KR20060127539A - 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의구동 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의구동 방법 Download PDF

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김원재
이성임
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 고려하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스를 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것으로, 본 발명은 서스테인 기간에서 서스테인 전극 또는 스캔 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절함으로써, 온도에 따른 오방전을 방지하고 화질을 악화를 방지하는 효과가 있다.
이러한 본 발명은 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부 및 구동부를 제어하여, 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 서스테인 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{Plasma Display Apparatus and Driving Method of Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 도.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 전극들의 배열 구조를 설명하기 위한 도.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도.
도 5는 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 설명하기 위한 도.
도 6은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 변화에 따른 방전 개시 전압의 변화를 설명하기 위한 도.
도 7은 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 온도변화에 따른 벽전하의 분포변화를 설명하기 위한 도.
도 8은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온 또는 저온인 경우에 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 설명하기 위한 도.
도 9는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구조를 설명하기 위한 도.
도 10은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예를 설명하기 위한 도.
도 11은 도 9의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도.
도 12는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도.
도 13은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 또 다른 방법의 일례를 설명하기 위한 도.
도 14는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되는 것을 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
900 : 플라즈마 디스플레이 패널 901 : 서스테인 펄스 제어부
902 : 데이터 구동부 903 : 스캔 구동부
904 : 서스테인 구동부
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 고려하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테 인 펄스를 개선하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이러한 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀이 매트릭스(Matrix) 배열 구조로 복수개가 형성된다. 이러한 방전셀은 스캔 전극 또는 서스테인 전극이 전술한 어드레스 전극과 교차되는 지점에 형성되는데, 이와 같이 복수개의 방전셀을 매트릭스 배열구조로 형성하기 위한 전극 배열을 살펴보면 다음 도 2와 같다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 전극들의 배열 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널(200)에서는 예컨대 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)이 나란하게 배열되고, 이에 교차되도록 어드레스 전극(X1 내지 Xm)이 형성된다.
이러한 배열 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(200)의 각각의 전극들에 소정의 구동 신호를 인가하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치가 연결된다. 이에 따라 전술한 구동 장치에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(200)의 전극들에 구동신호가 인가되어 화상을 구현하게 된다.
이러한 구조의 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은 한 프레임(Frame)을 발광횟수가 다른 여러 서브필드(Sub-Field)로 나누고, 각 서브필드는 다시 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간(RPD), 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(APD) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(SPD)으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.67ms)은 도 3과 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다.
각 서브필드의 리셋 기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 방전은 어드레스 전극(X)과 스캔 전극(Y)인 투명전극 사이의 전압차이에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스 테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전할 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간, 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인 기간 및 방전된 셀 내의 벽전하를 소거하기 위한 소거 기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋 기간에 있어서, 셋업 기간에는 복수의 스캔 전극(Y)들에 상승 램프 펄스(Ramp-up)가 동시에 인가된다. 이 상승 램프파형에 의해 전화면의 방전셀들 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 어드레스 전극(X)과 서스테인 전극(Z) 상에는 정극성 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔 전극(Y) 상에는 부극성의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운 기간에는 상승 램프 펄스가 공급된 후, 상승 램프 펄스의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-down)이 셀들 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 스캔 전극에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전(Y)에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 셀들 내에 균일하게 잔류된다.
어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스가 스캔 전극(Y)들에 순차적으로 인가됨과 동시에 스캔 펄스에 동기되어 어드레스 전극(X)에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽전하가 형성된다. 서스테인 전극(Z)에는 셋다운 기간과 어드레스 기간 동안에 스캔 전극(Y)과의 전압차를 줄여 스캔 전극(Y)과의 오방전이 일어나지 않도록 정극성 전압(Vz)이 공급된다.
서스테인 기간에는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 서스테인 펄스(Sus)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽 전압과 서스테인 펄스가 더해지면서 매 서스테인 펄스가 인가될 때 마다 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z) 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다.
부가적으로, 서스테인 방전이 완료된 후, 소거 기간에서는 펄스폭과 전압레벨이 작은 소거 램프파형(Ramp-ers)의 전압이 서스테인 전극에 공급되어 전화면의 셀들 내에 잔류하는 벽 전하를 소거시키게 된다.
