KR102237716B1 - 미세 금속 마스크를 제작하는 방법 - Google Patents

미세 금속 마스크를 제작하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102237716B1
KR102237716B1 KR1020190138721A KR20190138721A KR102237716B1 KR 102237716 B1 KR102237716 B1 KR 102237716B1 KR 1020190138721 A KR1020190138721 A KR 1020190138721A KR 20190138721 A KR20190138721 A KR 20190138721A KR 102237716 B1 KR102237716 B1 KR 102237716B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
resin
manufacturing
substrate
metal
Prior art date
Application number
KR1020190138721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210010279A (ko
Inventor
이승섭
이정우
Original Assignee
한국과학기술원
주식회사 제이마이크로
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원, 주식회사 제이마이크로 filed Critical 한국과학기술원
Publication of KR20210010279A publication Critical patent/KR20210010279A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102237716B1 publication Critical patent/KR102237716B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H01L51/0018—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Abstract

일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계; 베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 수지에 상기 몰드의 상기 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계; 임프린팅된 수지에 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 마스크용 시드 금속 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

미세 금속 마스크를 제작하는 방법{MANUFACTURING METHOD USING FINE METAL MASK}
이하의 설명은 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 관한 것이다.
OLED 증착을 위한 공정에 미세 금속 마스크를 사용하는 공정이 개발되었다. 이러한 금속 마스크를 제작하는 기존 방식으로는 레이저 가공방식 및 금속 식각 방식 등이 있다. 레이저 가공방식의 경우 패턴의 최소 크기에 한계가 있고 벽면 조도가 좋지 않다는 단점이 있으며, 금속 식각 방식의 경우 화학적 식각 방식을 이용하기 때문에 패턴의 정밀도와 균일도를 제어하기 힘들다는 단점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 마스킹 패턴 공정이 가능한 리소그래피 공정과 전주 도금을 이용하여 몰드를 제작하고, UV 임프린팅을 이용한 금속 마스크를 제작할 수 있다. 일반적인 실리콘 혹은 글래스 등의 반도체 혹은 부도체 기판에 전주 도금을 위한 금속층을 증착하거나, 전도성을 가지는 도체로 이루어진 금속 기판을 준비한다. 금속층 위에 포토레지스트를 도포한 후, UV 노광 및 현상을 거쳐 패터닝한다. 패터닝한 구조에 금속층을 이용하여 전주 도금을 하고 포토레지스트를 제거하여 전주 도금층 패턴을 제작한다.
이렇게 제작된 전주 도금층 패턴은 포토레지스트의 패턴을 복제하는 것이기 때문에 일반적인 포토레지스트의 패턴 특성상 수직면 혹은 큰 경사각을 가지는 경우가 많다. 하지만 금속 마스크의 패턴면이 수직하거나 큰 경사각을 가질 경우 OLED의 유기물을 증착할 때 쉐도우 현상 때문에 증착 형상이 매끄럽지 않을 가능성이 높아진다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 금속층 에칭, 레이저 트리밍 등의 공정이 제안되었다. 금속층 에칭 방식은 등방식 에칭 혹은 비등방식 에칭을 이용하여 에칭 영역과 비에칭 영역의 겹치는 부분의 형상을 조절하여 패턴을 만들 수 있으며, 레이저 트리밍 방식은 레이저 스캔 영역의 중첩 횟수를 조절하여 계단식으로 경사면을 제작할 수 있다.
하지만 이와 같은 방식을 이용해 리소그래피 공정에 사용된 노광용 마스크가 계속해서 데미지를 입어 손상된다. 그렇기 때문에 양산을 함에 있어서 지속적인 고정비용이 발생하는 원인이 될 수 있다. 또한 UV intensity의 균일도 등의 문제로 제작된 제품들 간의 패턴 정밀도에도 불리함이 있을 수 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예의 목적은 미세 금속 마스크를 제작하는 방법을 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계; 베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 수지에 상기 몰드의 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계; 임프린팅된 수지에 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 마스크용 시드 금속 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 몰드를 제작하는 단계는, 몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및 도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 몰드를 제작하는 단계는, 상기 패터닝하는 단계 이전에 수행되고, 상기 몰드 기판 상에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 몰드 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 몰드 기판에 전류가 통전될 수 있다.
상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금될 수 있다.
상기 패터닝하는 단계에서, 상기 몰드 기판 상에 상기 포토 레지스트는 경사면을 갖도록 패터닝되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서 형성된 상기 몰드는, 마스킹 패턴의 양각 부분의 가장자리 부분이 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.
