KR100655986B1 - 기판으로부터 척으로의 열전달을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

저면(WL)을 가진 기판의 공정 중 기판(W)을 지지하기 위한 척장치(50, 150, 300)와 방법. 상기 장치는 기판의 공정 중 기판으로부터 발생한 열을 전달하는 것을 촉진한다. 상기 장치는 울퉁불퉁한 상부기판(64U)과 외부모서리(70)를 가지는 척몸체(60)로 구성된다. 상기 기판은 기판하부표면과 울퉁불퉁한 상부표면이 그 사이에 갭(100)을 형성하도록 울퉁불퉁한 표면에 인접하여 배열된다. 상기 장치는 더욱 척몸체를 관통하는 중앙가스도관(80)을 포함한다. 상기 중앙가스도관은 상기 울퉁불퉁한 상부기판에 개방된 제2끝단(82b)과 가스원(86)에 연결된 상기 제 2 끝단 반대편에 제 1 끝단을 가진다. 상기 도관은 가스가 도관을 통하여 갭내와 척몸체 외부모서리를 향하여 흐를 수 있도록 배열된다. 사용된 가스는 헬륨의 질량보다 큰 원자량 또는 분자량을 가진다. 표면거칠기, 기판하부표면 및 갭내의 보다 무거운 가스의 흐름은 비율(α/λ)이 선행기술의 장치보다 높도록 수용계수(α)와 평균자유경로(λ)를 정의하는데 기여한다.

Description

기판으로부터 척으로의 열전달을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TRANSFERRING HEAT FROM A SUBSTRATE TO A CHUCK}
본 발명은 2001년 2월16일 출원된 미국 가출원번호 60/268,913호에 기초하여 우선권을 주장한다.
본 발명은 기판으로부터 기판을 지지하는 척으로의 열전달을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이 및 여러 가지 다른 형태의 기판 제조공정에서의 수율을 증가시키기 위해서 끝없는 요구가 지속되고 있다. 기판공정에서의 많은 공정은 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 척에 위치시키는 공정과 기판을 제조하는 공정을 포함한다. 이러한 공정 중 어느 공정에서는 기판의 열이 올라가고, 이러한 열은 빨리 방사될 필요가 있다. 빠른 열방사는 기판온도가, 심지어는 고처리 기기전력레벨에서의 공정과 다음 공정스텝의 빠른 시작을 위해 설정된 어떤 임계치내에서 유지되도록 한다. 양자는 기판 당 공정비용을 절감시키는 고처리 수율을 낳는다.
반도체장치(즉, 집적회로 또는 ICs) 또는 디스플레이의 제조와 같은 기판이 사용되는 하나의 공정은 기판표면으로부터 물질을 에칭하거나 기판표면에 물질을 증착시키기 위해 플라즈마를 기판에 가하는 것을 포함한다. 이러한 공정 중에, 고에너지 플라즈마 입자가 기판에 충격을 가하고, 많은 양의 열을 발생하며, 상기 열은 기판에 의해 흡수된다. 기판을 정상(Steady) 온도로 유지하기 위해, 이러한 열은 빠르게 기판으로부터 척으로 전달시키고, 이어서 빨리 척으로부터 방사하는 것이 필요하다. 만약 기판으로부터 척으로의 열전달 또는 척 자체로부터의 열방사가 비효과적이고 부적절하면, 기판의 온도는 급격히 증가한다. 기판으로부터의 열축적은 기판의 구조(예를 들면, 과도한 열은 반도체 기판에서의 원하지 않는 도판트 (Dopant)의 확산을 야기하여, 트랜지스터에서 전류의 누설을 야기한다.)를 손상시킬 수 있다. 이러한 열축적은 또한, 효과적인 열전달 메커니즘이 없을 때에, 플라즈마공정이 적절한 공정수율(예를 들면, 보다 적은 손상된 장치)을 얻기 위해 보다 낮은 전력레벨에서 또는 (기판을 냉각하기 위한)중단된 방법으로 운전될 필요가 있기 때문에, 기기수율에 강한 영향을 준다. 기판온도는 에칭공정 자체(예를 들면, 포토레지스트 등에 선택적인 에칭)에 영향을 주기 때문에, 플라즈마 처리 중에 기판 열처리의 제어는 또한 중요하다.
도 1은 저압력환경에서 기판(W)를 지지하기 위한 선행기술 척장치(10)의 개략적인 도면이다. 척(10)은 상부면(14)과 헬륨가스원(도시되지 않음)으로부터 기판 (14)에 이끄는 척몸체 내부에 형성된 도관(16)을 가지는 척 몸체(12)를 포함한다. 기판공정 중에, 헬륨가스(18)는 도관(16)에 공급되어 기판(W)을 향해 흐른다. 웨이퍼상의 저압환경과, 웨이퍼와 척 사이에 도입된 헬륨가스(18)와 척표면(14)의 울퉁 불퉁함 때문에, 가스갭은 척표면(14)과 기판(W)의 하부면 사이에 형성된다. 이러한 갭은 일반적으로 수 마이크로미터 폭을 가지는 평균 갭폭(δ)을 가지는 저압 가스갭(30)에 의해 기판과 척몸체를 분리한다. 이러한 의미에서, 기판(W)은 척 상부면 (14)과 기판(W) 하부면 사이에 흐르는 헬륨가스(18)에 노출된다. 갭(30)에 주입된 헬륨가스는 기판(W)의 외부모서리 바깥쪽으로 흐르고, 이러한 갭(30)에서의 헬륨가스의 존재가 (화살표(32)로 나타낸 것과 같이) 기판으로부터 방출되는 열을 척으로 전달하도록 한다. 이러한 열전달 메카니즘은 저압 가스갭 전도로 알려져 있으며, 반도체 산업에서 널리 사용되고 있다. 헬륨가스는 불활성이고 높은 열전도성(오직 수소만이 더 높은 열전도성을 가진다.)을 가지기 때문에 열전달을 이루기 위해 사용된다.
