KR100797092B1 - 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법 - Google Patents
미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법 Download PDFInfo
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- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
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- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
Abstract
Description
Claims (13)
- 기판 위에 금속 박막을 형성시키고 미세 접촉 인쇄를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 위에 유기 절연층을 형성시키고 패터닝하는 단계;상기 유기 절연층 위에 금속 박막을 형성시키고 미세 접촉 인쇄를 이용하여 드레인 및 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 드레인 및 소스 전극을 포함하는 상부에 유기 반도체층을 형성시키고 패터닝하는 단계;를 포함하고,상기 미세 접촉 인쇄 공정은,고분자 몰드 재료를 혼합하여 기 설정된 마스터(master) 상에 붓고 경화시킨 후 벗겨내어 탄성중합체 스탬프(PDMS stamp)를 제작하는 단계; 및상기 탄성중합체 스탬프 표면에 자기 조립 단층막(self assembled monolayer)을 잉킹(inking)한 후 금속 박막이 코팅된 기판에 인쇄 패턴을 전사하는 단계;를 포함하는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 삭제
- 제1 항에 있어서,상기 유기 절연층은 20℃ 내지 50℃의 온도에서 형성되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제3 항에 있어서,상기 유기 절연층은 페릴렌(Parylene)으로 형성되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 20℃ 내지 100℃의 온도에서 형성되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제5 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 펜타신(Pentacene)으로 형성되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계 사이에 유기물 결합체 작용제를 코팅하는 단계를 더 포함하는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 유기 반도체층을 형성시킨 후 패터닝하기 전에, 상기 유기 반도체층 위에 페릴렌을 증착하여 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 유기 절연층 및 상기 유기 반도체층은 포토리소그래피 공정에 의해 패터닝되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제9 항에 있어서,상기 패터닝된 유기 절연층과 상기 유기 반도체층은 O2 플라즈마에 의해 선택적으로 식각되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethlenenaphthalate)로 형성되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 기판 및 상기 유기 절연층 위의 금속 박막은 접합층으로서 Cr박막을 증착하고, 식각층으로서 Au 박막을 증착하는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 Au 박막은 인쇄 패턴의 전사 후 Au 식각 용액으로 선택적으로 식각되는 미세 접촉 인쇄를 이용한 유기박막 구동소자의 제조방법.
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