JP2006301583A - プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】サブフィールドの階調値の大きさを考慮するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、リセットパルスの大きさまたはスキャンパルスの幅をサブフィールド別に調整することを特徴とし、コントラストを向上させ、駆動マージンの低下を防止し、放電の安定化及び輝度を上げることができる。
【選択図】図11
【解決手段】本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、リセットパルスの大きさまたはスキャンパルスの幅をサブフィールド別に調整することを特徴とし、コントラストを向上させ、駆動マージンの低下を防止し、放電の安定化及び輝度を上げることができる。
【選択図】図11
Description
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関し、さらに詳細には、サブフィールドの階調値の大きさを考慮するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
通常、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が1つのセルをなし、各セル内には、ネオン(Ne)、ヘリウム(He)またはネオン及びヘリウムの混合気体(Ne+He)のような主放電気体と少量のキセノン(Xe)とを含有する不活性ガスが充填されている。高周波電圧により放電される時、不活性ガスは、真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成が可能なので、次世代表示装置として注目されつつある。
図1は、通常のプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
図1に示されているように、プラズマディスプレイパネルは、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス101にスキャン電極102とサステイン電極103とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル100と、背面をなす後面ガラス111上に上述した複数の維持電極対と交差されるように、複数のアドレス電極113が配列された後面パネル110とが一定の間隙で平行に結合される。
前面パネル100は、1つの放電セルで相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極102とサステイン電極103、すなわち透明なITO物質からなる透明電極aと金属材質からなるバス電極bとから備えられたスキャン電極102とサステイン電極103とが対をなして含まれる。スキャン電極102及びサステイン電極103は、放電電流を制限し、電極の対間を絶縁させる1つ以上の上部誘電体層104により覆われ、上部誘電体層104の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層105が形成される。
後面パネル110は、複数個の放電空間すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁112が平行を維持し配列される。また、アドレス放電を行なって真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極113が、隔壁112に対し平行に配置される。後面パネル110の上側面には、アドレス放電の際に画像表示のための可視光線を放出するR,G,B蛍光体114が塗布される。アドレス電極113と蛍光体114との間には、アドレス電極113を保護するための下部誘電体層115が形成される。
図2は、通常のプラズマディスプレイパネルにおける電極の配列構造を説明するための図である。
図2に示されているように、通常のプラズマディスプレイパネル200では、例えば、スキャン電極(Y1ないしYn)とサステイン電極(Z1ないしZn)とが平行に配列され、これに交差するように、アドレス電極(X1ないしXm)が形成される。
このような配列構造を有するプラズマディスプレイパネル200の各々の電極に所定の駆動信号が印加されて、画像を具現するようになる。
このような構造の通常のプラズマディスプレイパネルにおける画像階調を具現する方法は、次の図3の通りである。
図3は、従来のプラズマディスプレイパネルにおける画像の階調を具現する方法を示した図である。
図3に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルにおける画像の階調(Gray Level)の表現方法は、1フレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドは、再び全てのセルを初期化するためのリセット期間RPD、放電されるセルを選択するためのアドレス期間APD及び放電回数に応じて階調を具現するサステイン期間SPDに分割される。例えば、256階調で画像を表示しようとする場合、1/60秒に該当するフレーム期間(16.67ms)は、図2のように、8個のサブフィールド(SF1ないしSF8)に分割され、8個のサブフィールド(SF1ないしSF8)のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に再び分割される。
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールドごとに同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極との間の電圧差により発生する。サステイン期間は、各サブフィールドで2n(但し、n=0,1,2,3,4,5,6,7)の割合で増加される。このように、各サブフィールドでサステイン期間が異なるようになるので、各サブフィールドのサステイン期間、すなわちサステイン放電回数を調整して、画像の階調を表現するようになる。このようなプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形の詳細は、次の図4の通りである。
図4は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形を示した図である。
図4に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルは、全てのセルを初期化させるためのリセット期間、放電するセルを選択するためのアドレス期間、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間及び放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間に分けられて駆動される。
リセット期間において、セットアップ期間には、全てのスキャン電極に立ち上がりランプ波形Ramp-upが同時に印加される。この立ち上がりランプ波形により、全画面の放電セル内には、弱い暗放電(Dark Discharge)が起きる。このセットアップ放電により、アドレス電極とサステイン電極の上には、正極性壁電荷が蓄積され、スキャン電極上には、負極性の壁電荷が蓄積される。
セットダウン期間には、立ち上がりランプ波形が供給された後、立ち上がりランプ波形のピーク電圧より低い正極性電圧が立ち下がり始めて、グラウンドGNDレベル電圧以下の特定電圧レベルまで立ち下がる立下りランプ波形Ramp‐downが、セル内に微弱な消去放電を起こすことによって、スキャン電極に過度に形成された壁電荷を十分に消去させる。このセットダウン放電により、アドレス放電が安定して起きることのできる程度の壁電荷が、セル内に均一に残留される。
アドレス期間には、負極性スキャンパルスScanが、スキャン電極に順次印加されると同時に、スキャンパルスScanに同期されて、アドレス電極に正極性のデータパルスdataが印加される。このスキャン波形Scanとアドレス波形dataとの電位差とリセット期間に生成された壁電圧とが加算されながら、アドレスパルスdataが印加される放電セル内には、アドレス放電が発生する。アドレス放電により選択されたセル内には、サステイン電圧Vsが印加される時、放電が起きることができるようにする程度の壁電荷が形成される。サステイン電極には、セットダウン期間とアドレス期間との間に、スキャン電極との電位差を低減して、スキャン電極との誤放電が起こらないように、正極性電圧Vzが供給される。
サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極とに交互にサステイン波形Susが印加される。アドレス放電により選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスとが加算されながら、毎サステインパルスが印加される時ごとに、スキャン電極とサステイン電極との間にサステイン放電すなわち、表示放電が起きる。
サステイン放電が完了した後、消去期間では、パルス幅と電圧レベルとが小さな消去ランプ波形Ramp−ersの電圧がサステイン電極Zに供給されて、全画面の放電セル内に残留する壁電荷を消去させる。
このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドでリセットパルスの大きさが同じである。
このような従来の駆動波形において、リセットパルスの大きさを見ると、図5の通りである。
図5は、図4の従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形におけるリセットパルスをさらに詳細に説明するための図である。
図5に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形におけるリセットパルスは、その大きさが全てのサブフィールドで同じである。
例えば、上述した図5のように、従来の駆動波形において、全てのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Vsから所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプがセットアップ電圧Vsetupまで立ち上がった後、再び所定の正極性電圧まで立ち下がる。
このように、全てのサブフィールドで同じ大きさのリセットパルスを印加する従来の駆動方法は、リセット期間でプラズマディスプレイパネルの放電セルを充分に初期化させ得るため、駆動マージン(Margin)が相対的に高いという特徴がある。しかし、このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドのリセット期間において、相対的に高いセットアップ電圧Vsetupにより、相対的に強い放電が発生する。
これにより、画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさがさらに増加して、コントラスト(Contrast)特性を悪化させるという問題がある。
以上、説明した一例とは異なり、従来には、上述したように、1フレームの全てのサブフィールドのリセット期間でリセットパルスを印加せず、1フレーム内で選択された1つ以上のサブフィールドだけでリセットパルスを印加して、コントラスト特性を向上させようとした。例えば、1つのフレームに選択的書き込み(Selective writing)方式のサブフィールドと選択的消去(Selective erasing)方式のサブフィールド両方を含めて画像を具現した。
このように選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方を利用する駆動方法を説明すれば、次の図6の通りである。
図6は、1フレームに選択的書き込み及び選択的消去方式のサブフィールド両方を含める駆動方法を説明するための図である。図6に示されているように、1フレームは、少なくとも1つ以上のサブフィールドを含む選択的書き込みサブフィールドWSFと、少なくとも1つ以上のサブフィールドを含む選択的消去サブフィールドESFとを含む。
選択的書き込みサブフィールドWSFは、m(但し、mは、0より大きな正の整数)個のサブフィールド(SF1ないしSFm)を含む。m番目のサブフィールドSFmを除外した第1ないし第m−1サブフィールド(SF1ないしSFm−1)のそれぞれは、全画面のセルに一定の量の壁電荷を均一に形成するためのリセット期間、書き込み放電を利用してオンセル(on-cells)を選択する選択的書き込みアドレス期間(以下、「書き込みアドレス期間」と記す)、選択されたオンセルに対してサステイン放電を起こすサステイン期間及びサステイン放電後セル内の壁電荷を消去させるための消去期間に分けられる。
選択的書き込みサブフィールドWSFの最後のサブフィールドである第mサブフィールドSFmは、リセット期間、書き込みアドレス期間及びサステイン期間に分けられる。選択的書き込みサブフィールドWSFのリセット期間、書き込みアドレス期間及び消去期間は、各サブフィールド(SF1ないしSFm)ごとに同じであるに対して、サステイン期間は、予め設定された輝度加重値に基づいて同一又は異なるように設定されることができる。
選択的消去サブフィールドESFは、n−m(但し、nは、mより大きい正の整数)個のサブフィールド(SFm+1ないしSFn)を含む。第m+1ないし第nサブフィールド(SFm+1ないしSFn)のそれぞれは、消去放電を利用してオフセル(off-cell)を選択するための選択的消去アドレス期間(以下、「消去アドレス期間」と記す)及びオンセルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン期間に分けられる。選択的消去サブフィールドESFのサブフィールド(SFm+1ないしSFn)において、消去アドレス期間は、同一に設定され、サステイン期間は、輝度相対比に応じて、同一に設定されるか、異なるように設定され得る。
このような図6に示された駆動方法では、m個のサブフィールドを選択的書き込み方式で駆動し、n−m個のサブフィールドを選択的消去方式で駆動することで、アドレス期間を短く設定できる。すなわち、1フレームが、短いスキャンパルス(Scan pulse)を有する選択的消去サブフィールドを含むことによって、充分なサステイン期間を確保することができる。
このような図6のように、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方を含む駆動方法における各サブフィールドでのリセットパルスをさらに詳細に説明すれば、次の図7の通りである。
図7は、図6の駆動方法におけるリセット期間にスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを説明するための図である。
図7に示されているように、図6と同様に、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方が含まれた駆動方法では、選択的書き込みサブフィールドだけでリセット期間を設けて、リセットパルスを印加する。
例えば、第1サブフィールドが選択的書き込みサブフィールドであり、残りのサブフィールド、すなわち第2サブフィールドから第nサブフィールドまでのサブフィールドは、選択的消去サブフィールドであると仮定すれば、選択的書き込みサブフィールドである第1サブフィールドだけでリセットパルスを印加し、残りの他のサブフィールドでは、リセットパルスを印加しない。これにより、画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト(Contrast)特性を改善する。
しかし、このような駆動方法は、全てのサブフィールドのリセット期間でリセットパルスを印加する従来の駆動方法に比べて、プラズマディスプレイパネルの放電セルを十分に初期化させるのが困難であって、駆動マージンが減少するという問題がある。
一方、このような図4の駆動波形において、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスに対してさらに詳細に説明すれば、次の図8の通りである。
図8は、従来の駆動波形において、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスをさらに詳細に説明するための図である。
図8に示されているように、従来の駆動波形は、スキャン電極(Y1ないしYn)の配列順序に応じて、それぞれのスキャン電極にスキャンパルスが順次印加される。例えば、図8のように、プラズマディスプレイパネル上で配列順序が最も早いY1スキャン電極に最も早くスキャンパルスが印加され、その次の順序であるY2スキャン電極にY1のスキャンパルスに続いてスキャンパルスが印加される。
ここで、上述した各スキャン電極(Y1ないしYn)に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同一に設定されるが、このような従来のスキャンパルスの幅を説明すれば、次の図9の通りである。
図9は、従来の駆動波形において、アドレス期間に各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
図9に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、それぞれのスキャン電極(Y1ないしYn)に印加されるスキャンパルスの幅が、全て同一に設定される。例えば、図9のように、Y1スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅をWであると仮定すれば、Y2スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅もWであり、これと同様に、Ynスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅もWである。
このように、上述した図2と同様に、プラズマディスプレイパネル上でスキャン順序の早いY1スキャン電極とスキャン順序の遅いYnスキャン電極とに印加されるスキャンパルスの幅が、全て同一になれば、相対的にスキャン順序の遅いYnスキャン電極でアドレス放電が不安定になるという問題がある。このように、Ynスキャン電極でアドレス放電が不安定になる理由を説明すれば、以下の通りである。
上述した図2のような電極配列構造において、Y1スキャン電極は、スキャン順序が相対的に早いため、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に早い時間内にY1スキャン電極によるアドレス放電が発生する。これに対して、Ynスキャン電極は、スキャン順序が相対的に遅いため、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に長い時間が過ぎた後に、Ynスキャン電極によるアドレス放電が発生する。
