KR100748574B1 - 광학 파면 변형기 - Google Patents

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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

광학 파면 변형기(27)는 이 변형기를 통과하는 광 빔의 파면을 변형하도록 구성된다. 이 변형기는, 제 1 및 제 2 투명 전극층(42', 43')과, 전기적 여기에 의존하여 파면을 변형하며 이들 전극층 사이에 배치된 편평한 매체(46)를 구비한다. 제 1 전극층(42')은 투명한 도전성 물질의 3개 또는 그 이상의 전극(51-55)을 구비한다. 또한, 이 전극층은, 전글들에 접속된 3개의 단자(48, 48', 48")와 이들 단자를 접속하는 저항들(49, 49')을 구비한 복수의 저항의 직렬 배치를 구비한다. 이들 저항은 전극과 동일한 투명한 도전성 재료로 제조된다.
파면 변형기, 수차 보상기, 투명 전극층, 주사장치, 구면수차, 코마수차

Description

광학 파면 변형기{OPTICAL WAVEFRONT MODIFIER}
본 발명은, 제 1 및 제 2 투명 전극층과, 상기 전극층사이에 배치되어 전기적 여기에 따라서 파면을 변형하는 매체를 구비하고, 상기 제 1 전극층이 투명한 도전성 물질로 이루어진 3개 이상의 전극을 구비한 변형기를 통과하는 광 빔의 파면을 변형하는 광학 파면 변형기에 과한 것이다.
광학 파면 변형기는, 광 빔의 특성을 변화하는 용도, 예를 들면 빔의 파면에 초점 곡률을 도입하여 그것의 폭주(vergence)를 변화시키거나 기울기(tilt)를 도입하여 빔의 방향을 변화시키는 용도로 사용될 수 있다. 또한, 파면 변형기는 광 빔의 파면의 원치않는 형태를 보상하는, 예를 들면 파면으로부터 구면수차 또는 코마수차(coma)를 제거하는 파면 보상기로서도 동작할 수 있다.
유럽특허출원 제 0 745 980에는, 코마수차를 보상하는 파면 보상기로서 광학 파면 변형기를 사용하는 광학 주사헤드에 대해 개시되어 있다. 이 보상기는 방사빔과 대물계 사이의 광 경로에 배치된 전기왜곡(electrostriction) 매체를 사용한다. 이 보상기의 전극층들 중 한 개는 투명한 물질로 구성된 3개의 전극을 구비하고, 각각의 전극은 제어회로에 전기적으로 접속된다. 이 종래의 변형기의 문제점은, 변형기와 제어회로 사이에 비교적 큰 수의 전기접속이 이루어져야 한다는 것이다.
결국, 본 발명의 목적은, 변형기의 제어를 위해 감소된 수의 전기 접속을 필 요로 하는 변형기를 제공함에 있다.
본 발명에 따르면, 제 1 전극층이 복수의 저항의 직렬 배치를 구비하고, 상기 전극들이 이 복수의 저항의 직렬 배치에 전기적으로 접속되며, 이 복수의 저항이 상기 투명한 도전성 물질로 제조된 경우에, 이 목적이 달성된다. 본 발명은, 변형기의 개별적인 전극들을 제어하는데 사용되는 전압이, 이들 전압이 복수의 저항의 직렬 배치로부터 유도될 수 있는 상호 의존성을 갖는다는 착상에 근거를 두고 있다. 이와 같은 복수의 저항의 직렬 배치가 변형기의 전극층에 집적되면, 변형기에 인가되는 유일한 전압들은 이 직렬 배치의 단자들에 접속하여야 하는 전압들이 됨으로써, 변형기에 대한 전기 접속의 수를 줄이게 된다. 특정한 구조에 있어서 단자의 수는, 간단한 전극 구조에 대해서는 2개이고, 더 복잡한 구조에 대해서는 3개 또는 그 이상일 수 있다. 또한, 전극층 내부에의 직렬 배치의 집적은 변형기의 제조공정을 단순화시킨다.
바람직하게는, 상기한 전극층은 이 직렬 배치에 제어전압을 공급하는 3개의 단자를 구비한다. 이와 같은 구성은, 상기한 구조에 있어서의 전극들을 2개의 그룹으로 분할할 수 있도록 하는데, 각각의 그룹은 다른 그룹과 독립적으로 제어된다.
전극들은 바람직하게는 자이델(Seidel) 형태로 파면 변형을 부여하는 구조를 갖는다. 자이델 형태에 있어서는, 전극들이 광 빔의 단면의 일측으로부터 대부분의 구면수차에 대해 다른 측으로 연장되어, 저항들의 직렬 배치에 대한 용이한 접속을 허용한다. 이에 반해, 제르니케(Zernike) 형태를 갖는 파면은 일반적으로 한 개의 전극이 다른 전극에 의해 완전히 둘러싸이는 전극 형태를 요구하며, 둘러싸인 전극에 대한 전기 전속이 둘러싸는 전극을 통해 작은 스트립에 의해 행해져야만 하므로, 전극 패턴을 복잡하게 한다.
본 발명의 또 다른 면은, 방사빔을 발생하는 방사원과, 투명층을 통하여 정보층 상의 초점에 방사빔을 집속시키는 대물계와, 기록매체로부터 방사선을 가로채는 검출계를 구비하고, 정보층을 갖는 광 기록매체를 주사하며, 광학 파면 변형기가 방사원과 검출계 사이의 광 경로에 배치되며, 제 1 및 제 2 투명 전극층과, 상기 전극층사이에 배치되어 전기적 여기에 따라서 파면을 변형하는 매체를 구비하고, 상기 제 1 전극층이 투명한 도전성 물질로 이루어진 3개 이상의 전극을 구비한 변형기를 통과하는 광 빔의 파면을 변형하고, 상기 제 1 전극층은 저항의 직렬 배치를 구비하고, 상기 전극들이 상기 저항의 직렬 배치에 전기적으로 접속되며, 상기 저항이 투명한 도전성 물질로 제조된 주사장치에 관한 것이다. 이 변형기는 특히 주사장치 내부에 사용하는데 적합하다. 방사원, 변형기 및 대물계는 일반적으로 주사장치의 샤시에 대해 움직이는 광학 헤드 내부에 일체화되고, 주사장치의 내부에는 기록매체 상의 트랙을 따라가기 위해 제어회로가 배치된다. 광학 헤드와 샤시 사이의 전기 접속의 수의 감소는 광학 헤드의 이동을 용이하게 한다.
