KR100607252B1 - 플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리셋 기간에 인가되는 셋다운(Set Down)펄스와 어드레스 기간에 인가되는 스캔 펄스(Vsc)와의 전압차이를 조절하는 플라즈마 디스플레이(Plasma Display) 장치에 관한 것으로, 어드레스 방전을 안정시켜 어드레스 지터 특성을 개선하고, 서스테인 방전을 안정시키는 효과가 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 스캔 전극을 구동하기 위한 스캔 구동부 및 스캔 구동부를 제어하여, 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 스캔 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 스캔 펄스, 셋다운 펄스, 저 계조, 가중치, 어드레스 방전

Description

플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법{Plasma Display Panel, Apparatus, Driving Apparatus and Method thereof}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 도.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 3은 한 프레임에 선택적 쓰기 및 선택적 소거 방식의 서브필드가 포함되어 있는 종래의 다른 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임을 나타내는 도.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형의 일례를 나타낸 도.
도 5는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 리셋 기간에서 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에 인가되는 스캔 펄스과의 전압 차이를 설명하기 위한 도.
도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 설명하기 위한 도.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예를 설명하기 위한 도.
도 8은 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드 보다 더 크게 하는 서브필드를 선택하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도.
도 9는 한 프레임을 두 개의 서브필드 그룹으로 나누어 구동하는 방법을 설명하기 위한 도.
도 10은 한 서브필드 그룹 내에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 설명하기 위한 도.
도 11은 한 프레임의 서브필드가 선택적 쓰기 방식의 서브필드와 선택적 소거 방식의 서브필드가 모두 포함된 경우의 구동 방법을 설명하기 위한 도.
도 12는 선택적 소거 서브필드 사이에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 플라즈마 디스플레이 패널 121 : 스캔 펄스 제어부
122 : 데이터 구동부 123 : 스캔 구동부
124 : 서스테인 구동부 125 : 구동 전압 발생부
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리셋 기간에 인가되는 셋다운(Set Down)펄스와 어드레스 기간에 인가되는 스캔 펄스(Vsc)와의 전압차이를 조절하는 플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에서 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 2와 같다.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누고, 각 서브필드는 다시 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간(RPD), 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(APD) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(SPD)으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.67ms)은 도 2와 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다.
각 서브필드의 리셋 기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방 전될 셀을 선택하기 위한 어드레스방전은 어드레스 전극과 스캔 전극인 투명전극 사이의 전압차에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조 구현 방법은 어드레스 방전에 의해 선택되는 방전셀의 발광여부에 따라 선택적 쓰기(Selective writing) 방식과 선택적 소거(Selective erasing) 방식으로 대별된다.
선택적 쓰기방식은 리셋기간에 전 화면을 끈 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 켜게 된다. 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들의 방전을 유지시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
이와 같은 선택적 쓰기방식에서는 스캔펄스(Scan pulse)의 폭을 비교적 넓게 설정하여 방전셀 내에 충분한 벽전하가 형성되도록 한다. 하지만, 스캔 펄스(Scan pulse)의 폭이 넓게 설정되면 어드레스 기간이 넓게 설정되고, 휘도에 기여하는 서스테인 기간이 상대적으로 좁게 설정되는 문제점이 있다.
선택적 소거방식은 리셋기간에 전 화면을 쓰기 방전시켜 전 화면을 켠 후에, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 끄게 된다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들만을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
이와 같은 선택적 소거방식에서는 스캔펄스(Scan pulse)의 폭을 비교적 좁게 설정하여 방전셀 내에서 소거방전을 일으키도록 한다. 즉, 선택적 소거방식에서는 좁은 폭을 가지는 스캔펄스(Scan pulse)를 인가함으로써 어드레스기간을 짧게 설정할 수 있고, 이에 따라 휘도에 기여하는 서스테인 기간에 비교적 많은 시간을 할당할 수 있다. 하지만, 선택적 소거방식은 비표시기간인 리셋기간에 전화면이 켜지게 되므로 콘트라스트가 낮은 단점이 있다.
이와 같은 선택적 쓰기 및 소거방식의 단점을 극복하기 위하여 선택적 쓰기 및 선택적 소거방식을 조합한 방법이 제안되었다.
도 3은 한 프레임에 선택적 쓰기 및 선택적 소거 방식의 서브필드가 포함되어 있는 종래의 다른 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임을 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 한 프레임은 적어도 하나 이상의 서브필드를 포함하는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와, 적어도 하나 이상의 서브필드를 포함하는 선택적 소거 서브필드(ESF)를 포함한다.