상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있고, 상기 마스크용 시드 금속을 증착하는 단계에서 상기 마스크용 시드 금속은, 상기 수지의 마스킹 패턴의 음각 부분과, 상기 음각 부분으로부터 연결되는 경사면의 일부에 증착될 수 있다.
상기 임프린팅하는 단계에서 사용되는 몰드는, 상기 몰드를 제작하는 단계에서 제작된 몰드를 복제한 소프트 몰드일 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴을 갖는 몰드를 제작하는 단계; 베이스 기판 또는 상기 몰드에 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 수지에 상기 몰드의 마스킹 패턴을 사용하여 임프린팅하는 단계; 임프린팅된 수지의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 식각하는 단계; 상기 베이스 기판 상에 마스크 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 금속이 도금되어 형성된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고, 상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 베이스 기판의 표면이 노출되고, 상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 베이스 기판에 전류가 통전될 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 상기 경화성 수지를 도포하는 단계 이전에, 상기 베이스 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 잔류막을 식각하는 단계에서, 상기 수지가 식각된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출될 수 있고, 상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다.
상기 몰드를 제작하는 단계는, 몰드 기판 상에 포토 레지스트를 사용하여 상기 마스킹 패턴에 따라 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 몰드 기판 상에 몰드용 시드 금속을 증착하는 단계; 상기 몰드 기판 상에 전주 도금을 수행하는 단계; 및 도금된 몰드를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 패터닝하는 단계는, 상기 몰드 기판 상에서 상기 포토 레지스트가 경사면을 갖도록 패터닝할 수 있다.
상기 임프린팅하는 단계에서 임프린팅된 수지는, 상기 마스킹 패턴의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.
상기 마스크 금속을 도금하는 단계에서, 상기 마스크 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속으로 도금될 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 경사면이 형성된 마스킹 패턴을 구비하는 몰드를 제작하는 단계; 제 1 기판에 도포된 제 1 수지에 상기 몰드를 사용하여 임프린팅하여 상기 제 1 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 1차 패턴 복제 단계; 제 2 기판에 도포된 제 2 수지에 마스킹 패턴이 형성된 상기 제 1 수지를 사용하여 임프린팅하여, 상기 제 2 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 2차 패턴 복제 단계; 상기 제 2 수지의 부분 중, 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 제거하는 단계; 상기 제 2 수지의 마스킹 패턴 부분 중 음각 부분에 제 3 수지를 도포하여 경화시키는 3차 패턴 복제 단계; 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 수지 및 제 3 수지 중 상기 제 2 수지를 제거하는 단계; 상기 제 2 기판상에 형성된 상기 제 3 수지 상에 금속으로 전주 도금을 수행하는 단계; 및 상기 제 2 기판으로부터 도금된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 2 기판은 전도성을 갖는 재질이거나 전도성을 갖는 시드 금속을 증착하고, 상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 제 2 기판의 표면이 노출되고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 제 2 기판에 전류가 통전될 수 있다.
상기 2차 패턴 복제 단계는, 상기 제 2 기판에 상기 제 2 수지를 도포하기 전에 상기 제 2 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출될 수 있고, 상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다.
상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 도금되는 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속을 포함할 수 있다.
일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 임프린트 몰드의 장점을 확보할 수 있어서, UV 노광 및 현상 등 리소그래피에 드는 비용과 시간을 줄일 수가 있을 뿐만 아니라 제작된 제품들 간의 정밀도와 균일도 또한 확보가 가능하기 때문에 양산 공정에 있어 유리하다.
일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 수용성 UV 레진을 사용함으로써 약품에 의한 제품의 오염을 방지할 수 있다.
일 실시 예의 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 별도의 추가 공정 없이 경사면을 제작할 수 있기 때문에 공정에 드는 비용과 시간을 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계의 순서도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계에 따라 몰드를 형성하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 9 및 도 10은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계의 순서도이고, 도 3은 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계에 따라 몰드를 형성하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법은, 마스킹 패턴(P)을 갖도록 제조된 몰드(M1)를 이용하여 임프린팅 공정을 수행하는 단계와, 이후 금속 도금을 통해 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 단계를 포함할 수 있다.
미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법은, 몰드를 제작하는 단계(81)와, 경화성 수지(12)를 도포하는 단계(82)와, 임프린팅하는 단계(83)와, 마스크용 시드 금속(13)을 증착하는 단계(84)와, 마스크 금속(2)을 도금하는 단계(85)와, 미세 금속 마스크(2)를 분리하는 단계(86)를 포함할 수 있다.
