KR100751557B1 - 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법 - Google Patents

화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100751557B1
KR100751557B1 KR1020060020524A KR20060020524A KR100751557B1 KR 100751557 B1 KR100751557 B1 KR 100751557B1 KR 1020060020524 A KR1020060020524 A KR 1020060020524A KR 20060020524 A KR20060020524 A KR 20060020524A KR 100751557 B1 KR100751557 B1 KR 100751557B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
platinum
reactor
carbon nanotube
carbon nanotubes
nitrogen
Prior art date
Application number
KR1020060020524A
Other languages
English (en)
Inventor
김희연
정남조
이승재
유인수
Original Assignee
한국에너지기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국에너지기술연구원 filed Critical 한국에너지기술연구원
Priority to KR1020060020524A priority Critical patent/KR100751557B1/ko
Priority to JP2007032312A priority patent/JP4861849B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of KR100751557B1 publication Critical patent/KR100751557B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221Carbon nanotubes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

Abstract

본 발명은 탄소나노튜브에 담지된 백금나노촉매의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 산처리를 통하여 표면에 산화기를 가진 탄소나노튜브의 표면에 기상의 백금 전구체를 흘려주고 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브의 산화기에 선택적으로 백금이 담지되도록 함으로써 우수한 촉매활성을 갖는 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법은 탄소나노튜브를 열처리한 후 염산용액과 황산-질산 혼합용액으로 처리하여 불순물을 제거하고 탄소나노튜브 표면에 산화기를 치환시키는 전처리단계와; 백금전구체로는 메틸트리메틸사이클로펜타디에닐백금을 사용하고, 이것을 기화기에 넣은 후 60 ~ 80oC로 가열하여 기화되도록 하는 기화단계와; 반응기의 내부에는 탄소나노튜브를 설치하고, 기화기를 거친 60 ~ 80oC로 예열된 질소와 추가의 산소를 동시에 흘려주면서 반응기의 온도를 상승시킴으로써 탄소나노튜브의 표면에 백금 입자가 담지되는 담지단계;를 포함하여 이루어진다.
수소화반응, 탄소나노튜브, 백금, 화학기상증착, CVD, 연료전지, Fuel cell

