KR100734798B1 - 불포화 화합물의 시안화수소화 방법 - Google Patents

불포화 화합물의 시안화수소화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 불포화 화합물의 불포화 모노니트릴 화합물 또는 디니트릴 화합물로의 시안화수소화 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본 발명은 촉매계의 회수 및 분리를 포함하는, 부타디엔과 같은 디올레핀의 이중 시안화수소화를 수반하는 디니트릴 제조 방법에 관한 것이다. 불포화 화합물의 시안화수소화를 수반하는 본 발명의 디니트릴 제조 방법은, 하나 이상의 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 리간드 및 하나 이상의 두자리 리간드성 유기인 리간드로 이루어진 유기금속 착물, 및 임의로는 루이스산 유형의 촉진자를 포함하는 촉매계 존재 하에서의 하나 이상의 시안화수소화 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 상기 방법에 이용되는 시약 또는 상기 촉매계를 포함하는 매질로부터의 반응으로 형성된 화합물의 증류를 수반하는 하나 이상의 증류 분리 단계를 포함한다.

Description

불포화 화합물의 시안화수소화 방법{METHOD FOR THE HYDROCYANATION OF UNSATURATED COMPOUNDS}
본 발명은 불포화 화합물의 불포화 모노니트릴 화합물 또는 디니트릴 화합물로의 시안화수소화 방법에 관한 것이다.
더 구체적으로는, 촉매계의 회수 및 분리를 포함하는, 부타디엔과 같은 디올레핀의 이중 시안화수소화에 의한 디니트릴의 제조 방법에 관한 것이다.
시안화수소화 반응은 불포화를 포함하는 화합물로부터 니트릴 관능기를 포함하는 화합물의 합성에 공업적으로 이용된다. 이에 따라, 아디포니트릴은 특히 헥사메틸렌 디아민의 제조에서 중요한 화학 중간체이며, 폴리아미드와 같은 다수의 중합체에 대한 단량체는, 부타디엔 또는 부타디엔을 함유하며 C4 컷으로도 공지된 탄화수소 컷을 두 단계에서의 시안화수소화시켜 제조된다. 상기 제조 공정에서, 두 개의 반응이 본질적으로 동일한 실체, 즉 유기금속 배위 착물 및 트리톨릴 포스파이트와 같은 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 유형의 하나 이상의 유기인 리간드를 함유하는 촉매계를 이용하여 수행된다.
다수의 특허가 아디포니트릴의 제조 공정 및 촉매의 제조 공정을 개시한다.
더욱이, 공정의 경제성을 위해, 촉매계를 회수하고 시안화수소화 단계로 재순환시킬 수 있는 것이 중요하다.
이에 따라, 특허 US 4 539 302 는 아디포니트릴의 제조 공정, 즉 불포화 니트릴의 디니트릴로의 시안화수소화의 제 2 단계에서 수득되는 반응 매질로부터의 촉매 회수 공정을 개시한다.
정치에 의한 상기 회수 공정은 금속 원소의 손실을 제한하는 것을 가능케 하며 불포화 니트릴의 시안화수소화에 대한 유기인 리간드/금속 원소 비율 제어를 용이하게 한다. 이에 따라, 촉매 제조 단계 및/또는 부타디엔의 시안화수소화 또는 분지형 펜텐니트릴의 이성질체화의 단계에서의 촉매계의 재순환 및 재사용을 가능하게 하는 높은 리간드/금속 원소 비율을 가진 촉매계를 회수하는 것이 가능하다.
다수의 기타 유기인 리간드가 상기 시안화수소화 반응의 촉매를 위해 제공되었다.
이에 따라, 오르가노포스파이트, 오르가노포스피나이트, 오르가노포스포나이트 및 오르가노포스핀 유형의 두자리 리간드성 리간드가 다수의 특허, 예컨대 WO 99/06355, WO 99/06356, WO 99/06357, WO 99/06358, WO 99/52632, WO 99/65506, WO 99/62855, US 5 693 843, WO 96/1182, WO 96/22968, US 5 981 772, WO 01/36429, WO 99/64155 또는 WO 02/13964 에 개시되어 있다.
최종적으로, 특허 WO 03/11457 에서는 시안화수소화 반응의 촉매를 위해 한자리 및 두자리 리간드성 리간드의 혼합물을 이용하는 것이 제공된다.
