KR100742858B1 - 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법 - Google Patents

접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법 Download PDF

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Abstract

HMDSO(Hexamethyldisiloxane)의 전구체를 이용하여 접착성이 개선된 실리콘 산화피막을 증착하는 연소화학기상증착(CCVD) 방법을 제공한다.
이 연소화학 기상증착방법은 전구체의 증기상을 캐리어 가스에 의해 버너로 이송하고 연소열의 화염에 의해 기판에 증착하는 연소화학 기상증착 방법에 있어서,
상기 버너에서 연소열은 연소가스 대비 산화가스의 투입비를 10:190-10:210로 하여 확보하고,
상기 전구체는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)이고, 상기 산화가스에 대한 전구체의 증기상을 포함하는 캐리어가스의 투입량은 210:0.8-210:3.2로 하여
상기 화염의 다크프레임 영역에서 기판에 증착하는 것을 포함하여 이루어지는 것이다.
연소화학 기상 증착, 실리콘 산화피막, HMDSO, 접착성

Description

접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착 방법{Method for Combustion Chemical Vapor Deposition to enhance adhesion of silicon oxide flim}
도 1은 본 발명이 적용되는 연소화학 기상증착 장치의 개략도이다.
유럽특허공보 737729
미국특허공보 5449414
미국특허공보 4364731
미국특허공보 5652021
미국특허공보 4600390
본 발명은 연소화학기상증착법에 의해 유기실란을 실리콘 산화피막으로 증착하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, HMDSO(Hexamethyldisiloxane)의 전구체를 이용하여 실리콘 산화피막의 접착성을 개선하는 방법에 관한 것이다.
금속이나 플라스틱 등 각종 물질의 표면에 표면보호와 기능성, 내구성 및 색상부여 등을 목적으로 유기 또는 무기 물질을 이용한 코팅 혹은 접착성 필름을 이용한 라미네이팅을 실시하게 된다. 이러한 코팅 혹은 접착이 잘 이루어지기 위해서는 기본적으로 접착층과 피착제 표면과 친화성이 우수하여 강한 접착이 이루어져야 한다.
이러한 접착성 개질을 위한 방법으로 다층의 유무기 접착층을 도입하거나 유기실란을 이용한 표면활성화 방법을 이용하고 있다. 또는 플라즈마를 이용한 표면처리를 통해 접착력을 증대시키는 시도도 있다. 금속표면의 경우에는 크로메이트 혹은 인산염 처리를 통해 표면에너지를 높여서 접착성을 높이는 방법이 이용되고 있다. 플라스틱의 경우는 일부 고온의 화염처리를 통한 표면활성화를 이용하여 접착성을 높이는 방법을 이용하기도 한다.
이종물질간의 접착을 위해 다층의 접착층을 도입하는 것은 제품의 처리비용과 공정의 증가 그리고 제품 다양화가 힘들어 생산성과 경제성에서 문제가 되고 있다. 유기실란을 이용한 접착력 향상은 수분에 약한 실록산 결합에 의해 접착력에서 문제를 가지고 있다.
접착성 향상을 위해 피착제의 표면에 크로메이트 처리 흑은 금속 인산염 처리를 하고 있다. 피착제의 표면에 산화크롬 혹은 인산염의 부동태 피막을 형성하여 접착 성 뿐만 아니라 기타 표면 특성부여를 위해서 많이 사용되고 있다. 그러나, 이러한 표면처리방법은 처리 폐액이 발생하게 되고 이 폐액은 심각한 환경공해를 유발하는 물질로 인식되고 있다. 따라서, 크로메이트와 금속인산염 화학처리를 대체할 수 있는 처리법을 찾거나 개발 중인 추세이다. 그 대표적인 예가 유럽특허 737729와 미국특허 5449414가 있다.
유럽특허 737729에는 수용성 Polyacrylic Acid와 이것의 가교를 위한 2가 금속수산화물(Ca(OH)2, Ba(OH)2, etc), 아민화합물 그리고 금속과의 부착력 향상을 위한 mono acid, fluoride 등으로 이루어진 조성으로 도금강판 표면에 화학처리 피막을 형성하는 기술이 제안되어 있다. 이 기술에 의한 표면처리 피막은 두께가 1㎛ 이상으로 접착성 개선 도막으로 적용하기엔 비교적 두꺼우며, 내수성이 매우 약하고 깨어지기 쉬운 도막을 형성하여 실제 접착성 개선 표면화학처리법으로의 사용이 매우 힘들다.