선택적 쓰기 서브필드(WSF)는 m(단, m은 0보다 큰 양의 정수) 개의 서브필드들(SF1 내지 SFm)을 포함한다. m 번째 서브필드(SFm)를 제외한 제 1 내지 제 m-1 서브필드들(SF1 내지 SFm-1) 각각은 전화면의 셀들에 일정한 양의 벽전하를 균일하게 형성하기 위한 리셋기간, 쓰기방전을 이용하여 온셀들(on-cells)을 선택하는 선택적 쓰기 어드레스 기간(이하, 쓰기 어드레스기간), 선택된 온 셀에 대하여 서스테인 방전을 일으키는 서스테인 기간 및 서스테인 방전 후 셀 내의 벽전하를 소거 시키기 위한 소거기간으로 나뉘어진다.
선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 마지막 서브필드인 제 m 서브필드(SFm)는 리셋기간, 쓰기 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어진다.선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간, 쓰기 어드레스 기간 및 소거기간은 각 서브필드(SF1 내지 SFm)마다 동일한 반면에 서스테인 기간은 미리 설정된 휘도 가중치가 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
선택적 소거 서브필드(ESF)는 n-m(단, n은 m 보다 큰 양의 정수) 개의 서브필드들(SFm+1 내지 SFn)을 포함한다. 제 m+1 내지 제 n 서브필드들(SFm+1 내지 SFn) 각각은 소거방전을 이용하여 오프셀(off-cell)을 선택하기 위한 선택적 소거 어드레스기간(이하, "소거 어드레스 기간"이라 한다) 및 온 셀들에 대하여 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어진다. 선택적 소거 서브필드(ESF)의 서브필드들(SFm+1 내지 SFn)에 있어서 소거 어드레스 기간은 동일하게 설정되고 서스테인 기간은 휘도 상대비에 따라 동일하게 설정되거나 상이하게 설정될 수 있다.
이와 같은 도 3에 도시된 구동방법에서는 m개의 서브필드를 선택적 쓰기방식으로 구동하고, n-m개의 서브필드를 선택적 소거방식으로 구동함으로써 어드레스기간을 짧게 설정함과 아울러 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 다시 말하여, 한 프레임이 짧은 스캔펄스(Scan pulse)를 가지는 선택적 소거 서브필드를 포함함으로써 충분한 서스테인 기간을 확보할 수 있다. 그리고 한 프레임이 리셋기간을 포함하지 않는 선택적 소거 서브필드를 포함함으로써 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 선택적 쓰기 방식을 예로 들어 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전할 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간, 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인 기간 및 방전된 셀 내의 벽전하를 소거하기 위한 소거 기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋 기간에 있어서, 셋업 기간에는 모든 스캔 전극들에 상승 램프파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 이 상승 램프파형에 의해 전화면의 방전셀들 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 어드레스 전극과 서스테인 전극 상에는 정극성 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔 전극 상에는 부극성의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운 기간에는 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-down)이 셀들 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 스캔 전극에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 셀들 내에 균일하게 잔류된다.
어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스가 스캔 전극들에 순차적으로 인가됨과 동시에 스캔 펄스에 동기되어 어드레스 전극에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽전하가 형성된다. 서스테인 전극에는 셋다운 기간과 어드레스 기간 동안에 스캔 전극과의 전압차를 줄여 스캔 전극과의 오방전이 일어나지 않도록 정극성 전압(Vz)이 공급된다.
서스테인 기간에는 스캔 전극과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(Sus)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽 전압과 서스테인 펄스가 더해지면서 매 서스테인 펄스가 인가될 때 마다 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다.
서스테인 방전이 완료된 후, 소거 기간에서는 펄스폭과 전압레벨이 작은 소거 램프파형(Ramp-ers)의 전압이 서스테인 전극에 공급되어 전화면의 셀들 내에 잔류하는 벽 전하를 소거시키게 된다.
이러한 구동파형으로 구동되는 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 프레임의 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스(Vsc)의 전압의 차이는 모두 동일하다. 이러한 종래 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이를 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서 리셋 기간에서 인가 되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에 인가되는 스캔 펄스와의 전압 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에서는 리셋 기간에 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스와의 전압 차이는 모든 서브필드에서 동일하게 설정된다. 다르게 표현하면, 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조(Low Gray Level)를 구현하는 서브필드와 상대적으로 가중치가 높아 고 계조(High Gray Level)를 구현하는 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스와의 전압차이는 모두 동일하다.
