KR100796353B1 - 무필터 방식의 가공액 여과장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방전가공에 사용되는 가공액의 여과장치에 관한 것으로, 여과필터를 사용하지 않고 가공액이 다수개의 침전조를 일방향으로 통과하도록 유도하여 비중에 의해 가공칩과 분리되도록 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치에 관한 것이다.

본 발명은 방전가공시 사용되는 가공액을 여과하는 여과장치에 있어서, 상자형상의 기본골격을 형성하는 몸체와, 상기 몸체의 내부에 형성되어, 내부공간을 구획하는 다수개의 격벽과, 상기 몸체와 다수개의 격벽에 의해 형성되어, 가공액이 순차적으로 수용되는 다수개의 침전조와, 상기 다수개의 침전조 중 어느 하나와 연결되어, 방전가공에 사용된 가공액을 이송시키는 이송펌프와, 가공액이 마지막에 수용되는 침전조와 연통되어, 가공액을 외부로 배출시키는 배출관을 포함하는 구성을 가지며, 상기 침전조에는 하측은 연통되고 상측은 두 부분으로 구획되도록 장착되는 유도판이 더 구비되고, 상기 격벽은 순차적으로 높이가 낮아지도록 장착된다. 이러한 본 발명에 의하면, 가공액이 순차적으로 수용되어 비중에 의해 가공칩이 침전되어 가공액이 여과된다

방전가공, 가공칩, 가공액, 유도판, 비중, 펌프, 침전

Description

무필터 방식의 가공액 여과장치{A filterless style filterating equipment for working water}

도 1 은 와이어 컷 방전가공기의 가공액 여과 흐름도.

도 2 는 종래기술에 의한 여과장치의 부분 절개 사시도.

도 3 은 본 발명에 의한 일실시예인 여과장치의 외형을 보인 사시도.

도 4a 내지 도 4d 는 본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여과장치의 여과 방식을 설명하기 위한 개략도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100 ..... 본체 120 ..... 중앙판넬

140 ..... 전측판넬 150 ..... 좌측판넬

160 ..... 우측판넬 170 ..... 후측판넬

200 ..... 인워드 침전조 220 ..... 제 1 격벽

240 ..... 제 2 격벽 260 ..... 제 1 유도판

300 ..... 제 1 커넥션 침전조 320 ..... 제 3 격벽

340 ..... 제 2 유도판 400 ..... 제 2 커넥션 침전조

420 ..... 제 4 격벽 440 ..... 제 3 유도판

500 ..... 아웃워드 침전조 520 ..... 제 4 유도판

600 ..... 가공칩 배출홀 620 ..... 배출밸브

700 ..... 이송펌프 720 ..... 이송관

722 ..... 유입밸브 800 ..... 배출관

820 ..... 배수밸브 C ....... 가공칩

본 발명은 방전가공 시 방전작용에 의해 가공액 속에 함유된 가공칩(Sludge)을 여과필터를 사용하지 않고 다수개의 여과조를 통과시킴으로써 비중에 의해 가공칩을 분리하는 무필터 방식의 가공액 여과장치에 관한 것이다.

금속가공법의 한 종류인 방전가공(Electric Discharge Machining : EDM)은 가공액 속에서 전극과 공작물 사이의 아크(Arc)방전에 의한 열작용과 가공액의 기화폭발작용으로 공작물을 용융 성형하는 가공법이다.

일반적인 기계가공은 피 가공물보다 경도가 높은 공구를 사용하여 압력을 가하여 가공하지만, 방전가공에서는 피 가공물과 공구가 직접 접촉하지 않고, 가공액이 수용된 탱크 내에서 전극(-)과 공작물(+)과의 간격을 수 마이크로미터(㎛)로 하여 방전시킴으로써 이로 인해 발생되는 아크열로 가공물을 가공하게 된다.

이러한 방전가공은 절삭가공이 어려운 초경합금, 담금질 열처리강, 내열강, 고경도 재료 등 난삭성의 재료를 가공하는데 매우 유용하고, 가공시 열로 인한 가공 변질층이 얇고 내마모, 내부식성이 뛰어나 널리 이용되고 있으며, 와이어컷 방 식에 많이 사용되고 있다.