一方、リセット放電直後には、放電セル内にリセット放電により生成されたプライミング電荷(Priming Particle)が複数存在する。しかし、このようなプライミング電荷の個数は、時間が過ぎるほど放電セル内で減少する。これにより、上述したように、相対的にスキャン順序が遅くて、リセット放電の後に相対的に長い時間が経過した後にアドレス放電が発生するYn電極の場合、放電セル内に存在するプライミング電荷の個数の不足により、アドレス放電が弱くなるか、アドレス放電が発生しなくなる。結局、相対的にスキャン順序が遅いYnスキャン電極でアドレス放電が不安定になることである。
このような問題を解決するため、従来には、全体スキャンパルスの幅を増加させて、上述したYnスキャン電極のようにスキャン順序が遅い場合、アドレス放電を安定させていた。
しかし、このように無条件にスキャンパルスの幅を増加させる方法は、アドレス期間の長さを増加させる結果を招く。これにより、アドレス期間に続くサステイン期間の長さが減少し、結局は、サステインパルスの個数が減少して、プラズマディスプレイパネルの駆動の際に具現される輝度が減少するという問題がある。
また、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、全てのサブフィールドでスキャンパルスの幅が同一であるが、このような駆動波形を詳細に説明すれば、次の図10の通りである。
図10は、従来の駆動波形におけるフレームの各サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
図10に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、1フレームが8個のサブフィールドからなると仮定する時、各々の全てのサブフィールドすなわち、第1サブフィールドから第8サブフィールドまでの全てのサブフィールドにおいて、スキャンパルスの幅がWで同一である。
一方、図10のように、1つのフレームが複数個のサブフィールドに分けられる場合、各々のサブフィールドは、加重値が互いに異なるため、具現する階調値が互いに異なるようになる。例えば、1つのフレームは、加重値が高くて相対的に高い階調を具現するサブフィールドと、加重値が低くて相対的に低い階調を具現するサブフィールドとに分けられる。
ここで、上述した高い階調を具現するサブフィールド、例えば、図10の第8サブフィールドは、相対的に加重値が大きいため、プラズマディスプレイパネルの画面が明るい場合、より頻繁に選択され、これに対して、第1サブフィールドは、相対的に加重値が小さいため、プラズマディスプレイパネルの画面が暗い場合、より頻繁に選択される。すなわち、画面が明るい場合、相対的に加重値の高い第8サブフィールドは、頻繁に選択されるが、第1サブフィールドは、選択されない可能性が高い。
これにより、画面が明るい時は、相対的に加重値の低い第1サブフィールドでのスキャンパルスの幅が相対的に小さくても、プラズマディスプレイパネルの全体放電が安定した状態を維持できる。しかし、従来には、このように画面の明るさの差により選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、全てのサブフィールドに同一のスキャンパルスの幅を採用することによって、不要にアドレス期間の長さが増加して、以後のサステイン期間の長さを減少させることによって、サステインパルス個数の減少を招き、これに伴いプラズマディスプレイパネルの輝度を減少させるという問題がある。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、サブフィールドの階調値の大きさを考慮して、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを調整することによって、駆動マージンの低下を低減させ、コントラスト特性を向上させることのできるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、スキャン順序に応じて、各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することによって、アドレス放電を安定させるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、本発明の平均画像レベルAPLに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することによって、アドレス期間の長さを減少させても、安定したアドレス放電が発生されるようにするプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
そこで、上記目的を達成するため、本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、前記駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが、他のサブフィールドよりさらに大きいことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さいことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極及びサステイン電極と、前記複数のスキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする。
本発明は、1つのフレーム内で低階調を具現する低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを相対的に大きくし、高階調を具現する高階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを相対的に小さくすることで、コントラスト特性を向上させながらも駆動マージン(Margin)の低下を防止する効果を奏する。
本発明は、1つのサブフィールド内で、スキャン順序に応じて1つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を調整し、また、平均画像レベルAPLに応じて、平均画像レベルが高い場合、高階調サブフィールドでのスキャンパルス幅を増加させ、平均画像レベルが低い場合、低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を増加させることで、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、アドレス期間の長さの減少させて、サステイン期間に印加されるサステインパルスの個数を増加させることによって、プラズマディスプレイパネルの駆動の際、具現される輝度を上げることができる効果を奏する。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含む。
前記リセットパルスの大きさは、3個以上の互いに異なる電圧値を有し、前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスの大きさを、前記サブフィールドの階調値が大きさが減少するほど大きくすることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、その大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とすることを特徴とする。ここで、「2倍超過」とは、「2倍よりも大きい」ことを意味する。以下の説明において同様である。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドは、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、その大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とすることを特徴とする。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
前記所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Vsであることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含む。
前記リセットパルス制御部は、前記低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とすることを特徴とする。
前記低階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
前記低階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記低階調サブフィールドは、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが違ったサブフィールドよりさらに大きいことを特徴とする。
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含む。
前記リセットパルス制御部は、前記高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とすることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
前記リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるサブフィールドは、高階調サブフィールドであることを特徴とする。
前記高階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
前記高階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記高階調サブフィールドは、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段とを含む。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さいことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極及びサステイン電極と、前記複数のスキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群は、複数のスキャン電極を含み、前記スキャン電極群に含まれた複数のスキャン電極のスキャン順序は、時間的に連続するようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群は、第1スキャン電極群と該第1スキャン電極群よりスキャン順序が遅い第2スキャン電極群を含み、前記第1スキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を、前記第2電極群に印加されるスキャンパルスの幅より小さくすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記スキャン電極群の個数は、2個以上であり、前記スキャン電極の総個数以下であるようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記各スキャン電極群は、全て同じ個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記各スキャン電極群の1つ以上は他のスキャン電極群と異なる個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、同じ前記スキャン電極群に含まれた全ての前記スキャン電極には、同じ幅のスキャンパルスを印加するようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同一であるようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含む。
前記スキャンパルス制御部は、同じサブフィールド内で前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同一にすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルAPLが小さくなるほど、前記サブフィールドのうち、低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルAPLが小さくなるほど、前記低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は減少するようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じであることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのうち、少なくとも1つ以上は、他の低階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする。
前記低階調サブフィールドは、1フレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の20%以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルAPLが大きくなるほど、前記サブフィールドのうち、高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする。
前記高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は減少するようにすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同一にすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのうち少なくとも1つ以上は、他の高階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする。
前記高階調サブフィールドは、1フレーム内で供給される総サステインパルス個数の20%以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続した2つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差は、同一にすることを特徴とする。
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームのサブフィールドのうち、異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続した2つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする。
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする。
以下、本発明に係る具体的な実施形態を添付の図面を参照しつつ説明する。
図11は、本発明によってリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。図11に示されているように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル700と、駆動パルスを印加するためのデータ駆動部722、スキャン駆動部723、サステイン駆動部724及びリセットパルス制御部721を含む駆動装置を含んでなる。
例えば、本発明のプラズマディスプレイ装置は、図11のように、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に、上述したアドレス電極(X1ないしXm)、スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極Zに駆動パルスが印加される少なくとも1つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現するプラズマディスプレイパネル700と、プラズマディスプレイパネル700の後面パネル(図示せず)に形成されたアドレス電極(X1ないしXm)にデータを供給するためのデータ駆動部722と、スキャン電極(Y1ないしYn)を駆動するためのスキャン駆動部723と、共通電極であるサステイン電極Zを駆動するためのサステイン駆動部724と、プラズマディスプレイパネル700駆動の際、スキャン駆動部723を制御して、リセットパルスの大きさを調整するためのリセットパルス制御部721と、それぞれの駆動部722,723,724に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部725とを含む。
このような、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも1つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現し、このようなフレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する。
ここで、上述したプラズマディスプレイパネル700は、前面パネル(図示せず)と後面パネル(図示せず)とが一定の間隔で合着され、前面パネルには、複数の電極、例えば、スキャン電極(Y1ないしYn)とサステイン電極Zとが対をなして形成され、後面パネルには、スキャン電極(Y1ないしYn)とサステイン電極Zと交差するように、アドレス電極(X1ないしXm)が形成される。
データ駆動部722には、図示していない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路により各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部722は、タイミングコントロール部(図示せず)からのデータタイミング制御信号CTRXに応答して、データをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極(X1ないしXm)に供給する。
スキャン駆動部723は、リセットパルス制御部721の制御下に、リセット期間の間、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整されたリセットパルスをスキャン電極(Y1ないしYn)に供給する。また、スキャン駆動部723は、アドレス期間の間、スキャン電圧−VyのスキャンパルスSpをスキャン電極(Y1ないしYn)に順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスSusをスキャン電極(Y1ないしYn)に供給する。