여기서, 전술한 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스와의 전압 차이는 방전셀 내에서의 벽전하의 생성에 영향을 미치는 주요 요인 중 하나로서, 셋다운 펄스의 끝단에서 상승하는 스캔 기준 전압으로 역극성으로 하강하는 스캔 펄스(Vsc)의 전압과 셋다운 펄스의 끝단의 전압, 즉 셋다운 펄스의 최저 전압과의 차이가 증가하면 할수록 방전셀 내에서 벽전하가 더욱 많이 생성된다.
그러나 종래에는 가중치의 크기에 관계없이 모든 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압과의 차이를 모두 동일하게 설정하기 때문에, 초기 서브필드, 즉 가중치가 상대적으로 낮은 서브필드에서 어드레스 방전이 불안정하게 될 가능성이 크다. 이로 인해 어드레스 지터(Jitter)가 악화되는 문제점이 있다.
또한, 전술한 바와 같은 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드에서는 서스테인 펄스의 개수가 고 계조를 구현하는 서브필드에 비해 어드레스 방전이 불안정하고 이에 더불어 서스테인 펄스의 개수가 더 적다. 이에 따라 불안정한 어드레스 방전에 의해 방전셀 내에서 쌓이는 벽전하의 양이 서스테인 방전에 불충분하도록 되어 서스테인 방전이 불안정하게 되는 가능성이 있다. 이러한 서스테인 방전의 특성을 고려하면 어드레스 기간에서 안정적인 어드레스 방전을 발생시켜 방전셀 내에서의 벽전하의 분포를 서스테인 방전에 유리하도록 설정하여야 한다. 그러나 종래에는 가중치의 크기에 관계없이 모든 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압과의 차이를 모두 동일하게 설정하기 때문에, 어드레스 방전이 불안정하게 될 가능성이 큰 초기 서브필드, 즉 가중치가 상대적으로 낮은 서브필드에서는 어드레스 방전 이후의 방전셀 내에서의 벽전하의 분포가 충분하지 않아 이후의 서스테인 방전이 불안정해지거나 또는 서스테인 방전이 발생하지 않는 등의 문제점이 있다.
또한, 도 3에서 전술한 바와 같은 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드를 혼용하여 사용하는 구동방법에서는 리셋 펄스의 크기가 작아 리셋 기간에서 상대적으로 적은 양의 벽전하를 생성되는 선택적 소거 서브필드와 상대적으로 리셋 펄스의 크기가 큰 선택적 쓰기 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스와의 전압 차이가 모두 동일하다. 이에 따라, 전술한 바와 같이, 리셋 펄스의 크기가 작아 리셋 기간에서 상대적으로 적은 양의 벽전하가 생성되는 선택적 소거 서브필드에서는 선택적 쓰기 서브필드에 비해 어드레스 방전이 불안정하게 될 가능성이 더욱 크다. 이에 따라, 선택적 소거 서브필드에서는 선택적 쓰기 서브필드에 비해 어드레스 지터가 악화되거나, 서스테인 방전이 불안정하게 되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 어드레스 방전을 안정시켜 어드레스 지터의 악화를 방지하고, 이후의 서스테인 방전을 안정시키기 위한 플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널과, 스캔 전극을 구동하기 위한 스캔 구동부 및 스캔 구동부를 제어하여, 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 스캔 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 전술한 스캔 펄스 제어부는 프레임의 서브필드 중 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 소정 개수의 서브필드까지의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 소정 개수의 서브필드는 가중치의 크기 순서로 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 3번째 서브필드까지인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 소정 개수의 서브필드는 임계 개수 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드인 것을 특징으로 한다.
여기서, 전술한 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수인 것을 특징으로 한다.
또한, 프레임의 서브필드를 두 개의 그룹으로 나누되, 스캔 펄스 제어부는 두 개의 그룹 중 어느 하나의 그룹의 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 두 개의 그룹 중 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는 스캔 펄스 제어부는 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 각 그룹 별로 각각 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 두 개의 그룹 중 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는 스캔 펄스 제어부는 한 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 다른 서브필드와 서로 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 두 개의 그룹 중 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는 스캔 펄스 제어부는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다른 그룹 에서는 스캔 펄스 제어부는 가중치가 낮아질수록 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 두 개의 그룹 중 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 하는 그룹은 임계 개수 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드들로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것을 특징으로 한다.
또한, 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수인 것을 특징으로 한다.