미국특허 5449414에서는 4A족 전이금속 불소화합물 음이온과 기타 전이금속 양이온을 이용해서 금속의 표면에 화학처리를 하여 우수한 내식성과 라커 밀착성을 확보할 수 있다고 주장하고 있다. 이 처리법은 금속표면의 에칭에 의해 표면에너지를 높이는 방법으로 화학처리액 자체와 금속표면과의 접착성(wetting)이 충분하지 않아 피막형성이 힘들어 접착성 개선을 위한 화학처리제로는 사용에 어려움이 있다.
한편, 상기한 습식코팅방법과 달리 건식코팅법을 이용하는 기술들이 알려져 있다.
건식법은 습식법과는 달리, 고체의 물질을 기화하여 피도체의 표면에 흡착을 시키거나 기상의 반응물을 열이나 플라즈마 등의 에너지를 이용해 도막을 형성시키는 방법이다. 따라서, 액상의 반응에 의한 코팅기술에 비해 도막의 결정구조나 방향, 두께 등의 조절이 가능하며, 고기능성의 피막을 얻을 수 있는 장점이 있다.
건식법은 크게 물리적 기상 증착 (Physical Vapor Deposition, PVD)기술과 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 기술로 분류될 수 있다.
PVD는　최근 개발된 매우 진보된 형태의 획기적인 표면처리법이나 고속으로 넓은 면적을 처리하기 위한 기술개발이 아직 되어있지 않다. 따라서, 고속처리의 일반제품으로의 적용이 힘들어 고부가가치의 반도체 산업에만 쓰이고 있는 실정이다.
CVD는 목적으로 하는 박막의 구성원자를 포함하는 원료가스를 기판이 놓여진 공간에 공급하여 원료 가스분자의 화학반응 혹은 분해를 통하여 기상 및 기판 표면에서의 화학반응으로 박막을 형성하는 기술이다. CVD에서는 대기압하에서 증착하는 연소열을 에너지원으로 하여 전구체의 기화, 분해, 산화하여 증착하는 기술로 연소화학 기상증착법(이하, 간단히 CCVD라고도 표기함)이 있다.
미국특허 4364731에서는 PVD 기법 중 스퍼터링(sputtering)등의 방법을 이용해 실리카나 알루미나 등의 산화물피막을 피도체에 형성하고 유기실란을 다음에 처리하여 유기수지와의 접착을 높이는 방법이 제안되어 있다. 이 경우 진공이 요구되는 PVD 방법을 이용해 산화물피막을 형성하므로 공정이 복잡하고 비용이 많이 들며 유기수지와의 접착을 위해 다시 산화피막 위에 적용유기수지와 반응성이 있는 유기실란을 처리 하므로서 비용증대와 실란 선정에 어려움이 있다.
미국특허 5652021에서는 전구체(precursor)를 유기용매에 녹여 산소 혹은 공기와 연소시킴으로서 산화물피막을 형성하는 CCVD처리방법과 장비가 제안되어 있다. 이 방법에 의하면 다양한 형태의 산화피막을 형성할 수 있으며, 산화피막 이외 여러 물질의 코팅도 가능하다. 그러나 이 기술은 CCVD의 의해서 형성된 산화피막과 기타 코팅 자체의 특성에 초점을 두고 있어 부가적인 용액상의 코팅과 접착성, 부착력향상에 관해서는 문제해결 방법을 제시하지 못하고 있다.
미국특허 4600390에서는 금속의 보철물에 유기실란을 전구체로 이용하여 CCVD에 의한 실리콘 산화물 코팅과 유기실란 처리를 하여 치과의료용 플라스틱의 접착을 향상시키는 방법에 대해서 CCVD 장비와 처리조건 등을 제시하고 있다. 그러나 이 발명은 실리콘 산화물과 유기실란 처리를 이용해 플라스틱 성형물을 접착시키기 위한 목적에 국한되며, 접착성의 개선에 범용적으로 이용하기는 어렵다.
본 발명은 CCVD 기술을 이용해 실리콘 산화물의 피막을 형성하고 이로 인해서 피착제 표면의 반응성 및 나노 크기의 미세 조도를 높여서 보호피막이나 기능성 부여 를 위한 코팅 및 접착성 필름에 대한 접착성을 증대시킬 수 있는 CCVD 처리방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 연소화학 기상증착 방법은, 전구체의 증기상을 캐리어 가스에 의해 버너로 이송하고 연소열의 화염에 의해 기판에 증착하는 연소화학 기상증착 방법에 있어서,
상기 버너에서 연소열은 연소가스 대비 산화가스의 투입비를 10:190-10:210로 하여 확보하고,
상기 전구체는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)이고, 상기 산화가스에 대한 전구체의 증기상을 포함하는 캐리어가스의 투입량은 210:0.8-210:3.2로 하여
