KR100751446B1 - 높은 개구수를 지닌 반사굴절 렌즈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레티클과 다수의 비구면 및 칼슘 불화물 렌즈 소자 다음에 오는 1/4 파장판을 가지고 반도체를 제조하는데 이용되는 포토리소그래피용 반사굴절 투영 광학 시스템에 관한 것이다. 레티클 다음의 1/4 파장판은 편광된 광조사에 의해 야기된 레티클 회절의 불균형을 없앤다. 부가적인 비구면의 이용은 렌즈 소자의 수를 감소시키며 또한 수차를 감소시키는데 도움을 준다. 칼슘 불화물 소자는 압축을 최소화하는 데 도움을 주기 위해 웨이퍼에 인접한 렌즈그룹에서 사용된다. 일실시예에서는, 오직 칼슘 불화물 재료가 이용된다. 본 발명은 248,193 및 157 나노미터 영역의 파장을 사용하기 위해 0.75의 개구수를 갖는 투영 광학 시스템을 제공한다. 물체와 이미지의 위치는 이전의 광학 시스템을 개선할 수 있는 소정의 거리 만큼 떨어져 있다. 본 발명은 특히 반도체 제조용으로 적합하며 또한 더 작은 수차로, 특히 더 짧은 파장에서의 결상을 개선시킨다.

Description

높은 개구수를 지닌 반사굴절 렌즈{HIGH NUMERICAL APERTURE CATADIOPTRIC LENS}
도 1은 248 나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계된 본 발명의 일실시예를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 193나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계되어 있고 또한 2개의 비구면을 갖는 본 발명의 제 2 실시예를 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 193 나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계되어 있고 또한 5개의 비구면을 갖는 본 발명의 제 3 실시예를 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 도 2에 예시된 실시예와 도 3에 예시된 실시예의 이미지 높이의 함수로서 파면 수차를 비교하는 그래프도.
도 5는 칼슘 불화물 재료를 이용하여 157 나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계된 본 발명의 제 4 실시예를 나타내는 도면.
본 발명은 일반적으로 반도체 제조 장비에 이용되는 투영 광학 장치에 관한 것으로, 특히 짧은 파장을 이용하는 높은 개구수(numerical aperature)를 지닌 반 사굴절(catadioptric) 투영 광학 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조에 있어서, 포토리소그래피 기술이 종종 이용된다. 이러한 포토리소그래피 기술은 웨이퍼 또는 감광성 기판위에 투영되는 레티클의 이미지를 필요로 한다. 비교적 복잡한 투영 광학장치는 종종 웨이퍼 또는 감광성 기판 위에 레티클의 이미지를 투영하는데 이용된다. 투영광학장치는 매우 작은 형상 크기(feature size)가 레티클상에 매우 작은 수차로 정확히 결상될 수 있도록 매우 고화질의 레티클을 제공하는데 필요하다. 투영광학장치는 종종 축소된 이미지를 초래하는, 보다 작은 배율을 제공한다. 흔히, 가장 좋은 화질을 갖는 이미지 필드의 소 부분만이 이용된다. 그러나, 반도체소자의 처리량을 강화하고 생산량을 증가시키기 위해 가능한 한 큰 이미지 필드를 제공하는 것이 바람직하다. 좀 더 높은 처리량과 함께 축소된 형상 크기에 대한 엄청난 수요로 인해, 새롭고 개선된 투영 광학 시스템이 계속해서 필요해진다. 반도체 제조 산업에 의해 요구되는, 더 감소되는 형상 크기 때문에, 투영 광학장치는 더 높은 개구수를 갖는 것과 그리고 더 짧은 파장에서 동작하도록 설계되는 것이 필요하다. 현재의 광학 설계는 반도체 제조의 수요를 만족시킬 수 없다. 예를 들어, 종래의 광학 시스템은 웰리엄손이 1990.9.4일자로 발표한 "광학 축소 시스템"이라는 제목의 미국특허 제 4,953,960호에서 개시하고 있다. 여기에 개시된 내용은 248 나노미터의 파장 영역에서 동작하고 0.45의 개구수를 갖는 축소 광학 시스템이다. 다른 투영 광학 시스템은 Singh 등이 1992.2.18일자로 발표한 "고 해상도 축소 반사 굴절 릴레이 렌즈"라는 제목의 미국특허 제5,089,913호에서 개시되어 있으며, 이것을 참고로 여기에 편입시켰다. 여기에 개시된 내용은 248 나노미터로 한정된 스펙트럼 파장과 0.6의 개구수를 갖는 광학 시스템이다. 또 다른 투영광학 시스템은 웰리엄손이 1996.7.16일자로 발표한 "높은 개구수를 갖는 반사굴절 축소 광학 시스템"이라는 제목의 미국특허 제5,537,260호에 개시되어 있으며, 이것을 참고로 여기에 편입시켰다. 여기에 개시된 내용은 360 내지 193나노미터의 파장 영역에서 동작하는 각기 다른 실시예와 함께 0.7의 개구수를 갖는 투영 광학 시스템이다. 이러한 광학 시스템은 알맞게 동작되지만, 현재의 시스템보다 작은 형상 크기를 재현하기 위해 반도체 제조에 이용되는 투영광학 장치에 대한 필요성이 상존한다.
