KR100642139B1 - 화학반응을 증진시키기 위한 음파 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (60)
- 2개 이상의 반응물을 음파 에너지의 존재 하에 액체 매질 속에서 화학반응시켜 비응집 고체 입자 또는 액체 입자를 형성하는 단계를 포함하는, 비응집 고체 입자 또는 액체 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액의 제조방법에 있어서,2개 이상의 반응물이 서로 접촉하는 지점에서 음파 에너지를 액체 매질에 인가하여 반응물을 균질하게 혼합시키고, 이를 통해 반응을 신속히 종결하여 목적하지 않는 부산물 형성의 위험을 최소화하거나 감소시키는 한편, 크기와 형태가 필수적으로 균일한 비응집 고체 입자 또는 액체 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액 형태의 목적하는 생성물을 제조하는 것을 포함하는 방법.
- 2개 이상의 반응물을 접촉 지점에서 접촉시키고, 당해 접촉 지점에 음파 에너지를 인가하여 접촉 지점에서의 반응물의 혼합을 균질하게 하고 신속한 트랜스킬레이트화 반응을 촉진시켜 목적하지 않는 부산물을 최소화하거나 감소시키는 한편, 트랜스킬레이트화로부터 생성된 비응집 고체 입자 또는 액체 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액 형태의 목적하는 생성물을 제조함으로써 비응집 고체 입자 또는 액체 입자를 연속적으로 형성하는 것을 포함하는, 비응집 고체 입자 또는 액체 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액을 상업적 규모로 연속적으로 제조하는 방법.
- 2개 이상의 반응물의 트랜스킬레이트화 반응에 의해 액체 매질 속에서 피리티온 염 입자를 형성하되, 상기 피리티온 염 입자를 형성하는 동안 2개 이상의 반응물의 접촉 지점에서 음파 에너지를 액체 매질에 인가하여 상기 피리티온 염 입자를 형성하는, 비응집 피리티온 염 입자의 현탁액을 제조하는 방법으로,상기 피리티온 염 입자가 마그네슘 피리티온, 바륨 피리티온, 비스무트 피리티온, 스트론튬 피리티온, 구리 피리티온, 아연 피리티온, 카드뮴 피리티온, 지르코늄 피리티온, 철(II) 피리티온, 주석 피리티온, 니켈 피리티온, 코발트 피리티온, 망간 피리티온 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며,비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간(median) 크기가 약 0.01 내지 약 50㎛의 범위인 방법.
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제3항에 있어서, 비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간 크기가 약 0.1 내지 약 15㎛의 범위인 방법.
- 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제4항에 있어서, 비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간 크기가 약 0.1 내지 약 5㎛의 범위인 방법.
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 20Hz 내지 약 900kHz인 방법.
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제6항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 5 내지 약 105kHz인 방법.
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- 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 20 내지 약 5,000Watt인 방법.
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제9항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 100 내지 약 1,000Watt인 방법.
- 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제10항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 400 내지 약 600Watt인 방법.
- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 액체 매질이 수용액을 포함하는 방법.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제12항에 있어서, 수용액이 나프탈렌 설폰산을 포함하는 방법.
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.비응집 피리티온 입자를 액체 매질 속에서 형성시키는 단계를 포함하며, 이러한 입자를 형성하는 동안 음파 에너지를 액체 매질에 인가하여 비응집 피리티온 염 입자의 현탁액을 제조하는 단계를 포함하는, 비응집 피리티온 염 입자의 현탁액의 제조방법.
- 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 비응집 피리티온 입자 형성 단계가, 피리티온 또는 피리티온의 수용성 염을 계면활성제의 존재하에 액체 매질 속에서 수용성 다가 금속 염과 반응시켜서 피리티온 염 입자를 제조하는 단계를 포함하는 방법.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 피리티온 염 입자가 마그네슘 피리티온, 바륨 피리티온, 비스무트 피리티온, 스트론튬 피리티온, 구리 피리티온, 아연 피리티온, 카드뮴 피리티온, 지르코늄 피리티온, 철(II) 피리티온, 주석 피리티온, 니켈 피리티온, 코발트 피리티온, 망간 피리티온 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 피리티온 염 입자의 현탁액 속에 존재하는 피리티온 염의 피리티온 염 입자의 중간 크기가 약 0.01 내지 약 50㎛의 범위인 방법.
- 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제17항에 있어서, 비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간 크기가 약 0.1 내지 약 15㎛의 범위인 방법.
- 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제18항에 있어서, 비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간 크기가 약 0.1 내지 약 5㎛의 범위인 방법.
- 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 20Hz 내지 약 900kHz인 방법.
- 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 5 내지 약 105kHz인 방법.
- 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제21항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 16 내지 약 20kHz인 방법.
- 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 20 내지 약 5,000Watt인 방법.
- 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제23항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 100 내지 약 1,000Watt인 방법.
- 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제24항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 400 내지 약 600Watt인 방법.
- 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제14항에 있어서, 액체 매질이 수용액을 포함하는 방법.
- 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 수용액이 나프탈렌 설폰산을 포함하는 방법.
- 피리티온 또는 피리티온의 수용성 염을 분산 첨가제의 존재하에 액체 매질 속에서 수용성 다가 금속 염과 반응시켜서 피리티온 염 입자를 제조하는 단계를 포함하며, 이러한 반응 단계 동안 음파 에너지를 수성 매질에 인가하여 중간 크기가 약 0.1 내지 약 50㎛인 비응집 피리티온 염 입자의 현탁액을 제조하는, 비응집 피리티온 염 입자의 현탁액의 제조방법.
