KR100640555B1 - 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서 - Google Patents

데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서 Download PDF

Info

Publication number
KR100640555B1
KR100640555B1 KR1020050011114A KR20050011114A KR100640555B1 KR 100640555 B1 KR100640555 B1 KR 100640555B1 KR 1020050011114 A KR1020050011114 A KR 1020050011114A KR 20050011114 A KR20050011114 A KR 20050011114A KR 100640555 B1 KR100640555 B1 KR 100640555B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
memory
temporary storage
data package
stored
Prior art date
Application number
KR1020050011114A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060090340A (ko
Inventor
전찬식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050011114A priority Critical patent/KR100640555B1/ko
Priority to US11/348,695 priority patent/US7433976B2/en
Publication of KR20060090340A publication Critical patent/KR20060090340A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100640555B1 publication Critical patent/KR100640555B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F16L55/02—Energy absorbers; Noise absorbers
    • F16L55/033—Noise absorbers
    • F16L55/0336—Noise absorbers by means of sound-absorbing materials
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/20—Handling requests for interconnection or transfer for access to input/output bus
    • G06F13/28—Handling requests for interconnection or transfer for access to input/output bus using burst mode transfer, e.g. direct memory access DMA, cycle steal
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L23/00—Flanged joints
    • F16L23/02—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned axially
    • F16L23/032—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned axially characterised by the shape or composition of the flanges

Abstract

데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서가 개시되어 있다. 데이터 복사 방법은, 외부의 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 지정하는 단계와; 상기 지정된 데이터 패키지 중 어느 하나를 리드하여 임시 저장 메모리에 자동 저장하는 단계; 및 상기 임시 저장 메모리에 저장된 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 외부의 휘발성 메모리로 전송하는 동작 및 상기 비휘발성 메모리로부터 다음 데이터 패키지를 리드하여 상기 임시 저장 메모리에 자동 저장하는 동작을 동시 수행하는 단계로 구성된다. 따라서, 종래에 비하여 데이터 복사 속도가 빨라지고, 다이렉트 메모리 액세스 시의 과다한 대기 시간을 해소하여 메모리 버스의 불필요한 점유를 막을 수 있다.

Description

데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서 {METHOD FOR DATA COPY AND APPLICATION PROCESSOR FOR IT}
도 1은 다이렉트 메모리 액세스를 이용하여 낸드 플래시 메모리의 데이터를 에스디램으로 복사하는 종래의 데이터 복사 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 데이터 복사 방법을 구현하기 위한 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시되어 있는 어플리케이션 프로세서의 구성 및 연결을 도시하는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 데이터 복사 방법의 흐름을 도시하는 순서도이다.
도 5는 낸드 플래시 메모리에 저장된 데이터 패키지 중 첫 번째 데이터 패키지가 에스램에 저장되는 첫 번째 오토로딩 과정을 도시하고 있다.
도 6은 도 5에서 저장된 첫 번째 데이터 패키지의 다이렉트 메모리 액세스 동작 및 두 번째 데이터 패키지의 오토로딩 과정을 도시하고 있다.
도 7은 낸드 플래시 메모리에 저장된 마지막 데이터 패키지의 오토로딩이 수행되는 과정을 도시하고 있다.
도 8은 에스램에 저장된 마지막 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스 동작에 의해서 에스디램으로 전송됨으로써 데이터 복사가 완료되는 과정을 도시하고 있다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
100 : 어플리케이션 프로세서(Application Processor)
110 : 낸드 플래시 컨트롤러(NAND Flash Controller)
111 : 레지스터(Register)
120 : 에스램(SRAM)
130 : 다이렉트 메모리 액세스 컨트롤러(DMA Controller)
300 : 에스디램(SDRAM)
400 : 메모리 버스(Memory Bus)
본 발명은 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 휘발성 메모리로 효율적으로 복사할 수 있는 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서(Application Processor)에 관한 것이다.
일반적으로, 플래시 메모리(Flash Memory)는 시스템의 전원이 오프(Off)된 경우에도 저장된 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로서, 전기적으로 프로그래밍 및 삭제가 가능한 이이피롬(EEPROM : Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)의 변형된 형태 중의 하나이다.