Description

화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법{Preparation of platinum catalyst supported on carbon nanotube by chemical vapor deposition}
도 1은 실시예1(C) 및 실시예 4-8(A, B, D-F)의 조건, 즉 서로 다른 온도에서 제조된 촉매의 백금담지량을 비교한 그래프이다.
도 2는 실시예1-3의 조건, 즉 반응기에 서로 다른 기체를 흘리면서 제조한 촉매의 백금 담지량을 비교한 그래프이다.
도 3은 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 촉매의 단위 촉매 질량당 CO 흡착량을 비교한 그래프이다.
본 발명은 탄소나노튜브에 담지된 백금나노촉매의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 산처리를 통하여 표면에 산화기를 가진 탄소나노튜브의 표면에 기상의 백금 전구체를 흘려주고 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브의 산화기 에 선택적으로 백금이 담지되도록 함으로써 우수한 촉매활성을 갖는 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브는 전기전도도, 비표면적, 수소저장성이 우수한 특성을 가지고 있으므로 촉매담체로서의 사용이 촉망되며, 특히 연료전지 전극으로의 사용이 바람직하다. 그러나, 아직까지 탄소나노튜브에 관한 연구는 합성방법에 대한 것이 대부분이며 그 응용에 관한 연구는 매우 부진한 실정이다. 탄소나노튜브는 특유의 표면구조로 인하여 금속입자를 담지하는 경우 입자끼리의 응집을 방지할 수 있다는 장점을 가진다.
백금촉매는 각종 수소화반응이나 개질반응 등에 널리 사용되며 다른 금속촉매에 비하여 뛰어난 활성을 나타냄에도 불구하고 높은 제조비용이 문제가 되고 있다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해서는 촉매활성상인 백금 입자의 크기를 나노규모로 최소화함으로써 최소의 금속양을 사용하여 촉매활성상의 수를 최대화하는 것이 중요하다. 이를 위해서는 촉매의 지지체로 사용하는 담체의 표면적이 우수하여야 하며, 담체 표면에서 촉매 입자가 응집되지 않도록 하여야 한다.
현재 대부분의 백금촉매 제조공정에서는 함침법을 사용하고 있으며 제조비용의 절감과 성능향상을 동시에 달성하기 위해서는 나노규모의 금속 입자를 고분산으로 담지하는 것이 관건이다. 탄소나노튜브의 연료전지 전극으로의 응용에 관한 문헌은 다음과 같다.
미국특허 제 197,638호에는 탄소나노튜브를 고분자연료전지 및 직접메탄올연료전지의 전극재료로 사용하는 방법이 제시되어 있는데, 탄소나노튜브는 파우더 또 는 잉크의 형태로 고분자막의 재료로 사용하거나, 전극과 전해질막 사이에 샌드위치 형태로 끼워져 막-전극 복합체를 형성하도록 하였다.
미국특허 제 6,706,431호, 61,433호, 그리고 241,432호에서는 다양한 형태의 탄소, 즉 풀러린, 탄소나노튜브, 탄소나노혼, 탄소나노섬유, 그리고 금속이 포함된 풀러린을 사용하여 연료전지 전극을 제작함으로써 백금촉매를 사용하지 않거나, 또는 사용량을 감소시킬 수 있는 방법을 제시하였다.
일본특허 252,002호에는 다양한 탄소재료, 즉 풀러린, 금속함유풀러린, 다중벽탄소나노튜브, 나노그라파이버, 탄소나노캡슐 등을 사용하여 연료전지 전극을 제작함으로써 백금을 사용하지 않거나 사용량을 감소시키는 방법을 제시하였다.
위와 같이 탄소나노튜브를 연료전지 전극으로 사용하려는 다양한 시도가 있으나, 현재까지 탄소나노튜브에 금속을 나노규모로 효과적으로 담지하기 위한 방법으로 화학기상증착법을 사용한 예는 전무하다.
본 발명의 목적은 연료전지 전극의 재료로 사용하기 위한 백금담지 탄소나노튜브 촉매를 제조하는 것으로, 연료전지 전극의 성능을 향상시키기 위하여 백금입자를 나노규모로 고분산 상태로 담지하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법은,
탄소나노튜브를 열처리한 후 염산용액과 황산-질산 혼합용액으로 처리하여 불순물을 제거하고 탄소나노튜브 표면에 산화기를 치환시키는 전처리단계와; 백금전구체로는 메틸트리메틸사이클로펜타디에닐백금을 사용하고, 이것을 기화기에 넣은 후 60 ~ 80oC로 가열하여 기화되도록 하는 기화단계와; 반응기의 내부에는 탄소나노튜브를 설치하고, 기화기를 거친 60 ~ 80oC로 예열된 질소와 추가의 산소를 동시에 흘려주면서 반응기의 온도를 상승시킴으로써 탄소나노튜브의 표면에 백금 입자가 담지되는 담지단계;를 포함하여 이루어진다.