몰드를 제작하는 단계(81)는, 미세한 마스킹 패턴(P) 간격을 갖는 미세 금속 마스크(2)를 임프린팅 방식으로 제조하기 위한 몰드(M1)를 제작하는 공정일 수 있다.
예를 들어, 몰드를 제작하는 단계(81)는, 몰드 기판(51)을 준비하는 단계(811)와, 몰드 기판(51)에 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)와, 몰드 기판(51) 상에 포토 레지스트(53)를 통해 마스킹 패턴(P)을 따라 패터닝하는 단계(813)와, 패터닝된 몰드 기판(51) 상에 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)와, 몰드 기판(51) 상에 전주 도금을 수행하는 단계(815)와, 도금된 몰드(M1)를 분리하는 단계(816)를 포함할 수 있다.
몰드 기판(51)을 준비하는 단계(811)는 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 형성하기 위한 몰드 기판(51)을 마련하는 단계일 수 있다.
전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)는, 전도성 금속(52)을 몰드 기판(51)에 증착하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 몰드 기판(51)이 전도성을 가질 경우, 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)는 생략될 수 있다. 다시 말하면, 도 3과 달리, 전도성 금속(52)의 층이 생략된 상태로 나머지 층들이 적층될 수 있다는 점을 밝혀 둔다. 반면, 몰드 기판(51)이 반도체 또는 부도체일 경우에는 전도성 금속(52)을 증착하는 단계(812)가 패터닝하는 단계(813) 이전에 수행되어 몰드 기판(51) 상에 전도성 금속(52)이 증착될 수 있다. 물론, 단계 812는 몰드 기판(51)이 전도성을 가지는 경우에도 수행될 수 있다는 점을 밝혀 둔다. 다시 말하면, 단계 812는 몰드 기판(51)이 전도성을 가지지 않을 경우에는 필수적으로 수행되며, 몰드 기판(51)이 전도성을 가질 경우에는 선택적으로 수행될 수 있다.
패터닝하는 단계(813)는, 몰드 기판(51) 상에 포토 레지스트(53)를 도포한 상태에서, UV 노광 및 현상 과정을 통해 포토 레지스트(53)를 마스킹 패턴(P)을 갖도록 패터닝하는 단계일 수 있다.
패터닝하는 단계(813)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)의 마스킹 패턴(P)의 형상에 따라 미세 금속 마스크(2)의 패턴(P)의 형상이 결정될 수 있다.
한편, 패턴의 형상이 경사진 미세 금속 마스크를 제작하기 위해, 패터닝하는 단계(813)에서 포토 레지스트(53)는 경사면을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 포토 레지스트(53)는 하측으로 몰드 기판(51) 또는 전도성 금속(52)에 연결되는 부분이 테이퍼진 형상을 갖도록 노광 및 현상될 수 있다. 경사진 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 도 6 내지 도 10을 참조하여 후술하기로 한다.
몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)는, 몰드 기판(51) 및 그 위에 마스킹 패턴(P)으로 이루어진 포토 레지스트(53) 상에 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계일 수 있다.
몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814)에서, 몰드용 시드 금속(54)은 포토 레지스트(53)에 의해 마스킹되어, 마스킹 패턴(P)을 따라서 포토 레지스트(53)상에 증착되고 마스킹 패턴(P)을 제외한 부분에는 몰드 기판(51)(단계 812가 생략된 경우) 또는 전도성 금속(52)(단계 812가 수행된 경우) 상에 적층될 수 있다.
전주 도금을 수행하는 단계(815)는, 몰드 기판(51) 상에 증착된 몰드용 시드 금속(54)에 전주 도금을 수행하여 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 형성할 수 있다.
도금된 몰드를 분리하는 단계(816)는, 도금된 몰드(M1)를 몰드 기판(51)으로부터 분리하여 마스킹 패턴(P)을 갖는 몰드(M1)를 사용 가능하게 분리하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)에 의하면 별도의 화학적 에칭(etching) 공정 없이 미세한 마스킹 패턴(P)이 형성된 몰드(M1)를 제작할 수 있기 때문에, 마스킹 패턴(P)의 정밀도와 품질 균일성을 향상시킬 수 있다.
