KR100641048B1 - 트랜스임피던스 증폭기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 트랜스임피던스 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 제1 증폭부와, 제2 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키기 위한 제2 증폭부와, 제3 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제2 증폭부의 출력을 상기 제1 증폭부의 입력단으로 피드백시키기 위한 피드백부와, 제4 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 피드백부의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 버퍼부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 상기 제1 및 제2 증폭부의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 상기 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 포함함으로써, 이득의 손실 없이 대역폭을 향상시킬 수 있으며, 낮은 입력 잡음 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
트랜스임피던스 증폭기, 광 수신기, 광 통신시스템, 전치증폭기, 이중 궤환

Description

트랜스임피던스 증폭기{Transimpedance amplifier}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기를 설명하기 위한 구체적인 회로도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기와 종래의 트랜스임피던스 증폭기의 이득 특성 비교를 나타낸 그래프.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ***
100 : 제1 증폭부, 110 : 제2 증폭부,
120 : 피드백부, 130 : 버퍼부,
140 : 전류궤환부, 150 : 전압궤환부
본 발명은 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전류궤환부와 전압궤환부의 이중 궤환 구조를 형성함으로써, 이득의 손실 없이 대역폭을 향상시킬 수 있으며, 낮은 입력 잡음 특성을 개선할 수 있는 트랜스임피던스 증폭기에 관한 것이다.
1990년대 후반부터 붐을 이룬 인터넷과 이동통신서비스는 현재 일반인들에게 언제 어디에서나 다양한 멀티미디어 서비스를 제공받을 수 있도록 하였으며, 이에 따라 유/무선통신망의 데이터 트래픽은 지속적으로 급증하고 있다.
이와 같은 데이터 트래픽의 지속적인 증가에 따라 통신사업자들은 부족한 전송용량을 확대하기 위해 대용량 전송시스템으로 통신망을 구축하고 있다. 국내의 경우 정부 주도로 초고속 정보통신망 2단계 구축을 완료했으며, 2005년까지 3단계 사업을 진행할 계획이어서 광전송 시스템에 대한 수용이 더욱 증가할 것으로 예측되며, 이에 따른 광통신부품의 수요도 증가할 것이다.
일반적으로, 직접변조 방식의 송신부를 갖는 광통신 시스템의 수신부는 포토 다이오드(Photo Diode), 트랜스임피던스 증폭기(Transimpedance Amplifier), 제한 증폭기(Limiting Amplifier), 판별회로(Decision Circuit), 클럭재생회로(Clock Recovery Circuit) 및 역다중화기(De-mux) 등으로 구성되어 있다.
이러한 광통신 시스템의 수신부에서 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환해주는 트랜스임피던스 증폭기는 광 신호에서 전자신호로 변환된 신호가 입력되는 첫 단(first stage)으로서 저잡음 특성과 신호 증폭 특성을 동시에 만족하여야하고, 상기 트랜스임피던스 증폭기 이후 전자회로의 특성을 결정하게 되므로 그 역할은 매우 중요하다.
그러나, 종래 기술의 트랜스임피던스 증폭기는 통상의 차등 증폭기 구조나 자동제어 구조를 이용하여 주파수 대역과 이득 개선에 관한 것으로서, 이득 특성의 열화가 발생되기 쉽고, 대역폭과 입력잡음 특성이 저하될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 증폭부와 피드백부의 사이에 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부를 구비하고, 증폭부들 사이에 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 구비하는 이중 궤환 구조를 형성함으로써, 이득 특성의 열화 없이 넓은 대역폭 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 입력잡음 특성도 개선할 수 있는 트랜스임피던스 증폭기를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은, 제1 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 제1 증폭부; 제2 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키기 위한 제2 증폭부; 제3 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제2 증폭부의 출력을 상기 제1 증폭부의 입력단으로 피드백시키기 위한 피드백부; 제4 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 피드백부의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 버퍼부; 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 상기 제1 및 제2 증폭부의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부; 및 상기 제1 바이폴라트랜지스터의 에미터와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 상기 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 포함하며, 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기를 제공하는 것이다.
여기서, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 포토 다이오드의 출력과 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지됨이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지된다.
바람직하게는, 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지된다.
바람직하게는, 상기 제4 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지된다.
바람직하게는, 상기 전류궤환부는 적어도 하나의 저항이 직렬로 연결되어 이루어진다.
바람직하게는, 상기 전압궤환부는 적어도 하나의 저항 및 캐패시터가 직렬로 연결되어 이루어진다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기를 설명하기 위한 구체적인 회로도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기는 제1 증폭부(100), 제2 증폭부(110), 피드백부(120), 버퍼부(130), 전류궤환부(140) 및 전압궤환부(150)를 포함하여 구성되어 있으며, 포토 다이오드(Photo Diode)에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 역할을 수행한다.
여기서, 상기 제1 증폭부(100)는 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 것으로서, 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)가 포함되어 있다.
이때, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)는 상기 포토 다이오드로부터 광 검출시 스위칭되며, 그 베이스 단자는 상기 포토 다이오드의 출력과 연결되어 있고, 콜렉터 단자는 Vcc 전압단과 연결되어 있으며, 에미터 단자는 접지(ground)되어 있다. 또한, 상기 Vcc 전압단과 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 사이 및 에미터 단자와 접지 사이에 각각 전압 강하용 저항(R)이 연결되어 있다.
