KR100745992B1 - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 제1 방향으로 연장되어 있고, 소자 분리막에 의해 분리되어 있으며, 표면이 제1 절연막으로 덮여 있는 다수개의 액티브 패턴을 구비하는 반도체 기판을 제공하고,상기 제1 방향으로 이웃하는 상기 액티브 패턴 사이에 위치하는 상기 소자 분리막을 식각하여 제1 홈을 형성하고,상기 제1 홈을 보호막으로 매립하고,상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 상기 액티브 패턴 사이에 위치하는 상기 소자 분리막을 식각하여 상기 액티브 패턴의 양측면의 적어도 일부를 노출하는 제2 홈을 형성하고,상기 제1 홈 내의 상기 보호막을 제거하고,상기 제2 홈의 적어도 일부를 메우며 상기 제2 방향을 따라 연장되는 게이트 라인을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 제1 홈을 보호막으로 매립하는 것은,상기 제1 홈이 형성된 상기 반도체 기판 상에 보호막용 물질층을 적층하고,상기 소자 분리막 및 상기 제1 절연막이 노출되도록 상기 보호막용 물질층을 연마하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,상기 연마는 상기 보호막용 물질층에 대한 연마 속도가 상기 제1 절연막의 연마 속도보다 큰 슬러리를 이용하여 진행되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제3 항에 있어서,상기 보호막용 물질층은 폴리 실리콘을 포함하고, 상기 제1 절연막은 질화 실리콘을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,상기 제1 홈의 깊이는 상기 제1 절연막의 두께보다 작은 반도체 소자의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,상기 제2 홈의 깊이는 상기 제1 절연막의 두께보다 큰 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 제2 홈은 상기 제2 방향을 따라 노출 영역을 갖는 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 형성되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 보호막의 제거 후 또는 제거와 동시에 상기 제1 절연막을 제거하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,상기 보호막의 제거는 이방성 식각으로 이루어지는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1 방향으로 연장되어 있고, 소자 분리막에 의해 분리되어 있으며, 표면이 제1 절연막으로 덮여 있는 다수개의 액티브 패턴을 구비하는 반도체 기판을 제공하고,상기 제1 방향으로 이웃하는 상기 액티브 패턴 사이에 위치하는 상기 소자 분리막을 식각하여 제1 홈을 형성하고,상기 제1 홈을 제1 보호막 및 제2 보호막으로 매립하고,상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 상기 액티브 패턴 사이에 위치하는 상기 소자 분리막을 식각하여 상기 액티브 패턴의 양 측면의 적어도 일부를 노출하는 제2 홈을 형성하고,상기 제1 홈 내의 상기 제2 보호막 및 제1 보호막을 제거하고,상기 제2 홈의 적어도 일부를 메우며 상기 제2 방향을 따라 연장되는 게이트 라인을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서, 상기 제1 홈을 제1 보호막 및 제2 보호막으로 매립하는 것은,상기 제1 홈이 형성된 상기 반도체 기판 상에 제1 보호막용 물질층 및 제2 보호막용 물질층을 순차적으로 적층하고,상기 소자 분리막 및 상기 제1 절연막이 노출되도록 상기 제2 보호막용 물질층 및 상기 제1 보호막용 물질층을 연마하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 연마는 상기 제2 보호막용 물질층에 대한 연마 속도가 상기 제1 보호막용 물질층 및 상기 제1 절연막의 연마 속도보다 큰 슬러리를 이용하여 진행되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제12 항에 있어서,상기 제2 보호막용 물질층은 폴리 실리콘을 포함하고, 상기 제1 보호막용 물질층 및 상기 제1 절연막은 질화 실리콘을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 제1 홈에 매립된 상기 제2 보호막의 두께는 상기 제1 보호막의 두께보다 큰 반도체 소자의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 제1 홈의 깊이는 상기 제1 절연막의 두께보다 작은 반도체 소자의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 제2 홈의 깊이는 상기 제1 절연막의 두께보다 큰 반도체 소자의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,상기 제2 홈은 상기 제2 방향을 따라 노출 영역을 갖는 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 형성되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,상기 제1 보호막의 제거 후 또는 제거와 동시에 상기 제1 절연막을 제거하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제12 항에 있어서,상기 제2 보호막의 제거는 이방성 식각으로 이루어지는 반도체 소자의 제조 방법.
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