이러한, 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스를 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 종래의 구동 파형에서 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스는 예컨대 도 5와 같이, 서스테인 전극(Z)에 그라운드 레벨(GND)의 전압이 인가되는 상태에서 스캔 전극(Y)에 서스테인 전압(Vs)이 인가되면, 스캔 전극(Y)에 의한 서스테인 방전이 발생된다. 이와는 반대로 스캔 전극(Y)에 그라운드 레벨(GND)의 전압이 인가되는 상태에서 서스테인 전극(Z)에 서스테인 전압(Vs)이 인가되면, 서스테인 전극(Z)에 의한 서스테인 방전이 발생된다. 이러한 서스테인 펄스가 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)으로 교번적으로 공급되는 것이 일반적이다.
이러한 종래의 서스테인 펄스는 전압 상승 기간(ER-Up Time)에서 소정의 기울기를 갖는 상태에서 상승하고, 즉 ER-Up하고, 또한 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 소정의 기울기를 갖는 상태에서 하강. 즉 ER-Down한다. 여기서 전술한 전압 상승 기간은 예를 들면 도 5와 같이 그라운드 레벨(GND)로부터 서스테인 전압(Vs)까지 상승하는 기간이고, 전술한 전압 하강 기간은 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강하는 기간이다.
또한 이러한 종래의 서스테인 펄스는 패널의 온도에 관계없이 전술한 서스테인 전압(Vs)의 크기를 일정하게 유지한다. 즉, 종래의 서스테인 펄스는 그 전압의 크기가 패널의 온도에 관계없이 일정하게 유지되는 것이다.
한편, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 변화함에 따라 구동 시의 방전 개시 전압(Vth)이 변화하는데, 이를 도 6과 같은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 살펴보면 다음과 같다.
도 6은 육각형 형태의 전압곡선(Vt closed curve)을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 변화에 따른 방전 개시 전압의 변화를 설명하기 위한 도면이 다.
도 6을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온으로 상승할수록 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 더욱 커지는 것을 확인 할 수 있다. 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온으로 하강할수록 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 더욱 작아지는 것을 확인 할 수 있다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우의 육각형 형태의 전압곡선이 ②와 같은 크기라고 가정하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온인 경우에는 육각형 형태의 전압곡선이 ①과 같은 형태로서 그 크기가 작아지고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우에는 육각형 형태의 전압곡선이 ③과 같은 형태로서 그 크기가 증가한다.
한편, 도 6과 같은 육각형 형태의 전압곡선의 크기가 커진다는 의미는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 시 방전 개시 전압(Vth)이 상승한다는 것을 내포한다.
이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상승하면 방전 개시 전압이 상승하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 감소하면 방전 개시 전압이 하강하게 된다.
이는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따른 방전셀 내에서 벽전하들과 공간전하와의 재결합 비율이 변화함에 따라 주로 발생하게 되는데 이를 도 7을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 7은 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 온도변화에 따른 벽전하의 분포변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 살펴보면, 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 패널 주변의 온도가 상승하면, 예컨대 상온보다 높은 고온인 경우에 방전셀 내의 공간전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 증가하기 때문에 방전에 참여하는 벽전하의 절대양이 감소한다. 이에 따라, 패널의 온도가 고온인 경우에 오방전이 발생한다. 즉 고온 오방전이 발생한다.
예를 들면, 패널의 온도가 고온인 경우에 어드레스 기간에서 공간전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 증가하여 어드레스 방전에 참여하는 벽전하(600)의 양이 감소하여 어드레스 방전을 불안정하게 한다. 이러한 경우에는 어드레싱의 순서가 뒤쪽일수록 공간전하(601)와 벽전하(600)가 재결합할 수 있는 시간이 충분하게 확보가 되기 때문에 어드레스 방전이 더욱 불안정하게 된다. 이에 따라, 도 5의 종래 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하거나, 심지어는 어드레스 기간에서 온(On)된 방전셀이 서스테인 기간에서 오프(Off)되는 등의 고온 오방전이 발생한다.