리간드의 혼합물을 이용하는 경우, 리간드 또는 금속 원소의 손실없이 촉매를 회수할 수 있는 것이 또한 중요하다.
본 발명의 목적 중 하나는, 촉매계를 형성하는 화합물의 최소한의 손실로 촉매 및 각종 산물의 분리 및 회수를 가능하게 하는 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 리간드 및 두자리 리간드성 오르가노포스파이트 리간드의 혼합물을 함유한 촉매계를 이용하여 불포화 화합물의 시안화수소화에 의한 디니트릴의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 위해, 본 발명은 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 유형의 하나 이상의 유기인 리간드로 형성된 유기금속 착물 및 하나 이상의 두자리 리간드성 유기인 리간드 및 임의로는 루이스산 유형의 촉진자를 포함하는 촉매계 존재 하의 하나 이상의 시안화수소화 단계, 및 상기 과정에 이용되는 반응물 또는 상기 촉매계를 포함하는 매질로부터 상기 반응에 의해 형성된 화합물을 증류분리하는 하나 이상의 분리 단계를 포함하는 불포화 화합물의 시안화수소화에 의한 디니트릴의 제조 방법으로서, 상기 증류에 의한 분리 단계에 적용되는 매질에서 금속 원소 원자의 갯수에 대한 인 원자의 갯수로 나타내는 한자리 및 두자리 리간드성 유기인 리간드의 몰 수 비율이 15 이하이며/이거나 유기금속 착물을 형성하는 금속 원소의 중량 농도가 1.3% 이하이며, 증류 단계의 증류 바닥 온도가 180℃ 미만인 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
용어 "증류 바닥 온도" 는 증류 플랜트의 보일러에 존재하는 매질의 온도 및 보일러의 벽 온도를 의미하는 것으로 이해된다.
증류 조건 및 특히 보일러 벽의 최대 온도는 유기금속 착물을 형성하는 금속 원소의 침전물을 제한하고 심지어 제거하는 것을 가능하게 한다. 이는, 더 높 은 온도로는 촉매의 탈착화를 초래하여 분리 및 증류 단계 동안 금속 원소의 침전물화를 초래할 수 있기 때문이다.
시안화수소화 반응에서 촉매 유효성을 나타내는 금속 원소는, 예를 들어 니켈, 코발트, 철, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금, 구리, 은, 금, 아연, 카드뮴 또는 세륨이다. 니켈이 바람직한 촉매 원소이다. 더 명확하게는, 금속 원소는 본 발명의 추이에서, 제한적인 의미없이, 용어 "니켈" 로 표시될 것이다.
본 발명에 적합한 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 리간드로서, 트리페닐 포스파이트, 트리톨릴 포스파이트 (TTP) 또는 트리시메닐 포스파이트를 언급할 수 있다.
본 발명에 적합한 두자리 리간드성 리간드로서는 오르가노포스파이트, 오르가노포스포나이트, 오르가노포스피나이트 또는 오르가노포스핀 화합물, 및 특히 하기 구조를 가진 것을 언급할 수 있다:
Figure 112005064702020-pct00001
Figure 112005064702020-pct00002
[식 중, Ph 는 페닐을 의미한다].
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 반응 매질에 존재하는 촉매계는 일반적으로 금속 원소의 원자에 대한 인 원자의 갯수로 나타내는 두자리 리간드성 리간드의 몰 수가 1 내지 4 (양끝 포함) 이며, 인 원자의 갯수로 나타내는 한자리 리간드 성 리간드의 것은 4 내지 12 (양끝 포함) 이다.
상기 비율은 수행되는 시안화수소화 반응에 따라 상이할 수 있다. 이는, 디니트릴의 제조가 일반적으로, 부타디엔과 같은 디올레핀을 HCN 으로 시안화수소화하여 불포화 모노니트릴을 제공하는 제 1 단계 및 HCN 과의 반응에 의해 상기 모노니트릴을 디니트릴로 전환시키는 제 2 단계로 이루어지는 두 개의 연속적인 단계로 수행된다. 더욱이, 상기 방법은 일반적으로 그의 제 1 단계에서 수득되는 분지형 불포화 모노니트릴의 이성질체화 단계를 포함하여 이들을, 선형 모노니트릴로 전환시킨 후 제 2 단계에서 선형 디니트릴로 전환시킨다.