한편 도시되지는 않았지만, 일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)는 몰드용 시드 금속(54)을 증착하는 단계(814) 및 전주 도금을 수행하는 단계(815) 사이에, 포토 레지스트(53)를 용제에 녹여 제거하는 리프트 오프(lift off) 공정이 추가로 수행될 수도 있다. 이 경우, 도 3의 네번째 공정 도면에 도시된 것처럼, 몰드용 시드 금속(54)의 높이는 포토 레지스트(53)의 높이보다 낮도록 증착됨으로써, 몰드용 시드 금속(54)이 증착된 상태에서 포토 레지스트(53)의 적어도 일부가 외부로 노출될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 용제 등을 이용하여 포토 레지스트(53) 및 포토 레지스트(53) 상에 증착된 몰드용 시드 금속(54)을 용이하게 제거할 수 있다.
예를 들어, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 제작된 몰드(M1)는 금속 도금을 위한 하드 몰드일 수 있다. 다른 예로, 몰드(M1)는 단계 81에서 제작된 하드 몰드를 플라스틱 소재 등으로 다시 복제하여 소프트 몰드로 형성된 몰드(M1)일 수도 있다. 예를 들어, 몰드(M1)는 평판 형태를 가질 수 있지만, 이와 달리 롤러의 형태로 제작될 수도 있다는 점을 밝혀둔다.
경화성 수지를 도포하는 단계(82)는, 경화성 수지(12)를 베이스 기판(11)에 도포하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지는 UV 경화성 수지 또는 열 경화성 수지일 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지(12)는 수용성일수 있기 때문에 약품에 의한 제품의 오염을 방지할 수 있다.
다른 예로, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)는 경화성 수지(12)를 몰드(M1)에 도포하는 단계일 수 있다. 이 경우, 베이스 기판(11)은 경화성 수지(12)가 몰드(M1)에 도포된 이후에 증착되어 형성될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
예를 들어, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)에서 도포되는 수지(12)는 몰드(M1)의 마스킹 패턴(P)이 형성하는 두께보다 큰 두께를 갖도록 도포될 수 있다.
임프린팅하는 단계(83)는, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 제작된 몰드(M1)를 사용하여 경화성 수지(12) 상에 임프린팅하고 경화시킴으로써 마스킹 패턴(P)을 따라서 베이스 기판(11) 상에 수지(12)를 패터닝할 수 있다.
예를 들어, 몰드(M1)는 전술한 몰드를 제작하는 단계(81)에서 만들어진 몰드(M1) 자체를 사용할 수 있지만, 상기 몰드(M1)를 복제하여 만든 몰드(M1)가 사용되어도 무방하다는 점을 밝혀둔다.
예를 들어, 경화성 수지(12)가 몰드(M1)에 도포되는 경우에도 몰드(M1)의 마스킹 패턴(P)을 사용하여 임프린팅을 수행하는 과정이 동일하게 수행될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)는, 도 5와 같이 베이스 기판(11) 및 그 위에 마스킹 패턴(P)으로 이루어진 포토 레지스트(53) 상에 마스크용 시드 금속(13)을 증착하는 단계일 수 있다.
마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)에서, 마스크용 시드 금속(13)은 마스킹 패턴(P)을 따라서 임프린팅된 경화성 수지(12)상에 증착될 수 있다.
마스크 금속을 도금하는 단계(85)는, 마스크용 시드 금속(13)에 전주 도금을 수행하여 마스크 금속(2)을 형성하고, 이와 같은 공정을 통해, 마스킹 패턴(P)의 형상에 따른 미세 금속 마스크(2)를 제작할 수 있다. 예를 들어, 마스크 금속을 도금하는 단계(85)에서 도금되는 마스크 금속(2)은 철과 니켈의 합금인 인바(Invar)를 포함할 수 있다.
인바 금속으로 형성되는 미세 금속 마스크(2)에 의하면 열팽창계수가 현저히 낮은 글래스 기판과 동일한 열적 성능을 가지게 되어 열에 의한 환경적인 변화에 대하여 높은 안정성을 달성할 수 있다.
미세 금속 마스크를 분리하는 단계(86)는, 도금되어 형성된 미세 금속 마스크(2)를 베이스 기판(11)으로부터 분리하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 포토리소그래피 공정을 임프린팅 공정으로 대체함으로써 UV 노광 및 현상 등 리소그래피에 소모되는 비용을 줄일 수가 있을 뿐만 아니라 제작된 제품들 간의 정밀도 또한 확보가 가능하기 때문에 양산 공정에 있어 유리할 수 있으며, 환경친화성 역시 확보할 수 있다.