또한, 패널의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에는 공간 전하(601)와 벽전하(600)의 재결합 비율이 상대적으로 감소하기 때문에 방전셀 내에서 벽전하의 양이 과도하게 많게 된다. 이에 따라 패널의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에는 도 5의 종래 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 과도하게 커지거나 심지어는 불량 휘점이 발생하는 등의 저온 오방전이 발생한다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온 또는 고온인 경우에 도 5의 종래의 구동 파형의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 도 8을 참 조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 8은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온 또는 저온인 경우에 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 종래의 서스테인 펄스는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 그 전압의 크기가 일정하게 유지, 즉 서스테인 전압(Vs)의 크기가 일정하게 유지되고, 이에 따라 패널의 온도가 상대적으로 높은 고온이나 상대적으로 낮은 저온일 때 이러한 종래의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 달라진다.
예를 들면, 도 8과 같이 서스테인 펄스의 전압의 크기가 일정하게 유지되는 경우에 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온으로 상승하게 되면, (a)와 같이 이러한 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 상온인 (b)에 비해 상대적으로 감소하게 된다. 이는 도 6에서 설명한 바와 같이 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하고, 이에 따라 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소함으로써 발생하는 것이다.
이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도가 감소하게 되는 문제점이 있다.
또한, 도 8과 같이 서스테인 펄스의 서스테인 전압의 전압 크기가 일정하게 유지되는 경우에 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 낮은 저온으로 하강하게 되면, (c)와 같이 이러한 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 상온인 (b)에 비해 상대적으로 증가하게 된다. 이는 도 7에서 설명한 바와 같 이 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하고, 이에 따라 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 과도하게 증가함으로써 발생하는 것이다.
이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도가 급격하게 증가함으로써, 화면상에 불량 휘점이 발생하여 화질을 악화시키는 문제점이 있다. 더욱이 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 급격하게 증가하게 되면 종래의 서스테인 펄스가 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에 과도하게 증가한 벽전하로 인해 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양을 감소시킨다. 이에 따라 그 다음 서스테인 펄스가 공급되는 경우에 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 부족하여 이러한 다음 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하거나 심지어는 서스테인 방전이 발생하는 않는 문제점이 있다. 결과적으로 플라즈마 디스플레이 패널의 화질을 악화시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 서스테인 펄스의 서스테인 전압(Vs)의 전압 크기를 조절하여 온도에 따른 오방전을 방지하는 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부 및 구동부를 제어하여, 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 서스테인 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 여기서 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온보다 더 크게 하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극 또는 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온보다 더 작게 하는 것을 특징으로 한다.
또한. 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 판단하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 판단하는 것을 특징으로 한다.
또한, 고온임계온도는 60℃인 것을 특징으로 한다.
또한, 저온임계온도는 20℃인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 9는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)과, 스캔 전극 및 서스테인 전극(Z)과 교차하는 복수의 어드레스 전극(X1 내지 Xm)을 포함하고, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극(X1 내지 Xm), 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널(900)과, 플라즈마 디스플레이 패널(900)에 형성된 어드레스 전극들(X1 내지 Xm)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(902)와, 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)을 구동하기 위한 스캔 구동부(903)와, 공통전극인 서스테인 전극들(Z)을 구동하기 위한 서스테인 구동부(904)와, 서스테인 기간에서 전술한 스캔 구동부(903)와 서스테인 구동부(904)를 제어하기 위한 서스테인 펄스 제어부(901)를 포함한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널(900)은 전면 패널(미도시)과 후면 패널(미도시)이 일정한 간격을 두고 합착되고, 다수의 전극들 예를 들어, 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극이 복수 개 형성되고, 또한 스캔 전극들(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)을 포함하는 유지 전극과 교차 되게 어드레스 전극(X1 내지 Xm)이 형성된다.
스캔 구동부(903)는 도시하지 않은 타이밍 컨트롤러의 제어에 의해 리셋 기 간의 셋업 기간 동안 상승 램프 파형(Ramp-up)을 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)로 공급하고, 또한 리셋 기간의 셋다운 기간 동안 하강 램프 파형(Ramp-down)을 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다. 또한, 스캔 구동부(903)는 어드레스 기간 동안 스캔 전압(-Vy)의 스캔 펄스(Sp)를 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 순차적으로 공급하고, 서스테인 구간 동안에는 서스테인 펄스 제어부(901)의 제어에 따라 서스테인 펄스(SUS)를 스캔전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다.
