KR100705277B1 - 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의구동 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 고려하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스를 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것으로, 본 발명은 서스테인 기간에서 서스테인 전극 또는 스캔 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절함으로써, 온도에 따른 오방전을 방지하고 화질을 악화를 방지하는 효과가 있다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널, 상기 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부 및 상기 구동부를 제어하여, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 짧도록 하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 상기 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 길게하는 서스테인 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{Plasma Display Apparatus and Driving Method of Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 도.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 전극들의 배열 구조를 설명하기 위한 도.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도.
도 5는 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 6은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 변화에 따른 방전 개시 전압의 변화를 설명하기 위한 도.
도 7은 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 온도변화에 따른 벽전하의 분포변화를 설명하기 위한 도.
도 8은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온 또는 저온인 경우에 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 설명하기 위한 도.
도 9는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구조를 설명하기 위한 도.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 도.
도 11a 내지 도 11b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 도.
도 12a 내지 도 12b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 3 실시예를 설명하기 위한 도.
도 13은 도 10a 내지 도 10b에서의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예의 일례를 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 14는 도 13의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도.
도 15는 도 10a 내지 도 10b에서의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예의 또 다른 예를 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 16은 도 15의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도.
도 17은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도.
도 18은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 또 다른 방법의 일례를 설명하기 위한 도.
도 19는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 스캔 전극으 로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되는 것을 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
900 : 플라즈마 디스플레이 패널 901 : 서스테인 펄스 제어부
902 : 데이터 구동부 903 : 스캔 구동부
904 : 서스테인 구동부
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 고려하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스를 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이러한 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀이 매트릭스(Matrix) 배열 구조로 복수개가 형성된다. 이러한 방전셀은 스캔 전극 또는 서스테인 전극이 전술한 어드레스 전극과 교차되는 지점에 형성되는데, 이와 같이 복수개의 방전셀을 매트릭스 배열구조로 형성하기 위한 전극 배열을 살펴보면 다음 도 2와 같다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 전극들의 배열 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널(200)에서는 예컨대 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)이 나란하게 배열되고, 이에 교차되도록 어드레스 전극(X1 내지 Xm)이 형성된다.
이러한 배열 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(200)의 각각의 전극들에 소정의 구동 신호를 인가하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치가 연결된다. 이에 따라 전술한 구동 장치에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(200)의 전극들에 구동신호가 인가되어 화상을 구현하게 된다.
이러한 구조의 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은 한 프레임(Frame)을 발광횟수가 다른 여러 서브필드(Sub- Field)로 나누고, 각 서브필드는 다시 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간(RPD), 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(APD) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(SPD)으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.67ms)은 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다.
각 서브필드의 리셋 기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 방전은 어드레스 전극(X)과 스캔 전극(Y)인 투명전극 사이의 전압차이에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전할 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간, 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인 기간 및 방전된 셀 내의 벽전하를 소거하기 위한 소거 기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋 기간에 있어서, 셋업 기간에는 복수의 스캔 전극(Y)들에 상승 램프 펄스(Ramp-up)가 동시에 인가된다. 이 상승 램프파형에 의해 전화면의 방전셀들 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 어드레스 전극(X)과 서스테인 전극(Z) 상에는 정극성 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔 전극(Y) 상에는 부극성의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운 기간에는 상승 램프 펄스가 공급된 후, 상승 램프 펄스의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-down)이 셀들 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 스캔 전극에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전(Y)에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 셀들 내에 균일하게 잔류된다.
어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스가 스캔 전극(Y)들에 순차적으로 인가됨과 동시에 스캔 펄스에 동기되어 어드레스 전극(X)에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽전하가 형성된다. 서스테인 전극(Z)에는 셋다운 기간과 어드레스 기간 동안에 스캔 전극(Y)과의 전압차를 줄여 스캔 전극(Y)과의 오방전이 일어나지 않도록 정극성 전압(Vz)이 공급된다.
