KR100776479B1 - 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치 - Google Patents

하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100776479B1
KR100776479B1 KR1020060108272A KR20060108272A KR100776479B1 KR 100776479 B1 KR100776479 B1 KR 100776479B1 KR 1020060108272 A KR1020060108272 A KR 1020060108272A KR 20060108272 A KR20060108272 A KR 20060108272A KR 100776479 B1 KR100776479 B1 KR 100776479B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pattern
position error
coefficient
particle beam
Prior art date
Application number
KR1020060108272A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070048626A (ko
Inventor
슈스케 요시타케
슈이치 다마무시
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20070048626A publication Critical patent/KR20070048626A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100776479B1 publication Critical patent/KR100776479B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치 오차량 계측 방법 및 위치 계측장치에 관한 것으로서, 하전 입자빔 묘화 방법은 자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 계측하고, 상기 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하고, 상기 제 1 위치 오차량에 기초하여 상기 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 연산하고, 상기 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 2 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식의 제 2 계수를 이용하여 상기 제 2 계수에 상기 제 1 계수를 가산하고, 가산된 결과 얻어진 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과의 한쪽에 기초하여 하전 입자빔을 이용하여 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 한다.

Description

하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치 오차량 계측 방법 및 위치 계측장치{WRITING METHOD AND WRITING APPARATUS OF CHARGED PARTICLE BEAM AND POSITIONAL DEVIATION MEASURING METHOD AND POSITION MEASURING APPARATUS}
도 1은 실시형태 1의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도,
도 2는 실시형태 1의 묘화장치의 구성을 도시한 개념도,
도 3은 실시형태 1의 기판 유지 상태의 일례를 도시한 개념도,
도 4는 실시형태 1의 기판 유지 상태의 일례를 도시한 단면 개념도,
도 5는 실시형태 1의 평면도 측정기로 기판 내면의 3차원 형상을 계측하는 수법을 설명하기 위한 개념도,
도 6은 실시형태 1의 기판 내면의 3차원 형상의 일례를 도시한 도면,
도 7은 실시형태 1의 기판 내면의 피팅된 3차원 형상의 일례를 도시한 도면,
도 8은 실시형태 1의 위치 오차량을 산출하는 수법을 설명하기 위한 개념도,
도 9는 실시형태 1의 기판 표면의 패턴의 위치 오차량 분포의 일례를 도시한 도면,
도 10은 실시형태 1의 자중을 배제한 경우의 변형을 보정하는 위치 오차 보정량 분포의 일례를 도시한 도면,
도 11은 실시형태 1의 위치 오차 보정을 실시하여 묘화된 EUV용 마스크의 패 턴 위치 분석의 일례를 도시한 도면,
도 12는 도 10에 도시한 분포와 도 11에 도시한 분포를 차분한 분포를 도시한 도면,
도 13은 실시형태 2의 위치 계측장치의 구성을 도시한 개념도,
도 14는 실시형태 2의 테스트마스크의 일례를 도시한 도면,
도 15는 실시형태 2의 3점 지지부재의 구성의 일례를 도시한 개념도,
도 16은 실시형태 2의 정전(靜電) 척부재의 구성의 일례를 도시한 개념도,
도 17은 실시형태 4의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도,
도 18은 실시형태 4의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도,
도 19는 실시형태 4의 시료의 측면의 일부를 도시한 개념도,
도 20은 실시형태 4의 이상적인 척면을 가진 정전 척에 유지된 시료의 단면의 일부를 도시한 개념도,
도 21은 실시형태 4의 정전 척의 단면의 일례를 도시한 개념도,
도 22는 도 21에 도시한 척 면을 가진 정전 척에 유지된 시료의 단면의 일부를 도시한 개념도,
도 23은 실시형태 5의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도,
도 24는 실시형태 5의 묘화장치의 구성을 도시한 개념도,
도 25는 실시형태 5의 기준 칩 유지 상태의 일례를 도시한 단면 개념도,
도 26은 실시형태 5의 기준 칩의 일례를 도시한 개념도, 및
도 27은 종래의 가변 성형형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념 도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
102 : 전자경통 201 : 전자총
202 : 조명 렌즈 203 : 제 1 구멍
204 : 투영 렌즈 205 : 편향기
206 : 제 2 구멍 207 : 대물렌즈
본 발명은 하전 입자빔 묘화방법, 하전 입자빔 묘화장치, 위치 오차량 계측방법 및 위치 계측장치에 관한 것이다. 그리고, 예를 들면 전자빔을 가변 성형시키면서 EUV(Extreme Ultra Violet)용 마스크에 패턴을 묘화하는 묘화 방법, 묘화 장치, 및 묘화된 EUV용 마스크의 패턴 위치 오차량을 계측하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체의 회로선폭은 점점 가늘어지는 한편 대직접화가 계속되고 있다. 실리콘(Si) 웨이퍼상에 회로를 대량으로 정확히 새기기 위해, 마스크(원화상 패턴 또는 레티클이라고도 함)상에 그려진 원화상을 전사하는 노광 기술도 진전되고 있다. 예를 들면, 본래의 마스크 패턴의 주변에 전사되지 않는 보조 패턴을 배치하는 광접근 효과 보정 기술이 검토되고 있다. 또는 전사에 사용되는 조명광에 이방성을 갖게 하여 해상성을 부분적으로 향상시키는 변형 조명 기술이 검토되고 있다. 또는 대물렌즈와 웨이퍼 사이에 공기보다 굴절률이 큰 액체(예를 들면, 물이나 기름) 등을 넣어 해상 한계를 향상시키는 액침 노광 기술 등이 검토되고 있다. 이들에 의해 노광 광원의 파장인 193nm의 절반인 90nm 이하의 패턴이 생산 가능하게 되고 있다. 특히 액침 노광 기술에 있어서, 물의 이론적인 굴절률로 45nm의 패턴도 노광 가능한 것이 개시되어 있다. 따라서, 더욱 이상적인 기름이 발견되면 32nm에 가까운 곳까지 액침 기술에 의해 달성 가능하다고 생각되어지고 있다.
그러나, 이와 같은 노광 기술에서는 광 근접 효과를 보정하기 위한 보조 패턴이 복잡해지는 것이 상정(想定)되고 있다. 보조 패턴은 원화상인 마스크 패턴에 본래 전사되지 않지만 상이 형성될 때는 영향을 끼친다. 이 보조 패턴이 공간상의 영향이 커질수록 복잡해진다. 또한, 복잡한 패턴은 원화상을 묘화할 때의 묘화 시간에 큰 영향을 끼친다. 또한 어떻게 묘화된 패턴을 검사하면 좋은지 매우 큰 문제도 있다.
상기 문제를 해결하기 위해, 이제까지의 리소그래피의 역사와 마찬가지로 노광 파장 그 자체를 단파장화하는 것도 생각되어지고 있다. 157nm의 광은 축소 전사하기 위한 렌즈 재료의 제한으로 단념되고 있다. 이 때문에, 현시점에서 가장 가능성이 있다고 생각되는 것은 파장이 13.4nm인 EUV광이다. EUV광은 연X선 영역으로 구분되는 광으로 대부분의 물체로 투과 흡수되기 때문에, 이미 투영 광학계를 형성할 수 없다. 이 때문에 EUV를 이용한 노광 수법에 대해서는 반사광학계가 제안되어 있다.
이 때문에 사용되는 원화상 마스크도 종래와 같이 투과광을 통과하기 때문에 주변을 3점 또는 4점으로 유지하는 방식이 아니라 내면의 대부분을 평면으로 척하는 것이 제안되어 있다. 또한, 광의 감쇠를 고려하여 시스템 그 자체가 진공 챔버 내에 설치되므로, EUV용 마스크의 고정에는 정전 척의 사용을 전제로 하고 있다.
그리고, 노광되는 기판 및 정전 척 자체가 SEMI 규격으로 규정되어 있는 바와 같이 엄격히 사양이 정의되어 있다(예를 들면, "SEMI P38-1103 SPECIFICATION FOR ABSORBING FILM STACKS AND MULTILAYERS ON EXTREME ULTRAVIOLETLITHOGRAPHY MASK BLANKS", 또는 "SEMI P37-1102 SPECIFICATION FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK SUBSTRATES", 또는 "SEMI P40-1103 SPECIFICATION FOR MOUNTING REQUIREMENTS AND ALIGNEMENT REFERENCE LOCATIONS FOR EXTREME ULTREAVIOLET LITHOGRAPHY MASAKS"를 참조). 여기서, 이들 "SEMI P38-1103", "SEMI P37-1102" 및 "SEMI P40-1103"에 기재된 내용을 본원 명세서에 포함한다.
또한, EUV용 원화상 마스크를 만들 때의 반사막을 형성하는 공정 중이나 패턴 형성의 프로세스중의 기판의 변형 등이 예측 불능이다. 이 때문에, 상기 SEMI P40-1103에 의하면 원화상 마스크를 만들기 위한 묘화 장치, 위치 계측장치 및 노광장치("전사장치"라고도 함)에 대해서는 정전 척에 의한 기판의 유지가 불가결로 되어 있다.
도 27은 종래의 가변 성형형 전자선 묘화장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
가변 성형형 전자선 묘화장치(EB(Electron Beam) 묘화 장치)에서의 제 1 구멍(410)에는 전자선(330)을 성형하기 위한 직사각형, 예를 들면 장방형의 개 구(411)가 형성되어 있다. 또한, 제 2 구멍(420)에는 제 1 구멍(410)의 개구(411)를 통과한 전사선(330)을 원하는 직사각형 형상으로 성형하기 위한 가변 성형 개구(421)가 형성되어 있다. 하전 입자 소스(430)로부터 조사되어 제 1 구멍(410)의 개구(411)를 통과한 전자선(330)은 편향기에 의해 편향된다. 그리고, 제 2 구멍(420)의 가변 성형 개구(421)의 일부를 통과하여 소정의 일방향(예를 들면, "X방향"이라고 함)으로 연속적으로 이동하는 스테이지상에 탑재된 시료(340)에 조사된다. 즉, 개구(411)와 가변 성형 개구(421)와의 양쪽을 통과할 수 있는 직사각형 형상이 스테이지상에 탑재된 시료(340)의 묘화 영역에 묘화된다. 제 1 구멍(410)의 개구(411)와 제 2 구멍(420)의 가변 성형 개구(421)와의 양쪽을 통과시켜 임의 형상을 작성하는 방식을 가변 성형 방식이라고 한다.
그러나, 상기 SEMI 규격(SEMI P40-1103)에 기재되어 있는 척의 형상 정밀도 사양을 만족하는 것, 그리고 또한 이와 같이 만족되고 있는 것을 평가하는 것도 매우 곤란하다. 또한, EUV 마스크 제작의 프로세스에서 허용되는 파티클의 입자 직경은 SEMATECH의 로드맵에 의하면 30nm이다. 그러나, EUV 마스크의 내면에는 정전 척을 위해 도전성 막, 예를 들면 유리와의 밀착성이 좋은 Cr 등이 코팅되어 있다. 마스크와의 접착 면적이 큰 정전 척과 방식과, 이 내면의 도전막이 접촉 부분에서의 마찰 등에 의해 벗겨지고, 파티클이 될 가능성은 충분히 생각할 수 있다.
또한, EUV 마스크의 내면에 파티클이 있으면 국소적으로 보면 마스크의 내면이 파티클 근변에서 밀착되지 않으므로 EUV 마스크가 변형되고, 필요하게 되는 패턴의 위치 정밀도가 얻어지지 않을 우려가 있다. 이 때문에 척 표면을 항상 청정 한 상태로 유지할 필요가 있지만, 이와 같이 유지·관리하는 것이 매우 어렵다.
또한, 노광 장치에서는 일반적으로 마스크는 원화상으로서 웨이퍼상에 상을 차례로 축소 전사하기 위해 사용하므로, 최종적인 세정 프로세스를 통과한 마스크만이 취급된다. 그러나, EUV 마스크를 제작하는 단계에서의 묘화 장치에서는 광마스크에 패턴을 묘화하는 경우와 마찬가지로 감광제인 레지스트가 도포된 EUV 마스크를 장치에 투입할 필요가 있다. 여기서 설명한 광마스크로서는 EUV광 이외의 예를 들면 자외선 등의 광을 이용하여 노광하는 경우에 사용하는 광마스크를 들 수 있다. 통상의 광마스크와 마찬가지로 EUV 마스크상에 도포되는 레지스트는 감광재로서 작용하고, 전자빔으로 그려진 원하는 패턴에 대해 화학적인 반응을 일으킨다. 그 결과로서, 전자빔이 조사되어 변질된 패턴 부분만이 이후의 현상 프로세스에서 제거되거나(포지티브형 레지스트), 조사된 패턴의 부분 이외를 제거하는(네가티브형 레지스트)에 의해 레지스트 패턴이 그려진다. 그 후, 레지스트 패턴을 보호막으로서 통상의 광마스크이면 하층의 크롬을, EUV 마스크이면 차광막이 되는 크롬계의 금속 또는 탄탈계의 금속을 에칭에 의해 제거하고, 제거된 부분만 광을 통과하는 마스크가 된다. 이 후, 에칭의 보호막으로서 남겨진 레지스트는 화학적인 박리 처리에 의해 제거된다.
