KR100763690B1 - 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장비의 제어방법 - Google Patents

층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장비의 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition ; HDP-CVD) 장비의 제어방법에 관한 것으로, 공정 파라미터들의 적절한 변경을 통해 웨이퍼상의 에지부와 중앙부간의 증착막 두께 균일성이 향상되도록 하는 것에 의해 형성되는 층간절연막상에의 보이드(void)의 발생이 원활히 방지되도록 함으로써, 제조되는 반도체 소자의 수율 및 신뢰성이 향상되도록 하게 된다.
층간절연막, 보이드, 플라즈마, 증착, 식각, HDP, CVD

Description

층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비의 제어방법{CONTROL METHOD OF THE HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR FORMING A INTER-LAYER DIELECTRIC FILM}
도 1은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP-CVD) 장비의 구성을 보여주는 도면,
도 2는 종래에 층간절연막을 증착 형성함에 따라 층간절연막의 중앙부에 보이드(void)가 발생된 것을 보여주는 주사전자현미경(SEM) 사진,
도 3은 종래의 증착막 형성후의 웨이퍼 표면에 대해 두께측정장비로 측정한 두께 맵(thickness map),
도 4는 본 발명에 따라 공정진행시의 공정 파라미터들을 적정하게 변경하여 증착막을 형성한 후의 웨이퍼 표면에 대한 두께 맵이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
102 : 반응챔버 104 : 고정척
106 : 가스주입구 108 : 가스공급부
110 : 저주파수 전력발생기 112 : 고주파수 전력발생기
W : 웨이퍼 I : 층간절연막
V : 보이드
본 발명은 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition ; HDP-CVD) 장비의 제어방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정 파라미터(parameter)들을 적정하게 변경하여 웨이퍼상의 에지부와 중앙부간에 증착막 두께 균일성이 향상되도록 하는 것에 의해 형성되는 층간절연막상에의 보이드(void)의 발생을 방지할 수 있게 되는 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비의 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 점차 금속배선의 선폭이 좁아지고 있으며, 또한 해당 금속배선 사이의 간격도 대폭 좁아지고 있다.
따라서, 간격이 좁아진 금속배선 사이에 층간절연막을 형성함에 있어, 기존의 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition ; CVD)법 또는 플라즈마 CVD(Plasma Enhanced CVD ; PECVD)법으로는 금속배선 사이의 미세한 갭(gap)을 완전하게 매입할 수 없게 됨으로써, 최근에는 갭 충전(gap filling) 특성이 매우 우수한 고밀도 플라즈마 CVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition ; HDP-CVD)법을 주로 이용하고 있다.
HDP-CVD법은 익히 주지된 바와 같이, 고밀도 플라즈마에 의해 반응가스를 분해하여 웨이퍼 기판상에 증착되도록 하는 것에 의해 층간절연막이 형성되도록 하는 것으로, 층간절연막의 증착(deposition) 및 스퍼터 식각(sputter etching)이 동시 에 진행되게 된다.
도 1은 종래의 HDP-CVD 장비를 보여주는 구성도이다.
HDP-CVD 장비는, 밀폐된 반응공간을 형성하는 반응챔버(chamber)(102)와, 이 반응챔버(102)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 공정대상물인 웨이퍼(W)가 안착되어 고정되게 되는 고정척(chuck)(104)과, 이 고정척(104)의 측방에 해당하는 반응챔버(102)의 측벽상에 원주방향을 따라 이격되도록 다수개 구비되어 내부로 반응가스를 분사하여 주입하게 되는 가스주입구(106)와, 이 가스주입구(106)로 반응가스를 공급하게 됨과 아울러 전술한 고정척(104)측으로 웨이퍼(W)의 냉각을 위한 냉각가스를 공급하게 되는 가스공급부(108)와, 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력을 인가하여 반응챔버(102) 내부에 플라즈마가 형성되도록 하게 되는 저주파수 전력발생기(Low Frequency generator)(110)와, 웨이퍼(W)상에 증착되는 층간절연막을 스퍼터 식각하기 위한 바이어스 전력(bias power)인 고주파수 전력을 고정척(104)에 대해 인가하게 되는 고주파수 전력발생기(How Frequency generator)(112)를 포함하게 된다.
이때, 층간절연막은 주로 실리콘산화막(SiO2)으로 형성되게 되며, 이와 같이 실리콘산화막(SiO2)으로 형성되는 경우에 있어, 반응가스로는 실렌(SiH4)가스, 산소(O2)가스 및 아르곤(Ar)가스가 이용되고 있으며, 이 중 SiH4가스와 O2가스는 증착을 위한 메인 반응가스가 되게 되고, Ar가스는 스퍼터 식각을 위한 메인 반응가스가 되게 된다.