이러한 플래시 메모리는 단말기의 부팅코드의 저장이나 이동형 단말기의 보조 기억 장치 등으로 다양하게 사용되고 있으며, 노어형 플래시 메모리(NOR Flash Memory) 및 낸드형 플래시 메모리(NAND Flash Memory)로 나뉠 수 있다.
상기 노어형 플래시 메모리는 에스램(SRAM : Static Random Access Memory) 또는 롬(ROM : Read Only Memory) 타입의 인터페이스 방식을 사용하므로 프로세서 등과의 회로 구성이 용이하고 고속의 데이터 처리가 가능하나 가격이 비싼 단점이 있다.
이에 비하여, 낸드형 플래시 메모리는 인터페이스 방식이 노어형 플래시 메모리보다는 다소 복잡하나 집적도가 뛰어나고 가격이 저렴하여 경제적이므로, 최근 캠코더, 디지털 카메라, MP3 플레이어 등과 같은 기기들의 메모리 카드로서 그 수요가 급격히 증가하고 있으며, 높은 집적도를 통하여 그 용량도 기존의 64메가바이트 급에서 1기가바이트 급으로 대용량화되어가고 있는 추세이다.
이러한 추세에 따라, 낸드 플래시 메모리에 저장되어 있는 데이터를 얼마나 빨리 리드(Read) 또는 라이트(Write)할 수 있는지는 기기의 성능에 중요한 영향을 미치는 요소로 작용하게 되었다. 왜냐하면, 낸드 플래시 메모리에 저장된 데이터를 신속히 처리하지 못하면 기기 자체의 데이터 처리 능력이 떨어지는 것으로 판단될 수 있기 때문이다.
따라서, 낸드 플래시 메모리에 저장된 데이터를 기기 내부의 휘발성 메모리, 예를 들면 에스디램(SDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory) 등으로 신속하게 복사할 수 있는 방법이 중요한 관건이 된다.
종래에는 낸드 플래시 메모리의 데이터를 기기 내의 에스디램으로 복사하기 위해서, 낸드 플래시 메모리에 데이터의 리드를 위한 커맨드 신호를 인가하고 그에 대응되는 데이터를 플래시 메모리로부터 입력받아 프로세서(Processor) 내의 데이터 레지스터(Data Register)에 저장한 뒤, 저장된 데이터를 에스디램의 해당 어드레스에 저장하는 과정을 반복 루프로 지정하여 지속적으로 수행하도록 함으로써 데이터를 복사하는 폴링(Polling) 방식을 사용하였다.
이때, 데이터의 전송 단위는 낸드 플래시 메모리의 데이터 리드 단위인 페이지(Page)를 의미하는 것이다.
그런데, 이러한 폴링 방식은 낸드 플래시 메모리에 저장된 페이지 단위의 데이터를 일일이 불러들여 데이터 레지스터에 저장하여야 하고, 그 데이터를 다시 에스디램으로 일일이 전송하여야 하므로 데이터의 처리 속도가 매우 늦다.
따라서 종래의 다른 형태로, 낸드 플래시 메모리를 통하여 프로세서 내의 데이터 레지스터에 저장되는 데이터를 다이렉트 메모리 액세스(DMA : Direct Memory Access)를 통하여 에스디램으로 전송하는 방식이 사용되고 있다.
도 1은 다이렉트 메모리 액세스를 이용하여 낸드 플래시 메모리의 데이터를 에스디램으로 복사하는 종래의 데이터 복사 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 종래에는 프로세서(20)가 낸드 플래시 메모리(10)로 커맨 드 신호(Command)를 인가하고 그에 대응되는 데이터를 페이지 단위로 리드하여 데이터 레지스터에 저장한 뒤, 그 데이터를 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 에스디램(30)으로 전송하고 있음을 알 수 있다.
그러나, 이 경우에도 낸드 플래시 메모리(10)의 데이터를 프로세서(20) 내의 데이터 레지스터에 저장하는 과정에서 적지 않은 시간이 소모되고, 각 페이지 단위의 데이터가 저장될 때마다 다이렉트 메모리 액세스가 수행되어야 하므로, 다이렉트 메모리 액세스를 통한 고속 전송의 취지를 충분히 살릴 수 없으며 메모리 버스의 효율도 떨어지는 문제점이 발생한다.