サステイン駆動部724は、タイミングコントロール部(図示せず)の制御下に、立下りランプ波形Ramp‐downが発生される期間とアドレス期間との間、サステイン電圧Vsのバイアス電圧をサステイン電極Zに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部723と交互に動作して、サステインパルスSusをサステイン電極Zに供給する。
リセットパルス制御部721は、リセット期間において、スキャン駆動部723の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部723に供給することによって、スキャン駆動部723を制御する。特に、リセットパルス制御部721は、フレームの1サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するように、制御信号をスキャン駆動部723に供給する。また、このようなリセットパルス制御部721は、上述したリセットパルスの大きさが3個以上の互いに異なる電圧値を有するようにし、このような3個以上の互いに異なる電圧値を有するリセットパルスの大きさを、該当するサブフィールドの階調値の大きさが減少するほど小さくなるように、制御信号をスキャン駆動部723に供給する。
一方、上述したデータ制御信号CTRXには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号とが含まれる。スキャン制御信号CTRYには、スキャン駆動部723内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号CTRZには、サステイン駆動部724内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
駆動電圧発生部725は、セットアップ電圧Vsetup、スキャン共通電圧Vscan‐com、スキャン電圧−Vy、サステイン電圧Vs、データ電圧Vdなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セル構造に応じて変わることができる。
このような図11の本発明によりリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明によりさらに明確になる。
本発明の他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図11の本発明のプラズマディスプレイ装置と同様である。但し、リセットパルス制御部721は、リセット期間において、スキャン駆動部723の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部723に供給することによって、スキャン駆動部723を制御することは勿論、特に、フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間においてスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部723に印加する。
このような構造の本発明の他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明によりさらに明確になる。
本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図11の本発明のプラズマディスプレイ装置と同様である。但し、リセットパルス制御部721は、リセット期間において、スキャン駆動部723の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部723に供給することによって、スキャン駆動部723を制御することは勿論、特に、フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間においてスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部723に印加する。
<実施の形態1>
このような本発明のプラズマディスプレイ装置により行われる駆動方法の一実施の形態を説明すれば、次の図12の通りである。
図12aないし図12bは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態を説明するための図である。
図12aないし図12bに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態は、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに大きい。
例えば、図12aのように、総8個のサブフィールドが1つのフレームをなしている場合、加重値が最も低くて最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV2が、残りのサブフィールド、すなわち第2,3,4,5,6,7,8サブフィールドでのリセットパルスの大きさV1より大きい。
ここで、上述した低階調サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV2は、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧、すなわち2Vs超過であることが好ましい。
このように、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドにおいて、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きく、好ましくは、2Vs超過の電圧とする理由は、次の通りである。
加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が、加重値が相対的に大きくて高階調を具現するサブフィールドに比べて、さらに大きい。これに伴い、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが過度に小さければ、放電セル内の壁電荷の分布が均一にならないため、以後のアドレス放電が不安定になって、アドレスジッタ(Jitter)が悪化し、また以後のサステイン放電が不安定になる。したがって、加重値が低くて低い階調を具現する低階調のサブフィールドのリセット期間において印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくして、加重値が低くて低階調を具現する低階調のサブフィールドでのアドレス放電を安定させる。このように、アドレス放電が安定すれば、全体プラズマディスプレイ装置の駆動マージン(Margin)の低下が抑制される。
また、上述したような低階調サブフィールドとは異なり、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述した低階調サブフィールドの場合より小さくする。これにより、高階調サブフィールドでリセットパルスにより発生される画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト(Contrast)特性を改善する。
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図12aのリセットパルスを、図12bにさらに詳細に示した。
図12bに示されているように、第1サブフィールドでのリセットパルスの大きさV2が最も大きく、残りのサブフィールドでのリセットパルスの大きさは、第1サブフィールドでのリセットパルスの大きさより小さなことが分かる。この図12bでは、第1サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプRamp‐upの傾斜と、第2,3,4,5,6,7,8サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプの傾斜とが互いに同一であり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾斜の立ち上がりランプを有するようになれば、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の観点で、同じセットアップパルス発生回路(図示せず)を利用して、第1サブフィールドから第8サブフィールドまでの全てのサブフィールドでの立ち上がりランプを発生させることが可能でり、制御がさらに容易になり得る。
一方、上述した低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、1つのフレームに含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが、総1000個のサステインパルスを含んでいると仮定すれば、500個以下のサステインパルスを含むサブフィールドは、低階調サブフィールドに設定される。
これとは異なり、1つのフレームにおけるサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、低階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、1つのフレームで発生するサステインパルスの個数を2000個であると仮定すれば、400個以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。
または、1つのフレーム内でサステインパルスの個数が少ない順に、低階調サブフィールドを設定することもできるが、このような低階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、図13の通りである。
図13は、本発明の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
図13に示されているように、1つのフレーム内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでのサブフィールドが低階調サブフィールドに設定される。例えば、総8個のサブフィールドが1つのフレームをなすと仮定する時、サステインパルスが最も少ない、すなわち加重値が最も小さくて最も小さな階調を具現する第1サブフィールドから、その次の第2サブフィールド、第3サブフィールド及び第4サブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。
このように設定された低階調サブフィールドでのリセットパルスの大きさを、上述したように、他のサブフィールドよりさらに大きくする。すなわち、図13のように、低階調サブフィールドに設定された第1,2,3,4サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きく、例えばV2、すなわち2Vsを超過する電圧に設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述したV2よりは小さなV1に設定する。
以上の説明では、低階調サブフィールドではない他のサブフィールド、例えば、図13において、第5サブフィールドから第8サブフィールドまでのサブフィールドでも、リセットパルスは、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが含まれるが、これとは異なり、フレームのいずれかのサブフィールドのリセット期間で立ち上がりランプが含まれないように、リセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図14の通りである。
図14は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
図14に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、1つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが省略されている。例えば、図14のように、第8サブフィールドでのリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、後に傾斜を持って立ち下がる立下りランプRamp‐downの波形を有する。このような第8サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドから第7サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して立ち上がりランプが省略されており、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第8サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Vsが維持され、以後に立下りランプの波形を有する。
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドであることが好ましく、これにより、上述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間で、リセットパルス、特に立ち上がりランプにより発生する画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさがさらい減少して、コントラスト特性をさらに改善する。
また、駆動回路の観点から見れば、立ち上がりランプのパルス形態を有するセットアップ電圧を供給する必要がないため、駆動回路の制御がさらに容易であるという長所がある。
また、相対的に高い電圧の立ち上がりランプを供給しなくなって、電力消費を低減する。
以上では、1つのフレームに含まれたサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に、規則的に配列された一例だけを図示し、また説明したが、これとは異なり、1つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図15の通りである。
図15は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態における1つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
図15に示されているように、1つのフレーム内でサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に規則的に配列されるものではなく、階調値の大きさに関係なくランダム(Random)に配列される。このような不規則的なサブフィールド配列を有するフレームでも加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドである5番目のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることである。
図15では、図12aと比較して、図12aのサブフィールドの配列順序が第1,2,3,4,5,6,7,8サブフィールドの順であると仮定すれば、図15では、第2,3,4,8,1,5,6,7サブフィールドの順である。この図15では、1つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさと関係なくランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、1つのフレーム内で相対的に加重値の大きい、すなわち階調値の大きい高階調サブフィールドと、相対的に加重値の低い、すなわち階調値の低い低階調サブフィールドとを交互に配列することもできる。このようなサブフィールド配列の順により、本発明が限定されるものではなく、フレームがいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのフレームに内に含まれたサブフィールドのうち、低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることが何より重要なものである。
<実施の形態2>
以上のプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態では、1つのフレーム内でのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、1つのフレーム内でのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整することもでき、これを説明すれば、次の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態の通りである。
図16aないし図16bは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態を説明するための図である。
図16aないし図16bに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さい。
例えば、図16aのように、総8個のサブフィールドが1つのフレームをなしている場合、加重値が最も高くて最も高い階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち第8サブフィールドでのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV1が、他のサブフィールド、すなわち第1,2,3,4,5,6,7サブフィールドでのリセットパルスの大きさV2より小さい。
ここで、上述した高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV1は、サステイン電圧Vsの2倍以下、すなわち2Vs以下であり、サステイン電圧Vs以上であることが好ましい。すなわちVs<V1<2Vsの関係が成立する。
このように、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、好ましくは、サステイン電圧Vs以上2Vs以下にする理由を説明すれば、以下の通りである。