본 발명의 목적은 현재의 투영 광학 시스템보다 더 높은 개구수를 갖는 투영 광학 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 투영 광학 시스템의 렌즈 소자를 감소시키는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 편광된 광조사에 의해 야기된 레티클 회절의 불균형을 없애는 것이다.
본 발명은 다수의 비구면을 이용하여 렌즈 소자의 수를 감소시키고 성능을 증가시키는 반사굴절 광학 시스템을 포함한다. 칼슘 불화물 렌즈 소자는 웨이퍼 또는 감광성 기판에 가장 근접한 렌즈그룹에서 사용된다. 0-차수 1/4 파장판은 레티클 다음에 그리고 렌즈그룹 앞에 위치되는데, 이 렌즈그룹은 빔 스플리터에 앞서 적어도 하나의 비구면을 갖는다. 비구면 오목 거울은 빔 스플리터에 인접하며 또한 렌즈그룹에 수직한 면에 인접하여 위치하는다. 다른 렌즈그룹은 웨이퍼 또는 감광성 기판에 레티클을 결상하며 또한 칼슘 불화물로 이루어진 다수의 렌즈 소자를 갖는 비구면 오목 거울과 마주하는 빔 스플리터에 인접하여 위치된다. 비교적 높은 0.75의 개구수가 얻어지며, 또한 일실시예에서 157나노미터의 파장이 이용된다.
본 발명의 이점은 투영광학 시스템이 감소된 수차를 초래한다는 것이다.
본 발명의 다른 이점은 축소된 형상 크기가 결상될 수 있다는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은 투영광학 시스템이 레티클을 통해 원형 편광된 전자기 방사를 이용한다는 것이다.
본 발명의 특징은 투영광학 시스템이 웨이퍼에 가까운 렌즈그룹에서 렌즈재료로 칼슘 불화물을 이용한다는 것이다.
본 발명의 다른 특징은 다수의 비구면 렌즈 소자가 이용된다는 것이다.
본 발명의 또 다른 특징은 0-차수 1/4 파장판이 레티클 다음에 위치된다는 것이다.
이러한 목적과 다른 목적, 이점, 그리고 특징은 다음의 상세한 설명으로부터 쉽게 명확해질 것이다.
