KR20230105858A - 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20230105858A
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Abstract

실시예는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘 융액을 수용하는 도가니; 상기 도가니를 지지하는 지지대; 상기 챔버의 상부에 구비되는 인상 챔버; 상기 인상 챔버의 내부에 구비되어 상기 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 실리콘 공급부; 상기 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링; 및 상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되고, 상기 가이드링으로부터 가해지는 무게를 측정하는 로드 셀을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공한다.

Description

실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT}
본 발명은 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도가니에 폴리 실리콘을 공급할 때 공정 안정성을 확보하고자 하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법에 관한 것이다.
통상적인 실리콘 웨이퍼는, 단결정(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장 공정과, 단결정을 절삭(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 절삭공정과, 상기 절삭으로 인하여 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하는 연삭(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼를 경면화하고 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함하여 이루어진다.
상술한 공정 중 실리콘 단결정을 성장시키는 공정은, 고순도 실리콘 융액을 장입한 성장로를 고온에서 가열하여 원료를 용용한 후, 초크랄스키법(Czochralski Method, 이하 'CZ'법이라 함) 등으로 성장시킬 수 있다.
단결정 잉곳을 제조하기 위한 단결정 성장장치는 다결정 원료를 도가니에 투입하고 용융한 후, 실리콘 융액에 종자 결정(seed, 시드)를 담그고 이로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키며 인상할 수 있다.
상술한 도가니에 다결정 원료인 폴리 실리콘(poly Si)을 공급할 때 실리콘 공급부가 사용되며, 실리콘 공급부는 몸체의 내부에 폴리 실리콘이 수용되고, 몸체의 하부가 개방되어 개방된 영역를 밸브가 개폐하며 폴리 실리콘을 도가니 방향으로 투하하여 공급할 수 있다.
그러나, 종래의 실리콘 단결정 잉곳의 실리콘 공급부는 다음과 같은 문제점이 있다.
실리콘 공급부의 몸체의 크기를 크게 하면 내부에 채워지는 폴리 실리콘의 양이 증가하여, 도가니에 한꺼번에 많은 양의 원료를 공급할 수 있다. 그러나, 몸체의 하부의 밸브가 열리고 많은 양의 폴리 실리콘이 한꺼번에 도가니 내부로 투하되면, 실리콘 융액의 표면에서 튐 현상이 발생하여, 실리콘 공급부의 밸브나 몸체가 손상될 수 있다.
또한, 폴리 실리콘의 비중이 실리콘 융액보다 작아서, 실리콘 융액의 상부에 폴리 실리콘이 쌓이게 되는데, 도가니로 투입된 폴리 실리콘의 양이 많아지면 실리콘 공급부의 밸브 또는 몸체와 충돌할 수도 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도가니에 공급되는 폴리 실리콘과 실리콘 공급부의 충돌을 방지하고 또한 실리콘 융액의 튐으로부터 실리콘 공급부가 손상되는 것을 방지하고자 한다.
실시예는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘 융액을 수용하는 도가니; 상기 도가니를 지지하는 지지대; 상기 챔버의 상부에 구비되는 인상 챔버; 상기 인상 챔버의 내부에 구비되어 상기 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 실리콘 공급부; 상기 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링; 및 상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되고, 상기 가이드링으로부터 가해지는 무게를 측정하는 로드 셀을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 제공한다.
실리콘 공급부는, 원통형의 상기 몸체와, 케이블에 의하여 승강하며 상기 몸체의 하부를 개폐하는 콘 형상의 밸브를 포함할 수 있다.
실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치는 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 제1 돌출부를 더 포함하고, 상기 로드 셀은 상기 돌출부와 상기 가이드링의 사이에 배치될 수 있다.
실리콘 단결정 잉곳으 성장 장치는 몸체의 상부 영역의 외측에 구비되는 제2 돌출부를 더 포함하고, 상기 로드 셀은 상기 제2 돌출부의 하부에 구비될 수 있다.