상기 화염의 다크프레임 영역에서 기판에 증착하는 것을 포함하여 이루어지는 것이다.
본 발명에서 실리콘 산화피막의 형성은 2-3회 행하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 상기 캐리어 가스와 산화가스는 공기가 가장 바람직하다. 또한, 상기 기판은 금속, 비금속, 플라스틱 등이 적용될 수 있으며, 강판과 같은 대형 판상도 적용될 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
연소화학 기상증착방법에 적용되는 장치의 개략도가 도 1에 제시되어 있다. 도 1은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공은 하나의 예시로서, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 도면에서의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되어 표현된 것이다. 도 1에서 공기는 산화가스로도 이용되고, 전구체의 캐리어 가스로도 이용되도록 구성된 것이다.
CCVD장치는 크게 원료공급부, 콘트롤부, 버너, 기판 이송부로 구성된다.
콘크롤부는 증착물질의 원료가 되는 전구체의 증발 그리고, 전구체 증기의 공기중 포화상태로의 공급하는 기능(캐리어가스 공급)을 한다. 또한, 전구체의 화학적 반응에너지의 원천이 되는 연소에너지의 발생을 위한 산화가스와 연소가스의 공급량을 조절하는 기능을 한다.
버너는 콘트롤부에서 공급되는 산화가스와 연소가스를 연소하면서 유입되는 전구체의 화학적 반응에 의해 증착물질을 생성, 증착이 이루어지게 하는 기능을 한다.
기판 이송부는 증착이 되는 피도체를 버너의 화학반응이 일어나는 화염(flame)속으로 일정속도로 운반하여 증착이 되게 한다. 여기서 기판은 금속, 비금속, 플라스틱 등 특별히 재질에 제한이 없으며, 강판과 같은 대형의 판상도 적용될 수 있다.
이러한 CCVD공정에서 생성되는 실리콘 산화피막의 특성은 여러 가지 조업조건에 의해 결정된다. 본 발명에서는 전구체로서 HMDSO를 이용하여 실리콘 산화피막을 형 성할 때 접착성에 영향을 미치는 다양한 인자의 검토를 통해 최적의 조업조건을 도출하는데 특징이 있다. 전구체로서 HMDSO를 이용하여 수산화기(hydroxyl)를 다량 함유한 실리콘 산화피막이 형성된다. 이 피막은 피착제 표면의 반응성, 나노크기의 미세조도를 높여서 보호피막이나 기능성 부여를 위한 코팅 및 접착성 필름에 대한 접성이 증대되는 것이 요구된다.
버너에서의 연소열은 연소가스 대비 산화가스의 투입비에 의해 결정된다. 본 발명에서는 연소가스: 산화가스의 비를 10:190-10:210로 하여 연소열을 확보한다. 공급되는 산화가스의 량이 적으면 처리에 충분한 화염을 얻을 수 없으며, 너무 많으면 화염의 온도가 너무 높아 피도체의 표면에 손상을 줄 수 있다. 연소가스(LPG)의 공급량이 적으면 화염을 일으키기가 힘들고 너무 많으면 불완전 연소에 의해 불량한 처리를 가져 오거나 화염의 유지가 힘들다.
CCVD에서는 전구체의 증기상을 캐리어 가스에 의해 버너로 이송한다. 이때 전구체의 증기상을 포함하는 캐리어가스의 공급량은 산화가스와의 공급비로 조절한다. 즉, 산화가스에 대한 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)를 포함하는 캐리어가스의 공급비를 210:0.8-210:3.2로 하는 것이다. HMDSO를 포함하는 캐리어가스의 공급량이 적으면 특성을 가지는 피막두께를 얻기가 힘들다. 또한, HMDSO를 포함하는 캐리어가스의 공급량이 과다할 경우 증착입자의 거대화를 가져와서 효율적이고 치밀한 피막형성이 어려움과 동시에 피도체 표면에 증착층을 이루지 못하고 소모되는 HMDSO 의 량이 늘어나 경제적으로도 좋지 못하다.
CCVD에서 화염(flame)은 색갈에 따라 크게 2개의 구역으로 나눌 수 있다. 고온의 플라즈마 상태인 블루 블라이트(blue bright) 영역과 다크 프레임(dark flame)영역으로 구분한다. 본 발명에 따라 접착성의 확보측면에서는 다크프레임 영역에서 증착처리하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 버너에서 기판까지의 거리가 7mm초과-50mm이내로 하여 증착 처리하는 것이다.
