KR100725672B1 - 단결정 인상장치에서의 탕루 수용대 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, CZ법에 의한 단결정인상장치의 챔버의 저부에서 도가니의 하부로 배설된 탕루 수용대에 있어서, 적어도 상기 탕루 수용대가 저부와 통부로 구성되고, 저부와 통부의 접합이 나사결합 또는 고정볼트로 되어 있는 단결정인상장치의 탕루 수용대에 관한 것이다. 이에 의해, CZ법단결정인상장치에 있어서, 어떠한 원인에 의해 융액이 도가니 외부로 유출되어도 이것이 금속부품이나 배관을 이루는 하부기구로 도달하는 것을 방지하여, 작업자나 주변기기에 대한 악영향을 방지할 수가 있는 단결정인상장치에서의 탕루 수용대가 제공된다.
단결정인상장치, 탕루, 유출, 접합수단

Description

단결정 인상장치에서의 탕루 수용대{SAUCER FOR ESCAPED MELT IN APPARATUS FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL}
본 발명은 쵸크랄스키법(CZ법)에 의해 단결정봉을 성장시키는 CZ법 단결정인상장치의 구조에 관한 것이다.
예컨데, 반도체 실리콘 단결정제조에 이용되는 종래 CZ법 단결정 인상장치의 일예를 도 3에 의해 설명한다. 도 3에 나타난 바와 같이, 이 CZ법 단결정 인상장치30는 챔버(인상실)31과, 챔버중에 설치된 도가니32와, 도가니32 주변에 배치된 히터34와, 도가니32를 회전시키는 도가니 보지축33 및 그 회전기구(도시되지 않음)와, 실리콘 종자결정(種結晶)5을 보지하는 씨드 쳐크6과, 씨드 쳐크6를 인상하는 와이어7와, 와이어7를 회전 또는 권취하는 권취기구(도시되지 않음)를 구비하여 구성되어 있다. 도가니32는 그 내측에 원료 실리콘융액(湯)2을 수용하는 석영 도가니가 설치되어 있으며, 그 외측에는 흑연도가니가 설치되어 있다. 또한 히터34의 외측 주변에는 히터 단열재35가 배치되어 있다.
다음으로, 상기 CZ법 단결정인상장치30에 의한 단결정 육성방법에 대하여 설명한다. 먼저, 도가니32내에 실리콘의 고순도 다결정원료를 융점(약1420℃)이상으로 가열하여 융해한다. 그리고 와이어7를 권출(卷出)함으로써 실리콘융액2의 표면3 의 대략 중심부에 종자결정5의 선단을 접촉 또는 침적한다. 그 후, 도가니 보지축33을 적절한 방향으로 회전시킴과 동시에, 와이어7을 도가니32와 역방향으로 회전시키면서 권취(卷取)하여 종자결정5을 인상하는 것에 의해 단결정 육성이 개시된다. 이후, 와이어7의 인상속도와 융액온도를 적절하게 조절함으로써 대략 원주형상의 단결정봉 1을 얻을 수 있다.
상기한 단결정 인상장치에서 석영 도가니 및 흑연 도가니는 모두 높은 내열성을 가지고 있지만, 다소 취약하고 내충격성이 열화하는 결점이 있다. 이 때문에, 단결정을 인상할때 다결정원료를 도가니에 충진하여 가열하여 용융하는 때에 용융중의 다결정괴(塊)가 도가니내에서 붕괴하고 그 충격에 의해 도가니가 파손되고 균열이 생기는 것이 있으며, 그로부터 융액이 유출될 가능성이 있다. 또한 단결정 육성의 효율화를 꾀하기 위해, 결정인상후 잔류융액을 고화시킴이 없이 다결정원료를 재충진하여 하나의 석영도가니로부터 복수의 단결정봉을 얻는 다중인상법 (Multiple CZ Method)이 널리 이용되고 있지만, 이때 다결정원료의 재충진시에 도가니가 파손되거나, 융액의 비산을 초래하는등 조업시에 도가니 외부로 실리콘융액이 유실(流失)하는 것도 생각될 수 있다. 또한 희박하지만, 지진등에 의해 큰 요동이 인상장치에 초래된 경우는 인상기가 좌우로 크게 진동되므로 도가니내의 융액이 도가니 외부로 유출하는 것도 사려(思慮)된다. 더욱이, 사용에 의해 천천히 도가니가 열화되거나, 인상중의 단결정이 낙하된 경우에는 도가니가 파괴되고, 도가니내에 수용되어 있던 융액의 거의 전량이 유출해 버리는 것도 있다.