더불어, 제작된 몰드(M1)를 반 영구적으로 사용할 수 있기 때문에, 기존의 리소그래피 공정을 수행함에 따라 고가의 포토마스크가 손상되는 위험성을 배제할 수 있다.
도 6 및 도 7은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 경사면(41)을 갖는 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법을 살펴볼 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법은, 도 1 내지 도 5에서 전술한 미세 금속 마스크(2)를 제작하는 방법과 동일 또는 유사한 방법을 통해 경사면을 갖는 몰드(M2)를 제작하고, 이를 통해 임프린팅 방식으로 경사면(41)을 갖는 미세 금속 마스크(4)를 제작하는 방법으로 이해되어도 무방하다.
일 실시 예에 따른 몰드를 제작하는 단계(81)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)는 몰드 기판(51)으로부터 경사면을 갖도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 패터닝하는 단계(813)에서, 포토 레지스트(53)는 하측으로 몰드 기판(51) 또는 전도성 금속(52)에 연결되는 부분이 테이퍼진 형상을 갖도록 노광 및 현상될 수 있다.
이에 따라, 몰드를 제작하는 단계(81)에서 몰드 기판(51)에 도금되어 형성되는 몰드(M2)는 마스킹 패턴(P)의 양각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.
경화성 수지를 도포하는 단계(82)는, 경화성 수지(32)를 베이스 기판(31) 또는 몰드(M2)에 도포하는 단계일 수 있다.
임프린팅하는 단계(83)에서, 임프린팅된 수지(32)는, 경사면을 갖는 몰드(M2)의 형상에 대응하여, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면(323)을 포함할 수 있다
마스크용 시드 금속을 증착하는 단계(84)에서, 마스크용 시드 금속(33)은 도 7과 같이 임프린팅된 수지(32)의 마스킹 패턴(P) 부분 중, 적층 방향과 수직한 패턴(P)의 면을 기준으로 양각 부분과 음각 부분으로 나뉘어 서로 다른 높이의 층에 적층되고, 동시에 음각 부분의 가장자리로부터 연결되는 경사면(323)의 일부에도 적층될 수 있다.
따라서, 마스크 금속을 도금하는 단계(85)에서 마스킹 패턴(P)의 음각 부분에 마스크 금속(4)이 도금되어 충진되는 미세 금속 마스크(4)는 서로 인접하게 배열되는 패턴의 양 측부가 적층 방향을 따라서 경사지게 형성되는 경사면(41)을 구비할 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 9 및 도 10은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 도 1 내지 도 7에 도시된 미세 금속 마스크를 제작하는 방법과 상이한 방법을 통해 경사면(71)을 갖는 미세 금속 마스크(7)를 제작하는 방법을 살펴볼 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은 몰드를 제작하는 단계(91)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(92)와, 임프린팅하는 단계(93)와, 잔류막을 식각하는 단계(94)와, 마스크 금속을 도금하는 단계(95)와, 미세 금속 마스크를 분리하는 단계(96)를 포함할 수 있다.
몰드를 제작하는 단계(91)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(92)와, 임프린팅하는 단계(93)는 각각, 도 1 내지 도 7의 실시 예에서 전술한 몰드를 제작하는 단계(81)와, 경화성 수지를 도포하는 단계(82)와, 임프린팅하는 단계(83)와 동일 또는 유사한 방법적 구성을 포함하는 것으로 이해되어도 무방하므로, 중복되는 설명은 전술한 실시 예의 구성을 참조하여 생략될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
몰드를 제작하는 단계(91)에서 패터닝되는 포토 레지스트(53)는 몰드 기판(51)으로부터 연결되는 부분에 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.
따라서, 전주 도금을 수행하는 단계(815)에서 형성되는 몰드(M3)는, 마스킹 패턴(P)의 양각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.
경화성 수지를 도포하는 단계(92)는, 경화성 수지(62)를 베이스 기판(61) 또는 몰드(M3)에 도포하는 단계일 수 있다.
경화성 수지를 도포하는 단계(92)에서, 경화성 수지(62)가 도포되는 베이스 기판(61)은 전도성을 갖는 기판일 수 있다.
다른 예로, 경화성 수지를 도포하는 단계(92) 이전에 베이스 기판(61)에 전도성 금속을 증착하는 단계가 수행될 수 있다.
임프린팅하는 단계(93)에서, 임프린팅된 수지(62)는, 경사면을 갖는 몰드(M3)의 형상에 대응하여, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분의 가장자리 부분으로부터 경사지게 형성되는 경사면(621)을 포함할 수 있다.
