KR100648243B1 - 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드 - Google Patents

낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드 Download PDF

Info

Publication number
KR100648243B1
KR100648243B1 KR1020040018967A KR20040018967A KR100648243B1 KR 100648243 B1 KR100648243 B1 KR 100648243B1 KR 1020040018967 A KR1020040018967 A KR 1020040018967A KR 20040018967 A KR20040018967 A KR 20040018967A KR 100648243 B1 KR100648243 B1 KR 100648243B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
nand flash
flash memory
card
host
Prior art date
Application number
KR1020040018967A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050093494A (ko
Inventor
김경애
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040018967A priority Critical patent/KR100648243B1/ko
Priority to US11/025,731 priority patent/US7356646B2/en
Priority to JP2005042946A priority patent/JP2005267628A/ja
Priority to DE102005013683A priority patent/DE102005013683A1/de
Publication of KR20050093494A publication Critical patent/KR20050093494A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100648243B1 publication Critical patent/KR100648243B1/ko
Priority to US12/025,667 priority patent/US20080195815A1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/30—Filter housing constructions
    • B01D35/306—Filter mounting adapter
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1668—Details of memory controller
    • G06F13/1694—Configuration of memory controller to different memory types
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/14—Safety devices specially adapted for filtration; Devices for indicating clogging
    • B01D35/153—Anti-leakage or anti-return valves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B01D39/14—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/02—Reverse osmosis; Hyperfiltration ; Nanofiltration
    • B01D61/025—Reverse osmosis; Hyperfiltration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/08—Hollow fibre membranes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
    • B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/28—Treatment of water, waste water, or sewage by sorption
    • C02F1/283—Treatment of water, waste water, or sewage by sorption using coal, charred products, or inorganic mixtures containing them
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
    • C02F1/441—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by reverse osmosis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2201/00—Details relating to filtering apparatus
    • B01D2201/16—Valves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2201/00—Details relating to filtering apparatus
    • B01D2201/34—Seals or gaskets for filtering elements
    • B01D2201/347—Radial sealings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2239/00—Aspects relating to filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B01D2239/06—Filter cloth, e.g. knitted, woven non-woven; self-supported material
    • B01D2239/0604—Arrangement of the fibres in the filtering material
    • B01D2239/0618—Non-woven

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 낸드 플래시 메모리를 사용한 메모리 카드에 관한 것이다. 상기 메모리 카드는 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식을 사용하는 호스트에 접속된다. 상기 메모리 카드는 낸드 플래시 메모리 이외에 컨트롤러를 더 포함한다. 상기 낸드 플래시 메모리는 상기 호스트에서 지원하는 인터페이스 방식과 다른 인터페이스 방식을 사용하며, 상기 컨트롤러는 상기 호스트의 인터페이스 방식을 상기 낸드 플래시 메모리의 인터페이스 방식으로 변환한다.