즉, 데이터 레지스터에서 에스디램(30)으로의 다이렉트 메모리 액세스가 수행되기 위해서는 낸드 플래시 메모리(10)로부터 전송된 데이터가 데이터 레지스터에 저장되어 있어야 하나, 낸드 플래시 메모리(10)로부터 데이터 레지스터로 데이터가 전달되는 시간은 다이렉트 메모리 액세스의 수행 시간보다 상대적으로 매우 길다.
때문에, 데이터 레지스터에 저장된 한 페이지의 데이터가 다이렉트 메모리 액세스에 의해서 에스디램(30)으로 전송되고 나면, 다음 페이지의 데이터가 다시 데이터 레지스터에 저장될 때까지 다이렉트 메모리 액세스 동작은 일정시간 대기하였다가 데이터 레지스터에 다음 페이지의 데이터가 저장되었을 때 다시 수행되게 된다.
따라서, 데이터 레지스터에 저장된 데이터가 에스디램(30)으로 전송되는 시간 자체만 다소 빨라질 뿐, 상술한 바와 같이, 데이터 레지스터에 다음 데이터가 저장되는 시간 동안 다이렉트 메모리 액세스 동작이 다음 데이터를 받기 위한 대기 상태에 있으므로 결국 다이렉트 메모리 액세스의 효율을 제대로 살릴 수 없다.
뿐만 아니라, 데이터 레지스터에 데이터가 저장될 때마다 발생되는 다이렉트 메모리 액세스의 대기 시간으로 인해서 불필요한 메모리 버스의 점유 시간이 늘어나, 버스의 효율도 떨어지는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 임시 저장 메모리에 오토로딩(Auto Loading)한 뒤, 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 휘발성 메모리에 전송함으로써, 데이터의 복사 속도 및 버스 효율을 향상시킬 수 있는 데이터 복사 방법을 제공하는데 본 발명의 제 1 목적이 있다.
또한, 상기 데이터 복사 방법을 통해서 비휘발성 메모리의 데이터를 휘발성 메모리로 고속 복사할 수 있도록 하는 어플리케이션 프로세서를 제공하는데 본 발명의 제 2 목적이 있다.
이러한 본 발명의 제 1 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 데이터 복사 방법은, 외부의 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 지정하는 단계와; 상기 지정된 데이터 패키지 중 어느 하나를 임시 저장 메모리에 오토로딩시켜 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 단계; 및 상기 임시 저장 메모리에 저장된 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 외부의 휘발성 메모리로 전송하는 동작 및 상기 비휘발성 메모리로부터 다음 데이터 패키지를 오토로딩시켜 상기 임시 저장 메모리에 자동 저장하는 동작을 동시 수행하는 단계를 포함하며, 상기 오토로딩 동작은 레지스터의 설정에 의하여 자동 수행된다.
이때, 상기 동시 수행 단계는 비휘발성 메모리에 지정된 데이터 패키지의 복사가 완료될 때까지 반복 수행된다. 또한, 상기 비휘발성 메모리에 지정된 데이터 패키지 중 마지막 데이터 패키지가 임시 저장 메모리에 저장되면, 상기 마지막 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 외부의 휘발성 메모리로 전송한다.
상기 비휘발성 메모리는 낸드 플래시 메모리로 구현된다. 상기 휘발성 메모리는 에스디램으로 구현된다. 또한, 상기 임시 저장 메모리는 에스램으로 구현된다. 상기 데이터 패키지는 상기 임시 저장 메모리의 저장 용량의 1/2 크기를 갖도록 함으로써 상술한 동시 수행 단계가 용이하도록 한다.
삭제
삭제
한편, 본 발명의 제 2 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어플리케이션 프로세서는, 임시 저장 메모리와; 외부의 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 리드하여 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 오토로딩 동작을 반복 수행하는 비휘발성 메모리 컨트롤러; 및 상기 임시 저장 메모리 및 외부의 휘발성 메모리와 메모리 버스를 통해서 연결되며, 상기 비휘발성 메모리 컨트롤러에 의해서 상기 임시 저장 메모리에 저장된 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 상기 외부의 휘발성 메모리로 전송되도록 제어하는 다이렉트 메모리 액세스 제어부를 포함하며, 상기 오토로딩 동작은, 상기 임시 저장 메모리에 저정된 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 상기 외부의 휘발성 메모리로 전송되는 동작과 동시에 수행되며, 레지스터의 설정에 의하여 자동 수행된다.