또한, 프레임은 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드를 포함하되, 스캔 펄스 제어부는 프레임의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 선택적 쓰기 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되, 스캔 펄스 제어부는 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 모두 동일하게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되, 스캔 펄스 제어부는 복수의 선택적 소거 서브필드 중 한 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 다른 선택적 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되, 스캔 펄스 제어부는 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 모두 각각 서로 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 스캔 펄스 제어부는 복수의 선택적 소거 서브필드에서 가중치의 크기 순서로 가중치가 낮아질수록 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 있어서, 스캔 전극을 구동하기 위한 스캔 구동부와, 스캔 구동부를 제어하여, 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 스캔 펄스 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 복수의 스캔 전극과, 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 전면 패널에 형성된 다수의 스캔 전극과, 스캔 전극에 구동 펄스를 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 구동부는 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동방법은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법에 있어서, 프레임의 한 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널, 장치, 패널의 구동 장치 및 구동 방법의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극(X1 내지 Xm), 스캔 전극(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널(100)과, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 후면 패널(미도시)에 형성된 어드레스 전극들(X1 내지 Xm)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(122)와, 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)을 구동하기 위한 스캔 구동부(123)와, 공통전극인 서스테인 전극들(Z)을 구동하기 위한 서스테인 구동부(124)와, 플라즈마 디스플레이 패널(100) 구동 시 스캔 구동부(123)를 제어하기 위한 스캔 펄스 제어부(121)와, 각각의 구동부(122, 123, 124)에 필요한 구동전압을 공급하기 위한 구동전압 발생부(125)를 포함한다.
이와 같은, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하고, 이러한 프레임의 한 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 한다.
여기서, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 전면 패널(미도시)과 후면 패널(미도시)이 일정한 간격을 두고 합착되고, 전면 패널에는 다수의 전극들 예를 들어, 스캔 전극들(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)이 쌍을 이뤄 형성되고, 후면 패널에는 스캔 전극들(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극(Z)과 교차되게 어드레스 전극들(X1 내지 Xm)이 형성된다.
데이터 구동부(122)에는 도시하지 않은 역감마 보정회로, 오차확산회로 등에 의해 역감마보정 및 오차확산 된 후, 서브필드 맵핑회로에 의해 각 서브필드에 맵핑된 데이터가 공급된다. 이러한 데이터 구동부(122)는 타이밍 제어신호(CTRX)에 응답하여 데이터를 샘플링하고 래치한 다음, 그 데이터를 어드레스 전극들(X1 내지 Xm)에 공급하게 된다.
스캔 구동부(123)는 스캔 펄스 제어부(121)의 제어 하에 리셋기간 동안 상승 램프파형(Ramp-up)과 하강 램프파형(Ramp-down)을 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다. 또한, 스캔 구동부(123)는 스캔 펄스 제어부(121)의 제어 하에 어드레스 기간 동안 스캔전압(-Vy)의 스캔 펄스(Sp)를 스캔전극들(Y1 내지 Yn)에 순차적으로 공급하고, 서스테인구간 동안에는 휘도 가중치에 따라 즉, 계조값에 따라 폭이 조절된 서스테인펄스(sus)를 스캔전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다. 바람직하게는 가중치가 상대적으로 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스(Sp)의 전압의 차이가 다른 서브필드 보다 더 크게 하여 스캔 전극들(Y1 내지 Yn)에 공급한다. 여기서 저 계조란 플라즈마 디스플레이 패널(100)을 다수개의 서브필드로 나누어 구동할 때, 각 서브필드마다 휘도 가중치를 두어 계조를 표현하고, 이러한 경우 상대적으로 낮은 휘도 가중치를 갖는 서브필드에서의 계 조값을 말한다.
서스테인 구동부(124)는 하강 램프파형(Ramp-down)이 발생되는 기간과 어드레스 기간 동안 서스테인 전압(Vs)의 바이어스전압을 서스테인 전극들(Z)에 공급하고 서스테인 기간 동안 스캔 구동부(123)와 교대로 동작하여 서스테인 펄스(sus)를 서스테인 전극들(Z)에 공급하게 된다.
스캔 펄스 제어부(121)는 리셋 기간, 어드레스 기간, 서스테인 기간에서 스캔 구동부(123)의 동작 타이밍과 동기화를 제어하기 위한 타이밍 제어신호(CTRY)를 발생하고 그 타이밍 제어신호(CTRY)를 스캔 구동부들(123)에 공급함으로써 스캔 구동부(123)를 제어한다. 특히, 스캔 펄스 제어부(121)는 다수개의 서브필드 중 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조를 표시하는 서브필드에서의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 조절하도록 제어신호를 스캔 구동부(123)에 공급한다. 즉, 저 계조를 구현하는 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 다른 서브필드 보다 더 크게 하도록 제어신호를 스캔 구동부(123)에 공급한다.