加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が加重値が相対的に小さくて低階調を具現する低階調サブフィールドに比べて、相対的に小さい。これにより、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが低階調サブフィールドよりさらに小さくても、放電セル内の壁電荷の分布を十分に均一にすることができる。したがって、高階調サブフィールドでは、相対的に小さな電圧大きさのリセットパルスを供給するとしても、他の低階調サブフィールドに比べて、以後のアドレス放電が相対的に安定になるため、アドレスジッタ(Jitter)の悪化を抑制するようになり、また、以後のサステイン放電が不安定になることを防止する。結局、1つのフレームのサブフィールドのうち、加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドで、リセット期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のサブフィールドよりさらに小さくすることで、プラズマディスプレイパネルの放電特性を安定させながらも、リセットパルスにより発生される画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト特性を改善する。
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図16aのリセットパルスを、図16bにさらに詳細に示した。
図16bに示されているように、第8サブフィールドでのリセットパルスの大きさV1が最も小さく、残りのサブフィールドでのリセットパルスの大きさは、第8サブフィールドでのリセットパルスの大きさより大きいことが分かる。この図16bでは、第8サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプRamp‐upの傾斜と、第1,2,3,4,5,6,7サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプの傾斜とが互いに同一であり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾斜の立ち上がりランプを有すると、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の面で、同じセットアップパルス発生回路(図示せず)を利用して、第1サブフィールドから第8サブフィールドまでの全てのサブフィールドでの立ち上がりランプを発生させることが可能であり、制御がさらに容易になり得る。
一方、上述した高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、1つのフレームに含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが総1000個のサステインパルスを含んでいると仮定すれば、500個以上のサステインパルスを含むサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。
これとは異なり、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、1つのフレームで発生されるサステインパルスの個数を2000個であると仮定すれば、400個以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。
または、1つのフレーム内でサステインパルスの個数が多い順に応じて、高階調サブフィールドを設定することもでき、このような高階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、次の図17の通りである。
図17は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
図17に示されているように、1つのフレームのサブフィールドのうち、複数個のサブフィールドを高階調サブフィールドに設定するが、このような高階調サブフィールドの設定基準は、1つのフレーム内で複数個のサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順序において4番目のサブフィールドまでのサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定する。例えば、総8個のサブフィールドが1つのフレームをなすと仮定すれば、サステインパルスが最も多い、すなわち加重値が最も大きくて最も大きな階調を具現する第8サブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序においてその次のサブフィールドである第7サブフィールド、第6サブフィールド及び第5サブフィールドを、高階調に設定する。
このように設定された高階調サブフィールドでのリセットパルスの大きさを、上述したように、他のサブフィールドよりさらに小さくする。すなわち、図17のように、高階調サブフィールドに設定された第5,6,7,8サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、例えば、V1、すなわちサステイン電圧Vsよりは大きくて、2倍のサステイン電圧2Vsよりは小さく設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述したV1よりは大きなV2に設定する。
以上の説明では、高階調サブフィールド、例えば、図17において、第5サブフィールドから第8サブフィールドまでのサブフィールドで、リセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが全て含まれるが、これとは異なり、フレームのサブフィールドのうち、1つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図18の通りである。
図18は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
図18に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、1つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが省略されている。例えば、図18のように、第7サブフィールドと第8サブフィールドでのリセットパルスが、所定の正極性電圧を維持してから、後に傾斜を持って立ち下がる立下りランプRamp‐downの波形を有する。このような第7,8サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドから第6サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較した時、立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第7,8サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Vsが維持されてから、後に立下りランプの波形に立ち下がる。
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、上述したように、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドであることが好ましく、これにより、上述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間において、リセットパルス、特に立ち上がりランプにより発生される画像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに減少して、コントラスト特性をさらに改善する。
また、駆動回路の面から見ると、立ち上がりランプのパルス形態を有するセットアップ電圧を供給する必要がないため、駆動回路の制御がさらに容易であるという長所がある。
また、相対的に高い電圧の立ち上がりランプを供給しなくても良いので、電力消費を低減する。
以上では、1つのフレームに含まれたサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に、規則的に配列されたた一例のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、1つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図19の通りである。
図19は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第2実施の形態における1つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
図19に示されているように、1つのフレーム内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に、規則的に配列されるのではなく、階調値の大きさに関係なくランダムに配列される。このような不規則的なサブフィールドの配列を有するフレームの中でも、加重値が高くて、すなわち階調値が高くて相対的に高階調を具現する高階調サブフィールドである4番目のサブフィールド、すなわち第8サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする。
この図19では、図16aと比較して、図16aのサブフィールド配列順序が、第1,2,3,4,5,6,7,8サブフィールドの順であると仮定すれば、図19では、第2,3,4,8,1,5,6,7サブフィールドの順である。この図19では、1つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさと関係なくランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、1つのフレーム内で相対的に加重値が大きい、すなわち階調値の大きい高階調サブフィールドと相対的に加重値が低い、すなわち階調値の低い低階調サブフィールドとを交互に配列することもできる。このようなサブフィールド配列の順序により、本発明が限定されるものではなく、フレームがいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのフレーム内に含まれたサブフィールドのうち、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするすることが何より重要なものである。
<実施の形態3>
以上では、1つのフレームに含まれたサブフィールドのリセット期間にスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、低階調のサブフィールドで調整するか、またはこれとは異なり、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、1つのフレームに含まれたサブフィールドのリセットパルスを少なくとも3つ以上の互いに異なる電圧値に設定することも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態の通りである。
図20aないし図20bは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態を説明するための図である。
図20aないし図20bに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整される。
例えば、図20aのように、総8個のサブフィールドが1つのフレームをなしている場合、このような8個のサブフィールドからなるフレームで該当サブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさに応じて、リセットパルスの大きさを調整する。
ここで、加重値、すなわち階調値が大きな順に最も大きな階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち第8サブフィールドとその次に高い階調の第7サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをV1、加重値、すなわち階調値が低い順に最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドとその次の第2サブフィールド、その次の第3サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをV3、加重値、すなわち階調値が上述した第7,8サブフィールドの階調値と上述した第1,2,3サブフィールドの階調値との間の中間階調である第4,5,6サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをV2であると仮定すれば、V1<V2<V3の関係が成立する。
ここで、上述した高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV1は、サステイン電圧Vs以上2倍のサステイン電圧Vs以下、すなわち2Vs以下、すなわちVs<V1<2Vsであることが好ましい。
このように、リセットパルスの電圧の大きさを、サステイン電圧Vs以上2倍のサステイン電圧Vs(2Vs)以下にするサブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
また、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定することも可能である。
このように、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、好ましくは、サステイン電圧Vs以上2倍のサステイン電圧2Vs以下にする理由は、上述したように、高階調サブフィールドでは、アドレス放電が相対的に安定しており、相対的に多くのサステインパルスの個数を有するため、高階調サブフィールド全体にかけて放電が安定するためである。言い換えれば、高階調サブフィールドの全体にかけて放電が安定するため、リセット期間でのリセットパルスの電圧の大きさが相対的に小さくても、プラズマディスプレイパネル全体にかけた放電セル内での壁電荷の分布を均一にすることができるためである。したがって、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの電圧の大きさを、相対的に小さくすることにより、放電セル内での壁電荷の分布を均一にしながらも、リセット期間で暗放電により発生する光の量を減少させて、コントラスト特性を向上させる。
また、ここで上述した低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさV3は、2倍のサステイン電圧を超過する、すなわち2Vs超過の電圧値を有することが好ましい。ここで、上述した低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、上述したように、加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が加重値が相対的に大きくて高階調を具現するサブフィールドに比べて、さらに大きいため、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくして、アドレス放電及びサステイン放電を安定させるためである。このように、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさをさらに大きくする理由は、上述した本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態または第2実施の形態で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
ここで、上述したように、1フレーム内でリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧にするサブフィールドは、サステインパルスの個数の観点で決定されることができる。例えば、上述したように、リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであり、またはリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドは、1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
このように、リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍超過の電圧とするサブフィールドを決定する方法に対するさらに詳細な説明は、上述した本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第1実施の形態または第2実施の形態で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
このようにサブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図20aのリセットパルスを図20bにさらに詳細に示した。
図20bに示されているように、8個のサブフィールドを有する1フレームでのリセットパルスは、少なくとも3個以上の互いに異なる電圧値を有する。言い換えれば、1つのフレーム内でサブフィールドが有するリセットパルスの電圧値は、少なくとも3個以上である。また、このようなリセットパルスは、1つのフレーム内でサブフィールドの加重値、すなわち階調値の大きさが減少するほど、大きくなることが好ましい。例えば、1つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさが増加する順に、第3サブフィールドと第4サブフィールドでのリセットパルスの大きさが互いに異なる電圧値を有すると仮定すれば、このような第3サブフィールドと第4サブフィールドのうち、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさがさらに小さなサブフィールド、すなわち第3サブフィールドでのリセットパルスの大きさが第4サブフィールドでのリセットパルスの大きさよりさらに大きい。
以上の説明では、1つのフレームの全てのサブフィールドでリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが全て含まれるが、これとは異なり、フレームのサブフィールドのうち、1つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図20の通りである。
図21は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