- 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 피리티온의 수용성 염이 필수적으로 나트륨 피리티온, 칼륨 피리티온, 리튬 피리티온, 암모늄 피리티늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제29항에 있어서, 피리티온의 수용성 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 1 내지 약 40중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제30항에 있어서, 피리티온의 수용성 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 5 내지 약 25중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 피리티온의 수용성 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 12 내지 약 15중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 33은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 수용성 다가 금속 염이 필수적으로 아연 염, 주석 염, 카드뮴 염, 구리 염, 지르코늄 염, 마그네슘 염, 알루미늄 염, 니트레이트 염, 아세테이트 염, 설페이트 염, 할라이드 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 2가 염인 방법.
- 청구항 34은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제33항에 있어서, 2가 염이 필수적으로 황산아연, 염화아연, 아연 아세테이트, 염화구리 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 청구항 35은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 2가 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 1 내지 약 70중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 36은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제35항에 있어서, 2가 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 5 내지 약 30중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 37은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제36항에 있어서, 2가 염이, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 15 내지 약 20중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 38은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 계면활성제가 필수적으로 중합된 알킬 나프탈렌 설폰산의 나트륨 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 청구항 39은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 계면활성제가, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.05 내지 약 10중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 40은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제39항에 있어서, 계면활성제가, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.1 내지 약 5중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 41은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제40항에 있어서, 분산제가, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.5 내지 약 1.5중량%를 구성하는 방법.
- 청구항 42은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 피리티온 염 입자가 마그네슘 피리티온, 바륨 피리티온, 비스무트 피리티온, 스트론튬 피리티온, 구리 피리티온, 아연 피리티온, 카드뮴 피리티온, 지르코늄 피리티온, 철(II) 피리티온, 주석 피리티온, 니켈 피리티온, 코발트 피리티온, 망간 피리티온 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 청구항 43은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 비응집 입자의 현탁액 속에 존재하는 비응집 입자의 중간 크기가 약 0.1 내지 약 15㎛의 범위인 방법.
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- 청구항 46은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제45항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 5 내지 약 105kHz인 방법.
- 청구항 47은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제46항에 있어서, 음파 에너지의 주파수가 약 16 내지 약 20kHz인 방법.
- 청구항 48은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 20 내지 약 5,000Watt인 방법.
- 청구항 49은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제48항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 100 내지 약 1,000Watt인 방법.
- 청구항 50은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 음파 에너지의 에너지 수준이 약 250 내지 약 750Watt인 방법.
- 청구항 51은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 분산 첨가제가 나프탈렌 설폰산 또는 이의 염인 방법.
- 청구항 52은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 음파 에너지가 10 내지 180데시벨(dB)의 전력 수준으로 인가되는 방법.
- 청구항 53은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 음파 에너지가 50 내지 100dB의 전력 수준으로 인가되는 방법.
- 청구항 54은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제28항에 있어서, 음파 에너지가 65 내지 85dB의 전력 수준으로 인가되는 방법.
- 반응 챔버(12),반응 챔버(12)에 제1 반응물을 도입시키기 위한 제1 유입 도관(14),반응 챔버(12)에 제2 반응물을 도입시키기 위한 제2 유입 도관(16)[제1 유입 도관과 제2 유입 도관은 제1 반응물의 유입 흐름과 제2 반응물의 유입 흐름이 접촉 위치에서 서로 연속적으로 직접 접촉할 수 있도록 배치되어 있다],제1 반응물과 제2 반응물을 균질하게 혼합시키고, 반응을 신속히 종결시켜 크기와 형태가 필수적으로 균일한 비응집 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액 형태인 목적하는 생성물을 제조하는 한편, 목적하지 않는 부산물의 형성 위험을 최소화하거나 감소시키기에 유효한 양의 음파 에너지가 적어도 접촉 위치에 향하도록 배치되어 있는, 제1 음파 에너지 변환기(28A) 및 제2 음파 에너지 변환기(30A), 및반응 챔버로부터 생성물을 연속적으로 배출시키기 위한 수거 도관(18)을 포함하는, 적어도 제1 반응물과 제2 반응물의 화학반응에 의해 비응집 고체 입자 또는 액체 입자의 현탁액, 유액 또는 분산액을 제조하기 위한 연속 유동 반응 장치(10).
- 청구항 56은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제55항에 있어서,제1 음파 에너지 변환기(28A) 및 제2 음파 에너지 변환기(30A)가 반응 챔버의 제1 측면(32) 및 제2 측면(34)과 마주 보도록 배치되어 있으며,제1 유입 도관(14)과 제2 유입 도관(16)이 반응 챔버(12)의 제1 말단에 인접하게 수렴식으로 배향되어 있으며,수거 도관(18)이 반응 챔버(12)의 제1 말단과 마주보는 반응 챔버(12)의 제2 말단에 인접하게 배치되어 있고,제1 음파 에너지 변환기(28A) 및 제2 음파 에너지 변환기(30A)가 접촉 위치와 반응 챔버(12)를 통한 반응물의 이동 수단으로서 음파 에너지를 사용하는 챔버의 제2 말단의 사이에서 반응 챔버(12)의 전체 길이의 대부분이 노출되도록 배열되어 있는, 연속 유동 반응 장치.
- 청구항 57은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제55항에 있어서,제1 유입 도관(14)이 제1 반응물로서 나트륨 피리티온과 계면활성제의 수용액을 운반하며,제2 유입 도관(16)이 제2 반응물로서 황산아연 또는 염화아연의 수용액을 운반하는, 연속 유동 반응 장치.
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