한편, 데이터 제어신호(CTRX)에는 데이터를 샘플링하기 위한 샘플링클럭, 래치제어신호, 에너지 회수회로와 구동 스위치소자의 온/오프타임을 제어하기 위한 스위치제어신호가 포함된다. 스캔 제어신호(CTRY)에는 스캔 구동부(123) 내의 에너지 회수회로와 구동 스위치소자의 온/오프타임을 제어하기 위한 스위치제어신호가 포함되고, 서스테인 제어신호(CTRZ)에는 서스테인구동부(124) 내의 에너지 회수회로와 구동 스위치소자의 온/오프타임을 제어하기 위한 스위치제어신호가 포함된다.
구동전압 발생부(125)는 셋업전압(Vsetup), 스캔 공통전압(Vscan-com), 스캔전압(-Vy), 서스테인전압(Vs), 데이터전압(Vd) 등을 발생한다. 이러한 구동전압들은 방전가스의 조성이나 방전셀 구조에 따라 변할 수 있다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에 의해 수행되는 구동 방법의 일실시예를 살펴보면 다음 도 7과 같다.
도 7은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법의 일실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은, 프레임의 한 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이는 다른 서브필드와 다르다.
예를 들면 도 7과 같이, 제 1 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압차이는 ΔV1이라고 가정하면, 이후의 다른 서브필드, 즉 제 2 서브필드부터 제 n 서브필드까지에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이는 ΔV2이다. 여기서 ΔV1과 ΔV2사이에는 ΔV1>ΔV2의 관계가 성립한다.
이와 같이, 도 7에서 제 1 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄 스의 전압차이를 다른 서브필드보다 더 크게 설정한 이유는 초기의 서브필드에서는 어드레스 방전이 불안정하게 될 가능성이 크고, 이로 인해 어드레스 지터(Jitter)가 악화되어 방전이 불안정해지기 상대적으로 쉽기 때문에 제 1 서브필드에서 어드레스 방전을 안정시키기 위해 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 것이다.
또한, 제 1 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압차이를 다른 서브필드보다 더 크게 설정한 이유는 제 1 서브필드는 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드로서 서스테인 펄스의 개수가 고 계조를 구현하는 이후의 다른 서브필드, 즉 제 2 서브필드부터 제 n 서브필드까지에 비해 서스테인 펄스의 개수가 더 적다. 이에 따라 방전셀 내에서 쌓이는 벽전하의 양이 적어지게 되어 서스테인 방전이 불안정하게 되는 가능성이 있기 때문에 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하여 어드레스 기간에서 안정적인 어드레스 방전을 발생시켜 방전셀 내에서의 벽전하의 분포를 서스테인 방전에 보다 유리하도록 설정하기 위함이다.
여기 도 7에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압차이를 다른 서브필드보다 더 크게 설정하는 서브필드를 제 1 서브필드만으로 도시하고 설명하였지만, 제 1 서브필드와 제 2 서브필드, 또는 제 2 서브필드와 제 3 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압차이를 다른 서브필드보다 더 크게 설정할 수도 있는 것이다.
이와 같이, 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브 필드보다 더 크게 하는 서브필드는 가중치의 크기에 따라 선택되는데, 이렇게 서브필드를 선택하는 방법을 살펴보면 다음 도 8과 같다.
도 8은 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드를 선택하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드를 선택하는 방법의 일례는 프레임에 포함된 서브필드 중 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 가중치의 순서로 소정 개수의 서브필드까지의 서브필드를 선택하고, 이렇게 선택한 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드 보다 더 크게 한다.
여기서, 전술한 소정 개수의 서브필드를 선택하는 경우는 도 8과 같이, 가중치의 크기 순서로 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 일정 개수의 서브필드, 예컨대 3번째 서브필드까지인 것이 바람직하다. 여기서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드를 가중치가 가장 낮은 서브필드, 즉 제 1 서브필드부터 가중치의 크기 순서로 3번째 서브필드까지로 설정한 이유는 제 1 서브필드부터 제 3 서브필드까지는 상대적으로 저 계조를 구현하기 위해 가중치가 낮은 서브필드이기 때문이다. 여기 도 8에서 가중치의 크기 순서로 제 1 서브필드부터 제 3 서브필드까지를 영역 A로 설정하였다.
또한, 이와 같이 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드는 서브필드의 서스테인 기간에서의 서스테인 펄스의 개수의 관점에서 결정될 수 있다. 다르게 표현하면, 서스테인 펄스의 개수가 적은 서브필드는 가중치가 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드이고, 서스테인 펄스의 개수가 많은 서브필드는 가중치가 높아 고 계조를 구현하는 서브필드이다. 이와 같이 서브필드의 가중치는 서스테인 펄스의 개수에 따라 결정되기 때문에 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드를 선택하는 기준을 서스테인 펄스의 개수로 설정하고, 이렇게 설정한 서스테인 펄스의 개수 보다 적은 개수의 서스테인 펄스를 갖는 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 것이다.