図21に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、1つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプRamp‐upが省略された。例えば、図21のように、第7サブフィールドと第8サブフィールドでのリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がる立下りランプRamp‐downの波形を有する。このような第7,8サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドから第6サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して、立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第7,8サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Vsが維持してから、後に立下りランプの波形に立ち下がる。ここで、上述した所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Vsであることが好ましい。すなわち、1つのフレームの少なくとも1つ以上のサブフィールドでは、リセットパルスがサステイン電圧Vsを維持してから、傾斜を持って立ち下がる形態の波形を有する。このように、立ち上がりランプが省略されたサブフィールドは、1つのフレーム内で加重値、すなわち階調値が相対的に高いサブフィールドであることが好ましい。また、このようなサブフィールドは、1つのフレーム内で1つが含まれることもでき、複数個が含まれることもできる。
一方、以上の説明では、1つのフレーム内でリセットパルスの大きさが異なるサブフィールドよりさらに大きな、例えば図20aのように、リセットパルスの大きさがV3であるサブフィールドを決定する場合、1フレーム内に含まれたサステインパルスの個数を基にして、所定個数以下のサステインパルスを有するサブフィールドにおいて、リセットパルスの大きさをV3にした。しかし、1フレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が少なく含まれた順序を基にして、リセットパルスの大きさがV3であるサブフィールドを決定することができる。このような方法を説明すれば、次の図22の通りである。
図22は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
図22に示されているように、1つのフレーム内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでのサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。例えば、図22のように、加重値が小さい順、すなわち階調値の大きさが小さい順に最も小さな階調のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち第2サブフィールド、その次の第3サブフィールド及びその次の第4サブフィールドを、低階調サブフィールドに設定する。このような低階調サブフィールド、すなわち第1,2,3,4サブフィールドのリセットパルスの大きさをV3にする。このように低階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細は、既に図13の説明部分で説明したので、重複する説明は省略するものとする。
また、1つのフレーム内で高階調サブフィールド、すなわち1つのフレーム内でリセットパルスの大きさが異なるサブフィールドよりさらに小さい、例えば、図20aと同様に、リセットパルスの大きさがV1であるサブフィールドを決定する場合、1フレーム内に含まれたサステインパルスの個数を基にして、所定個数以上のサステインパルスを有するサブフィールドでリセットパルスの大きさをV1にした。しかし、1フレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が多く含まれた順序を基にして、リセットパルスの大きさがV1であるサブフィールドを決定することもできる。このような方法を説明すれば、次の図23の通りである。
図23は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
図23に示されているように、1つのフレーム内で複数個のサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定するが、このような高階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が多い順に、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから4番目のサブフィールドまでのサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。例えば、図23のように、加重値が大きい順、すなわち階調値の大きさが大きい順に最も大きな階調のサブフィールド、すなわち第8サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち第7サブフィールド、その次の第6サブフィールド及びその次の第5サブフィールドを、高階調サブフィールドに設定する。このような高階調サブフィールド、すなわち第5,6,7,8サブフィールドのリセットパルスの大きさをV1にする。このように高階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細は、既に図17の説明部分で説明したので、重複する説明は省略するものとする。
以上の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態では、1つのフレームに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に、規則的に配列された一例のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、1つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図24の通りである。
図24は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態における1つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
図24に示されているように、1つのフレーム内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に規則的に配列されるものではなく、階調値の大きさに関係なくランダムに配列される。すなわち、この図24では、図20aと比較して、図20aのサブフィールド配列順序が、第1,2,3,4,5,6,7,8サブフィールドの順であると仮定すれば、図24では、第2,3,4,8,1,5,6,7サブフィールドの順である。このような不規則的なサブフィールド配列を有するフレームでも、加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドである最初、2番目及び5番目のサブフィールド、すなわち第1,2,3サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをV3、フレームのサブフィールドのうち、加重値が高くて、すなわち階調値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドである4番目と8番目のサブフィールド、すなわち第7,8サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをV1、上述した低階調サブフィールド及び高階調サブフィールドを除外した残りの階調サブフィールド、すなわち3番目、6番目及び7番目のサブフィールド、すなわち第4,5,6サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをV2とする時、V1<V2<V3の関係が成立する。
ここでは、1つのフレーム内でサブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさを、総3つの異なる値にした場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、1つのフレーム内で各々のサブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさを、互いに異なるように設定することができる。例えば、1つのフレームが8個のサブフィールドからなる場合、第1サブフィールドのリセットパルスの大きさをV1、第2サブフィールドのリセットパルスの大きさをV2、第3サブフィールドのリセットパルスの大きさをV3、第4サブフィールドのリセットパルスの大きさをV4、第5サブフィールドのリセットパルスの大きさをV5、第6サブフィールドのリセットパルスの大きさをV6、第7サブフィールドのリセットパルスの大きさをV7、第8サブフィールドのリセットパルスの大きさをV8に設定する。ここで、上述したV1からV8までは、それぞれ互いに異なる値を有する。例えば、第1から第8サブフィールドの順に階調値が高くなる場合には、リセットパルスの大きさV1からV8の順に小さくなるように設定することが可能である。例えば、第1から第8サブフィールドの順に階調値が低くなる場合には、リセットパルスの大きさV1からV8の順に大きくなるように設定することが可能である。リセットパルスV1からV8は、階調値が低いサブフィールドのほど大きくなるように互いに異なるように設定することが可能である。
このように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態では、1つのフレーム内で相対的に加重値が高くて、すなわち階調値が高くて高階調を具現する少なくとも1つ以上の高階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくし、相対的に加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する少なくとも1つ以上の低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくし、上述した高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの間の中間階調を具現するサブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、高階調サブフィールドより大きく、低階調サブフィールドより小さくすることにより、相対的にアドレス放電が不安定になる可能性が大きい低階調サブフィールドでは、相対的に大きい大きさのリセットパルスでリセット放電を安定させて、以後のアドレス放電を安定させる。また、上述した低階調サブフィールドよりアドレス放電が相対的に安定した高階調サブフィールドでは、相対的に小さな大きさのリセットパルスで暗放電による画像表示に寄与しない不必要な光の発生を減少させて、コントラスト特性を向上させる。また、このような本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第3実施の形態は、フレームのサブフィールドを高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの2種類のみに分類せず、フレーム内で少なくとも3つ以上の異なる大きさのリセットパルスを有するようにすることによって、各々のサブフィールドの加重値、すなわち階調値に応じる最適の大きさのリセットパルスを印加できるようになる。これにより、駆動マージンをさらに向上させながらも、コントラスト特性の低下を抑制できる。
図25は、本発明に係るスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の構造を説明するための図である。図25に示されているように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極Zと、前記スキャン電極及びサステイン電極Zと交差する複数のアドレス電極(X1ないしXm)とを含み、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極(X1ないしXm)、スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極Zに駆動パルスが印加される少なくとも1つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現するプラズマディスプレイパネル800と、プラズマディスプレイパネル800に形成されたアドレス電極(X1ないしXm)にデータを供給するためのデータ駆動部802と、スキャン電極(Y1ないしYn)を駆動するためのスキャン駆動部803と、共通電極であるサステイン電極Zを駆動するためのサステイン駆動部804と、プラズマディスプレイパネル800駆動の際、スキャン駆動部803を制御するためのスキャンパルス制御部801と、各々の駆動部802,803,804に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部805を含む。
このような、本発明のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間において、アドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも1つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現し、フレームを複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループでそれぞれの駆動部802,803,804を制御し、フレームの1つ以上のサブフィールドでスキャンの順序に応じて、1つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにする。このように、スキャンパルスの幅を調整するのは、以後の説明で詳細に説明する。また、上述したスキャン電極群の意味もまた以後のプラズマディスプレイ装置の駆動方法の説明で詳細に説明する。
ここで、上述したプラズマディスプレイパネル800は、前面パネル(図示せず)と後面パネル(図示せず)とが一定の間隔で合着され、複数の電極、例えば、スキャン電極(Y1ないしYn)とサステイン電極Zとが対をなして形成され、またスキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極Zと交差するように、アドレス電極(X1ないしXm)が形成される。
データ駆動部802には、図示していない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路により各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部802は、タイミングコントロール部(図示せず)からのデータタイミング制御信号CTRXに応答して、データをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極(X1ないしXm)に供給する。
スキャン駆動部803は、スキャンパルス制御部801の制御下に、リセット期間の間立ち上がりランプ波形Ramp‐upと立下りランプ波形Ramp‐downとをスキャン電極(Y1ないしYn)に供給する。また、スキャン駆動部803は、スキャンパルス制御部801の制御下に、アドレス期間の間、スキャン電圧−VyのスキャンパルスSpをスキャン電極(Y1ないしYn)に順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスSusをスキャン電極(Y1ないしYn)に供給する。
サステイン駆動部804は、タイミングコントロール部(図示せず)の制御下に、立下りランプ波形Ramp‐downが発生される期間とアドレス期間との間、サステイン電圧Vsのバイアス電圧をサステイン電極Zに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部803と交互に動作して、サステインパルスSusをサステイン電極Zに供給する。
スキャンパルス制御部801は、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間において、スキャン駆動部803の動作タイミングと同期化とを制御するためのタイミング制御信号CTRYを発生し、そのタイミング制御信号CTRYをスキャン駆動部803に供給することによって、スキャン駆動部803を制御する。特に、スキャンパルス制御部801は、フレームの1つ以上のサブフィールドで上述したスキャン駆動部803を制御し、スキャン順序に応じて、1つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにする。
一方、上述したデータ制御信号CTRXには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。スキャン制御信号CTRYには、スキャン駆動部803内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号CTRZには、サステイン駆動部804内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
駆動電圧発生部805は、セットアップ電圧Vsetup、スキャン共通電圧Vscan‐com、スキャン電圧−Vy、サステイン電圧Vs、データ電圧Vdなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セル構造により変わることができる。
また、図示していないが、本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図25の本発明のプラズマディスプレイ装置と同一である。但し、スキャンパルス制御部801は、アドレス期間において、スキャン駆動部803の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部803に供給することによって、スキャン駆動部803を制御することはもちろん、特に、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベル(APL:Average Picture Level)に応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するように、所定の制御信号をスキャン駆動部803に印加する。