이 레지스트는 광마스크나 EUV 마스크나 얇고 균일하게 도포될 필요가 있다. 일반적으로 레지스트는 탄소를 주 성분으로 하는 고분자막으로 이루어지고, 용매에 녹은 레지스트를 회전하는 기판상에 소정의 분량을 적하한다. 회전 도포하는 스핀코트 기술 등에 의해 도포된다. 이 때, 레지스트는 기판의 측면이나 내면에도 일 부 돌아 들어갈 가능성이 있지만, 측면이나 내면의 레지스트 등의 잔류물이나 부착물을 마스크 표면의 필요한 부분의 레지스트에 영향을 주지 않도록 제거하는 것은 매우 곤란하다. 또한, 레지스트가 도포된 후에는 주로 감도의 안정화·균일화를 위해 레지스트의 종류나 조건에 따라서 소정 온도로 베이킹(프리베이크)된다.
그러나, 베이킹 처리를 실시해도 고분자의 막인 레지스트는 매우 손상되기 쉽고 벗겨지기 쉬운 성질을 갖는다. 묘화 장치에서는 기판을 반송하거나 묘화 중에 유지하기 위해, 마스크 표면의 필요한 부분을 피해 최소한 필요 부분만을 접촉하도록 다루지만, 이 때 예기치 않은 측면이나 내면에 들어간 레지스트가 접촉 부분에 부착되거나 벗겨져 묘화 장치 내에서의 발진(發塵)의 큰 원인인 것이 용이하게 생각되어지고 있다. 또한, EUV 마스크에서 정전 척을 사용하면 내면의 대부분이 마스크와 접촉하게 되므로, 측면이나 내면에 잔존하는 레지스트 등의 부착물이 벗겨져 파티클이 되고, 결과적으로 정전 척에 빨려가는 것은 충분히 예상된다. 이 때문에 마스크 표면을 청정한 상태로 유지하는 것이 곤란해진다. 이 결과, 정전 척 표면과 마스크 표면 사이에 파티클이 들어가므로 마스크 내면을 이상적인 평면으로 유지하는 것이 곤란해진다.
따라서, 정전 척을 이용하지 않고 묘화 장치로 마스크가 되는 기판을 유지한 상태로 기판의 내면 형상을 묘화중 또는 묘화 전에 측정하고, 측정된 기판의 내면 형상을 기초로 패턴의 위치 오차량을 산출하여 보정하는 패턴의 묘화 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-214415호 참조).
그러나, 일본 공개특허공보 2004-214415호에 기재된 기술에서는 기판의 패턴 을 형성하는 면과 대항하는 내면의 높이 위치 분포를 측정한다. 이와 같은 방법을 채용하면 기판의 내면 측정 시에 자중 휘어짐의 영향을 받을 뿐만 아니라, 기판의 공차(公差)에 따라서 기판마다 휘어짐의 양에 변화가 생길 가능성이 있다. 또는 기판마다 EUV 마스크 특유의 다층막 응력의 변화에 따라서 변형량이 바뀔 우려가 있다. 이 때문에 기판의 내면이 임의의 국면 또는 평면으로 교정된 상태를 계산으로 재현할 때의 재현성에 문제가 생길 가능성이 있다. 또한, 높이 분포의 계측장치로서 일반적으로 EUV 마스크의 평면도를 측정하기 위해 사용되는 간섭계를 사용한 측정기가 있다. 그러나, 이 측정기를 묘화 장치에 탑재하는 것은 장치 구성의 제약 때문에 매우 곤란하다. 이 때문에 탑재 가능한 측정기의 분해능이 충분하지 않을 우려가 있다.
상기한 바와 같이, EUV 마스크를 묘화하기 위해, 묘화 장치 내에서 EUV 마스크의 유지에 정전 척을 사용하는데에도 사양을 만족하는 정전 척 자체를 제작하는 것이 매우 곤란한 문제가 있었다. 또한, 만약에 사양을 만족하는 정전 척을 사용하는 것이 가능하다고 해도 노광 장치와는 다른 묘화 장치 특유의 레지스트가 원인인 파티클 관리 등의 문제가 있었다.
또한, 종래 일본 공개특허공보 2004-214415호에서 제안한 바와 같이, 기판의 패턴을 형성하는 면과 대항하는 내면의 높이 위치 분포를 측정하여 보정하는 방법을 채용하면, 기판마다 바뀌는 조건에 따라 재현성 좋게 보정할 수 없는 문제나 높이 측정 정보의 분해능이 충분하지 않은 문제가 상정되고 있다.
본 발명은 장치 내의 클린도를 향상시키고, 또한 정전 척을 사용하는 경우와 동등한 위치에 패턴을 묘화하는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 다른 목적으로서 묘화된 마스크의 패턴 위치 오차량을 고정밀도로 계측하는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양의 하전 입자빔 묘화 방법은,
자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 계측하고,
상기 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하고,
상기 제 1 위치 오차량에 기초하여 상기 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 연산하고,
상기 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 2 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식의 제 2 계수를 이용하여 상기 제 2 계수에 상기 제 1 계수를 가산하고,
가산된 결과 얻어진 제 3 계수를 이용한 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량의 한쪽에 기초하여 하전 입자빔을 이용하여 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화장치는,
하전 입자빔을 이용하여 기판의 표면에 패턴을 묘화하는 하전 입자빔 묘화 장치에서,
자중의 영향을 배제하여 계측된 기판 내면의 3차원 형상의 정보를 입력하고, 상기 기판 내면의 3차원 형상의 정보에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하는 위치 오차량 연산부,
상기 제 1 위치 오차량에 기초하여 상기 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 연산하는 계수 연산부,
상기 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 2 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식의 제 2 계수를 이용하여 상기 제 2 계수에 상기 제 1 계수를 가산하는 가산부, 및
가산된 결과 얻어진 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과의 한쪽에 기초하여 상기 하전 입자빔을 편향하는 편향기를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양의 하전 입자빔 묘화 장치는,
하전 입자빔을 이용하여 기판의 표면에 패턴을 묘화하는 하전 입자빔 묘화장치에 있어서,
상기 기판을 배치하는 스테이지,
상기 스테이지상에 배치되고, 상기 기판 표면의 높이 기준이 되는 기준면을 가진 기준 부재,
상기 기준면과 상기 기판 표면과의 높이를 측정하는 센서,
상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에, 상기 기판 표면의 높이를 상기 기준면과 동일 위치로 교정할 때 발생하는 상기 패턴의 위치 오차량을 상기 기준면과 상기 기판 표면과의 높이의 차분에 기초하여 연산하는 위치 오차량 연산부,
상기 위치 오차량에 기초하여 상기 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식의 계수를 연산하는 계수 연산부, 및
상기 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량을 보정한 위치에 상기 하전 입자빔을 편향하는 편향기를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 태양의 위치 오차량 계측 방법은,
자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 계측하고,
상기 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 상기 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 제 1 패턴을 이용하여 상기 기판 내면을 정전 척으로서 상기 제 1 패턴의 위치 오차량을 계측하고,
기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 상기 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 제 2 패턴을 이용하여 상기 기판 내면을 3점 지지하여 상기 제 2 패턴의 위치 오차량을 계측하는 것을 특 징으로 한다.
본 발명의 일 태양의 위치 계측장치는,
기판을 3점 지지하는 3점 지지부재와, 기판을 정전 척하는 정전 척 부재를 배치하는 배치부,
상기 배치부에 배치된 3점 지지부재와 정전 척 부재의 한쪽을 얹어 설치하는 스테이지,
상기 스테이지상에 상기 정전 척 부재가 얹어 설치된 상태로 상기 정전 척 부재에 전압을 인가하는 앰프, 및
상기 스테이지상에 얹어 설치된 3점 지지 부재에 지지된 기판에 형성된 패턴의 위치와 정전 척 부재에 정전 척된 기판상에 형성된 패턴의 위치를 인식하는 인식부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 실시형태에서는 하전 입자빔의 일례로서, 전자빔을 이용한 구성에 대해 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되지 않고, 이온 빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이라도 관계없다.
실시형태 1.
실시형태 1에서는 EUV 마스크를 묘화할 때, 묘화 JOB 등록 전에 미리 EUV 마스크 기판 내면의 3차원 형상을 마스크 자중의 영향을 배제하고, 평면도 측정기에 의해 기판에 고유한 내면의 형상만을 측정한다. 또한, 측정 시에는 묘화 장치에 조립 불가능한 간섭계를 사용한 고정밀도의 계측장치를 이용하여 정밀도 좋게 마스크 내면의 형상을 계측한다.
이 계측된 기판 고유의 내면 형상 정보를 기초로 패턴의 위치 오차량을 산출하고, 묘화 등록 시에 기판 고유의 매개변수의 하나로서 판독한다. 그리고, 묘화 패턴의 좌표계를 변환한다. 이에 의해 마치 이상적인 평면에 척킹될 때의 좌표계로 패턴을 묘화하도록 묘화 패턴의 위치를 보정한다. 즉, 위치 오차량을 보정한다. 그리고, 기판의 유지 수법에 대해서는 재현성이 좋게 기판을 유지하는 것이 가능한 기계적인 3점 유지 방식을 사용한다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 실시형태 1의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 1에 있어서, 전자빔 묘화 방법은 내면 형상 계측 공정(S102), 근시 연산 공정(S104), 기울기 연산 공정(S106), 위치 오차량 연산 공정(S108), 계수 연산 공정(S110), 가산 공정(S112), 및 묘화 공정(S114)이라는 일련의 공정을 실시한다.
도 2는 실시형태 1의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 2에 있어서, 하전 입자빔 묘화 장치의 일례인 가변 성형형 EB 묘화장치(100)는 묘화부(150)를 구성하는 전자경통(102), 묘화실(103), XY 스테이지(105), 전자총(201), 조명 렌즈(202), 제 1 구멍(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제 2 구멍(206), 대물 렌즈(207), 및 편향기(208)를 구비하고, 제어부로서 묘화 데이터 처리 회로(322), 편향 제어 회로(320), 계산기(450), 메모리(462), 메모리(324), 자기 디스크 장치의 일례가 되는 하드디스크(HD) 장치(326)를 구비하고 있다. 묘화 데이터 처리 회로(322)에는 편향 제어 회로(320), 계산기(450), 메 모리(324), 및 HD 장치(326)가 접속된다. 또한, 계산기(450)에는 메모리(462)가 접속된다. HD 장치(326)에는 근사식(제 2 근사식)의 계수(제 2 계수)가 디폴트값(328)으로서 저장되어 있다. 이 근사식은 마스크 기판인 시료(101)의 자중에 의한 휘어짐에 의한 변형에 의해 생기는 패턴 묘화할 때의 위치 오차나 XY 스테이지(105)의 움직임이나 도시하지 않은 위치 측장용 미러 오차 등의 시스템이 가진 좌표계 고유의 위치 오차를 보정하는 위치 오차 보정량을 나타낸다.
그리고, 전자경통(102) 내에는 전자총(201), 조명 렌즈(202), 제 1 구멍(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제 2 구멍(206), 대물렌즈(207), 및 편향기(208)가 배치되어 있다. 묘화실(103) 내에는 XY 스테이지(105)가 배치되어 있다. XY 스테이지(105)상에는 클램프(210)에 의해 3 군데에서 시료(101)가 끼워져 유지되어 있다. 또한, 묘화실(103)에는 얼라인먼트 챔버(104)가 접속되고, 묘화실(103)로 반송되기 전에 시료(101)의 얼라인먼트(위치 맞춤)와 항온화 처리가 실시된다.
계산기(450) 내에서는 근시 연산부(452), 경사 연산부(454), 위치 오차량 연산부(456), 계수 연산부(458), 및 가산부(460)라는 각 기능을 갖고 있다. 계산기(450)에는 외부 장치가 되는 평면도 측정기(500)로부터 마스크 내면의 형상 분포 데이터가 입력된다. 또한, 묘화 데이터 처리 회로(322)에는 EUV 마스크용 또는 EUV 이외의 통상의 광마스크용인지를 나타내는 데이터가 포함되는 정보가 입력된다.
도 2에서는 본 실시형태 1를 설명하는데에 필요한 구성 부분에 대해 기재하 고 있다. 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 있어서 통상 필요한 그외의 구성이 포함되어도 관계없다. 또한, 도 2에서는 컴퓨터의 일례가 되는 계산기(450)에서 근시 연산부(452), 기울기 연산부(454), 위치 오차량 연산부(456), 계수 연산부(458), 및 가산부(460)라는 각 기능의 처리를 실행하도록 기재하고 있지만 이에 한정되지 않는다. 전기적인 회로에 의한 하드웨어에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 이와 같은 하드웨어와 펌웨어와의 조합이라도 관계없다.
전자총(201)으로부터 사출된 하전 입자빔의 일례가 되는 전자빔(200)은 조명 렌즈(202)에 의해 직사각형, 예를 들면 장방형의 구멍을 가진 제 1 구멍(203) 전체를 조명한다. 여기서, 전자빔(200)을 우선 직사각형, 예를 들면 장방형으로 성형한다. 그리고, 제 1 구멍(203)을 통과한 제 1 구멍의 상(像)의 전자빔(200)은 투영 렌즈(204)에 의해 제 2 구멍(206)의 상에 투영된다. 이와 같은 제 2 구멍(206)의 상에서의 제 1 구멍의 상의 위치는 편향기(205)에 의해 제어되고, 빔 형상과 크기를 변화시킬 수 있다. 그리고 제 2 구멍(206)을 통과한 제 2 구멍의 상의 전자빔(200)은 대물렌즈(207)에 의해 초점을 맞추고, 편향기(208)에 의해 편향된다. 그리고, 이동 가능하게 배치된 XY 스테이지(105)상의 시료(101)의 원하는 위치에 조사된다. 편향기(208)의 편향 전압은 편향 제어 회로(320)에 의해 제어된다.
