 따라 황동 소재 스크랩을 원재료로 사용하는데 제약이 있다. 또한 함연 황동 대체 소재로 사용되고 있는 무연 황동(납 대신 비스무트(Bi) 함유)의 경우에는 사용 후 발생되는 스크랩이 기존 함연 황동 스크랩과의 구분이 어려워서, 두 스크랩이 혼합될 경우 제품에 치명적 문제를 유발하게 된다. 그 결과, 재활용 스크랩 사용이 많은 제약을 받고 있다. 따라서 함연(Pb 함유) 또는 무연(Bi 함유) 황동 스크랩 내의 납또는 비스무트를 제거 하거나, 그 함량을 낮출 수 있는 방법이 개발된다면 현재 사용하고 있는 함연 또는 무연 황동 스크랩의 사용량이 증가하고 활성화 될 수 있어 재활용 산업에 크게 기여 할 수 있다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태로 제조하여 용융된 동합금에 첨가함으로써 납 또는비스무트와 희토류 금속간 고체상태의 금속간 화합물을 형성시켜 그 금속간 화합물을 용탕으로부터 제거함으로써 납 또는 비스무트를 동합금으로부터 제거하는 방법을 제공함에 목적이 있다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법은, 납(Pb) 또는 비스무트(Bi)가 포함된 동합금 스크랩을 준비하는 동합금 준비단계;

동에 희토류 금속 또는 미시메탈(misch metal)을 고용시켜 모합금을 제조하는 모합금 제조단계;

상기 동합금 스크랩을 용융시킨 용탕에 상기 모합금을 첨가하여 그 용탕 중의 납 또는 비스무트와 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈의 금속간 화합물을 형성시키는 금속간 화합물 형성단계;

상기 금속간 화합물 형성단계에서 형성된 금속간 화합물을 상기 용탕으로부터 제거하는 금속간 화합물 제거단계;를 포함하는 점에 특징이 있다.

상기 모합금 제조단계의 상기 희토류 금속은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd), 이트륨(Y) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하며,

상기 모합금 제조단계의 상기 미시메탈은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 모합금 제조단계에서 상기 모합금의 희토류 금속 또는 미시메탈과 동의 화학조성비는 희토류 금속 또는 미시메탈이 75wt% 내지 90wt%이며, 나머지 성분은 동인 것이 바람직하다.

상기 모합금 제조단계에서 용융된 모합금의 온도를 900℃ 내지 1100℃로 유지하는 것이 바람직하다.

상기 모합금 제조단계에서 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈을 먼저 용융시킨 다음 그 용융된 희토류 금속 또는 미시메탈에 동을 첨가하는 것이 바람직하다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 모합금의 첨가량이 전체 용탕 중량 중 0.5wt% 내지 5.0wt%인 것이 바람직하다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 950℃ 내지 1100℃로 유지하는 것이 바람직하다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 10분 내지 60분간 유지하는 것이 바람직하다.

상기 금속간 화합물 제거단계에서 그 금속간 화합물은 슬래그화 하여 그 슬래그를 제거하거나 또는 필터를 사용하여 제거하는 것이 바람직하다.

상기 필터는 세라믹 필터, 폼 필터 중 적어도 어느 하나이며,

그 필터의 재질은 MgO, SiO₂, SiC, Al₂O₃ 중 적어도 어느 하나이며,

상기 필터가 폼 필터일 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 10개 내지 50개의 구멍(pore)을 가지며

상기 필터가 세라믹 필터인 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 50개 내지 200개의 셀(cell)을 가지는 것이 바람직하다.

상기 필터는 상기 용탕의 흐름방향에 수직하게 설치되며,

상기 필터를 통과하는 용탕의 흐름방향은 지면에 대해 수평 또는 수직인 것이 바람직하다.

상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수평인 경우, 그 용탕의 온도는 1000℃ 내지 1100℃이며,

상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수직인 경우, 그 용탕의 온도는 950℃ 내지 1050℃인 것이 바람직하다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.