이와 같이, 고온의 탕(湯)이 도가니밖으로 유출, 비산되면 도가니의 주위로 부터 챔버의 저부에 도달하고, 챔버 저부나 히터용 단자부 또는 보지축(保持軸)등의 금속부나 도가니구동장치, 챔버를 냉각하기 위해 배설되어 있는 하부 냉각수배관등을 침식하는 것으로 된다. 특히, 고온으로 가열된 실리콘융액은 금속에 대한 침식작용이 강하기 때문에, 냉각수배관이 침식되는 것도 고려될 수 있다. 또한 챔버의 외부로 일출(溢出)되면 작업자나 기기(機器)에 악영향을 미치는 것으로 된다.
따라서 예컨데 특개평9-221385호공보에 개시된 단결정인상장치에는, 용융원료의 전량을 수용하는 것이 가능한 내용을 갖는 이음매없는 일체성형(一體成形)으로 성형된 탕루(湯漏) 수용대(受皿)를 도가니의 하부에 배설하여 이러한 문제를 회피하도록 하고 있다.
그러나 이러한 탕루 수용대에는, 수용대 저부(底部)와 측부(側部)가 완전 일체성형되어 있기 때문에 육성단결정의 대형화, 나아가 단결정인상장치의 대형화에 수반하여 재료적으로 매우 고가인 것으로 되고 있다. 또한 수용대의 저부와 측부를 압입(접합면에 테이퍼를 부착하여 끼운다)함으로써 감합(嵌合)하여 일체성형한 경우, 압입(壓入)이 느슨한 경우에는 실리콘의 비중(융액) 2.54에 대하여 흑연비중은 1.9전후로 되기 때문에, 수용대에 실리콘이 모이면 측부는 감합부(嵌合部)로부터 부상하여 버리게 되며, 융액이 유출할 가능성이 높다.
따라서 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여 마련된 것으로서, CZ법 단결정인상장치에 있어서, 어떠한 원인에 의해 융액이 도가니 외부로 유출하여도, 이것이 금속부품이나 배관을 이루는 하부기구로 도달하는 것을 방지하고, 작업자나 주변기기에 대한 악영향을 방지할 수 있는 단결정인상장치에서의 탕루 수용대를 제공함을 그 주된 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 단결정인상장치의 탕루 수용대는, 쵸크랄스키법에 의한 단결정인상장치의 챔버 저부(底部)에서 도가니의 하부로 배설된 탕루(湯漏) 수용대(受皿)에 있어서, 적어도 상기 탕루 수용대가 저부(底部)와 통부(筒部)로 구성되고, 저부와 통부의 접합이 나사결합 또는 고정 볼트(stud bolt)로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 탕루 수용대를 구성하면, 대형의 수용대에 있어서도 적어도 저부와 통부의 2부품을 나사결합 또는 고정볼트로 조립하여 있는 것이므로 일체성형과 비교하여 소형의 원재료로 부품을 제작할 수가 있으며, 흑연재의 재료수율이 현저하게 향상되고 제조비용의 저감을 꾀할 수가 있다. 또한 도가니로부터 탕루(湯漏)가 발생하여 수용대에 모여도 통부가 부상하는등 수용대가 부품별로 분해하는 것과 같은 일은 없으며, 탕(湯)이 수용대 외부로 유출되는 것을 확실하게 회피할 수가 있다.
이 경우, 탕루 수용대를 흑연재제(製) 수용대본체와 본체내면에 발려진 단열재로 구성되는 것으로 할 수가 있다.