본 발명의 목적, 이점 및 특징은 다음의 첨부도면에 도시된 본 발명의 이하의 바람직한 실시예의 더욱 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다:
도 1은 본 발명에 따른 주사장치를 나타낸 것이고,
도 2는 방사 빔에 있어서 반경방향의 위치의 함수로써 2개의 측방향으로 배 치된 코마수차 파면 왜곡 WD와 이들 파면 왜곡 간의 차이 DIFF를 나타낸 것이며,
도 3은 액정셀의 형태를 갖는 수차 보상기의 단면을 나타낸 것이고,
도 4a는 중심을 벗어난 코마수차를 도입하기 위한 전극 구조를 나타낸 것이며,
도 4b는 중심을 벗어난 코마수차를 도입하기 위한 2개의 중첩된 전극 구조를 나타낸 것이고,
도 5는 도 4a의 전극 구조와 제어회로 사이의 전기 접속을 나타낸 것이며,
도 6a 및 도 6b는 도 4a의 전극 구조에 대한 제어회로의 2가지 실시예를 나타낸 것이고,
도 7은 중심을 벗어난 코마수차를 도입하기 위한 전극 구조를 나타낸 것이며,
도 8a는 도 7의 구조에 있어서 전극들 상의 제어 전압값을 나타낸 것이고,
도 8b는 대물계의 변위에 대한 비대칭 인자 p+ 및 p-의 의존성을 나타낸 것이며,
도 9 및 도 10은 전극 구조에 있어서 복수의 전극을 접속하는 복수의 저항의 직렬 배치를 나타낸 것이고,
도 11은 중심을 벗어난 코마수차를 도입하며, 복수의 저항의 직렬 배치가 전극 내부에 집적된 전극 구조를 나타낸 것이며,
도 12는 중심을 벗어난 비점수차를 도입하기 위한 전극 구조를 나타낸 것이며,
도 13은 코마수차와 비점수차 모두를 위한 전극 구조를 갖는 수차 보상기에 대한 제어회로를 나타낸 것이고,
도 14는 구면수차를 도입하기 위한 전극 구조를 나타낸 것이다.
도 1은 기록매체(1)를 주사하는 장치를 나타낸 것이다. 기록매체는 투명층(2)을 구비하고, 이 투명층의 일측에는 정보층(3)이 배치된다. 투명층으로부터 이격되어 마주보는 정보층의 측면은 보호층(4)에 의해 환경적인 영향으로부터 보호된다. 주사장치를 마주보는 투명층의 측면은 입사면(5)으로 불린다. 투명층은 정보층에 대한 기계적 지지를 제공함으로써 기록매체에 대한 기판으로 작용한다. 이와 달리, 투명층은 정보층을 보호하는 유일한 기능을 가지는 한편, 기계적인 지지가 정보층의 다른 면 상의 층, 예를 들면 보호층(4)에 의해 또는 정보층(3)에 연결되는 또 다른 정보층과 투명층에 의해 제공될 수도 있다. 정보는, 도면에 도시되지 않은 거의 평행하거나, 동심원을 이루거나 나선형의 트랙으로 배치된 광학적으로 검출가능한 복수의 마크의 형태로 기록매체의 정보층(3)에 기억될 수 있다. 이들 마크는, 임의의 광학적으로 판독가능한 형태로, 예를 들면 피트의 형태로, 또는 그것의 주변부와는 다른 반사계수 또는 자화 방향을 갖는 영역의 형태로 또는 이들 형태의 조합으로 형성될 수 있다.
주사장치는, 발산하는 방사빔(7)을 방출하는 방사원(6), 예를 들면 반도체 레이저를 구비한다. 빔 스플리터(8), 예를 들면 반투명 판은 방사빔을 시준렌즈(9)를 향해 반사시키며, 이 시준렌즈는 발산하는 빔(7)을 평행광을 변환된 빔(10)으로 변환한다. 평행광으로 변환된 빔(10)은 대물계(11)에 입사된다. 대물계는 한 개 또는 그 이상의 렌즈 및/또는 격자를 구비할 수 있다. 대물계(11)는 광축(12)을 갖는다. 대물계(11)는 평행광으로 변환된 빔(10)을 기록매체(1)의 입사면(5)에 입사되는 집속 빔(13)으로 변화시킨다. 집속 빔(13)은 정보층(3) 상에 스폿(14)을 생성한다. 정보층(3)에 의해 반사된 방사선은, 대물계(11)에 의해 평행광으로 변환된 빔(16)으로 전환된 후 시준렌즈(9)에 의해 집속하는 빔(17)으로 전환되는 발산 빔(15)을 형성한다. 빔 스플리터(8)는 집속 빔(17)의 적어도 일부분을 검출계(18)를 향해 전달함으로써 전방을 향하는 빔과 반사됨 빔을 분리한다. 검출계는 방사선을 포착하여 그것을 전기적인 출력신호(19)로 변환한다. 신호처리기(20)는 이들 출력신호를 다양한 다른 신호로 변환시킨다. 이들 신호 중에서 한가지는 정보신호(21)로서, 이 신호의 값은 정보층(3)으로부터 판독된 정보를 표시한다. 이 정보신호는 오류정정용 정보 처리부(86)에 의해 처리된다. 신호처리기(20)로부터의 다른 신호는 초점 에러신호와 반경방향의 에러신호(22)이다. 초점 에러신호는 스폿(14)과 정보층(3) 사이의 축방향의 높이차를 나타낸다. 반경방향의 에러신호는, 스폿(14)과 이 스폿이 따라가야 할 정보층 내부의 트랙의 중심 사이의 정보층(3)의 평면 내에서의 거리를 나타낸다. 초점 에러신호와 반경방향의 에러신호는 서보회로(23)에 공급되고, 이 서보회로는 이들 신호를 초점 액추에이터와 반경방향의 액추에이터를 각각 제어하는 서보 제어신호(24)로 변환한다. 이들 액추에이터는 도면에 도시하지 않았다. 초점 액추에이터는, 초점 방향(25)으로 대물계(11)의 위치를 제어함으로써, 스폿(14)의 실제 위치가 정보층(3)의 평면과 거의 일치하도록 이 실제 위치를 제어한다. 반경방향의 액추에이터는 반경방향(26)으로 대물계(11)의 위치를 제어하여, 스폿(14)의 반경방향의 위치가 정보층(3) 내부에서 따르게 될 트랙의 중심선과 거의 일치하도록 이 반경방향의 위치를 제어한다. 도면에 있어서 복수의 트랙은 도면의 지면에 대해 수직한 방향으로 형성된다.