도 3은 실시형태 1의 기판 유지 상태의 일례를 도시한 개념도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, XY 스테이지(105)상에서는 클램프(210)에 의해 기판이 되는 시료(101)의 3군데를 클램프하여 끼워 유지하고 있다.
도 4는 실시형태 1의 기판 유지 상태의 일례를 도시한 단면 개념도이다.
클램프(210)는 상면 기준 부재(212)와 클램프핀(214)을 구비하고 있다. 그리고, 시료(101)의 표면측에서 상면 기준 부재(212)로, 시료(101)의 내면측에서 클램프핀(214)으로 동일축을 상하에서 점접촉으로 클램프하여 끼우는 구조로 되어 있다. 시료(101)를 3군데에서 클램프하는 것에 의해 기판과의 접촉이 한정된 최소한의 부분으로 해결되고, 정전 척과 같은 파티클의 집진을 방지할 수 있다. 따라서, 클램프점의 클린도를 유지할 수 있다. 또한, 기판 내면에서 3점으로 유지하여 정전 척과 같이 면으로 유지하는 경우에 비해 기판 내면의 오차의 영향을 받기 어렵게 할 수 있다. 그 결과, 오차가 작고 재현성이 우수하다.
그러나, EUV용 마스크를 시료(101)로 한 경우에 이와 같은 상태로 시료(101)에 패턴을 묘화한 것에서는 SEMI 규격으로 규정하는 정전 척으로 척한 경우와 같은 기판 내면을 평면으로 교정한 상태가 아니다. 이 때문에 정전 척으로 척하는 노광 장치에 이와 같은 시료(101)를 마스크로서 이용하면 웨이퍼 등에 노광되는 패턴의 위치가 어긋난다. 예를 들면 시료(101)가 되는 기판의 크기가 152.4mm 각인 경우에 그 중앙부의 적어도 142mm각의 영역을 정전 척으로는 흡착한다. 즉, 기판 내면에서 중앙부의 적어도 142mm각의 영역이 평면으로 교정된다. 따라서, 본 실시형태 1에서는 기판 내면을 평면으로 교정한 상태에서의 소정 위치에 패턴이 묘화되도록 전자빔(200)을 조사하는 위치를 보정한다. 즉, 이와 같은 시료(101)에 패턴을 묘화하는 경우, SEMI 규격으로 규정하는 정전 척으로 척한 경우와 같은 기판 내면을 평면으로 교정한 상태와 동일한 상태를 만들어낸다. 이는 평면으로 교정한 상태에 서의 소정 위치에 패턴이 묘화되도록 전자빔(200)을 조사하는 위치를 보정하여 대처한다.
EUV 마스크를 묘화하는 경우에 대해 이하에 설명한다.
S(단계)(102)에 있어서, 내면 형상 계측 공정으로서 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)의 외부에 있는 평면도 측정기(500)를 이용하여 기판 내면의 3차원 형상을 계측한다. 이 때, 자중의 영향을 배제한 경우의 시료(101)가 되는 기판 내면의 3차원 형상을 계측한다.
도 5는 실시형태 1의 평면도 측정기로 기판 내면의 3차원 형상을 계측하는 수법을 설명하기 위한 개념도이다.
우선 묘화 JOB 등록 전에 기판 내면의 3차원 형상을 측정하는 것은 예를 들면 도 5에 도시된 시료(101)가 되는 기판을 세로로 한 상태로 기대(520)에 얹어 설치한다. 그리고, 간섭 원리를 사용하여 간섭계(510)를 이용하여 대향하는 면 전체를 계측한다. 간섭 원리를 사용하여 고정밀도로 계측하는 것이 가능하다. 이에 의해, 마스크 기판의 자중의 영향을 배제하여 기판에 고유의 내면의 형상만을 재현성 좋게 측정하는 것이 가능해진다.
도 6은 실시형태 1의 기판 내면의 3차원 형상의 일례를 도시한 도면이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 기판 내면은 자중에 의한 휘어짐 뿐만 아니라 표면을 연마하는 가공의 불완전에 의한 고유의 형상을 갖게 하는 것을 알 수 있다.
S104에 있어서, 근사 연산 공정으로서, 계산기(450)는 평면도 측정기에 의해 측정된 기판 내면의 높이 분포 등의 형상 분포 데이터를 입력한다. 입력된 형상 분포 데이터는 메모리(462)에 저장하면 좋다. 그리고, 근사 연산부(452)는 기판 고유의 내면 형상 정보가 되는 이와 같은 기판 내면의 형상 분포 데이터를 메모리(462)에서 판독한다. 그리고, 형상 분포를 예를 들면 4차 다항식으로 피팅(근사)한다.
S106에 있어서, 기울기 연산 공정으로서 기울기 연산부(454)는 근사한 4차 다항식의 미분값으로 국소적인 기울기를 구한다.
S108에 있어서, 위치 오차량 연산 공정으로서 위치 오차량 연산부(456)는 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 패턴의 위치 오차량(제 1 위치 오차량)을 연산한다. 이 패턴의 위치 오차량은 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 기판 표면에 패턴을 묘화한 경우의 패턴의 위치 오차량이다.
도 7은 실시형태 1의 기판 내면의 피팅된 3차원 형상의 일례를 도시한 도면이다.
도 7에서는 도 6에 도시한 기판 내면의 3차원 형상 분포를 4차 다항식으로 피팅하고, 또한 직교하는 X와 Y에 대해 각각 편미분하는 것으로 X 방향과 Y 방향의 국소적인 기울기의 분포가 얻어지는 것을 도시하고 있다.
도 8은 실시 형태 1의 위치 오차량을 산출하는 수법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 8에서는 국소적인 부분을 취출하여 설명한다. 시료(101)가 되는 기판의 두께를 T로 하여 신장 축소가 없는 중립면을 기판의 중앙면으로 한다. 이 때, 기울기 연산부(454)에 의해 국소적인 기울기(θ)가 얻어진 경우, 내면을 정전 척으로 척하는 경우와 같이 내면을 평면으로 교정하면 기판 표면에서는 그만큼의 위치 오차(δ)(x, y)가 생기게 된다. 단, 마스크가 정전 척에 밀착할 경우에는 마스크와 정전 척과의 사이에 마찰력이 발생한다. 이 때문에 중립면이 기판의 중앙이 아니라 힘의 균형으로 정전 척 면측으로 어긋날 가능성이 있다. 이 경우에 국소적인 기울기(Δθ)에 기판의 두께(T)와 비례계수(k)를 곱한다. 이에 의해 마스크 표면에서의 패턴 위치 오차량(δ)을 구할 수 있다. 이와 같이 하여 시료(101)가 되는 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 패턴의 위치 오차량의 분포를 얻을 수 있다.
도 9는 실시형태 1의 기판의 표면의 패턴의 위치 오차량 분포의 일례를 도시한 도면이다.
도 9에 도시한 바와 같이, 상기 연산에 의해 기판에 고유한 내면의 형상만으로 발생하는 기판 표면의 패턴 위치 오차량의 분포를 얻을 수 있다.
S110에 있어서, 계수 연산 공정으로서 계수 연산부(458)는 얻어진 위치 오차량에 기초하여 근사식(제 1 근사식)의 계수(제 1 계수)를 연산한다. 이 근사식은 이와 같은 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타낸다. 실시형태 1의 위치 오차 보정량의 근사식은 이하의 수학식 1의 (1-1)과 (1-2)로 나타낼 수 있다.
Figure 112006080695187-pat00001
도 9에서 얻어진 위치 오차량 분포의 위치 오차량을 기초로 3차 다항식의 피팅으로 묘화되는 그리드 보정량(위치 오차 보정량)을 구한다. 그리고, X 방향과 Y 방향의 3차 다항식을 근사하는 경우에 필요한 수학식 1의 식(1-1)에 나타내는 X 방향의 계수(a10, a11,…a19)와 식(1-2)에 나타내는 Y 방향의 계수(b10, b11,…b19)를 연산에 의해 구한다. 이와 같은 계수를 매개변수로 하여 묘화 데이터 처리 회로(322)에 설정하면 자중을 배제한 기판 고유의 변형량에 기초하여 위치 오차량을 보정할 수 있다. 여기서 얻어지는 다항식의 계수를 후술하는 바와 같이 통상의 내면 보정이 없는 경우에 사용되고 있는 3차 다항식의 계수에 더한 것을 해당 기판의 묘화에 사용한다.
이상과 같이, 실시형태 1에서는 자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 얻을 수 있다. 그 결과, 자중의 영향을 배제한 기판 본래의 변형량을 얻을 수 있다. 따라서, 기판 내면을 SEMI 규격으로 규정하는 정전 척으로 유지한 경우와 같이 평면으로 교정되었을 때의 기판의 표면의 변형량을 얻을 수 있다. 이와 같은 변형량으로 매개변수를 묘화한 경우의 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하면 이와 같은 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 얻을 수 있다.
S112에 있어서, 가산 공정으로서 가산부(460)는 제 2 계수에 제 1 계수를 가산한다. 여기서, 제 2 계수는 근사식(제 2 근사식)의 계수이다. 근사식(제 2 근사식)은 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 패턴의 위치 오차량(제 2 위치 오차량)을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타낸다. 이와 같은 제 2 계수가 되는 계수 매개변수는 묘화 장치의 디폴트값(328)으로서 HD 장치(326)에 저장되어 있다. 따라서, 가산부(460)는 묘화 데이터 처리 회로(322)를 통해 HD 장치(326)로부터 디폴트값(328)을 판독한다. 그리고, 계수 연산부(458)에 의해 얻어진 계수(제 1 계수)를 가산한다. 실시형태 1의 시스템 고유의 위치 오차 보정량의 근사식은 수학식 2의 식 (2-1)과 식 (2-2)로 나타낼 수 있다
Figure 112006080695187-pat00002
상기한 바와 같이, 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에서는 정전 척을 사용하지 않고 3군데의 클램프(210)에 의해 시료(101)가 되는 EUV용 마스크 기판을 수평 방향으로 유지하기 위해, 패턴 묘화할 때의 위치 오차가 발생한다. 이 위치 오차는 묘화 마스크 기판인 시료(101)의 자중에 의한 휘어짐에 의한 변형에 의해 발생한다. 이외에도 시스템 고유의 위치 오차 등이 발생한다. 따라서, 이와 같은 위치 오차를 보정하기 위해, 3차 다항식의 피팅으로 묘화되는 그리드 보정량(위치 오차 보정량)을 미리 구해둔다. 그리고, X 방향과 Y 방향의 3차 다항식을 근사하는 경우에 필요한 식 (2-1)에 나타내는 X 방향의 계수(as0, as1,…as9)와 식 (2-2)에 나 타내는 Y 방향의 계수(bs0, bs1,…bs9)를 연산에 의해 구한다. 이와 같은 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식(제 2 근사식)의 계수(제 2 계수)가 디폴트값(328)으로서 저장되어 있다. 그리고, 실시 형태 1의 가산된 후의 위치 오차 보정량의 근사식은 수학식 3의 식 (3-1)과 식 (3-2)로 나타낼 수 있다.
Figure 112006080695187-pat00003
수학식 3의 식 (3-1)과 식 (3-2)에 나타내는 근사식에 의해 3차 다항식의 각 계수를 가산하여 시스템 고유의 위치 오차 보정량에 자중을 배제한 기판 고유의 위치 오차 보정량을 가미한 위치 오차 보정량을 얻을 수 있다.
또한, 이 실시 형태 1에서는 전자빔 묘화 장치의 시스템이 가진 좌표계 고유의 위치 오차를 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식으로서, 3차 다항식이 사용되는 경우를 예로 들어 설명했지만, 4차 이상의 차수(次數)를 가진 다항식을 사용해도 관계없다. 이 때는 묘화 장치의 시스템이 가진 좌표계의 고유의 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식의 차수에 맞추고, EUV 마스크의 내면 형상을 나타내는 3차원 형상 분포를 피팅하는 다항식은 +1의 차수, 즉 묘화 장치의 시스템이 가진 좌표계 고유의 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식이 4차 다항식인 경우는 5차 다항식으로 근 사하는 것이 바람직하다.
S114에 있어서, 묘화 공정으로서 묘화부(150)는 전자빔(200)을 이용하여 시료(101)가 되는 기판의 표면에 패턴을 묘화한다. 이 때, 가산된 결과 얻어진 가산값(제 3 계수)을 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식(제 3 근사식)에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 묘화한다. 즉, 묘화 데이터 처리 회로(322)에서는 가산된 결과 얻어진 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량의 정보를 편향 제어 회로(320)에 출력한다. 그리고, 이와 같은 편향 제어 회로(320)에 의해 제어된 편향 전압이 편향기(208)에 인가된다. 그리고, 편향기(208)가 전자빔(200)을 제어된 편향 전압분만큼 편향하여 전자빔(200)이 소정 위치에 조사된다. 따라서, 이와 같은 제 1 계수를 장치가 본래 갖고 있는 제 2 계수에 가산하여 정전 척으로 기판을 유지하지 않아도 SEM1 규격으로 규정하는 정전 척으로 유지한 경우와 동일한 위치에 하전 입자빔을 편향할 수 있다.
도 10은 실시형태 1의 자중을 배제한 경우의 변형을 보정하는 위치 오차 보정량 분포의 일례를 도시한 도면이다.
