KR100757311B1 - 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치 - Google Patents

반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100757311B1
KR100757311B1 KR1020060092048A KR20060092048A KR100757311B1 KR 100757311 B1 KR100757311 B1 KR 100757311B1 KR 1020060092048 A KR1020060092048 A KR 1020060092048A KR 20060092048 A KR20060092048 A KR 20060092048A KR 100757311 B1 KR100757311 B1 KR 100757311B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rail
frame
semiconductor device
resin
vacuum picker
Prior art date
Application number
KR1020060092048A
Other languages
English (en)
Inventor
이항림
김태기
Original Assignee
세크론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세크론 주식회사 filed Critical 세크론 주식회사
Priority to KR1020060092048A priority Critical patent/KR100757311B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100757311B1 publication Critical patent/KR100757311B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 소자 두께 측정 장치는 반도체 소자가 안착된 프레임을 소정의 방향으로 가이드 하여 이동시키는 레일; 상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 진공 흡착하는 진공 피커; 및 상기 진공 피커에 의해 흡착된 상기 프레임에 안착된 상기 반도체 소자의 두께를 측정하는 센서;를 포함한다.
본 발명의 반도체 두께 측정 장치는 레일과 레일 커버로 측정 대상인 프레임의 방향을 가이드하고, 진공 피커로 프레임을 최상의 레벨링을 달성하도록 흡착하여 센서에 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 두께 측정 장치는 프레임에 안착된 반도체 소자의 두께의 정확한 측정이 가능하다.
반도체 소자, 센서, 수지