잔류막을 식각하는 단계(94)는, 마스킹 패턴(P)이 형성된 수지(62)의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴(P)이 형성된 부분을 제외한 나머지 층을 식각하는 공정을 포함할 수 있다.
잔류막을 식각하는 단계(94)에 의하면, 도 10과 같이 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성을 갖는 베이스 기판(61)의 표면이 직접 노출될 수 있다.
다른 예로, 베이스 기판(61)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성 금속의 표면이 직접 노출될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
예를 들어, 잔류막을 식각하는 단계(94)는, 임프린팅하는 단계(93)에서 높은 압력을 가함으로써 베이스 기판(61)과 접하는 부분의 수지(62)의 층을 가능한 얇은 박막 형태로 형성하는 단계와, 박막의 수지를 드라이 에칭(dry etching), 애싱(ashing) 등의 공정으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
마스크 금속을 도금하는 단계(95)에서는, 마스킹 패턴(P)을 따라 패터닝된 수지(62) 사이에 노출된 전도성을 갖는 베이스 기판(61) 또는 전도성 금속에 전주 도금을 수행하여, 마스크 금속(7)을 형성할 수 있다. 마스크 금속을 도금하는 단계(95)에서 베이스 기판(61)에는 도금을 위해 전류가 통전될 수 있다.
다른 예로, 베이스 기판(61)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
이와 같은 방법에 의하면, 경사면(71)을 갖는 미세 금속 마스크(7)를 제작할 수 있다.
미세 금속 마스크를 분리하는 단계(96)에서, 도금된 미세 금속 마스크(7)는 베이스 기판(61)으로부터 분리될 수 있다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 의하면, 공정 상에서 성형, 식각, 또는 레이저 트리밍 공정 등과 같은 추가적인 공정 없이 몰드의 경사면을 제작할 수 있기 때문에, 미세 금속 마스크를 제작하는 공정에 소모되는 비용과 시간을 절감할 수 있는 장점이 존재한다.
도 11은 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법의 순서도이고, 도 12는 일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법에 따라 미세 금속 마스크를 제작하는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 도 1 내지 도 10에 도시된 실시 예의 구성과 다른 방법적 구성을 갖는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법이 도시된다.
일 실시 예에 따른 미세 금속 마스크를 제작하는 방법은, 몰드를 제작하는 단계(101), 1차 패턴 복제 단계(102), 2차 패턴 복제 단계(103), 잔류막을 제거하는 단계(104), 3차 패턴 복제 단계(105), 수지를 제거하는 단계(106), 전주 도금을 수행하는 단계(107) 및 미세 금속 마스크를 분리하는 단계(108)를 포함할 수 있다.
몰드를 제작하는 단계(101)는, 도 12와 같이 마스킹 패턴(P)의 연결 부분이 경사진 형태의 몰드(M4)를 제작하는 공정일 수 있다.
1차 패턴 복제 단계(102)는, 제 1 기판(S1)에 제 1 수지(L1)를 도포하고, 몰드를 제작하는 단계(101)에서 제작된 몰드(M4)를 통해 제 1 수지(L1)의 표면상에 마스킹 패턴(P)을 임프린팅하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 1 수지(L1)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 임프린팅된 이후 경화되어 경사면을 갖는 마스킹 패턴(P)의 복제를 위한 몰드 역할을 수행할 수 있다.
2차 패턴 복제 단계(103)는, 제 2 기판(S2)에 제 2 수지(L2)를 도포하고, 1차 패턴 복제 단계(102)에서 패터닝되어 경화된 제 1 수지(L1)를 제 2 수지(L2)에 임프린팅하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 2 수지(L2)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 임프린팅 된 이후 경화될 수 있다.
예를 들어, 제 2 기판(S2)은 전도성을 갖는 기판일 수 있다.
다른 예로, 2차 패턴 복제 단계(103)는, 제 2 기판(S2)에 상기 제 2 수지(L2)를 도포하기 전에 제 2 기판(S2)에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
잔류막을 제거하는 단계(104)는, 마스킹 패턴(P)이 형성된 제 2 수지(L2)의 표면 중 돌출 형성된 마스킹 패턴(P)이 형성된 부분을 제외한 나머지 층을 식각하는 공정일 수 있다. 잔류막을 제거하는 단계(104)에 의하면, 제 2 수지(L2)의 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 전도성을 갖는 제 2 기판(S2)의 표면이 직접 노출될 수 있다.