와이어 컷 방전가공은 전극을 와이어로 사용하고, 가공액은 물을 이용하며, 상기 와이어는 동, 황동, 흑연, 텅스텐, 몰리브덴 등의 재질을 이용하여 가공한다.

그리고, 와이어 컷 방전가공을 이용한 방전가공기는, 공작물을 플러스극(+)으로 두고, 와이어를 마이너스극(-)으로 하여 공작물과 와이어 사이에 방전반응을 일으켜 공작물을 가공하게 된다.

방전가공시 사용되는 가공액은 극간의 절연을 회복하고, 방전 폭발압력을 발생시키며, 방전가공의 냉각 및 가공칩(Sludge)의 제거 등의 기능을 수행한다.

따라서, 방전가공을 수행한 가공액 속에는 가공칩이 포함되고 이러한 가공칩은 여과과정을 거친 후 방전가공을 위해 가공부위에 재공급된다.

도 1 은 와이어 컷 방전가공기의 가공액 여과 흐름도로, 도면에 도시된 바에 의하면, 가공액은 피가공물(1)과 와이어(2)의 방전가공 부분에 공급되어 피가공부분을 냉각하고 가공칩을 제거하게 된다.

그리고, 상기와 같이 가공칩을 제거한 가공액은 테이블 가공조(3)에 집수된 후 가공액을 회수하는 오수액탱크(4)에 취합된다.

상기 오수액탱크(4)에 취합된 가공액은 순환펌프(5)에 의해 이송되어 가공칩을 여과하는 여과장치(6)를 통과하여 가공칩과 정화된 가공액이 분리되고, 분리된 가공액은 정수액탱크(7)에 수용된다.

상기와 같이 정수액탱크(7)에 수용된 가공액은 이온교환기(8)을 통과하여 순수한 상태의 물이 되고, 가압펌프(9)에 의해 가공부분에 공급된다. 이때, 가공액이 지나가는 통로에 구비된 비저항 제어장치(10)는 비저항검출전극(11)에서 측정된 수치가 일정 제어치보다 낮을 때는 전해질의 비저항 조정액을 투입하여 일정 제어치에 맞추게 되고, 저항값이 높을 때에는 전자석(12)이 차단변을 열어 가공액을 이온교환기(8)를 통과시켜 이온을 제거하여 일정 제어치에 맞추게 된다.

상기와 같은 가공액의 흐름 중 가공칩과 가공액을 분리하는 여과장치(6)는 방전가공의 요부구성으로, 상기 여과장치(6)에서 가공칩이 분리되지 않고 가공부위에 가공액이 공급되면, 와이어와 피가공물 사이에 가공칩이 잔류하게 되어 방전을 저해하므로 방전횟수가 감소하고 가공속도도 떨어짐으로 제품 가공에 심각한 영향을 미침으로 가공액의 여과는 매우 중요하다.

도 2 는 종래기술에 의한 여과장치의 부분 절개 사시도이다.

도면에 도시된 바에 의하면, 종래 기술에 의한 여과장치는, 대략 사각 형상의 하부케이스(7)와 원기둥 형상의 상부케이스(14)로 외형이 구성되고, 상기 상부케이스(14) 내부에는 원통 형상의 여과필터(16)와, 상기 여과필터(16) 중앙부에서 오염된 가공액을 분사하는 분사관(15) 및 상기 상부케이스(14)의 상면 중앙에 형성되어 가열된 가공액의 열기를 외부로 방출하는 열기방출구멍(13)으로 구성된다.

그리고, 상기 하부케이스(7)의 정면에는 가공부위에 공급되어 방전가공을 수행한 가공액이 상기 여과필터(16)로 유입되도록 사용된 가공액을 이송하는 오수관(24)이 관통되고, 관통된 오수관(24)은 상기 여과필터(16) 내부에 구비된 상기 분사관(15)과 연결된다.

또한, 상기 하부케이스(7)의 측면에는 상기 분사관(15)을 통해 유입된 가공 액이 상기 여과필터(16)를 통과하여 정수된 상태로 토출되는 정수관(25)이 연결된다.