Description

반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축 몰딩 장치{Device for measuring thickness of semiconductor device and Resin compression molding system including the same}
도 1 은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 절단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 >
100: 프레임, 200: 레일
300: 그립 푸셔, 400: 레일 커버
500: 지지 플레이트, 600: 진공 피커
700: 사이드 레일, 800: 센서
본 발명은 반도체 소자 두께 측정 장치, 특히 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치에서 몰딩 대상인 반도체 소자의 두께를 측정하는 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축 몰딩 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 반도체 소자를 보호하기 위해 수지로 몰딩하는 공정이 있으며, 이때 사용되는 장치를 수지 몰딩 장치라 한다.　
일반적인 수지 몰딩 장치는 몰딩이 이루어지는 공간에 반도체 소자를 위치시키고 상기 공간에 용융된 수지를 공급하여 상기 반도체 소자를 상기 수지로 몰딩하는 사출 성형 방법을 사용하고 있다.
이러한 사출 성형용 수지 몰딩 장치는 몰딩이 이루어지는 상기 공간까지 수지를 공급해야 하므로 수지 공급을 위한 통로가 필요하게 되며, 그에 따라 상기 통로까지 수지가 충전되어 성형되는 등 문제가 있다.　
따라서, 반도체 소자를 소정의 금형에 몰딩 재료인 수지와 함께 위치시킨 후 상기 금형에 소정의 온도와 압력을 가하여 상기 수지를 용융시켜 상기 수지로 상기 반도체 소자를 몰딩하는 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치가 시도되고 있다.
본 발명은 위와 같은 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치에서 몰딩 대상인 반도체 소자의 두께를 측정할 수 있는 반도체 소자 두께 측정 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 몰딩 대상인 반도체 소자의 두께를 측정할 수 있는 반도체 소자 두께 측정 장치를 포함하는 수지 압축 몰딩 장치를 제공하고자 한다.
상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명의 한 특징에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치는 반도체 소자가 안착된 프레임을 소정의 방향으로 가이드 하여 이동시키는 레일; 상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 진공 흡착하는 진공 피커; 및 상기 진공 피커에 의해 흡착된 상기 프레임에 안착된 상기 반도체 소자의 두께를 측정하는 센서;를 포함한다.
반도체 소자 두께 측정 장치는 상기 레일 상부에 구비되며, 상기 프레임을 상기 레일 상에 안정 시키는 레일 커버를 더 포함할 수 있다.
반도체 소자 두께 측정 장치는 상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 상승시켜 상기 진공 피커에 전달하는 지지 플레이트를 더 포함할 수 있다.
반도체 소자 두께 측정 장치에서 상기 진공 피커는 상기 프레임과 상기 센서와의 레벨링을 조절하는 수단을 더 포함할 수 있다.
반도체 소자 두께 측정 장치는 상기 진공 피커를 상기 센서로 이동시키는 사이드 레일을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 수지 압축 몰딩 장치는 반도체 소자가 안착 된 프레임을 소정의 방향으로 가이드 하여 이동시키는 레일; 상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 진공 흡착하는 진공 피커; 상기 진공 피커에 의해 흡착된 상기 프레임에 안착된 상기 반도체 소자의 두께를 측정하는 센서; 상기 센서로부터 상기 반도체 소자의 두께를 전달 받아, 상기 반도체 소자의 몰딩을 위한 수지의 양을 계산하는 제어부; 및 상기 제어부로부터 상기 수지의 양을 전달 받아, 상기 반도체 소자에 대응하는 수지의 양을 공급하는 수지 공급 장치;를 포함한다.
수지 압축 몰딩 장치는 상기 레일 상부에 구비되며, 상기 프레임을 상기 레일 상에 안정 시키는 레일 커버를 더 포함할 수 있다.
수지 압축 몰딩 장치에서, 상기 진공 피커는 상기 프레임과 상기 센서와의 레벨링을 조절하는 수단을 더 포함할 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
이하, 도 1 내지 5를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치를 구체적으로 설명한다.
여기서, 도 1 은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 평면도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 측면 도이고, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 정면도이고, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치의 절단면도이다.
도 1 내지 5 에서 보실 수 있는 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치는 레일(200), 그립 푸셔(300), 레일 커버(400), 지지 플레이트(500), 진공 피커(600), 사이드 레일(700), 및 센서(800)를 포함하도록 형성된다.
먼저, 그립 푸셔(300)는 반도체 소자 공급 장치(도시 하지 않음)으로부터 공급되는 반도체 소자가 안착된 프레임(100; 이하, '반도체 소자'라고도 합니다)을 픽업하여 상기 레일(200) 상으로 이송시킨다.
레일(200)은 그립 푸셔(300)로부터 프레임(100)을 전달 받아, 상기 프레임(100)의 상기 센서(800)로의 이동을 가이드한다.
레일 커버(400)는 레일(200) 상부에 구비되며, 레일(200)에 안착된 프레임(100)을 커버하여 상기 프레임(100)을 안정시킨다.
레일(200)과 레일 커버(400)에 의해 안정된 프레임(100)은 레일(200)과 레일 커버(300) 사이의 공간을 통해 가이드되어 지지 플레이트(500)로 이송된다.
이때, 그립 푸셔(300)는 레일(200)에 안착된 프레임(100)을 지지 플레이트(500) 상부로 이동시킨다.
지지 플레이트(500)는 상기 레일(200) 하부에 배치되며, 프레임(100)이 이동되어 오면, 상기 프레임(100)을 상승시켜 진공 피커(600)에 전달한다.
이때 프레임(100)은 레일(200)과 레일 커버(400)에 의해 가이드된 방향대로 진공 피커(600)에 전달된다. 즉, 프레임(100)은 센서(800)에 의한 측정에 적합한 방향으로 가이드되어 진공 피커(600)에 전달된다.
진공 피커(600)는 상기 지지 플레이트(500)에 의해 전달되는 프레임(100)에 진공을 가하여 흡착하여 픽업한다. 본 발명의 실시예에서 도입되는 프레임(100)은 반도체 소자가 안착된 부분이 아래 방향으로 위치된 상태로 공급되므로, 진공 피커(600)는 프레임(100)에서 반도체 소자가 안착된 부분의 반대 면을 진공 흡착한다. 진공 피커(600)는 진공 흡착시 프레임(600)이 쳐지거나 그 방향이 변경되지 않도록 복수의 진공 홀(도시되지 않음)들이 프레임(100)의 면적에 대하여 골고루 배치되도록 설계된다.
사이드 레일(700)은 진공 피커(600)와 연결되도록 구비되며, 이렇게 프레임(100)을 픽업한 진공 피커(600)를 센서(800)로 이동시킨다. 한편, 사이드 레일(700)은 연결되어 있는 진공 피커(600)의 수평을 조절하기 위한 한쌍의 레벨링 조절 블록(710)을 포함한다.
따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치는 사이드 레일(700)의 레벨링 조절 블록(710)에 의해 진공 피커(600)의 수평을 조절하게 되며, 그 결과 진공 피커(600)에 진공 흡착되어 있는 프레임(100)과 센서(800)가 최상의 레벨링(leveling)을 달성하도록 조절할 수 있다. 그에 따라 센서(800)에서의 프레임(100)의 두께 측정이 정확하게 이루어지게 된다. 이때, 레벨링 조절 블록(710)의 수평 조절을 위해 복수의 단계에 각각 대응하는 두께의 심 플레이트(도 시 하지 않음)을 레벨링 조절 블록(710)과 진공 피커(600) 사이에 삽입할 수 있다.
센서(800)는 사이드 레일(700)로부터 전달되어 온 진공 피커(600)에의 해 픽업된 프레임(100)에 안착된 반도체 소자의 두께를 측정한다.
센서(800)에서 프레임(100)에 안착된 반도체 소자의 두께를 정확하게 측정하기 위해서는 프레임(100)의 위치가 정밀하게 조절되어야 한다. 구체적으로 프레임(100)과 센서(800)와의 평행도, 프레임(100)과 센서(800)의 직각도 등이 센서(800)의 정확한 반도체 소자 두께 측정에 영향을 주게 된다.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치에서는 프레임(100)의 위치 조절을 레일(200)과 레일 커버(400)에 의해, 프레임(100)의 수평을 사이드 레일(700)의 레벨링 조절 블록(710)과 진공 피커(6000)에 의해 각각 달성한다. 또한, 진공 피커(600)의 하부에는 복수의 진공 홀(도시 하지 않음)이 프레임(100)의 전체 면적에 대하여 골고루 분산 배치되어, 흡착된 프레임(100)을 고정한다.
이와 같은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치에 의해 측정된 반도체 소자의 두께는 전기적 또는 네트워크적으로 연결되어 있는 제어부(도시하지 않음)로 전달된다. 제어부는 전달된 프레임의 두께를 기초로 하여 상기 프레임에 안착된 반도체 소자를 몰딩하기 위해 필요한 수지의 양을 계산하여 전기적 또는 네트워크적으로 연결되어 있는 수지 공급 장치(도시 하지 않음)에 전달한다. 그 후 수지 공급 장치는 제어부에서 전달된 수지의 양을 상기 반도체 소자의 몰딩을 위해 공급한다.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 두께 측정 장치는 레일(200)과 레일 커버(400)로 측정 대상인 프레임(100)의 방향을 가이드하고, 진공 피커(600)로 프레임(100)을 최상의 레벨링을 달성하도록 흡착하여 센서(800)에 제공한다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 두께 측정 장치는 프레임(100)에 안착된 반도체 소자의 두께를 보다 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 두께 측정 장치의 동작을 구체적으로 살펴본다.
먼저, 그립 푸셔(300)는 반도체 소자 공급 장치(도시 하지 않음)으로부터 반도체 소자가 안착된 프레임(100)을 픽업하여 레일(200) 상으로 이송한다.
프레임(100)이 레일(200)에 이송되면, 레일 커버(400)는 상기 프레임(100)을 레일(200)에 고정한다.
이렇게 레일 커버(400)에 의해 레일(200)에 고정된 프레임(100)은 그립 푸셔(300)에 의해 지지 플레이트(500) 상부로 이동된다. 이때, 프레임(100)은 레일(200)과 레일 커버(400)에 의해 센서(800)의 측정에 적합한 방향으로 가이드되어 이동된다.
그리고, 지지 플레이트(500)는 프레임(100)을 진공 피커(600)에 전달한다.
진공 피커(600)는 프레임(100)을 수평적으로 진공 흡착한다.
사이드 레일(700)은 진공 피커(600)에 흡착된 프레임(100)을 센서(800)로 이동시킨다.
이때, 사이드 레일(700)의 레벨링 조절 블록(710)은 진공 피커(600)의 수평 을 조절하여, 프레임(100)과 센서(800)의 레벨링을 조절한다.
센서(800)는 레일(200)과 레일 커버(400)에 의해 방향이 가이드되고, 진공 피커(600)에 의해 최상의 레벨링으로 흡착 고정된 프레임(100)에 안착된 반도체 소자의 두께를 측정하여 제어부(도시 하지 않음)에 전달한다.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 두께 측정 장치는 레일과 레일 커버로 측정 대상인 프레임의 방향을 가이드하고, 진공 피커로 프레임을 최상의 레벨링을 달성하도록 흡착하여 센서에 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 두께 측정 장치는 프레임에 안착된 반도체 소자의 두께의 정확한 측정이 가능하다.
이와 같은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치를 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치에 사용하게 되면, 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치는 도입되는 몰딩 대상인 반도체 소자의 두께를 정확하게 측정할 수 있게 되며, 그에 따라 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위해 필요한 수지의 양을 계산하여 공급할 수 있게 된다.
따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치가 채용된 반도체 소자용 수지 압축 몰딩 장치는 도입되는 반도체 소자의 종류 또는 상태 등에 상관 없이 항상 적절한 양의 수지만을 공급할 수 있게 되어 반도체 소자의 수지 몰딩을 효과적으로 수행할 수 있게 된다. 특히, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 소자 두께 측정 장치는 도입되는 반도체 소자가 다층으로 형성되어 있는 반도체 소자인 경우 더욱 효과적으로 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims (9)