서스테인 기간에는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으 로 서스테인 펄스(Sus)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽 전압과 서스테인 펄스가 더해지면서 매 서스테인 펄스가 인가될 때 마다 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z) 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다.
부가적으로, 서스테인 방전이 완료된 후, 소거 기간에서는 펄스폭과 전압레벨이 작은 소거 램프파형(Ramp-ers)의 전압이 서스테인 전극에 공급되어 전화면의 셀들 내에 잔류하는 벽 전하를 소거시키게 된다.
이러한, 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스는 예컨대 도 5와 같이, 서스테인 전극(Z)에 그라운드 레벨(GND)의 전압이 인가되는 상태에서 스캔 전극(Y)에 서스테인 전압(Vs)이 인가되면, 스캔 전극(Y)에 의한 서스테인 방전이 발생된다. 이와는 반대로 스캔 전극(Y)에 그라운드 레벨(GND)의 전압이 인가되는 상태에서 서스테인 전극(Z)에 서스테인 전압(Vs)이 인가되면, 서스테인 전극(Z)에 의한 서스테인 방전이 발생된다. 이러한 서스테인 펄스가 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 교번적으로 공급되는 것이 일반적이다.
이러한 종래의 서스테인 펄스는 전압 상승 기간(ER-Up Time)에서 소정의 기울기를 갖는 상태에서 상승하고, 즉 ER-Up하고, 또한 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 소정의 기울기를 갖는 상태에서 하강. 즉 ER-Down한다. 여기서 전술한 전압 상승 기간은 예를 들면 도 5와 같이 그라운드 레벨(GND)로부터 서스테인 전압(Vs)까지 상승하는 기간이고, 전술한 전압 하강 기간은 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강하는 기간이다.
이러한 종래의 서스테인 펄스는 패널의 온도에 관계없이 전술한 전압 상승 기간의 길이 및 전압 하강 기간의 길이는 일정하게 유지된다.
한편, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 변화함에 따라 구동 시의 방전 개시 전압(Vth)이 변화하는데, 이를 도 6과 같은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 살펴보면 다음과 같다.
도 6은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 변화에 따른 방전 개시 전압의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온으로 상승할수록 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 더욱 커지는 것을 확인 할 수 있다. 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온으로 하강할수록 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 더욱 작아지는 것을 확인 할 수 있다.
한편, 도 6과 같은 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 커진다는 의미는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 시 방전 개시 전압이 상승한다는 것을 내포한다.
이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상승하면 방전 개시 전압이 상승하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 감소하면 방전 개시 전압이 하강하게 된다.
이는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따른 방전셀 내에서 벽전하들과 공간전하와의 재결합 비율이 변화함에 따라 주로 발생하게 되는데 이를 도 7을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 7은 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 온도변화에 따른 벽전하의 분포변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 살펴보면, 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 패널 주변의 온도가 상승하면, 예컨대 상온보다 높은 고온인 경우에 방전셀 내의 공간전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 증가하기 때문에 방전에 참여하는 벽전하의 절대양이 감소한다. 이에 따라, 패널의 온도가 고온인 경우에 오방전이 발생한다. 즉 고온 오방전이 발생한다.
예를 들면, 패널의 온도가 고온인 경우에 어드레스 기간에서 공간전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 증가하여 어드레스 방전에 참여하는 벽전하(600)의 양이 감소하여 어드레스 방전을 불안정하게 한다. 이러한 경우에는 어드레싱의 순서가 뒤쪽일수록 공간전하(601)와 벽전하(600)가 재결합할 수 있는 시간이 충분하게 확보가 되기 때문에 어드레스 방전이 더욱 불안정하게 된다. 이에 따라, 도 5의 종래 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하거나, 심지어는 어드레스 기간에서 온(On)된 방전셀이 서스테인 기간에서 오프(Off)되는 등의 고온 오방전이 발생한다.