서스테인 구동부(904)는 도시하지 않은 타이밍 컨트롤러의 제어 하에 셋다운 기간 또는 어드레스 기간 중 하나 이상의 기간 동안 바이어스 전압(Vz)을 서스테인 전극(Z)들에 공급하고 서스테인 기간에서는 서스테인 펄스 제어부(901)의 제어 하에 스캔 구동부(903)와 교대로 동작하여 서스테인 펄스(SUS)를 서스테인 전극(Z)들에 공급하게 된다.
데이터 구동부(901)에는 도시하지 않은 역 감마 보정회로, 오차확산회로 등에 의해 역 감마보정 및 오차확산된 후, 서브필드 맵핑 회로에 의해 각 서브필드에 맵핑된 영상 데이터가 공급되고, 이렇게 공급된 서브필드 맵핑된 영상 데이터를 각각 해당하는 어드레스 전극(X)으로 공급한다.
서스테인 펄스 제어부(901)는 서스테인 기간에서 전술한 스캔 구동부(903) 및 서스테인 구동부(904)의 동작을 제어하는데, 특히 전술한 서스테인 펄스 제어부(901)는 전술한 스캔 구동부(903) 및 서스테인 구동부(904)를 제어하여, 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테 인 펄스의 전압의 크기를 플라즈마 디스플레이 패널(900)의 온도에 따라 조절한다.
이러한 구조의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 동작은 이후의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 설명을 통해 보다 명확히 될 것이다.
도 10은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 살펴보면, 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절된다.
바람직하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기가 상온보다 더 크고 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간 동안 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기는 상온보다 더 작다.
예를 들면, 도 10과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 (b)와 같은 상온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 그 전압의 크기가 h2이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 높은 고온에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스는 그 전압의 크기가 전술한 (b)의 h2보다는 큰 (a)와 같은 h1 이다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 상온보다 낮은 저온에서 공급되는 서스테인 펄스는 그 전압의 크기가 전술한 (a)의 h1 또는 (b)의 h2 보다 작은 (c)에서와 같은 h3이다.
이와 같이, 서스테인 펄스의 전압의 크기는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 증가할수록 커지고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 감소할수록 작아지는 것이 바람직하다.
또한, 여기서 서스테인 펄스의 전압 상승 시간(ER-Up Time) 및 전압 하강 시간(ER-Down Time)은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관계없이 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우에서의 서스테인 펄스의 전압 상승 시간은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 또는 저온인 경우와 각각 동일하다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우에서의 서스테인 펄스의 전압 하강 시간은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 또는 저온인 경우와 각각 동일한 것이다.
이와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예에서 서스테인 펄스의 전압의 크기를 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 상승함에 따라 크게 하고, 플라즈마 디스플레이 패널이 온도가 하강함에 따라 작게 하는 이유는 온도에 따른 오방전의 방지와 자가 소거 방전을 방지하기 위해서인데, 이에 대해서 도 11을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 11은 도 10의 구동 파형에 의한 온도에 따른 광 특성을 설명하기 위한 도 면이다.
도 11을 참조하면, 종래의 도 8과 비교하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온인 경우와 저온인 경우에서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양이 모두 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우와 동일하다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온에서 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양과 상온 보다 낮은 저온에서 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 광의 양이 상온과 동일하게 되는 이유를 살펴보면 다음과 같다.
즉, (a)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 상온에서보다, 즉 (b)보다 더 크게 함으로서, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기를 증가시킨다. 결국, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 높은 고온인 경우에 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소하더라도 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 양이 증가하는 것이다.
이에 따라, 종래의 도 8의 (a)에서와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서 방전셀 내에서의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 증가하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 감소함으로써 발생되는 오방전의 문제점, 즉 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 감소하여 휘도가 감소하거나 심지어는 서스테인 방전이 발생하는 않는 등의 문제점이 발생하지 않는다.
또한, (c)와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 상온에서보다, 즉 (b)보다 더 작게 함으로서, 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기를 감소시킨다. 결국, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온 보다 낮은 저온인 경우에 방전셀 내에서 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 상대적으로 많이 형성된다고 하더라도 전압의 크기가 상대적으로 작은 서스테인 펄스로서 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기를 감소시키는 것이다.