실시예
도 1은 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸다. 레티클(10)은 물체의 위치에 놓이며, 또한 웨이퍼 또는 감광성 기판 또는 기판(50)은 이미지 위치에 놓인다. 레티클(10)과 웨이퍼 또는 감광성 기판(50) 사이의 투영광학장치는 1 보다 작은 배율 혹은 약 4:1의 축소율(reduction ratio)을 제공한다. 도 1에 예시된 실시예는, 40 피코 미터 반치폭(full-width-half maximum)의 스펙트럼 대역폭을 갖는 248 나노미터 파장의 전자기 방사를 이용하며, 웨이퍼 또는 감광성 기판(50)에서 0.75의 개구수, 26 x 5 mm의 필드를 갖는다. 레티클(10) 다음에는 제 1 1/4 파장판(12)이 있다. 상기 1/4 파장판(12)은 0-차수 1/4 파장판이 바람직하다. 이러한 0-차수 1/4 파장판(12)은 레티클 형상과 편광벡터의 상대 방향으로부터 초래하는 회절 분균형을 없애기 위해, 레티클을 통해 원형 편광된 빛이 이용되도록 허용한다. 1/4 파장판(12)다음에는 평-볼록 렌즈(planar-convex lens; 14)가 있다. 평-볼록 렌즈(14)다음에는 양면-오목 렌즈(bi-concave lens; 16)가 있다. 렌즈(16)다음에는 양면-볼록 렌즈(18), 메니스커스 렌즈(20), 및 양면-볼록 렌즈(22)가 있다. 이러한 제 1 렌즈그룹 다음에는 폴드미러(24)가 있다. 폴드미러(24) 다음에는 메니스커스 렌즈(26)가 있다. 메니스커스 렌즈(26) 다음에는 비구면 렌즈(28)가 있다. 비구면 렌즈(28)는 오목한 구면과 볼록한 비구면을 갖는다. 비구면 렌즈(28) 다음에는 양면-오목 렌즈(30)가 있다. 이러한 렌즈그룹 다음에는 폴드미러(24) 후에 빔 스플리터(31)가 있다. 빔 스플리터(31)는 부분적으로 반사 표면(32)을 갖는다. 인접한 빔 스플리터(31)의 한 표면에는 1/4 파장판(34)이 있으며 그 다음에 오목 구면 미러(36)가 있다. 1/4파장판(34)은 0-차수 1/4 파장판이 바람직하다. 인접한 빔 스플리터(31)의 마주하는 표면에는 다른 1/4 파장판(38), 양면-볼록 렌즈(40), 및 메니스커스 렌즈(42)가 있다. 1/4 파장판(38)은 또한 0-차수 1/4 파장판이 바람직하다. 렌즈(40 및 42)는 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 렌즈(42) 다음에는 실리카로 이루어진 메니스커스 렌즈(44)가 있다. 메니스커스렌즈(44) 다음에는 메니스커스 렌즈(46)와 메니스커스 렌즈(48)이 있다. 렌즈(46 및 48)는 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 렌즈(48) 다음에는 판(49)이 있다. 빔 스플리터(31)와 웨이퍼 또는 감광성 기판(50)사이의 제 3 렌즈그룹은 렌즈(44), 1/4 파장판(38), 판(49)을 제외하고는 칼슘 불화물로 형성된 소자를 갖는다. 이러한 실시예는 빔 스플리터(31) 이후의 이러한 렌즈그룹에서 대개의 렌즈 소자에 칼슘 불화물을 이용한다. 248나노미터의 파장에서 동작하기 위해 설계된 이러한 실시예는 레티클(10)과 웨이퍼 혹은 감광성 기판(50)사이에서 소정의 거리로 간격을 두고 있는 패키지에서 높은 개구수를 제공하는 이점이 있다. 이와 같은 소정의 공액 거리(conjugate distance)는 동일한 공액 거리를 갖는 예전의 설계의 광학 시스템에 대한 대체물로서 이러한 실시예를 이용하는데 유리하다.
바람직한 구성에 있어서, 도 1에 예시된 광학 시스템은 다음 표 1 및 표 1A의 구성 데이터에 따라 제작될 수 있다.
Figure 112007003976219-pat00031
비구면 상수는 다음 방정식과 표 1A에 따라 제공된다.