이에 따라, 제 1 단계에 이용되는 리간드/니켈 비율은 일반적으로 제 2 단계의 것보다 더 높다. 마찬가지로, 니켈의 농도는 두 단계에서 상이할 수 있다. 더욱이, 불포화 니트릴의 시안화수소화 반응 또는 제 2 단계에서, 촉진자 또는 조촉매가 일반적으로 이용된다. 루이스산이 일반적으로 바람직한 촉진자로서 선택된다.
루이스산은 예시로서 문헌 [G.A. Olah "Friedel-Crafts and Related Reactions", volume I, 제 191 내지 197 면 (1963)] 에서 언급된 것을 이용할 수 있다.
본 발명의 방법에서 조촉매로서 이용될 수 있는 루이스산은 유리하게는 원소의 주기율표의 제 Ib, IIb, IIIa, IIIb, IVa, IVb, Va, Vb, VIb, VIIb 및 VIII 족 유래의 원소의 화합물로부터 선택된다. 상기 화합물들은 일반적으로 염, 특히 할라이드, 예컨대 클로라이드 또는 브로마이드, 설페이트, 술포네이트, 할로알킬술 포네이트, 퍼할로알킬술포네이트, 특히 플루오로알킬술포네이트 또는 퍼플루오로알킬술포네이트, 할로아세테이트, 퍼할로아세테이트, 카르복실레이트 및 포스페이트이다.
상기 루이스산의 비제한적 예시로서, 아연 클로라이드, 아연 브로마이드, 아연 요오다이드, 망간 클로라이드, 망간 브로마이드, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 브로마이드, 주석 클로라이드, 주석 브로마이드, 주석 설페이트, 주석 타르트레이트, 인듐 클로라이드, 인듐 트리플루오로메틸술포네이트, 인듐 트리플루오로아세테이트, 희토류 원소, 예컨대 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 하프늄, 에르븀, 툴륨, 이테르븀 및 루테튬의 클로라이드 또는 브로마이드, 코발트 클로라이드, 철 클로라이드 또는 이트륨 클로라이드를 언급할 수 있다.
루이스산으로서, 트리페닐보란 또는 티탄 테트라이소프로폭시드와 같은 화합물을 이용할 수도 있다.
물론, 각종 루이스산의 혼합물을 이용하는 것도 가능하다. 특히, 루이스산 중에서도, 아연 클로라이드, 아연 브로마이드, 주석 클로라이드, 주석 브로마이드, 트리페닐보란, 인듐 트리플루오로메틸술포네이트, 인듐 트리플루오로아세테이트 및 아연 클로라이드/주석 클로라이드 혼합물이 바람직하다. 이용되는 루이스산 조촉매는 일반적으로 니켈의 몰 당 0.005 내지 50 몰을 나타낸다.
상기 각각의 단계에서, 시안화수소화 반응 후 수득되는 반응 매질은 유리하게는 미반응 반응물, 즉 부타디엔 또는 불포화 니트릴의 증류로 분리하여 재순환시 킨다.
본 발명에 따르면, 상기 분리 단계는, 니켈 및 그의 침전물의 탈착화를 방지 또는 제한하기 위해 상기 표시된 리간드/니켈 비율 및 니켈 농도의 조건에 따라 증류 바닥 온도를 관찰하면서 수행된다.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 니켈 원자의 갯수에 대한 인 원자의 갯수로 나타내는 전체 리간드/니켈 비율이 바람직하게는 15 이하, 유리하게는 5 내지 15 이며, 니켈의 중량 농도는 유리하게는 0.1% 내지 2%, 바람직하게는 0.1% 내지 1.2% 이다 (양끝 포함).
용어 "전체 리간드" 는 한자리 및 두자리 리간드성 리간드의 분자 모두를 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 문맥에서, 표현 "리간드/니켈" 은 또한 달리 표시되지 않는 한, 니켈 원자의 갯수에 대한 한자리 및 두자리 리간드성 리간드의 분자 전체의 비율에 관한 것이다.
이에 따라, 제 1 시안화수소화 단계에서 제공되는 반응 매질의 증류에 의한 부타디엔 또는 C4 석유 컷의 분리의 경우, 니켈 원자의 갯수에 대한 인 원자의 갯수로 나타내는 두자리 리간드성 리간드의 몰 비율이 1 내지 4 (양끝 포함) 이며, 한자리 리간드성 리간드의 것은 4 내지 12 (양끝 포함) 인 것에 대해 증류 바닥의 최대 온도는 180℃ 이하이다. 또한, 본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 니켈의 중량 농도는 0.1% 이상, 유리하게는 0.2% 초과이다.