  1. 반도체 소자가 안착된 프레임을 소정의 방향으로 가이드 하여 이동시키는 레일;
    상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 진공 흡착하는 진공 피커; 및
    상기 진공 피커에 의해 흡착된 상기 프레임에 안착된 상기 반도체 소자의 두께를 측정하는 센서;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 두께 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레일 상부에 구비되며, 상기 프레임을 상기 레일 상에 안정 시키는 레일 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 두께 측정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 상승시켜 상기 진공 피커에 전달하는 지지 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 두께 측정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 진공 피커를 상기 센서로 이동시키는 사이드 레일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 두께 측정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 사이드 레일은 상기 진공 피커의 레벨링을 조절하는 레벨링 조절 블록을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 소자 두께 측정 장치.
  6. 반도체 소자가 안착된 프레임을 소정의 방향으로 가이드 하여 이동시키는 레일;
    상기 레일에 의해 가이드 되어 이동된 상기 프레임을 진공 흡착하는 진공 피커;
    상기 진공 피커에 의해 흡착된 상기 프레임에 안착된 상기 반도체 소자의 두께를 측정하는 센서;
    상기 센서로부터 상기 반도체 소자의 두께를 전달 받아, 상기 반도체 소자의 몰딩을 위한 수지의 양을 계산하는 제어부; 및
    상기 제어부로부터 상기 수지의 양을 전달 받아, 상기 반도체 소자에 대응하는 수지의 양을 공급하는 수지 공급 장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 압축 몰딩 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 레일 상부에 구비되며, 상기 프레임을 상기 레일 상에 안정 시키는 레일 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 수지 압축 몰딩 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 진공 피커를 상기 센서로 이동시키는 사이드 레일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 수지 압축 몰딩 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 사이드 레일은 상기 진공 피커의 레벨링을 조절하는 레벨링 조절 블록을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 수지 압축 몰딩 장치.
KR1020060092048A 2006-09-22 2006-09-22 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치 KR100757311B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092048A KR100757311B1 (ko) 2006-09-22 2006-09-22 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092048A KR100757311B1 (ko) 2006-09-22 2006-09-22 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100757311B1 true KR100757311B1 (ko) 2007-09-10