대기(즉, 높은)압조건에서 열전달의 경우와 달리, 저압조건에서, 가스열전도도에 더하여 가스-표면 에너지교환의 정도(따라서, 냉각의 효율성)는 소위 수용계수(Accommodation coefficient, α)에 의해 특징지어진다.
저압(즉, 10에서 50토르(Torr) 이하의 크기의) 가스갭 전도는 많은 형태의 기판공정설비에 냉각을 위해 사용된다. 예를 들면, 대부분의 에칭기구에서, 기판과 하부전극사이에 갭이 있다. 이 갭은 저압 헬륨과 아르곤으로 충진되고, 기판을 냉각하기 위해 사용된다. 헬륨 또는 아르곤을 특정방향으로 유도하기 위해, 척의 상부면 또는 기판의 뒷면에 다양한 채널이 사용된다.
기판과 척사이의 저압가스갭용 열전도의 열속(Heat Flux, q”)은 열전달계수 (hg)와 기판과 척의 근접한 표면사이의 온도차(△T = Tw - Tc)의 곱, 또는 q”= hg△T에 의해 얻어진다. 일반적으로, 척온도는 그 냉각시스템에 의해 제어된다. 한편, 기판온도는 높은 공정수율을 유지하기 위한 바램과 기판상에 제조된 장치의 형태에 의해 제한된다. 주어진 공정과 장치형태에 있어서, 이것은 본질적으로 온도차(△T)를 고정시킨다.
본 발명은 기판을 기판으로부터 지지하는 척으로 열전달을 하기 위한 방법 및 장치에 관련된다.
본 발명은 울퉁불퉁한 척 상부면을 사용하고, 아르곤보다 큰 원자/분자량을 가지는 가스를 선택적으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 표면은 0.4㎛이상의 거칠기 (Ra)를 가질 수 있다. 대안적으로, 거칠기(Ra)는 0.4 와 약 10㎛ 또는 약 1 내지 4㎛ 사이에 있을 수 있다. 상기 거칠기는 척 상부면과 기판사이의 온도차가 최소값의 5퍼센트, 2퍼센트 또는 1퍼센트 안에, 또는 최소값에 있도록 될 수 있다. 상기 거칠기는 가스 평균자유경로(Mean free path, λ)에 대한 수용계수의 비율이 최대값 또는 최대값의 1퍼센트, 2퍼센트 또는 5퍼센트안에 있도록 될 수 있다. 본 발명은 하부면을 가지는 기판에 기판거칠기, 즉, 1㎛ 이상의 Ra를 부여하는 것을 선택적으로 포함한다.
따라서, 본 발명의 제 1 형태는 상하부면을 가지는 기판을 지지하고, 기판의 상부면의 공정 중에 기판으로부터 열전달을 촉진하기 위한 척장치이다. 상기 장치는 외부모서리와 울퉁불퉁한 상부면을 가지는 척몸체로 구성된다. 실리콘웨이퍼, 디스플레이 기판 등일 수 있는 기판은 기판하부면과 울퉁불퉁한 척몸체 상부면이 그 사이에 갭을 형성할 수 있도록 울퉁불퉁한 표면에 인접하여 배열된다. 상기 장치는 더욱 척몸체를 통하여 흐르는 가스도관을 포함한다. 도관은 울퉁불퉁한 상부면에 개방된 제 1 끝단과 상기 제 1 끝단 반대편에 제 2 끝단을 가진다. 상기 도관은 가스가 가스원으로부터 도관을 통하여 갭안과 척몸체 외부모서리를 향하여 흐를 수 있도록 배열된다.
본 발명의 두 번째 형태는 상기에 설명된 장치이지만, 상부면상의 표면거칠기가 다른 영역을 가지는 장치이다.
본 발명의 세 번째 형태는 상기에 설명된 장치이지만, 다른 형태의 가스가 다른 영역의 존 내부에 주입될 수 있도록 다른 가스원에 접속되어, 열전달양을 공간적으로 다양하게 할 수 있는 복수의 가스구멍을 가지는 장치이다. 다채널 가스혼합기는 가스를 효율적으로 혼합하고, 또한 가스(혼합되거나 그렇지 않은)를 갭에 주입하기 위해 사용될 수 있다. 더하여, 다른 가스원과 다채널 가스혼합기에 전기적으로 연결된 주제어유니트는 기판으로부터 척몸체로 열전달을 조정하기 위해 가스(또는 가스들)의 흐름을 갭내부로 동적으로 변경하는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 네 번째 형태는 기판으로부터 척몸체로 열전달을 촉진하기 위한 방법이다. 상기 방법은 울퉁불퉁한 표면을 가진 상부기판을 제공하는 제 1 스텝으로 구성된다. 이러한 표면거칠기는 표면을 통하여 일정할 수 있고, 또는 다른 영역의 형태에서 공간적으로 다양할 수도 있다. 대안적으로, 표면거칠기는 위치의 함수로써, 즉 표면의 중심으로부터 반경방향의 바깥쪽으로 감소하도록, 자연스럽게 변경될 수 있다. 다음 스텝은 울퉁불퉁한 표면에 인접하게 기판을 배열함에 의해 울통불퉁한 상부면과 기판하부면 사이에 갭을 형성하는 것이다. 그런 후, 마지막 스텝은 가스가 외부모서리를 향하여 흘러갈 수 있도록 상기 갭 내부로 적어도 하나의 가스를 흘려보내는 것을 포함한다. 갭을 통하여 흐르는 상기 가스(가스 혼합물일 수도 있는)는 아르곤보다 큰 원자량 또는 분자량을 가질 수 있으며, 그러므로 보다 큰 α/λ를 가질 수 있다. 단 여기서 α는 표면의 수용계수이고, λ는 가스평균자유경로이다.