이때, 상기 레지스터에는 상기 데이터 패키지의 크기 설정값, 상기 데이터 패키지의 어드레스 및 상기 오토로딩을 수행하기 위한 일련의 동작 명령 데이터가 저장된다.
상기 비휘발성 메모리 컨트롤러는, 상기 비휘발성 메모리에 상기 데이터 패키지의 리드를 요청하는 데이터 패키지 요청 신호를 인가하고, 상기 데이터 패키지 요청 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리로부터 전송되는 데이터 패키지를 상기 임시 저장 메모리에 저장한다.
상기 비휘발성 메모리는 낸드 플래시 메모리로 구현된다. 상기 휘발성 메모 리는 에스디램으로 구현된다. 또한, 상기 임시 저장 메모리는 에스램으로 구현된다.
이때, 상기 임시 저장 메모리는 상기 데이터 패키지가 저장된 상태에서 적어도 하나의 다른 데이터 패키지가 저장될 수 있을 만큼의 여유 저장 공간을 갖는다. 바람직하기로는, 상기 임시 저장 메모리는 상기 데이터 패키지의 크기의 2배의 저장 용량을 갖도록 한다.
한편, 상기 비휘발성 메모리 컨트롤러에 의해서 수행되는 오토로딩 동작과 상기 다이렉트 메모리 엑세스를 통한 상기 휘발성 메모리로의 데이터 전송 동작은 상기 임시 저장 메모리에서 동시에 수행된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 데이터 복사 방법을 구현하기 위한 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 데이터 복사 방법을 위해서는, 데이터를 저장하고 있는 비휘발성 메모리인 낸드 플래시 메모리(200)와, 낸드 플래시 메모리(200)의 데이터를 리드하여 고속으로 전송하기 위한 어플리케이션 프로세서(100) 및 어플리케이션 프로세서(100)로부터 출력되는 데이터를 저장하기 위한 휘발성 메모리인 에스디램(300)이 필요하다.
이때, 칩 구성은, 낸드 플래시 메모리(200)를 외장형 메모리로 구성하고, 어 플리케이션 프로세서(100) 및 에스디램(300)은 각각 별도의 칩으로 구성하거나 또는 원(One) 칩으로 구성할 수 있다.
상기 어플리케이션 프로세서(100)는 낸드 플래시 메모리(200)의 데이터를 복사하는 기능 외에도 중앙처리장치(CPU : Central Processing Unit)가 가지는 각종 데이터 변환, 메모리 제어, 버스 제어 등과 같은 다양한 기능을 수행하는 통합컨트롤 칩으로 구성할 수 있는데, 본 실시예에서는 본 발명의 요지인 데이터 복사에 관련된 부분만을 설명하기로 한다.
도 3은 도 2에 도시되어 있는 어플리케이션 프로세서(100)의 구성 및 연결을 도시하는 블록도이다.
도 3을 참조하면, 어플리케이션 프로세서(100)는 낸드 플래시 컨트롤러(NAND Flash Controller)(110)와, 에스램(120), 다이렉트 메모리 액세스 컨트롤러(DMA Controller)(130)로 구성된다. 이때, 에스램(120)과 다이렉트 메모리 액세스 컨트롤러(130) 및 에스디램(300)은 메모리 버스(400)에 접속된다.
낸드 플래시 컨트롤러(110)는 레지스터(111) 세팅에 따라 낸드 플래시 메모리(200)에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 읽어들여 에스램(120)에 반복 저장하는 오토로딩 기능을 수행한다.
즉, 낸드 플래시 메모리(200)로 데이터 패키지의 리드를 요청하는 데이터 패키지 리드 요청 신호를 인가하고, 그 신호에 응답하여 낸드 플래시 메모리(200)로부터 전송되는 데이터 패키지를 에스램(120)으로 자동 전송하는 기능을 반복 수행하는 것이다.