보다 바람직하게는, 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 서브필드를 선택하는 기준을 서스테인 펄스의 개수가 임계 개수 이하인 경우에 해당 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하는 것으로 설정한다. 여기서 이러한 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것이 바람직하다. 또한 더욱 바람직하게는 이러한 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수이다.
예를 들어, 한 프레임에서 총 1000개의 서스테인 펄스를 사용하는 경우에 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하, 즉 300개 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드를 선택하고, 이렇게 선택한 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드보다 더 크게 하도록 설 정한다.
이와는 다르게, 한 프레임의 서브필드들을 두 개의 서브필드 그룹으로 나누고, 이렇게 나눈 서브필드 그룹 중 어느 하나의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 그룹 보다 더 크게 할 수도 있다. 이러한 방법을 살펴보면 다음 도 9와 같다.
도 9는 한 프레임을 두 개의 서브필드 그룹으로 나누어 구동하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 한 프레임의 서브필드를 두 개의 그룹으로 나누고, 이렇게 나눈 두 개의 그룹 중 어느 하나의 그룹의 서브필드에서 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 한다. 예를 들면, 도 9와 같이 한 프레임을 제 1 서브필드 그룹과 제 2 서브필드 그룹으로 나누고, 이렇게 나눈 제 1 서브필드 그룹의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 제 2 서브필드 그룹 보다 더 크게 한다.
이렇게 나눈 두 개의 그룹 내에 포함된 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 각 그룹 별로 각각 동일한 것이 바람직하다. 예컨대 도 9와 같이 제 1 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 각 서브필드에서 ΔV1이라고 가정하면, 다른 서브필드, 즉 제 2 서브필드 그룹의 서브필드에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압의 차이 는 각 서브필드에서 ΔV2이다. 여기서 ΔV1과 ΔV2사이에는 ΔV1>ΔV2의 관계가 성립한다.
이와는 다르게, 전술한 바와 같은 두 개의 그룹, 즉 제 1 서브필드 그룹과 제 2 서브필드 그룹 중 적어도 어느 하나는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다르게 설정하는 것도 가능하다. 이러한 구동 파형을 살펴보면 다음 도 10과 같다.
도 10은 한 서브필드 그룹 내에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 한 서브필드 그룹 내에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이는 서브필드별로 각각 서로 다르다. 예를 들어, 도 9의 제 1 서브필드 그룹은 제 1, 2, 3 서브필드가 포함된다고 가정하면, 제 1 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이는 ΔV1, 제 2 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이는 ΔV2, 제 3 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이는 ΔV3이다. 즉, 제 1, 2, 3 서브필드에서서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 각각 서로 다르다.
여기서, 전술한 바와 같이 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다른 그룹, 즉 제 1 서브필드 그룹 내에서는 가중 치가 낮아질수록 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하는 것이 바람직하다. 즉, ΔV1>ΔV2>ΔV3인 관계가 성립한다.
이와 같이, 두 개의 그룹 중 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 하는 그룹, 즉 제 1 서브필드 그룹은 임계 개수 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드들로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉 이러한 서브필드 그룹은 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드들로 이루어진다.
여기서 전술한 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 임계 개수는 한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수이다.
여기 도 10에서는 제 1 서브필드 그룹에 포함된 서브필드 별로 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 각각 서로 다르지만, 이와는 다르게 제 1 서브필드 그룹에 포함된 적어도 어느 하나의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 다른 서브필드와 서로 다르고, 제 1 서브필드 내의 다른 서브필드는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 서로 같도록 설정할 수도 있다. 이러한 경우를 도 10의 경우를 예로 들어 설명하면, 제 1 서브필드 그룹의 제 1 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV1이고, 나머지 서브필드, 즉 제 2 서브필드와 제 3 서브필드에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV2로 동일하다.
결론적으로 말하면, 한 프레임을 두 개의 서브필드 그룹으로 나누고, 이렇게 나눈 두 개의 서브필드 그룹 중 어느 하나의 그룹에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 그룹 보다 더 크게 설정하는 경우, 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 다른 그룹 보다 더 큰 서브필드 그룹 내에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 서브필드별로 각각 다를 수도 있고, 동일 그룹 내에서 적어도 어느 하나의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 다른 서브필드와 다를 수도 있고, 또한 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 모든 서브필드에서 동일하게 설정될 수도 있는 것이다.