Figure 112001017590243-pat00003
Figure 112007003976219-pat00032
도 2는 25 피코미터 반치폭의 스펙트럼 대역폭을 갖는 193 나노미터 파장의 전자기 방사를 이용하며, 0.75의 개구수, 웨이퍼에서 26 x 5mm의 필드를 갖는 투영 광학 시스템의 제 2 실시예를 나타내는 도면이다. 레티클(10) 다음에는 0-차수 1/4 파장판(112), 평 볼록 렌즈(114), 양면-오목 렌즈(16), 메니스커스 렌즈(118), 메니스커스 렌즈(120), 및 양면-볼록 렌즈(122)가 있다. 이러한 렌즈그룹 다음에는 폴드 미러(124)가 위치된다. 폴드미러(24) 다음에는 메니스커스 렌즈(126), 비구면 렌즈(28) 및 메니스커스 렌즈(130)가 있다. 비구면 렌즈(128)는 비구면 오목면과 구면 볼록면을 갖는다. 렌즈그룹 다음에는, 폴드 미러(124) 뒤에, 빔 스플리터(131)가 있다. 빔 스플리터(131)는 부분적으로 반사 표면(132)을 갖는다. 빔 스플리터(131)의 인접한 한 측면은 제 2 1/4파장판(134)이다. 상기 제 2 1/4 파장판(134)은 0-차수 1/4 파장판이 바람직하다. 제 2 1/4 파장판(134) 다음에는 비구면 오목 미러(16)가 있다. 빔 스플리터(131)의 인접한 대향 면에는 제 3 1/4 파장판(139)이 있다. 이러한 제 3 1/4파장판(138)은 또한 0-차수 1/4 파장판이 바람직하다. 상기 제 3 1/4 파장판(138) 다음에는 양면-볼록 렌즈(140), 메니스커스 렌즈(142), 메니스커스 렌즈(144), 메니스커스 렌즈(146), 메니스커스 렌즈(148), 및 판(149)이 있다. 렌즈(18,19,20,21 및 22)는 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 인접한 판(149)은 이미지 위치에 놓인 웨이퍼(50)이다. 이러한 실시예에서, 제 2 1/4 파장판(138)과 판(149) 사이의 칼슘 불화물 렌즈 또는 소자의 이용은 굴절률에서 압축 또는 방사의 변화를 매우 최소화시킨다. 이러한 렌즈그룹은 특히 비교적 작은 빔 사이즈와 높은 선속 밀도로 인한 압축을 받기 쉽다. 이러한 실시예는 2개의 비구면을 이용한다. 비구면의 이용은 렌즈소자의 수가 감소된다는 이점이 있다.
바람직한 구성에 있어서, 도 2에 예시된 광학 시스템은 다음 표 2와 표 2A의 구성 데이터에 따라 제작될 수 있다.
Figure 112007003976219-pat00033
비구면 상수는 다음의 방정식과 표 2A에 따라 제공된다.
Figure 112001017590243-pat00006
Figure 112007003976219-pat00034
도 3은 본 발명의 제 3 실시예를 나타낸다. 이러한 실시예는 0.75의 개구수, 웨이퍼에서 26 x 5 mm의 필드를 지니며, 또한 25 피코미터 반치폭의 스펙트럼 대역폭을 갖는 193나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계된다. 본 제 3 실시예는 수차를 축소시키는 5개의 비구면을 갖는다. 레티클(10) 다음이나 인접해서는 1/4 파장판(212)이 있다. 1/4 파장판(212) 다음에는 평 볼록 렌즈(214)와 비구면 렌즈(218)가 있다. 비구면 렌즈(216)는 오목면과 비구면을 갖는다. 비구면 렌즈(216) 다음에는 양면-볼록 렌즈(218), 메니스커스 렌즈(220), 양면-볼록 렌즈(222)가 있다. 이러한 제 1 렌즈그룹 다음에는 폴드 미러(224)가 있다. 폴드 미러(224) 다음에는 메니스커스 렌즈(226)와 비구면 렌즈(228)가 있다. 비구면 렌즈(228)는 오목 비구면과 볼록 비구면을 갖는다. 비구면 렌즈(228) 다음에는 메니스커스 렌즈(230)가 있다. 이러한 렌즈그룹다음에는, 폴드 미러(224) 뒤에, 빔 스플리터(31)가 있다. 빔 스플리터(231)는 부분적으로 반사표면(232)을 갖는다. 빔 스플리터(231)의 인접한 한 면에는 제 2 1/4 파장판(234)이 있다. 제 2 1/4 파장판(234) 다음에는 오목 비구면 미러(236)가 있다. 인접한 빔 스플리터(231)의 대향면에는 제 3 1/4 파장판(238)이 있으며, 그 다음에 양면-볼록 렌즈(240), 메니스커스 렌즈(242), 비구면 렌즈(244)가 있다. 비구면 렌즈(244)는 오목 비구면을 갖는다. 비구면 렌즈(244) 다음에는 비구면 렌즈(246)가 있다. 비구면 렌즈(246)는 메니스커스 렌즈(248)와 인접하여 놓인다. 렌즈(240,242, 244, 246 및 248)는 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 인접한 렌즈(248)에는 판(249)이 있으며, 웨이퍼(50)는 판(249) 다음의 이미지 면에 놓인다. 이러한 실시예에서, 제 3 실시예는 5개의 비구면이 이용된다. 레티클(10)과 폴드미러(224) 사이의 렌즈그룹에는 제 1 비구면 렌즈(216)가 있으며, 또한 폴드미러(224)와 빔 스플리터(231) 사이의 렌즈그룹에는 제 2 비구면 렌즈(228)가 있다. 제 3 비구면은 오목 미러(236)에 위치된다. 제 4 비구면은 렌즈(246)에 위치된 제 5 비구면과 함께 비구면 렌즈(244)에 위치되며, 이들 둘은 빔 스플리터(231)와 웨이퍼 또는 감광성 기판(50) 사이의 렌즈그룹에 있다. 본 발명의 제 3 실시예에서 5개 비구면의 이용은 수차를 크게 감소시킨다.