또한, 패널의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에는 공간 전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 상대적으로 감소하기 때문에 방전셀 내에서 벽전하의 양이 과도하게 많게 된다. 이에 따라 패널의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에는 도 5의 종래 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 과도하게 커지거나 심지어는 불량 휘점이 발생하는 등의 저온 오방전이 발생한다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온 또는 고온인 경우에 도 5의 종래의 구동 파형의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 도 8을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 8은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온 또는 저온인 경우에 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 종래의 서스테인 펄스는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 전압 상승 시간 및 전압 하강 시간이 일정하게 유지되고, 이에 따라 패널의 온도가 상대적으로 높은 고온이나 상대적으로 낮은 저온일 때 이러한 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 달라진다.
예를 들면, 도 8과 같이 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 일정하게 유지되는 경우에 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온으로 상승하게 되면, (a)와 같이 이러한 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 상온인 (b)에 비해 상대적으로 감소하게 된다. 이는 도 7에서 설명한 바와 같이 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하고, 이에 따라 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소함으로써 발생하는 것이다.
이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도가 감소하게 되는 문제점이 있다.
또한, 도 8과 같이 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 일정하게 유지되는 경우에 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 낮은 저온으로 하강하게 되면, (c)와 같이 이러한 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 상온인 (b)에 비해 상대적으로 증가하게 된다. 이는 도 7에서 설명한 바와 같이 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하고, 이에 따라 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 과도하게 증가함으로써 발생하는 것이다.
이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도가 급격하게 증가함으로써, 화면상에 불량 휘점이 발생하여 화질을 악화시키는 문제점이 있다. 더욱이 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 급격하게 증가하게 되면 종래의 서스테인 펄스가 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에 과도하게 증가한 벽전하로 인해 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양을 감소시킨다. 이에 따라 그 다음 서스테인 펄스가 공급되는 경우에 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 부족하여 이러한 다음 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하거나 심지어는 서스테인 방전이 발생하는 않는 문제점이 있다. 결과적으로 플라즈마 디스플레이 패널의 화질을 악화시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 조절하여 온도에 따른 오방전을 방지하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디 스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부 및 이러한 구동부를 제어하여, 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간 중 하나 이상을 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 서스테인 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온보다 더 짧도록 하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온보다 더 길도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설 정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 판단하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 판단하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도 이상인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 75%이상 95%이하로 하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 전술한 고온임계온도는 60℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도 이하인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 105%이상 125%이하로 하는 것을 특징으로 한다.
전술한, 저온임계온도는 20℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 기간에서 서스테인 펄스는 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되고, 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간에서 각각 서스테인 방전이 발생하고, 서스테인 펄스 제어부는 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 일정하게 유지되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 각각 상온보다 더 짧도록 하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 각각 상온보다 더 길도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 상이한 전압 상승 시간을 갖는 서스테인 펄스 간의 전압 상승 시간의 차이는 모두 동일하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스 제어부는 서스테인 기간 동안 스캔 전극에 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극에 공급되는 서스테인 펄스는 중첩되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패 널의 구동 방법에 있어서, 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간 중 하나 이상은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온보다 더 짧고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온보다 더 긴 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 설정되고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 설정되는 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도 이상인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전 압 하강 시간의 75%이상 95%이하인 것을 특징으로 한다.
여기서, 고온임계온도는 60℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도 이하인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 105%이상 125%이하인 것을 특징으로 한다.