이에 따라, 종래의 도 8의 (c)에서와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서 방전셀 내에서의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양이 상대적으로 많이 형성됨으로써 발생되는 오방전의 문제점, 즉 하나의 서스테인 펄스에 의해 발생하는 서스테인 광의 크기가 과도하게 증가하여 화면상에 불량 휘점이 발생하여 화질을 악화시키는 문제점이 발생하지 않는다.
더욱이 이와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서 서스테인 펄스의 전압의 크기를 상대적으로 작게 함으로써, 플라즈마 디스플레 이 패널의 온도가 저온인 경우에 방전셀 내에서 과도하게 형성된 벽전하에 의해 서스테인 펄스가 전압 하강 기간(ER-Down Time)에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하여 방전셀 내에서의 벽전하의 양을 감소시키는 문제점이 발생하지 않는다. 즉, 다르게 표현하면, 플라즈마 디스플레이 패널이 온도 상온보다 낮은 저온인 경우에 방전셀 내의 벽전하들이 공간전하들과 재결합하는 비율이 감소하여 방전셀 내에 벽전하의 양이 과도하게 증가하는 경우에도 서스테인 기간에 서스테인 전극(Z) 또는 스캔 전극(Y) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 종래에 비해 작게 설정하고 있기 때문에, 서스테인 펄스가 전압 하강 기간에서 서스테인 전압(Vs)으로부터 그라운드 레벨(GND)까지 하강한 이후에도 방전셀 내의 벽전하의 분포가 안정되기 때문에 자가 소거 방전(Self Erase)이 발생하지 않는 것이다.
이상의 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예에서 서스테인 펄스의 전압의 크기를 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 경우에, 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 미리 설정하고, 설정한 임계온도에 따라 서스테인 펄스의 전압의 크기를 조절하는 것이 바람직하다. 이를 다음 도 12 내지 도 13을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 12를 살펴보면 도 12는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면으로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 2가지로 설정한 일례가 나타나 있다.
예를 들면, 도 12와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 20℃와 60 ℃로 설정한다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 고온임계온도를 60℃로 설정하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 저온임계온도를 20℃로 설정한다.
이렇게 임계온도를 설정하고, 설정한 임계온도로서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 조절하는 것이다. 예를 들면, 도 12와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도, 예컨대 20℃이하로 떨어지는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 상온보다 더 작게 한다. 즉 서스테인 펄스의 전압의 크기를 (b)와 같은 상온에서의 서스테인 펄스의 전압의 크기 h2보다 작은 (c)와 같은 h3으로 설정한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도, 바람직하게는 20℃이하로 떨어지는 경우에는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에 대비하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 0.5%이상 10%이하의 범위 내에서 감소시키는 것이 바람직하다. 다르게 표현하면, 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 저온인계온도 20℃이하인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온의 서스테인 펄스의 전압 크기의 90% 이상 99.5%이하의 크기로 하는 것이다.
예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기가 200V라고 가정하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 저온임계온도, 바람직하게는 20℃이하인 경우에는 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 180V부터 199V사이에서 결정되는 전압으로 하는 것이다.
또한, 예를 들면, 도 12와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도, 예컨대 60℃이상으로 상승하는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임을 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 상온보다 더 크게 한다. 즉 서스테인 펄스의 전압의 크기를 (b)와 같은 상온에서의 서스테인 펄스의 전압의 크기 h2보다 큰 (a)와 같은 h1로 설정한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도, 바람직하게는 60℃이상으로 상승하는 경우에는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에 대비하여 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 0.5%이상 10%이하의 범위 내에서 증가시키는 것이 바람직하다. 다르게 표현하면, 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 전술한 고온인계온도 60℃이상인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온의 서스테인 펄스의 전압 크기의 100.5% 이상 110%이하의 크기로 하 는 것이다.
예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기가 200V라고 가정하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 고온임계온도, 바람직하게는 60℃이상인 경우에는 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 201V부터 220V사이에서 결정되는 전압으로 하는 것이다.
이와 같이, 서스테인 펄스의 전압의 크기를 서로 다른 3개 이상의 상이한 값을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법으로 서스테인 펄스의 전압의 크기가 서로 다른 6개의 상이한 값을 갖도록 하는 것도 가능한데, 이러한 방법을 도 13에 나타내었다.
도 13은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 임계온도를 설정하는 또 다른 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 살펴보면, 도 12의 경우와는 다르게 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 5가지로 설정하였다.