상기와 같은 구성을 가지는 종래 기술에 의한 여과장치(6)는 가공부위에 공급된 가공액을 상기 오수관(24)을 통해 공급받아 상기 여과필터(16)의 내측에 구비된 분사관(15)으로 토출시킨다. 상기와 같이 분사관(15)으로 가공액이 토출되면, 상기 분사관(15)에서 토출되는 가공액은 상기 여과필터(16)에 의해 가공칩과 가공액이 분리되어 가공칩은 상기 여과필터(16) 내부에 남게되고, 가공액은 상기 하부케이스(7) 내부에 수용된다.

그리고, 상기와 같이 하부케이스(7) 내부에 수용된 가공액은 정수관(25)을 통해 토출되어, 이온교환기(도 1 에서 도면부호 8)를 거쳐 가압펌프(도 1 에서 도면부호 9)에 의해 다시 가공부위에 공급되어 방전가공을 수행한다.

그러나, 종래 기술에 의한 여과장치는 여과필터가 분사관을 감싸는 형상으로 형성되어 가공액을 정수하게 되는데 여과필터의 표면적이 작아 정수량이 충분치 못한 문제점이 있다.

그리고, 장기간 사용시 가공칩이 여과필터의 내부에 축적되어 필터구멍을 차폐하게 됨으로써 가공액이 정수되지 못하고 케이스 상면에 구비된 열기방출구멍을 통해 토출되어 방전가공기 주위에 넘치게 되어 방전 및 단선 등의 안전사고가 발생하게 되는 문제점이 있다.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 창안된 본 발명은 여과필 터를 사용하지 않고 가공액이 다수개의 침전조를 일방향으로 통과하도록 유도하여 비중에 의해 가공칩과 분리되도록 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여과장치는, 방전가공시 사용되는 가공액을 여과하여 가공액의 재사용을 가능하게 하는 여과장치에 있어서, 상자형상의 기본골격을 형성하는 몸체와, 상기 몸체의 내부에 형성되어, 내부공간을 구획하는 다수개의 격벽과, 상기 몸체와 다수개의 격벽에 의해 형성되어, 가공액이 순차적으로 수용되는 다수개의 침전조와, 상기 다수개의 침전조 중 어느 하나와 연결되어, 방전가공에 사용된 가공액을 관을 통하여 이송시키는 이송펌프와, 순차적으로 수용된 가공액이 마지막에 수용되는 침전조와 연통되어, 가공액을 외부로 배출시키는 배출관을 포함하는 구성을 가지며, 상기 침전조의 하측은 연통되고 상측은 두 부분으로 구획되도록 장착되는 유도판이 더 구비되고, 상기 격벽은 순차적으로 높이가 낮아지도록 장착되어 가공액의 흐름이 일방향으로 유도되며, 가공액에 포함된 가공칩은 다수개의 침전조를 통과하는 동안 비중에 의해 분리되는 것을 특징으로 한다.

상기 침전조는 상기 이송펌프와 연통되어, 방전가공에 사용된 가공액이 최초로 수용되는 인워드 침전조와, 상기 인워드 침전조의 일측 격벽을 공유하도록 형성되어, 인워드 침전조에 충만한 가공액이 공유된 격벽의 상단을 넘어 유입되는 커넥션 침전조와, 상기 커넥션 침전조의 타측 격벽을 공유하도록 형성되어, 커넥션 침전조에 충만한 가공액이 공유된 격벽의 상단을 넘어 유입되고, 일측에는 유입된 가 공액을 외부로 토출시키기 위한 배출관이 연결되는 아웃워드 침전조를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기 격벽은 상기 인워드 침전조에서 커넥션 침전조를 거쳐 아웃워드 침전조로 갈수록 높이가 낮아지는 것을 특징으로 한다.

상기 이송펌프는 상기 인워드 침전조의 일측 상단으로 방전가공에 사용된 가공액을 공급하는 것을 특징으로 한다.

상기 배출관은 상기 아웃워드 침전조의 일측 상단과 연결되어, 여과된 가공액이 배출되는 통로를 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 커넥션 침전조는 적어도 하나 이상 구비되는 것을 특징으로 한다.