여기서, 저온임계온도는 20℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 기간에서 서스테인 펄스는 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되고, 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간에서 각각 서스테인 방전이 발생하고, 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 일정하게 유지되는 것을 특징으로 한다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간이 각각 상온보다 더 짧고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극과 서스테인 전 극으로 공급되는 각각 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 각각 상온보다 더 긴 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상이한 전압 상승 시간을 갖는 서스테인 펄스 간의 전압 상승 시간의 차이는 모두 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 서스테인 기간 동안 스캔 전극에 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극에 공급되는 서스테인 펄스는 중첩되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 9는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)과, 스캔 전극 및 서스테인 전극(Z)과 교차하는 복수의 어드레스 전극(X1 내지 Xm)을 포함하고, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극(X1 내지 Xm), 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널(900)과, 플라즈마 디스플레이 패널(900)에 형성된 어드레스 전극들(X1 내지 Xm)에 데이터를 공급하기 위 한 데이터 구동부(902)와, 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)을 구동하기 위한 스캔 구동부(903)와, 공통전극인 서스테인 전극들(Z)을 구동하기 위한 서스테인 구동부(904)와, 서스테인 기간에서 전술한 스캔 구동부(903)와 서스테인 구동부(904)를 제어하기 위한 서스테인 펄스 제어부(901)를 포함한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널(900)은 전면 패널(미도시)과 후면 패널(미도시)이 일정한 간격을 두고 합착되고, 다수의 전극들 예를 들어, 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극이 복수 개 형성되고, 또한 스캔 전극들(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극과 교차 되게 어드레스 전극(X1 내지 Xm)이 형성된다.
스캔 구동부(903)는 도시하지 않은 타이밍 컨트롤러의 제어에 의해 리셋 기간의 셋업 기간 동안 상승 램프 파형(Ramp-up)을 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)로 공급하고, 또한 리셋 기간의 셋다운 기간 동안 하강 램프 파형(Ramp-down)을 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다. 또한, 스캔 구동부(903)는 어드레스 기간 동안 스캔 전압(-Vy)의 스캔 펄스(Sp)를 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 순차적으로 공급하고, 서스테인 구간 동안에는 서스테인 펄스 제어부(901)의 제어에 따라 서스테인 펄스(SUS)를 스캔전극 들(Y1 내지 Yn)에 공급한다.
서스테인 구동부(904)는 도시하지 않은 타이밍 컨트롤러의 제어 하에 셋다운 기간 또는 어드레스 기간 중 하나 이상의 기간 동안 바이어스 전압(Vz)을 서스테인 전극(Z)들에 공급하고 서스테인 기간에서는 서스테인 펄스 제어부(901)의 제어 하에 스캔 구동부(903)와 교대로 동작하여 서스테인 펄스(SUS)를 서스테인 전극(Z)들에 공급하게 된다.
데이터 구동부(901)에는 도시하지 않은 역 감마 보정회로, 오차확산회로 등에 의해 역 감마보정 및 오차확산된 후, 서브필드 맵핑 회로에 의해 각 서브필드에 맵핑된 영상 데이터가 공급되고, 이렇게 공급된 서브필드 맵핑된 영상 데이터를 각각 해당하는 어드레스 전극(X)으로 공급한다.
서스테인 펄스 제어부(901)는 서스테인 기간에서 전술한 스캔 구동부(903) 및 서스테인 구동부(904)의 동작을 제어하는데, 특히 전술한 서스테인 펄스 제어부(901)는 전술한 스캔 구동부(903) 및 서스테인 구동부(904)를 제어하여, 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 플라즈마 디스플레이 패널(900)의 온도에 따라 조절한다. 여기서, 더욱 바람직하게는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절한다.
이러한 구조의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 동작은 이후의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 설명을 통해 보다 명확히 될 것이다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 내지 도 10b를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 하강 시간 중 하나 이상이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는데, 여기서 바람직게는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다.
먼저, 도 10a를 살펴보면 서스테인 기간에 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 서스테인 펄스가 공급되고, 이러한 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간(ER-Up-Time)에서 서스테인 방전이 발생한다.
이에 따라, 도 10b와 같이 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다. 더욱 바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up-time)을 상온보다 더 짧게 하고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 상온보다 더 길게 한다.
이상의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예와는 다르게 서스테인 방전이 서스테인 펄스의 전압이 하강하는 기간에서 발생하는 경우에도 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간 또는 전압 상승 시간 중 하나 이상을 조절하는 것이 가능한데, 이를 살펴보면 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 2 실시예와 같다.