상기 기화단계에서 기화된 기상의 전구체는 60 ~ 80oC로 가열된 연결관을 통하여 전처리를 거친 탄소나노튜브가 설치된 반응기에 도달되도록 하는 주입단계가 더 이루어질 수 있다.
또한, 상기 전처리단계에서 탄소나노튜브의 정제 및 표면구조개선을 위하여 대기 중에서 30 ~ 120분 동안 350 ~ 500oC로 가열하고, 다음으로 6 M의 염산 용액에서 20 ~ 30 시간 동안 처리하고 세척 및 건조를 거친 후, 마지막으로 혼합산 용액(14 M, 50 ml의 질산과 98%, 50 ml의 황산)에 탄소나노튜브를 담그고 50 ~ 70oC에서 리플럭스 시키면서 5 ~ 360분 동안 전처리하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 담지단계에서 반응기의 온도는 80 ~ 240oC, 반응기체는 질소, 질 소와 산소, 질소와 수소로 변화시키고, 5 ~ 10 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
이하, 각 단계별로 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법은 전처리단계, 기화단계, 주입단계, 담지단계로 이루어진다.
전처리단계는 탄소나노튜브의 불순물을 제거하고 표면 구조를 개선하는 단계이다. 탄소나노튜브의 제조 과정에서 잔존하는 탄소계 불순물의 제거를 위하여는 350 ~ 500oC, 대기 중에서 30 ~ 120분 동안 가열한다. 다음으로 6 M의 염산 용액에서 20 ~ 30 시간 동안 처리함으로써 제조 과정에서 첨가된 촉매 금속을 제거한다. 이것을 증류수로 충분히 세척한 후 걸러서 110oC의 오븐에서 12시간 동안 건조한다. 마지막으로 탄소나노튜브 표면 구조의 개선을 위하여 질산(14 M, 50 ml)과 황산(98%, 50 ml)의 혼합 용액에 탄소나노튜브를 담그고 50 ~ 70oC에서 리플럭스 시키면서 5 ~ 360분 동안 처리한다. 결과적으로 얻어진 탄소나노튜브는 증류수를 사용하여 충분히 세척한 후 거르고, 110oC에서 12시간 건조하여 최종적으로 촉매 지지체로 사용될 탄소나노튜브를 얻는다. 이 과정에서 질산과 황산의 혼합산으로 처리하는 시간은 탄소나노튜브의 형태에 따라 결정하는데, 즉 벽의 두께가 2-3 nm 정도로 얇은 탄소나노튜브의 경우에는 5분의 처리만으로도 표면 구조의 변화가 일어나며, 반 면에 벽두께가 수십 nm에 이르는 시료의 경우에는 약 6시간 처리를 하는 것이 표면 구조의 개선에 적합하다.
기화단계는 백금전구체를 기화시키는 단계로, 백금 전구체로는 메틸트리메틸사이클로펜타디에닐백금을 사용하는데 공기 중에서는 변질의 우려가 있으므로 질소 분위기에서 기화기로 옮겨 담는다. 백금 전구체를 기화기에 넣은 후 60 ~ 80oC로 가열하여 기화되도록 한다.
주입단계는 기화단계에서 기화된 전구체를 반응기까지 이동시키는 단계로, 60 ~ 80oC로 예열된 질소 (20 sccm)를 기화기에 통과시키고, 60 ~ 80oC로 가열된 연결관을 통하여 전처리를 거친 탄소나노튜브가 설치된 반응기에 도달되도록 하는 단계이다.
담지단계는 화학기상증착이 일어나는 단계로, 반응기의 내부에는 탄소나노튜브를 설치하고, 기화기를 거쳐 백금 전구체가 포함된 질소와 추가적으로 산소 (20%산소/헬륨, 20sccm)를 동시에 흘려준다. 이 때 반응기의 온도를 상승시킴으로써 탄소나노튜브의 표면에서 백금 전구체의 화학반응에 의하여 백금 입자가 담지되도록 한다. 이 때, 반응기 온도를 80 ~ 240oC까지 변화시켰으며 온도에 따라 백금 입자의 담지 성상이 현저한 차이를 보이게 된다. 반응기 내부의 압력은 진공펌프를 사용하여 6-10 Torr로 유지한다.
상기 공정을 통하여 제조된 촉매는 산처리를 통하여 생성된 표면의 디펙트에 선택적으로 백금 입자가 담지되며, 백금 나노 입자가 고분산으로 담지된 촉매의 제조가 가능하므로, 종래의 함침기술에 의하여 제조된 촉매에 비하여 더욱 우수한 촉매 활성을 나타낸다.
본 발명의 구성은 하기 실시예에 의해 더욱 명확해질 것이며, 비교예와의 비교에서 그 효과가 입증될 것이다.
<실시예 1>
A. 탄소나노튜브의 전처리