가이드링은, 상부의 제1 플레이트와 하부의 제2 플레이트 및 상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 복수의 연결 라인을 포함할 수 있다.
로드 셀은 복수 개가 구비되어, 상기 각각의 로드 셀은 상기 제2 플레이트의 하면에 고정될 수 있다.
복수 개의 로드 셀은, 서로 동일 간격으로 이격될 수 있다.
다른 실시예는 도가니의 상부에 폴리 실리콘이 채워진 실리콘 공급부를 접근시키는 단계; 상기 폴리 실리콘의 몸체의 하부에서 밸브를 개방하여 상기 폴리 실리콘을 상기 도가니로 투입하는 단계; 상기 실리콘 공급부 내의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소를 측정하는 단계; 및 상기 폴리 실리콘의 중량이 기설정된 중량 이상 감소하면, 상기 도가니를 기설정된 높이만큼 하강시키는 단계를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다.
실리콘 공급부 내의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소의 측정은, 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 로드 셀에서 이루어질 수 있다.
로드 셀에서의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소의 측정은, 상기 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링과 상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 제1 돌출부의 사이에 상기 로드 셀이 구비되고, 상기 가이드링으로부터 상기 로드 셀에 가해지는 압력의 변화를 측정하여 이루어질 수 있다.
로드 셀은 상기 가이드링의 하면에 고정되고, 상기 실리콘 공급부의 하강에 따라 상기 제1 돌출부의 상면에 지지될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법은, 인상 챔버의 내측벽에서 제1 돌출부 위의 로드 셀과, 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링의 작용에 의하여, 실리콘 공급부 내의 폴리 실리콘의 중량 감소를 측정하여, 폴리 실리콘이 일정 중량 이상 도가니로 투입되면, 도가니를 기설정된 높이만큼 하강시켜서, 실리콘 융액의 튐 또는 폴리 실리콘과의 충격에 의한 밸브의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 구비되는 인상 챔버와 실리콘 공급부와 가이드링 및 로드셀의 형상을 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 가이드링과 로드셀을 상세히 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이고,
도 4a 및 도 4b는 실리콘 공급부에서 폴리 실리콘을 공급하는 과정을 나타낸 도면이고,
도 5는 폴리 실리콘의 공급 후에 밸브와 폴리 실리콘의 접근을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치에 구비되는 인상 챔버와 실리콘 공급부와 가이드링 및 로드셀의 형상을 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 가이드링과 로드셀을 상세히 나타낸 도면이다.
실리콘 단결정 성장 장치의 챔버 상부에 구비되는 부분을 인상 챔버(700)라고 할 수 있는데, 인상 챔버(700)는 후술하는 실리콘 단결정 성장 장치의 챔버와 일체를 이루어나 또는 상기 챔버의 일부분일 수 있다.
인상 챔버(700)는 상부와 하부가 개방된 원통 형상일 수 있고, 챔버 몸체(710)와 상기 챔버 몸체(710)의 내측벽에 구비되는 제1 돌출부(720)를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(720)는 챔버 몸체(710)의 내측벽의 적어도 2 영역 이상에 구비될 수 있고, 또한 챔버 몸체(170)의 내측벽의 일정한 높이에서 라인 형상으로 돌출되어 형성될 수 있다.
인상 챔버(700)의 내부에는 실리콘 공급부(800)가 배치될 수 있는데, 실리콘 공급부(800)는 인상 챔버(700)에 고정되지 않고 인상 챔버(700)의 내부에서 승강될 수 있다.
실리콘 공급부(800)는 후술하는 도가니에 폴리 실리콘(poly Si)을 공급하는데, 상부와 하부가 개방된 원통형의 몸체(810)와 케이블(830)에 의하여 승강되며 몸체(810)의 하부를 개폐하는 콘 형상의 밸브(820)를 포함하며, 몸체(810)의 상부 영역의 외측에 제2 돌출부(840)가 구비될 수 있다.