바람직한 구성에 있어서, 도 3에 예시된 광학 시스템은 다음의 표 3 및 표 3A의 구성 데이터에 따라 제작된다.
Figure 112007003976219-pat00035
비구면 상수는 다음 방정식과 표 3A에 따라 제공된다.
Figure 112001017590243-pat00009
Figure 112007003976219-pat00036
도 4는 도 2 및 도 3에 예시된 본 발명의 실시예에 대한 이미지 높이의 함수로서 파면 수차를 그래프로 나타내고 있다. 파면 또는 라인(52)은 2개의 비구면을 갖는 도 2에 예시된 실시예에 대하여 이미지 높이의 함수로서 수차를 나타낸다. 파형 또는 데시라인(54)은 도 3에 예시된 5개의 비구면을 갖는 실시예에 대하여 이미지 높이의 함수로서 파면 수차를 나타낸다. 도 4에 의해 쉽게 인식될 수 있는 바와 같이, 파면 수차는 5개의 비구면을 갖는 실시예에서 크게 감소된다.
도 5는 0.75의 개구수와 웨이퍼에서 26 x 5mm의 필드를 지니며, 또한 1.5 피코미터 반치폭의 스펙트럼 폭을 갖는 157 나노미터 파장의 전자기 방사를 사용하기 위해 설계된 본 발명의 제 4 실시예를 나타낸다. 이러한 실시예는 2개의 비구면을 이용하며 또한 완전히 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 레티클(10) 다음에는 1/4 파장판(312), 평 볼록 렌즈(314), 양면-볼록 렌즈(322)가 있다. 이러한 렌즈그룹 다음에는 폴드 미러(324)가 있다. 폴드 미러(324) 다음에는 메니스커스 렌즈(326), 비구면 렌즈(328) 및 메니스커스 렌즈(330)가 있다. 비구면 렌즈(328)는 오목 비구면을 갖는다. 이러한 렌즈그룹 다음에는, 폴드미러(324) 뒤에, 빔 스플리터(331)가 있다. 빔 스플리터(331)는 부분적으로 반사면(332)을 갖는다. 인접한 빔 스플리터(331)의 한면에는 제 2 1/4 파장판(334)이 있다. 상기 제 2 1/4 파장판(334) 다음에는 비구면 오목 미러(336)가 있다. 제 2 1/4 파장판(334)에 마주하는 인접한 빔 스플리터(331)의 면에는 제 3 1/4 파장판(338)이 위치된다. 1/4 파장판(338) 다음에는 양면-볼록 렌즈(340), 메니스커스 렌즈(342), 메니스커스 렌즈(344), 메니스커스 렌즈(346) 및 메니스커스 렌즈(348)가 있다. 인접한 메니스커스 렌즈(348)에는 판(349)이 위치된다. 판(349)은 웨이퍼 또는 감광성 기판(50)이 위치되어 있는 이미지 면에 인접한다.
도 5에 예시된 광학 시스템의 바람직한 실시예는 다음 표 4 및 표 4A에서 구성 데이터에 따라 제작된다.
Figure 112007003976219-pat00037
비 구면 상수는 다음 방정식과 표 4A에 따라 제공된다.