탄소나노튜브의 제조 과정에서 잔존하는 탄소계 불순물의 제거를 위하여 470oC, 대기 중에서 50분 동안 열처리한다. 다음으로는 잔존하는 촉매 불순물의 제거를 위하여 6 M의 염산 용액에서 24시간 동안 처리하고, 증류수로 세척하여 거른 후 110oC에서 12시간 동안 건조한다. 회수된 시료는 다시 질산(14 M, 50 ml)과 황산 (98%, 50 ml)의 혼합용액에 담그고 60oC로 가열하면서 5 ~ 360분 동안 처리하였다. 이것을 증류수로 충분히 세척하고 거른 후, 110oC에서 12시간 동안 건조하여 최종적으로 촉매 지지체로 사용될 탄소나노튜브를 얻었다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
백금 전구체 1g을 기화기에 넣고 70oC로 가열한다. 이와 동시에 70oC로 예열된 질소 (20sccm)를 기화기에 흘려주고, 이것은 다시 70oC로 가열된 연결관을 통하여 반응기에 도달된다. 반응기에는 백금 전구체를 포함하는 질소 이외에 산소(20% 산소/헬륨, 20 sccm)를 추가로 흘려준다. 반응기의 온도는 140oC, 압력은 6-10 Torr로 유지하면서 화학기상증착을 실시한다.
<비교예 1>
종래의 촉매 제조방법인 침전법에 의하여 촉매를 제조하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
백금 전구체로 염화백금 0.26g을 증류수 50 ml에 용해시키고 여기에 1g의 탄소나노튜브를 첨가한다. 이것을 90분 동안 초음파 처리하고 거른 후 120oC 공기 중에서 12시간 동안 건조하고, 450oC에서 4시간 동안 소성하였다.
<실시예 2>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기 내부에 수소만을 흘려주었다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기 내부에 추가로 산소를 흘려주는 대신 수소((5% 수소/아르곤, 20 sccm)를 흘려주는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 3>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기 내부에 질소와 수소를 흘려주었다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기 내부에 추가로 산소를 흘리지 않고 기화기를 거친 질소만을 흘리는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 4>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기의 온도를 80oC로 하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기의 온도를 80oC로 하는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 5>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기의 온도를 100oC로 하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기의 온도를 100oC로 하는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 6>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기의 온도를 170oC로 하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기의 온도를 170oC로 하는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 7>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기의 온도를 200oC로 하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기의 온도를 200oC로 하는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 8>
화학기상증착법에 의한 촉매의 제조에서 반응기의 온도를 240oC로 하였다.
A. 탄소나노튜브의 전처리
실시예 1에서의 A과정과 동일한 방법으로 처리하였다.
B. 백금 담지 탄소나노튜브 촉매의 제조
반응기의 온도를 240oC로 하는 것을 제외하고는 실시예 1에서의 B과정과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 9>
A. 실험
실시예 1-3에서 제조된 백금 담지 탄소나노튜브의 백금 함량을 측정하였다.
B. 결과
반응기의 분위기 기체를 변화시키면서 탄소나노튜브의 표면에 담지된 백금의 함량을 측정하고 그 결과를 도 1에 기재하였다.