실리콘 공급부(800)의 몸체(810)의 둘레에는 가이드링(850)이 고정되며 배치될 수 있고, 가이드링(850)의 하부에는 로드 셀(860)이 배치될 수 있다.
가이드링(850)은 상부의 제1 플레이트(852)와 하부의 제2 플레이트(854)와 제1 플레이트(852)와 제2 플레이트(854)를 연결하는 복수의 연결 라인(856)을 포함할 수 있다.
제1 플레이트(852)와 제2 플레이트(854)는 중앙 영역의 홀을 가지는 원반형상일 수 있고, 제2 플레이트(854)의 하면에는 복수의 로드 셀(860)이 구비될 수 있다.
제2 플레이트(854)의 하부에는 제3 플레이트(857)가 구비되는데, 제2 플레이트(854)로부터 복수의 제2 연결 라인(858)에 의하여 제3 플레이트(857)가 연결될 수 있다. 제3 플레이트(857)는 링 형상일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 제3 플레이트(857)는 폴리 실리콘의 공급 공정 이전에, 작업자가 가이드 링을 실리콘 공급부(800)의 몸체(810)의 측면에 고정할 때 쉽게 핸들링하기 위한 구성일 수 있다.
도 1과 도 2를 참조하면, 로드 셀(860)이 가이드링(850)과 함께 이동하여, 실리콘 공급부(800)의 하강에 따라 인상 챔버(700)의 내측벽의 제1 돌출부(720)와 제2 플레이트(854)의 사이에 로드 셀(860)이 위치할 수 있다. 이때, 로드 셀은 실리콘 공급부(800)의 제2 돌출부(840) 보다 하부에 구비될 수 있다.
로드 셀(860)은 도 2에서 4개가 도시되나 이에 한정하지는 않는다. 로드 셀(860)은 제1 돌출부(720) 위에 구비되며 가이드링으로부터 가해지는 무게를 측정할 수 있다.
이때, 로드 셀(860)은 복수 개로 구비되고, 제2 플레이트(854)의 하면에 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치될 때 가이드링(850)으로부터 가해지는 하중을 정확히 측정할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치(1000)는 내부에 실리콘 융액(Si melt)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)이 성장하기 위한 공간이 형성되는 챔버(100)와, 상기 실리콘 융액(Si melt)이 수용되기 위한 내부 도가니(200) 및 외부 도가니(250)와, 상기 내부, 외부 도가니(200, 250)를 가열하기 위한 가열부(400)와, 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 향한 가열부(400)의 열을 차단하기 위하여 도가니(200)의 상부에 위치되는 열차폐체(600)와, 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)의 성장을 위한 시드(미도시)를 고정하기 위한 시드척(10)과, 도가니(250)를 회전시키고 상승시키는 지지대(300)을 포함할 수 있다.
그리고, 챔버(100)의 상부에는 인상 챔버(700)가 배치되며, 인상 챔버(700)의 몸체(710)가 챔버(100)와 연결될 수 있다. 그리고, 인상 챔버(700)와 상술한 실리콘 공급부(800) 및 가이드링과 로드 셀이 구비될 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나 성장되는 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)은 시드척(미도시)에 의하여 인상될 수 있는데, 상승되는 고온의 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 냉각시키기 위하여 수냉관(500)이 배치될 수 있다.
챔버(100)는 실리콘 융액(Si melt)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)을 형성시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.
또한, 내부, 외부 도가니(200, 250)는 실리콘 융액(Si melt)을 담을 수 있도록 챔버(100)의 내부에 구비될 수 있다. 내부 도가니(250)는 석영으로 이루어질 수 있고, 외부 도가니(250)는 흑연으로 이루어질 수 있다.