도 1에 도시된 주사장치는 광 기록매체(1)의 기울기에 대해 비교적 큰 공차 범위를 갖는다. 더구나, 이 주사장치는 집속 빔(13) 내부의 기울어진 기록매체에 의해 발생된 수차를 판정하고, 평행광으로 변환된 빔(10) 내부에 파면 왜곡을 도입하여 수차를 보상한다. 파면 왜곡은 평행광으로 변환된 빔(10) 내부에 배치된 수차 보상기(27)에 의해 도입된다. 제어회로(28)는 제어신호(29)를 통해 파면 왜곡을 제어한다. 보상하여야 하는 수차의 값은 수차 검출기, 본 실시예에 있어서는 기울기 검출기(30)에 의해 결정된다. 기울기 검출기는 광 기록매체(1)를 향해 방사빔(31)을 방출하고, 기록매체에 의해 반사된 빔의 각도를 검출한다. 반사된 빔의 스폿의 위치는 각도, 따라서 기록매체의 기울기에 대한 측정값에 해당한다. 측정된 기울기는 집속 빔(13) 내부의 코마수차에 직접 비례한다. 따라서, 기울기 신호, 즉 기울기 검출기(30)의 출력신호는 직접 제어회로(28)에 대한 입력으로 이용됨으로써, 수차 보상기(27)에 의해 도입되는 코마수차의 양을 제어한다.
기울기 검출기(30)는 임의의 형태를 가질 수 있다. 기울기 신호는 검출기 출력신호(19)의 조합으로부터 유도될 수도 있다. 이와 같은 경우에, 기울기 검출기는 제어회로(28)의 일부분을 구성한다.
도입된 수차가 대물계(11)에 대해 정확히 중심이 맞추어진 경우에는, 수차 보상기(27)에 의해 도입된 파면 왜곡이 단지 기울어진 기록매체에 의해 도입된 수차만을 보상한다. 도입된 수차가 평행광으로 변환된 빔(10)의 축 상에서 중심이 맞추어지고 대물계가 레디얼 트랙킹으로 인해 반경방향(26)으로 변위된 경우에는, 이와 같은 보상이 더 이상 정확하지 않다. 이러한 변위의 영향을, 대물계(11)가 그것의 반경방향의 변위 d를 갖는 방사빔의 이와 같은 반경방향의 단면에서의 파면을 제공하는 도 2에 나타내었다. 변위 d는 대물계의 입사동(entrance pupil)의 반경 상에서 정규화된다. 실선 37은, r=0에서 방사빔(10)의 광축에 중심을 두고 수차 보상기(27)에 도입된 코마수차 파면 왜곡 WD를 나타낸 것이다. 점선 38은, 보상을 하여야 하며 기울어진 광 기록매체(1)에 의해 도입되고 대물계(11)의 변위로 인해 거리 d 만큼 광축으로부터 변위된 코마수차 파면 왜곡을 나타낸 것이다. 변위 d가 제로인 경우에, 도입된 수차 37이 수차 38을 완전히 상쇄하여, 기록매체(1)의 정보층(3) 상에 고품질의 스폿(14)을 제공하게 된다는 점이 도면으로부터 자명하다. 변위 d가 제로값이 아닌 경우에는, 파면 37 및 38이 서로 상쇄되지 않으므로, 불완전한 보상을 발생한다. 이 결과 얻어진 파면 에러 DIFF는 도 2에 선 39로 나타낸 곡선 37과 38 사이의 차이값에 해당한다. 작은 변위 d에 대해서는, 이 차이값 39는 변위의 방향으로 좌표축에 대한 선 37의 미분계수에 비례하게 된다. 결과적으로 얻어지는 파면 에러는, 파면 WD보다 반경방향의 차수가 1차 더 낮으며, 이 경우에는 비점수차에 해당하고, 이것의 값은 변위 d와 보상하려는 코마수차의 양에 비례한다. 이와 같은 비점수차도 수차 보상기(27)에 의해 보상되어야만 한다. 파면 에러의 더욱 상세한 분석에 따르면, 중심을 벗어난 코마수차 파면은 비점수차 뿐만 아니라, 적은 양의 파면 기울기와 초점 흐려짐을 도입한다는 것이 밝혀졌다. 파면 기울기와 초점 흐려짐은 반경방향 및 초점 서보에 의해 각각 자동으로 정정된다.
수차 보상을 위한 입력으로 필요한, 반경방향(26)으로의 대물계(11)의 위치의 측정은 도 1에 도시된 위치 검출기(33)에 의해 수행된다. 위치 검출기에 의해 발생된 위치신호(34)는 제어회로(28)에 대한 입력으로 사용된다. 대물계(11)의 위치는 임의의 알려진 위치 측정법을 사용하여 측정될 수 있다. 대물렌즈의 기계적 특성에 영향을 미치지 않기 때문에, 광학적 방법이 바람직하다. 또한, 이 위치는 특히 U.S. 특허 5,173,598(PHN 13695)에 공지된 것과 같이 검출기 출력신호(19)로부터 유도될 수도 있다. 이와 같은 경우에, 위치 검출기는 신호처리기(20)가 일부분을 구성한다.
도 3은 액정셀의 형태를 갖는 수차 보상기의 일 실시예를 나타낸 것이다. 이 셀은 예를 들면 유리로 제조된 2개의 평행 평면 투명판 40 및 41을 구비한다. 투명판의 내측에는, 투명 전극층(42, 43)이 배치된다. 이들 전극층의 내면은 각각 배향층(44, 45)으로 덮인다. 이들 2개의 배향층 사이에는 네마틱 액정 재료(46)가 배치된다. 더 높은 스위칭 속도가 필요한 경우에는, 이 액정 재료가 강유전성 재료로 교체될 수 있다. 전극층은, 예를 들어 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)로 제조된 투명한 도전체들을 구비한다. 액정 재료의 굴절률은 전극층(42, 43) 사이의 전압차에 의해 조절된다. 이 굴절률은 액정층(26)을 통하는 광 경로 길이를 결정하기 때문에, 전압차의 시간적 및/또는 공간적 변동이 수차 보상기를 통과하는 방사빔의 파면을 변화시키는데 사용될 수 있다. 도면에는 평판 액정층의 형태를 갖는 매체가 도시되어 있지만, 이 매체는 굴곡될 수 있다. 이 매체의 두께는 방사빔의 단면에서의 위치의 함수로서 변화함으로써, 제어 전압에 부과되는 요구조건을 줄일 수 있다.