이렇게 하면, 흑연재제 수강대본체로 수강대의 강도 및 형상정도(形狀精度)를 유지함과 아울러, 본체내면에 발려진 단열재에 의해 유출되어 모여진 고온의 융액으로부터의 열이동이 억제되고, 챔버로의 열부하를 저감할 수 있기 때문에 챔버의 파손을 피할 수가 있다.
그리고 이 경우, 흑연재를 등방성 흑연으로 하고, 단열재를 탄소섬유제(製) 성형재로 할 수가 있다.
이와 같이, 흑연재로 등방성흑연을 사용하면, 강도 및 내열성이 우수함과 아울러, 형상크기정도가 높고 형상안정성이 우수하기 때문에 나사결합 가능한 탕루 수용대로 할 수가 있다. 또한 단열재로 탄소섬유제 성형재를 사용하면, 단열재는 흑연재제 수용대본체 형상에 맞는 일체성형체를 성형할 수가 있으며, 부품별로 성형하여 결합하는 것도 용이하게 할 수 있다.
더욱이, 이 경우 탕루 수용대가 적어도 용융원료의 전량을 수용할 수 있는 내용적(內容積)을 가지고 있음이 바람직하다.
이렇게 하면, 예컨데 도가니가 파괴되거나 단결정이 낙하하여 융액의 거의 전량이 수용대에서 유출하여도 수용대 외부로의 유출손실은 없어, 챔버내 하부기구나 챔버외부의 작업자, 기구류를 지킬 수가 있다. 이 경우, 특히 실리콘 비중이 고체의 비중보다 무거운 것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 고화된 경우의 체적팽창을 충분히 고려하지 않으면 인된다.
또한, 상기와 같은 탕루 수용대를 구비한 단결정인상장치에는 비록 융액이 도리어 외부로 유출되어도 금속부품이나 배관을 이루는 하부기구에 도달하는 것을 방지할 수 있으며, 또한 탕루 수용대를 구비한 단결정인상장치를 사용하는 단결정인상방법에 의해 작업자나 주변기기에 악영향을 미침이 없이 단결정을 인상할 수가 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 CZ법 단결정인상장치에 의하면, 그 단열 재를 바른 등방성 흑연제 탕루 수용대에 있어서, 어떠한 원인에 의해 실리콘 융액이 도가니 외부로 유출하여도 이것을 완전히 탕루 수용대에서 수용할 수 있으며, 외부로의 유출을 방지할 수가 있다. 따라서 융액이 냉각수배관등의 금속부에 도달하는 것을 방지하여 챔버의 파손등을 미연에 회피할 수가 있는 효과가 얻어진다.
또한 이 탕루 수용대는 적어도 저부(底部)와 통부(筒部)를 접합하여 조립한 것이므로, 원재료를 저렴하고 용이하게 조달할 수가 있고, 단결정인상장치의 대형화에 충분하게 대응할 수 있으며, 구조가 간단하여 제작도 용이하기 때문에 비용을 저감시킬 수가 있다. 더욱이, 단열재가 내장되어 있기 때문에, 탕루(湯漏)가 있어도 수용대로부터 유출되는 열량이 적고, 챔버로의 열부하가 저감되어 챔버 파손등을 회피할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 단결정인상장치를 나타낸 설명도이다.
(a)단면개략도 (b)부분평면도
도 2는 본 발명의 실시형태에서의 탕루 수용대의 예를 나타낸 설명도이다.
(a)탕루 수용대 단면개략도, (b)저부와 통부의 접합방식을 나타내는 부분단면도, (b')저부와 통부의 다른 접합방식을 나타내는 부분단면도, (c)축슬립의 예를 나타내는 부분단면도
도 3은 종래의 CZ법에서 사용되는 단결정인상장치를 나타낸 설명도이다.
도 4는 실시예 1과 비교예의 탕루 수용대의 통부와 저부와의 접합방법의 유효성을 시험하는 시험방법을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1(a)는 본 발명에 따른 탕루 수용대를 구비한 단결정인상장치요부의 종단면도이며, (b)는 저부의 부분평면도이다. 또한 도 2(a)는 본 발명에 따른 탕루 수용대의 일예를 나타내는 요부의 종단면도이며, 도 2(b)(b') 및 (c)는 탕루 수용대의 저부와 통부와의 접합방식을 나타내는 요부설명도이다. 한편, 종래예와 동일한 기능을 갖는 구성부품에는 동일한 부호를 부여하였다.