내부 도가니(200)의 실리콘 융액에 폴리 실리콘(Poly Si)이 투입되면, 실리콘 융액보다 비중이 작은 폴리 실리콘이 실리콘 융액의 상부에 위치할 수 있다.
외부 도가니(250)는 내부 도가니(200)가 열에 의하여 팽창될 경우를 대비하여, 2개 또는 4개로 분할되어 구비될 수 있다.
챔버(100) 내에는 가열부(400)의 열이 방출되지 못하도록 단열재를 구비할 수 있다. 본 실시예에서는 내부, 외부 도가니(200, 250) 상부의 열차폐체(600)만이 도시되고 있으나, 내부, 외부 도가니(200, 250)의 측면과 하부에 각각 단열재가 배치될 수도 있다.
가열부(400)는 내부, 외부 도가니(200, 250) 내에 공급된 다결정의 실리콘을 녹여서 실리콘 융액(Si melt)으로 만들 수 있는데, 가열부(400) 상부에 배치되는 전류 공급 로드(미도시)로부터 전류를 공급받을 수 있다.
내부, 외부 도가니(200, 250)의 바닥면의 중앙에는 지지대(300)가 배치되어내부,외부 도가니(200, 250)를 지지할 수 있다. 내부, 외부 도가니(200, 250) 상부의 시드로부터 실리콘 융액(Si melt)이 일부 응고되어 실리콘 단결정 잉곳(Ingot)이 성장될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 실리콘 공급부에서 폴리 실리콘을 공급하는 과정을 나타낸 도면이다. 이하에서 도 4a 및 도 4b를 참조하여, 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 설명한다.
먼저, 도가니의 상부에 폴리 실리콘이 채워진 실리콘 공급부를 접근시킨다. 즉, 도 4a에 도시된 바와 같이 실리콘 공급부(800)의 몸체(810) 하부가 밸브(820)에 의하여 패쇄되어, 몸체(810)의 내부에 폴리 실리콘이 채워진 상태일 수 있다.
그리고, 도 4b에 도시된 바와 같이, 폴리 실리콘의 몸체의 하부에서 밸브를 개방하여 폴리 실리콘을 상기 도가니로 투입할 수 있다.
이때, 상술한 바와 같이 인상 챔버의 내측벽에서 제1 돌출부 위의 로드 셀과, 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링의 작용에 의하여, 즉, 가이드링으부터 로드 셀에 가해지는 압력의 변화를 측정하여 실리콘 공급부 내의 폴리 실리콘의 중량 감소를 측정할 수 있다. 또한, 로드 셀은 가이드링의 하면에 고정되고, 실리콘 공급부의 하강에 따라 제1 돌출부의 상면에 지지될 수 있다.
즉, 상술한 실리콘 공급부의 밸브(820)가 몸체(810)을 폐쇄한 상태와 개방한 이후의 중량을 측정하여, 폴리 실리콘의 중량 감소를 확인할 수 있다.
이때, 폴리 실리콘이 일정 중량 이상 도가니로 투입되면, 즉, 폴리 실리콘의 중량이 기설정된 중량 이상 감소하면, 도가니를 기설정된 높이만큼 하강시킬 수 있다.
도 5는 폴리 실리콘의 공급 후에 밸브와 폴리 실리콘의 접근을 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 밸프의 개방에 따라 폴리 실리콘이 도가니로 공급된 후, 실리콘 융액 표면의 폴리 실리콘과 밸브와의 거리가 가까워질 수 있다.
폴리 실리콘과 밸브의 이러한 접근은, 폴리 실리콘과의 충돌에 의한 밸브의 손상 또는 폴리 실리콘의 투입 때 실리콘 융액의 튐에 의한 밸브의 손상을 초래할 수 있다.