도 4a는 전극층(42, 43) 내부의 전극 구조를 나타낸 것이다. 이들 전극 구조는 방사빔 내부에 중심을 벗어난 코마수차를 도입하도록 구성된다. 이들 전극 구조는, 도면에 도시되지 않은 비도전성의 중간 영역에 의해 분리된 전기 도전성의 복수의 투명 영역의 형태를 갖는 다수의 전극을 구비한다. 전극층 42는 전극 51 내지 55를 구비한다. 마찬가지로, 전극층 43은 전극 56 내지 60을 구비한다. 도면은 전극층 42 및 43의 평면도를 나타낸 것이다. 평행광으로 변환된 빔(10)의 광축(35)과 전극층의 교점을 십자표시(50)로 나타내었다. 이 전극 구조는, 제르니케 다항식 (3r3-2r)cosθ의 형태로 액정셀을 통과하는 방사빔 내부에 코마 파면 수차를 도입하도록 구성되는데, 이때 r-θ는 방사빔의 단면에서의 극좌표이다. 각도 θ는 십자표시(50)로부터 전극 54를 향해 도면에서 수평 방향을 따라 제로값을 갖는다. 전극 54의 폭과 위치를 도 2에 일점쇄선(36)으로 표시하였다. 이 폭은, 전극 54가 제르니케 다항식 (3r3-2r)cosθ의 값이 소정값 'a'보다 큰 수차 보상기의 영역을 커버하도록 선택된다. 실용적으로는, 'a'는 0.1 내지 0.35의 값을 갖고, 바람직하게는 대략 0.25와 동일한 값을 갖는다. 이와 동일한 내용이 다른 전극들에도 적용된다. 층 42의 전극 구조는 중심(50)에 대해 좌측 방향으로 어긋난다. 전극층 43의 전극 구조는 중심(50)에 대해 우측으로 어긋난다. 이 어긋난 양은 대물계(11)의 최대 변위에 의해 좌우된다. 도 4b는 중첩된 양 전극 42 및 43이 평면도를 나타낸 것이다. 이 전극 구조의 어긋남은 도 1에 나타낸 반경방향(26)으로 발생한다.
도 5는 전극층 42 및 43과 각각 유사한 전극 구조를 갖지만, 개별 전극들 사이에 추가적인 전기 접속을 갖는 전극층 42' 및 43'의 평면도를 나타낸 것이다. 전극 51 및 55는 폭이 좁은 스트립 전극 47'에 의해 전기 접속된다. 이 스트립 전극의 폭은 전극 52의 동작에 영향을 미치지 않을 정도로 충분히 작아야 하는 한편, 이 폭은 수차 보상기의 스위칭 시간의 감소를 피하기에 충분할 정도로 커야만 한다. 마찬가지로, 전극 53 및 54, 56 및 60, 58 및 59는 쌍으로 스트립 전극 47", 47"' 및 47""에 의해 각각 전기 접속된다. 전극층 42' 내부의 전극들의 제어를 위해 필요한 3가지 전압은 3개의 단자 48, 48' 및 48"을 사용하여 인가된다. 양단의 단자 48 및 48"은 2개의 폭이 좁은 스트립 전극 49 및 49'을 각각 사용하여 중앙 단자 48'에 접속된다. 스트립 전극 49 및 49'은 저항을 구성하며, 상기한 단자들과 함께 복수의 저항의 직렬 배치를 구성한다. 제어회로(28')는 제어신호(29)를 공급하는데, 이들 제어신호 중에서 4개를 도 5에 V1, V2, V3 및 V4로 나타내었다. 제어신호 V1은 단자 48로 인가되고 V2는 단자 48"으로 인가된다. 전극 49 및 49'의 저항값이 동일하도록 선택되기 때문에, 단자 48"의 전압은 단자 48 및 48" 상의 전압의 평균값에 해당한다. 제어신호 V3 및 V4는 전극층 43' 상의 저항의 직렬 배치로 인가되는데, 이 직렬 배치는 전극층 42'의 그것과 유사하다.
수차 보상기(27)는 그것의 전극들에 다수의 DC 전압을 인가하여 제어될 수 있다. 그러나, 액정의 안정된 동작의 관점에서는 제어를 위해 AC 전압을 사용하는 것이 바람직하다. 도 6a의 안정된 동작은 도 5에 도시된 배치에 있는 전극들에 대해 AC 제어 전압을 제공하는 제어회로(28)의 일 실시예를 나타낸 것이다. 기울기 신호(32)는 전압-전압 변환기(61)에 대한 입력으로 사용되며, 이 변환기는 그것의 출력에서 기울기 신호(32)에 의존하여 값 ΔV를 갖는 제 1 제어신호(62)를 제공한다. 제 1 제어신호(62)는 가산기(63)에 접속된다. 전압 발생원(63')은 가산기(63)에 기준전압 V0를 출력한다. 가산기는 2개의 출력신호 D1 및 D2를 갖는데, 이 신호의 값은 각각 V0+ΔV와 V0-ΔV이다. 이 2개의 출력신호 D1 및 D2는 승산기(64)에 대한 입력으로 사용된다. 구형파(square-wave) 발생기(64')는 일정한 진폭과, 바람직하게는 1 내지 10 kHz의 범위에 놓이는 소정 주파수를 갖는 구형파 신호를 제공한다. 이 구형파 신호는 승산기(64)에 대한 입력으로 사용된다. 승산기는 출력신호로서 2개의 AC 제어전압 A1 및 A2를 제공한다. 이들 2개의 출력신호의 각각은 구형파 신호와 제로 평균값이다. 신호 A1의 피크-피크 진폭은 V0+ΔV이고, 신호 A2의 피크-피크 진폭은 V0-ΔV이다. 이 제어신호 A1 및 A2의 부호와 크기는, 수차 보상기(27)에 인가되었을 때, 기울기 신호(32)로 표시되는 광학매체(1)의 기울기 양에 의해 기인한 코마수차를 보상하기 위해 정확한 양의 코마수차가 평행광으로 변환된 빔(10) 내부에 도입되도록 하는 부호와 크기를 갖는다. 더구나, 값 ΔV는 기울기 신호의 값에 비례한다. 이들 제어신호 A1 및 A2는 출력신호로서 신호 V1 내지 V4를 갖는 4개의 전환 스위치(65)에 접속된다. 4개의 출력신호 V1 내지 V4는 제어신호 A1 또는 A2와 접지 사이에서 전환될 수 있다. 스위치 65는 위치신호 34를 입력으로 갖는 스위치 제어회로(66)에 의해 제어된다. 위치신호가 양의 값이면, 4개의 스위치(65)는 도 6a에 도시된 위치에 존재한다. 위치신호가 음의 값이면, 4개의 스위치는 그들의 다른 위치에 존재하게 된다. 따라서, 도시된 스위치 위치에서는, 전극 56-60이 모두 접지에 접속되어, 변화하는 전압이 전극 51 내지 55로 인가된다. 전극 51 및 55에 인가된 전압은 V0+ΔV이고, 전극 53 및 54에 인가된 전압은 V0-ΔV이며, 직렬 배치를 거쳐 전극 52에 인가된 전압은 V0가 된다. 이들 전압은, 광축(35)에 대해 도 5의 좌측으로 어긋난 코마 파면 수차가 도입되도록 하는 것에 해당한다. 위치 신호(34)의 부호가 반대가 되면, 전극 51 내지 55는 접지에 연결되고, 변화하는 전압이 전극 56 내지 60에 인가된다. 결과적으로 얻어진 코마 파면 수차는 축(35)에 대해 우측으로 어긋난다. 소정의 전압 V0의 값은 수차 보상기(27), 특히 액정 재료의 특성에 의존하며, 보상기의 응답이 ΔV에 비례하도록 선택된다.