상기 침전조는 하면이 중앙을 향해 하방으로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 한다.

상기 침전조의 하면에는 비중에 의해 침전된 가공칩을 배출하기 위하여 천공형성된 가공칩 배출홀과, 상기 침전조의 하면 외측에 구비되어, 상기 가공칩 배출홀을 선택적으로 개폐하는 배출홀 밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.

상기 배출관에는 상기 침전조 내부에 수용된 가공액의 선택적 배출이 가능하도록 배출관을 선택적으로 개폐하는 배수밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.

상기 이송펌프와 침전조 사이에는 상기 이송펌프에서 공급되는 가공액을 선택적으로 차단할 수 있도록 유입밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면 가공칩을 걸러내기 위한 필터 없이도 가공액을 여과할 수 있는 이점이 있다.

본 발명에 의한 여과장치는 종래기술 설명에서 기술하였듯이 방전가공시 공급되는 가공액을 여과하기 위한 것으로, 방전가공에 관한 사항은 설명을 생략하기로 한다.

도 3 은 본 발명에 의한 일실시예인 여과장치의 외형을 보인 사시도이다.

도면에 도시된 바에 의하면, 본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여과장치의 외형은 대략 깊이가 깊은 직사각 형상의 상자 형상으로 형성되는 본체(100)에 의해 외관이 이루어진다. 상기 본체(100)는 방전가공에 사용되는 가공액을 수용함으로 녹 발생이 방지되도록 스테인레스 스틸(SUS) 재질로 형성되거나 방청도료를 도포하여 제작하는 것이 가장 바람직할 것이다.

그리고, 상기 본체(100)의 내부에는 내부공간을 다수개의 침전조로 구획하는 격벽이 형성된다.

이를 보다 상세하게 설명하면, 상기 본체(100)는 외곽 테두리를 형성하는 전/후/좌/우측 판넬(140/150/160/170)과 중앙부 저면에서 상방으로 돌출 형성된 중앙판넬(120)로 이루어져 상방에서 바라볼 때 대략“

”와 같은 형태의 내부공간을 형성하고, 상기 격벽은 이러한 형상의 내부공간을 구획하여 다수개의 침전조를 형성한다.

즉, 도면에 도시된 바와 같이 상기 본체(100)의 전측판넬(140)과 중앙판넬(120)이 이루는 공간의 좌/우측을 제 1 격벽(220)과 제 2 격벽(240)으로 차폐하여 인워드 침전조(200)가 형성되고, 상기 인워드 침전조(200)의 좌측으로 제 2 격벽(240)을 공유하며 상기 본체(100)의 후측판넬(170)과 중앙판넬(120)의 좌측단을 연결하도록 제 3 격벽(320)을 장착하여 제 1 커넥션 침전조(300)가 형성된다.

그리고, 제 1 커넥션 침전조(300)의 제 3 격벽(320)을 공유하며, 상기 본체(100)의 후측판넬(170)과 중앙판넬(120)의 우측단을 연결하도록 제 4 격벽(420)을 장착하여 제 2 커넥션 침전조(400)가 형성되고, 상기 본체(100)의 우측판넬(160)과 전/후측판넬(140/170)의 우측부 및 제 1,4 격벽(220,420)이 이루는 공간은 외부로 토출되기 전의 가공액이 수용되는 아웃워드 침전조(500)를 형성한다.

상기 인워드 침전조(200)는 방전가공시 가공부위에 사용되어 가공칩(C)이 포함된 가공액이 최초 수용되는 공간으로, 상기 인워드 침전조(200)를 형성하는 본체(100)의 전측판넬(140) 우측 상단에 이송관(720)을 통하여 가공액을 자아올리는 이송펌프(700)가 연결된다.

그리고, 상기 이송펌프(700)와 인워드 침전조(200)를 연결하는 이송관(720)에는 유입밸브(722)가 장착되고, 상기 유입밸브(722)는 상기 이송관(720)의 통로를 선택적으로 개폐하여 상기 인워드 침전조(200)로 유입되는 가공액의 유량을 제어한다.