도 1(a)에 나타난 바와 같이, CZ법 단결정인상장치10의 챔버31는 밀폐 탱크형으로서, 그 주벽(周壁)에는 냉각수배관 또는 쟈킷(미도시)에 의해 냉각수가 흐르고 있다. 챔버31내에는 도가니32가 설치되고, 도가니32의 주위에 배치된 히터34와, 도가니32를 회전시키는 도가니 보지축33 및 그 회전기구(도시되지 않음)를 구비하여 구성되어 있다. 더욱이 챔버31의 하부에는 분위기가스 배출관13이 설치되어 있다. 이 배출관은 챔버 측면에 설치되어 있지만, 저부에 설치되는 경우도 있다.
도가니32는 그 내측의 원료 실리콘 융액(湯)2을 수용하는 측에는 석영도가니 32a가 설치되어 있으며, 그 외측에는 이를 보호하는 흑연도가니32b가 설치되어 있다.
또한 도가니32의 외주에는 히터34가, 히터34의 외측 주위에는 히터 단열재35가 배치되어 있다. 히터34의 하부에는 금속제의 히터통전용 전극14이 장착되어 장치 외부전원으로 통하고 있다. 이 전극14은 상부를 카본제로 하고 금속부가 고온의 로내에 노출되지 않도록 하는 것도 있다.
그리고 챔버31의 저부31a의 내벽면31b에 접하여 본 발명의 탕루(湯漏) 수용대(受皿)15가 배설되어 있다.
이 탕루 수용대15는 도 2(a)에 나타난 바와 같이, 저부15a와 통부15b로 구성되고, 그 접합은 고정볼트 접합부17(도 2(b)참조) 또는 나사결합접합부18(도 2(b')참조)로 되어 있다. 그리고 이 탕루 수용대15를 챔버 저부31a로 감합(嵌合)함으로써 수용대 저부15a는 챔버 저부 내벽면31b의 거의 전면에 밀착된다.
탕루 수용대15에 있어서, 도가니 보지축33이나 히터 통전용전극14등의 챔버 저부31a 및 탕루 수용대 저부15a를 관통하는 부재를 통하는 축슬립15c는 저부15a에 나사결합 가능하며(도 2(c)참조), 강도와 기밀성도 충분히 확보할 수가 있다. 또한 그 높이는 각 개소(箇所)에 있어서, 수용대 통부15b와 동일하도록 하는 것이 바람직하며, 저부15a와 통부15b로부터 얻어지는 탕루 수용대15의 내용적은 용융원료2의 전량의 용적이상으로 되도록 설정되어 있다. 축슬립15c를 통부15b보다 낮게 하는 경우는, 탕루 수용대의 내용적은 밑(底)에서 부터 축슬립의 상단위치까지의 용적이 용융원료의 전량 이상으로 되도록 하는 것이 좋다.
내용적을 설정함에 있어서, 실리콘 융액의 비중이 응고된 고체보다 무거운 점을 고려하는 편이 좋다. 즉, 실리콘 융액의 비중은 약 2.54이고 고체는 2.33이다. 따라서 탕루(湯漏)가 그 일부에서 고화된 경우에는 체적이 팽창한다. 그러므로 탕루 수용대의 내용적은 용융원료의 전량이 응고된 때의 체적이상으로 하는 편이 바람직하다.
탕루 수용대15의 재질은 내열성, 내식성, 가공성의 점에서 흑연재가 적당하며, 그 중에서 등방성 흑연재가 바람직하다. 이와 같이 흑연재에 등방성 흑연을 사용하면, 특히 강도 및 내열성이 우수하고, 탕루(湯漏)등의 열충격에 대해서도 균열등의 발생을 방지할 수 있음과 아울러, 형상크기정도가 양호하고 형상도 안정하며, 가공성도 우수하고 나사결합도 가능한 액루(液漏)가 없는 것으로 할 수가 있다.