그리고, 고정척(104)측으로 공급되어 고정척(104)상에 안착된 웨이퍼(W)의 후면(back side)에 대해 분사되어 해당 웨이퍼(W)를 냉각하게 되는 냉각가스로는 헬륨(He)가스가 이용되게 된다.
따라서, 그 공정진행 과정에 대해 개략적으로 설명하면, 저주파수 전력발생기(110)로부터 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력이 인가되어 반응챔버(102)내의 상부측에 플라즈마가 계속적으로 우선 형성되어 있는 상태에서 공정대상물인 웨이퍼(W)가 반응챔버(102)내의 고정척(104)상에 안착되도록 로딩(loading)되게 되면, 이어서 고주파수 전력발생기(112)로부터 고정척(104)에 대해 고주파수 전력이 인가되어 웨이퍼(W)를 적정하게 초반 가열하게 되고, 다음으로 가스공급부(108)로부터 가스주입구(106)로 SiH4가스, O2가스 및 Ar가스의 반응가스들이 공급되어 가스주입구(106)에서 반응챔버(102)내로 분사되어 주입되게 되며, 이에 따라 주입된 반응가스들이 내부에 형성되어 있던 플라즈마에 의해 화학적 반응을 일으켜 웨이퍼(W)상에 증착되게 됨과 동시에 스퍼터 식각이 진행되어, 결국 웨이퍼(W)상에는 적정두께로 층간절연막이 형성되게 된다.
이와 같이, 반응가스들의 유입에 따라 증착과 식각이 동시에 진행되게 되는데, 이때 증착은 저주파수 전력에 의해, 그리고 식각은 고주파수 전력에 의해 이루어지게 되고, 또한 증착은 반응가스중의 SiH4가스, O2가스에 의한 화학적 결합에 의해, 그리고 식각은 반응가스중의 Ar가스의 이온화된 이온의 충돌에 의해 이루어지게 된다.
다음으로, 증착과 식각이 동시에 진행되어 웨이퍼(W)상에 적정하게 층간절연막이 형성된 후에는 해당 웨이퍼(W)를 반응챔버(102)로부터 언로딩(unloading)한 다음, 별도의 냉각챔버(미도시)에서 냉각하게 된다.
덧붙여, 이상의 공정진행 과정에서 고정척(104)에 대해 인가되는 고주파수 전력은 주로 식각을 위한 이온 및 라디칼들을 웨이퍼(W)쪽으로 끌어당기기 작용을 하게 된다.
그러나, 이상과 같은 HDP-CVD 장비를 이용하여 웨이퍼(W)상에 층간절연막을 형성하게 되면, 결과적으로 도 2의 웨이퍼(W) 요부 단면에 대한 주사전자현미경(SEM) 사진을 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 형성되는 층간절연막(I)의 중앙부에 국부적으로 불충분한 증착(즉, 갭필)에 따른 보이드(void)(V)가 빈 공간부로서 형성되게 된다.
이와 같이, 보이드(V)가 형성되게 되면, 이후 해당 보이드(V)로부터 물리적인 크랙(crack)이 용이하게 발생되어 전개될 수 있고, 또한 전기적인 단락도 유발될 수 있게 되므로, 제조되는 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 대폭 저하시키게 된다.
따라서, 조사해 본 결과, 이러한 보이드(V)의 발생은 웨이퍼(W)상에 형성되는 증착막의 두께 불균일성과 상관 관련성이 있는 것으로 밝혀졌으며, 즉 도 3의 웨이퍼(W) 표면에 대한 두께 맵(thickness map)을 통해 확인 가능한 바와 같이, 주로 증착이 두껍게 이루어지게 되는 에지(edge)부와 상대적으로 얇게 증착이 이루어지게 되는 중앙부간의 두께차가 1,000Å 이상일 경우에 주로 보이드(V)가 발생되는 것으로 조사되었다.