도 11a 내지 도 11b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 내지 도 11b를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 2 실시예는 전술한 10a 내지 도 10b의 제 2 실시예와 마찬가지로 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 하강 시간 중 하나 이상이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는데, 여기 본 발명의 제 2 실시예에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점, 즉 서스테인 펄스의 전압이 하강하는 시점이 서스테인 펄스의 전압이 하강하는 시점이므로, 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다.
먼저, 도 11a를 살펴보면 서스테인 기간에 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 서스테인 펄스가 공급되고, 이러한 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 하강하는 기간(ER-Down-Time)에서 서스 테인 방전이 발생한다.
이에 따라, 도 11b와 같이 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다. 더욱 바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(ER-Down-time)을 상온보다 더 짧게 하고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 상온보다 더 길게 한다.
이상의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예 및 제 2 실시예와는 다르게 서스테인 방전이 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 하강하는 기간에서 모두 발생하는 경우에도 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간 또는 전압 상승 시간 중 하나 이상을 조절하는 것이 가능한데, 이를 살펴보면 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 3 실시예와 같다.
도 12a 내지 도 12b는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 3 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 12a 내지 도 12b를 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 3 실시예는 전술한 제 1 실시예 및 제 2 실시예와 마찬가지로 서스테 인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 하강 시간 중 하나 이상이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절되는데, 여기 본 발명의 제 3 실시예에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점, 즉 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 어느 하나의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 시점과 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 시점과 하강하는 시점이므로, 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 어느 하나의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간과 전압 상승 시간을 각각 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다.
먼저, 도 12a를 살펴보면 서스테인 기간에 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 서스테인 펄스가 공급되고, 이러한 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스 중 어느 하나의 전극, 예컨대 도 12a와 같이 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간(ER-Up-Time)과 서스테인 펄스의 전압이 하강하는 기간(ER-Down-Time)에서 각각 서스테인 방전이 발생한다.
이에 따라, 도 12b와 같이 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 어느 하나의 전극, 예컨대 도 12b와 같이 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 각각 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다. 더욱 바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up- Time)과 전압 하강 시간(ER-Down-time)을 상온보다 더 짧게 하고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up-Time)과 전압 하강 시간(ER-Down-time)을 상온보다 더 길게 한다.
이와 같이 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예, 제 2 실시예 또는 제 3 실시예에서 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 경우에, 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 미리 설정하고, 설정한 임계온도에 따라 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 조절하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 20℃와 60℃로 설정한다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 고온임계온도를 60℃로 설정하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 저온임계온도를 20℃로 설정한다.
이렇게 임계온도를 설정하고, 설정한 임계온도로서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 조절하는 것이다. 예컨대, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도, 예컨대 20℃이하로 떨어지는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 길게 한다. 예를 들어 도 10a 내지 도 10b와 같은 제 1 실시예의 경우에는 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 T라고 할때, 저온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 T+Δt이다.
여기서, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온인 경우에 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간은 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 105%이상 125%이하인 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 10a 내지 도 10b와 같은 제 1 실시예의 경우에서 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 400ns(나노초)라고 가정할 때, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온인 경우에서는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 420ns(나노초)이상 500ns(나노초)이상의 범위 내에서 설정되는 것이다.
또한, 예를 들어 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도, 예컨대 60℃이상으로 상승하는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 짧게 한다. 예를 들어 도 10a 내지 도 10b와 같은 제 1 실시예의 경우에는 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 T라고 할때, 고온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 T-Δt이다.
여기서, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우에 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간은 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 75%이상 95%이하인 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 10a 내지 도 10b와 같은 제 1 실시예의 경우에서 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 400ns(나노초)라고 가정할 때, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우에서는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간이 300ns(나노초)이상 380ns(나노초)이상의 범위 내에서 설정되는 것이다.
이상에서 제 1, 2, 3 실시예를 통해 상세히 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 전술한 제 1 실시예를 예로 들어 보다 상세히 살펴보면 다음과 같다.