본 발명에서 캐리어가스와 산화가스는 공기가 가장 바람직하다. 또한, 연소가스는 LPG, LNG 등이 적용될 수 있다.
본 발명에서는 실리콘 산화피막의 증착 처리 횟수는 15회이내 보다 바람직하게는3-15회로 하는 것이다. 처리횟수가15회를 초과하더라도 접착성의 증가는 그리 크지 않다.
상기한 본 발명의 조업조건은 300mm버너에서 산화가스의 공급유량을 180-255 l/min의 조건으로 변화시키면서 각 조업조건을 도출한 것이다. 물론, 버너의 조건이 달라지면 이러한 조건은 변화하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 300mm버너에서 도출되는 조업조건을 상대적으로 정하여 버너의 크기가 변한다 하더라도 본 발 명의 조건은 적용 가능한 것이다.
본 발명에서 기판은 특히, 금속판(강판)이 바람직하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
냉연강판에 대해 300mm 길이의 버너에서 표 1과 같이 공기와 LPG의 공급조건(연소열)에 따라 강판의 온도를 측정하였다. 그 결과는 표 1에 나타나 있다.
공기 (l/min) 180 195 210 210 210 210 210 225 240 255
LPG (l/min) 8.6 9.3 9.6 10 10.5 11.0 11.7 10.7 11.4 12.0
화염 형성능 O O X O O O X O O O
연소가스 대 공기의 공급비율 10:210 10:210 10:220 10:210 10:200 10:190 10:180 10:210 10:210 10:210
구분 산화가스의 공급량 (l/min) 전구체를 포함하는 캐리어가스의 공급량 (l/min) 산화가스 대 전구체를 포함하는 캐리어가스의 공급비율
A1 210 0.8 210:0.8
A2 210 1.6 210:1.6
A3 210 3.2 210:3.2
No. 처리횟수 기판 이송속도 (MPM) P/C flow (l/min) 버너로부터 기판까지의 거리 (mm) 테이프 박리력 접착제 파괴
B1 0 0 0 0 0.23kg/25mm 계면박리
B2 3 60 1.6 40 0.72kg/25mm 9.4kg/25mm
B3 6 60 1.6 40 0.99kg/25mm 10.2kg/25mm
B4 10 60 1.6 40 1.21kg/25mm 9.9kg/25mmm
B5 15 60 1.6 40 1.39kg/25mm 10.7kg/25mm
B6 17 60 1.6 40 1.22kg/25mm 9.9kg/25mm
B7 6 60 0.8 40 0.82kg/25mm 9.7kg/25mm
B8 6 60 3.2 40 0.91kg/25mm 부분박리
B9 6 60 0.8 7 0.77kg/25mm 부분박리
B10 6 60 1.6 7 0.92kg/25mm 9.9kg/25mm
B11 6 60 3.2 7 0.89kg/25mm 부분박리
표 3에는 처리횟수 등의 조건에 따른 접착성의 실험결과가 제시되어 있다. CCVD 처리횟수가 늘어갈수록 산화실리콘 도막이 두꺼워지고 수산화기가 증대할수록 접착력이 우수해 진다. 표 3에서 처리횟수가 3회에서 15회까지는 테이프 박리력 테스트 결과에서 알 수 있듯이, 접착력이 증대 하나 17회 이상에서는 접착력이 오히려 떨어진다. 전구체(HMDSO)의 투입량은 공기투입량 210L/min대비 0.8L/min에서 3.8L/min까지 접착력에 증대를 가져 왔다. 0.8L/min 이하에서는 증착속도가 느려서 충분한 도막을 얻기가 힘들어 접착력이 상대적으로 약했다. 3.2L/min이상에서는 너무 거대한 입자가 형성되어 고체표면에 밀착하지 못하고 쌓여만 있다가 오히려 접착에 유해요소로 작용할 수 있어 접착력 증대가 약화 되었다.
보통 버너에서 일정거리까지의 화염의 영역은thermal plasma영역이 되고 더 먼거리의 영역은 산소의 유입이 많아져서 산화영역이 되어 상대적으로 큰 증착입자가 형성된다. 처리거리가 가까운 7mm 이내의 thermal plasma영역에서는 치밀한 도막이 형성되어 오히려 먼거리에 형성된 큰입자에 의한 조도가 큰 도막보다 접착력이 약화되는 현상이 나타났다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 접착성의 개선효과가 뛰어나 특히, 금속표면의 코팅 등의 산업분야의 적용에 매우 유용함을 알 수 있다.