이상에서는 한 프레임의 모든 서브필드가 선택적 쓰기(Selective writing) 방식의 서브필드인 경우만을 도시하고 설명하였다. 그러나 한 프레임에 선택적 쓰기 방식의 서브필드와 선택적 소거(Selective erasing) 방식의 서브필드가 모두 포함되어 있는 경우에는 서브필드의 가중치와 서브필드 방식의 차이를 모두 고려하여 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 조절한다. 이와 같이, 한 프레임의 서브필드가 선택적 쓰기 방식의 서브필드와 선택적 소거 서브필드가 함께 포함되어 있는 경우의 구동 방법을 살펴보면 다음 도 11과 같다.
도 11은 한 프레임의 서브필드가 선택적 쓰기 방식의 서브필드와 선택적 소거 방식의 서브필드가 모두 포함된 경우의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 한 프레임에 선택적 쓰기 방식의 서브필드와 선 택적 소거 방식의 서브필드가 모두 포함되고, 이와 같은 프레임의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 선택적 쓰기 서브필드 보다 더 크다. 예를 들면, 도 11과 같이 제 1 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드이고, 나머지 서브필드, 즉 제 2 서브필드부터 제 8 서브필드(여기서는 한 프레임이 8개의 서브필드로 이루어지는 경우를 예로 들었다)는 선택적 소거 서브필드인 경우, 전술한 선택적 소거 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 ΔV2로 가정하면, 선택적 쓰기 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이는 ΔV1로서, ΔV2>ΔV1인 관계가 성립한다.
여기서, 전술한 선택적 소거 방식은 리셋기간에 전 화면을 쓰기 방전시켜 전 화면을 온(On)시킨 이후에, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 오프(Off)시키고, 이어서 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들만을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하는 방법으로, 리셋 펄스의 크기가 선택적 쓰기 방식에 비해 상대적으로 작아 리셋 기간에서 상대적으로 적은 양의 벽전하를 생성된다. 이에 따라, 전술한 바와 같이, 리셋 펄스의 크기가 작아 리셋 기간에서 상대적으로 적은 양의 벽전하가 생성되는 선택적 소거 서브필드에서는 선택적 쓰기 서브필드에 비해 어드레스 방전이 불안정하게 될 가능성이 더욱 크기 때문에 어드레스 기간에서 충분한 양의 벽전하를 방전셀 내에 쌓아주기 위해 선택적 소거 방식의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되 는 스캔 펄스의 전압의 차이를 선택적 쓰기 방식의 서브필드 보다 더 크게 하는 것이다.
여기 도 11에서는 선택적 쓰기 서브필드를 제 1 서브필드로 설정하고, 이후의 나머지 서브필드, 즉 제 2 서브필드부터 제 8 서브필드까지를 선택적 소거 서브필드로 하였지만, 전술한 선택적 쓰기 서브필드는 제 1 서브필드에 한정되는 것이 아니고, 제 1, 2 서브필드를 선택적 쓰기 서브필드로 설정할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
이와 같이, 한 프레임이 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하는 경우에, 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 모두 동일한 것이 바람직하다. 즉 도 11의 경우를 예로 들면, 선택적 소거 서브필드인 제 2 서브필드부터 제 8 서브필드까지에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 모두 동일하다.
그러나 이와는 다르게, 한 프레임이 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하는 경우에, 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드별로 각각 서로 다르도록 설정할 수도 있다. 이러한 구동 방법을 살펴보면 다음 도 12와 같다.
도 12는 선택적 소거 서브필드 사이에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 선택적 소거 서브필드인 제 2 서브필드부터 제 8 서브필드까지에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 각각의 서브필드별로 서로 다르다. 즉 제 2 서브필드에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV1이고, 제 3 서브필드에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV2이고, 이러한 방법으로 제 4 서브필드에서는ΔV3이고, 제 5 서브필드에서는 ΔV4이다. 여기서, ΔV1>ΔV2>ΔV3>ΔV4인 관계가 성립한다.
이러한 경우에 복수의 선택적 소거 서브필드들 사이에서는 가중치의 크기 순서로 가중치가 낮아질수록 리셋 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하는 것이 바람직하다.
여기 도 12에서는 선택적 소거 서브필드 별로 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 각각 서로 다르지만, 이와는 다르게 선택적 소거 서브필드들 중 적어도 어느 하나의 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 다른 서브필드와 서로 다르고, 선택적 소거 서브필들 중 다른 서브필드는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 서로 같도록 설정할 수도 있다. 이러한 경우를 도 12의 경우를 예로 들어 설명하면, 선택적 소거 서브필드 중 제 2 서브필드에서의 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV1이라고 가정하면, 나머지 서브필드, 즉 제 3 서브필드로부터 제 8 서브필드까 지에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 ΔV2로 동일하다.