도 11은 실시형태 1의 위치 오차 보정을 실시하여 묘화된 EUV용 마스크의 패턴 위치 분포의 일례를 도시한 도면이다.
도 12는 도 10에 도시한 분포와 도 11에 도시한 분포를 차분한 분포를 도시한 도면이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 분포가 넓어지거나 또는 좁아지는 변형을 나타내 지 않고 정방형에 가까운 형으로 되어 있으므로, 도 10에 도시한 예측한 위치 오차 보정량이 합쳐져 있고, 실시형태 11의 위치 오차 보정이 유효한 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 디폴트값(328)에 계수 연산부(458)에 의해 얻어진 계수(제 1 계수)를 가산하여 3 군데의 클램프(210)로 시료(101)를 유지해도 정전 척을 사용한 경우의 위치로 보정할 수 있다. 즉, 3군데의 클램프(210)는 시료(101)가 되는 EUV용 마스크 기판을 수평 방향으로 유지한다. 그리고, 이 상태로 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 의해 묘화된다. 이 경우와 같이 정전 척을 사용하지 않아도 정전 척을 사용한 경우의 위치로 보정할 수 있다.
또한, 통상, 기판의 온도가 안정되기까지 얼라인먼트 챔버(104) 내에서 일정 시간 진공으로 한 상태에서 온도가 일정할 때까지 묘화 개시를 기다리는(항온화) 기능이 준비되어 있다. 그러나, EUV 마스크의 경우에는 기판의 재료가 통상의 광마스크와 같은 유리 기판과 달리 열팽창 계수가 현저히 작은 재료를 이용하므로, 이와 같은 온도 항온화의 대기 시간이 필요하지 않다. 이 때문에, 묘화 데이터 처리 회로(322)는 입력되는 정보를 기초로 EUV 마스크가 통상의 광마스크인지를 식별하고, 또한 EUV 마스크일 때만 선택적으로 기판의 내면 형상 정보에 기초한 패턴 위치 오차 보정을 실시하면 좋다. 따라서 미리 묘화 JOB 등록 시에 EUV용 마스크인지, 통상의 광마스크인지를 묘화 데이터 처리 회로(322)에 입력한다. 정보를 입력하는 방법은 매개변수 파일, 또는 수동 입력 등이라도 관계없다. 바꿔 말하면 묘화 데이터 처리 회로(322)는 EUV 마스크를 묘화할 때는 온도 항온화를 위한 대기 시간이 지정되어 있어도 자동적으로 취소되도록 구성하면 바람직하다.
또한, EUV 마스크가 아니라 통상의 광마스크를 묘화할 경우에는 정전 척에 의한 기판 내면의 평면으로의 교정이 필요하지 않으므로 시스템 고유의 위치 오차를 보정하면 된다. 따라서, S102로부터 S112까지의 위치 오차 보정이 불필요해진다. 따라서, 묘화 데이터 처리 회로(322)는 미리 묘화 JOB 등록 시에 EUV 마스크인지, 통상의 광마스크인지를 입력된 정보로 판단한다. 그리고, 또한 EUV용 마스크일때만 선택적으로 S102에서 S112까지의 기판의 내면 형상 정보에 기초한 패턴 위치 오차 보정을 실시하도록 구성하면 바람직하다. 통상의 광마스크의 경우에는 묘화 데이터 처리 회로(322)는 S102에서 S112까지의 공정을 실시하지 않고 디폴트값(328)을 그대로 이용한 패턴 위치 오차 보정을 실시하도록 구성한다.
즉, 상기 묘화 공정에 있어서, 기판이 EUV용 마스크용 기판인 경우에 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어진 위치 오차 보정량에 기초하여 기판 표면에 상기 패턴을 묘화하고, 기판이 EUV용 마스크용 기판이 아닌 경우에는 제 2 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 기판 표면에 상기 패턴을 묘화하도록 구성하면 좋다.
이상과 같이, 정전 척에 밀착시켜 각각의 기판에 고유한 형상에 기초한 변형이 발생하는 것이 상정된다. 그리고, 그 변형이 패턴의 위치 오차를 초래한다. 그러나, 실시형태 1에 의하면 3점 유지 방식(3군데에서의 클램프 방식)을 사용해도 이 패턴의 위치 오차를 고정밀도로 예측·보정이 가능해진다. 또한, 3점 유지 방식을 사용하여 재현성을 좋게 유지할 수 있다. 따라서, UV 마스크를 묘화할 때 요 구되고 있는 정전 척을 사용하지 않고 패턴의 위치 오차를 고정밀도로 예측·보정이 가능해진다. EUV 마스크나 광마스크나 동일하게 묘화하는 것이 가능해진다. 또한, EUV 마스크를 묘화할 때에는 온도 항온화를 위한 대기 시간을 스킵하여 묘화 프로세스 전체를 단축하는 것이 가능해진다.
이상과 같이, 실시형태 1에 의하면 정전 척을 이용하지 않아도 정전 척을 이용한 경우의 위치에 묘화 위치를 보정할 수 있다. 따라서, 정전 척을 이용하지 않아도 정전 척을 이용한 경우의 위치에 묘화할 수 있다. 그 결과, 묘화 장치 내의 클린도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 정전 척을 이용하는 경우 보다도 더 이상적인 평면으로 재현할 수 있고, 묘화의 재현성을 향상시킬 수 있다.
실시형태 2.
실시형태 1에서는 EUV 마스크 묘화 시에 기판 내면의 3차원 형상 정보를 기초로 고정밀도의 패턴의 위치 오차 보정을 재현성 좋게 실시 가능한 마스크 묘화 장치를 설명했다. 그리고, 이와 같은 묘화 장치로 묘화된 마스크 패턴의 위치 정밀도 및 묘화된 마스크로부터 얻어지는 마스크 묘화 장치의 묘화 성능을 평가할 때에는 기판의 유지 방식으로서 정전 척 및 3점 지지 방식을 선택 가능한 위치 정밀도 평가 장치를 사용한다. 실시형태 2에서는 이와 같은 정전 척과 3점 지지 방식을 선택 가능한 위치 계측장치에 대해 설명한다.
도 13은 실시형태 2의 위치 계측장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 13에 있어서, 위치 계측장치(600)는 하우징체(602), 패턴 위치 인식부(610), 스테이지(620), 위치 제어계(622), 정반(定盤)(630), 반송 로봇(640), 배 치부의 일례가 되는 홀더(650), 로봇 제어 회로(646), 계산기(660), 메모리(662), 정전 척용 앰프(672), 및 스테이지 제어 회로(674)를 구비하고 있다. 하우징체(602) 내에는 CCD 카메라 등의 패턴 위치 인식부(610), 스테이지(620), 위치 제어계(622), 정반(630), 반송 로봇(640), 홀더(650)가 배치되어 있다. 계산기(660)에는 로봇 제어 회로(646), 메모리(662), 정전 척용 앰프(672), 스테이지 제어 회로(674)가 접속되고, 계산기(660)에 제어되어 있다.
또한, 하우징체(602) 내는 항온화되고, 정반(630)은 제진 기능을 갖고 있다. 홀더(650)에는 복수단의 배치 장소(저장 장소)가 존재하고, 3점 지지부재(220)와 3점 지지부재(220)상에 얹어 설치된 시료(101)의 제 1 세트, 또는 정전 척 부재(230)와 정전 척 부재(230)상에 얹어 설치된 시료(101)의 제 2 세트가 저장되어 있다. 또한, 반송 로봇(640)은 핸드(642)와 본체(644)를 구비하고 있다. 그리고, 로봇 제어 회로(646)에 제어된 반송 로봇(640)은 핸드(642)를 사용하여 제 1 세트 또는 제 2 세트를 홀더(650)에서 반출하여 스테이지(620)상에 반송한다. 또한, 반송 로봇(640)은 핸드(642)를 사용하여 제 1 세트, 또는 제 2 세트를 스테이지(620)상으로부터 반출하여 홀더(650)에 저장한다. 여기서, 도 13에서는 본 실시형태 2를 설명하는데 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 위치 계측장치(600)에 있어서 통상 필요한 그 외의 구성이 포함되어도 관계없다.
그리고, 이와 같은 위치 계측장치에 있어서, EUV용 마스크에 설치된 패턴이 웨이퍼상으로 전사될 때 상정되는 패턴의 위치를 계측할 때는 정전 척을 사용하여 계측한다. 한편, EUV용 마스크를 묘화하는 묘화 장치의 상태 관리나 묘화 정밀도 관리의 목적으로 묘화된 패턴의 위치를 계측할 때에는 통상의 3점 지지 방식을 사용하여 계측한다.
EUV 마스크에 설치된 패턴이 웨이퍼상으로 전사될 때 상정되는 패턴의 위치를 계측하는 경우의 위치 계측장치(600)의 동작을 설명한다. 우선, 반송 로봇(640)이 핸드(642)를 사용하여 정전 척에 의한 제 2 세트를 홀더(650)로부터 반출하여 스테이지(620)상에 반송한다. 그리고, 스테이지(620)상에 제 2 세트를 얹어 설치한다. 그리고, 스테이지(620)상에 정전 척 부재(230)가 얹어 설치된 상태로 정전 척용 앰프(672)에 의해 스테이지(620)를 통해 정전 척 부재(230)에 전압이 인가된다. 이에 의해 정전 척 부재(230)상에 얹어 설치된 시료(101)가 정전 척 부재(230)에 흡착되어 척된다. 이와 같은 상태로 스테이지(620)가 스테이지 제어 회로(674)에 의해 XY 방향으로 이동하면서 패턴 위치 인식부(610)에 의해 EUV 마스크에 설치된 패턴을 인식하여 촬상된다. 그리고, 촬상된 화상이 위치 제어계(622)에 의해 제어된 위치 정보와 함께 계산기(660)로 보내진다. 그리고, 이와 같이 촬상한 화상과 위치 정보로 EUV 마스크에 설치된 패턴의 위치를 계측한다. EUV 마스크에 설치된 패턴의 위치를 계측하여 정전 척으로 척하는 경우에 원하는 위치에서의 위치 오차량을 계측할 수 있다.
계속해서, EUV 마스크를 묘화하는 묘화 장치의 상태 관리나 묘화 정밀도 관리의 목적으로 묘화된 패턴의 위치를 계측하는 경우의 위치 계측장치(600)의 동작을 설명한다. 반송 로봇(640)이 핸드(642)를 사용하여 3점 지지에 의한 제 1 세트를 홀더(650)로부터 반출하여 스테이지(620)상에 반송한다. 그리고, 스테이 지(620)상에 제 1 세트를 얹어 설치한다. 3점 지지 부재(220)에서는 단지 3점 지지 부재(220)상에 시료(101)를 얹고 있을 뿐이므로 그 상태에서 패턴 위치 인식부(610)에 의해 촬상된다. 패턴 위치 인식부(610)는 스테이지(620)가 스테이지 제어 회로(674)에 의해 XY 방향으로 이동하면서 EUV 마스크에 설치된 패턴을 인식하여 촬상한다. 그리고, 촬상한 화상을 위치 제어계(622)에 의해 제어된 위치 정보와 함께 계산기(660)로 보내진다. 그리고, 이와 같이 촬상한 화상과 위치 정보로 EUV 마스크에 설치된 패턴의 위치를 계측한다. EUV 마스크에 설치된 패턴의 위치를 계측하여 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)의 클램프(210)로 3군데 클램프한 경우에 원하는 위치로부터의 위치 오차량을 계측할 수 있다. 즉, 여기서는 묘화 장치의 정밀도를 평가할 수 있다.
이상과 같이, EUV 마스크에 설치된 패턴이 웨이퍼상으로 전사될 때 상정되는 패턴의 위치 정밀도를 평가할 때에는 정전 척을 사용하여 내면 형상 보정이 정확히 기능하고 있는 것을 평가할 수 있다. 또한, 기판 유지의 재현성이 우수하고, 또한 이물질의 부착 우려가 적은 통상의 3점 지지 방식을 사용하여 EUV 마스크를 묘화하는 마스크 묘화 장치의 정밀도 평가를 실시할 수 있다.
EUV 마스크의 위치 정밀도를 계측·평가할 때에는 이하에 설명하는 테스트 마스크를 이용하여 계측하는 것도 바람직하다.
도 14는 실시형태 2의 테스트마스크의 일례를 도시한 도면이다.
우선, 내면 형상 계측 공정으로서 실시형태 1에서 설명한 바와 같이, 평면도 측정기(500)를 이용하여 자중의 영향을 배제한 경우의 시료(101)가 되는 기판 내면 의 3차원 형상을 계측한다.
그리고, 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 기판 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 패턴의 위치 오차량이 보정된 패턴을 묘화한다. 그리고, 그 주위에 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 기판 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 패턴의 위치 오차량이 보정된 패턴을 묘화한다. 바꿔 말하면 정전 척용으로 기판 내면을 평면으로 교정하기 위한 보정이 되지 않은 실시형태 1에서 설명한 디폴트값(328)을 그대로 사용한 보정이 없는 패턴(712)(제 2 패턴)을 패턴(710)의 중심 위치에 묘화한다. 그리고, 디폴트값(328)에 계수가 가산된 가산값을 계수 매개변수로서 사용한 보정 패턴(714)(제 1 패턴)을 보정이 없는 패턴(712)의 주위를 둘러싸도록 묘화한다. 이와 같은 패턴(710)이 소정 피치로 복수 묘화된 테스트 마스크를 실시형태 1에서 설명한 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 의해 묘화하여 작성한다. 이와 같은 2 종류의 패턴은 2회로 나눠 별도로 묘화하면 된다.