한편, 상기 인워드 침전조(200)의 중앙에는 상기 제 1 격벽(220) 및 제 2 격벽(240)과 동일한 형상으로 평행하게 장착되며, 상기 인워드 침전조(200)의 내부공간 상측은 구획되고 하측은 연통되도록 하는 제 1 유도판(260)이 구비된다.

이를 위하여 상기 제 1 유도판(260)은 상기 제 1 격벽(220)과 동일한 높이를 가지며 제 2 격벽(240)의 높이보다는 조금 높게 형성된다. 또한, 제 1 유도판(260)의 하측은 상기 인워드 침전조(200)의 하측으로 가공액이 이동가능하도록 개구된 다.

그리고, 전술하였듯이, 상기 이송관(720)은 상기 제 1 유도판(260)에 의해 구획된 인워드 침전조(200)의 우측 상부에 장착되며, 이로 인하여 공급되는 가공액이 위치에너지를 가지게 되어, 상기 인워드 침전조(200)의 우측에서 좌측으로 흐름을 형성하게 된다.

한편, 상기 제 1 커넥션 침전조(300)는 상기 인워드 침전조(200)를 형성하는 제 1 격벽(220)보다 상단부가 하측으로 조금 낮게 형성되어 상기 인워드 침전조(200)와 공유하는 제 2 격벽(240)과, 상기 제 1 유도판(260)과 동일 형상 및 크기를 가지고 상기 제 1 커넥션 침전조(300)를 형성하는 전/후측 판넬(140/170)과 평행하게 장착되는 제 2 유도판(340)이 구비되어, 상기 인워드 침전조(200)에 충만한 가공액이 제 2 격벽(240)의 상단을 넘어서 제 2 유도판(340)의 하측으로 이동하여 상기 제 1 커넥션 침전조(300)의 전방에서 후방으로 흐름을 이어가도록 형성된다.

그리고, 상기 제 2 커넥션 침전조(400)는 상기 제 2 격벽(240)보다 상단부가 하측으로 조금 낮게 형성되어 상기 제 1 커넥션 침전조(300)와 공유하는 제 3 격벽(320)과, 상기 제 2 유도판(340)과 동일 크기 및 형상을 가지고 상기 제 3 격벽(320)과 평행하게 장착되는 제 3 유도판(440)이 구비되어, 상기 제 1 커넥션 침전조(300)에 충만한 가공액이 제 3 격벽(320)의 상단을 넘어서 제 3 유도판(440)의 하측으로 이동하여 상기 제 2 커넥션 침전조(400)의 좌측에서 우측으로 흐름을 이어가도록 형성된다.

또한, 상기 아웃워드 침전조(500)는 상기 제 3 격벽(320)보다 상단부가 하측으로 조금 낮게 형성되어 상기 제 2 커넥션 침전조(400)와 공유하는 제 4 격벽(420)과, 상기 제 3 유도판(440)과 동일한 형상 및 크기를 가지고 상기 전/후측판넬(140/170)과 평행하게 장착되는 제 4 유도판(520)이 구비되어, 상기 제 2 커넥션 침전조(400)에 충만한 가공액이 제 4 격벽(420)의 상단을 넘어서 제 4 유도판(520)의 하측으로 이동하여 상기 아웃워드 침전조(500)의 후방에서 전방으로 흐름을 이어가도록 형성된다.

즉, 상기 본체(100)에 구비되는 다수개의 격벽은 제 1 격벽(220)부터 제 4 격벽(420)까지 높이가 순차적으로 낮아지도록 형성되어, 가공액의 흐름을 자연적으로 유도하도록 형성된다.

그리고, 상기 침전조는 하면이 중앙으로 하방경사를 가지도록 형성되며, 상기 침전조의 저면에는 침전된 가공칩(C)을 외부로 배출하기 위해 천공형성된 가공칩 배출홀(도 4a 내지 도 4d 에서 도면부호 600)과, 이러한 가공칩 배출홀(도 4a 내지 도 4d 에서 도면부호 600)을 선택적으로 개폐하는 배출밸브(620)가 더 구비된다.