유사하게, 불포화 니트릴의 시안화수소화의 제 2 단계에서 제공되는 매질로부터의 불포화 니트릴의 분리 단계에서, 증류 바닥 온도는 니켈 원자의 갯수에 대 한 인 원자의 갯수로 나타낸 두자리 리간드성 리간드의 몰 비 1 내지 4 (양끝 포함) 및 한자리 리간드성 리간드의 몰 비 4 내지 7 (양끝 포함) 인 것에 대해 유리하게는 140℃ 이하이다. 또한, 본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 니켈의 중량 농도는 0.2% 이상이다.
더욱이, 한 구현예에서, 본 발명의 방법은 추출 용매를 이용하는 액체/액체 추출에 의한 니트릴, 특히 디니트릴을 함유하는 매질로부터의 유기인 리간드 및 유기금속 착물의 추출 단계를 포함할 수 있다. 적합한 추출 용매로서는, 예를 들어 포화, 선형 또는 환형, 지방족 탄화수소, 예컨대 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 시클로펜탄, 시클로헵탄 및 더 일반적으로는 시클로파라핀 또는 유사체를 언급할 수 있다. 시클로헥산은 바람직한 추출 용매이다.
추출 용매 중의 리간드 및 유기금속 착물의 용액은 또한 증류에 적용되어 추출 용매를 분리하고, 회수된 리간드 및 유기금속 착물을 재순환시킨다. 본 발명에서, 추출 용매는 본 발명의 방법 수행에 이용되는 반응물이다.
상기 분리는 또한 상기 표시된 본 발명의 특징, 예컨대 리간드/니켈 비율, 니켈의 농도 및 증류 바닥 온도를 관찰하며 수행한다.
본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 시클로헥산의 상기 분리는 0.7% 이상의 니켈 중량 농도에 대해 180℃ 이하의 증류 바닥 온도에서 수행된다. 또한, 본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 니켈 원자의 갯수에 대한 인 원자의 갯수로 나타낸 두자리 리간드성 리간드의 몰 비율은 1 내지 4 (양끝 포함) 이며, 한자리 리간드성 리간드의 것은 8 이상이다.
본 발명에 따르면, 촉매계를 포함하는 매질에서 출발하는 증류에 의한 분리 단계에서, 증류 바닥의 최대 온도가 결정되며, 리간드/니켈 비율 및 매질 중 니켈 농도의 함수이다. 이에 따라, 리간드/니켈 비율 증가 및/또는 니켈 농도 증가에 따라 상기 온도가 증가한다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 상기 방법은 중층 및 경층 두가지로의 정치 단계에서 수행되는 촉매계 및 디니트릴의 분리 단계를 포함한다. 상기 정치 단계에 도입되는 매질은 제 2 시안화수소화 단계 이후 수득되는 매질 또는 미반응 불포화 니트릴의 분리 단계에서 수득되는 증류 앙금이다.
이에 따라, 하층 또는 중층은 대부분의 니켈 및 두자리 리간드성 리간드 및 일부 한자리 리간드성 리간드를 포함하며, 상층 또는 경층은 디니트릴 및 잔류 니켈 및 한자리 및 두자리 리간드성 리간드를 포함하여 이루어진다.
정치 단계에 도입되는 매질은 유리하게는 25 내지 75℃, 바람직하게는 30 내지 55℃ 의 온도로 냉각된다.
본 발명의 방법의 또다른 특징에 따르면, 정치 단계에서 회수되는 상층은 유리하게는 리간드/니켈 몰비가 8 을 초과한다.
본 발명에 따르면, 금속 착물 및 리간드의 전체 회수는 디니트릴과 비혼합성인 추출 용매를 이용한 이들의 액체/액체 추출로써 수행된다. 상기 조작은 상기 기재된 것과 상응하며, 용매는 동일하다.
상기 구현예에서, 미반응 불포화 니트릴의 증류 단계 이전에, 정치 단계에서 회수된 하층 또는 중층 일부를 첨가함으로써 매질 중의 니켈 농도를 조정 및 제어 하는 것이 유리하다.