Description

낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드{MEMORY CARD USING NAND FLASH MEMORY}
도 1은 소용량 메모리 카드의 실시예를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 대용량 메모리 카드를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 컨트롤러의 제 1 실시예를 보여주는 개략도이다.
도 4는 도 2에 도시된 컨트롤러의 제 2 실시예를 보여주는 개략도이다.
도 5는 대용량 메모리 카드에서 소거 동작을 보여주는 개념도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 호스트 2 : 소용량 xD 카드
3 : 대용량 xD 카드 10 : 소용량 낸드 플래시 메모리
100 : 컨트롤러 110, 150 : 버퍼
120 : 커맨드 변환회로 130 : 어드레스 변환회로
140 : 버퍼 메모리 200 : 대용량 낸드 플래시 메모리
본 발명은 메모리 카드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낸드 플래시 메모리를 내장한 메모리 카드 및 그것의 동작 방법에 관한 것이다.
디지털 카메라 등과 같은 디지털 기기의 보조기억장치로 이용되는 기록매체는 종이에 구멍을 뚫은 천공카드로부터 시작되어 플로피디스크 및 하드디스크와 같은 자기 디스크, 그리고 CD, DVD와 같은 광디스크를 거쳐 최근에는 스마트 미디어 카드(Smart Media Card), 멀티미디어 메모리 카드(Multimedia Memory Card)와 같은 카드 형태의 메모리 카드에 이르기까지 다양하게 발전되어 왔다. 위와 같은 기록매체로는 다소 변형이 가해진 것도 있지만 지금까지도 각각 다양한 분야에서 널리 이용되고 있다.
최근 개발된 플래시 메모리 기반의 메모리 카드는 작고 간편하며 데이터 전달 속도가 빨라서 매우 각광을 받고 있다. 최근 디지털 카메라용 메모리 카드로 개발된 익스트림 디지털 픽쳐 카드(extreme Digital picture card; 이하, xD 카드)는 좋은 예가 된다.
xD 카드는 낸드 플래시 메모리를 사용한 메모리 카드의 일종으로서, 기존의 스마트 미디어 카드의 단점인 크기와 용량의 한계를 보완하기 위해 개발된 차세대 플래시 메모리 카드이다.
xD 카드는 낸드 플래시 메모리 직접 접속 방식에 의해 호스트(예를 들면, 디지털 카메라)와 연결된다. 따라서, 플래시 메모리를 사용하는 기존의 컴팩트 플래시 카드, SD(Secure Digital) 카드, 메모리 스틱, 멀티미디어 메모리 카드 등에 비해 크기(25×20×1.7(mm))가 작으면서 데이터 저장 용량이 크고, 전원 소비가 낮으 면서 전송 속도가 빠른 장점이 있다.
xD 카드에는 16킬로바이트(KiloByte; 이하, KB)의 블록 사이즈를 갖는 소용량 낸드 플래시 메모리를 사용하는 소용량 xD 카드와 128KB의 블록 사이즈를 갖는 대용량 플래시 메모리를 사용하는 대용량 xD 카드로 나눌 수 있다. 그러나 문제는 xD 카드의 메모리로 사용되는 소용량 낸드 플래시 메모리와 대용량 낸드 플래시 메모리가 각각 다른 인터페이스(interface) 방식을 사용한다 점이다.
따라서, 소용량 xD 카드를 지원하는 호스트에 대용량 xD 카드를 직접 사용할 수 없는 문제가 발생한다. 반대로, 대용량 xD 카드를 지원하는 호스트에 소용량 xD 카드를 직접 사용할 수도 없다. 이러한 문제는 xD 카드에 국한되는 문제가 아니며 플래시 메모리를 기반으로 제작된 메모리 카드에 공통되는 문제라 할 수 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 인터페이스 방식을 달리하는 호스트와 호환되는 메모리 카드를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 메모리 카드는, 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식(이하, 제 1 인터페이스 방식)을 사용하는 호스트에 접속되며, 상기 제 1 타입과 다른 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식(이하, 제 2 인터페이스 방식)을 사용하는 낸드 플래시 메모리와; 상기 제 1 인터페이스 방식을 상기 제 2 인터페이스 방식으로 변환하는 컨트롤러를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리는 16KB의 블록 사이즈를 가지는 소용량 낸드 플래시 메모리이고, 상기 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 128KB의 블록 사이즈를 가지는 대용량 낸드 플래시 메모리이다. 반대의 실시예로서, 상기 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리는 대용량 낸드 플래시 메모리이고 상기 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 소용량 낸드 플래시 메모리이다.
이 실시예에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 호스트로부터 어드레스 및 커맨드를 받아들이는, 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 어드레스 및 커맨드를 변환하는, 그리고 상기 변환된 어드레스 및 커맨드를 상기 낸드 플래시 메모리에 제공한다. 또한, 상기 컨트롤러는, 상기 호스트와 상기 낸드 플래시 메모리 사이에서 데이터를 전달한다.
이 실시예에 있어서, 상기 메모리 카드는, 익스트림 디지털 픽쳐 카드(xD 카드)이다.