도 1 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 순서도이다. 도 2는 본 발명의 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태가 아닌 형태로 첨가 하였을 때의 동합금의 미세조직 사진이다. 도 3은 본 발명의 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금의 형태로 첨가 하였을 때의 동합금의 미세조직 사진이다. 도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 사진상의 금속간 화합물의 성분분석 결과를 보여주는 표이다. 도 5는 본 발명의 금속간 화합물 제거단계에서 수평방식의 필터가 채용된 경우 그 필터의 배치상태를 보여주는 개략적 도면이다. 도 6은 본 발명의 금속간 화합물 제거단계에서 수직방식의 필터가 채용된 경우 그 필터의 배치상태를 보여주는 개략적 도면이다. 도 7은 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 납의 제거효과를 보여주는 실험결과이다. 도 8은 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법의 비스무트의 제거효과를 보여주는 실험결과이다.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법은, 동합금 준비단계(S1)와, 모합금 제조단계(S2)와, 금속간 화합물 형성단계(S3)와, 금속간 화합물 제거단계(S4)를 포함하고 있다.

상기 동합금 준비단계(S1)에서는 납 또는 비스무트가 함유된 동합금 구체적으로는 황동합금을 용융시키기 편한 상태로 준비한다.

상기 모합금 제조단계(S2)에서는 동(Cu)에 희토류 금속(Rm 이라 함) 또는 미시메탈(misch metal, Mm 이라 함)을 고용시켜 모합금을 제조한다. 상기 동합금에 포함된 납 또는 비스무트와 상기 희토류 금속 또는 미시메탈간 금속간 화합물 형성을 효율적으로 이루어질 수 있도록 하기 위한 단계이다. 상기 희토류 금속은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd), 이트륨(Y) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고 있다. 상기 미시메탈은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고 있다.

본 발명의 발명자는 상기 모합금 제조단계의 필요성을 확인하기 위하여 먼저, 상기 희토류 금속 또는 미시메탈을 단독으로 상기 동합금 용탕에 첨가하여 화합물의 형성 여부를 관찰한 결과, 도 2에 도시된 사진과 같이 납과 비스무트간 금속간 화합물이 관찰되지 않았다.

그래서, 상기 금속간 화합물 형성 효과를 높이고자 Cu-Rm 또는 Cu-Mm 합금을 제조하여 모합금 형태로 동합금 용탕에 첨가한 결과 도 3에 도시된 바와 같이 짧은 시간내 금속간 화합물이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 따라서, 상기 희토류 금속 또는 미시메탈은 모합금 형태로 제조하여 첨가하는 것이 필요하다는 결론에 이르렀다.

상기 모합금 제조단계에서 상기 모합금의 희토류 금속 또는 미시메탈과 동의 화학조성비는 희토류 금속 또는 미시메탈이 75wt% 내지 90wt%이며, 나머지 성분은 동인 것이 바람직하다. 상기 희토류 금속 또는 미시메탈이 75wt% 미만으로 첨가되거나 90wt%를 초과하게 첨가되는 경우에는 동(Cu)과 희토류 금속 또는 동(Cu) 과 미시메탈간의 합금 조직이 공정조직이 50% 미만으로 형성되기 때문에 모합금의 융점이 높아지는 문제점이 있다.

상기 모합금 제조단계에서 용융된 모합금의 온도를 900℃ 내지 1100℃로 유지하는 것이 바람직하다. 상기 용융된 모합금의 온도를 900℃ 미만으로 유지하거나 1100℃ 를 초과하도록 유지하는 경우에는 동(Cu)과 희토류 금속 또는 동(Cu) 과 미시메탈간의 합금 조직이 공정조직이 50% 미만으로 형성되기 때문에 모합금의 융점이 높아지는 문제점이 있다.

상기 모합금 제조단계에서 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈을 먼저 용융시킨 다음 그 용융된 희토류 금속 또는 미시메탈에 동(Cu)을 첨가하였다. 즉, 용융 방법은 동(Cu)보다 융점(Cu 1084℃)이 낮은 원소인 Ce, La, Nd(Ce 798℃, La 918℃, Nd 1021℃) 등을 먼저 용융한 후 동(Cu)을 첨가하여 용융하는 장입 방식으로 하여 모합금을 제조하였다.