폴리 실리콘의 용융 중에 폴리 실리콘과 밸브의 거리를 직접 측정하기는 어려울 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 폴리 실리콘이 일정량 이상 투입된 후에는 도가니를 하강시켜서, 상술한 밸브의 손상을 방지할 수 있다. 이때, 폴리 실리콘이 일정 중량 투입되면 실리콘 융액의 표면에 폴리 실리콘이 얼마 정도의 높이만큼 쌓인다는 비교예를 파악한 후, 실제 폴리 실리콘의 투입 후 해당 비교예를 참조하여 도가니를 하강시킬 때를 결정할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 추가하여, 도가니를 지지하는 지지대의 위에 제2 로드 셀을 추가로 구비할 수도 있다. 즉, 실리콘 공급부의 중량 측정을 통하여 폴리 실리콘의 중량 감소를 파악하는 방법 외에, 지지대 위의 제2 로드 셀에서 도가니와 실리콘 융액의 중량을 측정하여, 추가된 폴리 실리콘의 중량을 파악하여, 도가니를 하강시킬 때를 파악할 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 시드척 100: 챔버
200: 내부 도가니 250, 250a, 250b: 외부 도가니
252: 홈 256: 플레이트
300: 지지대 400: 가열부
500: 수냉관 600: 열차폐체
700: 인상 챔버 710: 챔버 몸체
720: 제1 돌출부 800: 실리콘 공급부
810: 몸체 820: 밸브
830: 케이블 840: 제2 돌출부
850: 가이드링 852, 854, 857: 제1,2 플레이트
856: 연결 라인 857: 제2 연결 라인
860: 로드 셀 1000: 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치

Claims (11)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘 융액을 수용하는 도가니;
    상기 도가니를 지지하는 지지대;
    상기 챔버의 상부에 구비되는 인상 챔버;
    상기 인상 챔버의 내부에 구비되어 상기 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 실리콘 공급부;
    상기 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링; 및
    상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되고, 상기 가이드링으로부터 가해지는 무게를 측정하는 로드 셀을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 실리콘 공급부는,
    원통형의 상기 몸체와, 케이블에 의하여 승강하며 상기 몸체의 하부를 개폐하는 콘 형상의 밸브를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 제1 돌출부를 더 포함하고,
    상기 로드 셀은 상기 돌출부와 상기 가이드링의 사이에 배치되는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 몸체의 상부 영역의 외측에 구비되는 제2 돌출부를 더 포함하고,
    상기 로드 셀은 상기 제2 돌출부의 하부에 구비되는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 가이드링은,
    상부의 제1 플레이트와 하부의 제2 플레이트 및 상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 복수의 연결 라인을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 로드 셀은 복수 개가 구비되어, 상기 각각의 로드 셀은 상기 제2 플레이트의 하면에 고정되는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수 개의 로드 셀은, 서로 동일 간격으로 이격되는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치.
  8. 도가니의 상부에 폴리 실리콘이 채워진 실리콘 공급부를 접근시키는 단계;
    상기 폴리 실리콘의 몸체의 하부에서 밸브를 개방하여 상기 폴리 실리콘을 상기 도가니로 투입하는 단계;
    상기 실리콘 공급부 내의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소를 측정하는 단계; 및
    상기 폴리 실리콘의 중량이 기설정된 중량 이상 감소하면, 상기 도가니를 기설정된 높이만큼 하강시키는 단계를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 실리콘 공급부 내의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소의 측정은, 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 로드 셀에서 이루어지는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 로드 셀에서의 상기 폴리 실리콘의 중량 감소의 측정은,
    상기 실리콘 공급부의 몸체의 둘레에 구비되는 가이드링과 상기 인상 챔버의 내측벽에 구비되는 제1 돌출부의 사이에 상기 로드 셀이 구비되고, 상기 가이드링으로부터 상기 로드 셀에 가해지는 압력의 변화를 측정하여 이루어지는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 로드 셀은 상기 가이드링의 하면에 고정되고, 상기 실리콘 공급부의 하강에 따라 상기 제1 돌출부의 상면에 지지되는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법.
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