도 6b는 제어회로(28)의 또 다른 실시예를 나타낸 것이다. 기울기 신호(32)가 전압-전압 변환기(161)에 대한 입력신호로 사용되며, 이 변환기는 그것의 출력에서 기울기의 양에 비례하는 값 1/2ΔV를 갖는 제 1 제어신호를 출력한다. 기울기 신호(32)와 위치 신호(34)가 승산기(160)에 대한 입력으로 사용되며, 이 승산기는 그것의 출력에서 값 1/2(x/x0)ΔV를 갖는 제 2 제어신호를 출력하는데, 이때 x는 대 물계의 변위에 비례하며 x0는 대물계의 최대 변위이다. 제 1 및 제 2 제어신호는 가산기(162)로 공급되어, 2개의 출력신호 ΔV1 = 1/2ΔV-1/2(x/x0)ΔV와 ΔV2 = 1/2ΔV+1/2(x/x0)ΔV를 생성한다. 전압 발생원(165)은 가산기(163)로 기준전압 V0을 공급한다. 또한, 이 가산기는 출력으로 신호 ΔV1과 ΔV2를 갖고, 값 V0-ΔV 1, V0+ΔV1, V0-ΔV2 및 V0+ΔV2를 갖는 4개의 신호를 생성한다. 구형파 발생기(166)는, 고정된 진폭과, 바람직하게는 1 내지 10 kHz 사이의 범위에 놓이는 소정의 주파수를 갖는 구형파 신호를 공급한다. 구형파 신호와 4개의 신호가 승산기(164)에 대한 입력으로 사용된다. 이 승산기는 수차 보상기(27)에 접속되는 4개의 AC 제어신호 V1 내지 V4를 출력한다. 이들 AC 제어신호 각각은 구형파 형태와 제로 평균값을 갖는다. 이들 신호 V1 내지 V4의 피크-피크 진폭은 각각 V0-ΔV1, V0+ΔV1, V0-ΔV2 및 V0+ΔV2이다. 신호 V1과 V2는 동일한 위상을 갖고, V3 및 V4 도 마찬가지이다. 이들 신호의 2개의 그룹은 동일한 위상을 갖거나, 서로 180°위상이 어긋날 수 있다. V0, ΔV1 및 ΔV2의 진폭은 수차 보상기의 특성과 이들 신호의 그룹들 간의 위상에 의존하며, 보상기의 응답이 ΔV1과 ΔV2에 비례하도록 선택된다.
본 실시예의 수차 보상기에 있어서 수차의 적절한 상쇄는, 전극층 42 및 43 내부의 2가지 전극 구조 간의 변위가 대략 대물계(11)의 최대 피크-피크 변위의 절반과 동일한 것을 요구한다. 대물계의 최대 피크-피크 변위가, 예를 들어 -400 내 지 +400㎛인 경우에, 전극 구조들간의 변위는 바람직하게는 400㎛이다.
수차 보상기(27)에 의해 도입된 파면 수차와 코마수차에 대한 제르니케 다항식 사이의 일치는, 전극층 42 및 43 내부의 전극의 수를 증가시킴으로써 향상될 수 있다. 도 7은 수차 보상기(27)에서 사용될 수 있는 전극 구조를 나타낸 것이다. 이들 전극은, 한 전극 아래의 액정 재료의 굴절률로부터 인접하는 전극 아래의 액정 재료의 굴절률로의 매끄러운 전이를 일으키는, 작은 간격을 갖는 일련의 복수의 작은 스트립을 구성한다. 이들 전극들 사이의 위상 변화의 축소는, 대물계(11)가 중심을 벗어나 위치하더라도, 고차 수차를 줄인다. 도 7에 도시된 것과 같이 반경이 증가함에 따라 감소하는 본 실시예의 전극들의 특정한 폭은, 전극들이 전극의 스트립에 따라 선형 증가하는 전압을 사용하여 제어될 수 있도록 한다. 2N+1개의 스트립이 -N, -N+1, …, 0, 1, …, N으로 증가하는 색인을 사용하여 연속적으로 번호가 붙여지면, 색인 j를 갖는 스트립은 다음 식을 만족하는 (x,y) 평면 내의 영역을 커버한다:
Figure 112001021105857-pct00001
W31(x,y)=(x2+y2)은 코마수차에 대한 자이델 다항식이고, x, y는 수차 보상기의 평면에 있는 방사빔의 단면에서의 정규화된 좌표이며, 이때 x는 대물계의 변위 방향에 존재한다. 이와 같은 전극 구조는 수차 보상기를 통과하는 빔 내부에 코마 파면 수차를 도입한다. 이 수차는 제르니케 형태를 갖는 것이 아니라, 자이델 형태를 갖는데, 이 형태는 각각의 전극이 빔의 단면 외부에서 접속을 갖는 더욱 간단한 레이아웃의 전극과, 더욱 간단한 구성의 제어전압에 해당하는 이점을 갖는다. 자이델 수차를 사용할 때 방사빔(10) 내부에 본질적으로 도입되는 기울기와 초점 흐려짐은, 상기한 장치의 초점 및 반경반향의 트랙킹 서보에 의해 자동으로 보상된다.