본 발명의 다른 측면에 따른 메모리 카드는, 제 1 인터페이스 방식을 사용하는 호스트에 연결되며, 제 2 인터페이스 방식을 사용하는 낸드 플래시 메모리와; 상기 제 1 인터페이스 방식을 상기 제 2 인터페이스 방식으로 변환하는 컨트롤러를 포함하되, 상기 컨트롤러는, 상기 호스트로부터 커맨드 및 어드레스를 받아들이는 제 1 버퍼와; 상기 제 1 버퍼로부터 커맨드를 받아들여서 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 커맨드를 변환하는 커맨드 변환회로와; 상기 제 1 버퍼로부터 어드레스를 받아들여서 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 어드레스를 변환하는 어드레스 변환회로와; 그리고 상기 변환된 커맨드 및 어 드레스를 상기 낸드 플래시 메모리에 제공하는 제 2 버퍼를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 컨트롤러는, 데이터를 저장하는 버퍼 메모리를 더 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 카드는, 익스트림 디지털 픽쳐 카드(xD 카드)이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 제 1 인터페이스 방식을 사용하는 호스트에 접속되는, 그리고 제 2 인터페이스 방식을 사용하는 낸드 플래시 메모리를 포함하는 메모리 카드의 동작 방법은, a) 상기 호스트로부터 커맨드 및 어드레스를 받아들이는 단계와; b) 상기 커맨드 및 어드레스를 상기 제 2 인터페이스 방식으로 변환하는 단계와; 그리고 c) 상기 변환된 커맨드 및 어드레스를 상기 낸드 플래시 메모리에 제공하는 단계를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 동작 방법은 소거 동작 방법인 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 소거 동작 방법은, d) 소거할 제 1 블록에 유효한 데이터가 포함된 경우 상기 유효한 데이터를 상기 제 1 블록과 다른 제 2 블록에 옮기는 단계와; e) 상기 제 1 블록을 소거하는 단계를 더 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 메모리 카드는, 익스트림 디지털 픽쳐 카드(xD 카드)인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
낸드 플래시 메모리는 크게 소용량 낸드 플래시 메모리(이하, 소용량 메모리)와 대용량 낸드 플래시 메모리(이하, 대용량 메모리)로 나눌 수 있다. 표 1은 소용량 메모리와 대용량 메모리의 주요 차이점을 보여준다.
소용량 낸드 플래시 메모리 대용량 낸드 플래시 메모리
블록 사이즈 16KB 128KB
단자수(전원단자제외) 15개 16개 (PRE추가)
커맨드 표2 참조 표3 참조
쓰기단위(스페어제외) 512B 2KB
읽기단위(스페어제외) 512B 2KB
소거단위(스페어제외) 16KB 128KB
표 1을 참조하면, 소용량 메모리는 16KB의 블록 사이즈를 갖는다. 또한, 상기 소용량 메모리는 전원단자를 제외하고 15개의 단자(7개의 제어신호 단자와 8개의 입출력 단자)를 가진다. 그러나 128KB의 블록 사이즈를 갖는 대용량 메모리는 소용량 메모리의 15개 단자외에 PRE(Power_on Read Enable) 단자를 더 가지고 있다. 여기서 PRE 단자는 자동 읽기 동작(auto read operation)을 제어하기 위한 것이다.
소용량 메모리는 512 바이트(Byte; 이하,B)(스페어 영역은 제외)의 페이지 단위로 읽기 및 쓰기 동작을 수행하고, 16KB(스페어 영역은 제외)의 블록 단위로 소거 동작을 수행한다. 그러나 대용량 메모리는 2KB(스페어 영역은 제외)의 페이지 단위로 읽기 및 쓰기 동작을 수행하고, 128KB(스페어 영역은 제외)의 블록 단위로 소거 동작을 수행한다.
또한, 상기 소용량 메모리와 대용량 메모리는 커맨드 입력 방식을 달리한다. 표 2와 표 3은 소용량 메모리와 대용량 메모리에서 주로 사용되는 커맨드이다.
Function 1st. Cycle 2nd. Cycle 3rd. Cycle
Read 1 00h / 01h - -
Read 2 50h - -
Page Program 80h 10h -
Copy-Back Program 00h 8Ah 10h
Block Erase 60h D0h -
Function 1st. Cycle 2nd. Cycle
Read 00h 30h
Page Program 80h 10h
Copy-Back Program 85h 10h
Block Erase 60h D0h
표 2와 표 3을 비교해 보면, 소용량 메모리와 대용량 메모리의 커맨드 입력 방식이 다름을 알 수 있다. 소용량 메모리에서는 1 사이클, 또는 3 사이클에 걸쳐 커맨드가 입력되지만, 대용량 메모리에서는 2 사이클에 걸쳐 커맨드가 입력된다. 예를 들면, 읽기(Read) 동작의 경우, 소용량 메모리에서는 '00h' 혹은 '01h'가 1 사이클에 걸쳐 입력되지만, 대용량 메모리에서는 2 사이클에 걸쳐 '00h' 및 '30h'가 입력된다.
또한, 소용량 메모리와 대용량 메모리의 커맨드 입력 값이 다를 수 있다. 예를 들면, '01h', '50h' 등은 소용량 메모리에서만 사용되고, 대용량 메모리에서는 사용되지 않는다. 그리고 읽기(Read) 동작에 있어서, 소용량 메모리에서는 '01h' 또는 '01h' 또는 '50h' 가 사용되지만, 대용량 메모리에서는 '00h' 및 '30h'가 사용된다.
상술한 바와 같은 소용량 메모리와 대용량 메모리의 인터페이스 방식 상의 차이로 인해, 소용량 메모리를 사용한 메모리 카드(이하, 소용량 메모리 카드)에 맞추어 제작된 호스트에 대용량 메모리를 사용한 메모리 카드(이하, 대용량 메모리 카드)를 직접 사용할 수 없다. 반대로, 소용량 메모리 카드는 대용량 메모리 카드에 호환되는 호스트에 직접 사용될 수 없다.