도 15는 3점 지지부재의 구성의 일례를 도시한 개념도이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 3점 지지부재(220)에는 3개의 지지 핀(222)이 배치되어 있다. 그리고, 이와 같은 3개의 지지 핀(222)으로 시료(101)의 내면을 지지한다. 지지 핀(222)을 루비나 사파이어와 같은 단단한 재료로 구성하여 시료(101)를 얹어 설치한 경우의 지지 핀(222)의 변형을 억제할 수 있다. 그 결과, 오차가 작고 재현성이 우수하다.
도 16은 정전 척 부재의 구성의 일례를 도시한 개념도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 정전 척 부재(230)는 시료(101)의 외주부를 제외 한 내면 전체면을 흡착하도록 흡착면이 형성되어 있다. 흡착면의 사양은 상기한 바와 같이 SEMI 규격으로 규정되어 있다.
그리고, 제 1 위치 오차량 계측 공정으로서 기판 내면을 정전 척하여 보정 패턴(714)의 위치 오차량을 계측한다. 보정 패턴(714)은 상기한 바와 같이 기판 내면의 3 차원 형상에 기초하여 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 패턴이다.
위치 계측장치(600)의 동작을 설명한다. 우선, 반송 로봇(640)이 핸드(642)를 사용하여 정전 척에 의한 제 2 세트를 홀더(650)로부터 반출하여 스테이지(620)상에 반송한다. 그리고, 스테이지(620)상에 제 2 세트를 얹어 설치한다. 그리고, 스테이지(620)상에 정전 척 부재(230)가 얹어 설치된 상태로 정전 척용 앰프(672)에 의해 스테이지(620)를 통해 정전 척 부재(230)에 전압이 인가된다. 이에 의해 정전 척 부재(230)상에 얹어 설치된 시료(101)가 정전 척 부재(230)에 흡착되어 척된다. 이와 같은 상태로 스테이지(620)가 스테이지 제어 회로(674)에 의해 XY 방향으로 이동하면서 패턴 위치 인식부(610)에 의해 보정 패턴(714)을 인식하여 촬상된다. 그리고, 촬상된 화상은 위치 제어계(622)에 의해 제어된 위치 정보와 함께 계산기(660)로 보내진다. 그리고, 이와 같은 촬상한 화상과 위치 정보로 보정 패턴(714)의 위치를 계측한다. 보정 패턴(714)의 위치를 계측하여 정전 척으로 척하는 경우에 원하는 위치로부터의 위치 오차량을 계측할 수 있다.
계속해서, 제 2 위치 오차량 계측 공정으로서, 패턴(712)을 이용하여 기판 내면을 3점 지지하여 제 2 패턴의 위치 오차량을 계측한다. 패턴(712)은 상기한 바와 같이 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 기판 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 패턴이다.
위치 계측장치(600)의 동작을 설명하면, 반송 로봇(640)은 핸드(642)를 사용하여 먼저 반송한 정전 척에 의한 제 2 세트를 스테이지(620)상에서 반출하여 홀더(650)에 저장한다. 그리고, 이번에는 반송 로봇(640)이 핸드(642)를 사용하여 3 점 지지에 의한 제 1 세트를 홀더(650)에서 반출하여 스테이지(620)상에 반송한다. 그리고, 스테이지(620)상에 제 2 세트를 얹어 설치한다. 3점 지지 부재(220)에서는 단지 3점 지지부재(220)상에 시료(101)를 얹고 있을 뿐이므로, 그 상태로 패턴 위치 인식부(610)에 의해 촬상된다. 패턴 위치 인식부(610)는 스테이지(620)가 스테이지 제어 회로(674)에 의해 XY 방향으로 이동하면서 보정이 없는 패턴(712)을 인식하여 촬상한다. 그리고, 촬상된 화상은 위치 제어계(622)에 의해 제어된 위치 정보와 함께 계산기(660)로 보내진다. 그리고, 이와 같이 촬상한 화상과 위치 정보로 보정이 없는 패턴(712)의 위치를 계측한다. 보정이 없는 패턴(712)의 위치를 계측하여 가변 성형형 EB 묘화장치(100)의 클램프(210)로 3군데 클램프한 경우에 원하는 위치로부터의 위치 오차량을 계측할 수 있다. 즉, 여기서는 묘화 장치의 정밀도를 평가할 수 있다.
여기서는 패턴(714)의 위치 계측을 먼저 실시하고 있지만, 패턴(712)과 패턴(714)의 위치 계측의 순서는 어느쪽이 먼저이든 관계없는 것은 물론이다.
이상과 같이, 1 장의 마스크에 내면이 보정된 패턴군과 내면 보정을 하지 않 은 패턴군과의 양쪽을 묘화한다. 그리고, 3점 지지 방식 또는 정전 척을 경우에 따라서 나눠 사용하여 계측하여 보정하는 것에 의한 패턴의 열화가 없는지를 효율적으로 평가하는 것이 가능해진다. 또한, 기판 유지의 재현성이 우수한 3점 지지 방식을 사용할 때에는 보정이 없는 패턴(712)이 원하는 정밀도로 묘화되어 있는 것이 확인 가능하다. 또한, 보정 패턴(714)에 대해서도 정전 척을 사용한 경우에는 보정된 좌표가 실제로 척된 상태로 정밀도 좋게 얻어지고 있는지 여부를 평가하는 것이 가능해진다. 즉, 정전 척에 의해 유지하는 경우를 상정하여 보정한 패턴과 보정하지 않은 패턴과의 양쪽의 위치 정밀도를 확인할 수 있다.
여기서, 테스트 마스크는 복수개 준비하여 정전 척 부재(230)상에 얹어 설치한 세트와 3 점 지지부재(220)상에 얹어 설치한 세트를 미리 홀더(650)에 저장해둬도 좋다. 또는 1 장의 테스트 마스크를 사용하여 정전 척 부재(230)상에 얹어 설치하거나 3 점 지지 부재(220)상에 다시 얹어 설치하여 계측해도 관계없다.
또한, 실시형태 2의 위치 계측장치(600)에서는 EUV용 마스크와 EUV용 마스크가 아닌 마스크(예를 들면 상기 광마스크)를 각각 계측하는 것이 가능하다. 즉, EUV용 마스크가 노광 장치(전사 장치)에 의해 전사될 때 상정되는 패턴의 위치를 계측할 경우에는 정전 척 부재(230)에 배치하면 좋다. 그리고, EUV용 마스크가 아닌 마스크가 노광 장치에 의해 전사될 때 상정되는 패턴의 위치를 계측할 경우에는 3 점 지지부재(220)에 배치하면 좋다. EUV용 마스크가 아닌 마스크에서는 노광 장치에 설치되는 경우에 정전 척이 되지 않으므로 내면이 교정되어 있지 않다. 따라서, 위치를 계측하는 경우도 동일한 조건으로 하는 것이 바람직하기 때문이다. 이 상과 같이, 실시형태 2의 위치 계측장치(600)를 이용하면 정전 척에 의해 내면이 교정되어 노광된 패턴과 내면이 교정되지 않고 노광된 패턴과의 양쪽의 위치 정밀도를 확인할 수 있다.
실시형태 3.
실시형태 2에서는 기판 내면의 3차원 형상 정보를 기초로 고정밀도의 패턴의 위치 오차 보정을 재현성 좋게 실시 가능한 마스크 묘화 장치로 묘화된 마스크 패턴의 위치 정밀도 및 묘화된 마스크로부터 얻어지는 마스크 묘화 장치의 묘화 성능을 평가하는 경우에 적어도 2 종류의 테스트 패턴군을 가진 테스트 마스크를 준비했다. 그리고, 한쪽은 묘화 JOB 등록 전에 기판 내면의 3차원 형상을 마스크 자중의 영향을 배제하고, 또 묘화 장치에 구비되어 있지 않은 계측장치로 계측한다. 그리고, 상기 기판 고유의 내면 형상 정보를 기초로 패턴의 위치 오차량을 산출한다. 그리고, 묘화 등록 시에 기판 고유의 매개변수의 하나로서 판독한다. 이들에 의해 위치 오차량이 보정되어 있는 테스트 패턴군으로 했다. 그리고, 한편 상기 내면 형상에 기초한 위치 오차를 보정하지 않은 통상의 광마스크로서 묘화되는 테스트 패턴군으로 했다. 이 예의 패턴에서는 주위의 8 개의 패턴군 각각에 다른 매개변수를 부여하는 것이 가능하다. 또한, 이들 8개의 패턴군에서도 조건을 바꿔 묘화하는데는 조건의 종류별로 나눠 묘화를 하면 좋다. 그리고, 보정 패턴(714)의 테스트 패턴군을 평가할 때는 정전 척으로 기판을 유지한 상태로 위치 정밀도를 평가했다. 그리고, 보정이 없는 패턴(712)의 테스트 패턴군을 평가할 때는 3점 지지 방식으로 기판을 유지한 상태로 위치 정밀도를 평가했다. 실시형태 3에서는 양쪽 의 패턴군을 3점 지지 방식의 기판 유지 방법을 채용한 위치 정밀도 평가 장치로 평가한다. 장치 구성이나 테스트 마스크의 구성은 실시형태 2와 동일하므로 설명을 생략한다.
이에 의해, 기판 유지의 재현성이 우수한 3 점 지지 방식을 사용하여 보정이 없는 테스트 패턴이 원하는 정밀도로 묘화되어 있는 것이 확인 가능하다. 또한, 보정이 있는 테스트 패턴에 대해서도 보정에 의한 의도적으로 보정된 묘화 패턴과 실제 패턴을 비교하여 내면 보정에 의한 패턴 위치 오차량의 예측이 가능해진다.
이상과 같이, 정전 척과 3 점 지지 방식을 선택 가능한 위치 정밀도 평가 장치를 상황에 따라서 구분하여 사용하여 목적에 따른 효율적인 평가가 가능해진다.
실시형태 4.
실시형태 4에서는 실시형태 1과는 일부가 다른 묘화 장치 또는 묘화 방법에 대해 설명한다. 실시형태 4에서는 EUV 마스크를 묘화하는 경우에 묘화 JOB 등록 전에 기판 내면의 3차원 형상을 마스크 자중의 영향을 배제하고, 또 묘화 장치에 구현되어 있지 않은 계측장치로 계측하는 점은 실시형태 1과 동일하다. 여기서 이것과는 별도로 미리 사용되는 정전 척의 3차원 형상 데이터를 매개변수로서 갖고 있다. 그리고, 마스크가 사용되는 정전 척의 3차원 형상 데이터로 정전 척에 기판이 유지될 때의 기판 표면의 패턴 위치 오차량을 기판 내면의 3차원 형상 정보와 정전 척의 3차원 형상 정보의 차분으로 산출한다. 그리고, 묘화 등록 시에 드는 위치 오차량을 기판 고유의 매개변수의 하나로서 판독하여 위치 오차량을 보정한다. 그리고, 기판의 유지 수법에 대해서는 이미 확립된 기술로서 재현성 좋게 기 판을 유지하는 것이 가능한 기계적인 3 점 유지 방식을 사용한다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 17은 실시형태 4의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 17에 있어서, 전자빔 묘화 방법은 내면 형상 계측 공정(S102), 차분 공정(S103), 근시 연산 공정(S104), 기울기 연산 공정(S106), 위치 오차량 연산 공정(S108), 계수 연산 공정(S110), 가산 공정(S112), 및 묘화 공정(S114)이라는 일련의 공정을 실시한다. 차분 공정(S103)이 추가된 점 이외는 도 1과 동일하다.
도 18은 실시형태 4의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 18에 도시한 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 있어서, 계산기(450) 내에 차분 연산부(451)가 추가된 점과 계산기(450)에 정전 척면 형상 분포 데이터(232)가 입력된 점 이외에는 도 2와 동일하다.
또한, 도 18에서는 본 실시 형태 1을 설명하는데 필요한 구성 부분에 대해 기재되어 있다. 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 있어서 통상 필요한 그 외의 구성이 포함되어도 관계없다. 또한, 도 18에서는 컴퓨터의 일례가 되는 계산기(450)에서 차분 연산부(451), 근시 연산부(452), 기울기 연산부(454), 위치 오차량 연산부(456), 계수 연산부(458), 및 가산부(460)라는 각 기능의 처리를 실행하도록 기재되어 있지만 이에 한정되지 않는다. 전기적인 회로에 의한 하드웨어에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 이와 같은 하드웨어와 펌웨어의 조합이라도 관계없다.
EUV 마스크를 묘화하는 경우에 대해 이하에 설명한다.
S102에 있어서, 내면 형상 계측 공정으로서 가변 성형형 EB 묘화장치(100)의 외부에 있는 평면도 측정기(500)를 이용하여 자중의 영향을 배제한 경우의 시료(101)가 되는 기판 내면의 3차원 형상을 계측한다. 이 공정은 실시형태 1과 동일하다.
도 19는 실시형태 4의 시료의 측면의 일부를 도시한 개념도이다.
도 19에 있어서, 시료(101)는 자중의 영향을 배제해도 그 이외의 기판 고유의 변형이 내면에 생기는 것은 상기한 바와 같다. 또한, 시료(101)를 식별하기 위한 식별 마크(234)를 설치해둔다. 식별 마크(234)를 설치하는 위치는 측면에 한정되지 않고, 본래의 마스크 묘화 패턴과는 관계가 없는 영역에 설치해두면 관계없다.