도 13은 도 10a 내지 도 10b에서의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예의 일례를 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 살펴보면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예는 서스테인 기간에서 서스테인 펄스는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되고, 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간에서 각각 서스테인 방전이 발생한다. 여기서, 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것이다. 예를 들면, 도 13과 같이 바람직게는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절한다.
여기서는, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간만을 조절하는 것만을 도시하고 설명하였지만, 이와는 다르게 전압 상승 시간과 함께 전압 하강 시간을 조절하는 것도 가능한데, 이에 대해서는 이후에 상세히 설명한다.
여기 도 13에서 바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up Time)은 상온보다 더 짧고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 상온보다 더 길다.
예를 들면, 도 13과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 t1시점에서 상승하기 시작하여 t3시점에서 최고점에 도달한다. 즉, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 상온에서의 t3-t1이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 높은 고온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 t1시점에서 상승하기 시작하여 t2시점에서 최고점에 도달 한다. 즉, 고온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 t2-t1이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 낮은 저온에서 공급되는 서스테인 펄스는 t1시점에서 상승하기 시작하여 t4시점에서 최고점에 도달한다. 즉, 저온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 t4-t1이다.
이와 같이, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 증가할수록 짧아지고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 감소할수록 길어지는 것이 바람직하다.
또한, 여기서 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우와 저온인 경우에서 모두 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 t5시점에서 하강하기 시작하여 t6시점에서 최저점에 도달한다. 즉, 고온 및 저온에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 t6-t5이다.
이와 같이, 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(ER-Down Time)은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 일정하게 유지된다. 여기서, 이러한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 종래의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간보다 길게 설정되는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예 에서 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 상승함에 따라 짧게 하고, 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 하강함에 따라 길게 하며 또한, 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 종래의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간보다 긴 시간으로 유지하는 이유는 온도에 따른 오방전의 방지와 자가 소거 방전을 방지하기 위해서인데, 이에 대해서 도 14를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 14는 도 13의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 참조하면, 종래의 도 8과 비교하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우와 저온인 경우에서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양이 모두 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우와 동일하다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온에서 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양과 상온 보다 낮은 저온에서 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양이 상온과 동일하게 되는 이유를 살펴보면 다음과 같다.
즉, (a)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 상온에서보다, 즉 (b)보다 더 짧게 함으로서, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 방전이 빠르게 발생하도록 한다. 이에 따라, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 증 가한다. 결국, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온인 경우에 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소하더라도 서스테인 방전이 빠르게 발생되도록 함으로써, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 증가하는 것이다.
이에 따라, 종래의 도 8의 (a)에서와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서 방전셀 내에서의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소함으로써 발생되는 오방전의 문제점, 즉 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하여 휘도가 감소하거나 심지어는 서스테인 방전이 발생하지 않는 등의 문제점이 발생하지 않는다.
또한, (c)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 상온에서보다, 즉 (b)보다 더 길게 함으로서, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 방전이 상대적으로 천천히 발생하도록 한다. 이에 따라, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소한다. 결국, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 낮은 저온인 경우에 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 상대적으로 많이 형성된다고 하더라도 서스테인 방전이 상대적으로 느리게 발생되도록 함으로써, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하는 것이다.
이에 따라, 종래의 도 8의 (c)에서와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서 방전셀 내에서의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 상대적으로 많이 형성됨으로써 발생되는 오방전의 문제점, 즉 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 과도하게 증가하여 화면상에 불량 휘점이 발생하여 화질을 악화시키는 문제점이 발생하지 않는다.
더욱이 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 종래의 서스테인 펄스보다 길게 유지함으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온인 경우에 방전셀 내에서 과도하게 형성된 벽전하에 의해 서스테인 펄스가 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양을 감소시키는 문제점이 발생하지 않는다. 즉, 다르게 표현하면, 플라즈마 디스플레이 패널이 온도 상온보다 낮은 저온인 경우에 방전셀 내의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에 벽전하의 양이 과도하게 증가하는 경우에도 서스테인 기간에 서스테인 전극(Z) 또는 스캔 전극(Y) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간이 종래에 비해 길게 유지되고 있기 때문에, 서스테인 펄스가 전압 하강 기간에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에도 방전셀 내의 벽전하의 분포가 안정되기 때문에 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하지 않는 것이다.