상기 모합금 제조단계에서 Cu-Rm 또는 Cu-Mm 모합금 제조시 용융작업을 원활하게 하고자 공정조직(공정 조성 ; Ce-15%Cu, La-15%Cu, Nd-18%Cu) 함량을 50%이상으로 하고, 모합금의 융점(Ce-Cu 424℃, La-Cu 475℃, Nd-Cu 520℃)을 가능한 낮게 관리하였다. 또한 동(Cu)의 첨가량을 적게하고자 모합금 제조시 동 함량을 10~25wt%Cu로 하여 관리하였다.

상기 금속간 화합물 형성단계(S3)에서는 상기 동합금 스크랩을 용융시킨 용탕에 상기 모합금 제조단계에서 제조된 상기 모합금을 첨가하여 그 용탕 중의 납 또는 비스무트와 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈의 금속간 화합물을 형성시킨다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 모합금의 첨가량이 전체 용탕 중량 중 0.5wt% 내지 5.0wt%인 것이 바람직하다. 상기 모합금의 첨가량이 전체 용탕 중량 중 0.5wt% 미만이면 그 용탕 중의 납 또는 비스무트가 금속간 화합물로 형성되지 않고 많이 남아 있게 되는 문제점이 있다. 한편, 상기 모합금의 첨가량이 전체 용탕 중량 중 5.0wt% 를 초과하면 그 용탕 중의 납 또는 비스무트와 반응하고 남는 희토류 금속 또는 미시메탈이 존재하게 되며, 그러한 원소들은 동합금의 물성에 나쁜 영향을 주게 되는 문제점이 있다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 950℃ 내지 1100℃로 유지하는 것이 바람직하다. 상기 용탕의 온도를 950℃ 미만으로 유지하는 경우에는 용탕의 유동성이 떨어져서 금속간 화합물의 형성효과가 떨어지는 문제점이 있으며, 상기 용탕의 온도를 1100℃ 를 초과하도록 유지하는 경우에는 동합금의 필수 성분인 아연(Zn)이 증발량이 너무 많아지는 문제점이 있다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 10분 내지 60분간 유지하는 것이 바람직하다. 상기 용탕의 온도를 10분 미만으로 유지시키는 경우에는 주조가 어려운 문제점이 있다. 한편, 상기 용탕의 온도를 60분을 초과하도록 유지시키는 경우에는 형성된 납 또는 비스무트와 희토류 금속 또는 미시메탈 간에 형성된 금속간 화합물이 분해될 가능성이 있다.

상기 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금으로 첨가할 경우 황동 조직내의 납 또는 비스무트는 희토류 금속 또는 미시메탈에 함유된 금속과 반응하여 도 3에 도시된 바와 같이 사각형 또는 다른 형태의 화합물로 형성된다.

상기 금속간 화합물 제거단계에서 그 금속간 화합물은 슬래그화 하여 그 슬래그를 제거하거나 또는 필터(10,20)를 사용하여 제거하는 것이 바람직하다. 그 이유는 Rm 또는 Mm을 첨가하면 납의 경우 Pb-Ce, Pb-La, Pb-Nd와 같은 납 화합물을 형성하여 융점이 약 1,170~1,450℃로 되고, 비스무트의 경우 Bi-Ce, Bi-La, Bi-Nd, Y-Bi 등과 같은 비스무트 화합물을 형성하여 융점은 약 1,530℃~2,020℃로 더욱 높아진다. 높은 융점을 가진 화합물들은 동합금의 용탕 온도인 1,000~1,050℃보다 융점이 높기 때문에 용탕내에서 화합물들이 고체 상태로 유지되어 슬래그 또는 필터링을 통해 제거가 가능하게 된다.