이는, 니켈이 본 발명의 방법에 따라 두자리 리간드성 리간드와 배합되어 이용되는 경우 시안화수소화 매질 중에 이용되는 니켈의 농도가 매우 낮아, 예컨대 반응 매질의 kg 당 100 내지 2000 mg 정도가 될 수 있기 때문이다. 정치 촉진에 적합한 니켈의 농도를 수득하기 위해, 시안화수소화 단계로부터 유출되는 반응 매질에 특정량의 촉매계를 첨가하는 것이 필요할 수 있다. 니켈 농도에 대한 상기 조정은 상기 표시된 바와 같이 수행될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 방법은 금속 원소 및 이에 따른 촉매의 손실을 최소화하여 촉매를 회수 및 분리하는 것을 가능하게 한다.
본 발명은 하기 화학식으로 나타내는 유형의 촉매를 이용하여 아디포니트릴을 제조하기 위해, 바람직하게는 부타디엔 및 탄소수 3 내지 8 의 선형 또는 분지형 불포화 니트릴, 더욱 바람직하게는 3-펜텐니트릴 및/또는 4-펜텐니트릴의 시안화수소화에 적용된다:
Ni(L1)x(L2)y
[식 중, L1 은 한자리 리간드성 리간드를 나타내며, L2 는 두자리 리간드성 리간드를 나타내며,
x 및 y 는 0 내지 4 의 정수를 나타내며, 합 x + 2y 는 3 또는 4 이다].
촉매는 상기 화학식에 상응하는 착물의 혼합물로 이루어질 수 있다.
촉매계 또는 반응 매질은 또한 유리된 형태, 즉 니켈에 결합되지 않은 형태 의 소정량의 한자리 및/또는 두자리 리간드성 유기인 리간드를 함유할 수 있다. 본 발명의 촉매계는 제 1 단계에서의 니켈과 한자리 리간드성 리간드 사이의 유기금속 착물의 형성에 의해 수득될 수 있다. 상기 착물의 제조 방법은, 예를 들어 특허 US 3 903 120 및 US 4 416 825 에 개시되어 있다. 제 2 단계에서, 두자리 리간드성 리간드는 상기 유기금속 착물을 함유하는 매질에 첨가된다.
제 1 및 제 2 시안화수소화 단계는 유리하게는 일련으로 수행된다. 상기의 경우, 특히 액체/액체 추출에서 회수된 촉매, 더욱 특별하게는 정치 단계의 상층에서 회수되는 촉매의 적어도 일부가 부타디엔의 시안화수소화의 제 1 단계 및/또는 분지형 불포화 니트릴의 선형 불포화 니트릴로의 이성질체화 단계로 재순환되어 촉매로서 이용되는 것이 유리하다. 부타디엔의 시안화수소화 및 펜텐니트릴의 시안화수소화에 대해 동일 또는 유사한 촉매계를 이용하는 것이 바람직하다.
그러나, 오직 불포화 니트릴의 시안화수소화 단계에서만 상기 기재된 촉매계를 이용하는 것도 가능하며, 부타디엔의 시안화수소화의 제 1 단계 및 이성질체화 단계에 이용되는 촉매계는 화합물들의 성질에 따라 상이하다.
본 발명의 기타 상세사항 및 장점은 하기에 오직 예시 및 설명의 목적으로 제시된 실시예의 견지에서 더욱 명백해질 것이다.
실시예에 사용된 약자:
PN: 펜텐니트릴
DN: 디니트릴 (디니트릴 AdN, MGN 및 ESN 의 혼합물, 주로 AdN 을 함유)
AdN: 아디포니트릴
MGN: 메틸글루타로니트릴
ESN: 에틸숙시노니트릴
리간드:
Figure 112005064702020-pct00003
실시예 1: 펜테니트릴 ( PN ) 의 증류
하기 조성의 혼합물을 불활성 대기 하에 제조했다 (% 는 중량비이며; 비율은 몰비이다):
Ni: 1.2%
TTP/Ni: 5
리간드 A/Ni = 1
P/Ni = 7
DN = 38.5%
PN = 5%
상기 혼합물은 관으로 넣어 밀봉하고 특정 온도 (하기 표 참조) 에서 2 시간 동안 가열한 후, 착화된 니켈의 손실을 크로마토그래피 분석으로 결정했다:
온도 Ni 의 손실
130℃ 0%
150℃ 25%
실시예 2: 액체/액체 추출 후 수득되는 용액의 증류 단계
하기 조성을 가진 혼합물을 불활성 대기 하에 제조했다 (% 는 중량비이며; 비율은 몰 비이다):
Ni = 1.0%
TTP/Ni = 12
리간드 A/Ni = 1
P/Ni = 13
PN = 11%
상기 혼합물을 관에 넣고 밀봉하여 특정 온도 (하기 표 참조) 에서 2 시간 동안 가열하고, 착화된 니켈의 손실을 크로마토그래피 분석으로 결정했다:
온도 Ni 의 손실
170℃ 0%
190℃ 45%

Claims (15)