도 1은 소용량 메모리 카드의 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 1에서 상기 소용량 메모리 카드는 소용량 xD 카드(2)이다. 상기 소용량 xD 카드(2)는 소용량 메모리(10)를 구비한다. 상기 소용량 메모리(10)는 512Mb(Mega bit; 이하, Mb)의 메모리 용량을 가진다.
상기 소용량 xD 카드(2)는 호스트(1)에 직접 연결되며, 상기 호스트(1)에 의해 직접 액세스 된다. 이는 상기 호스트(1)와 소용량 메모리(10)가 동일한 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식을 사용하기 때문이다. 상기 호스트(1)와 소용량 메모리(10)는 전원단자(VCC, VSS), 제어신호 단자(R/nB, nCE, nRE, CLE, ALE, nWE, nWP), 그리고 입출력 단자(I/0[7:0])를 공통으로 가진다. 상기 소용량 메모리(10)는 상기 입출력 단자를 통해 커맨드, 어드레스, 그리고 데이터를 바이트(Byte) 단위로 받아들여서 읽기/쓰기/소거 동작 등을 수행한다.
상기 소용량 메모리(10)는 16KB의 블록 사이즈 및 512B의 페이지 사이즈를 가진다. 따라서 상기 소용량 xD 카드(2)는 16KB 단위로 소거 동작을 수행하고, 512B 단위로 읽기 및 쓰기 동작을 수행한다.
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 대용량 메모리 카드를 보여주는 블록도이다. 도 2에서 상기 대용량 메모리 카드는 대용량 xD 카드(3)이다.
상기 대용량 xD 카드(3)는 대용량 메모리(200)를 구비한다. 상기 대용량 메 모리(200)는 1Gb(Giga bit; 이하, Gb)의 메모리 용량을 가진다. 상기 대용량 메모리(200)는 전원단자(VCC, VSS), 제어신호 단자(R/nB', nCE', nRE', CLE', ALE', nWE', nWP'), 입출력 단자(I/0'[7:0]), 그리고 PRE 단자를 가진다. 상기 PRE 단자는 자동 읽기 동작(auto read operation)을 제어하기 위한 것으로서, 도 2에서는 예로서 그라운드(ground)에 연결된다.
상기 대용량 메모리(200)는 128KB의 블록 사이즈 및 2KB의 페이지 사이즈를 가지며, 블록 단위(128KB)로 소거 동작을 수행하고, 페이지 단위(2KB)로 읽기 및 쓰기 동작을 수행한다.
한편, 호스트(1)는 도 1에 도시된 것과 동일하며 소용량 메모리 카드(2)와 호환된다. 상기 호스트(1)의 인터페이스 방식은 소용량 메모리(도 1 참조)(10)의 인터페이스 방식과 일치되지만, 상기 대용량 메모리(200)의 인터페이스 방식과는 일치되지 않는다. 따라서, 상기 대용량 메모리(200)를 상기 호스트(1)에 직접 연결하여 사용할 수 없다.
상기 대용량 xD 카드(3)는 상기 호스트(1)와 대용량 메모리(200)의 인터페이스 방식의 불일치를 보완하기 위해 컨트롤러(100)를 더 포함한다. 상기 컨트롤러(100)는 상기 호스트(1)의 인터페이스 방식을 상기 대용량 메모리(200)의 인터페이스 방식으로 변환한다. 예를 들면, 상기 컨트롤러(100)는 상기 호스트(1)로부터 어드레스 및 커맨드를 받아들여서 상기 대용량 메모리(200)에서 사용될 수 있도록 상기 어드레스 및 커맨드를 변환하고 상기 변환된 어드레스 및 커맨드를 상기 대용량 메모리(200)에 제공한다.
도 3은 도 2에 도시된 컨트롤러의 제 1 실시예를 보여주는 개략도이다. 도 3을 참조하면, 상기 컨트롤러(100)는 제 1 버퍼(110), 커맨드 변환회로(120), 어드레스 변환회로(130), 그리고 제 2 버퍼(150)를 포함한다.
상기 제 1 버퍼(110)는 호스트(도 2 참조)(1)의 입출력 단자(I/O)에 연결되어 바이트 단위로 데이터를 받아들여서 커맨드(ECMD), 어드레스(EADDR), 데이터(DATA)를 발생한다.
상기 커맨드 변환회로(120)는 상기 제 1 버퍼(110)로부터 커맨드(ECMD)를 받아들여서 대용량 메모리(도 2참조)(200)에서 사용할 수 있는 커맨드(ICMD)로 변환한다. 상기 커맨드 변환회로(120)가 필요한 이유는 호스트(도 2 참조)(1)와 상기 대용량 메모리(200)가 읽기/쓰기/소거 동작 등에 대해 서로 다른 커맨드 입력 방식 또는 커맨드 입력 값을 사용하기 때문이다. 상기 커맨드 변환회로(120)는 상기 호스트(1)와 대용량 메모리(200)가 서로 다른 커맨드를 사용하기 때문에 발생되는 문제를 보완하기 위해 상기 호스트(1)로부터 커맨드(ECMD)를 받아들여서 상기 대용량 메모리(200)의 인터페이스 방식에 적합한 커맨드(ICMD)로 변환한다.
예를 들면(표 2와 표 3 참조), 상기 호스트(1)로부터 읽기 동작을 명하는 '00h' 커맨드가 입력되면, 상기 커맨드 변환회로(120)는 상기 '00h' 커맨드를 '00h'와 '30h'로 변환한다. 상기 대용량 메모리(200)에서는 사용되지 않는 '01h' 또는 '50h' 커맨드가 입력되는 경우에도, 상기 커맨드 변환회로(120)는 상기 '01h' 또는 '50h'를 '00h'와 '30h'로 변환한다.
상기 어드레스 변환회로(130)는 상기 제 1 버퍼(110)로부터 어드레스(EADDR) 를 받아들여서 상기 대용량 메모리(200)에서 사용될 수 있는 어드레스(IADDR)로 변환한다. 상기 어드레스 변환회로(130)는 어드레스 맵핑 테이블(address mapping table)(미도시)을 참조하여 동작된다. 상기 어드레스 변환회로(130)는 상기 호스트(1)로부터 받아들인 어드레스를 어드레스 맵핑 테이블을 이용하여 상기 대용량 메모리(200)에서 사용될 수 있는 어드레스로 변환한다.