このような構造の本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明でさらに明確になる。
このような構造の本発明のプラズマディスプレイ装置により行われる駆動方法の多様な実施の形態は、次の通りである。
<実施の形態4>
まず、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態は、プラズマディスプレイパネル上のスキャン電極を複数のスキャン電極群に分け、このように分けられたスキャン電極群のうち、少なくとも1つのスキャン電極群では、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のスキャン電極群と互いに異なるようにすることであるが、このために、スキャン電極を複数のスキャン電極群に分ける方法の一例をまず説明すれば、次の図26の通りである。
図26は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するために、プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極(Y1ないしYn)を4個のスキャン電極群に分けた図である。
図26に示されているように、プラズマディスプレイパネル900のスキャン電極(Y1ないしYn)を、例えば、Ya電極群(Ya1ないしYa(n)/4)901、Yb電極群(Yb(n+1)/4ないしYb(2n)/4)902、Yc電極群(Yc(2n+1)/4ないしYc(3n)/4)903及びYd電極群(Yd(3n+1)/4ないしYd(n))904に区分する。ここで、上述したスキャン電極群の個数は、最小2ケ以上から最大スキャン電極の総個数より小さな範囲、すなわちスキャン電極の総個数をnとする時、2≦N≦(n―1)個の間で設定されることができる。
ここで、1つのスキャン電極群に含まれる全てのスキャン電極は、スキャン順序が連続している。言い換えれば、スキャン順序に応じて、所定個数のスキャン電極をグループにして、スキャン電極群に設定することである。例えば、図26の場合には、Yaスキャン電極群がYa1スキャン電極からYa(n/4)スキャン電極までのスキャン電極を含み、Ybスキャン電極群は、Yb((n+1)/4)スキャン電極からYb(2n/4)スキャン電極までのスキャン電極を含むが、ここで、スキャン順序は、Yaスキャン電極群のYa1スキャン電極が最も早く、その次がYa2、このような順にスキャン順序は、Ya3......Ya((n-1)/4),Ya(n/4),Yb((n+1)/4)......Yb(2n-1)/4),Yb(2n/4)の順である。
一方、図26では、各スキャン電極群901,902,903,904に含まれたスキャン電極の個数を同一にしたが、各スキャン電極群901,902,903,904に含まれるスキャン電極の個数を互いに異なるように設定することも可能である。そして、スキャン電極群の個数も調整可能である。このように、各々のスキャン電極群に含まれるスキャン電極の個数を異なるようにするか、スキャン電極群個数の調整に関する一例は、後に詳細に説明する。
プラズマディスプレイパネルのスキャン電極を複数のスキャン電極群に分けて、例えば、図26のように、4個のスキャン電極群に分けて駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態は、次の通りである。
図27は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態を説明するための図である。
図27に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態は、スキャン電極(Y1ないしYn)を、図26と同様に、4個のスキャン電極群、すなわちYaスキャン電極群、Ybスキャン電極群、Ycスキャン電極群及びYdスキャン電極群に分ける場合、上述した4個のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群でスキャン順序に応じてスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整する。すなわち、4個のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群からスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のスキャン電極群と異なるようにする。
例えば、プラズマディスプレイパネル上でスキャン電極が図26のような順に配列されており、また、このような図26のような配列順序に応じて、スキャンパルスが順次印加されると仮定すれば、図27では、相対的にスキャン順序の早いY1スキャン電極からYa1スキャン電極までのスキャン電極が含まれたYaスキャン電極群に印加されるスキャンパルス、すなわちY1スキャン電極からYa(n/4)スキャン電極までのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅がW1で最も小さい。
そして、その次にYaスキャン電極群に含まれたスキャン電極よりスキャン順序の遅いYb((n+1)/4)スキャン電極からYb((2n)/4)スキャン電極までのスキャン電極が含まれたYbスキャン電極群に印加されるスキャンパルス、すなわちYb((n+1)/4)スキャン電極からYb((2n)/4)スキャン電極までのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、上述したW1よりは大きいW2である。このような方式でYc電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、上述したW2よりは大きいW3であり、Yd電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、上述したW3より大きいW4である。言い換えれば、上述したスキャンパルスの間には、W1<W2<W3<W4の関係が成立する。
このように、スキャン順序が相対的に早いスキャン電極群には、パルス幅が相対的に小さなスキャンパルスを印加し、スキャン順序が相対的に遅いスキャン電極群には、パルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加する理由は、次の通りである。
スキャン順序が早いというのは、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に早い時間内にアドレス放電が発生することを意味する。また、リセット放電の直後には、放電セル内にリセット放電により生成されたプライミング電荷(Priming Particle)が複数存在する。これにより、スキャン順序が早いスキャン電極には、相対的にパルス幅が小さなスキャンパルスを印加しても、充分な強度のアドレス放電が発生することである。
一方、スキャン順序が遅いというのは、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に長い時間が過ぎた後にアドレス放電が発生することを意味する。ここで、上述したプライミング電荷の個数は、時間が過ぎるほど放電セル内で減少する。これにより、相対的にスキャン順序が遅くてリセット放電の後に相対的に長い時間が流れた後にアドレス放電が発生するスキャン電極には、相対的にパルス幅が大きいスキャンパルスを印加して、放電セル内に存在するプライミング電荷の個数の不足によりアドレス放電が弱くなるか、アドレス放電が発生しなくなることを防止する。
このように、スキャン順序に応じてパルス幅が調整されるスキャンパルスをさらに詳細に説明すれは、次の図28の通りである。
図28は、スキャン順序に応じて調整されるスキャンパルスの幅をさらに詳細に説明するための図である。図28に示されているように、スキャン順序が相対的に早いスキャン電極が含まれたYaスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅がW1で最も小さく、その次に上述したYaスキャン電極群よりはスキャン順序の遅いYbスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が、上述したW1よりはW2に設定される。このような方法でYcスキャン電極群及びYdスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が決定されるが、このようなスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同一であるか、互いに異なるように設定されることができる。
図29は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
図29に示されているように、スキャン順序が連続しており、かつ互いに異なるパルス幅を有する2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、全て同一に設定される。例えば、Yaスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅をWであると仮定すれば、Ybスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+d、Ycスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+2d、Ydスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+3dである。すなわち、スキャン順序が連続しており、かつパルス幅が互いに異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、dで全て同一である。
図30は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
図30に示されているように、スキャン順序が連続しており、かつ互いに異なるパルス幅を有する2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるように設定される。例えば、Yaスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅をWであると仮定すれば、Ybスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+d、Ycスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+3d、Ydスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、W+7dである。すなわち、スキャン順序が連続しており、かつパルス幅が互いに異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、dまたは2dまたは4dなどで互いに異なる。
一方、以上では、プラズマディスプレイパネル上のスキャン電極を各々同じ個数のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群に分けて駆動する一例のみを図示し、また説明したが、複数のスキャン電極群のうち、1つ以上で他のスキャン電極群と異なる個数のスキャン電極を含むようにすることもできるが、このように、スキャン電極群を区分する一例を説明すれば、次の図31の通りである。
図31は、プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極を1つ以上で互いに異なる個数のスキャン電極を含むスキャン電極群に分ける一例を説明するための図である。
図31に示されているように、プラズマディスプレイパネル1400のスキャン電極の総個数を100であると仮定する時、このようなスキャン電極(Y1ないしY100)を、例えば、Yaスキャン電極群(Y1ないしY10)1401、Ybスキャン電極群(Y11ないしY15)1402、Ycスキャン電極群(Y16)1403、Ydスキャン電極群(Y17ないしY60)1404及びYeスキャン電極群(Y61ないしY100)1405に区分する。ここで、上述したように、それぞれのスキャン電極群は、互いに異なる個数のスキャン電極を含む。
ここで、上述したYcスキャン電極群は、1つのスキャン電極、すなわちY16スキャン電極のみを含むスキャン電極群であり、他のスキャン電極群とは異なり、1つのスキャン電極が1つのスキャン電極群をなす場合である。
このように、1つのスキャン電極が1つのスキャン電極群をなす場合を除いては、スキャン電極群内に含まれた全てのスキャン電極は、スキャン順序が連続している。言い換えれば、1スキャン電極群が複数個のスキャン電極、例えばY1,Y2,Y3スキャン電極を含む場合、スキャン電極群内でY1スキャン電極とY2スキャン電極とY3スキャン電極とは、そのスキャン順序が連続している。
ここでも、1つのスキャン電極群に複数個のスキャン電極を含む場合、このようなスキャン電極群に含まれる全てのスキャン電極は、図26と同様に、スキャン順序が連続している。言い換えれば、スキャン順序に応じて所定個数のスキャン電極をグループ化して、スキャン電極群に設定することである。
ここでは、各々のスキャン電極群が全て互いに異なる個数のスキャン電極を含むが、これとは異なり、複数のスキャン電極群のうち、選択された所定個数のスキャン電極群のみで、他のスキャン電極群と異なる個数のスキャン電極を含むことができる。例えば、図31において、Yaスキャン電極群がスキャン順序が連続している10個のスキャン電極を含み、またYbスキャン電極群がスキャン順序が連続しているさらに他の5個のスキャン電極を含み、以後のYcスキャン電極群がさらに他の1個のスキャン電極を含み、Ydスキャン電極群は、各それぞれキャン順序が連続している44個の電極電極を含み、Yeスキャン電極群は、スキャン順序が連続している40個のスキャン電極を含む。
このように区分されるスキャン電極群でも、上述した図27と同様に、スキャン順序に応じてスキャンパルスの幅を調整する。このようなスキャン電極群でスキャンパルス幅を調整する方法は、既に図27で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
以上で詳細に説明したように、スキャン順序が早いスキャン電極群には、相対的に小さなパルス幅のスキャンパルスを印加し、スキャン順序が遅いスキャン電極群には、相対的に大きいパルス幅のスキャンパルスを印加することによって、1つのサブフィールド内で全体アドレス期間の長さの増加を抑制しながらも、スキャン順序が遅いスキャン電極群でプライミング粒子の不足によりアドレス放電が不安定になることを防止して、プラズマディスプレイパネル全体の放電を安定させる。
<実施の形態5>
以上の本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第4実施の形態では、スキャン順序に応じて1つのサブフィールド内の1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を調整することであるが、これとは異なり、1つのフレーム内でプラズマディスプレイパネルの全体画面の明るさに応じて、1つ以上のサブフィールドのスキャンパルスの幅を調整することも可能である。このような駆動方法を説明すれば、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態の通りである。
本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態は、プラズマディスプレイパネルの全体画面の明るさ、すなわち平均画像レベルAPLに応じて、1つ以上のサブフィールドのスキャンパルスの幅を調整するが、このような本発明の駆動方法に対する第5実施の形態の理解のために、まず上述した平均画像レベルAPLに対して説明すれば、次の図32の通りである。
図32は、平均画像レベルAPL(Average Picture Level)に対して説明するための図である。図32に示されているように、平均画像レベルAPLの値が増加するほど、サステインパルスの個数は減少し、平均画像レベルAPLの値が減少するほど、サステインパルスの個数は増加する。例えば、プラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に小さな面積の部分だけに画像が表示される場合、すなわち画像が表示される面積が相対的に小さな場合(このような場合は、APLレベルが相対的に小さい)、画像表示に寄与する放電セルの個数が相対的に小さいため、画像表示に寄与する放電セル各々に相対的に多い個数のサステインパルスを印加することによって、プラズマディスプレイパネルの全体電力消費の量を低減させる。また、画像が表示される部分の輝度を上げることによって、プラズマディスプレイパネルの全体画質を改善する。
これと反対に、プラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に大きい面積の部分に画像が表示される場合、すなわち画像が表示される面積が相対的に大きい場合(このような場合は、APLレベルが相対的に大きい)、画像表示に寄与する放電セルの個数が相対的に多いため、画像表示に寄与する放電セル各々に相対的に少ない個数のサステインパルスを印加することによって、プラズマディスプレイパネルの全体電力消費の量を低減する。
このような方法でプラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に広い面積の部分で画像が表示される場合、各々の放電セルに供給されるサステインパルスの個数を減少させて電力消費を低減し、またプラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に小さな面積の部分で画像が表示される場合、各々の放電セルに供給されるサステインパルスの個数を増加させて、全体輝度の減少を補償することによって、全体プラズマディスプレイパネルで具現される輝度の減少を抑制しながらも、電力消費を低減する。
このような平均画像レベルが採用される本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態を説明すれば、次の図33の通りである。