물론, 이와 같이 웨이퍼(W)상의 에지부와 중앙부간의 증착막 두께 불균일성이 발생되는 이유로는 반응가스가 주입되는 가스주입구(106)가 고정척(104)상에 안착된 웨이퍼(W)의 측방에 위치되어 있어 해당 측방으로부터 반응가스를 공급하게 되므로, 가스주입구(106)에서 가까운 웨이퍼(W)상의 에지부는 반응가스가 원활히 공급될 수 있음에 따라 상대적으로 두껍게 증착이 이루어지게 되고, 반면 가스주입구(106)로부터 거리가 멀어서 반응가스가 원활히 공급되지 못하게 되는 중앙부는 상대적으로 얇게 증착이 이루어지게 되는 것으로 판단된다.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, HDP-CVD 장비를 이용한 공정진행시의 공정 파라미터(parameter)들의 적정한 변경을 통해 웨이퍼상의 에지부와 중앙부간에 증착막 두께 균일성이 보다 향상되도록 하는 것에 의해 간접적으로 층간절연막상에의 보이드의 발생을 방지할 수 있게 되는 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플 라즈마 화학기상증착 장비 제어방법은, 금속 배선이 형성된 웨이퍼(W)상에 층간절연막(I)을 증착하여 형성하는데 이용되되, 반응챔버(102) 내부의 고정척(104)상에 상기 웨이퍼(W)가 안착되게 되고, 상기 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력이 인가되어 상기 반응챔버(102) 내부에 플라즈마가 형성되도록 하며, 상기 고정척(104)에 대해 고주파수 전력이 인가되어 상기 웨이퍼(W)를 초반 가열함과 더불어 이후 반응가스 주입에 따라 스퍼터 식각이 이루어지도록 하게 되고, 상기 고정척(104)측으로 He가스가 공급되어 상기 웨이퍼(W)의 후면에 대해 분사되어 상기 웨이퍼(W)를 냉각하게 되며, 상기 반응챔버(102)내로 공급되는 반응가스중 스퍼터 식각을 위한 메인 반응가스로는 Ar가스를 이용하게 되는 HDP-CVD 장비의 제어방법으로서, 상기 층간절연막(I)상에의 보이드의 발생을 방지하기 위하여, 공정진행중에, 상기 Ar가스의 공급유량을 170~200sccm 범위로 하고, 상기 저주파수 전력량을 3,000~3,400W 범위로 하며, 상기 고주파수 전력량을 2,400~2,550W 범위로 제어하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 He가스의 공급유량을 5~5.4sccm 범위로 하게 되며, 또한 상기 초반 가열시간을 45~60초 범위로 하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.
반도체 소자의 금속배선 사이에 층간절연막(I)을 형성하는데 이용되는 HDP-CVD 장비는 도 1에 나타낸 바와 같이, 반응챔버(102)와, 이 반응챔버(102)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 공정대상물인 웨이퍼(W)가 안착되어 고정되게 되는 고정척(104)과, 이 고정척(104)의 측방에 해당하는 반응챔버(102)의 측벽상에 원주 방향을 따라 이격되도록 다수개 구비되어 반응가스를 내부로 분사하여 주입하게 되는 가스주입구(106)와, 이 가스주입구(106)로 반응가스를 공급하게 됨과 아울러 전술한 고정척(104)측으로 웨이퍼(W)의 냉각을 위한 냉각가스를 공급하게 되는 가스공급부(108)와, 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력을 인가하여 반응챔버(102) 내부에 플라즈마가 형성되도록 하게 되는 저주파수 전력발생기(110)와, 웨이퍼(W)상에 증착되는 층간절연막(I)을 스퍼터 식각하기 위한 바이어스 전력인 고주파수 전력을 고정척(104)에 대해 인가하게 되는 고주파수 전력발생기(112)를 포함하게 된다.
이때, 층간절연막(I)이 실리콘산화막(SiO2)으로 형성되는 경우, 반응가스로는 SiH4가스, O2가스 및 Ar가스가 이용되고 있으며, 이 중 SiH4가스와 O2가스는 증착을 위한 메인 반응가스가 되게 되고, Ar가스는 스퍼터 식각을 위한 메인 반응가스가 되게 된다.
그리고, 고정척(104)측으로 공급되어 고정척(104)상에 안착된 웨이퍼(W)의 후면에 대해 분사되어 해당 웨이퍼(W)를 냉각하게 되는 냉각가스로는 He가스가 이용되게 된다.