다른 예로, 제 2 기판(S2)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
3차 패턴 복제 단계(105)는, 제 2 수지(L2)의 마스킹 패턴(P) 중 음각 부분에 제 3 수지(L3)를 충진한 이후, 경화시키는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제 3 수지(L3)는 UV 또는 열을 통해 경화될 수 있어서, 제 2 수지(L2)의 음각의 마스킹 패턴(P)에 충진된 이후 경화될 수 있다.
수지를 제거하는 단계(106)는, 제 2 기판(S2)에 형성된 제 2 수지(L2) 및 제 3 수지(L3) 중 제 2 수지(L2)를 제거하는 공정일 수 있다.
예를 들어, 수지를 제거하는 단계(106)에서, 제 2 수지(L2)와 제 3 수지(L3) 중 제 2 수지(L2)를 액상의 화학 약품을 이용한 스트리핑(stripping)공정을 통해 선택적으로 제거할 수 있다.
예를 들어, 제 2 수지(L2)와 제 3 수지(L3)는 서로 다른 용해성을 가질 수 있다. 따라서, 수지를 제거하는 단계(106)에서 제 2 수지(L2)는 특정 용제에 의해 용해 또는 부식되어 제거될 수 있되, 제 3 수지(L3)는 해당 용제에 용해되지 않을 수 있다. 수지를 제거하는 단계(106)에서 제거되지 않은 제 3 수지(L3)는 제 2 기판(S2) 상에서 새로운 마스킹 패턴(P)을 형성할 수 있다.
전주 도금을 수행하는 단계(107)는, 전도성을 갖는 제 2 기판(S2)에 패터닝된 제 3 수지(L3) 상에 전주 도금을 수행하여 미세 금속 마스크(FMM)를 형성하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 전주 도금을 수행하는 단계(107)에서 제 2 기판(S2)에는 도금을 위한 전류가 통전될 수 있다.
다른 예로, 제 2 기판(S2)에 전도성 금속이 증착된 경우, 마스킹 패턴(P)의 음각 부분으로부터 노출된 전도성 금속에 전류가 통전될 수 있다는 점을 밝혀둔다.
예를 들어, 전주 도금되는 금속의 재질은 인바 금속을 포함할 수 있다.
전주 도금을 수행하는 단계(107)에 의하면, 제 3 수지(L3) 상에서 경사면을 갖도록 패터닝된 마스킹 패턴(P)의 부분 중, 제 2 기판(S2) 또는 전도성 금속이 노출되는 음각 부분의 형상에 따라 금속이 충진되어, 결과적으로 경사면을 갖는 마스킹 패턴(P)을 갖는 미세 금속 마스크(FMM)가 형성될 수 있다.
미세 금속 마스크를 분리하는 단계(108)는, 도금된 미세 금속 마스크(FMM)를 제 2 기판(S2)으로부터 분리하는 공정일 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 경사면이 형성된 마스킹 패턴을 구비하는 몰드를 제작하는 단계;
    제 1 기판에 도포된 제 1 수지에 상기 몰드를 사용하여 임프린팅하여 상기 제 1 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 1차 패턴 복제 단계;
    제 2 기판에 도포된 제 2 수지에 마스킹 패턴이 형성된 상기 제 1 수지를 사용하여 임프린팅하여, 상기 제 2 수지에 마스킹 패턴을 형성하는 2차 패턴 복제 단계;
    상기 제 2 수지의 부분 중, 돌출 형성된 마스킹 패턴의 부분을 제외한 잔류막을 제거하는 단계;
    상기 제 2 수지의 마스킹 패턴 부분 중 음각 부분에만 제 3 수지를 채워넣고 경화시키는 3차 패턴 복제 단계;
    상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 수지 및 제 3 수지 중 상기 제 2 수지를 제거하는 단계;
    상기 제 2 기판상에 형성된 상기 제 3 수지 상에 금속으로 전주 도금을 수행하는 단계; 및
    상기 제 2 기판으로부터 도금된 미세 금속 마스크를 분리하는 단계를 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 기판은 전도성을 갖는 재질로 형성되고,
    상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 제 2 기판의 표면이 노출되고,
    상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 제 2 기판에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 2차 패턴 복제 단계는,
    상기 제 2 기판에 상기 제 2 수지를 도포하기 전에 상기 제 2 기판에 전도성 금속을 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 잔류막을 제거하는 단계에서, 상기 제 2 수지가 제거된 부분으로부터 상기 전도성 금속의 표면이 노출되고,
    상기 전주 도금을 수행하는 단계에서, 상기 전도성 금속에 전류가 통전되는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 전주 도금을 수행하는 단계에서,
    도금되는 금속은 철과 니켈의 합금을 포함하는 금속을 포함하는 미세 금속 마스크를 제작하는 방법.