図33は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態を説明するための図である。図33に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態は、フレームの1つ以上のサブフィールドで平均画像レベルAPLに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスのパルス幅を調整する。例えば、図33のように、平均画像レベルが低い場合、すなわちプラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が小さな場合(単位階調当たり、1つの放電セルに印加されるサステインパルスの個数が多い場合)、1つのフレーム内で加重値が低くて低階調を具現するサブフィールド(これを低階調サブフィールドと言う)、例えば、第1サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W1を他のサブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W2より大きくする。
例えば、図33のように、1フレームが8個のサブフィールドからなると仮定する時、このようなサブフィールドのうち、第1サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W1を他のサブフィールド、すなわち第2サブフィールドから第8サブフィールドまでのサブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W2より大きくする。
このように、平均画像レベルAPLが低い1つのフレーム内で、加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、平均画像レベルが低い場合、プラズマディスプレイパネルの画面で画像が表示される面積が相対的に小さいため、加重値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドが、高階調サブフィールドよりさらに頻繁に選択される。したがって、平均画像レベルAPLが低い場合に選択される頻度がさらに高い低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を増加させて、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させる。
また、平均画像レベルAPLの差に応じて、選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、選択される頻度が高いサブフィールドでスキャンパルスの幅を増加させ、選択される頻度が低いサブフィールドでスキャンパルスの幅を減少させることによって、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、不必要なアドレス期間の長さの増加にともなうサステインパルス個数の減少により、プラズマディスプレイパネルの輝度が減少することを防止する。
ここで、各々のサブフィールドで各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、同一であることが好ましい。
この図33では、平均画像レベルAPLが相対的に小さな場合、1つのフレーム内で他のサブフィールドよりスキャンパルスの幅をさらに大きくする低階調サブフィールドの個数を1つに設定したが、これとは異なり、1つのフレーム内で複数個の低階調サブフィールドが含まれることも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の図34の通りである。
図34は、1つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルAPLに応じて調整する一例を説明するための図である。図34に示されているように、1つのフレーム内で第1,2,3サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りの他のサブフィールド、すなわち4,5,6,7,8サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きい。このような図34の場合は、図33と同様に、平均画像レベルAPLが相対的に低い場合であって、このように平均画像レベルAPLが相対的に低い場合に頻繁に選択される低階調サブフィールド、すなわち第1,2,3サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする。
ここで、上述した低階調サブフィールドは、サステインパルスの個数を基にして設定されることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、1つのフレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の20%以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることが好ましい。例えば、1つのフレーム内でサステインパルスが最も多いサブフィールドが、総1000個のサステインパルスを有すると仮定すれば、200個以下のサステインパルスを有するサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。このような基準を図34に採用すれば、図34の第1,2,3サブフィールドは、200個以下のサステインパルスを有するサブフィールドである。
上述した図34の駆動波形では、低階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を、全て同一に設定したが、これとは異なり、低階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を、互いに異なるように設定することもできる。これを説明すれば、次の図35の通りである。
図35は、1つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルAPLに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
図35に示されているように、1つのフレーム内で第1,2,3サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りの他のサブフィールド、すなわち4,5,6,7,8サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きいが、ここでは、図34とは異なり、第1サブフィールドのスキャンパルスの幅、第2サブフィールドの幅、第3サブフィールドの幅の大きさはそれぞれ異なる。ここでは、スキャンパルスの幅が他のサブフィールド、すなわち第4,5,6,7,8サブフィールドよりさらに大きい第1,2,3サブフィールドが低階調サブフィールドである。
ここで、スキャンパルスの幅が相対的に大きい低階調サブフィールドである第1,2,3サブフィールド内でも、階調値が最も小さな第1サブフィールドのスキャンパルスの幅が、W1で最も大きく、その次の第2サブフィールドのスキャンパルスが、W2の幅を有し、その次の第3サブフィールドのスキャンパルスのスキャンパルスが、W3の幅を有する。また、残りのサブフィールド、すなわち第4,5,6,7,8、サブフィールドのスキャンパルスは、上述したW1またはW2またはW3よりさらに小さなW4の幅を有する。
この図35では、低階調サブフィールドが複数個である場合、それぞれの低階調サブフィールドが互いに異なるスキャンパルス幅を有することのみを図示し、また説明したが、これとは異なり、複数個の低階調サブフィールドのうち、所定個数の低階調サブフィールドを選択し、このように選択した低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他の低階調サブフィールドと異なるようにすることもできる。例えば、低階調サブフィールドのうち、第1サブフィールドのスキャンパルスの幅をW1にし、残りの低階調サブフィールド、すなわち第2,3サブフィールドのスキャンパルスの幅を同一にW2に設定することもできる。
以上での本発明の駆動方法に対する第4実施の形態の説明では、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでは、スキャンパルスの幅が低階調サブフィールドよりは小さいながら、全て同一に設定される場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでも、1つ以上が異なるパルス幅のスキャンパルスを有することも可能であり、これを説明すれば、次の図36の通りである。
図36は、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。図36に示されているように、1つのフレーム内で低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドで、1つ以上のサブフィールドがパルス幅が異なるスキャンパルスを有する。
例えば、図36のように、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのうち、階調値が最も小さな第4サブフィールドのスキャンパルスの幅が、Waで最も大きく、その次の第5サブフィールドのスキャンパルスの幅が、上述したWaよりは小さなWbであり、このような方式で第8サブフィールドのスキャンパルスの幅が、上述したWaまたはWbよりは小さなWcである。このようなスキャンパルスの幅WaまたはWbまたはWcは、上述した図18でのW1またはW2またはW3よりさらに小さい。
以上の図33、図34、図35、図36で説明したように、1つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差は、同一であるか、異なるように設定されることができる。まず、1つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差が同じ場合を説明すれば、次の図37の通りである。
図37は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
図37に示されているように、互いに異なるパルス幅を有する2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、全て同一に設定される。例えば、平均画像レベルAPLが相対的に低い場合、1つのフレーム内で低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を他のサブフィールドよりさらに大きくする時、パルス幅が互いに異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差、例えば、図35の第1サブフィールドのスキャンパルス幅W1と第2サブフィールドのスキャンパルス幅W2との間のパルス幅の差と、第2サブフィールドのスキャンパルス幅W2と第3サブフィールドのスキャンパルス幅W3とのパルス幅の差と、第3サブフィールドのスキャンパルス幅W3と第4サブフィールドのスキャンパルスの幅W4との間のパルス幅の差が全て同一である。また、図36での低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおいて、サブフィールド毎にスキャンパルスの幅を異なるようにする場合、WaとWbとの間の差と、WbとWcとの間の差が同一である。
さらに詳細に説明すれば、図37のように、第1サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅をWであると仮定すれば、第2サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+d、第3サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+2d、第4サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+3dである。パルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差はdで、全て同一である。
これとは異なり、パルス幅が異なる2つのスキャンパルス幅の差は、互いに異なるように設定されることもでき、このような駆動波形を説明すれば、次の図38の通りである。
図38は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
図38に示されているように、互いに異なるパルス幅を有する2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるように設定される。このような図38の場合は、図37の場合とスキャンパルス間のパルス幅の差だけが異なり、基本的に同一である。
例えば、第1サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅をWであると仮定すれば、第2サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+dであり、第3サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+3dであり、第4サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、W+7dである。すなわち、パルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差はdまたは2dまたは4dなどで、互いに異なる。
一方、以上では、平均画像レベルAPLが低い場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、平均画像レベルAPLが高い場合を説明すれば、次の図39の通りである。
図39は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態における平均画像レベルAPLが高い場合の一例を説明するための図である。
図39に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第5実施の形態は、フレームの1つ以上のサブフィールドで平均画像レベルAPLに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスのパルス幅を調整するが、ここで、上述した平均画像レベルAPLが高い場合には、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドで、アドレス期間においてスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が他のサブフィールドよりさらに大きい。
例えば、上述したように平均画像レベルAPLが高い場合、すなわちプラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が広い場合(単位階調当たり、1つの放電セルに印加されるサステインパルスの個数が少ない場合)、1つのフレーム内で加重値が高くて高階調を具現するサブフィールド(これを高階調サブフィールドと言う)、例えば、第8サブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W2を、他のサブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W1より大きくする。
例えば、図39のように、1フレームが8個のサブフィールドからなると仮定すれば、このようなサブフィールドのうち、第8サブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W2を、他のサブフィールド、すなわち第1サブフィールドから第7サブフィールドまでのサブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅W1よりさらに大きくする。
このように、平均画像レベルAPLが高い1つのフレーム内で、加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、平均画像レベルが高い場合、プラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が相対的に広いため、加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドが、低階調サブフィールドよりさらに頻繁に選択される。したがって、平均画像レベルAPLが高い場合、選択される頻度がさらに高い高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を増加させて、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させる。
また、平均画像レベルAPLの差に応じて、選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、選択される頻度が高いサブフィールドでスキャンパルスの幅を増加させ、選択される頻度が低いサブフィールドでスキャンパルスの幅を減少させることによって、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、不必要なアドレス期間の長さの増加にともなうサステインパルス個数の減少により、プラズマディスプレイパネルの輝度が減少することを防止する。
ここで、1つのフレーム内では、全てのサブフィールドで印加されるスキャンパルスは、同じパルス幅を有することが好ましい。
この図39では、平均画像レベルAPLが相対的に高い場合、1つのフレーム内で他のサブフィールドよりスキャンパルスの幅をさらに大きくする高階調サブフィールドの個数を1つに設定したが、これとは異なり、1つのフレーム内で複数個の高階調サブフィールドが含まれることも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の図40の通りである。
図40は、1つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルAPLに応じて調整する一例を説明するための図である。図40に示されているように、1つのフレーム内で第6,7,8サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残り他のサブフィールド、すなわち1,2,3,4,5サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きい。このような図40の場合は、図39と同様に、平均画像レベルAPLが相対的に高い場合であって、このように、平均画像レベルAPLが相対的に高い場合に頻繁に選択される高階調サブフィールド、すなわち第6,7,8サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする。