Figure 112001017590243-pat00012
Figure 112007003976219-pat00038
따라서, 레티클(10)의 긴 공액 단부에서 웨이퍼 또는 감광성 기판(50)의 짧은 공액 단부까지의 본 발명의 모든 실시예는 레티클 다음의 1/4 파장판, 1/4 파장판과 제 1 폴드 미러 사이에 위치된 제 1 렌즈그룹, 및 폴드미러와 빔 스플리터사이의 제 2 렌즈그룹을 제공한다. 각각의 실시예에서, 폴드미러(24,124,224 및 324) 전의 렌즈그룹은 제 1 렌즈그룹이 고려될 수 있으며, 또한 폴드 미러(24,124,224 및 324)와 빔 스플리터(31,131,231 및 331) 사이의 렌즈그룹은 제 2 렌즈그룹이 고려될 수 있다. 대안으로, 이러한 제 1 및 제 2 렌즈그룹은 단일 렌즈그룹이 고려될 수 있다. 빔 스플리터에서 부분적으로 반사 표면은 제 2 1/4파장판과 관련하여 전자기 방사를 반사하며 또한 전자기 방사를 반사하는 비구면 오목 미러는 빔스플리터와 부분적으로 반사 표면을 통해 제 3 1/4 파장판으로 되돌아 가며, 또한 제 3 렌즈그룹을 통해 감광성 기판 또는 웨이퍼(50)로 되돌아 간다. 모든 실시예는 레티클 다음에 1/4 파장판을 제공하며, 또한 폴드 미러와 빔 스플리터 큐브 사이에 비구면을 지닌 렌즈를 지니며, 또한 빔스플리터 큐브와 감광성 기판 사이에 렌즈 소자를 지니며, 이들 대부분은 칼슘 불화물로 이루어져 있다. 따라서, 본 발명은 157 나노미터 정도로 짧은 파장에 잘 형성하는 개선된 이미징 특성과 함께 비교적 높은 개구수를 갖는 투영 광학 시스템을 제공한다. 따라서, 본 발명은 광학 기술을 향상시키며 또한 반도체소자의 제조를 매우 용이하게 한다.
본 발명은 포토리소그래피용 반사 굴절 광학 시스템을 이용하여 현재의 투영 광학 시스템보다 더 높은 개구수를 갖는 투영 광학 시스템을 제공하며 또한 투영 광학 시스템의 렌즈 소자를 감소시키며, 또한 편광된 광조사에 의해 야기된 레티클 회절의 불균형을 없애는 것이다.
바람직한 실시예가 기술되고 예시되었지만, 본 기술분야의 당업자는 여러 변형이 본 발명의 사상과 범위로부터 벗어남이 없이 행하여질 수 있음을 인식할 것이다.

Claims (19)

  1. 레티클의 축소된 이미지를 감광성 표면위에 투영하는데 이용하는 반사굴절 광학 투영 시스템에 있어서,
    제 1 렌즈그룹;
    상기 제 1 렌즈그룹 다음에 위치하는 것으로, 하나의 렌즈가 제 1 비구면을 가지는 제 2 렌즈그룹;
    상기 제 2 렌즈그룹에 인접하여 위치하는 빔 스플리터;
    상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 오목 미러;
    상기 오목 미러의 반대쪽에서 상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 것으로, 칼슘 불화물로 이루어진 다수의 렌즈를 갖는 제 3 렌즈그룹;을 포함하며,
    레티클의 축소된 이미지는 감광성 표면 위에 투영되는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 렌즈그룹과 상기 제 2 렌즈그룹 사이에 위치하는 폴드 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 렌즈그룹은 제 2 비구면을 지닌 렌즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 렌즈그룹은 제 3 비구면을 지닌 렌즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 레티클과 상기 제 1 렌즈그룹 사이에 위치하는 제 1 1/4 파장판을 더 포함하며,
    원형 편광된 광이 레티클 형상과 편광 벡터의 상대 방향으로부터 초래되는 회절 불균형을 레티클을 통해 없애도록 하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 빔 스플리터와 상기 오목 미러 사이에 위치된 제 2 1/4 파장판;
    상기 빔 스플리터와 상기 제 3 렌즈그룹 사이에 위치된 제 3 1/4파장판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2, 및 제 3 1/4파장판은 0-차수 1/4 파장판인 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 렌즈그룹과 상기 제 2 렌즈그룹은 칼슘 불화물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목 미러는 비구면인 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 투영 시스템.