실시예 1에서 질소와 산소를 동시에 흘린 경우에 백금의 함량이 가장 높았으며, 실시예 2에서 수소를 같이 흘린 경우에는 담지량이 다소 감소한다. 실시예 3과 같이 질소만을 흘린 경우에도 실시예 1의 경우보다 백금의 담지량이 떨어진다.
<실시예 10>
A. 실험
실시예 1, 4-8에서 제조된 백금 담지 탄소나노튜브의 백금 함량을 측정하였다.
B. 결과
반응기의 온도를 낮게는 80oC(실시예 4)부터 높게는 240oC(실시예 8)까지 변화시키면서 백금의 함량을 측정하고 결과를 도 2에 나타내었다. 결과적으로, 반응기의 온도가 140oC(실시예 1)로 유지되는 경우에 백금의 함량이 가장 높았으며, 이 보다 낮거나 높은 경우에는 백금의 함량이 낮게 나타났다.
<실시예 11>
A. 실험
실시예 1과 비교예 1에서 제조된 백금 담지 탄소나노튜브의 단위질량당 CO 흡착량을 측정하였다.
B. 결과
화학기상증착법에 의하여 제조된 촉매(실시예 1)와 종래의 촉매 제조 방법인 침전법에 의하여 제조된 촉매(비교예 2)의 단위 질량당 CO 흡착량을 측정하고 도 3에 나타내었다. CO는 백금의 촉매 활성상에만 선택적으로 흡착하는 것으로 알려져 있다. 결과에서 실시예 1의 경우는 비교예 2에 비하여 약 10배 높은 CO 흡착량을 나타낸다.
본 발명에 의하면 화학기상증착법을 통하여 제조된 백금담지 탄소나노튜브 촉매는 기존의 침전법에 의하여 제조된 촉매보다 단위질량당 촉매 활성상이 약 10배 이상 많은 것으로 나타났다. 화학기상증착법으로 제조한 촉매의 백금 입자 크기는 약 1-2 나노미터 크기로 형성되었으며, 이는 기존의 방법으로 제조한 촉매의 경우보다 매우 작은 것이다. 결과적으로 단위질량당 촉매활성상의 수를 증가시키는 화학기상증착법을 사용함으로써 백금 촉매의 제조비용은 감소시키면서도 촉매 활성 은 더욱 증가시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 탄소나노튜브를 열처리한 후 염산용액과 황산-질산 혼합용액으로 처리하여 불순물을 제거하고 탄소나노튜브 표면에 산화기를 치환시키는 전처리단계와;
    백금전구체로는 메틸트리메틸사이클로펜타디에닐백금을 사용하고, 이것을 기화기에 넣은 후 60~80oC로 가열하여 기화되도록 하는 기화단계와;
    반응기의 내부에는 탄소나노튜브를 설치하고, 기화기를 거친 60 ~ 80oC로 예열된 질소와 추가의 산소를 동시에 흘려주면서 반응기의 온도를 상승시킴으로써 탄소나노튜브의 표면에 백금 입자가 담지되는 담지단계;를 포함하여 이루어지되,
    상기 담지단계에서 반응기의 온도는 80 ~ 240oC, 반응기체는 질소, 질소와 산소, 질소와 수소로 변화시키고, 5 ~ 10 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기화단계에서 기화된 기상의 전구체는 60 ~ 80oC로 가열된 연결관을 통하여 전처리를 거친 탄소나노튜브가 설치된 반응기에 도달되도록 하는 주입단계가 더 이루어짐을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전처리단계에서 탄소나노튜브의 정제 및 표면구조개선을 위하여 대기 중에서 30 ~ 120분 동안 350 ~ 500oC로 가열하고, 다음으로 6 M의 염산 용액에서 20 ~ 30 시간 동안 처리하고 세척 및 건조를 거친 후, 마지막으로 혼합산 용액(14 M, 50 ml의 질산과 98%, 50 ml의 황산)에 탄소나노튜브를 담그고 50 ~ 70oC에서 리플럭스 시키면서 5 ~ 360분 동안 전처리하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의 제조방법.
  4. 삭제
KR1020060020524A 2006-03-03 2006-03-03 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법 KR100751557B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060020524A KR100751557B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법
JP2007032312A JP4861849B2 (ja) 2006-03-03 2007-02-13 化学気相蒸着法によるカーボンナノチューブ担持白金触媒の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060020524A KR100751557B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100751557B1 true KR100751557B1 (ko) 2007-08-23