이상과 같은 구성의 HDP-CVD 장비를 이용하여 층간절연막(I)을 형성하는 공정진행 과정에 대해 개략적으로 설명하면, 저주파수 전력발생기(110)로부터 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력이 인가되어 반응챔버(102) 내부의 상부측에 플라즈마가 계속적으로 우선 형성되어 있는 상태에서 공정대상물인 웨이퍼(W)가 반응챔버(102)내의 고정척(104)상에 안착되도록 로딩되게 되면, 이어서 고주파수 전력발생기(112)로부터 고정척(104)에 대해 고주파수 전력이 인가되어 웨이퍼(W)를 적정하게 초반 가열하게 되고, 다음으로 가스공급부(108)로부터 가스주입구(106)로 SiH4가스, O2가스 및 Ar가스의 반응가스들이 공급되어 가스주입구(106)에서 반응챔버(102)내로 분사되어 주입되게 되며, 이에 따라 주입된 반응가스들이 내부에 형성되어 있던 플라즈마에 의해 화학적 반응을 일으켜 웨이퍼(W)상에 증착되게 됨과 동시에 스퍼터 식각이 진행되어, 결국 웨이퍼(W)상에는 적정두께로 층간절연막(I)이 형성되게 된다.
이와 같이, 반응가스들의 유입에 따라 증착과 식각이 동시에 진행되게 되는데, 이때 증착은 저주파수 전력에 의해, 그리고 식각은 고주파수 전력에 의해 이루어지게 되고, 한편 증착은 반응가스중의 SiH4가스, O2가스에 의한 화학적 결합에 의해, 그리고 식각은 반응가스중의 Ar가스의 이온화된 이온의 충돌에 의해 이루어지게 된다.
다음으로, 증착과 식각이 동시에 진행되어 웨이퍼(W)상에 적정하게 층간절연막(I)이 형성된 후에는 해당 웨이퍼(W)가 반응챔버(102)로부터 언로딩된 다음, 별도의 냉각챔버(미도시)에서 냉각되게 된다.
그러나, 종래에 있어서는 결과적으로 도 2에 나타낸 바와 같이 형성되는 층간절연막(I)의 중앙부에 불충분하게 증착된 보이드(V)가 형성되게 되며, 조사해 본 결과, 해당 보이드(V)의 발생은 웨이퍼(W)상의 에지부와 중앙부간의 증착막 두께차 가 1,000Å 이상으로 크게 발생되는 경우에 한하여 발생되는 것을 확인할 수 있었다.
이에, 본 발명에서는 전술한 HDP-CVD 장비를 이용한 공정진행시의 공정 파라미터(parameter)들을 적정하게 변경하는 것에 의해 웨이퍼(W)상의 에지부와 중앙부간의 증착막 균일성이 보다 향상되도록 함으로써, 간접적으로 보이드(V)의 발생이 방지되도록 하게 된다.
다음의 표 1은 기존과 본 발명에 따른 공정 파리미터 값들을 대비하여 나타낸다.
공정 파라미터 기존 본 발명
Ar가스 공급유량(sccm) 230 170~200
저주파수 전력량(W) 3,500 3,000~3,400
He가스 공급유량(sccm) 5.5 5.0~5.4
초반 가열시간(초) 40 45~60
고주파수 전력량(W) 2,380 2,400~2,550
기존에는 스퍼터 식각에 기여하는 Ar가스의 공급유량을 230sccm(여기서, sccm 단위는 ㎤/min를 의미함)으로 하였는데, 이를 170~200sccm 범위로 저하시키게 되며, 이와 같이 변경하는 이유는 전반적인 갭필성능에 문제가 발생되지 않는 한도내에서 전반적으로 식각율(etching rate)을 낮춤으로써 형성되는 증착막의 균일성이 향상되도록 하기 위함이다.
그리고, 기존에 플라즈마 형성을 위한 저주파수 전력량을 3,500W로 하였는데, 이를 3,000~3,400W 범위로 저하되도록 변경하는 것에 의해, 통상 중앙부에 밀집되도록 형성되는 플라즈마의 분포가 보다 균일해지도록 함으로써, 기존에 중앙부가 과다하게 식각되어 증착막 두께차가 크게 형성되게 되는 것이 방지되도록 하게 된다.
또한, 기존에는 웨이퍼(W) 냉각용 냉각가스인 He가스의 공급유량을 5.5sccm으로 하였는데, 이를 5.0~5.4sccm 범위로 조금 저하되도록 변경함으로써 해당 He가스에 의한 냉각효과가 조금 감소되어 그 만큼 웨이퍼(W)가 가열되도록 하게 되며, 이와 같이 변경하는 이유는 전술한 바와 같이 저주파수 전력량을 낮추게 되면 그에 따라 형성되는 플라즈마에 의한 웨이퍼(W) 가열효과가 저하되게 되므로 이를 보상하여 보다 가열되도록 하면서, 또한 형성되는 증착막의 리플로우(reflow) 특성을 향상시켜 전반적으로 증착막의 두께 균일성이 향상되도록 하기 위함이다.