이때, 상기 낸드 플래시 컨트롤러(110)의 레지스터(111)에는 데이터 패키지의 크기 설정값, 복사할 데이터 패키지의 어드레스 및 오토로딩를 수행하기 위한 일련의 동작 명령 데이터 등이 저장되며, 상기 오토로딩 기능은 외부의 중앙처리장치(미도시)로부터 데이터 복사 요청 신호가 입력되면 상기 레지스터(111)의 설정에 의해서 자동 수행되게 된다.
에스램(120)은 임시 저장 메모리로서, 낸드 플래시 메모리(200)로부터 전송되는 데이터 패키지를 저장한 뒤, 저장된 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 에스디램(300)으로 전송하는 동시에 다음 데이터 패키지를 저장하는 기능을 반복 수행한다.
한편, 상기 데이터 패키지는 다수의 페이지로 이루어지며, 그 크기는 에스램(120)의 저장 용량의 1/2 크기를 갖도록 레지스터(111)에 의해서 설정된다. 본 실시예에서는 에스램(120)의 저장 용량을 4킬로바이트(KByte)로 하고, 데이터 패키지의 크기는 에스램(120) 용량의 1/2인 2킬로바이트로 설정하였다.
이렇게, 데이터 패키지의 크기를 에스램(120)의 크기보다 작게 설정하는 이유는 낸드 플래시 메모리(200)로부터 로딩된 데이터 패키지가 저장된 상태에서 다음 데이터 패키지를 저장하기 위한 여유 공간을 확보함으로써, 저장 및 전송을 동시에 수행할 수 있도록 하기 위함이다.
즉, 에스램(120)에 여유 공간이 존재하면, 저장된 데이터 패키지가 에스디램(300)으로 전송되고 있는 상태에서, 상기 여유 공간을 통하여 다음의 데이터 패키지가 저장될 수 있기 때문이다. 따라서, 데이터 패키지의 저장과 전송이 동시에 수 행된다.
한편, 다이렉트 메모리 액세스 컨트롤러(130)는 데이터 전송 요청 유닛, 즉 에스램(102)으로부터 에스디램(300)으로의 데이터 전송 요청이 들어오면, 에스램(120)에 저장된 데이터 패키지가 에스디램(300)의 해당 번지들에 저장되도록 다이렉트 메모리 액세스 동작을 제어하는 기능을 수행한다. 이때, 상기 데이터 패키지의 각 데이터가 에스디램(300)의 해당 어드레스에 전달될 수 있도록 하기 위해서 단일 명령으로 복수의 어드레스에 데이터를 전송할 수 있는 버스트(Burst) 전송이 수행된다.
이상과 같은 어플리케이션 프로세서(100)를 이용하면, 낸드 플래시 컨트롤러(110)의 레지스터(111) 설정에 의하여 낸드 플래시 메모리(110)에 저장된 데이터가 다수의 페이지로 이루어진 데이터 패키지 단위로 에스램(120)에 오토로딩되고, 다이렉트 메모리 액세스 동작 시에는 데이터 패키지의 저장과 전송이 에스램(120) 내에서 동시에 수행되므로, 데이터의 복사 속도가 향상되고 다이렉트 메모리 액세스에 의한 메모리 버스(400)의 점유가 대폭 줄어들게 된다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 데이터 복사 방법의 흐름을 도시하는 순서도이다.
먼저, 중앙처리장치로부터 데이터 복사 명령 요청이 접수되면, 낸드 플래시 컨트롤러(110)의 레지스터(111)에 설정되어 있는 설정값에 따라 낸드 플래시 메모리(200)에 저장된 데이터들을 데이터 패키지 단위로 지정한다(단계:S1).
이어서, 지정된 데이터 패키지를 하나씩 리드하여 에스램(120)에 저장한다( 단계:S2). 에스램(120)에 저장된 데이터 패키지는 다이렉트 메모리 액세스를 이용하여 에스디램(300)으로 전송하는 동시에, 에스램(120)에 존재하는 여유 저장 공간을 통하여 다음 데이터 패키지를 에스램(120)에 저장한다(단계:S3).