Family

ID=38583228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060020524A KR100751557B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4861849B2 (ko)
KR (1) KR100751557B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009112738A1 (fr) * 2008-03-11 2009-09-17 Arkema France Procede et systeme de depot d'un metal ou metalloïde sur des nanotubes de carbone
KR101030252B1 (ko) 2010-10-20 2011-04-22 한국과학기술연구원 나노촉매 제조장치
KR101038750B1 (ko) 2009-05-20 2011-06-03 한국에너지기술연구원 탄소나노튜브의 내부 채널에 금속촉매 나노입자가 담지된 탄소나노튜브 촉매 및 이의 제조방법
KR101436030B1 (ko) * 2012-07-18 2014-08-29 한국에너지기술연구원 나노탄소와 코어-쉘 구조의 백금-탄소 복합체를 포함하는 연료전지용 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 연료전지용 전극
CN110649272A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 先进储能材料国家工程研究中心有限责任公司 质子交换膜燃料电池用催化剂的制备工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524628B2 (ja) * 2014-09-26 2019-06-05 株式会社豊田中央研究所 燃料電池電極
US11196054B2 (en) 2015-10-06 2021-12-07 International Business Machines Corporation Proton exchange membrane materials

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10180117A (ja) 1996-12-20 1998-07-07 Nippon Soken Inc 排気ガス浄化用触媒の製造方法
KR19990069791A (ko) * 1998-02-13 1999-09-06 윤덕용 유전체 하부전극용 백금박막 및 증착방법
KR20010046425A (ko) * 1999-11-12 2001-06-15 조 정 래 화학기상증착법을 이용한 탈수소 촉매 조성물의 제조방법
KR20050031017A (ko) * 2003-09-27 2005-04-01 삼성에스디아이 주식회사 고농도 탄소 담지 촉매, 그 제조방법, 상기 촉매를 이용한촉매전극 및 이를 이용한 연료전지
KR20070004696A (ko) * 2004-10-06 2007-01-09 삼성전자주식회사 연료전지용 탄소 나노 튜브, 이를 포함한 나노복합체, 그제조 방법 및 이를 채용한 연료전지

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0927331B1 (en) * 1996-08-08 2004-03-31 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
JP2001335310A (ja) * 2000-05-25 2001-12-04 Honda Motor Co Ltd ナノ構造を備える炭素物質の精製方法
JP2002308610A (ja) * 2001-04-06 2002-10-23 Sony Corp カーボンナノチューブの精製方法
JP2003246613A (ja) * 2002-02-26 2003-09-02 Denso Corp 金属添加炭素材料の製造方法及びこの方法により製造された金属添加炭素材料を用いた燃料電池用電極材料、化学反応用触媒担体、ガス貯蔵材
JP5008167B2 (ja) * 2003-02-19 2012-08-22 国立大学法人 筑波大学 繊維状炭素への触媒担持方法
JP2005125187A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Fuji Xerox Co Ltd ガス分解器、燃料電池用電極およびその製造方法
FI119588B (fi) * 2003-11-27 2009-01-15 Neste Oil Oyj Jalometallikatalyytti hiilivetyjen konversiota varten, menetelmä sen valmistamiseksi ja menetelmä dieselpolttoaineen valmistamiseksi
JP4625953B2 (ja) * 2005-06-02 2011-02-02 国立大学法人 筑波大学 カーボンナノチューブに担持した金属触媒及びその作製方法
JP2007250214A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Nissan Motor Co Ltd 電極触媒とその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10180117A (ja) 1996-12-20 1998-07-07 Nippon Soken Inc 排気ガス浄化用触媒の製造方法
KR19990069791A (ko) * 1998-02-13 1999-09-06 윤덕용 유전체 하부전극용 백금박막 및 증착방법
KR20010046425A (ko) * 1999-11-12 2001-06-15 조 정 래 화학기상증착법을 이용한 탈수소 촉매 조성물의 제조방법
KR20050031017A (ko) * 2003-09-27 2005-04-01 삼성에스디아이 주식회사 고농도 탄소 담지 촉매, 그 제조방법, 상기 촉매를 이용한촉매전극 및 이를 이용한 연료전지
KR20070004696A (ko) * 2004-10-06 2007-01-09 삼성전자주식회사 연료전지용 탄소 나노 튜브, 이를 포함한 나노복합체, 그제조 방법 및 이를 채용한 연료전지