한편, 상기 아웃워드 침전조(500)를 형성하는 전측판넬(140)의 상단에는 상기 아웃워드 침전조(500)에 수용된 가공액을 외부로 토출시키는 배출관(800)이 장착된다. 그리고, 이러한 배출관(800)에는 토출되는 가공액의 유량을 조절가능하도록 배출관(800)의 통로를 선택적으로 개폐하는 배수밸브(820)가 더 구비된다.

이하에서는 상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여 과장치의 작용을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 4a 내지 도 4d 는 본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여과장치의 여과방식을 설명하기 위한 개략도로, 설명의 편의와 발명의 이해를 돕기 위해 도 3 에 도시된 본 발명의 일실시예를 가로방향으로 전개한 측단면으로 설명한다.

그리고, 도 4a 에 도시된 이송관의 장착위치와, 도 4d 에 도시된 배출관의 장착위치는 본 발명의 일실시예인 도 3 에 도시된 여과장치와는 위치가 조금 차이가 있으나, 상기 인워드 침전조와 상기 아웃워드 침전조의 상측에 상기 이송관과 상기 배출관이 장착되는 본 발명의 요지를 벗어나지 않음으로, 발명의 이해를 돕기 위해 장착위치를 변경하여 도시하였음을 밝힌다.

도 4a 는 본 발명에 의한 무필터 방식의 가공액 여과장치 중 방전가공에 사용된 가공액이 이송펌프(700)에 의해 자아올려져 이송관(720)을 통해 인워드 침전조(200)에 충만된 모습을 나타낸 것으로, 상기 이송관(720)은 상기 인워드 침전조(200)를 형성하는 본체(100)의 전측판넬(140) 상측에 연결된다(도 4a 에서는 설명의 편의를 위해 제 1 격벽(220)에 연결되는 것으로 도시됨).

상기와 같이 연결된 이송관(720)을 통해, 가공부위에 사용되어 가공칩(C)이 포함된 가공액은 상기 인워드 침전조(200)의 상측에서부터 유입되고, 유입된 가공액은 상기 인워드 침전조(200)의 저면에서부터 서서히 상측으로 수위가 상승하게 된다.

이때, 상기 인워드 침전조(200)는 깊이가 깊게 형성되어, 수용되는 가공액이 상기 인워드 침전조(200)의 내측으로 낙하하면서 위치에너지를 가지게 되고, 이러 한 가공액의 위치에너지는 상기 제 1 유도판(260)에 의해 우측에서 좌측으로 가공액이 흘러 가도록 유도된다.

이를 보다 상세하게 설명하기 위해 첨부된 도면을 참조하면, 도 4b 는 상기 인워드 침전조(200)에 충만한 가공액이 제 2 격벽(240)의 상단을 넘어 상기 제 1 커넥션 침전조(300)에 유입되는 모습을 보인 도면으로, 상기 인워드 침전조(200)에 충만된 가공액은 상기 제 1 커넥션 침전조(300)로 상기 제 2 격벽(240)의 상단을 넘어서 유입된다.

이는 전술한 바와 같이 가공액이 위치에너지를 가지고 이를 이용하여 상기 가공액을 우측에서 좌측으로 흐르게 하는 제 1 유도판(260) 및 지속적으로 가공액을 공급하는 이송펌프(도 4a 에서 도면부호 700)에 의해 가능한 것으로, 지속적으로 유입되는 가공액은 상기 제 1 커넥션 침전조(300)를 충만시키게 된다. 이때, 상기 제 2 유도판(340)은 제 1 유도판(260)과 마찬가지로 상기 제 1 커넥션 침전조 (300)내에서도 가공액의 흐름을 우측에서 좌측으로 형성되도록 유도한다.

그리고, 상기 제 1 켜넥션 침전조(300)를 형성하는 제 3 격벽(320)이 상기 제 2 격벽(240)과“A”만큼의 높이차를 가지도록 형성되어, 이러한 가공액의 흐름을 가속화시키게 된다.