  10. 긴 공액 단부에서 짧은 공액 단부로 이어지는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템에 있어서,
    상이한 상대 방향들을 갖는 다수의 레티클 형상을 지닌 레티클;
    상기 레티클에 인접하여 위치하는 제 1 1/4파장판;
    제 1 렌즈그룹;
    빔 스플리터;
    상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 오목 미러; 및
    상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 제 2 렌즈그룹;을 포함하며,
    원형 편광된 광이 상기 레티클 형상의 상이한 상대방향으로부터 초래되는 회절 불균형을 상기 레티클을 통해 없애도록 하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 빔 스플리터와 상기 오목미러 사이에 위치된 제 2 1/4 파장판; 및
    상기 제 2 1/4 파장판에 마주하는 상기 빔 스플리터와 상기 제 2 렌즈그룹 사이에 위치된 제 3 1/4파장판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2, 및 제 3 1/4 파장판은 0-차수 1/4파장판인 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 렌즈그룹에서 적어도 한 렌즈는 비구면인 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소투영 시스템.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 렌즈그룹은 칼슘 불화물로 이루어진 다수의 렌즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템.
  15. 긴 공액 단부에서 짧은 공액 단부로 이어지는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템에서 있어서,
    상이한 상대 방향들을 갖는 다수의 레티클 형상을 지닌 레티클;
    상기 레티클에 인접하여 위치하는 것으로, 원형 편광된 빛이 상기 레티클 형상의 상이한 상대방향으로부터 초래되는 회절 불균형을 상기 레티클을 통해 없애도록 하는 제 1 1/4 파장판;
    상기 제 1 1/4 파장판에 인접하여 위치하며, 적어도 하나의 렌즈는 제 1 비구면을 갖는 제 1 렌즈그룹;
    상기 제 1 렌즈그룹에 인접하여 위치하는 폴드미러;
    상기 제 1 렌즈그룹과 상기 폴드미러 다음에 오며, 적어도 하나의 렌즈는 제 2 비구면을 갖는 제 2 렌즈그룹;
    상기 제 2 렌즈그룹에 인접하여 위치하는 빔 스플리터;
    상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 오목 미러;
    상기 빔 스플리터와 상기 오목 미러 사이에 위치된 제 2 1/4 파장판;
    상기 오목 미러의 반대쪽에서 상기 빔 스플리터에 인접하여 위치하는 것으로, 칼슘 불화물로 이루어진 다수의 렌즈를 지니며, 또한 적어도 하나의 렌즈는 제 3 비구면을 갖는 제 3 렌즈그룹; 및
    상기 빔 스플리터와 상기 제 3 렌즈그룹 사이에 위치하는 제 3 1/4 파장판;을 포함하며,
    레티클의 축소된 이미지는 감광성 표면위에 투영되는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학 축소 투영 시스템.
  16. 다음 표 1, 즉
    Figure 112007003976219-pat00039
    의 구성 데이터에 따른 구성을 포함하며, 또한 비구면 상수(A(1) 및 A(2))는 다음 방정식과 표 1A, 즉
    Figure 112007003976219-pat00015
    Figure 112007003976219-pat00040
    에 따라 제공되며,
    그에 의해 이미지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 축소 시스템.
  17. 표 2, 즉
    Figure 112007003976219-pat00041
    의 구성 데이터에 따른 구성을 포함하며, 또한 비구면 상수(A(1) 및 A(2))는 다음 방정식과 표 2A, 즉
    Figure 112007003976219-pat00018
    Figure 112007003976219-pat00042
    에 따라 제공되며,
    그에 의해 이미지 필드가 형성되는 것을 특징으로하는 광학 축소 시스템.
  18. 표 3, 즉
    Figure 112007003976219-pat00043
    의 구성 데이터에 따른 구성을 포함하며, 비구면 상수(A(1),A(2),A(3),A(4) 및 A(5))는 다음의 방정식과 표 3A, 즉
    Figure 112007003976219-pat00021
    Figure 112007003976219-pat00044
    그에 의해 이미지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 축소 시스템.
  19. 표 4, 즉
    Figure 112007003976219-pat00045
    의 구성 데이터에 따른 구성을 포함하며, 비구면 상수(A(1) 및 A(2))는 다음의 방정식과 표4A, 즉
    Figure 112007003976219-pat00024
    Figure 112007003976219-pat00046
    에 따라 제공되며,
    그에 의해 이미지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 축소 시스템.
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