KR100955837B1 - 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 기술에 관한 것으로, 베어 웨이퍼(Bare Wafer)를 하이 커런트(High current) 장비에 투입하고, 베어 웨이퍼에 이온 주입을 수행하며, 이온 주입된 베어 웨이퍼의 Pre-TW(Thermal Wave)를 측정하고, 보상값을 적용해서 Post-TW값을 측정하며, 보상값 사용 전후 TW값을 비교하고 TW 값의 변화를 모니터링하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 제조된 표준 웨이퍼가 오랜 시간 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있으며, 정확한 TW값을 제시할 수 있는 표준 웨이퍼가 제공되므로, 해당 표준 웨이퍼를 이용하여 보다 정확하게 TW 임플란트 측정장비의 점검 및 교정을 실시할 수 있으므로, 프로세스의 안정화를 기할 수 있고, 해당 표준 웨이퍼를 보다 장기간 사용할 수 있으므로 비용 절감도 이룰 수 있다.
베어 웨이퍼, TW(Thermal Wave)측정, 측정 값 모니터링
Description
본 발명은 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 기술에 관한 것으로서, 특히 써멀 프로브(Thermal Probe) 측정 장비를 검정 및 교정하는데 이용되는 표준 웨이퍼를 제조해서 TW 값을 측정하고, 기간별로 측정된 값들에 대한 모니터링을 수행하는데 적합한 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법에 관한 것이다.
일반적으로 써멀 프로브 장비를 이용한 써멀 웨이브(Thermal Wav, 이하 TW라 한다) 측정은, 임플란트(Implant)에 의한 물리적 표면 손상(Damage)을 TW로 측정하여 손상에 비례한 TW 값을 상대적으로 도핑(Doping)된 첨가물(Dosage)로 모니터링하는 것이다. 그러나 표면 손상은 시간에 따른 손상 완화(Damage Relaxation)로 TW 값이 낮아지게 된다.
상기한 바와 같이 동작하는 종래 기술에 의한 웨이퍼에 대한 TW 값의 측정에 있어서는, 웨이퍼 구동 상 손상 완화에 대한 시간에 따른 TW 측정 변화를 보상해야만 손상 완화에 의한 데이터 변화(data variation)를 최소화 할 수 있는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은, 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, TW 값의 측정 시 베어 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링하며, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현할 수 있는 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법을 제공한다.
이에 본 발명은, 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, TW 값의 측정 시 베어 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링하며, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현할 수 있는 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예 방법은, 베어 웨이퍼(Bare Wafer)를 하이 커런트(High current) 장비에 투입하는 단계; 상기 베어 웨이퍼에 이온 주입을 수행하는 단계; 상기 이온 주입된 베어 웨이퍼의 Pre-TW(Thermal Wave)를 측정하는 단계; 보상값을 적용해서 Post-TW값을 측정하는 단계;및 상기 보상값 사용 전후 TW값을 비교하고 TW 값의 변화를 모니터링하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의하여 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시예를 통해 제조된 표준 웨이퍼를 오랜 시간 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있으며, 정확한 TW값을 제시할 수 있는 표준 웨이퍼가 제공되므로, 해당 표준 웨이퍼를 이용하여 보다 정확하게 TW 임플란트 측정장비의 점검 및 교정을 실시할 수 있으므로, 프로세스의 안정화를 기할 수 있고, 해당 표준 웨이퍼를 보다 장기간 사용할 수 있으므로 비용 절감도 이룰 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 실시예를 통해 제조된 표준 웨이퍼를 오랜 시간 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있으며, 정확한 TW값을 제시할 수 있는 표준 웨이퍼가 제공되므로, 해당 표준 웨이퍼를 이용하여 보다 정확하게 TW 임플란트 측정장비의 점검 및 교정을 실시할 수 있으므로, 프로세스의 안정화를 기할 수 있고, 해당 표준 웨이퍼를 보다 장기간 사용할 수 있으므로 비용 절감도 이룰 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작 원리를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하고, 해당 표준 웨이퍼에 대한 TW 측정값을 모니터링하기 위한 것으로서, TW 값의 측정 시 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링함으로써, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현하는 것이다.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하고, 해당 표준 웨이퍼에 대한 TW 측정값을 모니터링하기 위한 것으로서, TW 값의 측정 시 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링함으로써, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현하는 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 절차를 도시한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 100단계에서 테스트 웨이퍼(Test Wafer)를 준비하여 하이 커런트(High Current) 장비에 투입한다. 여기서 테스트 웨이퍼로는 베어 웨이퍼(bare wafer)를 준비한다. 그리고 102단계에서 베어 웨이퍼에 B+ 이온을 주입한다. 이때, B+ 이온은 11B+, 10keV, 5.0E13ions/cm2, 7deg/113deg의 주입 조건으로 웨이퍼 상에 주입되는 것이 바람직하다.
이후 104단계에서는 베어 웨이퍼의 TW(Thermal Wave)를 측정한다. 여기서 측정된 TW와 이후의 손상완화에 따른 보상값(Decay factor)을 적용한 후 측정된 TW(Thermal Wave)를 구분하기 위해, 본 발명에서는 여기서 측정된 TW(Thermal Wave)를 Pre-TW라 칭하고, 보상값을 적용한 이후에 측정된 TW(Thermal Wave)를 Post-TW라 칭한다.
이와 같이 104단계에서의 Pre-TW값의 측정이후, 보상값을 적용한 후에, 106단계에서 웨이퍼의 Post-TW를 측정한다. 이후, 측정한 Pre-TW 값과 Post-TW 값의 차이를 이용하여 TW 측정값의 변화를 모니터링하고, 이와 함께 Post-TW의 균일성(uniformity) 정도를 측정하여 이에 대한 변화 값을 모니터링하고, 측정값에 따라 써멀 프로브 측정 장비에 대한 검정 및 교정을 수행하게 된다.
이와 같이 실리콘 반도체 기판 내에 B+ 이온을 도핑한 후, 이를 베어 웨이퍼 박막에 첨가된 임플란트 량을 얻어내는 측정장비의 표준 웨이퍼로서 사용하는 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 기간별 모니터링을 화면을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 표준 웨이퍼의 TW 측정을 수행한 후 2개월경과 후에 TW 값에 대한 모니터링을 실시해서 타겟을 설정하는 것으로서, 2007년 6월 중순부터 8월 중순까지의 측정된 TW값을 모니터링한 결과 669 에서 +-2의 오차범위 안에 값이 포함되어 있으며, 오랜 시간 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있으며, 정확한 TW값을 제시하는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측정된 TW값의 모니터링 데이터를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 각각의 표준 웨이퍼에 대해 측정된 TW값에 대한 모니터링을 수행하는 것으로서, 측정 날짜별 TW 값과 균일성 값들을 나타내고 있다. 이를 통해 표준 웨이퍼는 오랜 시간이 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있음과 아울러, 정확한 TW값을 제시할 수도 있는 표준 웨이퍼가 제공 되므로, 해당 표준 웨이퍼를 이용하여 보다 정확하게 TW 임플란트 측정 장비의 점검 및 교정을 실시할 수 있게 되어, 프로세스의 안정화를 기할 수 있게 되고, 해당 표준 웨이퍼를 보다 장기간 사용할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 것으로서, TW 값의 측정 시 베어 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링하며, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1을 참조하면, 100단계에서 테스트 웨이퍼(Test Wafer)를 준비하여 하이 커런트(High Current) 장비에 투입한다. 여기서 테스트 웨이퍼로는 베어 웨이퍼(bare wafer)를 준비한다. 그리고 102단계에서 베어 웨이퍼에 B+ 이온을 주입한다. 이때, B+ 이온은 11B+, 10keV, 5.0E13ions/cm2, 7deg/113deg의 주입 조건으로 웨이퍼 상에 주입되는 것이 바람직하다.
이후 104단계에서는 베어 웨이퍼의 TW(Thermal Wave)를 측정한다. 여기서 측정된 TW와 이후의 손상완화에 따른 보상값(Decay factor)을 적용한 후 측정된 TW(Thermal Wave)를 구분하기 위해, 본 발명에서는 여기서 측정된 TW(Thermal Wave)를 Pre-TW라 칭하고, 보상값을 적용한 이후에 측정된 TW(Thermal Wave)를 Post-TW라 칭한다.
이와 같이 104단계에서의 Pre-TW값의 측정이후, 보상값을 적용한 후에, 106단계에서 웨이퍼의 Post-TW를 측정한다. 이후, 측정한 Pre-TW 값과 Post-TW 값의 차이를 이용하여 TW 측정값의 변화를 모니터링하고, 이와 함께 Post-TW의 균일성(uniformity) 정도를 측정하여 이에 대한 변화 값을 모니터링하고, 측정값에 따라 써멀 프로브 측정 장비에 대한 검정 및 교정을 수행하게 된다.
이와 같이 실리콘 반도체 기판 내에 B+ 이온을 도핑한 후, 이를 베어 웨이퍼 박막에 첨가된 임플란트 량을 얻어내는 측정장비의 표준 웨이퍼로서 사용하는 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 기간별 모니터링을 화면을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 표준 웨이퍼의 TW 측정을 수행한 후 2개월경과 후에 TW 값에 대한 모니터링을 실시해서 타겟을 설정하는 것으로서, 2007년 6월 중순부터 8월 중순까지의 측정된 TW값을 모니터링한 결과 669 에서 +-2의 오차범위 안에 값이 포함되어 있으며, 오랜 시간 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있으며, 정확한 TW값을 제시하는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측정된 TW값의 모니터링 데이터를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 각각의 표준 웨이퍼에 대해 측정된 TW값에 대한 모니터링을 수행하는 것으로서, 측정 날짜별 TW 값과 균일성 값들을 나타내고 있다. 이를 통해 표준 웨이퍼는 오랜 시간이 경과되어도 사용에 신뢰성을 줄 수 있음과 아울러, 정확한 TW값을 제시할 수도 있는 표준 웨이퍼가 제공 되므로, 해당 표준 웨이퍼를 이용하여 보다 정확하게 TW 임플란트 측정 장비의 점검 및 교정을 실시할 수 있게 되어, 프로세스의 안정화를 기할 수 있게 되고, 해당 표준 웨이퍼를 보다 장기간 사용할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 오랜 시간이 경과되어도 정확한 TW값을 제시할 수 있는 써멀 프로브 측정 장비를 위한 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 것으로서, TW 값의 측정 시 베어 웨이퍼 상에 B+ 이온을 도핑 후 TW 값을 측정하고, 이에 대한 값을 모니터링하며, 정확한 TW 값을 제시하는 표준 웨이퍼를 구현한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 절차를 도시한 흐름도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 기간별 모니터링을 화면을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측정된 TW값의 모니터링 데이터를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 기간별 모니터링을 화면을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측정된 TW값의 모니터링 데이터를 도시한 도면.
Claims (3)
- 베어 웨이퍼(Bare Wafer)를 하이 커런트(High current) 장비에 투입하는 단계;상기 베어 웨이퍼에 B+ 이온을 주입하는 단계;B+ 이온이 주입된 상기 베어 웨이퍼의 Pre-TW(Thermal Wave)를 측정하는 단계;보상값을 적용해서 Post-TW값을 측정하는 단계;상기 보상값 사용 전후 TW값을 비교하고 TW 값의 변화를 모니터링하는 단계; 및측정된 상기 Post-TW값의 균일성(uniformity) 정도를 측정하여 이에 대한 변화 값을 모니터링하는 단계를 포함하는 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 방법은,B+ 이온이 주입된 상기 베어 웨이퍼에 대한 기간별 모니터링을 통하여 표준 웨이퍼 타겟을 설정하는 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법.
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| KR1020070138630A KR100955837B1 (ko) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 표준 웨이퍼 제조 및 모니터링 방법 |
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|---|---|
| KR20090070577A KR20090070577A (ko) | 2009-07-01 |
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| D.E. Kamenitsa et al, Ion Implantation Technology Proceedings, vol.1(1999), pp529-532.* |
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