상기 저장 및 전송 과정을 마지막 데이터 패키지가 저장될 때까지 반복하고(단계:S4), 마지막 데이터 패키지가 에스램(120)에 저장되면, 저장된 마지막 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 에스디램(300)에 저장함으로써 데이터의 복사는 완료되게 된다(단계:S5).
이와 같은 과정은 이하 설명할 도 5 내지 도 8에 도시된 내용을 토대로 더욱 명확해질 것이다.
도 5는 낸드 플래시 메모리(200)에 저장된 데이터 패키지 중 첫 번째 데이터 패키지가 에스램(120)에 저장되는 첫 번째 오토로딩 과정을 도시하고 있다.
도 5를 참조하면, 먼저 데이터의 복사를 위해서, 낸드 플래시 메모리(200), 낸드 플래시 컨트롤러(110), 에스램(120) 및 에스디램(300)이 구비되어 있고, 낸드 플래시 컨트롤러(110)에는 오토로딩을 위해서 2킬로바이트 단위로 다수의 데이터 패키지가 지정되어 있음을 알 수 있다.
상기 지정된 다수의 데이터 패키지 중 첫 번째 데이터 패키지는 낸드 플래시 컨트롤러(110)의 오토로딩 명령에 의하여, 낸드 플래시 메모리(200)로부터 리드되어 에스램(120)에 저장된다. 이때, 에스램(120)은 그 저장 용량이 4킬로바이트이므로 다음 데이터 패키지를 저장할 수 있는 2킬로바이트의 저장 공간이 존재한다.
도 6은 도 5에서 저장된 첫 번째 데이트 패키지의 다이렉트 메모리 액세스 동작 및 두 번째 데이터 패키지의 오토로딩 과정을 도시하고 있다.
도 6을 참조하면, 앞선 도 5에서 에스램(120)에 저장된 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 에스디램(300)으로 저장되고 있으며, 동시에 낸드 플래시 메모리(200)에 저장된 두 번째 데이터 패키지가 에스램(120)에 존재하는 2킬로바이트의 여유 저장 공간에 저장되는 것을 알 수 있다.
따라서, 오토로딩 동작과 다이렉트 메모리 액세스 동작이 동시에 수행되는 도 6에 도시된 과정의 반복 즉, 낸드 플래시 컨트롤러(110)의 레지스터(111)에 설정된 오토로딩 명령에 따라 에스램(120)의 여유 공간에 지속적으로 데이터 패키지가 채워지고, 채워지는 데이터 패키지들은 다이렉트 메모리 액세스 동작을 통해서 에스디램(300)으로 지속적으로 전송되는 과정을 통해서 데이터의 복사가 수행된다.
이는, 커맨드를 인가하여 특정 어드레스의 데이터를 불러들이고 그 불러들인 데이터를 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 에스디램에 저장하고, 다시 커맨드를 인가하여 다음 데이터를 불러들이고, 그 불러들인 데이터를 위해서 다시 다이렉트 메모리 액세스를 수행하던 종래에 데이터 복사 방법에 비하여 다이렉트 메모리 액세스를 위한 대기 시간이 대폭 감소된다.
도 7은 낸드 플래시 메모리(200)에 저장된 마지막 데이터 패키지의 오토로딩이 수행되는 과정을 도시하고 있다.
도 7을 참조하면, 지정된 마지막 데이터 패키지가 낸드 플래시 컨트롤러(110)에 의하여 에스램(120)의 여유 공간에 저장되며, 동시에 직전 데이터 패키지가 에스디램(300)으로 전송되고 있음을 알 수 있다. 따라서, 에스디램(300)에 할당 되어 있는 낸드 플래시 데이터의 복사 영역에는 하나의 데이터 패키지에 해당하는 공간이 비워져 있다.
도 8은 에스램(120)에 저장된 마지막 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스 동작에 의해서 에스디램(300)으로 전송됨으로써 데이터 복사가 완료되는 과정을 도시하고 있다.
도 8을 참조하면, 도 7에 도시된 오토로딩 동작을 통해서 에스램(120)에 저장된 마지막 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스에 의해서 에스디램(300)에 저장되고 있는 것을 알 수 있다.