도 1은 척에 의해 지지되는 기판을 냉각하기 위해 사용되는 헬륨가스의 흐름을 나타내는, 선행기술 척장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 기판과 척사이의 갭에서 온도 프로파일과 가스갭의 유효두께를 나타내는, 온도(R)와 갭폭간의 공지의 관계를 나타내는 도표이다.
도 3은 본 발명의 첫 번째 형태에 따른 척장치의 개략적인 단면도이다.
도 4A는 하나 이상의 가스를 척 상부면에 제공하기 위한 복수의 가스주입구멍으로 구성된 동심원상의 가스링을 나타내는 본 발명의 두 번째 형태에 따른 척장 치의 투시도이다.
도 4B는 기판으로부터 척몸체에 열전달을 제어하기 위해 갭내부에서의 가스의 흐름을 동적으로 제어하기 위해 주제어유니트를 나타내는 도 4A의 척장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 동심원상의 가스링과 다른 표면거칠기의 영역을 나타내는 본 발명의 세 번째 실시예에 따른 척몸체의 상부면의 평면도이다.
본 발명은 기판으로부터 기판을 지지하는 척으로 열전달을 하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
기판으로부터 척장치내의 척몸체로의 열전달량을 증가시키기 위해, 열전달계수(hg)는 증가될 수 있다. 저압에서, 열전달계수(hg)는 실제적으로 가스의 원자 및/또는 분자크기와 고체표면, 사용되는 가스의 압력 및 갭을 정의하는 표면의 다른 조건들(예를 들면, 거칠기 또는 오염)을 포함하는 많은 다른 매개변수의 상당히 복잡한 함수이다.
열전달계수(hg)에서의 상기의 효과를 설명하기 위해, 물리적 평균 갭폭(δ)보다 큰 유효 갭 폭(δ’)이 도입된다. 도 2는 가스 갭의 유효 두께(δ’)가 갭내에서의 물리적인 가스 갭폭(δ)과 온도(T)에 관련되는 공지의 양상을 나타낸다. 가스압력이 크고, δ>>λ일 때[단, 여기서 λ는 가스평균자유경로(즉, 가스 원자 또는 분자간의 충돌들 간의 평균거리)이다], 온도는 두께(δ)의 갭을 이루는 표면사이에서 위치의 선형함수이다. 이러한 조건에서, 온도차는 △T이고, 온도프로파일 곡선의 기울기는 △T/δ이고, 열속은 q”= hg△T = k△T/δ이다. 그러나, 만약 가스갭 내의 압력이 전형적인 기판 척 가스갭들의 경우인 δ~ λ 또는 δ< λ인 값까지 낮춰지고, 열속 q”가 동일하게 유지되면, 온도차 △T는 곡선 C1과 C2에 나타낸 바와 같이 점점 커진다. 고체벽 주변에서의 온도프로파일의 선형프로파일로부터의 이탈현상은 “온도점프(Temperature jump)”이라고 불린다. 이것은 고체벽과 가스 원자 및/또는 분자량, 벽표면 거칠기 및 낮은 가스압력의 영향의 결과이고, 이 모든 것들은 열전달계수를 감소시킨다.
도 2를 참고로 계속하면, 열전달행로의 유효길이는 δ’= δ+ g1 + g2 의 유효가스 갭폭(단 여기서 g1 과 g2 은 “온도점프거리”라고 불린다)을 초래하는 온도점프에 의해 또한 증가한다. 온도점프거리 gi의 크기는 각 가스-고체 경계에서 수용계수(αi)에 의존한다. 수용계수는 α= [Tscat-Tg]/[Ts-Tg](단, 여기서 Ts는 고체표면온도, Tg는 충돌 전 가스온도, Tscat는 고체표면과 충돌 후 산란된 가스의 온도)로 정의된다. 열전달은 가스가 그 온도를 고체벽의 온도에 완전히 적응(Fully accommodates)시키는 것을 의미하는 Tscat = Ts 일 때 가장 효과적이다. 이러한 경우, α=1이다. 일반적으로, α<1이고, 가스압력, 가스와 고체벽 화학종 원자 및/또는 분자량, 그리고 고체표면의 조건(예를 들면, 거칠기와 오염)에 따라 0.01 과 1.0 사이의 어느 값으로 있을 수 있다.