도 7에 도시된 전극 구조(67)는 전극층 42 및 43 모두에서 사용될 수 있으며, 도 4b에 도시된 것과 같이 서로에 대해 변위될 수 있다. 이 2개의 전극층에 있는 전극들의 전압의 제어는 도 6a 및 도 6b에 도시된 것과 유사한 제어회로에 의해 수행될 수 있다. 또 다른 실시예에 있어서, 전극 구조(67)는 전극층 42 내부에 배치되고 광축(35) 상에 중심이 놓인다. 전극층 43은 방사선(10)의 전체 단면을 커버하는 단일 전극을 구비하고 일정한 전위로 설정된다. 전극 구조가 한 전극으로부터 다음 전극으로 선형 증가하는 전압에 의해 제어되면, 이 전극 구조는 중심이 맞추어진 코마 파면 수차를 일으킨다. 대물계(11)가 중심을 벗어났을 때 필요한 비점수차는, 도 8에 도시된 것과 같은 전극의 비대칭 제어에 의해 도입될 수 있다. 도 8은 전극 번호의 함수로써 전압을 나타낸 것으로, 이때 전극 번호 제로값은 전압 V0로 설정된 전극 구조의 중앙 전극에 해당한다. 실선 68은 중심이 맞추어진 코마수차의 발생을 위해 선형 증가하는 전압을 나타낸 것이다. 점선 69는 코마수차와 비점수차를 동시에 발생하기 위한 전압을 나타낸 것이다.
도 7에 도시된 것과 같은 전극 구조(67)는 비교적 큰 수의 전압이 제어회로(28)에 의해 발생되도록 요구한다. 전극 구조가 필요한 전압을 형성하는 복수의 저항의 직렬 배치를 구비한 경우에는, 제어회로에 의해 발생되어야 하는 전압의 수가 줄어들 수 있다. 도 7은 복수의 저항(70)으로 구성된 직렬 배치를 나타 낸 것으로, 이 배치는 중앙 단자(71)와 2개의 양단 단자(72, 73)를 구비한다. 이 3개의 단자 71, 72 및 73은 도 8a에 실선 68로 나타낸 선형 전압과 점선 69로 나타낸 전압에 의한 제어 모두를 허용한다. 단자 수가 증가되면, 더욱 정밀한 제어가 달성될 수 있다. 양단 단자 72 및 73에 가해진 전압은 중앙 단자(71) 상의 전압 V0에 대해 비대칭으로 선택될 수 있다. 따라서, 스트립 j 상의 전압 Vj는 다음과 같이 쓸 수 있다:
Figure 112001021105857-pct00002
이때, 대물계의 변위가 존재하지 않는 경우에, ΔV는 (V+N-V-N)/2N과 같다. 기울기 신호의 한 개의 부호에 대해 비대칭 인자 p+는 j≥0에 대해 사용되고 p-는 j<0에 대해 사용되며, 기울기 신호의 나머지 부호에 대해서는 p_가 j≥0에 대해 사용되고 p+가 j<0에 대해 사용된다. 이들 인자의 값은 도 8b에 나타낸 것과 같이 변위 d에 의존하는데, 이때 실선은 p+의 값을 나타내고 점선은 p_의 값을 나타낸다.
도 9는 복수의 저항의 직렬 배치가 전극층의 도전층 내부에 집적된 전극 구조를 나타낸 것이다. 이 실시예는, 작은 비도전성 스트립에 의해 분리된 5개의 전극(76-80)을 갖는다. 3개의 단자(81, 82, 83)는 도전층의 스트립으로 형성되고 이들 단자 사이에 직렬 접속된 4개의 저항(84)에 의해 접속된다. 저항(84)을 구성하는 스트립의 폭을 줄임으로써 높은 저항이 얻어질 수 있다. 5개의 탭(tap)은 이들 저항을 전극과 연결한다.
도 10은 수차 보상기(27)의 전극 구조의 또 다른 실시예를 나타낸 것이다. 이 구조는 도 7에 도시된 구조물과 유사한 코마수차 발생을 위한 구조물(88)을 구비한다. 이 구조물(88)의 개별적인 스트립은 스트립 89의 형태를 갖는 탭에 의해 저항 미로(maze)(90)에 접속된다. 이 미로는 연속된 복수의 탭(89) 사이에 동일한 값의 저항을 구성한다. 제어전압은 단자 91, 92 및 93을 거쳐 이 구조에 인가된다. 이와 달리, 이 미로의 스트립들은 구조물(88) 주위에 배치될 수도 있다.
도 11은 도 7에 도시된 실시예와 유사한 수차 보상기(27)의 전극 구조의 일 실시예(67')를 나타낸 것이다. 복수의 저항의 직렬 배치가 투명 전극에 집적된다. 인접하는 전극 79' 및 80'은, 저항으로서의 역할을 하고 전극들과 동일한 물질로 제조되며, 전극들을 분리하는 비도전성 중간 영역(82')에 거의 평행하게 연장되는 작은 스트립(81')에 의해 연결된다. 이와 같은 복수의 저항의 배치는, 복수의 저항이 방사빔의 단면 외부의 구조물 내에 어떠한 공간을 필요로 하지 않기 때문에, 전극 구조를 비교적 작게 유지할 수 있다는 이점을 갖는다. 더구나, 이들 저항은 전극들에 의해 발생된 전기장 패턴의 비교적 적은 교란만을 제공한다. 중앙 전극과 2개의 외부 전극에 접속된 3개의 단자(71', 72', 73') 상의 전압은, 도 7에 도시된 단자 71, 72 및 73 상의 전압과 동일하게 각각 제어될 수 있다.
상기한 미로 내부의 구성요소의 저항은, 허용가능한 작은 레벨의 손실을 확보할 수 있을 정도로 충분히 커야 하며, AC 전압의 주기보다 훨씬 작은 셀의 RC 시간을 확보할 수 있을 정도로 충분히 작아야 한다.