이러한 도 13에서는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간만을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하였는데 이와는 다르게, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 것도 가능하다. 이를 살펴보면 다음 도 15와 같다.
도 15는 도 10a 내지 도 10b에서의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 제 1 실시예의 또 다른 예를 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 15를 참조하면, 전술한 도 13과 마찬가지로, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up Time)을 상온 보다 높은 고온에서 더 짧게 하고, 상온 보다 낮은 저온에서 더 길게 한다.
반면에, 도 15에서는 전술한 도 13과는 다르게, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(ER-Down Time)을 상온 보다 높은 고온에서 더 짧게 하고, 상온 보다 낮은 저온에서 더 길게 한다.
바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(ER-Up Time)은 상온보다 더 짧고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 상온보다 더 길다.
예를 들면, 도 15와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 t6시점에서 하강하기 시작하여 t8시점에서 최저점에 도달한다. 즉, 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 상온에서의 t8-t6이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 높은 고온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 t7시점에서 하강하기 시작하여 t8시점에서 최저점에 도달한다. 즉, 고온에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 t8-t7이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 낮은 저온에서 공급되는 서스테인 펄스는 t5시점에서 하강하기 시작하여 t8시점에서 최저점에 도달한다. 즉, 저온에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 t8-t5이다.
이와 같이, 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 증가할수록 짧아지고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 감소할수록 길어지는 것이 바람직하다.
이와 같이, 도 15에서와 같이 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 상승함에 따라 짧게 하고, 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 하강함에 따라 길게 하는 경우에서의 서스테인 광의 광특성을 살펴보면 다음 도 16과 같다.
도 16은 도 15의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 도 14과 비교하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우와 저온인 경우에서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양이 모두 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우와 동일하다.
또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온인 경우에 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 상온에서보다 더 길게 함으로써, 이와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온인 경우에 방전셀 내에서 과도하게 형성된 벽전하에 의해 발생하는 자가 소거 방전의 발생을 더욱 효과적으로 방지한다.
이상의 도 13 내지 도 16과 같이 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 경우에, 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 미리 설정하고, 설정한 임계온도에 따라 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 조절하는 것이 바람직하다. 이를 다음 도 17 내지 도 18를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 17를 살펴보면 도 17은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면으로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 2가지로 설정한 일례가 나타나 있다.
예를 들면, 도 17과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 20℃와 60℃로 설정한다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 고온임계온도를 60℃로 설정하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 저온임계온도를 20℃로 설정한다.
이렇게 임계온도를 설정하고, 설정한 임계온도로서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 조절하는 것이다. 예를 들면, 도 17과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도, 예컨대 20℃이하로 떨어지는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 상온보다 더 길게 한다. 즉 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(t3-t1)보다 긴 (t4-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(t8-t6)보다 긴 (t8-t5)로 설정한다.
또한, 예를 들면, 도 17과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도, 예컨대 60℃이상으로 상승하는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 상온보다 더 짧게 한다. 즉 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(t3-t1)보다 짧은 (t2-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간(t8-t6)보다 짧은 (t8-t7)로 설정한다.
덧붙여서, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온, 즉 20℃초과 60℃미만인 경우에는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t3-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t8-t6)로 설정한다.
즉, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖도록 하는 것이다.
이와 같은 방법으로 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 서로 다른 6개의 상이한 값을 갖도록 하는 것도 가능한데, 이러한 방법을 도 18에 나타내었다.
도 18은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 또 다른 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 18을 살펴보면, 도 17의 경우와는 다르게 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 5가지로 설정하였다.
예를 들면, 도 18과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 20℃, 30℃, 40℃, 50℃, 60℃로 설정한다.