또한, 도 4c 에 도시된 바와 같이 상기 제 2 커넥션 침전조(400)는 상기 제 1 커넥션 침전조(300)에 충만된 가공액이 상기 제 3 격벽(320)의 상단을 넘어 유입되고, 상기 제 2 커넥션 침전조(400) 내부에 형성된 제 3 유도판(440)에 의해 상기 제 2 커넥션 침전조(400) 내에서도 가공액의 흐름이 우측에서 좌측으로 형성되도록 유도되며, 상기 제 4 격벽(420)이 상기 제 3 격벽(320)과“B”만큼의 높이차를 가지도록 형성되어 이러한 가공액의 흐름을 보다 원활하게 한다.

한편, 도 4d 는 상기 인워드 침전조(200)와 상기 제 1 커넥션 침전조(300) 및 상기 제 2 커넥션 침전조(400)에 충만한 가공액이 제 4 격벽(420)의 상단을 넘어 상기 아웃워드 침전조(500)에 수용된 후 배출관(800)을 통해 외부로 토출되는 과정을 나타낸 도면으로, 상기 아웃워드 침전조(500)는 상기 제 2 커넥션 침전조(400)에 충만된 가공액이 상기 제 4 격벽(420)의 상단을 넘어 유입되고, 상기 아웃워드 침전조(500)의 내부에 형성된 제 4 유도판(520)에 의해 상기 아웃워드 침전조(500) 내에서도 가공액의 흐름이 우측에서 좌측으로 형성되도록 유도되며, 상기 배출관(800)이 상기 전측판넬(140)에서 상기 제 4 격벽(420)과“C”만큼의 높이차를 가지도록 장착되어 이러한 가공액의 흐름을 보다 원활하게 한다.

한편, 상기와 같이 가공액이 상기 인워드 침전조(200)에서 상기 아웃워드 침전조(500)를 통과하는 동안 가공액 속에 포함된 가공칩(C)은 비중에 의해 각각의 침전조 저면에 침전된다.

이를 보다 상세하게 설명하면, 상기 침전조는 그 깊이가 깊게 형성되고, 침전조의 용량과 가공액의 유량에 따라 차이는 있겠지만 아주 느린속도로 가공액이 수용된다.

따라서, 가공액 속에 포함된 가공칩(C)은 상기 인워드 침전조(200)의 우측에서 좌측을 통과하는 동안 하중에 의해 가장 많은 양의 가공칩(C)이 침전되어 분리되고, 상기 인워드 침전조(200)에서 분리되지 않은 가공칩(C)은 다시 한번 제 1 커 넥션 침전조(300)에서 침전되어 분리되며, 제 2 커넥션 침전조(400)와 아웃워드 침전조(500)를 거치는 동안 거의 대부분의 가공칩(C)이 침전된다.

물론 더 많은 수의 커넥션 침전조를 형성하여 가공칩(C)을 침전시킨다면 가공액속에 함유된 가공칩(C)의 양이 보다 낮아질 수도 있을 것이나, 제 1 커넥션 침전조(300)와 제 2 커넥션 침전조(400)만 형성하더라도 재공급된 가공액으로 인하여 방전 불량은 발생하지 않고 충분한 방전횟수를 얻을 수 있을 것이다.

그리고, 방전가공을 일시적으로 정지하게 되면 가공액의 공급이 더 이상 필요하지 않은데 이때에는, 상기 이송펌프(700)의 동작을 중지하고 상기 유입밸브(722)와 배수밸브(820)를 차폐하여 내부에 수용된 가공액을 보존하게 된다. 물론 이때에도 침전조 내부에 포함된 가공칩(C)은 비중에 의해 지속적으로 침전된다.

한편, 장기간 사용하여 상기 침전조의 저면에 많은 양의 가공칩(C)이 쌓이게 되면, 상기 침전조의 하면에 형성된 가공칩 배출홀(600)을 제어하는 배출밸브(620)를 개방하여 하방으로 경사진 침전조의 저면을 따라 용이하게 가공칩(C)을 배출하게 된다.

이와 같은 본 발명의 범위는 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명이 속하는 기술분야에 종사하는 당업자에게는 다양하게 변경이 가능할 것이다.