상기 어드레스 변환회로(130)는 상기 호스트(1)와 대용량 메모리(200) 사이에서 읽기 및 쓰기 동작의 기본 단위가 달라서 발생되는 문제점을 해결한다. 상기 호스트(1)에서 제공하는 쓰기/읽기 동작의 기본 단위인 페이지 사이즈는 512B이고, 상기 대용량 메모리(200)의 쓰기/읽기 동작의 기본 단위인 페이지 사이즈는 2KB이다. 상기 대용량 메모리(200)의 페이지는 512B씩 4개의 소단위로 구분될 수 있다. 따라서 상기 대용량 메모리(200)의 한 페이지는 상기 호스트(1)에서 제공하는 4개의 페이지와 사이즈가 동일하다.
읽기 및 쓰기 동작시, 상기 어드레스 변환회로(130)는 상기 호스트(1)로부터 소스 어드레스(source address)를 받아들인다. 상기 소스 어드레스는 512B 단위로 관리되는 소용량 메모리(도 1참조)(10)에 적합한 어드레스이며, 2KB 단위로 관리되는 상기 대용량 메모리(200)에는 사용될 수 없는 어드레스이다. 상기 어드레스 변환회로(130)는 어드레스 맵핑 테이블을 이용하여 상기 소스 어드레스를 해석한 다음, 상기 대용량 메모리(200)에서 사용될 수 있는 타겟 어드레스(target address)로 변환한다.
상기 제 2 버퍼(150)는 상기 커맨드 변환회로(120)로부터 발생된 커맨드(ICMD), 상기 어드레스 변환회로(130)로부터 발생된 어드레스(IADDR)를 받아들여서 입출력 단자(I/O')를 통해 상기 대용량 메모리(200)에 바이트 단위로 내보낸다.
상기 컨트롤러(100)는 호스트(도 2 참조)(1)로부터 인가된 데이터를 대용량 메모리(도 2 참조)(200)에 전달한다. 또는 상기 대용량 메모리(200)로부터 출력된 데이터를 상기 호스트(1)로 전달한다.
도 4는 도 2에 도시된 컨트롤러의 제 2 실시예를 보여주는 개략도이다. 도 3에 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다. 다만, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 컨트롤러(100)는 버퍼 메모리(140)를 더 포함한다. 상기 버퍼 메모리(140)는 상기 호스트(1)로부터 인가된 데이터를 임시로 저장한 다음 상기 대용량 메모리(200)에 전달한다. 또는 상기 대용량 메모리(200)로부터 출력된 데이터를 임시로 저장한 다음 상기 호스트(1)에 전달한다.
도 5는 도 2에 도시된 대용량 메모리 카드의 소거 동작을 보여주는 개념도이다. 대용량 메모리(도 2참조)(200)는 128KB 단위로 소거 동작을 수행한다. 그러나 호스트(1)는 16KB 단위로 소거 동작을 지원한다. 도 5는 소거 동작시 상기 호스트(1)와 대용량 메모리(200) 사이에서 소거 동작의 기본 단위가 달라서 발생되는 문제점을 해결하는 과정을 보여준다.
상기 호스트(1)로부터 소거 동작을 명하는 커맨드와 어드레스가 입력되면, 컨트롤러(도 2참조)(100)는 상기 커맨드와 어드레스를 해석하여 소거할 타겟 블록(Erase target block)을 정한다. 상기 소거할 타겟 블록의 사이즈는 16KB이다. 그러나 대용량 메모리(200)에서 실제 소거되는 블록의 사이즈는 128KB이다.
도 5에서, (a)과정은 소거 동작시 블록들의 초기 상태를 보여주는 개념도이다. A 블록(210)과 B 블록(220)은 상기 대용량 메모리(200)에 속한 임의의 블록들이며, 각각 128KB의 블록 사이즈를 갖는다. 상기 A 블록(210)은 상기 대용량 메모리(200)에서 실제 소거 동작이 수행되는 블록이며, 16KB의 블록 사이즈를 갖는 8개의 소블록들(211~218)로 구분할 수 있다. 상기 소블록들(211~218) 중에서 소거할 타겟 블록은 소블록(214)이며 상기 호스트(1)로부터 입력된 어드레스를 해석해서 얻어진다. 상기 소블록(211~213)은 유효한 데이터가 저장되어 있는 블록이다. 따라서 상기 소블록(211~213)에 저장된 유효 데이터는 소거 동작이 수행되기 전에 B 블록(220)으로 옮겨져야 한다.
(b) 과정은 A 블록에 있는 유효 데이터가 B 블록으로 옮겨지는 과정을 보여주는 개념도이다. 카피 백 동작에 의해 상기 A 블록(210) 내에 위치한 소블록(211~213)의 유효 데이터들이 상기 B 블록(220) 내에 위치한 소블록(221~223)으로 옮겨진다. 이때 상기 컨트롤러(100)는 어드레스 맵핑 동작을 통해 상기 소블록(211~213)과 소블록(221~223)의 어드레스를 지정해준다.
(c) 과정은 A 블록에 대한 소거 동작을 보여주는 개념도이다. 카피 백 동작이 종료되면, 소거할 타겟 블록(214)이 포함되어 있는 상기 A 블록(210) 전체를 소거한다. 결과적으로 상기 A 블록(210)은 소거 되지만, 유효 데이터들은 상기 B 블록(220)에 보존된다.
상술한 과정에 의해 소거 동작시 상기 호스트(1)와 대용량 메모리(200) 사이에서 블록 사이즈가 달라서 발생되는 유효 데이터의 손실 문제가 해결된다.
한편, 본 명세서에서는 소용량 메모리 카드를 지원하는 호스트에 대용량 메모리 카드를 접속하는 경우만을 실시예로서 설명하였다. 그러나, 그 반대의 경우, 즉 대용량 메모리 카드를 지원하는 호스트에 소용량 메모리 카드를 사용하는 경우에도 동일한 원리가 적용됨은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 사실이다.
또한, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
본 발명에 따른 메모리 카드에 의하면, 소용량 메모리 카드를 지원하는 호스트에 대용량 메모리 카드를 직접 사용할 수 있다. 또한, 대용량 메모리 카드를 지원하는 호스트에 소용량 메모리 카드를 직접 사용할 수도 있다.