가벼운 단원자가스들은 보다 작은 수용계수를 가진다; 분자가스들은 보다 큰 수용계수를 가진다; 어느 정도까지, 깨끗하거나 부드러운 표면은 오염되거나 울퉁불퉁한 표면보다 더 낮은 수용계수를 가진다. 약간의 조작 후에, λ>>δ일 때 낮은 압력의 한계에서, 온도점프거리는 대략 gi
Figure 112006036310801-pct00007
λ/α일 수 있고, 유효가스 갭폭은 δ’
Figure 112006036310801-pct00008
2λ/α가 된다. 열전달계수(컨덕턴스)는 이제 hg = kg/δ’
Figure 112006036310801-pct00009
kα/2λ가 되며, 더 이상 가스전도도 kg의 단순한 함수가 아니며 비율 α/λ에 매우 강하게 영향받는 함수이다. 실제로, 특정 거칠기의 고체표면의 존재 시에 특정 압력에서, 헬륨과 비교되는 낮은 전도도 kg를 가지는 몇몇 가스에 대하여 비율 α/λ은 결과적으로 비슷한 갭 조건하에서(예를 들면, 갭거리와 가스압력) 헬륨의 열전달계수보다 큰 열전달계수 hg를 만든다는 것이 발견되었다.
제 1 실시예
도 3을 참고하면, 기판공정 중의 증가된 열의 갭 전도를 제공하는, 하부면 (WL)과 상부면(WU)을 가진 기판(W)을 지지하는 척장치(50)의 제 1 실시예가 나타나있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 하부면(WL)은 아래에 설명된 효과를 증가시키기 위해 선택적으로 울퉁불퉁하게 되어 있다. 예를 들면, 하부면(WL)은 미국표준협회(ANSI) 표준 ANSI-B46.1-198로에 의해 정의된 것처럼, 평균거칠기(Ra)가 1㎛ 이상일 수 있도록 울퉁불퉁하게 될 수 있다. 척장치(50)는 진공처리된 내부영역 (56)을 가지는 챔버(54)내부로서 저압환경하에 있다. 척장치(50)는 척몸체(60)로 구성되어 있다. 척몸체(60)는 울퉁불퉁한 상부면(64U)과 하부면(64L)을 가진 상부(64)를 가지며, 반드시 필요하지는 않지만 하부면(64L)에 달려있으며, 상부끝 (68U)과 하부끝(68L)을 가지는 베이스부(68)를 가질 수 있다. 상부면(64U)은 미국표준협회(ANSI) 표준 ANSI-B46.1-1985에 의해 정의된 것처럼, 0.4㎛이상의 거칠기 (Ra)를 가질 수 있다. 상부면(64U)의 거칠기(Ra)는 0.4에서 약 10㎛ 또는 1 내지 약 4㎛일 수 있다. 상부(64)와 베이스부(68)는 원통형 또는 다른 형태일 수 있다. 베이스부(68)는 전형적으로 상부(64)보다 좁거나 가늘게 늘여져 있어, 척몸체(60)는 중심축(A)을 가지는 T형상 단면을 가진다. 베이스부(68)는 하부면(64L)에 부착된 분리된 부재일 수도 있고, 또는 상부(64)와 일체화될 수 있다. 상부는 외부모서리 (70)를 가진다. 척몸체(60, 또는 적어도 상부(64))는 일반적으로 챔버공정에 호환되며 좋은 열전도체인 알루미늄, 스테인레스 스틸 또는 다른 물질로 만들어질 수 있다. 상부면(64U)은 또한 여기서 일반적으로 척몸체 상부면으로 불려진다.
척몸체(60)는 더욱 중심축(A)을 따라 정열되며, 상부실린더부(64)와 하부실린더부(68)를 따라 흐르는 중앙가스도관(80)을 포함한다. 대안적으로, 부분(64)과 부분(68)은 원통형이 아닐 수 있다. 도관(80)은 하부끝(68L)에서 개방된 제 1 끝단 (82a)과 상부면(64U)에서 개방된 제 2 끝단(82b)을 가진다.
척장치(50)는 또한 가스라인(90)을 통하여 제 1 끝단(82a)에서 가스도관에 연결된 가스원(86)을 구비한다. 가스원(86)은 챔버(54)의 외부에 나타나 있지만 내부에 있을 수도 있다.
척장치는 또한 가스원(86)에 전자적으로 접속된 주제어유니트(92)를 포함할 수 있으며, 열전달공정을 제어하기 위해 가스원으로부터의 가스의 운송을 동적으로 제어하기 위해 사용된다. 하나의 실시예에서, 주제어유니트(92)는 모두 전자적으로 접속된, 랜덤억세스메모리(RAM)와 읽기 전용 메모리(ROM) 모두를 가진 메모리유니트(MU), 중앙제어장치(CPU, 예를 들면 인텔사의 펜티엄프로세서(PENTIUMTM)) 및 하드디스크(HD)를 가지는 컴퓨터이다. 하드디스크(HD)는 부수적인 컴퓨터-읽기 가능한(Computer-readable) 저장매체로서 역할을 하며, 예를 들면, 아래에 설명되는 것처럼, 열전달의 제어를 통해 기판온도의 균일성을 제어하기 위한 주제어유니트를 위한 지령에 대응하는 정보를 저장하는 하드디스크 드라이브일 수 있다. 주제어유니트(92)는 또한 하드디스크(HD)에 전기적으로 접속된 디스크드라이브(DD), 메모리 유니트(MD) 및 중앙제어장치(CPU)를 포함할 수 있으며, 여기서 디스크드라이브는 본 발명을 수행하기 위해 주제어유니트(92)용 지령에 대응하는 정보를 저장하는 플로피디스크나 컴팩트디스크(CD)와 같은 컴퓨터-읽기 가능한 매체(CRM)를 받아들이고 읽기(심지어 쓰기까지)를 할 수 있다. 주제어유니트(92)가 데이터 취득과 제어능력을 가지는 것이 또한 바람직하다. 주제어유니트(92)는 델사(Dell Corporation ), 달라스(Dallas), 텍사스(Texas) 및 다른 여러 주변회사로부터 입수가능한 델 프리시전 워크스테이션 610TM(DELL PRECISION WORKSTATION 610TM)과 같은 컴퓨터를 구비할 수 있다.