기록매체(1)의 기울기에 의해 발생된 코마수차는, 중심이 맞추어진 코마수차 와 중심이 맞추어진 비점수차를 도입하는 수차 보상기에 의해 보상될 수도 있다. 이를 위해, 수차 보상기(27)는, 중심이 맞추어진 코마수차를 도입하기 위한 전극 구조를 갖는 전극층 42와, 중심이 맞추어진 비점수차를 도입하기 위한 전극 구조를 갖는 전측층 43을 구비한다. 중심이 맞추어진 코마수차에 대한 전극 구조는, 도 4에 도시된 전극 구조(42)와 유사하지만, 광축(35)의 교점(50) 상에 중심이 놓인다. 또한, 중심이 맞추어진 코마수차는 도 7에 도시된 전극 구조(67)에 의해서도 도입될 수 있다.
도 12는 중심이 맞추어진 비점수차를 도입하기 위한 전극층 43 내부의 전극 구조(95)를 나타낸 것이다. 이 전극 패턴은 광축(35) 상에 중심이 놓인다. 전극 구조 내부의 원(96)은 이 구조의 평면에 있는 방사빔의 단면을 표시한다. 양 전극층 내부의 전극들은 빔 단면(96) 내부의 영역에 한정되거나, 빔 단면 외부로 확장될 수 있다. 이 구조(95)는, Z22=x2-y2으로 표시될 수 있는 제르니케 형태로 비점수차를 도입하도록 구성된다. 도면에 정규화된 좌표 x, y를 나타내었다. 이와 같은 비점수차를 위한 제르니케 형태는, 자이델 형태로도 코마수차를 도입하는 수차 보상기에 특히 적합하다. 가장 간단한 형태에서, 이 전극 구조는 중앙 전극(97)과 4개의 측면 전극(98-101)을 구비한다. 이들 전극들 사이의 경계의 위치와 제어전압은 다음과 같이 결정된다. Z22(x,y)>a를 갖는 구조 내부의 점들은 전압 V10=V0'-ΔV로 설정된다. -a<Z22(x,y)<a를 갖는 구조 내부의 점들은 전압 V11=V0'으로 설정된다. Z22(x,y)<-a를 갖는 구조 내부의 점들은 전압 V12=V0'+ΔV로 설정된다. 전압 ΔV는 도입하려는 비점수차의 양에 비례한다. 파라미터 a의 값은 바람직하게는 0.01 내지 0.60의 범위를 가지며, 더욱 바람직하게는, 거의 0.25와 동일하다. 도 12에 도시된 전극 구조는 a=0.25에 근거를 둔 것이다.
도 13은 보상기를 통과하는 방사빔 내부에 코마수차를 도입하는 전극 구조 67과 빔 내부에 비점수차를 도입하는 전극 구조 95 모두를 갖는 수차 보상기의 전기 제어를 위한 제어회로를 나타낸 것이다. 이 제어회로는, 전극 구조가 모두 제르니케 배치 또는 모두 자이델 배치를 갖는 경우에도 사용될 수 있다. 코마수차 구조 67의 제어는 도 6a 및 도 6b에 도시된 제어와 유사하다. 따라서, 전압 변환기(105), 제 1 제어신호(106), 가산기(107) 및 전압 발생원(108)은 도 6a의 대응하는 구성요소 61 내지 64'과 유사하다. 가산기(107)의 DC 출력신호 D4, D5 및 D 6는 도 6a에 도시된 출력신호 D1, D2 및 D3에 각각 대응한다. 비점수차 구조 95의 제어는 기울기 신호(32)와 위치(34)를 입력신호로 사용한다. 승산기(109)는 이들 2개의 신호의 곱을 생성한다. 이 곱은, 파면 보상기(27)와 변위된 대물계(11)에 의해 도입된 중심이 맞추어진 코마수차에 의해 빔 내부로 도입된 비점수차의 측정값에 해당한다. 이 곱은 제 2 제어신호(110)로 출력되어 가산기(111)에 대한 입력으로 사용된다. 전압 발생원(112)은 가산기에 전압 V0'을 공급한다. 가산기는 각각 값 V0'+ΔV, V0', V0'-ΔV를 갖는 3개의 DC 출력신호 D7, D8 및 D9을 갖는다. DC 출력신 호 D4 내지 D9은 승산기(113)에 접속되고, 이 승산기는 출력신호 V7 내지 V12를 생성한다. 도 6a에 도시된 구형파 발생기(64')과 유사한 구형파 발생기(114)는 승산기(113)에 구형파 신호를 공급한다. 이 승산기(113)는 6개의 입력신호 D4 내지 D9의 각각을 구형파 신호와 곱하여, 구형파 발생기(114)의 출력의 파형과 신호 D4 내지 D9에 대응하는 진폭을 갖는 6개의 구형파 출력신호 V7 내지 V12를 각각 발생한다. 출력신호 V7, V8 및 V9은 도 6a에 도시된 출력신호 A1, A2 및 A3와 각각 유사하며, 도 7에 도시된 전극 구조(67)의 단자 71, 72 및 73에 각각 접속된다. 출력 전압 V10은 도 12에 도시된 전극 구조(95)의 측면 전극 98 및 100에 접속된다. 출력전압 V11은 중앙 전극(97)에 접속되고, 출력 전압 V12는 측면 전극 99 및 101에 접속된다.
도 12에 도시된 전극 구조(95)는 도 5에 도시된 직렬 배치와 유사한 복수의 저항의 직렬 배치를 구비할 수도 있다. 측면 전극 99 및 100은 각각 양단 단자에 접속되는 한편, 중앙 전극 97은 중앙 단자에 접속된다. 전극 98 및 100은 도면에 도시되지 않은 도전성 스트립에 의해 접속되며, 이와 마찬가지로 전극 99 및 101이 접속된다. 이들 저항의 직렬 배치는, 중앙 단자와 양단 단자의 각각 사이에서 저항으로서의 역할을 하는 2개의 폭이 좁은 전극 스트립으로 형성된다. 이와 같은 구조는, 도 13에 도시된 제어회로(113)의 제어 전압 V8 내지 V11을 필요로 하지 않는다.