예를 들어 상기 침전조의 형상과 커넥션 침전조의 갯수를 달리하는 것도 가능할 것이나 이는 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 것이 자명할 것이다.

뿐만 아니라 본 발명은 가공액으로 물을 사용하는 와이어 컷 방전장치 이외에도 가공액으로 등유 등을 사용하는 방전가공장치에서도 유용하게 적용 가능할 것 이다.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 상기 침전조는 가공부위에 사용된 가공액이 인워드 침전조와 제 1, 2 커넥션 침전조 및 아웃워드 침전조를 통과하는 동안 비중에 의해 가공칩이 분리되므로 별도의 필터가 필요치 않아 유지 보수가 용이한 이점이 있다.

그리고, 가공액의 여과가 지속적으로 이루어져 방전가공장치에 필요한 가공액이 충분히 공급가능한 이점이 있다.

또한 가공액이 이동경로를 따라 순차적으로 여과되어 여과과정 중 외부로 토출되는 것이 미연에 차단되어 안정성 또한 확보되는 이점이 있다.

Claims (10)

1. 방전가공시 사용되는 가공액을 여과하여 가공액의 재사용을 가능하게 하는 여과장치에 있어서,

   상자형상의 기본골격을 형성하는 몸체와;

   상기 몸체의 내부에 형성되어, 내부공간을 구획하는 다수개의 격벽과;

   상기 몸체와 다수개의 격벽에 의해 형성되어, 가공액이 순차적으로 수용되는 다수개의 침전조와;

   상기 다수개의 침전조 중 어느 하나와 연결되어, 방전가공에 사용된 가공액을 관을 통하여 이송시키는 이송펌프와;

   순차적으로 수용된 가공액이 마지막에 수용되는 침전조와 연통되어, 가공액을 외부로 배출시키는 배출관을 포함하는 구성을 가지며;

   상기 침전조의 하측은 연통되고 상측은 두 부분으로 구획되도록 장착되는 유도판이 더 구비되고, 상기 격벽은 순차적으로 높이가 낮아지도록 장착되어 가공액의 흐름이 일방향으로 유도되며, 가공액에 포함된 가공칩은 다수개의 침전조를 통과하는 동안 비중에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 침전조는,

   상기 이송펌프와 연통되어, 방전가공에 사용된 가공액이 최초로 수용되는 인 워드 침전조와;

   상기 인워드 침전조의 일측 격벽을 공유하도록 형성되어, 인워드 침전조에 충만한 가공액이 공유된 격벽의 상단을 넘어 유입되는 커넥션 침전조와;

   상기 커넥션 침전조의 타측 격벽을 공유하도록 형성되어, 커넥션 침전조에 충만한 가공액이 공유된 격벽의 상단을 넘어 유입되고, 일측에는 유입된 가공액을 외부로 토출시키기 위한 배출관이 연결되는 아웃워드 침전조를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 격벽은,

   상기 인워드 침전조에서 커넥션 침전조를 거쳐 아웃워드 침전조로 갈수록 높이가 낮아지는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 이송펌프는,

   상기 인워드 침전조의 일측 상단으로 방전가공에 사용된 가공액을 공급하는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
5. 제 2 항에 있어서, 상기 배출관은,

   상기 아웃워드 침전조의 일측 상단과 연결되어, 여과된 가공액이 배출되는 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
6. 제 2 항에 있어서 상기 커넥션 침전조는,

   적어도 하나 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 침전조는,

   하면이 중앙을 향해 하방으로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 침전조의 하면에는,

   비중에 의해 침전된 가공칩을 배출하기 위하여 천공형성된 가공칩 배출홀과,

   상기 침전조의 하면 외측에 구비되어, 상기 가공칩 배출홀을 선택적으로 개폐하는 배출홀 밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 배출관에는,

   상기 침전조 내부에 수용된 가공액의 선택적 배출이 가능하도록 배출관을 선택적으로 개폐하는 배수밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.
10. 제 1 항에 있어서 상기 이송펌프와 침전조 사이에는 ,

    상기 이송펌프에서 공급되는 가공액을 선택적으로 차단할 수 있도록 유입밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 무필터 방식의 가공액 여과장치.

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