Claims (18)

  1. 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식(이하, 제 1 인터페이스 방식)을 사용하는 호스트에 접속되는 메모리 카드에 있어서:
    상기 제 1 타입과 다른 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리 인터페이스 방식(이하, 제 2 인터페이스 방식)을 사용하는 낸드 플래시 메모리; 및
    상기 제 1 인터페이스 방식을 상기 제 2 인터페이스 방식으로 변환하는 컨트롤러를 포함하는 메모리 카드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 호스트로부터 커맨드 및 어드레스를 입력받고, 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 커맨드 및 어드레스를 변환하는 메모리 카드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 서로 다른 블록 사이즈를 갖는 메모리 카드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리는 16KB의 블록 사이즈를 갖고, 상기 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리는 128KB의 블록 사이즈를 갖는 메모리 카드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 바이트(Byte) 단위로 데이터를 입출력하는 메모리 카드.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 타입의 낸드 플래시 메모리는 128KB의 블록 사이즈를 갖고, 상기 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 16KB의 블록 사이즈를 갖는 메모리 카드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 타입의 낸드 플래시 메모리는 바이트(Byte) 단위로 데이터를 입출력하는 메모리 카드.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는
    상기 호스트로부터 입력받은 어드레스를 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 변환하는 어드레스 변환회로; 및
    상기 호스트로부터 입력받은 커맨드를 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 변환하는 커맨드 변환회로를 포함하는 메모리 카드.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 호스트와 상기 낸드 플래시 메모리 사이에서 전달되는 데이터를 임시로 저장하기 위한 버퍼 메모리를 더 포함하는 메모리 카드.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 메모리 카드는 익스트림 디지털 픽쳐 카드(xD 카드)인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 메모리 카드는 (20×25×1.7)mm의 크기를 가지는 메모리 카드.
  14. 제 1 인터페이스 방식을 사용하는 호스트에 연결되는 메모리 카드에 있어서:
    제 2 인터페이스 방식을 사용하는 낸드 플래시 메모리; 및
    상기 제 1 인터페이스 방식을 상기 제 2 인터페이스 방식으로 변환하는 컨트롤러를 포함하되,
    상기 컨트롤러는
    상기 호스트로부터 커맨드 및 어드레스를 받아들이는 제 1 버퍼;
    상기 제 1 버퍼로부터 커맨드를 받아들여서 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 커맨드를 변환하는 커맨드 변환회로;
    상기 제 1 버퍼로부터 어드레스를 받아들여서 상기 낸드 플래시 메모리에서 사용될 수 있도록 상기 어드레스를 변환하는 어드레스 변환회로; 및
    상기 변환된 커맨드 및 어드레스를 상기 낸드 플래시 메모리로 전달하는 제 2 버퍼를 포함하는 메모리 카드.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 호스트와 상기 낸드 플래시 메모리 사이에 전달되는 데이터를 임시로 저장하기 위한 버퍼 메모리를 더 포함하는 메모리 카드.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 메모리 카드는 익스트림 디지털 픽쳐 카드(xD 카드)인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  17. 삭제
  18. 삭제
KR1020040018967A 2004-03-19 2004-03-19 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드 KR100648243B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040018967A KR100648243B1 (ko) 2004-03-19 2004-03-19 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드
US11/025,731 US7356646B2 (en) 2004-03-19 2004-12-28 Memory card using NAND flash memory and its operating method
JP2005042946A JP2005267628A (ja) 2004-03-19 2005-02-18 Ｎａｎｄフラッシュメモリを使用するメモリカード及びそれの動作方法
DE102005013683A DE102005013683A1 (de) 2004-03-19 2005-03-17 Speicherkarte und zugehöriges Betriebsverfahren
US12/025,667 US20080195815A1 (en) 2004-03-19 2008-02-04 Memory card using nand flash memory and its operating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040018967A KR100648243B1 (ko) 2004-03-19 2004-03-19 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050093494A KR20050093494A (ko) 2005-09-23
KR100648243B1 true KR100648243B1 (ko) 2006-11-24