상기 금속간 화합물 제거단계에서 사용되는 상기 필터(10,20)는 세라믹 필터, 폼 필터, 그래뉼 필터, 천필터 중 적어도 하나 이상이 사용될 수 있다.

상기 필터(10,20)의 재질은 MgO, SiO₂, SiC, Al₂O₃ 중 적어도 어느 하나 이상이 사용될 수 있다. 상기 필터(10,20)가 폼 필터일 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 10개 내지 50개의 구멍(pore)을 가지는 것이 바람직하다. 상기 필터(10,20)가 세라믹 필터인 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 50개 내지 200개의 셀(cell)을 가지는 것이 바람직하다. 상기 필터(10,20)가 폼 필터인 경우에는 그 필터의 두께가 상대적으로 두껍기 때문에 단위 인치 면적당 적은 수의 구멍으로도 필터링 효과를 나타내는 반면에, 상기 필터(10,20)가 세라믹 필터인 경우에는 그 필터의 두께가 상대적으로 얇기 때문에 단위 인치 면적당 많은 수의 구멍이 필요하다.

상기 필터(10,20)는 상기 용탕의 흐름방향에 수직하게 설치되는 것이 바람직하다. 상기 필터(10,20)를 통과하는 용탕의 흐름방향은 지면에 대해 수평 또는 수직인 것이 일반적이다. 도 5에는 상기 용탕의 흐름방향이 수평인 경우의 상기 필터(10)의 배치를 개략적으로 도시하였으며, 도 6에는 상기 용탕의 흐름방향이 수직인 경우의 상기 필터(20)의 배치를 개략적으로 도시하였다. 상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수평인 경우, 그 용탕의 온도는 1000℃ 내지 1100℃인 것이 바람직하다. 상기 용탕의 온도가 1000℃ 미만인 경우에는 유동성이 떨어지는 문제점이 있으며, 그 용탕의 온도가 1100℃를 초과하는 경우에는 상기 금속간 화합물이 분해될 가능성이 있다. 상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수직인 경우, 그 용탕의 온도는 950℃ 내지 1050℃인 것이 바람직하다. 상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수직인 경우의 온도가 상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수평인 경우의 온도보다 낮게 유지하는 것은 주조과정에서 용탕 케이스에 잔존하는 용융물이 보온 작용을 하기 때문이다.

이하, 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법을 사용하여 황동 합금 스크랩으로부터 납 또는 비스무트를 제거한 시험결과를 서술하기로 한다.

도 2는 상기 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금 형태로 첨가하지 않고 개별 금속으로 첨가한 경우의 용융된 합금을 고체 상태로 냉각시킨 후 그 미세 조직을 관찰한 사진이며, 도 2에 화살표로 표시된 세곳의 입자를 화학성분 분석을 한 결과가 도 4에 도시되어 있다. 도 4에서 도 2의 화합물 성분 분석 결과 납이 포함된 황동입자와, 희토류 금속이 포함된 미시메탈, 그리고 납이 포함되지 않는 동과 미시메탈의 합금이 생성되었을 뿐 납과 미시메탈간의 금속간 화합물은 형성되지 않았음을 알 수 있다.

반면에, 도 3은 상기 금속간 화합물 형성단계에서 희토류 금속 또는 미시메탈을 모합금 형태로 첨가한 경우의 용융된 합금을 고체 상태로 냉각시킨 후 그 미세 조직을 관찰한 사진이더. 도 3에 화살표로 표시된 세곳의 입자를 화학성분 분석을 한 결과가 도 4에 도시되어 있다. 도 4에서 도 3의 화합물 성분 분석 결과 3곳의 입자 모두가 동이 거의 포함되지 않고 납과 희토류 금속간의 금속간 화합물이 형성되었음을 알 수 있다.