예를 들면, 도 13과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 20℃, 30℃, 40℃, 50℃, 60℃로 설정한다.
이렇게 임계온도를 설정하고, 설정한 임계온도로서 서스테인 기간에 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 조절하는 것이다. 예를 들면, 도 13과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 20℃이하로 떨어지는 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 이를 감지 하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 조절하는데, 예컨대 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h6으로 설정한다.
또한, 예를 들면, 도 13과 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 20℃초과 30℃이하인 경우에 전술한 도 9의 부호 901의 서스테인 펄스 제어부가 이를 감지하고, 서스테인 기간에서 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 중 하나 이상의 전극으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 조절한다. 예컨대 즉 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h5로 설정한다.
이러한 방법으로 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 30℃초과 40℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h4로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 40℃초과 50℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h3으로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 50℃초과 60℃이하인 경우에, 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h2로 설정하고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 60℃초과인 경우에, 서스테인 펄스의 전압의 크기를 h1로 설정한다.
이와 같이, 서스테인 펄스의 전압의 크기가 온도단계에 따라 서로 다른 6개의 상이한 값을 갖도록 하는 방법에서도 각각의 온도단계에 따른 서스테인 펄스의 전압의 크기의 차이는 상온에서의 서스테인 펄스의 전압의 크기의 90%보다 작지 않도록 하고, 110%보다 크기 않도록 하는 범위 내에서 결정된다.
예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온인 경우에 서스테인 펄스의 전압의 크기를 200V로 설정한다고 가정하면, 플라즈마 디스플레이 온도가 60℃이상인 경우에는 서스테인 펄스의 크기가 최대 220V가 넘지 않도록 하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 20℃이하인 경우에는 서스테인 펄스의 온도가 최저 180V이하로 떨어지지 않도록 하는 것이다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 임계온도를 3개 이상으로 설정하면, 온도에 따른 오방전을 보다 용이하게 방지할 수 있다.
이러한 도 12 내지 도 13에서의 각각의 온도 범위에서의 서스테인 펄스의 전압의 크기간의 차이는 동일하게 설정될 수도 있고, 또한 상이하게 설정되는 것도 가능하다. 그러나 이러한 서스테인 펄스의 전압의 크기간의 차이는 모두 동일한 것이 구동회로의 제어의 측면을 고려할 때 바람직하다.
또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서는 서스테인 방전의 효율의 증가를 위해 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩(Overlap)되도록 하는 것이 바람직한데, 이를 도 14를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 14는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 스캔 전극으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 살펴보면, 서스테인 기간에서 서스테인 펄스가 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z)에 모두 공급되고, 이러한 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스 와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스는 서로 중첩(Overlap)된다.
이와 같이 스캔 전극(Y)으로 공급되는 서스테인 펄스와 서스테인 전극(Z)으로 공급되는 서스테인 펄스가 중첩되면, 서스테인 펄스의 서스테인 전압 유지 시간이 짧아지더라도 서스테인 방전을 안정시킬 수 있고, 서스테인 방전이 효율을 높일 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 서스테인 기간에서 서스테인 전극 또는 스캔 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압의 크기를 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절함으로써, 온도에 따른 오방전을 방지하고 화질을 악화를 방지하는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널;
    상기 복수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구동하기 위한 구동부; 및
    상기 구동부를 제어하여, 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 조절하는 서스테인 펄스 제어부;
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스 제어부는
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 높은 고온에서는 상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온보다 더 크게 하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상온보다 낮은 저온에서는 상기 서스테인 기간 동안 상기 스캔 전극 또는 상기 서스테인 전극 중 하나 이상으로 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온보다 더 작게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 서스테인 펄스 제어부는
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 고온임계온도 이상인 경우에 고온으로 판단하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 미리 설정한 저온임계온도 이하인 경우에 저온으로 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 고온임계온도는 60℃이고,
    상기 서스테인 펄스 제어부는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상기 고온인계온도 60℃이상인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온의 서스테인 펄스의 전압 크기의 100.5% 이상 110%이하의 크기로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 저온임계온도는 20℃이고,
    상기 서스테인 펄스 제어부는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상기 저온인계온도 20℃이하인 경우에 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 펄스의 전압 크기를 상온의 서스테인 펄스의 전압 크기의 90% 이상 99.5%이하의 크기로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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