Family

ID=34983163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040018967A KR100648243B1 (ko) 2004-03-19 2004-03-19 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7356646B2 (ko)
JP (1) JP2005267628A (ko)
KR (1) KR100648243B1 (ko)
DE (1) DE102005013683A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11126547B2 (en) 2018-03-16 2021-09-21 SK Hynix Inc. Memory controller, memory system having the same, and method of operating memory system

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8291295B2 (en) 2005-09-26 2012-10-16 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a NAND interface
US7631245B2 (en) 2005-09-26 2009-12-08 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a NAND interface
EP1952404B1 (en) * 2005-11-22 2010-05-12 SanDisk Corporation Method and memory system for legacy hosts
US7499369B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-03 Sandisk Corporation Method of high-performance flash memory data transfer
US7345926B2 (en) * 2006-04-24 2008-03-18 Sandisk Corporation High-performance flash memory data transfer
US7499339B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-03 Sandisk Corporation High-performance flash memory data transfer
US7525855B2 (en) * 2006-04-24 2009-04-28 Sandisk Corporation Method of high-performance flash memory data transfer
US7366029B2 (en) * 2006-04-24 2008-04-29 Sandisk Corporation High-performance flash memory data transfer
US7366028B2 (en) * 2006-04-24 2008-04-29 Sandisk Corporation Method of high-performance flash memory data transfer
JP2008024411A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Toshiba Elevator Co Ltd エレベータ制御装置
US20080046641A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a logical sector-based interface
US20080046630A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a logical sector-based interface
KR100816761B1 (ko) 2006-12-04 2008-03-25 삼성전자주식회사 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법
JP4748077B2 (ja) * 2007-02-14 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 画素データ転送制御装置及び画素データ転送制御方法
US20080250192A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-09 Phison Electronics Corp. Integrating flash memory system
US20090027071A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Finsar Corporation Probe tap
KR100921787B1 (ko) * 2007-11-01 2009-10-15 주식회사 이스트후 낸드 플래시 메모리 제어장치
US8316201B2 (en) * 2008-12-18 2012-11-20 Sandisk Il Ltd. Methods for executing a command to write data from a source location to a destination location in a memory device
KR101023013B1 (ko) * 2009-03-19 2011-03-24 주식회사 에이텍 낸드 플래시 메모리 기반 파일시스템에서 데이터 저장방법
CN101666827B (zh) * 2009-09-23 2011-09-07 广州从兴电子开发有限公司 一种带通讯功能的电力计量自动化产品
US8443263B2 (en) * 2009-12-30 2013-05-14 Sandisk Technologies Inc. Method and controller for performing a copy-back operation
US8595411B2 (en) * 2009-12-30 2013-11-26 Sandisk Technologies Inc. Method and controller for performing a sequence of commands
US8571092B2 (en) * 2011-10-14 2013-10-29 Texas Instruments Incorporated Interconnect coding method and apparatus
KR102002921B1 (ko) 2012-12-05 2019-07-23 삼성전자주식회사 버퍼 운영 방법 및 그에 따른 반도체 저장 장치
US9792995B1 (en) 2016-04-26 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Independent multi-plane read and low latency hybrid read