기판(W)의 하부면(WL)은 공정 중에 상부면(64U)에 인접하여 배열된다. 가스원 (86)으로부터의 가스(94)는 제 1 끝단(82a)으로부터 제 2 끝단(82b)에 중앙가스도관(80)을 통하여 흐르고, 그런 후 기판 하부면(WL)과 외부모서리(70)를 향하는 상부면(64U)사이에서 흐른다. 내부영역(56)의 저압환경에서 가스(94)의 흐름은 척몸체 (60)의 기판 하부면(WL)과 상부면(64U)사이에서 폭(δ)의 저압 갭(100)의 형성을 일으킨다.
상기에서 논의한 바와 같이, 비율(α/λ)이 크면 클수록, 열전달계수는 커지고, 그러므로, 기판(W)과 척몸체(60)의 상부실린더부(64) 사이에서 갭(100)을 통한 열속(Heat flux)은 더욱 커진다. 상기 열속은 화살표(98)로 도시되어 있다. 갭 (100) 내부로의 가스(94)의 흐름은 동적으로 주제어유니트(92)에 의해 제어되어 기판(W)와 척몸체(60) 사이에서의 열전달을 제어할 수 있다.
상부면(64U)의 표면거칠기는 가스의 평균자유경로(λ)에 대한 수용계수(α)의 비율(α/λ)이 최대값 또는 최대값의 1퍼센트, 2퍼센트 또는 5퍼센트 안에 있도록 선택될 수 있다. 표면거칠기의 양은 가스 원자/분자와 기판 및 척표면 사이에서 에너지의 교환의 효율에 영향을 미친다. 울퉁불퉁한 표면을 가진 가스 원자/분자의 상호작용은 부드러운 표면을 가진 가스 원자/분자에 비교하여 더 쉽게 비탄성충돌을 하며, 이것은 더 많은 에너지가 가스 원자/분자와 표면사이에서 교환되는 것을 의미한다. 그러므로 하나 이상의 울퉁불퉁한 표면(즉, 상부면(64U) 및/또는 하부면 (WL))의 사용은 수용계수(α)를 증가시켜 비율(α/λ)을 증가시킨다. 결과는 가스분자와 기판 및 척표면사이에서 열의 보다 효율적인 교환이다. 표면거칠기는 상부면 (64U)을 통하여 균일하거나, 다양한 표면거칠기(좀더 아래에서 논의될) 영역을 구비하거나, 자연스럽게 변하는(예를 들면, 중심축(A)으로부터 반경 바깥방향으로 감소하거나 증가하는) 것이 가능하다.
표면거칠기의 양은 사용되는 가스에 의존한다. 선행기술의 척에서, 상부면 (14)는 전형적으로 거울면으로 연마되며, 이것은 거칠기가 일반적으로 0.1 내지 0.4㎛보다 작은 것을 의미한다. 상부면(64U)이 다른 거칠기를 가진 척은 테스트되어, 척표면과 기판사이에서의 온도차(△T)를 줄이는 것이 사용될 수 있다. 예를 들면, 온도차를 최소화하는 또는 최소값의 5퍼센트, 2퍼센트 또는 1퍼센트 안에 있는 표면거칠기가 선택될 수 있다. 척은 같은 전력환경에서 테스트되어야 하며, 웨이퍼와 척의 온도는, 예를 들면 열전대 또는 형광투시온도센서를 사용하여 측정될 수 있다. 일반적으로, 열전달계수(hg)가 증가한다(예를 들면 온도차(△T)가 감소한다)는 것을 아는 한, (α)나 또는 심지어 (λ)를 알거나 찾을 필요가 없다. 일반적으로 가스를 바꾸는 것은 실험이 반복될 것과 다른 표면거칠기가 사용되어야 한다는 것을 필요로 한다. 척상부면은 원하는 거칠기를 얻기 위해 적절히 거친 모래로 연마될 수 있다.
가스원(86)에 의해 공급된 가스(94)는 헬륨 또는 아르곤일 수 있고, 또는 헬륨 또는 아르곤보다 큰 원자량이나 분자량을 가지거나, 가스들의 혼합일 수 있다. 그러한 원자가스들의 예는 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 불활성기체를 포함한다. 그러한 분자가스들의 예는 C4F8, SF6 뿐만 아니라 C5F 8, C2F6 등과 같은 에칭공정에 일반적으로 사용되는 것들을 포함한다.
제 2 실시예
도 4A와 도 4B를 참고하면, 본 발명의 제 2 실시예로서 기판(W)를 지지하기 위한 제 2 척장치(150)가 나타나있다. 표면(64U)에 평행하게 갭(100)에는 x-y평면이 방향을 위하여 나타나있다. 척장치(150)는, 척장치(150)가 아래에 설명될 몇 가지 추가적인 특징을 포함하는 것을 제외하고는 본질적으로 상기에 설명된 척장치(50)와 같다. 척장치(50)와 같은 척장치(150) 내의 구성요소는 같은 참고번호가 부여되어 있다. 또한, 챔버(54)가 도 4A 및 도 4B에 도시되지 않았을 지라도, 척장치 (150)는 낮은 압력환경(영역(56))하에 있다.