표 1은 본 발명에 따른 데이터 복사 방법을 종래의 폴링 방법 및 종래의 다이렉트 메모리 액세스를 이용한 방법과 비교한 도표로서, K9S1208(64MB, ×8)의 사양을 갖는 낸드 플래시 메모리에 저장된 29.98메가바이트(MByte)의 파일을 135메가헤르쯔(MHz)의 시스템 사양을 가지고 데이터 복사를 수행하였을 경우의 소요 시간을 각각 나타내고 있다.
전송방식 폴링(S/W) DMA(종래) Autoloading & DMA
시간 14,4 sec 5.3 sec 2.96 sec
표 1에 나타내었듯이, 파일의 복사를 위해서 종래의 폴링 방식은 14.4초가 소요되었으며, 종래의 다이렉트 메모리 액세스를 통한 방법은 5.3초가 소요되었다. 이에 비해서, 본 발명에 따라 오토로딩과 다이렉트 메모리 액세스를 병행한 경우에 는 2.96초로 그 처리 시간이 단축되었다.
이러한 데이터 복사 시간의 단축뿐만 아니라, 다이렉트 메모리 액세스 시의 대기 시간이 해소되기 때문에, 대기 시간 동안 사용하지 못하던 메모리 버스를 다른 회로의 동작에 사용할 수 있게 된다.
이상 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시켜 실시할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
특히, 상술한 실시예에서는 데이터를 제공하는 비휘발성 메모리를 낸드 플래시 메모리(200)로, 임시 저장 메모리를 에스램(120)으로, 데이터가 복사되어 저장되는 휘발성 메모리를 에스디램(300)으로 설명하였으나, 실시 환경에 따라 상기 기술된 낸드 플래시 메모리(200), 에스램(120), 에스디램(300) 등은 이들과 균등한 요소로 대체할 수 있음은 자명한 사항일 것이다.
따라서, 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서에 따르면, 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 다수의 패이지로 이루어진 데이터 패키지 단위로 임시 저장 메모리에 자동 저장하는 오토로딩 동 작 및 임시 저장 메모리에 저장된 데이터를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 휘발성 메모리에 전송하는 다이렉트 메모리 액세스 동작을 동시에 반복적으로 수행한다.
따라서, 종래에 비하여 데이터 복사 속도가 빨라지고, 다이렉트 메모리 액세스 시의 과다한 대기 시간을 해소하여 메모리 버스의 불필요한 점유를 막을 수 있어, 버스 효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (25)

  1. 외부의 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 지정하는 단계;
    상기 지정된 데이터 패키지 중 어느 하나를 임시 저장 메모리에 오토로딩시켜 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 단계; 및
    상기 임시 저장 메모리에 저장된 상기 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 외부의 휘발성 메모리로 전송하는 동작 및 상기 비휘발성 메모리로부터 다음 데이터 패키지를 오토로딩시켜 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 동작을 동시 수행하는 단계를 포함하며,
    상기 오토로딩 동작은 레지스터의 설정에 의하여 자동 수행되는 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 동시 수행 단계는 상기 비휘발성 메모리에 지정된 데이터 패키지의 복사가 완료될 때까지 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리에 지정된 데이터 패키지 중 마지막 데이터 패키지가 상기 임시 저장 메모리에 저장되면, 상기 마지막 데이터 패키지를 다이렉트 메모리 액세스를 통하여 외부의 휘발성 메모리로 전송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  4. 상기 제 1 항에 있어서, 비휘발성 메모리는 낸드 플래시 메모리인 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리는 에스램인 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 패키지는 상기 임시 저장 메모리의 저장 용량의 1/2 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리의 저장 용량은 4킬로바이트인 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 휘발성 메모리는 에스디램인 것을 특징으로 하는 데이터 복사 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 임시 저장 메모리;
    외부의 비휘발성 메모리에 저장된 데이터를 데이터 패키지 단위로 리드하여 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 오토로딩 동작을 반복 수행하는 비휘발성 메모리 컨트롤러; 및
    상기 임시 저장 메모리 및 외부의 휘발성 메모리와 메모리 버스를 통해서 연결되며, 상기 비휘발성 메모리 컨트롤러에 의해서 상기 임시 저장 메모리에 저장된 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 상기 외부의 휘발성 메모리로 전송되도록 제어하는 다이렉트 메모리 액세스 제어부를 포함하며,
    상기 오토로딩 동작은, 상기 임시 저장 메모리에 저장된 데이터 패키지가 다이렉트 메모리 액세스를 통해서 상기 외부의 휘발성 메모리로 전송되는 동작과 동시에 수행되며, 레지스터의 설정에 의하여 자동 수행되는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  17. 삭제