그리고, 상기 제2 증폭부(110)는 상기 제1 증폭부(100)의 출력을 재차 증폭시키기 위한 것으로서, 제2 바이폴라 트랜지스터(Q2)가 포함되어 있다.
이때, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 베이스 단자는 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자와 연결되어 있고, 콜렉터 단자는 Vcc 전압단과 연결되어 있으며, 에미터 단자는 접지(ground)되어 있다. 또한, 상기 Vcc 전압단과 상기 제2 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 사이 및 에미터 단자와 접지 사이에 각각 전압 강하용 저항(R)이 연결되어 있다.
그리고, 상기 피드백부(120)는 상기 제2 증폭부(110)의 출력을 상기 제1 증 폭부(100)의 입력단으로 피드백시키기 위한 것으로서, 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)가 포함되어 있다.
이때, 상기 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 베이스 단자는 상기 제2 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 에미터 단자와 연결되어 있고, 콜렉터 단자는 Vcc 전압단과 연결되어 있으며, 에미터 단자는 접지(ground)되어 있다. 이러한 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 출력신호(에미터 신호)는 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 입력신호가 되도록 피드백된다.
또한, 상기 Vcc 전압단과 상기 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 콜렉터 단자 사이 및 에미터 단자와 접지 사이에 각각 전압 강하용 저항(R)이 연결되어 있다.
그리고, 상기 버퍼부(130)는 상기 피드백부(120)의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 것으로서, 제4 바이폴라 트랜지스터(Q4)가 포함되어 있다.
이때, 상기 제4 바이폴라 트랜지스터(Q4)의 베이스 단자는 상기 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 에미터 단자와 연결되어 있고, 콜렉터 단자는 Vcc 전압단과 연결되어 있으며, 에미터 단자는 접지(ground)되어 있다. 이러한 버퍼부(130)는 피드백부(120)와 출력부(OUT) 사이의 버퍼 역할을 수행한다.
또한, 상기 Vcc 전압단과 상기 제4 바이폴라 트랜지스터(Q4)의 콜렉터 단자 사이 및 에미터 단자와 접지 사이에 각각 전압 강하용 저항(R)이 연결되어 있다.
특히, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스 단자와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터(Q3)의 에미터 단자 사이에는 상기 제1 증폭부(100) 및 상기 제2 증폭부(110)의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부(140)가 연결되어 있다. 이러한 전류궤환부(140)는 적어도 하나의 저항(Rf1)이 직렬로 연결됨이 바람직하다.
또한, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 에미터 단자와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 베이스 단자 사이에는 상기 전류궤환부(140)에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 폐회로(loop)에 의해 발생하는 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부(150)가 연결되어 있다. 이러한 전압궤환부(150)는 적어도 하나의 저항(Rf2) 및 캐패시터(Cf1)가 직렬로 연결되어 이루어짐이 바람직하다.
전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기의 입력 임피던스가 작을수록 넓은 대역폭을 얻을 수 있고, 감소한 입력 임피던스는 또한 낮은 전류궤환부(140)의 저항(Rf1) 값을 사용하여 큰 궤환 회로를 구성함으로써 이룰 수 있으며, 큰 이득도 얻을 수 있다. 이러한 회로를 구성하게 되면 폐회로(loop)에 의해 발생하는 위상지연에 의해 주파수 피킹(peaking)현상이 발생하게 되는데, 이러한 현상은 상기 전압궤환부(150)를 이용하여 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 전압궤환부(150)의 적절한 전압 궤환 저항(Rf2)과 캐패시터(Cf1)는 루프 위상을 조절할 수 있으며, 평탄한 주파수 특성도 얻을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스임피던스 증폭기와 종래의 트랜스임피던스 증폭기의 이득 특성 비교를 나타낸 그래프이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예와 같이 이중 궤환 구조를 갖는 트랜스임피던스 증폭기를 설계할 경우, 종래의 단일 궤환 구조를 갖는 트랜스임피던스 증폭기와 비교하여 볼 때, 대역폭이 상당히 증대되었음을 알 수 있으며, 또한 평탄 한 주파수 특성도 얻을 수 있음을 알 수 있다.
전술한 본 발명에 따른 트랜스임피던스 증폭기에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 트랜스임피던스 증폭기에 따르면, 증폭부와 피드백부의 사이에 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부를 구비하고, 증폭부들 사이에 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 구비하는 이중 궤환 구조를 형성함으로써, 이득 특성의 열화 없이 넓은 대역폭 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 입력잡음 특성도 개선할 수 있는 이점이 있다.

Claims (7)

  1. 제1 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 제1 증폭부;
    제2 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키기 위한 제2 증폭부;
    제3 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제2 증폭부의 출력을 상기 제1 증폭부의 입력단으로 피드백시키기 위한 피드백부;
    제4 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 피드백부의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 버퍼부;
    상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 상기 제1 및 제2 증폭부의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부; 및
    상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 상기 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 포함하며, 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 포토 다이오드의 출력과 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지되는 것을 특 징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지되는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지되는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제4 바이폴라 트랜지스터의 베이스는 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 연결되고, 콜렉터는 Vcc 전압단과 연결되며, 에미터는 접지되는 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 전류궤환부는 적어도 하나의 저항이 직렬로 연결되어 이루어진 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 전압궤환부는 적어도 하나의 저항 및 캐패시터가 직렬로 연결되어 이루어진 것을 특징으로 하는 트랜스임피던스 증폭기.
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