그리하여, 척장치(150)는 척(50)과 같은 구성요소를 포함하며, 동심원상의 가스링(162a 및 162b)에 배열된 상부면(64U) 상에 복수의 가스주입구(160)를 더욱 포함한다. 대안적으로, 구멍(160)은 척의 중심으로부터 방사되는 광선과 같이 배열되어 있을 수 있다. 각 동심원상의 가스링(162a 및 162b)은 상부면(64U)과 하부면 (68L)을 연결하는 대응하는 가스링도관(166a 및 166b)과 공기소통되어 있다. 그리하여, 가스주입구(160)는 표면(64U)에서 도관(166a 및 166b)의 한 끝단에서 개구를 가진다. 2개의 동심원상의 가스링과 2 개의 대응하는 가스도관이 도시를 위해 나타나 있을지라도, 실질적으로 하나 이상의 동심원상의 가스링과 가스도관이 채용될 수 있다.
척장치(150)는 가스주입구(160)를 통하여 제 2 및 제 3 가스들(194A 및 194B )을 상부면(64U)에 공급하기 위해, 추가적으로 각 가스공급라인(190A 및 190B)을 통하여 대응하는 가스도관(166a 및 166b)에 공기소통되도록 연결된 부수적인 가스원 (186A 및 186B, (즉, 제 2 및 제 3 가스원, 여기서 가스원(86)이 제 1 또는 주가스원이다.))을 포함한다. 그리하여, 상부면(64U)은 제 1 가스원(86)으로부터 가스(94)를, 가스원(186A)으로부터 제 2 가스(194A)를, 그리고 제 3 가스원(186B)으로부터 제 3 가스(194B)를 받는다. 제 2 및 제 3 가스(194A 및 194B)는 헬륨 또는 아르곤이거나, 각각이 헬륨 또는 아르곤보다 큰 평균원자/분자량을 가지거나 또는 가스의 혼합물일 수 있다.
계속하여 도 4A 와 도 4 B를 참고로 하면, 하나 이상의 다른 가스혼합물을 도관(80, 166a, 166b)을 통하여 상부면(64U)에 공급하기 위해, 척장치(150)는 몇몇 또는 모든 가스원(86, 186A 및 186B)에 접속된 다채널 가스혼합기(200)를 포함할 수 있다. 이것은 척장치(150)가 갭(100)내에 다른 체적구역 Zi(예를 들면, Z1, Z2 , Z3)를 가지는 것을 허용하며, 여기서 비율(kα/λ)i들은 다른 영역내의 갭(100) 내로 다른 조성의 가스혼합물을 도입하기 때문에 다르다. 그러므로, 척장치(150)의 구성은 갭(100) 내부의 x-y 방향으로 열전달계수를 공간적으로 변화시키는 것을 허용하며, 이에 의해 물질(W)의 온도균일성을 조절하기 위한 방법을 제공한다. 이러한 특징은 특히 공간적으로 다양한 방식으로 기판을 가열하는 공정에 유용한다.
척장치(150)에서, 주제어유니트(92)는 전기적으로 주가스원(86), 부수적인 가스원(186A 및 186B) 및 다채널 가스혼합기(200)에 접속된다. 이것은 이러한 가스원으로부터 가스의 혼합을 동적으로 제어하는 것과 기판으로부터 척몸체(60)로의 열전달을 제어하기 위해 갭내로의 혼합가스의 흐름을 제어하는 것을 가능하게 한다.
제 3 실시예
도 5는 본 발명의 척장치(300)의 평면도이다. 반경좌표(r)가 참고로 나타나 있다. 척장치(300)는 도 4A 및 도 4B와 관련하여 상기에 설명된 척장치(150)에 대다수의 면에서 동일하다. 척장치(150)와 척장치(300)간의 차이는 척장치(300)의 표면(64U)이 다른 표면거칠기(σi(예를 들면, 각각 σ1,σ2 및 σ3)를 가지는 환상영역(Ri(예를 들면, R1, R2, R3)을 가진다. 영역(R1 , R2, R3)은 동심원상의 가스링(162a 및 162b)에 의해 정의될 수 있으며, 그 각각은 척장치(150)와 관련하여 상기에 설명한 바와 같이 복수의 가스구멍(160)을 구비한다. 척장치(300)에서, 영역 (Ri)에 대응하는 다른 구역(Zi)에서 가스의 평균자유경로(λ)에 대한 수용계수(α)의 비율은 2개의 인자에 의해 매우 다를 수 있다. 제 1 의 인자는 상부면(64U)의 영역(Ri)에 대응하는 다른 구역(Zi) 내로 주입된 다른 가스이다. 제 2 의 인자는 다른 표면거칠기(σi) 영역(Ri)이다. 표면거칠기(σ1, σ2 및 σ 3)의 대표적인 값은 2, 8 및 16㎛의 (Ra) 이다. 그러므로, 구역(Zi)에서의 가스갭전도에 기인하는 열전달은 척장치(150)에서 보다 훨씬 더 크고, 상당히 다를 수 있다. 척장치(300)는 그러므로 기판온도균일성을 제어하고, 기판(W)을 냉각하기 위하여 더욱 범용적인 시스템을 제공한다. 온도균일성을 제어하기 위한 필요에 따라, 보다 크거나 적은 구역(Zi)이 형성될 수 있다.
