KR100685886B1 - 트랜지스터의 테스트방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 트랜지스터의 테스트방법에 관한 것으로, 본 발명의 트랜지스터 테스트방법은 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정하는 제1 단계와, 상기 트랜지스터에 외부전압이나 스트레스를 인가하고, 이에 따른 핫캐리어를 측정하는 제2 단계와, 상기 외부전압이나 스트레스가 인가된 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정한다.

핫 캐리어, 테스트

Description

트랜지스터의 테스트방법{Method for test in transistor}

도 1은 종래기술에 따른 트랜지스터의 테스트방법을 도시한 공정플로우

도 2는 본 발명에 따른 트랜지스터의 테스트방법을 도시한 공정플로우

도 3은 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가한 후 측정된 핫캐리어로 인해 변화된 인터페이스 트랩 덴시티를 도시한 그래프

본 발명은 반도체 소자의 테스트방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 트랜지스터의 테스트방법에 관한 것이다.

도 1은 종래 기술에 따른 트랜지스터의 테스트방법을 도시한 공정플로우이다.

우선, 상기 테스트방법의 제1 단계(S1)는 트랜지스터에 대한 테스트를 시작하는 단계이다.

이어, 상기 테스트 방법의 제2 단계(S2)는 테스트할 트랜지스터의 게이트 전극의 표면 상태를 측정하기 위한 변수값들을 입력하는 단계이다.

마지막으로, 상기 테스트 방법의 제3 단계(S3)는 상기 입력된 변수들을 통해 게이트전극을 테스트하여 게이트 전극의 표면상태를 측정하는 단계이다.

따라서, 표면 상태의 측정이 완료되면 본 소자의 테스트방법이 완료된다.

이와 같은 테스트방법은 퓨어한 상태 즉, 외부전압이나 스트레스(stress) 조건에 대해 소자가 손상받지 않은 상태에서 측정한 것이다. 하지만, 종래에는 외부전압이나 스트레스 조건이 가해진 상태에서 소자를 테스트하는 방법이 제시되지 않아, 소자의 신뢰성을 평가하기 어려운 문제점이 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 소자의 신뢰성을 평가할 수 있도록 하는 반도체 소자의 테스트방법을 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 트랜지스터 테스트방법은 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정하는 제1 단계와, 상기 트랜지스터에 외부전압이나 스트레스를 인가하고, 이에 따른 핫캐리어를 측정하는 제2 단계와, 상기 외부전압이나 스트레스가 인가된 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정한다.

상기 게이트전극 표면상태를 측정하기 이전에, 테스트할 트랜지스터의 게이트 전극의 표면 상태를 측정하기 위한 변수값들을 입력하게 되는 단계를 더 포함한다.

본 발명에서는 소자의 신뢰성 평가를 위한 측면에서 본다면 핫 캐리어(hot carrier) 테스트와 연동한 테스트방법을 사용한다. 트랜지스터의 열화정도를 측정하기 위해서는 일정한 조건(게이트전극과 드레인전극에 가해주는 전압 및 스트레스인가)에서 발생되는 핫 캐리어정도를 측정하여 알 수가 있는데, 본 발명은 트랜지스터의 테스트방법에 있어서, 트랜지스터에 대해 외부전압이나 스트레스를 점차적으로 과도하게 가한 후 소자를 열화시키고, 각 상태에서의 핫 캐리어정도를 각각 측정하여 완전히 열화된 상태의 소자에서 수명을 측정하는 방법이다.

도 2는 본 발명에 따른 트랜지스터의 테스트방법을 설명하기 위한 공정플로우이다.

우선, 상기 테스트방법의 제1 단계(S10)는 트랜지스터에 대한 테스트를 시작하는 단계이다.

이어, 상기 테스트 방법의 제2 단계(S20)는 테스트할 트랜지스터의 게이트 전극의 표면 상태를 측정하기 위한 변수값들을 입력하게 되는 단계이다.

계속, 상기 테스트 방법의 제3 단계(S30)는 상기 입력된 변수들을 통해 게이트전극을 테스트하여 게이트 전극의 표면상태를 측정하는 단계이다.

이어, 상기 테스트 방법의 제4 단계(S40)는 상기 표면상태측정이 완료된 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가하고, 이에 따른 핫캐리어를 측정하는 단계를 수행한다. 이어, 상기 테스트 방법의 제4 단계(S40)는 상기 표면상태측정이 완료된 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가하면 핫캐리어가 발생하게 되고 이를 측정하는 단계를 수행한다.

이 단계는 소자에 외부조건 및 스트레스를 가한 후 핫 캐리어를 측정하면 이후 공정을 통해 소자의 열화정도를 파악할 수 있게 된다.

이어, 상기 테스트 방법의 제5 단계(S50)은 상기 열화가 진행된 게이트전극 을 테스트하여 게이트전극의 표면상태를 다시 측정하는 단계이다.

상기 테스트방법의 제2 단계(S20)에서 수행되는 게이트전극의 표면상태측정은 열화가 진행되지 않은 상태의 게이트전극에서 진행되어 열화되지 않은 조건에서의 인터페이스 트랩덴시티를 측정할 수 있고, 상기 테스트방법의 제5 단계에서 수행되는 게이트전극의 표면상태측정은 열화가 진행된 상태의 게이트전극에서 진행되어 열화된 조건에서에서의 인터페이스 트랩덴시티를 측정할 수 있게 된다.

따라서 상기 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가한 후 측정된 핫캐리어로 인해 변화된 인터페이스 트랩 덴시티를 측정할 수 있게 되고 이를 통해 소자의 열화된 정도를 파악할 수 있게 된다.

도 3은 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가한 후 측정된 핫캐리어로 인해 변화된 인터페이스 트랩 덴시티를 도시한 그래프이다. 즉, 외부전압이나 스트레스를 인가하기 전의 소자의 인터페이스 트랩 덴시티(A)와 외부전압이나 스트레스를 인가한 후의 소자의 인터페이스 트랩 덴시티(B)를 도시한 그래프로써, 이를 통해 소자의 열화정도를 파악할 수 있다.

본 발명에 의하면, 소자에 외부전압이나 스트레스를 인가한 후 핫캐리어를 측정하고, 외부전압이나 스트레스를 인가하기 전과 후의 변화된 인터페이스 트랩덴시티를 측정하여 소자의 열화된 정도를 파악할 수 있게 됨으로써, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정하는 제1 단계와,

   상기 트랜지스터에 외부전압이나 스트레스를 인가하고, 이에 따른 핫캐리어를 측정하는 제2 단계와,

   상기 외부전압이나 스트레스가 인가된 트랜지스터의 게이트전극 표면상태를 측정하는 제3 단계를 포함하는 트랜지스터의 테스트방법.
2. 제1 항에 있어서, 상기 게이트전극 표면상태를 측정하는 제1 단계 이전에,

   테스트할 트랜지스터의 게이트 전극의 표면 상태를 측정하기 위한 변수값들을 입력하게 되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 테스트방법.

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