도 20은 실시형태 4의 이상적인 척면을 가진 정전 척에 유지된 시료의 단면의 일부를 도시한 개념도이다.
도 20에 도시한 바와 같이, 이상적인 평면에 형성된 척면을 가진 정전 척에 유지된 경우, 시료(101)의 내면 형상의 변형에 기초하여 기판 표면이 변형된다. 실시형태 1에서는 이와 같은 이상적인 평면에 형성된 척면을 가진 정전 척에 유지되는 경우를 상정한 위치 오차 보정을 실시했다. 실시형태 4에서는 더 자세히 정전 척의 척면의 형상을 고려하는 경우를 설명한다.
도 21은 실시형태 4의 정전 척의 단면의 일례를 도시한 개념도이다.
도 22는 도 21에 도시한 척 면을 가진 정전 척에 유지된 시료의 단면의 일부 를 도시한 개념도이다.
도 21에 도시한 바와 같이, 정전 척 부재(230)의 척면은 반드시 이상적인 평면에 형성되어 있다고는 한정되지 않는다. 이와 같은 정전 척 부재(230)의 척면에서 시료(101)가 척되면 도 22에 도시한 바와 같이, 정전 척 부재(230)의 척면의 형상의 영향을 시료(101)가 되는 기판의 표면이 받게 된다.
S103에 있어서, 차분 연산 공정으로서 우선 계산기(450)는 평면도 측정기에 의해 측정된 기판 내면의 높이 분포 등의 형상 분포 데이터를 입력한다. 또한, 계산기(450)는 위치 계측장치 또는 노광 장치로 사용하는 정전 척 부재(230)의 척면의 3차원 형상을 나타내는 정전 척면 형상 분포 데이터를 입력한다. 입력된 형상 분포 데이터와 정전 척면 형상 분포 데이터는 메모리(462)에 저장해두면 좋다. 또는 정전 척면 형상 분포 데이터는 미리 참조 가능한 위치에 보존해둬도 바람직하다. 그리고, 차분 연산부(451)는 기판 내면의 형상 분포 데이터와 정전 척면 형상 분포 데이터를 메모리(462)로 판독한다. 그리고, 기판 내면의 형상 분포 데이터가 나타내는 기판의 두께(T)의 방향이 되는 높이 형상과 정전 척면 형상 분포 데이터가 나타내는 기판의 두께(T)의 방향이 되는 높이 형상의 차분값을 연산한다. 마스크 기판의 높이 방향 데이터로 정전 척의 데이터를 빼 정전 척 기준의 마스크 기판의 높이 방향 데이터가 얻어진다. 바꿔 말하면 정전 척마다 기준면을 오프셋할 수 있다.
S104에 있어서, 근시 연산 공정으로서 근시 연산부(452)는 얻어진 차분값의 형상 분포를 예를 들면 4차 다항식으로 피팅(근사)한다. 이하, 묘화 공정에 이르 기까지 실시형태 1과 동일하므로 설명을 생략한다.
이상과 같이, 기판 내면의 형상 분포 데이터와 정전 척면 형상 분포 데이터와의 차분값의 형상 분포를 이용하여 미리 사용되는 정전 척의 형상 정보를 기초로 사용되는 정전 척의 형상에 맞춰 묘화되는 패턴의 위치 정밀도를 보정할 수 있다.
또한, EUV 마스크에 패턴을 묘화한 묘화 장치를 식별하기 위한 식별 마크(234)를, 예를 들면 기판의 측면 등에 미리 설치했으므로 묘화 장치마다 사용하는 기판을 식별할 수 있다. 이 식별 마크(234)를 노광 장치의 예를 들면 도시하지 않은 반송 시스템의 도중 등에 설치된 카메라 등에 의해 검지한다. 이에 의해, 예를 들면 내면 보정 기능을 구비한 마스크 묘화 장치로 묘화된 기판인지 여부를 식별할 수 있다.
또한, 노광 장치에 의해 정전 척면의 형상이 다르므로 식별 마크(234)를 설치하여 EUV 마스크에 패턴을 묘화한 묘화 장치를 식별한다. 이에 의해, 이와 같은 묘화 장치가 어떤 노광 장치의 정전 척면의 데이터를 사용하여 보정하는지를 식별할 수 있다.
이상과 같이, 상기 실시 형태 중 어느 하나에 의하면 묘화 장치로 정전 척을 사용하지 않아도 정전 척을 사용한 경우에 생기는 것이 예상되는 패턴의 위치 오차를 정밀도 좋게 보정하는 것이 가능해진다. 바꿔 말하면 종래부터 사용되고 있는 재현성이 좋은 3 점 유지 방식을 사용하여 정전 척을 사용한 경우에 생기는 것이 예상되는 패턴의 위치 오차를 정밀도 좋게 보정하는 것이 가능해진다. 결과적으로 EUV 노광시에 마스크를 정전 척에 유지했을 때의 전사 정밀도의 향상에 기여할 수 있다.
실시형태 5.
EUV용 마스크는 노광 장치에서 유지할 때는 정전 척이 사용되고, 정전 척도 마스크와 동등한 평탄도가 필요해진다. 상기 "SEMI P40-1103"의 "Table 1"에서는 50nm 이하의 평탄도가 마스크 블랭크스 전면에서 필요해진다고 규정하고 있다. 상기 실시형태 1 및 실시형태 4에서는 EUV용 마스크의 그래픽스가 되는 시료(101)의 평면 및 내면의 평면 정밀도가 불충분한 경우에 대해 설명했다. 여기서, 묘화로 사용되는 EUV용 마스크 블랭크스의 사양 중, "SEMI P37-1102"의 "Table 4"로 나타내는 예를 들면 "Class D"에 상당하는 30nm 이하의 평탄도를 갖고, 또한 기판의 두께 불균형도 30nm 이하인 기판에는 표면 및 내면은 이상(理想) 평면으로 간주하는 것이 가능하다. 현재, "SEMI P37-1102"의 사양으로는 "Wedge"로서 100㎛의 기울기를 기판으로서 허용하고 있다. 그러나, 최근 두께 불균형을 작게 할 필요가 있다는 의론도 있다. 마스크 블랭크스의 두께 불균형이 매우 작은 경우에는 마스크 블랭크스 표면과 내면은 평행 평면으로 간주할 수 있다. 이와 같이, 예를 들면 평탄도와 두께 불균형이 30nm 이하인 경우, 사용되는 EUV용 마스크의 블랭크스의 표면 형상을 계측하여 내면의 변형량과 변형에 의한 패턴의 변형량을 계산하는 것이 가능하다. 따라서, 실시형태 5에서는 이와 같은 평행 평면이라고 간주되는 기판을 이용하여 3 점 지지의 표면 형상을 계측하고 그 결과를 사용하여 묘화하는 수법에 대해 설명한다.
도 23은 실시형태 5의 전자빔 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이 다.
도 23에 있어서, 전자빔 묘화 방법은 묘화 높이 계측 공정(S202), 차분 연산 공정(S203), 근시 연산 공정(S204), 기울기 연산 공정(S206), 위치 오차량 연산 공정(S208), 계수 연산 공정(S210), 가산 공정(S212), 및 묘화 공정(S214)이라는 일련의 공정을 실시한다.
도 24는 실시형태 5의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 24에 있어서, 묘화부(150)는 도 2의 구성 외에 추가로 기준 칩(270), 클램프(240), 단차부재(280), 마크대(250), 투광기(262), 및 수광기(264)를 구비하고 있다. 그리고, 제어부로서 계산기(450) 내에서는 표면 높이 계측부(470), 차분 연산부(471), 근시 연산부(472), 기울기 연산부(474), 위치 오차량 연산부(476), 계수 연산부(478), 및 가산부(480)라는 각 기능을 갖고 있다. 그 외에는 도 2의 구성과 동일하다. 마크대(250)는 XY 스테이지(105)상에 배치된다. 그리고, 마크대(250)상에는 클램프(240)로 유지된 기준 부재의 일례가 되는 기준 칩(270)이 배치된다. 또한, 마크대(250)상에서는 기준 칩(270)의 근방에 단차 부재(280)가 배치된다. 또한, 투광기(262)와 수광기(264)는 묘화실(103)의 상변 부근에 전자경통(102)을 끼우도록 배치된다. 수광기(264)에는 예를 들면 PSD(Position Sensitive Detector)가 탑재되면 바람직하다. 그리고, 투광기(262)로부터 조사된 레이저광(266)을 기판이 되는 시료(101), 기준 칩(270), 또는 단차 부재(280)에 쪼인다. 그리고, 반사된 레이저광(266)을 수광기(264)로 수광하고, Z 방향(높이 방향)의 위치를 계측한다. 수광기(264)는 반사된 광을 확대하여 PSD로 인도한다. 이와 같이, 투광기(262)와 수광기(264)에 의해 전자빔(200)이 편향 조사되는 부근의 마스크 블랭크스 등의 시료(101)의 표면의 높이를 비접촉으로 계측 가능한 광레버(optical lever)식의 계측 센서를 구성한다.
또한, 도 24에서는 실시형태 5를 설명하는 데에 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)에 있어서 통상, 필요한 그 외의 구성이 포함되어도 관계없다. 또한, 도 24에서는 컴퓨터의 일례가 되는 계산기(450)에서 표면 높이 계측부(470), 차분 연산부(471), 근시 연산부(472), 기울기 연산부(474), 위치 오차량 연산부(476), 계수 연산부(478), 및 가산부(480)라는 각 기능의 처리를 실행하도록 기재되어 있지만 이에 한정되지 않는다. 즉, 전기적인 회로에 의한 하드웨어에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 이와 같은 하드웨어와 펌웨어의 조합이라도 관계없다.
도 25는 실시형태 5의 기준 칩 유지 상태의 일례를 도시한 단면 개념도이다.
클램프(240)는 상면 기준 부재(242)와 지지부재(244)를 구비하고 있다. 그리고, 기준 칩(270)의 표면측에서 상면 기준 부재(242)로, 기준 칩(270)의 내면측에서 지지부재(244)로 동일축을 상하에서 점접촉으로 클램프하여 끼우는 구조로 되어 있다. 지지부재(244)가 스프링 부재에 의해 구성되어 있으므로 상면 기준 부재(242)를 들어올리지 않고 기준 칩(270)을 끼워 고정할 수 있다. 따라서, 기준 칩(270)의 표면측의 높이 위치를 원하는 높이 위치로 정밀도 좋게 맞출 수 있다. 또한, 단차 부재(280)는 상면측에 서로 높이 위치가 다른 복수의 면을 갖고 있다. 예를 들면, 도 25에 도시한 바와 같이 3개의 평면(282, 284, 286)이 기재되어 있다. 이들 3개의 평면(282, 284, 286)에 의해 단차가 형성되어 있다. 단차 부재(280)는 전자빔의 근방에 배치되므로 도전성을 가진 금속으로 제작되거나 표면에 예를 들면 금도금 등이 실시된 재료에 의해 형성된다.
기준 칩(270)의 표면의 높이와 마스크 블랭크스 표면의 높이의 차가 투광기(262)와 수광기(264)로 세트가 되는 계측 센서의 측정 범위에 비해 충분히 작도록 조정되어 있다. 이 조정은 예를 들면 XY 스테이지(105)에 장착된 마크대(250)의 높이 크기에 따라서 조정되면 좋다. 기준 칩(270) 표면의 높이는 클램프(240)를 이용하여 기준 칩(270)을 장착한 상태에서의 높이이다. 또한, 시료(101)가 되는 마스크 블랭크스 표면의 높이는 상면 기준 부재(212)의 충돌면에 접촉하여 클램프(210)에 의해 유지된 상태에서의 높이이다. 또한, 표면의 높이의 계측에는 도 24에 도시한 투광기(262)와 수광기(264)로 세트가 되는 광 레버식 센서를 이용하면 바람직하다. 이 광 레버 센서에서는 마스크 블랭크스 표면에서 반사하는 레이저광(266)의 촬상 위치에서의 어긋남을 확대 검출하여 마스크 블랭크스 표면의 위치를 고정밀도로 계측하는 것이 가능해진다. 이 광 레버 센서를 이용하면 기계 설계상의 제약으로 100㎛ 정도의 측정 범위를 얻을 수 있다. 한편, 기준 칩(270) 표면의 높이와 마스크 블랭크스 표면의 높이의 차는 기계적인 조정 수단에 의해 10㎛ 이하로 조정하는 것이 가능하다. 10㎛ 이하의 값은 마스크 블랭크스의 휘어짐이나 고유 형상(평탄도)에 기초한 높이 변동, 그외의 오차를 포함해도 충분히 작은 값이라고 할 수 있다.
도 26은 실시형태 5의 기준 칩의 일례를 도시한 개념도이다.
도 26에 도시한 바와 같이, 기준 칩(270)은 실리콘 기판(실리콘 웨이퍼)에서 절단된 칩으로 구성된다. 예를 들면 10~14mm각의 칩으로 구성된다. 기준 칩(270)에는 패턴 영역(272)과 패턴이 없는 영역(274)과 테두리 영역(276)을 갖고 있다. 패턴 영역(272)에는 묘화 장치(100)가 조정(calibration) 등을 실시할 때 사용하는 마크가 패턴으로서 형성된다. 원래의 기판인 실리콘 웨이퍼에 대해서 예를 들면 텅스텐(W)이나 탄탈(Ta) 등의 중금속으로 패턴을 설치하면 좋다. 이에 의해, 이 마크 패턴을 전자빔(200)으로 스캔함으로써 2차원 프로파일로서 양호한 콘트라스트를 가지고 반사 전자나 2차 전자의 측정 데이터를 얻을 수 있다. 이 마크 패턴의 2차원 프로파일을 기초로 전자빔(200)의 위치 좌표를 XY 스테이지(105)의 위치의 위치 좌표 기준으로 할 수 있다. XY 스테이지(105)의 위치는 도시하지 않은 레이저 간섭계 등의 위치 계측 수단에 의해 측정된다. 틀 형상의 테두리 영역(276)은 기준 칩(270)을 클램프(240)로 끼워 고정하는 영역이 된다. 그 외의 영역에는 직사각형 패턴 등의 패턴이 별도로 형성되어도 좋다.