제 2 및 제 3 실시예에서 다채널 가스혼합기(200)는 주가스원(86)과 부수적인 가스원(186A 및 186B)으로부터의 2이상의 가스로부터 조성이 변하는 가스혼합물 내로 2이상의 성분가스를 혼합하기 위해 사용된다. 상기에 설명되고 도 4A 및 도 4B에 나타낸 세 개의 가스원의 사용은 도시를 위한 것이라는 것과 여하의 적절한 수의 가스원이 매우 다양한 가스혼합물을 얻기 위해 가스혼합기(200)에 접속될 수 있음은 본 기술이 속하는 당업자에게는 분명할 것이다. 본 발명에 있어서, 다른 kα/λ 값을 가진 2이상의 다른 가스들이 넓은 범위의 kα/λ 가지는 가스혼합물과, 그럼으로써 넓은 범위의 열전달계수 얻어질 수 있도록 사용될 수 있다. 예를 들면, C4F8 또는 SF6와 같은 무거운 공정가스나 크세논과 같은 무거운 불활성원자가스가 두 번째 혼합가스로 역할을 하고, 헬륨은 첫 번째 혼합가스로서 역할을 할 수 있다. 이때, 다채널 가스혼합기(200)는 낮은 값(예를 들면, 순수한 헬륨가스)과 높은 값(예를 들면, 순수한 무거운 가스) 사이의 열전달계수를 가지는 2(또는 그 이상의) 가스혼합물을 제공한다.
척장치(150)에서의 표면(64U)의 거칠기와 영역(Ri)에서의 표면(64U)의 거칠기는 기판(W)의 공정 중에 쉽게 변하지 않는다. 만약 표면거칠기 값(σ또는 σi)을 얻을 수 있는 열전달계수의 범위와 가스혼합물조성의 범위는 충분히 넓지 않으며, 또한 척몸체(60)의 상부 실린더부(64)는 다른 표면거칠기(σ또는 σi)를 가지는 다른 것으로 대체될 수 있다. 이것은 다른 범위의 열전달계수가 얻어질 수 있도록 해준다.
마지막 2가지 실시예 중 어느 하나에 있어서, 다른 영역(Ri)은 기판의 가열에 대응하는 형상일 수 있다. 예를 들면, 기판공정이 기판의 반경방향 가열을 유도하면, 설명된 바와 같이 환상영역(Ri)이 가장 이로울수 있다. 그러나, 다른 형태도, 특히 기판가열분포가 비 반경방향일 때, 사용될 수 있다. 또한, 상기에 언급한 바와 같이, 표면거칠기(σ)는 위치의 부드러운(Smooth)함수(즉, σ(x,y) 또는 σ(r), 단 여기서 r은 반지름 길이(x2+y2)1/2)일 수 있어, 불연속 영역(R)은 존재하지 않으며 (σ)가 연속적으로 변하는 하나의 영역(R)이 존재할 수 있다.
본 발명의 많은 장점과 특징이 상세한 설명으로부터 분명하며, 그러므로 본 발명의 진정한 사상과 범위내에 상술한 방법의 모든 특징과 장점을 포함할 수 있도록 첨부되는 청구항이 의도된다. 더욱, 수 많은 변화와 수정이 본 발명의 속하는 당업자에게 자명할 것이기 때문에, 설명하고 도시한 정확한 구성과 작동으로 본 발명을 한정하지 않는다. 따라서, 모든 적절한 수정과 대체물은 청구되는 본 발명의 사상과 범위내에 포함되도록 고려되어야 한다.

Claims (50)

  1. 기판 상부면에 대한 처리과정에서 기판으로부터의 열전달을 촉진하기 위해 상부면과 하부면을 가지는 기판을 지지하는 척장치에 있어서,
    외부모서리와, 기판의 하부면과의 사이에서 갭을 형성할 수 있도록 인접하여 배치된 울퉁불퉁한 상부면을 가진 척몸체 및;
    상기 척몸체를 통해 흐르고, 상기 울퉁불퉁한 상부면에 개방된 제 2 끝단과 상기 제 2 끝단 반대편의 제 1 끝단을 가지며, 이를 통하여 가스가 상기 갭내부로 흐르고, 상기 척몸체 외부모서리를 향하여 흐를 수 있는 가스도관으로 구성되며,
    상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, α가 울퉁불퉁한 상부면의 수용계수이며 λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 5퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는 0.4㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 척장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는 0.4 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 척장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는 1 내지 4㎛인 것을 특징으로 하는 척장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, α가 울퉁불퉁한 상부면의 수용계수이며 λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 2퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, α가 울퉁불퉁한 상부면의 수용계수이며 λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 1퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 거칠기는 비율(α/λ)이 최대값이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, 상기 울퉁불퉁한 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 5퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, 상기 울퉁불퉁한 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 2퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는, 상기 울퉁불퉁한 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 1퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면의 거칠기는 온도차가 최소값이 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 척장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 척몸체에 형성되고, 각각 가스주입구멍이 하나 이상의 동심원상의 가스링 또는 구멍형태에 배열된 것으로 상기 울퉁불퉁한 상부면에서 끝나는 복수의 제 2 끝단과, 상기 복수의 제 2 끝단의 반대편에 제 1 끝단을 가지는 하나 이상의 추가적인 가스도관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 울퉁불퉁한 상부면 상에 다른 표면거칠기를 가진 2이상의 영역을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 2 이상의 영역은 상기 동심원상의 가스링 또는 구멍형태(Hole patterns)들에 의해 경계가 형성되는 것을 특징으로 하는 척장치.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 표면거칠기의 양은 상기 상부면을 가로질러 중심으로부터 외곽쪽 반경 방향으로 변하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 끝단에서 상기 중앙의 가스도관과 접속된 주가스원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 가스원은 헬륨보다 큰 원자량 또는 분자량을 가지는 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 가스원은 아르곤보다 큰 원자량 또는 분자량을 가지는 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 주가스원은 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논으로 구성된 가스 군으로부터 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 하나이상의 가스링 또는 형태, 도관 제 2 끝단에 접속된 하나 이상의 부수적인 가스원을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부수적인 가스원은 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 또는 크세논으로 구성된 가스 군으로부터 적어도 하나의 가스를 저장하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  23. 제 13 항에 있어서,