본 발명의 탕루 수용대15는, 상기한 바와 같이, 저부15a와 통부15b로 구성되고, 그 접합을 나사결합 또는 고정볼트로 행하고 있으므로 이음매없는 일체성형물과는 다른 우위성이 있다.
먼저, 부재를 적어도 저부와 통부와 축슬립의 3종류로 할 수 있기 때문에, 부재의 원료흑연재에 필요이상의 대형의 물(物)을 사용하지 않아도 되고, 또한 개개의 부품은 제조도 용이하기 때문에 비용저감을 꾀할 수가 있다. 더욱이, 예컨데 저부와 통부를 복수의 부재로 분할하고, 고정볼트로 조립되도록 하면 보다 일층 효과적이다. 예컨데 도 1(b)에는 통부를 4분할하여 고정볼트접합부17로 조립되어 있다.
또한 분할부재를 사용하고 있기때문에, 부분적으로 손상을 받은 경우에는 그 부분만 교환하면 되는 이점도 있다.
더욱이 본 발명의 탕루 수용대15의 특징은 수용대 본체의 내면에 단열재16가 발려져 있다는 점에 있으며, 이 단열재를 탄소섬유제 성형재로 한 점에 있다.
단열재로 탄소섬유제 성형재를 사용하면, 흑연재제(製) 탕루 수용대 본체형상 및 축슬립에 맞는 성형체를 용이하게 형성할 수가 있다. 또한 탄소섬유제 성형 체는 일체물(一體物)로서도 부품별로 성형하여 결합시키는 것이 가능하다. 단열재를 바르는 것에 의해, 도가니로부터 유출되어 모여있는 고온의 융액으로부터의 열손실이 감소하고, 챔버로의 열부하를 저감할 수가 있으며, 챔버의 손상을 방지할 수가 있다.
이와 같이 구성된 단결정인상장치10에 있어서는, 도가니32내에 투입된 실리콘 다결정원료가 히터34에 의해 용융되어 용융원료2가 형성된다. 이 용융원료2에 상방으로부터 와이어에 매달린 씨-드홀더(seed holder)에 장착된 종자결정을 침적하고, 와이어 및 도가니32를 회전시키면서 소정의 속도로 인상함으로써 소정의 단결정봉1을 성장시킬 수가 있다.
상기 단결정인상장치에 있어서, 예컨데 도가니32에 다결정원료를 투입할때 원료투입 충격에 기인하여 도가니32에 균열이 생기면, 이 균열로부터 융액2가 도가니32의 외부로 유출되고, 유출된 융액2은 도가니의 외주벽을 따라 하방으로 흘러 챔버31의 저부31a로 향하여 낙하하게 된다.
여기에서 본발명의 탕루 수용대15를 구비한 단결정인상장치10에 의하면, 챔버저부 내벽면31b에 접하여 탕루 수용대15가 배설되어 있기 때문에, 탕루 수용대15에 의해 유출된 융액2을 수용할 수가 있다. 게다가 탕루 수용대15는 저부15a와 측부15b가 나사결합 또는 고정볼트로 간격이 없도록 조립되어 있기 때문에, 수용된 융액2이 다른 부(部)로 유출함이 없다. 또한 탕루 수용대15는 융액원료2의 전량을 수용할 수 있는 내용적을 가지고 있으므로 수용된 융액2이 탕루 수용대15로부터 일출(溢出)함이 없다. 따라서 융액2이 도가니32의 하부기구에 도달하는 것을 확실 하게 방지하며, 유출된 융액이 인상장치 챔버로부터 일출(溢出)되어 작업자에 악영향을 미치는등을 확실하게 방지할 수가 있다.
이하, 본발명의 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1, 비교예)
탕루 수용대의 저부와 통부의 접합방법 실효성을 시험하였다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 탕루 수용대의 축소모형(miniature)을 저부와 통부의 접합방법별로 등방성 흑연재로 3종류 제작하고, 단결정인상장치실기의 24인치 석영도가니내에 수평으로 설치하여, 각 탕루 수용대내에 입상다결정원료를 압입한후 히터로 가열하여 용융시켜 1450℃에서 1시간 보지(保持)하고 융액의 유출 유무를 조사하였다.