여기서, 전자빔(200)은 편향기(208) 등으로 편향 주사되어 있다. 전자빔(200)은 어떤 각도로 시료(101)면상에 조사되므로, 시료(101)면의 높이가 바뀌면 편향 영역이 바뀐다. 예를 들면, 시료(101)면에서 위쪽으로 0.2m의 위치에서 5mrad의 개방각으로 편향하면 편향 영역은 1mm각의 영역이 된다. 즉, 시료(101)면의 높이가 0.2㎛ 바뀌면 편향 영역은 1nm 변화하게 된다. 상기 광레버 센서는 0.1㎛ 이하의 분해능을 가지므로 시료(101)가 되는 마스크 블랭크스의 높이 변화에 따 른 편향 영역의 변화를 고정밀도로 계측하는 것이 가능하다.
광레버 센서는 시료(101)면에서 반사된 광을 PSD로 검출하여 위치 정보를 얻고 있다. 마스크 블랭크스에는 문자대로 패턴은 없으므로 묘화 중에 높이를 계측해도 문제는 없다. 여기서, 시료(101)면상에 패턴 등이 있으면, 입사된 레이저광이 패턴의 엣지 부분에서 난반사되어 충분한 광을 얻을 수 없으므로 높이의 계측에 문제가 발생한다. 따라서 기준 칩(270)상에서 광레버 센서를 사용하여 높이를 계측할 때에는 패턴이 설치되지 않은 패턴이 없는 영역(274)을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 충분히 광을 얻을 수 있고, 문제없이 계측하는 것이 가능해진다.
여기서, 금 도금 등이 실시된 금속면은 예를 들면 범용으로 사용되고 있는 적색 레이저광에 대해 80% 이상의 반사율을 갖고 있다. 그러나, 통상의 마스크 블랭크스에서는 가시광의 반사율을 억제하는 반사 방지막이 설치되어 있으므로 상기 적색 레이저광에 대해 40% 이하의 반사율밖에 얻어지지 않는다. 한편, PSD측의 감도는 시료(101)면에서 반사해오는 광의 강도에 대해 상한을 가진다. 이 때문에 이대로는 PSD측의 감도가 오버플로우하지 않도록 강한 광쪽, 즉 80% 이상의 반사율의광에 합쳐질 필요가 있다. 따라서, 반사율이 높은 단차 부재(280)의 면에 합쳐치게 된다. 그러나, 이 경우 실제로 사용하는 20~40% 정도의 반사율밖에 갖고 있지 않은 마스크 블랭크스에서는 충분한 감도가 얻어지지 않게 되는 경우가 생긴다. 따라서, 실시형태 5에서는 단차 부재(280)의 평면(282, 284, 286)의 반사율을 마스크 블랭크스와 마찬가지로 크롬막 및 반사방지막을 코팅하여 기준 칩(270)의 마스 크 블랭크스와 동일한 정도의 반사율로 한다. 이에 의해 PSD측의 감도를 마스크 블랭크스의 반사율이 되는 40% 정도의 반사율의 광에 합할 수 있다. 따라서, 마스크 블랭크스의 높이 위치를 측정할 때의 PSD측의 실효 감도를 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 단차 부재(280)의 각 평면의 크기는 광레버 센서의 스폿 직경 보다도 크고, 예를 들면 500㎛×2000㎛ 정도로 형성되면 바람직하다. 그리고, 각 평면간의 단차는 예를 들면 10㎛ 피치로 설치되어 있으면 좋다. 또한, 단차부재(280)는 고정밀도의 기계 가공 등에 의해 제작함으로써 1㎛ 정도의 형상 정밀도로 제작하는 것이 가능하다. 단차는 광레버 센서 보다도 고정밀도의 신뢰가 생기는 계측기 등을 이용하여 장치에 조립하기 전에 계측해두는 것이 바람직하다. 이와 같이 제작된 각 평면간의 단차의 단차량(스텝량:높이 위치의 차)이 판명되고 있는 단차부재(280)의 복수의 평면(282, 284, 286)을 사용하여 단차량과 계측값의 관계를 구한다. 이에 의해 광 레버 센서의 게인을 조정할 수 있다.
따라서, 묘화 장치(100)를 사용할 경우에는 우선 기준 칩(270) 근방에 설치된 단차 부재(280)를 사용하여 광 레버 센서의 단차량과 계측값과의 관계, 즉 게인을 구해둔다. 단차부재(280)의 단차량은 사전에 계측하므로 그 값을 사용하면 된다. 그리고, 이 게인이 판명되고 있는 광 레버 센서를 사용하여 기준 칩(270)의 패턴이 없는 영역(274)의 높이를 계측한다. 그리고, 이 기준 칩(270)상에서 패턴이 없는 영역(274)에 인접하여 설치되어 있는 패턴 영역(272)의 패턴을 사용하여 전자빔(200)의 편향 조정(칼리브레이션) 등을 실시해둔다. 그 후는 마스크 블랭크 스의 휘어짐 등에 의해 높이가 변해도 전자빔(200)의 조사 위치 근방의 높이를 광 레버 센서를 패턴이 없는 영역(274)의 높이 기준으로 계측 가능해진다. 따라서, 높이의 차분으로 생기는 편향 오차를 보정하여 고정밀도의 묘화 정밀도를 유지하는 것이 가능해진다. 이하, 위치 오차량을 보정하는 수법을 설명한다.
S202에 있어서, 표면 높이 계측 공정으로서 표면 높이 계측부(470)는 투광기(262)와 수광기(264)로 구성되는 광 레버 센서를 사용하여 기판(시료(101))이 되는 마스크 블랭크스 표면의 위치를 계측한다. 적어도 평탄도 정밀도 보증 영역 내를 7×7의 매크릭스상으로 가상 분할하여 각 점에 대해 고정밀도로 계측한다. 이상적으로는 묘화 후에 노광 장치에서 사용되는 정전 척에 있어서, 흡착된 기판과 접촉하여 그 기판을 지지하는 지지 부분의 간격과 동일한 정도이거나 그것 보다도 작은 피치로 계측하는 것이 바람직하다.
S203에 있어서, 차분 연산 공정으로서 차분 연산부(471)는 계측된 기판면의 높이 값과 기준이 되는 패턴이 없는 영역(274)의 높이 값과의 차분을 연산한다.
S204에 있어서, 근사 연산 공정으로서 근사 연산부(472)는 얻어진 차분에 기초한 기판 표면의 형상 데이터를 4차 다항식으로 피팅한다.
S206에 있어서, 기울기 연산 공정으로서 기울기 연산부(474)는 피팅으로 얻어진 4차식을 X방향 및 Y방법에 대해 각각 편미분한다. 이에 의해 매트릭스 좌표의 X방향 및 Y방법에 대한 국소적인 기판 표면의 기울기(Local Slope)를 얻을 수 있다.
S208에 있어서, 위치 오차량 연산으로서 위치 오차량 연산부(476)는 기판 표 면에 패턴을 묘화한 경우에 기판 표면의 높이를 기준면이 되는 패턴이 없는 영역(274)의 면과 동일한 위치로 교정했을 때 생기는 패턴의 위치 오차량을 연산한다.
여기서, 만약에 정전 척상에 틈이 없이 기판이 밀착되고, 또한 기판의 신장, 축소가 없는(중립면이 기판 단면 중앙면이 되는) 경우, 산출된 국소적인 기울기량에 기판 두께의 1/2을 곱한 값이 패턴의 위치 오차량이 된다. 따라서, 위치 오차량 연산부(476)는 국소적인 기울기량에 기판 두께의 1/2을 곱해 패턴의 위치 오차량을 연산한다.
S210에 있어서, 계수 연산 공정으로서 계수 연산부(478)는 구한 위치 오차량에 기초하여 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식의 계수를 연산한다. 예를 들면, 3차 다항식에 근사한다.
S212에 있어서, 가산 공정으로서 가산부(480)는 묘화 데이터 처리 회로(322)를 통해 HD 장치(326)로부터 상기 디폴트값(328)을 판독하고, 계수 연산부(478)에 의해 얻어진 계수를 가산한다. 이에 의해 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량으로 묘화 장치의 좌표계를 보정할 수 있다. 이 보정에 의해 센서로 모든 계측점에서 높이가 0이 될 때 원하는 정밀도가 얻어지도록 패턴을 묘화하는 것이 가능해진다. 즉, 보정 데이터를 묘화 장치의 좌표계를 보정하고 있는 계산 회로에 묘화마다 더하는 것에 의해, 정전 척에 유지된 자세로 묘화할 수 있다. 이에 의해 정전 척을 묘화 장치에 도입하지 않아도 정전 척에 유지된 바와 같이 묘화할 수 있다. 따라서, 정전 척에 유지된 자세로 원하는 정밀도가 얻어지는 EUV용 마스크를 얻는 것이 가능해진다.
S214에 있어서, 묘화 공정으로서 묘화부(150)는 가산된 결과 얻어진 가산값을 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 전자빔(200)을 이용하여 시료(101)가 되는 기판 표면에 패턴을 묘화한다. 즉, 묘화 데이터 처리 회로(322)에서는 가산된 결과 얻어진 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량의 정보를 편향 제어 회로(320)에 출력한다. 그리고, 이와 같은 편향 제어 회로(320)에 의해 제어된 편향 전압이 편향기(208)에 인가되고, 전자빔(200)을 편향하여 소정 위치에 조사한다.
이상과 같이 구성하여 사전에 간섭계(510)에 의해 내면 측정을 실시하지 않아도 정전 척에 유지된 자세로 원하는 정밀도가 얻어지는 EUV용 마스크를 얻는 것이 가능해진다.
여기서, 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)는 실시형태 1 또는 실시형태 4의 구성과 실시형태 5의 구성과의 양쪽을 합친 구성으로 해도 바람직하다. 그리고, 두께 불균형이 매우 작은 기판이 사용되는 것이 마스크 블랭크스의 정보로서 입력된 경우에는 실시형태 5의 구성으로 묘화하도록 선택하면 좋다. 또한, 두께 불균형이 충분하지 않은 경우에는 실시형태 1 또는 실시형태 4의 구성으로 묘화하도록 선택하면 좋다.
이상의 설명에 있어서, 「~부」또는 「~공정」으로 기재한 것의 처리 내용 또는 동작 내용은 컴퓨터로 처리 가능한 프로그램에 의해 구성할 수 있다. 또는 소프트웨어가 되는 프로그램 뿐만 아니라 하드웨어와 소프트웨어와의 조합에 의해 실시시켜도 관계없다. 또는 펌웨어와의 조합이라도 관계없다. 또한, 프로그램에 의해 구성되는 경우, 프로그램은 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD 또는 ROM(Read Only Memory) 등의 기록 매체에 기록된다.
또한, 도 2, 도 18 또는 도 24에 있어서의 컴퓨터가 되는 계산기(450), 또는 도 13의 컴퓨터가 되는 계산기(660)는 도시하지 않은 버스를 통해 기억 장치의 일례가 되는 RAM(Random Access Memory), ROM, 자기 디스크(HD) 장치, 입력 수단의 일례가 되는 키보드(K/B), 마우스, 출력 수단의 일례가 되는 모니터, 프린터, 또는 입력 출력 수단의 일례가 되는 외부 인터페이스(I/F), FD, DVD, CD 등에 접속되어도 관계없다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시형태에 대해 설명했다. 그러나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되지 않는다.
또한, 장치 구성이나 제어 수법 등 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요하게 되는 장치 구성이나 제어 수법을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 가변 성형형 EB 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요하게 되는 제어부 구성을 적절히 선택하여 이용하는 것은 물론이다.
그외에, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치 오차량 계측 방법, 및 위치 계측장치는 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 추가적인 이점과 변형이 당해 기술분야의 통상의 기술자에게는 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 그 광범위한 측면에 의해 본 명세서에서 도시되고 설명된 구체적인 사항들과 대표적인 실시 형태에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구항들에 의해 한정된 바와 같이 본 발명의 일반적인 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 이루어질 수 있을 것이다.
본 발명에 의하면 장치 내의 청정도를 향상시키고, 또한 정전 척을 사용하는 경우와 동등한 위치에 패턴을 묘화하는 것이 가능하다. 또한, 다른 목적으로 묘화된 마스크의 패턴 위치 오차량을 고정밀도로 계측하는 것이 가능하게 된다.