ここで、上述した高階調サブフィールドは、サステインパルスの個数を基に設定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、1つのフレーム内で供給される総サステインパルス個数の20%以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることが好ましい。例えば、1つのフレーム内で総サステインパルスが総2000個であると仮定すれば、400個以上のサステインパルスを有するサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定されることである。このような基準を図40に採用すれば、図40の第6,7,8サブフィールドは、400個以上のサステインパルスを有するサブフィールドになる。
上述した図40の駆動波形では、高階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を全て同一に設定したが、これとは異なり、高階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を互いに異なるように設定することもできる。これを説明すれば、次の図41の通りである。
図41は、1つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルAPLに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
図41に示されているように、1つのフレーム内で第6,7,8サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りのサブフィールド、すなわち1,2,3,4,5サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きいが、ここでは、図40とは異なり、第6サブフィールドのスキャンパルスの幅、第7サブフィールドの幅、第8サブフィールドの幅の大きさは、それぞれ異なる。ここでは、スキャンパルスの幅が異なるサブフィールド、すなわち第1,2,3,4,5サブフィールドよりさらに大きい第6,7,8サブフィールドが高階調サブフィールドである。
ここで、スキャンパルスの幅が相対的に大きい高階調サブフィールドである第6,7,8サブフィールド内でも、階調値が最も大きい第8サブフィールドのスキャンパルスの幅がW4で最も大きく、その次の第7サブフィールドのスキャンパルスがW3の幅を有し、その次の第6サブフィールドのスキャンパルスのスキャンパルスがW2の幅を有する。また、残りのサブフィールド、すなわち第1,2,3,4,5サブフィールドのスキャンパルスは、上述したW4またはW3またはW2より小さなW1の幅を有する。
この図41では、高階調サブフィールドが複数個である場合、各々の高階調サブフィールドが各々互いに異なるスキャンパルス幅を有する場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、複数個の高階調サブフィールドのうち、所定個数の高階調サブフィールドを選択し、このように選択した高階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他の高階調サブフィールドと異なるようにすることもできる。例えば、高階調サブフィールドのうち、第8サブフィールドのスキャンパルスの幅をW3とし、残りの高階調サブフィールド、すなわち第6,7サブフィールドのスキャンパルスの幅を同一にW2にし設定することもできる。
以上での本発明の駆動方法に対する第5実施の形態の説明では、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでは、スキャンパルスの幅が高階調サブフィールドよりは小さいながら、全て同一に設定される場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでも、1つ以上が異なるパルス幅のスキャンパルスを有することも可能であり、これを説明すれば、次の図42の通りである。
図42は、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
例えば、図42のように、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのうち、階調値が最も小さな第1サブフィールドのスキャンパルスの幅がWaで最も小さく、その次の第2サブフィールドのスキャンパルスの幅が上述したWaよりは大きいWbであり、このような方式で第5サブフィールドのスキャンパルスの幅が上述したWaまたはWbよりは大きいWcである。このようなスキャンパルスの幅WaまたはWbまたはWcは、上述した図41でのW2またはW3またはW4よりさらに小さい。
以上の図39、図40、図41、図42で説明したように、1つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差は、同一であるか、異なるように設定されることができる。まず、1つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差が同一である場合は、上述した図37と基本的に同様であるため、重複する説明は省略するものとする。
また、パルス幅が異なる2つのスキャンパルス幅の差が互いに異なるように設定される場合は、上述した図38の場合と基本的に同様であるため、重複する説明は省略するものとする。
以上で詳細に説明したように、平均画像レベルAPLの大きさに応じて、平均画像レベルAPLが低い場合には、低階調サブフィールドでパルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加し、平均画像レベルAPLが高い場合には、高階調サブフィールドでパルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加することによって、アドレス期間の長さの増加を防止しながらも、プラズマディスプレイパネルの全体放電が安定した状態を維持できるようになる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
Claims (72)
- スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさは、3個以上の互いに異なる電圧値を有し、
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスの大きさを、前記サブフィールドの階調値が大きさが減少するほど大きくすることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、その大きさを、サステイン電圧Vsの2倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、その大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とすることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項7に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項7に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とするサブフィールドは、
1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項7に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも1つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記所定の大きさの正極性電圧は、
その大きさが、サステイン電圧Vsであることを特徴とする、請求項11に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。 - 複数のスキャン電極と、
1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
1フレームのサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの2倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記低階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記低階調サブフィールドは、、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記低階調サブフィールドは、
1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドが、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項19に記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。 - 複数のスキャン電極と、
1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
1フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Vsの1倍以上2倍以下の電圧とすることを特徴とする請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも1つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるサブフィールドは、
高階調サブフィールドであることを特徴とする、請求項33に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記高階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において4番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記高階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の1/2以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記高階調サブフィールドは、
1つのフレームのサステインパルスの総個数の20%以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項31に記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。 - 複数のスキャン電極と、
1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段と
を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。 - 前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
1フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。 - 複数のスキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記複数のスキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群は、複数のスキャン電極を含み、該スキャン電極群に含まれた複数のスキャン電極のスキャン順序は、時間的に連続するようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群は、第1スキャン電極群と該第1スキャン電極群よりスキャン順序が遅い第2スキャン電極群とを含み、前記第1スキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が、前記第2電極群に印加されるスキャンパルスの幅より小さくなるようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記スキャン電極群の個数は、2個以上であり、前記スキャン電極の総個数の以下であるようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記各スキャン電極群は、全て同じ個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記各スキャン電極群の1つ以上は、他のスキャン電極群と異なる個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
同じ前記スキャン電極群に含まれる全ての前記スキャン電極には、同じ幅のスキャンパルスを印加するようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連しており、かつパルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同じくすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる2つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項44に記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
フレームの1つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて1つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、1つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
同じサブフィールド内で前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同じくすることを特徴とする、請求項56に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルAPLが小さくなるほど、前記サブフィールドのうち、低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする、請求項56に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルAPLが小さくなるほど、前記低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は、減少するようにすることを特徴とする、請求項58に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じであることを特徴とする、請求項58に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのうち、少なくとも1つ以上は、他の低階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項58に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記低階調サブフィールドは、
1フレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の20%以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることを特徴とする、請求項58に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルAPLが大きくなるほど、前記サブフィールドのうち、高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする、請求項56に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は、減少するようにすることを特徴とする、請求項63に記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記スキャンパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じくすることを特徴とする、請求項63に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのうち、少なくとも1つ以上は、他の高階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項63に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記高階調サブフィールドは、
1フレーム内で供給される総サステインパルス個数の20%以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることを特徴とする、請求項63に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続している2つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差を、同じくすることを特徴とする、請求項56に記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続している2つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差を、互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項56に記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。 - スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
フレームの1つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルAPLに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。
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Legal Events
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A02 | Decision of refusal |
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