결론적으로 말하면, 한 프레임에 포함된 선택적 소거 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 선택적 쓰기 서브필드 보다 더 크게 설정하는 경우, 이러한 선택적 소거 서브필드들에서는 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 각각의 선택적 소거 서브필드별로 각각 다를 수도 있고, 또는 적어도 어느 하나의 선택적 소거 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 다른 선택적 소거 서브필드와 서로 다를 수도 있고, 또한 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이가 모든 선택적 소거 서브필드에서 동일하게 설정될 수도 있는 것이다.
이와 같이, 상대적으로 가중치가 낮아 저 계조를 구현하는 서브필드 또는 상대적으로 리셋 펄스의 전압이 작은 선택적 소거 서브필드에서 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 다른 서브필드 보다 크게 설정함으로써, 방전셀 내에서 쌓이는 벽전하의 양이 상대적으로 적어지게 됨에 따라 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 방지하여 어드레스 지터(Jitter)의 악화를 방지하고, 서스테인 방전을 안정시킨다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보 다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치 및 방법은 셋다운 펄스의 최저 전압과 스캔 펄스의 전압 차이를 조절함으로써, 어드레스 방전을 안정시켜 어드레스 지터 특성을 개선하고, 서스테인 방전을 안정시키는 효과가 있다.

Claims (24)

  1. 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널;
    상기 스캔 전극을 구동하기 위한 스캔 구동부; 및
    상기 스캔 구동부를 제어하여, 상기 프레임의 한 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 스캔 펄스 제어부
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 펄스 제어부는 프레임의 서브필드 중 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 소정 개수의 서브필드까지의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 소정 개수의 서브필드는
    가중치의 크기 순서로 가중치가 가장 낮은 서브필드부터 3번째 서브필드까지인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 소정 개수의 서브필드는
    임계 개수 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 임계 개수는
    한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 임계 개수는
    한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임의 서브필드를 두 개의 그룹으로 나누되,
    상기 스캔 펄스 제어부는
    상기 두 개의 그룹 중 어느 하나의 그룹의 서브필드에서 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 두 개의 그룹 중 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는
    상기 스캔 펄스 제어부는 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 각 그룹 별로 각각 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 두 개의 그룹 중 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는
    상기 스캔 펄스 제어부는 한 서브필드에서 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 다른 서브필드와 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 두 개의 그룹 중 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 더 큰 그룹에서는
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 각각 서로 다른 그룹 에서는
    상기 스캔 펄스 제어부는 가중치가 낮아질수록 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스 캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 두 개의 그룹 중 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 그룹의 서브필드 보다 더 크게 하는 그룹은
    임계 개수 이하의 서스테인 펄스를 사용하는 서브필드들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 임계 개수는
    한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 50%이하의 개수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 임계 개수는
    한 프레임에서 사용된 총 서스테인 펄스 개수 대비 30%이하의 개수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임은 선택적 쓰기 서브필드와 선택적 소거 서브필드를 포함하되,
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 프레임의 서브필드 중 선택적 소거 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 선택적 쓰기 서브필드 보다 더 크게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되,
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 모두 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되,
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 복수의 선택적 소거 서브필드 중 한 서브필드에서는 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압 과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 다른 선택적 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 프레임은 복수의 선택적 소거 서브필드를 포함하되,
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 복수의 선택적 소거 서브필드에서는 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 서브필드 별로 모두 각각 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 스캔 펄스 제어부는 상기 복수의 선택적 소거 서브필드에서 가중치의 크기 순서로 가중치가 낮아질수록 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이가 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  20. 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의 하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 있어서,
    상기 스캔 전극을 구동하기 위한 스캔 구동부와,
    상기 스캔 구동부를 제어하여, 상기 프레임의 한 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 스캔 펄스 제어부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  21. 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 프레임의 한 서브필드의 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  22. 복수의 스캔 전극과,
    프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 제어수단
    을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  23. 전면 패널에 형성된 다수의 스캔 전극과, 상기 스캔 전극에 구동 펄스를 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 구동부는 프레임의 한 서브필드의 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  24. 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 구동 펄스가 인가되는 적어도 하나 이상의 서브필드의 조합에 의하여 프레임으로 이루어지는 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 프레임의 한 서브필드에서 상기 리셋 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 셋다운 펄스의 최저 전압과 상기 어드레스 기간에서 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 차이를 다른 서브필드와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법.
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