Family

ID=38737238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060092048A KR100757311B1 (ko) 2006-09-22 2006-09-22 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100757311B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111811418A (zh) * 2020-08-21 2020-10-23 南通斯康泰智能装备有限公司 一种减薄后圆片测厚用的测厚仪及其测厚方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316258A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Toshiba Fa Syst Eng Kk 半導体封入モールド装置
KR19990051971A (ko) * 1997-12-20 1999-07-05 이구택 두께 및 두께 프로파일 측정장치 및 방법
JP2002252273A (ja) 2001-02-26 2002-09-06 Rohm Co Ltd 膜厚測定装置および研磨装置
JP2003177001A (ja) 2001-12-12 2003-06-27 Daido Steel Co Ltd 寸法測定装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316258A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Toshiba Fa Syst Eng Kk 半導体封入モールド装置
KR19990051971A (ko) * 1997-12-20 1999-07-05 이구택 두께 및 두께 프로파일 측정장치 및 방법
JP2002252273A (ja) 2001-02-26 2002-09-06 Rohm Co Ltd 膜厚測定装置および研磨装置
JP2003177001A (ja) 2001-12-12 2003-06-27 Daido Steel Co Ltd 寸法測定装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111811418A (zh) * 2020-08-21 2020-10-23 南通斯康泰智能装备有限公司 一种减薄后圆片测厚用的测厚仪及其测厚方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6744316B2 (ja) 部品実装装置
KR102018506B1 (ko) 도포 장치
KR20160018698A (ko) 부품 실장 장치
KR100757311B1 (ko) 반도체 소자 두께 측정 장치 및 이를 포함하는 수지 압축몰딩 장치
KR20200101277A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5410864B2 (ja) 電子部品実装装置
JP5845421B2 (ja) 電子部品実装装置および転写膜厚検出方法
JP2017098287A5 (ko)
KR101046704B1 (ko) 반도체소자용 픽업장치
WO2018216132A1 (ja) 測定位置決定装置
EP3125665B1 (en) Component mounting device
US8042722B2 (en) Conductive ball arraying apparatus
JP2018049963A (ja) 部品実装機
KR102121061B1 (ko) 반도체 패키지 그라인더의 연삭 두께 조절장치 및 방법
JP6092233B2 (ja) 部品装着機および部品保持デバイス昇降制御方法
KR101239061B1 (ko) 전자부품 공급장치 및 전자부품 공급방법
TW202122236A (zh) 樹脂密封裝置
JP6777644B2 (ja) 部品装着方法
US11569097B2 (en) Resin molding apparatus including release film feeder
JP6533957B2 (ja) 基板搬送方法、部品実装方法、基板搬送装置および部品実装装置
KR100709504B1 (ko) 보호막 도포 장치
JP4904521B2 (ja) 導電性ボールの配列装置
JP2020150055A (ja) 部品実装装置
CN219785450U (zh) 一种点胶设备
KR102301606B1 (ko) 페이퍼 커팅 및 길이 측정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120904

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140829

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170901

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180904

Year of fee payment: 12