이렇게 임계온도를 설정하고, 설정한 임계온도로서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 조절하는 것이다. 예를 들면, 도 18과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 20℃이하로 떨어지는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 이를 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 조절하는데, 예컨대 전압 상승 시간을 (t7-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t8)로 설정한다.
또한, 예를 들면, 도 18과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 20℃초과 30℃이하인 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 이를 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 조절한다. 예컨대 즉 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t6-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t9)로 설정한다.
이러한 방법으로 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 30℃초과 40℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t5-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t10)로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 40℃초과 50℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t4-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t11)로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 50℃초과 60℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t3-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t12)로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 60℃초과인 경우에, 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 (t2-t1)로 설정하고, 또한 서스테인 펄스의 전압 하강 시간을 (t14-t13)로 설정한다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 3개 이상으로 설정하면, 온도에 따른 오방전을 보다 용이하게 방지할 수 있다.
이러한 도 17 내지 도 18에서의 각각의 온도 범위에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간간의 차이 또는 전압 하강 시간간의 차이는 동일하게 설정될 수도 있고, 또한 상이하게 설정되는 것도 가능하다. 그러나 이러한 전압 상승 시간간의 차이 및 전압 하강 시간간의 차이는 모두 동일한 것이 구동회로의 제어의 측면을 고려할 때 바람직하다.
이상에서 설명한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 플라즈마 디스플레이 패널이 온도에 따라 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 과도하게 증가시키거나 감소시키는 경우에는 이미 정해진 하나의 서스테인 기간에 포함되는 서스테인 펄스의 개수가 달라질 가능성이 있다. 이러한 하나의 서스테인 기간에 포함되는 서스테인 펄스의 개수가 달라지는 것을 방지하기 위해 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩(Overlap)되도록 하는 것이 바람직한데, 이를 도 19를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 19는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 19를 살펴보면, 서스테인 기간에서 서스테인 펄스가 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 모두 공급되고, 이러한 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스는 서로 중첩(Overlap)된다. 이와 같이 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되면, 서스테인 펄스이 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 과도하게 변하더라도 정해진 서스테인 기간에 포함되는 서스테인 펄스의 개수는 일정하게 유지할 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 서스테인 기간에서 서스테인 전극 또는 스캔 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간을 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하거나 또는 전압 상승 시간과 전압 하강 시간을 모두 온도에 따라 조절함으로써, 온도에 따른 오방전을 방지하고 화질을 악화를 방지하는 효과가 있다.

Claims (28)

  1. 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널;
    상기 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부; 및
    상기 구동부를 제어하여, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 짧도록 하고,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 상기 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 길게하는 서스테인 펄스 제어부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스 제어부는
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 판단하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스 제어부는
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도 이상인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 75%이상 95%이하로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 고온임계온도는 60℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스 제어부는
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도 이하인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간을 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 105%이상 125%이하로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 저온임계온도는 20℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 방전은
    상기 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 상기 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간에 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 일정하게 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 삭제
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상이한 전압 상승 시간을 갖는 상기 서스테인 펄스 간의 전압 상승 시간의 차이는 모두 동일하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극에 공급되는 서스테인 펄스와 상기 서스테인 전극에 공급되는 서스테인 펄스는 중첩되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  15. 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 짧도록 하고,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 상기 서스테인 기간에 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간 중 하나 이상을 상온보다 더 길게하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 설정되고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도 이상인 경우에는 서스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 75%이상 95%이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 고온임계온도는 60℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도 이하인 경우에는 서 스테인 기간에서 서스테인 방전이 발생하는 시점에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간이 상온에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간 또는 전압 하강 시간의 105%이상 125%이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 저온임계온도는 20℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 방전은
    상기 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간과 상기 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압이 상승하는 기간에 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극으로 각각 공급되는 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 일정하게 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  25. 삭제
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상이한 전압 상승 시간을 갖는 상기 서스테인 펄스 간의 전압 상승 시간의 차이는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극에 공급되는 서스테인 펄스와 상기 서스테인 전극에 공급되는 서스테인 펄스는 중첩되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
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