Claims (20)

  1. 자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 계측하는 단계,
    상기 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우에 있어서의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하는 단계,
    상기 제 1 위치 오차량에 기초하여 상기 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 연산하는 단계,
    상기 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 2 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식의 제 2 계수를 이용하여 상기 제 2 계수로 상기 제 1 계수를 가산하는 단계,
    가산된 결과 얻어진 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량의 한쪽에 기초하여 하전 입자빔을 이용하여 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 EUV(Extreme Ultra Violet)용 마스크용 기판인 경우에 상기 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 묘화되고, 상기 기판이 EUV용 마스크용 기판이 아닌 경우에 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 묘화하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 방법은 또한,
    상기 기판 내면의 3차원 형상을 다항식으로 피팅하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 방법은 또한,
    상기 다항식을 미분하고, 상기 기판 내면의 국소적인 기울기를 연산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 국소적인 기울기와 상기 기판의 두께와 소정의 계수를 곱해 상기 제 1 위치 오차량을 연산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 방법은, 또한
    위치 계측장치와 노광 장치 중 어느 하나로 사용하는 정전 척 부재의 척면 형상이 높은 방향의 값을 입력하고, 상기 기판 내면의 3차원 형상의 높이 방향의 값과 상기 척 면의 높이 방향의 값과의 차분값을 연산하는 단계,
    상기 차분값을 상기 기판 내면의 3차원 형상의 기준의 높이 방향 데이터로서 상기 제 1 위치 오차량을 연산하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 세로로 배치한 상태로 간섭계를 이용하여 상기 기판 내면의 3차원 형상을 계측하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
  8. 하전 입자빔을 이용하여 기판의 표면에 패턴을 묘화하는 하전 입자빔 묘화 장치에 있어서,
    자중의 영향을 배제하여 계측된 기판 내면의 3차원 형상의 정보를 입력하고, 상기 기판 내면의 3차원 형상의 정보에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 1 위치 오차량을 연산하는 위치 오차량 연산부,
    상기 제 1 위치 오차량에 기초하여 상기 제 1 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 1 근사식의 제 1 계수를 연산하는 계수 연산부,
    상기 기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 상기 패턴을 묘화한 경우의 상기 패턴의 제 2 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 2 근사식의 제 2 계수를 이용하여 상기 제 2 계수에 상기 제 1 계수를 가산하는 가산부, 및
    가산된 결과 얻어진 제 3 계수를 이용한 위치 오차 보정량을 나타내는 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량과의 한쪽에 기초하여 상기 하전 입자빔을 편향하는 편향기를 구비하는 것을 특징으로 하는 한전 입자 빔 묘화 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 편향기는 상기 기판이 EUV(Extreme Ultra Violet)용 마스크용 기판인 경우에 상기 제 3 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 상기 하전 입자빔을 편향하고, 상기 기판이 EUV용 마스크용 기판이 아닌 경우에 상기 제 2 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량에 기초하여 상기 하전 입자빔을 편향하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 장치는 또한 상기 제 2 계수를 저장하는 기억 장치를 구비하고,
    상기 가산부는 상기 기억 장치로부터 상기 제 2 계수를 판독하여 상기 제 1 계수에 가산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  11. 하전 입자빔을 이용하여 기판의 표면에 패턴을 묘화하는 하전 입자빔 묘화 장치에 있어서,
    상기 기판을 배치하는 스테이지,
    상기 스테이지상에 배치되어, 상기 기판 표면의 높이 기준이 되는 기준면을 가진 기준 부재,
    상기 기준면과 상기 기판 표면과의 높이를 측정하는 센서,
    상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 상기 기판 표면의 높이를 상기 기준면과 동일한 위치로 교정했을 때 생기는 상기 패턴의 위치 오차량을 상기 기준면과 상기 기판 표면의 높이의 차분에 기초하여 연산하는 위치 오차량 연산부,
    상기 위치 오차량에 기초하여 상기 위치 오차량을 보정하기 위한 위치 오차 보정량을 나타내는 근사식 계수를 연산하는 계수 연산부, 및
    상기 근사식에 의해 얻어지는 위치 오차 보정량을 보정한 위치에 상기 하전 입자빔을 편향하는 편향기를 구비하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기준 부재로서 실리콘 칩을 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 실리콘 칩에는 소정 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입 자빔 묘화 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기준면으로서 상기 실리콘칩에 있어서의 상기 소정의 마크가 형성되어 있지 않은 영역을 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 장치는 또한 상기 기준 부재의 근방에 배치되고, 서로 높이가 다른 복수의 면을 가진 단차 부재를 구비하며,
    상기 센서는 상기 복수의 면을 이용하여 게인 조정되는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 복수의 면에는 높이를 측정하는 센서에 사용되는 광에 대해 반사 방지 효과를 가진 막이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 센서로서 광 레버 센서를 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  18. 자중의 영향을 배제한 경우의 기판 내면의 3차원 형상을 계측하는 단계,
    상기 기판 내면의 3차원 형상에 기초하여 상기 기판 내면을 평면으로 교정한 경우의 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 상기 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 제 1 패턴을 이용하여 상기 기판 내면을 정전 척하여 상기 제 1 패턴의 위치 오차량을 계측하는 단계,
    기판 내면을 평면으로 교정하지 않고 상기 기판의 표면에 패턴을 묘화한 경우에 예측되는 상기 패턴의 위치 오차량이 보정되어 묘화된 제 2 패턴을 이용하여 상기 기판 내면을 3점 지지하여 상기 제 2 패턴의 위치 오차량을 계측하는 것을 특징으로 하는 위치 오차량 계측 방법.
  19. 기판을 3점 지지하는 3점 지지부재와 기판을 정전 척하는 정전 척 부재를 배치하는 배치부,
    상기 배치부에 배치된 3점 지지부재와 정전 척 부재와의 한쪽을 얹어 설치하는 스테이지,
    상기 스테이지상에 상기 정전 척 부재가 얹어 설치된 상태로 상기 정전 척 부재에 전압을 인가하는 앰프, 및
    상기 스테이지상에 얹어 설치된 3점 지지부재에 지지된 기판에 형성된 패턴의 위치와 정전 척 부재에 정전 척된 기판상에 형성된 패턴의 위치를 인식하는 인식부를 구비하는 것을 특징으로 하는 위치 계측장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 패턴이 전사된 경우의 패턴 위치를 계측하는 경우에는 상기 정전 척 부재에 상기 기판을 척하고,
    묘화 장치에서 묘화된 패턴 위치를 계측할 경우에는 상기 3점 지지부재에 상기 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 위치 계측장치.
KR1020060108272A 2005-11-04 2006-11-03 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치 KR100776479B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00320300 2005-11-04
JP2005320300 2005-11-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070048626A KR20070048626A (ko) 2007-05-09
KR100776479B1 true KR100776479B1 (ko) 2007-11-16

Family

ID=38003398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060108272A KR100776479B1 (ko) 2005-11-04 2006-11-03 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7554107B2 (ko)
KR (1) KR100776479B1 (ko)
DE (1) DE102006052140B4 (ko)
TW (1) TWI313029B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8859997B2 (en) 2011-02-18 2014-10-14 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7643130B2 (en) * 2005-11-04 2010-01-05 Nuflare Technology, Inc. Position measuring apparatus and positional deviation measuring method
JP4801996B2 (ja) * 2006-01-05 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置
US8446566B2 (en) 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080316461A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
DE102007035519B4 (de) * 2007-07-26 2011-12-08 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Korrektur der aufgrund der Durchbiegung eines Substrats bedingten Messwerte
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
JP5134944B2 (ja) * 2007-12-27 2013-01-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
JP5301312B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法
JP5203992B2 (ja) * 2008-03-25 2013-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JP5184188B2 (ja) * 2008-04-09 2013-04-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法
JP2010040732A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
JP5525739B2 (ja) 2008-09-16 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP5376987B2 (ja) * 2009-02-18 2013-12-25 キヤノン株式会社 レチクルの製造方法、および面形状計測装置
JP5841710B2 (ja) * 2010-03-17 2016-01-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8534135B2 (en) 2010-04-30 2013-09-17 Nanometrics Incorporated Local stress measurement
JP2013038297A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9354526B2 (en) 2011-10-11 2016-05-31 Kla-Tencor Corporation Overlay and semiconductor process control using a wafer geometry metric
TWI489222B (zh) 2012-02-16 2015-06-21 Nuflare Technology Inc Electron beam rendering device and electron beam rendering method
JP5896775B2 (ja) 2012-02-16 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
JP5970213B2 (ja) 2012-03-19 2016-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR20130108875A (ko) * 2012-03-26 2013-10-07 삼성전자주식회사 빛을 이용하여 반사형 포토마스크를 검사 및 측정하는 설비
JP5970021B2 (ja) * 2013-08-20 2016-08-17 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
KR102395198B1 (ko) 2015-09-22 2022-05-06 삼성전자주식회사 마스크 패턴의 보정 방법 및 이를 이용하는 레티클의 제조 방법
EP3223299A4 (en) * 2016-01-21 2018-04-18 Technology Research Association for Future Additive Manufacturing 3d-modeling device, 3d-modeling device control method and 3d-modeling device control program
JP6937125B2 (ja) * 2017-01-26 2021-09-22 株式会社ニューフレアテクノロジー ステージ機構の位置補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6981170B2 (ja) * 2017-10-20 2021-12-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
CN112955822A (zh) * 2018-11-09 2021-06-11 Asml控股股份有限公司 利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁
DE102019201497B3 (de) * 2019-02-06 2020-06-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen von Platzierungen von Pattern-Elementen einer reflektiven fotolithographischen Maske in deren Betriebsumgebung
JP7167750B2 (ja) * 2019-02-08 2022-11-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244181A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子線描画データ加工方法および描画データ加工プログラムを記録した記録媒体、ならびに電子線描画装置
JP2004165500A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sony Corp 露光方法および半導体装置の製造方法
JP2005156436A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Hitachi Ltd 半導体パターン計測方法、およびプロセス管理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
US4907287A (en) * 1985-10-16 1990-03-06 Hitachi, Ltd. Image correction system for scanning electron microscope
JPS6395623A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタン形成方法
US5209812A (en) 1990-04-09 1993-05-11 Ford Motor Company Hot filament method for growing high purity diamond
US5209813A (en) * 1990-10-24 1993-05-11 Hitachi, Ltd. Lithographic apparatus and method
US6549271B2 (en) * 1997-01-28 2003-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP3468352B2 (ja) * 1998-08-10 2003-11-17 東芝セラミックス株式会社 石英ガラス製基板表面の平坦度測定装置
KR20020006690A (ko) * 1999-03-24 2002-01-24 시마무라 테루오 위치계측장치, 위치계측방법 및 노광장치, 노광방법그리고 중첩계측장치, 중첩계측방법
JP4005910B2 (ja) 2002-12-27 2007-11-14 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
TWI338323B (en) * 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
JP2005150527A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 保持装置、それを用いた露光装置およびデバイス製造方法
JP4157486B2 (ja) * 2004-03-24 2008-10-01 株式会社東芝 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法
US7643130B2 (en) * 2005-11-04 2010-01-05 Nuflare Technology, Inc. Position measuring apparatus and positional deviation measuring method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244181A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子線描画データ加工方法および描画データ加工プログラムを記録した記録媒体、ならびに電子線描画装置
JP2004165500A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sony Corp 露光方法および半導体装置の製造方法
JP2005156436A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Hitachi Ltd 半導体パターン計測方法、およびプロセス管理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8859997B2 (en) 2011-02-18 2014-10-14 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
KR101481463B1 (ko) * 2011-02-18 2015-01-12 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006052140B4 (de) 2019-01-17
TW200735177A (en) 2007-09-16
DE102006052140A1 (de) 2007-07-26
US20070103659A1 (en) 2007-05-10
US7554107B2 (en) 2009-06-30
TWI313029B (en) 2009-08-01
KR20070048626A (ko) 2007-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776479B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치
JP5087258B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置、位置ずれ量計測方法及び位置計測装置
US6961186B2 (en) Contact printing using a magnified mask image
JP3393947B2 (ja) 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム
US7643130B2 (en) Position measuring apparatus and positional deviation measuring method
US20110207056A1 (en) Contact or proximity printing using a magnified mask image
JP3254916B2 (ja) 投影光学系のコマ収差を検出する方法
JP2015043452A (ja) 応力ならびにオーバーレイのフィードフォーワード、及び／または、フィードバック・リソグラフィック・プロセス制御
JPWO2007043535A1 (ja) 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
WO2011061928A1 (ja) 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP4443537B2 (ja) リソグラフィ装置又はその一部を較正又は検定する方法及びデバイス製造方法
KR20170051506A (ko) 극자외선 파장 범위용 마스크를 제조하는 방법, 마스크 및 장치
US6654096B1 (en) Exposure apparatus, and device manufacturing method
US11194258B2 (en) Method and apparatus for determining a fingerprint of a performance parameter
JP6858732B2 (ja) Ｏｐｃ方法、及びそのｏｐｃ方法を利用したマスク製造方法
JP2011044711A (ja) リソグラフィ装置、歪み決定方法およびパターニングデバイス
JP4634992B2 (ja) 位置計測装置及び位置ずれ量計測方法
US9354048B2 (en) Method for measuring a lithography mask or a mask blank
US20190294059A1 (en) Method of determining pellicle compensation corrections for a lithographic process, metrology apparatus and computer program
CN110546575B (zh) 器件制造方法
EP3396457A1 (en) Device manufacturing method
US20210364908A1 (en) Device and method for determining placements of pattern elements of a reflective photolithographic mask in the operating environment thereof
JP3342981B2 (ja) 半導体装置の回路パターン転写方法及びこれに用いられる装置
CN111413850B (zh) 曝光装置、用于控制曝光装置的方法、以及物品制造方法
JP2010147249A (ja) 光学特性計測方法、露光条件決定方法、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181023

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191017

Year of fee payment: 13