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009112738A1 (fr) * 2008-03-11 2009-09-17 Arkema France Procede et systeme de depot d'un metal ou metalloïde sur des nanotubes de carbone
FR2928662A1 (fr) * 2008-03-11 2009-09-18 Arkema France Procede et systeme de depot d'un metal ou metalloide sur des nanotubes de carbone
KR101038750B1 (ko) 2009-05-20 2011-06-03 한국에너지기술연구원 탄소나노튜브의 내부 채널에 금속촉매 나노입자가 담지된 탄소나노튜브 촉매 및 이의 제조방법
KR101030252B1 (ko) 2010-10-20 2011-04-22 한국과학기술연구원 나노촉매 제조장치
KR101436030B1 (ko) * 2012-07-18 2014-08-29 한국에너지기술연구원 나노탄소와 코어-쉘 구조의 백금-탄소 복합체를 포함하는 연료전지용 전극의 제조방법 및 이에 의해 제조된 연료전지용 전극
US9172095B2 (en) 2012-07-18 2015-10-27 Korea Institute Of Energy Research Method for manufacturing electrode for fuel cell comprising nanocarbon and core-shell-structured platinum-carbon composite and the electrode for fuel cell manufactured by the same
CN110649272A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 先进储能材料国家工程研究中心有限责任公司 质子交换膜燃料电池用催化剂的制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
JP4861849B2 (ja) 2012-01-25
JP2007237170A (ja) 2007-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101287891B1 (ko) 연료전지용 촉매의 제조방법
Shao et al. Nitrogen-doped carbon nanostructures and their composites as catalytic materials for proton exchange membrane fuel cell
JP6058075B2 (ja) 窒素ドープされた炭素表面を有する金属−炭素ハイブリッド複合体及びその製造方法
KR100801470B1 (ko) 탄소 종이 표면에 탄소나노튜브를 직접 성장시키고, 그탄소나노튜브 표면에 화학기상증착법을 사용하여 백금을담지시킨 백금 나노촉매의 제조방법과 그 백금 나노촉매
Kumar et al. Chemical vapor deposition of carbon nanotubes: a review on growth mechanism and mass production
Reddy et al. Cobalt-polypyrrole-multiwalled carbon nanotube catalysts for hydrogen and alcohol fuel cells
KR100751557B1 (ko) 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 담지 백금촉매의제조방법
Mabena et al. Nitrogen-doped carbon nanotubes as a metal catalyst support
JP5066492B2 (ja) セルロース繊維を用いた触媒支持体、その製造方法、触媒支持体の表面に直接成長した炭素ナノチューブ及び炭素ナノチューブの表面にナノ金属触媒が担持された担持触媒及びその製造方法
Maldonado et al. Direct preparation of carbon nanofiber electrodes via pyrolysis of iron (II) phthalocyanine: electrocatalytic aspects for oxygen reduction
Peng et al. NH3-activated fullerene derivative hierarchical microstructures to porous Fe3O4/NC for oxygen reduction reaction and Zn-air battery
Chen et al. Electro-oxidation of methanol at the different carbon materials supported Pt nano-particles
KR101038750B1 (ko) 탄소나노튜브의 내부 채널에 금속촉매 나노입자가 담지된 탄소나노튜브 촉매 및 이의 제조방법
JP5709954B2 (ja) 金属−炭素複合体担持触媒の製造方法
Reyhani et al. H2 adsorption mechanism in Mg modified multi-walled carbon nanotubes for hydrogen storage
JP5876499B2 (ja) メソ細孔が形成された多孔性炭素材料の製造方法及びこれから製造された燃料電池用触媒の担持体
US9175385B2 (en) Method for preparing metal-carbon composite of core-shell structure through simultaneous vaporization and metal-carbon composite of core-shell structure prepared thereby
WO2008138269A1 (fr) Nanotube de nitrure de carbone chargé avec un catalyseur d&#39;électrode à nanoparticules de platine et de ruthénium et sa préparation
Prehn et al. Towards nitrogen-containing CNTs for fuel cell electrodes
Salernitano et al. Direct growth of carbon nanofibers on carbon-based substrates as integrated gas diffusion and catalyst layer for polymer electrolyte fuel cells
KR100726237B1 (ko) 탄소나노튜브를 지지체로 하고 전기화학적 방법을 사용한백금나노촉매의 제조방법
US20150170782A1 (en) Microspheres and their methods of preparation
CN101229512A (zh) 一种提高燃料电池催化剂稳定性的方法
Kim et al. Preparation and electrocatalytic activities of platinum nanoclusters deposited on modified multi-walled carbon nanotubes supports
Mubarak et al. Effect of hydrogen flow rate on the synthesis of carbon nanofiber using microwave-assisted chemical vapour deposition with ferrocene as a catalyst

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120813

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130819

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140808

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150813

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160805

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170816

Year of fee payment: 11