탕루 수용대의 저부와 통부의 접합방법은, 실시예1- (1)저부를 통부에 나사로 결합하는 나사결합방식, 실시예1- (2)저부를 통부에 고정볼트로 접합하는 방식, 비교예(3) 저부를 통부에 감(嵌)입하는 방식으로 하였다.
실험의 결과, (3)비교예의 감입방식에서는 감입부에 작은 간격이 생겨 탕루(湯漏)가 발생하였지만, (1) 및 (2)의 경우는 외부로의 침출(浸出)은 전혀 발견되지 않았다.
(실시예 2)
본 실시예에는 도 1에 나타난 바와 같은 단열재16이 첩부(貼付)된 탕루 수용대15를 제작하고, 단결정인상장치에 취부(取付)하여 탕루 수용대의 유효성을 구하였다.
탕루 수용대의 재질: 등방성 흑연재, 수용대의 내용적(단열재용적 24700cm3을 포함한다): 128000cm3, 실리콘 융액의 용적: 59000cm3(실리콘 150kg), 탕루 수용대의 저부와 통부의 접합방식: 통부에 저부를 나사결합하는 방식.
24인치 석영도가니에 150kg의 다결정 실리콘을 투입하고 용융을 개시하였는데, 약 80% 용해된 직후 석영도가니에 균열이 생기고 탕루(湯漏)가 발생하였다. 이 때, 챔버저부 내벽면31b를 냉각하고 있는 냉각수온도는 1.2℃(냉각수배관은 미도시)상승했지만, 특별한 이상은 없었으며 단열재16의 단열효과는 충분하였다.
조업을 중지하고 로냉각후 로(爐)를 해체하여 조사한 결과, 탕루 수용대15에는 약 80kg의 실리콘이 응고하여 있으며, 나사결합접합부18(도 2(c)참조)에는 내측의 나사산(山)정도로 실리콘의 침투를 볼 수 있었으나, 탕루 수용대15의 외부에는 일체 탕루의 흔적은 발견되지 않아 탕루 수용대의 유효성이 확인되었다.
나아가, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며 동일한 작용효과를 내는 것이면 어느 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예컨데, 실리콘 단결정의 육성을 예를들어 본 발명을 설명하였지만, 본 발명 은 실리콘 단결정의 제조에만 한정되는 것은 아니며, 단결정육성장치라면 어떠한 형태의 것에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있으며, LEC법을 이용한 화합물반도체등의 단결정육성장치에서도 이용될 수 있음은 말할 필요도 없다.

Claims (8)

  1. 쵸크랄스키법에 의한 단결정인상장치의 챔버 저부(底部)에서 도가니의 하부로 배설된 탕루(湯漏) 수용대(受皿)에 있어서,
    적어도 상기 탕루 수용대가 저부(底部)와 통부(筒部)로 구성되고, 저부와 통부의 접합이 나사결합 또는 고정 볼트(stud bolt)로 되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 탕루 수용대가 흑연재제(黑鉛材製) 수용대 본체와 본체내벽에 발려진 단열재로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 흑연재가 등방성 흑연이고, 단열재가 탄소섬유제(製) 성형재(成形材)인 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 탕루 수용대가 적어도 용융원료의 전량을 수용할 수 있는 내용적을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 탕루 수용대가 적어도 용융원료의 전량을 수용할 수 있는 내용적을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 탕루 수용대가 적어도 용융원료의 전량을 수용할 수 있는 내용적을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 단결정인상장치의 탕루 수용대.
  7. 쵸크랄스키법에 의한 실리콘 단결정 인상장치로서, 챔버의 저부에서 도가니의 하부에 배설된 탕루 수용대를 구비하고, 이 탕루 수용대는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 탕루 수용대인 것을 특징으로 하는 단결정인상장치.
  8. 쵸크랄스키법에 의한 실리콘 단결정 인상방법에 있어서, 청구항 7항에 기재된 단결정인상장치를 사용하여 단결정을 인상하는 것을 특징으로 하는 단결정인상방법.
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