  1. 트리페닐 포스파이트, 트리톨릴 포스파이트 및 트리시메닐 포스파이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 한자리 리간드성 오르가노포스파이트 유형의 유기인 리간드 및 오르가노포스파이트, 오르가노포스포나이트, 오르가노포스피나이트 및 오르가노포스핀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 두자리 리간드성 유기인 리간드로 형성된 유기금속 착물, 및 임의로는 루이스산 유형의 촉진자를 포함하는 촉매계 존재 하에서의 하나 이상의 시안화수소화 단계, 및 상기 촉매계를 포함하는 매질로부터 상기 과정에 이용되는 반응물 또는 상기 반응에 의해 형성된 화합물을 증류에 의해 분리하는 하나 이상의 분리 단계를 포함하는 디올레핀 및/또는 불포화 모노니트릴의 시안화수소화 방법으로서, 상기 증류에 의한 분리 단계에 적용되는 매질에서 금속 원소 원자의 갯수에 대한 인 원자의 갯수로 나타내는 유기인 리간드의 몰 수의 비율이 15 이하이고/이거나 유기금속 착물을 형성하는 금속 원소의 중량 농도가 1.3% 이하이며, 증류 단계의 증류 바닥 온도가 180℃ 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 두자리 리간드성 유기인 리간드가 하기 구조를 가진 화합물들로부터 선택되는 방법:
    Figure 112007011584617-pct00004
    Figure 112007011584617-pct00005
    [식 중, Ph 는 페닐을 의미한다].
  5. 제 1 항에 있어서, 촉진자가 원소의 주기율표의 Ib, IIb, IIIa, IIIb, IVa, IVb, Va, Vb, VIb, VIIb 및 VIII 족 유래의 원소의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 화합물은 할라이드, 설페이트, 술포네이트, 할로알킬술포네이트, 퍼할로알킬술포네이트, 할로아세테이트, 퍼할로아세테이트, 카르복실레이트, 포스페이트, 아릴보란, 플루오로알킬술포네이트 및 퍼플루오로알킬술포네이트를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 루이스산이 아연 클로라이드, 아연 브로마이드, 아연 요오다이드, 망간 클로라이드, 망간 브로마이드, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 브로마이드, 주석 클로라이드, 주석 브로마이드, 주석 설페이트, 주석 타르트레이트, 인듐 클로라이드, 인듐 트리플루오로메틸술포네이트, 인듐 트리플루오로아세테이트, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 하프늄, 에르븀, 툴륨, 이테르븀 및 루테튬과 같은 희토류 원소의 클로라이드 또는 브로마이드, 코발트 클로라이드, 철 클로라이드, 이트륨 클로라이드, 트리페닐보란, 티탄 테트라이소프로폭시드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 디올레핀이 부타디엔인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 불포화 모노니트릴이 탄소수 3 내지 8 의 선형 또는 분지형 지방족 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 불포화 모노니트릴이 펜텐니트릴인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 증류에 의한 분리 단계가, 미반응의 디올레핀 및/또는 불포화 모노니트릴의 분리를 위하여, 시안화수소화 단계에서 유래하는 매질을 증류하는 단계인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 생성된 디니트릴로부터의 촉매계의 회수가, 미반응 불포화 모노니트릴의 증류에 의한 분리 후, 불포화 모노니트릴의 시안화수소화에서 유래하는 반응 매질을 정치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 미반응 불포화 모노니트릴의 증류에 의한 분리 후의 불포화 모노니트릴의 시안화수소화에서 유래하는 반응 매질, 또는 정치 단계에서 회수된 상층 또는 경층이, 상기 매질 내에 존재하는 유기인 리간드 및 유기금속 착물의 추출을 위해 액체/액체 추출에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 추출 용매가 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 시클로펜탄 및 시클로헵탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 분리 단계가 액체/액체 추출 후 수득되는 용액으로부터의 추출 용매의 증류단계인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 하층의 일부가 불포화 모노니트릴의 증류 단계 이전에, 시안화수소화로부터 유래한 반응 매질 내에서 재순환되는 것을 특징으로 하는 방법.
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