나아가, 기존에는 반응가스 주입에 앞서 고정척(104)에 대해 고주파수 전력을 인가하여 해당 고정척(104)상에 안착되어 대기중인 웨이퍼(W)를 초반 가열하게 되는 초반 가열시간을 40초로 하였는데, 이를 45~60초 범위로 증가되도록 변경하게 되며, 이와 같이 변경하는 이유는 마찬가지로 전술한 바와 같은 저주파수 전력량 감소에 따른 웨이퍼(W) 가열효과가 저하되는 것을 보상하면서, 형성되는 증착막의 리플로우 특성을 향상시켜 전반적으로 증착막의 두께 균일성이 향상되도록 하기 위함이다.
또한 나아가, 기존에는 웨이퍼(W)를 가열하면서 스퍼터 식각에 기여하게 되는 고주파수 전력량을 2,380W로 하였는데, 이를 2,400~2,550W 범위로 증가되도록 변경하게 되며, 이와 같이 변경하는 이유는 마찬가지로 웨이퍼(W)가 보상 가열되도록 하면서, 형성되는 증착막의 리플로우 특성을 향상시켜 전반적으로 증착막의 두께 균일성이 향상되도록 함과 더불어, 전술한 바와 같이 Ar가스의 공급유량을 낮춤에 따라 식각율이 너무 저하될 수 있는 것을 적정하게 보상하기 위함이다.
실시예
웨이퍼(W)상에 층간절연막(I)을 형성하기 위하여 전술한 바와 같은 HDP-CVD 장비를 이용하여 또한 전술한 바와 같은 수순으로 공정을 진행함에 있어, Ar가스 공급유량을 190sccm으로, 저주파수 전력량을 3,200W로, He가스 공급유량을 5.3sccm으로, 초반 가열시간을 50초로, 고주파수 전력량을 2,430W로 제어하여 실시해 보았다.
그 결과, 도 4의 웨이퍼(W) 표면에 대한 두께 맵을 통해 확인 가능한 바와 같이, 기존에 대한 도 3의 경우와 비교하여 증착막의 두께 불균일성이 4.91%에서 3.20%로 1% 이상 개선되는 것을 명확하게 확인할 수 있었으며, 이와 같이 증착막의 두께 불균일성이 개선되게 되면, 그 만큼 보이드(V)의 발생을 원활히 방지할 수 있게 되는 것이다.
물론, 이상과 같이 공정 파라미터들을 변경하여 실시하여도 형성되는 층간절연막(I)의 기본적 물성은 변화되지 않음은 신뢰성 검증을 통해 확인할 수 있었음을 밝힌다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명에 따르면, 공정 파라미터들의 적절한 변경을 통해 웨이퍼상의 에지부와 중앙부간의 증착막 두께 균일성이 향상되도록 하는 것에 의해 형성되는 층간절연막상에의 보이드의 발생을 원활히 방지할 수 있게 되므로, 제조되는 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 달성될 수 있다.

Claims (3)

  1. 금속 배선이 형성된 웨이퍼(W)상에 층간절연막(I)을 증착하여 형성하는데 이용되되, 반응챔버(102) 내부의 고정척(104)상에 상기 웨이퍼(W)가 안착되게 되고, 상기 반응챔버(102)의 상부벽에 대해 저주파수 전력이 인가되어 상기 반응챔버(102) 내부에 플라즈마가 형성되도록 하며, 상기 고정척(104)에 대해 고주파수 전력이 인가되어 상기 웨이퍼(W)를 초반 가열함과 더불어 이후 반응가스 주입에 따라 스퍼터 식각이 이루어지도록 하게 되고, 상기 고정척(104)측으로 He가스가 공급되어 상기 웨이퍼(W)의 후면에 대해 분사되어 상기 웨이퍼(W)를 냉각하게 되며, 상기 반응챔버(102)내로 공급되는 반응가스중 스퍼터 식각을 위한 메인 반응가스로는 Ar가스를 이용하게 되는 HDP-CVD 장비의 제어방법으로서,
    상기 층간절연막(I)상에의 보이드의 발생을 방지하기 위하여,
    공정진행중에,
    상기 Ar가스의 공급유량을 170~200sccm 범위로 하고,
    상기 저주파수 전력량을 3,000~3,400W 범위로 하며,
    상기 고주파수 전력량을 2,400~2,550W 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비 제어방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 He가스의 공급유량을 5.0~5.4sccm 범위로 하는 것을 특징으로 하는 층 간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비 제어방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 초반 가열시간을 45~60초 범위로 하는 것을 특징으로 하는 층간절연막 형성을 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비 제어방법.
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