Claims (5)

  1. 전구체의 증기상을 캐리어 가스에 의해 버너로 이송하고 연소열의 화염에 의해 기판에 증착하는 연소화학 기상증착 방법에 있어서,
    상기 버너에서 연소열은 연소가스 대비 산화가스의 투입비를 10:190-10:210로 하여 확보하고,
    상기 전구체는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)이고, 상기 산화가스에 대한 전구체의 증기상을 포함하는 캐리어가스의 투입량은 210:0.8-210:3.2로 하여
    상기 화염의 다크 프레임 영역에서 기판에 증착하는 것을 포함하여 이루어지는 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 증착은 버너에서 기판까지의 거리를 7-50mm로 하여 처리하는 것을 특징으로 하는 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 산화피막의 증착 처리는 3-15회 행하는 것을 특징으로 하는 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법.
  4. 제 1항 에 있어서, 상기 캐리어 가스와 산화가스는 공기임을 특징으로 하는 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 금속판임을 특징으로 하는 접착성이 우수한 실리콘 산화피막의 연소화학 기상증착방법.
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US8197908B2 (en) * 2008-03-14 2012-06-12 Hestia Tec, Llc Method for preparing electrically conducting materials

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858465A (en) 1993-03-24 1999-01-12 Georgia Tech Research Corporation Combustion chemical vapor deposition of phosphate films and coatings
JP2000164460A (ja) 1998-11-23 2000-06-16 Microcoating Technologies Inc 薄膜コンデンサの形成法
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858465A (en) 1993-03-24 1999-01-12 Georgia Tech Research Corporation Combustion chemical vapor deposition of phosphate films and coatings
US6193911B1 (en) 1998-04-29 2001-02-27 Morton International Incorporated Precursor solution compositions for electronic devices using CCVD
JP2000164460A (ja) 1998-11-23 2000-06-16 Microcoating Technologies Inc 薄膜コンデンサの形成法

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