KR1020190138721A 2019-07-19 2019-11-01 미세 금속 마스크를 제작하는 방법 KR102237716B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20190087608 2019-07-19
KR1020190087608 2019-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210010279A KR20210010279A (ko) 2021-01-27
KR102237716B1 true KR102237716B1 (ko) 2021-04-08

Family

ID=74238137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190138721A KR102237716B1 (ko) 2019-07-19 2019-11-01 미세 금속 마스크를 제작하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102237716B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070228608A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Preserving Filled Features when Vacuum Wiping
WO2012169120A1 (ja) 2011-06-07 2012-12-13 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 複合体の製造方法および複合体
KR101715177B1 (ko) * 2016-10-12 2017-03-10 한국과학기술원 미세 패턴이 형성된 니켈 스탬프의 제조방법
KR101819367B1 (ko) * 2016-09-08 2018-01-17 주식회사 포스코 철-니켈 합금 박 및 이의 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101229100B1 (ko) * 2005-06-10 2013-02-15 오브듀캇 아베 중간 스탬프를 갖는 패턴 복제
KR101342900B1 (ko) * 2011-12-28 2013-12-18 한국과학기술원 나노 임프린트용 복제 몰드의 제조방법 및 나노 임프린트용 복제 몰드
KR20140081202A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 (재)한국나노기술원 나노임프린트 리소그래피와 도금 공정을 이용한 나노패턴이 형성된 금속 필름 제조방법
KR101617952B1 (ko) * 2014-07-31 2016-05-09 한국과학기술원 소프트리소그래피를 이용한 경사진 관통 구멍을 구비한 구조체의 제조방법
KR20150003114A (ko) * 2014-11-17 2015-01-08 주식회사 티지오테크 마스크 및 마스크 제조 방법
KR102353349B1 (ko) * 2015-03-31 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 증착용 마스크
KR102054179B1 (ko) * 2017-01-04 2019-12-10 주식회사 티지오테크 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070228608A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Preserving Filled Features when Vacuum Wiping
WO2012169120A1 (ja) 2011-06-07 2012-12-13 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 複合体の製造方法および複合体
KR101819367B1 (ko) * 2016-09-08 2018-01-17 주식회사 포스코 철-니켈 합금 박 및 이의 제조방법
KR101715177B1 (ko) * 2016-10-12 2017-03-10 한국과학기술원 미세 패턴이 형성된 니켈 스탬프의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210010279A (ko) 2021-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI279830B (en) Compliant template for UV imprinting
US8703406B2 (en) Method of forming large-area masters for replication of transfer lithography templates
US20080299467A1 (en) Mask mold, manufacturing method thereof, and method for forming large-sized micro pattern using mask mold
JP2009010188A5 (ko)
TW201330053A (zh) 於薄膜元件中壓印圖案化材料的製程
KR20100065819A (ko) 나노 임프린트 리소그래피 방법
JP2012009686A (ja) テンプレートおよび製造方法、加工方法
KR20110093654A (ko) 패턴 형성 방법
US20100266965A1 (en) Etch-Enhanced Technique for Lift-Off Patterning
KR20180071971A (ko) 임프린트 템플레이트 복제 프로세스 중에 압출을 제어하기 위한 방법
KR102237716B1 (ko) 미세 금속 마스크를 제작하는 방법
CN110494804B (zh) 纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法
JP2005206881A (ja) 電鋳法によるメタルマスクの製造方法
KR102267128B1 (ko) 엔코더를 제작하는 방법
CN1996141A (zh) 一种零留膜的压印模板及压印光刻图形转移方法
US20170273189A1 (en) Manufacturing method of circuit board and piezochromic stamp
JP6015140B2 (ja) ナノインプリントモールドおよびその製造方法
KR101250411B1 (ko) 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법
TW202343133A (zh) 壓印方法
KR101786548B1 (ko) Oled 제조용 금속 마스크 및 이의 제조 방법
TWI711881B (zh) 用以製造一多層壓印模之方法、多層壓印模、及一多層壓印模之使用
CN102736432A (zh) 一种对纳米尺度元件进行套刻的方法
KR101235168B1 (ko) 인쇄판 및 그 제조방법
KR101250422B1 (ko) 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법
KR100734664B1 (ko) 랭뮤어 블로젯막의 배향 원리를 이용한 미세 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right