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0675502B1 (en) * 1989-04-13 2005-05-25 SanDisk Corporation Multiple sector erase flash EEPROM system
JPH0393753U (ko) * 1990-01-12 1991-09-25
FR2661019B1 (fr) * 1990-04-12 1992-10-09 Skorski Serge Livre ecran portatif.
US7024518B2 (en) * 1998-02-13 2006-04-04 Intel Corporation Dual-port buffer-to-memory interface
JP2000030375A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Tokyo Electron Ltd データ処理システム、アクセス装置及び記録媒体
JP2000222337A (ja) 1999-02-02 2000-08-11 Hitachi Maxell Ltd インターフェース装置
JP2000251035A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Hitachi Ltd メモリカード
EP1498810B1 (en) * 1999-10-21 2018-12-26 Panasonic Corporation A semiconductor memory card access apparatus, a computer-readable recording medium, an initialization method, and a semiconductor memory card
US6684289B1 (en) 2000-11-22 2004-01-27 Sandisk Corporation Techniques for operating non-volatile memory systems with data sectors having different sizes than the sizes of the pages and/or blocks of the memory
DE10064649A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Bosch Gmbh Robert Schnittstelle für einen Speicher und Verfahren zum variablen Konfigurieren einer Speichervorrichtung
US6765812B2 (en) * 2001-01-17 2004-07-20 Honeywell International Inc. Enhanced memory module architecture
JP2002358800A (ja) * 2001-05-28 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4034971B2 (ja) * 2002-01-21 2008-01-16 富士通株式会社 メモリコントローラおよびメモリシステム装置
KR100439507B1 (ko) 2002-03-18 2004-07-09 삼성전기주식회사 고 용량 플래시 메모리 카드 시스템에서의 데이터 운영 방법
US20030188061A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-02 Luse Paul E. Device discovery and dynamic configuration of control application
JP2004038236A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Seiko Epson Corp 情報処理装置およびプログラム
TW553444U (en) * 2002-09-09 2003-09-11 Carry Computer Eng Co Ltd Tray-type silicon card reader
TW556905U (en) * 2002-09-27 2003-10-01 Carry Computer Eng Co Ltd Memory card adapting device
KR20030038576A (ko) 2003-03-05 2003-05-16 (주)세인정보통신 xD-Picture 카드용 SmartMedia™ 카드 아답터
US7409477B2 (en) * 2003-09-03 2008-08-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory card having a processor coupled between host interface and second interface wherein internal storage code provides a generic interface between host interface and processor
US20050097263A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Henry Wurzburg Flash-memory card-reader to IDE bridge
JP2006127401A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Fujitsu Ltd 媒体記憶装置、媒体記憶装置のキャッシュセグメント切り替え方法、及び媒体記憶システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11126547B2 (en) 2018-03-16 2021-09-21 SK Hynix Inc. Memory controller, memory system having the same, and method of operating memory system

Also Published As

Publication number Publication date
US20050207231A1 (en) 2005-09-22
US20080195815A1 (en) 2008-08-14
DE102005013683A1 (de) 2005-10-13
KR20050093494A (ko) 2005-09-23
US7356646B2 (en) 2008-04-08
JP2005267628A (ja) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100648243B1 (ko) 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드
US7409473B2 (en) Off-chip data relocation
KR100610647B1 (ko) 직접실행제어 기능과 스토리지 기능이 복합된 대용량저장장치
US7877542B2 (en) High integration of intelligent non-volatile memory device
US8166233B2 (en) Garbage collection for solid state disks
CA2682814C (en) Storage device and host apparatus
US8626987B2 (en) Flash memory system and defragmentation method
JP4173642B2 (ja) メモリカードのデータ書き込み方法
CN108280033A (zh) 数据存储设备及其操作方法
US8166258B2 (en) Skip operations for solid state disks
KR100630980B1 (ko) 메모리 카드 및 반도체 장치
US20070168614A1 (en) Secure-Digital (SD) Flash Card with Auto-Adaptive Protocol and Capacity
US20090150597A1 (en) Data writing method for flash memory and controller using the same
US20050204187A1 (en) System and method for managing blocks in flash memory
TW201716980A (zh) 資料儲存設備及其操作方法
US20080250195A1 (en) Multi-Operation Write Aggregator Using a Page Buffer and a Scratch Flash Block in Each of Multiple Channels of a Large Array of Flash Memory to Reduce Block Wear
TWI479502B (zh) 固態碟片控制器及其資料處理方法
JP2009503729A (ja) 論理アドレス空間と直接データファイル方式で動作するインターフェイスシステム
JP4874588B2 (ja) 記憶デバイスおよびホスト機器
Eshghi et al. Ssd architecture and pci express interface
CN111158579B (zh) 固态硬盘及其数据存取的方法
JP2012113343A (ja) 記憶装置
KR101081948B1 (ko) 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 저장 방법
JP2000298992A (ja) 多値記憶不揮発性半導体メモリの制御装置
CN113885808A (zh) 映射信息记录方法以及存储器控制电路单元与存储装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091016

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee