KR100684501B1 - 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀에 관한 것으로, 그 목적은 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 플럭스공급핀을 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기 및 집적도로 플럭스를 도팅할 수 있는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀을 제공하는 것이며, 그 구성은 멤스기술을 이용하여 이젝트핀 제작용 몰드를 제작하는 단계와; 제작된 몰드내에 용융물을 충전하는 동시에 용융물이 몰드내에 기포 없이 조밀하게 충전될 수 있도록 몰드의 내부공간에 압력을 가하는 단계와; 용융물이 경화되도록 냉각시키는 단계와; 성형된 플럭스공급핀을 몰드로부터 탈형하는 단계와; 몰드로부터 탈형된 플럭스공급핀의 상면에 금속판을 부착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.
멤스기술, 플럭스공급핀, 에칭, 노광, 본딩

Description

멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀{A flux supply pin for flux supply tool using MEMS tech and making method therefore}
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법에 따라 플럭스공급핀을 제조하는 공정을 도시한 공정도.
도 5 내지 도 14는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법중 몰드제조공정의 일 실시예를 도시한 공정도.
도 15 내지 도 24는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법중 몰드제조공정의 다른 실시예를 도시한 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10: 플럭스공급핀 11: 핀부
12: 금속판 20: 제 1 자재(판)
30: 제 2 자재(판) 21, 31: 관통공
22, 32: 에칭 마스크용 박막 23, 33: 사진식각층
24, 34: 마스크
본 발명은 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 플럭스공급핀을 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기 및 집적도로 플럭스을 도팅할 수 있는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀에 관한 것이다.
일반적으로, 종래의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀은 반도체 제조공정중 플럭스공급 공정을 실시하는 플럭스공급툴에 핵심부품으로서, 상면부에 수직으로 관통형성된 핀홀을 구비하고, 상기 플럭스공급툴의 하면에 장착되며, 상기 핀홀에 플럭스공급핀이 상하작동가능하게 조립되어 있어 상기 플럭스공급핀의 하단부에 플럭스를 찍어 플럭스를 반도체 소자의 제조용 기재상에 도팅하는 것이며, 이러한 종래의 플럭스공급핀은 정밀기계가공에 의해 제작되었다.
그러나, 상기와 같은 종래의 플럭스공급핀의 제조방법은 반도체 소자가 점차적으로 고집적화로 발전되어 감에 따라 볼납 어태치 플레이트도 이러한 반도체 소자를 제조하기 위해 보다 소형화 및 정밀화되어야 하지만 현재의 정밀 기계가공으 로는 요구되는 크기와 정밀도를 갖도록 볼납 어태치 플레이트를 제작할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 고려하여 안출한 것으로서, 그 목적은 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 플럭스공급핀를 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기 및 집적도로 플럭스를 도팅할 수 있는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 플럭스공급툴의 제조방법를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 플럭스공급핀를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은 멤스기술을 이용하여 이젝트핀 제작용 몰드를 제작하는 단계와; 제작된 몰드내에 용융물을 충전하는 동시에 용융물이 몰드내에 기포 없이 조밀하게 충전될 수 있도록 몰드의 내부공간에 압력을 가하는 단계와; 용융물이 경화되도록 냉각시키는 단계와; 성형된 플럭스공급핀을 몰드로부터 탈형하는 단계와; 몰드로부터 탈형된 플럭스공급핀의 상면에 금속판을 부착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법에 의해 달성될 수 있는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀에 있어서, 상기 플럭스공급핀은 평판으로서, 하면부에 기둥형상을 갖고 상호 간격져서 하방으로 돌출형성되는 다수개의 핀부와; 상면에 적층되어 결합되는 금속판 으로 구성된 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭공급핀에 의해 달성될 수 있는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법에 따라 플럭스공급핀을 제조하는 공정을 도시한 공정도이고, 도 5 내지 도 14는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법중 몰드제조공정의 일 실시예를 도시한 공정도이며, 도 15 내지 도 24는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법중 몰드제조공정의 다른 실시예를 도시한 공정도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법은 멤스기술을 이용하여 플럭스공급핀 제작용 몰드(40)를 제작하는 단계와; 제작된 몰드(40)내에 용융물을 충전하는 동시에 용융물(50)이 몰드(40)내에 기포 없이 조밀하게 충전될 수 있도록 몰드(40)의 내부공간에 압력을 가하는 단계와; 용융물(50)이 경화되도록 냉각시키는 단계와; 성형된 플럭스공급핀(10)을 몰드(40)로부터 탈형하는 단계와; 몰드(40)로부터 탈형된 플럭스공급핀(10)의 상면에 금속판(23)을 부착하는 단계로 구성된다.
도 5 내지 도 14를 참조하면, 상기 몰드(40)를 제작하는 단계의 일 실시예는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계로 구성된다.
상기 용융물(50)로는 용융된 합성수지(resin)에 미세입자를 혼합한 것이나 또는 용융된 중합체(polymer)에 미세입자를 혼합한 것을 사용하는 것이 좋다.
이러한 제조방법은 제 1 및 제 2자재(20)(30)에 대한 관통공(21)(31)을 제 1 및 제 2자재(20)(30)의 상면에서만 습식식각공정에 의해 형성시키기 때문에 관통공(21)(31)의 형성이 다소 느릴 수 있다.
도 15 내지 도 24를 참조하면, 상기 몰드(40)를 제작하는 단계의 다른 실시예는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 각각 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 각각 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하 여 상기 각각의 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 각각의 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)의 상하면 상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계로 구성된다.
상기 용융물(50)로는 용융된 합성수지(resin)에 미세입자를 혼합한 것이나 또는 용융된 중합체(polymer)에 미세입자를 혼합한 것을 사용하는 것이 좋다.
이러한 제조방법은 제 1 및 제 2자재(20)(30)에 대한 관통공(21)(31)을 제 1 및 제 2자재(20)(30)의 상면 및 하면에서 동시에 습식식각공정에 의해 형성시키기 때문에 관통공(21)(31)의 형성이 상기 일 실시예의 제조방법에 비하여 빠르다는 장점이 있다.
본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀(10)은 평판으로서, 하면부에 기둥형상을 갖고 상호 간격 져서 하방으로 돌출형성되는 다수개의 핀부(11)와; 상면에 적층되어 결합되는 금속판(12)으로 구성된다.
또한, 상기 플럭스공급핀(10)은 용융물(50)을 몰드(40)로 형성하여 된 것이며, 상기 용융물(50)로는 용융된 합성수지(resin)에 미세입자를 혼합한 것이나 또는 용융된 중합체(polymer)에 미세입자를 혼합한 것을 사용하는 것이 좋다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법는 정밀기계가공으로 제조할 수 있는 고집적이고, 높은 정밀도를 요구하는 플럭스공급툴용 플럭스공급핀을 멤스기술을 사용하여 초소형 및 초정밀도를 갖도록 제조할 수 있음으로서, 고집적의 반도체 소자를 제조할 수 있는 것이다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법 및 그 플럭스공급핀은 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 플럭스공급핀을 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기 및 집적도로 플럭스를 도팅할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (6)

  1. 멤스기술을 이용하여 플럭스공급핀 제작용 몰드(40)를 제작하는 단계와; 제작된 몰드(40)내에 용융물을 충전하는 동시에 용융물(50)이 몰드(40)내에 기포 없이 조밀하게 충전될 수 있도록 몰드(40)의 내부공간에 압력을 가하는 단계와; 용융물(50)이 경화되도록 냉각시키는 단계와; 성형된 플럭스공급핀(10)을 몰드(40)로부터 탈형하는 단계와; 몰드(40)로부터 탈형된 플럭스공급핀(10)의 상면에 금속판(23)을 부착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 용융물(50)로는 용융된 합성수지(resin)에 미세입자를 혼합한 것이나 또는 용융된 중합체(polymer)에 미세입자를 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법..
  3. 제 1항에 있어서, 상기 몰드제작단계는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 사진식각층(23)(33)에 상기 마스 크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 몰드제작단계는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 각각 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 각각 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 각각의 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 각각의 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)의 상하면 상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀의 제조방법.
  5. 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀에 있어서, 상기 플럭스공급핀(10)은 평판으로서, 하면부에 기둥형상을 갖고 상호 간격져서 하방으로 돌출형성되는 다수개의 핀부(11)와; 상면에 적층되어 결합되는 금속판(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭공급핀.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 플럭스공급핀(10)은 용융된 합성수지(resin)에 미세입자를 혼합한 것이나 또는 용융된 중합체(polymer)에 미세입자를 혼합한 용융물(50)을 몰드(40)로 성형하여 된 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비의 플럭스공급툴용 플럭스공급핀
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KR19990032993A (ko) * 1997-10-22 1999-05-15 박명순 반도체 제조에 있어서의 플럭스 장치

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