전술한 실시예에 있어서의 수차 보상기(27)는, 대물계(11)의 위치를 고려하 면서, 기록매체(1)의 기울기에 의해 발생된 코마수차를 보상한다. 또한, 예를 들어 기록매체의 투명층(2)의 두께의 변화에 의해 발생된, 예를 들면 구면수차와 같은 코마수차 이외의 수차를 도입하는 보상기에 대해서는 대물계의 위치도 고려대상에 넣을 수 있다. 중심이 맞추어진 구면수차가 도입된 광 빔이 변위된 대물계를 통과하는 경우에는, 이 대물계를 통과한 후의 빔이 변위에 있어서 선형성을 갖는 코마수차와 대물계의 변위에 있어서 2차 방정식을 갖는 비점수차를 겪게 된다. 대물계의 변위에 대해서는, 수차 보상기의 전술한 실시예에 있어서의 정정과 유사한 방법으로 구면수차의 보상이 정정될 수 있다. 수차 보상기의 제 1 변형예는 도 14에 도시된 것과 같이 구면수차를 발생하는 전극 구조를 갖는 제 1 전극층을 구비하는데, 이때 이 전극 구조의 중심은 전극층과 광축(35)의 교점에 대해 변위되며, 제 2 전극층은 구면수차를 발생하기 위한 유사한 전극 구조를 갖지만, 제 1 전극층의 구조에 대해 반대 방향으로 변위된다. 수차 보상기의 제 2 실시예는, 중심이 맞추어진 구면수차를 발생하는 전극 구조를 갖는 제 1 전극층과, 중심이 맞추어진 코마수차를 발생하는 전극 구조를 갖는 제 2 전극층을 구비한다. 이들 2개의 전극 구조는 한 개의 전극층으로 결합될 수도 있다. 수차 보상기의 제 3 실시예는 3개의 전극층과 이들 사이에 있는 2개의 액정층을 구비한다. 한 층은 중심이 맞추어진 구면수차를 발생하는 전극 구조를 구비한다. 제 2 층은 중심이 맞추어진 코마수차를 발생하는 구조를 구비하고, 제 3 층은 중심이 맞추어진 비점수차를 발생하는 구조를 구비한다. 수차 보상기는, 대물계의 위치를 나타내는 위치신호(34)와 기록매체로부터 되돌아온 방사빔 내부의 구면수차 양을 나타내는 신호에 의해 제어된다. 방사빔 내 부의 구면수차를 측정하는 센서에 대해서는, 유럽 특허출원번호 98204477.8(PHN 17.266)에 기재되어 있다.
도 14는 구면수차를 발생하는 전극 구조(116)를 나타낸 것이다. 이 수차의 제르니케 수식은 Z40=6(x2+y2)(x2+y2-1)+1이다. 이들 전극들 사이의 경계와 이들 전극에 인가되는 전압은 다음과 같이 유도될 수 있다. Z40(x,y)>a를 갖는 구조 내의 점, 즉 중앙 영역(117)과 링(121)은 전압 V0-ΔV로 설정된다. -a<Z40(x,y)<a를 만족하는 구조 내의 점, 즉 링 118 및 120은 전압 V0로 설정된다. Z40(x,y)<-a를 갖는 동공(pupil) 내부의 점, 즉 링 119는 전압 V0+ΔV로 설정된다. 파라미터 'a'는 바람직하게는 0.20 내지 0.70의 범위를 갖는다. 도 14에 도시된 전극 구조는, a =
Figure 112001021105857-pct00003
= 0.433이다. 이와 같은 a의 값은, 전압 V0-ΔV가 인가되는 전극과 V0+ΔV가 인가되는 전극에 대해 동일한 표면적으로 제공한다. 구면수차를 발생하는 전극 구조는, 3개의 동심원을 이루는 링을 형성하고 이들에 서로 다른 전압을 인가함으로써 단순화될 수 있다.
전극층을 개별적인 전극들로 적절히 분할하고 제어회로를 이에 대응하여 변형시킴으로써, 구면수차, 코마수차 및/또는 비점수차를 발생하는 전극 구조가 한 개의 전극 구조로 결합될 수 있다. 이 수차 보상기는, 2가지 수차, 예를 들면 코마수차 및 비점수차를 도입하는 한 개의 전극층과, 다른 수차, 예를 들면 구면수차를 도입하는 한 개의 전극층을 구비할 수 있다.
본 발명의 전술한 실시예는 수차 보상기에 관한 것이지만, 본 발명이 이들 실시예에 한정되지 않는다는 것은 명백하다. 본 발명은, 대물계의 가로방향으로의 변위에 대한 정정에 무관하게, 임의의 파면 변형기에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 파면 변형기는 파면 보상기에 한정되는 것은 아니며, 복수의 투명 전극층과 매체의 전기적 여기에 의존하여 파면을 변형하는 매체를 구비한 임의의 광학부재를 포함한다. 이것의 일례는, 파면의 반경이 2차 방정식으로 표현되는 방사빔에 파면 왜곡을 도입하는 파면 변형기를 들 수 있다. 이와 같은 변형기는 주사장치에 사용될 수 있는데, 이때 대물계는 느리면서도 큰 초점의 축방향 이동을 제공하고, 파면 변형기는 빠르면서도 작은 초점의 축방향 변화를 제공한다. 마찬가지로, 파면 변형기는 방사빔 내부에 기울기를 도입하여, 초점에 의해 따르게 될 트랙에 수직한 방향으로 초점의 작은 변위를 가능하게 할 수 있다. 대략적인 이동에 덧붙여, 이와 같은 미세 이동은, 대물렌즈 또는 전체 광학 헤드의 변위에 의해 달성될 수 있다.

Claims (5)

  1. 제 1 및 제 2 투명 전극층과, 상기 전극층사이에 배치되어 전기적 여기에 따라서 파면을 변형하는 매체를 구비하고, 상기 제 1 전극층이 투명한 도전성 물질로 이루어진 3개 이상의 전극을 구비한 변형기를 통과하는 광 빔의 파면을 변형하는 광학 파면 변형기에 있어서,
    상기 제 1 전극층은 저항의 직렬 배치를 구비하고, 상기 전극들이 상기 저항의 직렬 배치에 전기적으로 접속되며, 상기 저항이 투명한 도전성 물질로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 파면 변형기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전극층은 상기 저항의 직렬 배치에 전기적으로 접속된 3개의 단자를 구비한 것을 특징으로 하는 광학 파면 변형기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전극들은 자이델 형태로 파면 변형을 부여하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 파면 변형기.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 저항의 직렬 배치는 상기 전극들 내부에 집적된 것을 특징으로 하는 광학 파면 변형기.
  5. 방사빔을 발생하는 방사원과, 투명층을 통하여 정보층 상의 초점에 방사빔을 집속시키는 대물계와, 기록매체로부터 방사선을 가로채는 검출계를 구비하고, 정보층을 갖는 광 기록매체를 주사하는 주사장치에 있어서,
    청구항 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광학 파면 변형기가 방사원과 검출계 사이의 광 경로에 배치된 것을 특징으로 하는 주사장치.
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