    2 이상의 가스원과;
    상기 2 이상의 가스원으로부터의 가스들로 구성된 가스혼합물을 제공하기 위해, 상기 2 이상의 가스원 및 상기 울퉁불퉁한 상부면으로부터 연장되는 2 이상의 대응하는 가스도관들에 접속된 다채널 가스혼합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  24. 제 18 항에 있어서, 상기 갭으로의 가스의 운송을 동적으로 제어하기 위해 상기 가스원에 전기적으로 접속된 주제어유니트를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  25. 제 21 항에 있어서, 상기 갭으로의 가스의 운송을 동적으로 제어하기 위해 상기 주가스원과 상기 2 이상의 부수적인 가스원에 전기적으로 접속된 주제어유니트를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  26. 제 23 항에 있어서, 상기 갭으로의 가스의 운송을 동적으로 제어하고, 상기 가스혼합물을 형성하기 위해 상기 2 이상의 가스원으로부터의 가스들의 혼합을 제어하기 위한 상기 다채널 가스혼합기에 전기적으로 접속된 주제어유니트를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 척장치.
  27. 저압환경에서, 하부면과 상부면을 가지는 기판으로부터 중심, 외부모서리 및 상부면을 가지는 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법이며:
    울퉁불퉁한 상부면을 가진 척몸체의 상부면을 준비하는 공정;
    기판을 상기 울퉁불퉁한 면에 인접하게 배열함에 의해 상기 울퉁불퉁한 상부면과 기판의 하부면 사이에 갭을 형성하는 공정 및;
    가스가 외부모서리를 향하여 흐르도록 상기 갭내로 적어도 하나의 가스를 운송하는 공정으로 구성되며,
    상기 척몸체의 상부면의 거칠기는, α가 척몸체 상부면의 수용계수이고, λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 5퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가스는 헬륨보다 무거운 원자량 또는 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가스는 아르곤보다 무거운 원자량 또는 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  30. 제 27 항에 있어서, 상기 표면거칠기의 양, 상기 기판하부면, 가스의 종류 및 가스의 흐름이, 비율(α/λ)이 헬륨보다 크도록 수용계수(α) 및 평균자유경로(λ)를 규정하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  31. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체의 상부면의 거칠기는 0.4㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  32. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체의 상부면의 거칠기는 0.4 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  33. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체의 상부면의 거칠기는 1 내지 4㎛인 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  34. 삭제
  35. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체의 상부면의 거칠기는, α가 상부면의 수용계수이고, λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 2퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  36. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체의 상부면의 거칠기는, α가 상부면의 수용계수이고, λ가 가스의 평균자유경로일 때, 비율(α/λ)이 그 비율 중의 최대값의 1퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 거칠기는 비율(α/λ)이 최대값이 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  38. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체 상부면의 거칠기는 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 5퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  39. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체 상부면의 거칠기는 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 2퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  40. 제 27 항에 있어서, 상기 척몸체 상부면의 거칠기는 상부면과 기판 사이의 온도차가 그 온도차 중의 최소값의 1 퍼센트 이내이도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  41. 제 40 항에 있어서, 상기 척몸체 상부면의 거칠기는 상기 온도차가 최소값이 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  42. 제 27 항에 있어서, 상기 준비하는 공정은 다른 표면거칠기의 양을 가지는 복수의 영역을 척몸체 상부면 상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  43. 제 27 항에 있어서, 상기 준비하는 공정은 위치의 함수로서 변하는 표면거칠기의 양을 가지는 울퉁불퉁한 표면을 척몸체 상부면 상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  44. 제 27 항에 있어서, 상기 운송하는 공정은 갭 내에서 2이상의 다른 가스를 다른 구역내로 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  45. 제 27 항에 있어서, 상기 운송하는 공정은, 열전달의 양을 제어하기 위해 적어도 하나의 가스의 흐름을 동적으로 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  46. 제 44 항에 있어서, 상기 운송하는 공정은, 열전달의 양을 제어하기 위해 2이상의 다른 가스들을 동적으로 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  47. 제 27 항에 있어서, 상기 운송하는 공정 후에, 척몸체의 상부면을 제 2의 표면거칠기 양을 가지는 새로운 상부면으로 대체하는 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  48. 제 42 항에 있어서, 상기 운송하는 공정 후에, 척몸체의 상부면을 다른 표면거칠기 양을 가진 제 2 의 복수의 영역들을 가지는 새로운 상부면으로 대체하는 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  49. 제 27 항에 있어서, 상기 운송하는 공정 중이나 후에, 기판의 상부면을 처리하는 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 처리하는 공정은 기판의 상부면을 플라즈마에 인가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판으로부터 척몸체로의 열전달을 촉진하는 방법.
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