이와 같이 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법을 사용하여 황동합금으로부터 납을 제거한 결과가 도 7에 도시되어 있다. 도 7을 참조하면, 납이 포함된 황동합금으로부터 납이 제거된 비율은 6개의 실시예를 통하여 최소 13.1% 내지 최대 33.2% 까지의 제거율을 보여주었다. 또한, 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법을 사용하여 황동합금으로부터 비스무트를 제거한 결과가 도 8에 도시되어 있다. 도 8을 참조하면, 비스무트가 포함된 황동합금으로부터 비스무트가 제거된 비율은 4개의 실시예를 통하여 최소 67.5% 내지 최대 96.1% 까지의 제거율을 보여주었다.

이상의 결과를 종합하여 보면, 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법은 모합금의 형태로 희토류 금속 또는 미시메탈을 황동합금 용탕에 첨가함으로써 금속간 화합물을 형성시켜 편리하게 제거할 수 있는 효과가 있음을 알 수 있다.

이상, 바람직한 실시 예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명이 그러한 예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 실시 예가 구체화될 수 있을 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법은 모합금의 형태로 희토류 금속 또는 미시메탈을 황동합금 용탕에 첨가함으로써 금속간 화합물을 형성시켜 편리하게 제거할 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

1. 납(Pb) 또는 비스무트(Bi)가 포함된 동합금 스크랩을 준비하는 동합금 준비단계;

   동에 희토류 금속 또는 미시메탈(misch metal)을 고용시켜 모합금을 제조하는 모합금 제조단계;

   상기 동합금 스크랩을 용융시킨 용탕에 상기 모합금을 첨가하여 그 용탕 중의 납 또는 비스무트와 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈의 금속간 화합물을 형성시키는 금속간 화합물 형성단계;

   상기 금속간 화합물 형성단계에서 형성된 금속간 화합물을 상기 용탕으로부터 제거하는 금속간 화합물 제거단계;를 포함하며,

   상기 모합금 제조단계의 상기 희토류 금속은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd), 이트륨(Y) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하며,

   상기 모합금 제조단계의 상기 미시메탈은 세륨(Ce), 란탄(La), 네오디뮴(Nd) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,

   상기 모합금 제조단계에서 상기 모합금의 희토류 금속 또는 미시메탈과 동의 화학조성비는 희토류 금속 또는 미시메탈이 75wt% 내지 90wt%이며, 나머지 성분은 동인 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 모합금 제조단계에서 용융된 모합금의 온도를 900℃ 내지 1100℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 모합금 제조단계에서 상기 희토류 금속 또는 상기 미시메탈을 먼저 용융시킨 다음 그 용융된 희토류 금속 또는 미시메탈에 동을 첨가하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 모합금의 첨가량이 전체 용탕 중량 중 0.5wt% 내지 5.0wt%인 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
7. 제1항에 있어서

   상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 950℃ 내지 1100℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
8. 제7항에 있어서,

   상기 금속간 화합물 형성단계에서 상기 용탕의 온도를 10분 내지 60분간 유지하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
9. 제1항에 있어서,

   상기 금속간 화합물 제거단계에서 그 금속간 화합물은 슬래그화 하여 그 슬래그를 제거하거나 또는 필터를 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 필터는 세라믹 필터, 폼 필터 중 적어도 어느 하나이며,

    그 필터의 재질은 MgO, SiO₂, SiC, Al₂O₃ 중 적어도 어느 하나 이상이며,

    상기 필터가 폼 필터일 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 10개 내지 50개의 구멍(pore)을 가지며

    상기 필터가 세라믹 필터인 경우 그 필터는 단위 인치(inch) 면적당 50개 내지 200개의 셀(cell)을 가지는 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무 트를 제거하는 방법.
11. 제9항에 있어서,

    상기 필터는 상기 용탕의 흐름방향에 수직하게 설치되며,

    상기 필터를 통과하는 용탕의 흐름방향은 지면에 대해 수평 또는 수직인 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.
12. 제11항에 있어서,

    상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수평인 경우, 그 용탕의 온도는 1000℃ 내지 1100℃이며,

    상기 용탕의 흐름방향이 지면에 대해 수직인 경우, 그 용탕의 온도는 950℃ 내지 1050℃인 것을 특징으로 하는 동합금으로부터 납 또는 비스무트를 제거하는 방법.

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