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 레지스터에는 상기 데이터 패키지의 크기 설정값, 상기 데이터 패키지의 어드레스 및 상기 오토로딩을 수행하기 위한 일련의 동작 명령 데이터가 저장되는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 컨트롤러는, 상기 비휘발성 메모리에 상기 데이터 패키지의 리드를 요청하는 데이터 패키지 요청 신호를 인가하고, 상기 데이터 패키지 요청 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리로부터 전송되는 데이터 패키지를 상기 임시 저장 메모리에 저장하는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 낸드 플래시 메모리인 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  21. 제 16 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리는 에스램인 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  22. 제 16 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리는 상기 데이터 패키지의 저장된 상태에서 적어도 하나의 다른 데이터 패키지가 저장될 수 있을 만큼의 여유 저장 공간을 갖는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리는 상기 데이터 패키지의 크기의 2배의 저장 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 임시 저장 메모리의 저장 용량은 4킬로바이트인 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
  25. 제 16 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 컨트롤러에 의해서 수행되는 오토로딩 동작과 상기 다이렉트 메모리 엑세스를 통한 상기 휘발성 메모리로의 데이터 전송 동작은 상기 임시 저장 메모리에서 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 어플리케이션 프로세서.
KR1020050011114A 2005-02-07 2005-02-07 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서 KR100640555B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050011114A KR100640555B1 (ko) 2005-02-07 2005-02-07 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서
US11/348,695 US7433976B2 (en) 2005-02-07 2006-02-07 Data copy method and application processor for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050011114A KR100640555B1 (ko) 2005-02-07 2005-02-07 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060090340A KR20060090340A (ko) 2006-08-10
KR100640555B1 true KR100640555B1 (ko) 2006-10-31

Family

ID=36781328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050011114A KR100640555B1 (ko) 2005-02-07 2005-02-07 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7433976B2 (ko)
KR (1) KR100640555B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10380029B2 (en) 2016-11-24 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for managing memory

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100847021B1 (ko) * 2006-10-26 2008-07-17 한국과학기술원 데이터 저장 장치, 데이터 저장 방법 및 그 방법이 기록된컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100204027B1 (ko) 1996-02-16 1999-06-15 정선종 이중면 비휘발성 메모리를 이용한 데이타베이스 회복 장치 및 그 방법
JP2000076147A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Fuji Electric Co Ltd フィールドバス機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100308929B1 (ko) 1999-10-12 2001-11-02 서평원 고속 퓨리에 변환 장치
JP3825605B2 (ja) 2000-03-02 2006-09-27 三洋電機株式会社 データ処理装置
JP2003529878A (ja) 2000-03-30 2003-10-07 マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド 不揮発性モードレジスタを有するシンクロナスフラッシュメモリ
JP4049297B2 (ja) 2001-06-11 2008-02-20 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
FI20021620A (fi) * 2002-09-10 2004-03-11 Nokia Corp Muistirakenne, järjestelmä ja elektroniikkalaite sekä menetelmä muistipiirin yhteydessä
US7139909B2 (en) * 2003-10-16 2006-11-21 International Business Machines Corporation Technique for system initial program load or boot-up of electronic devices and systems

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100204027B1 (ko) 1996-02-16 1999-06-15 정선종 이중면 비휘발성 메모리를 이용한 데이타베이스 회복 장치 및 그 방법
JP2000076147A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Fuji Electric Co Ltd フィールドバス機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10380029B2 (en) 2016-11-24 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for managing memory

Also Published As

Publication number Publication date
US7433976B2 (en) 2008-10-07
US20060179371A1 (en) 2006-08-10
KR20060090340A (ko) 2006-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10049005B2 (en) Flash memory control apparatus utilizing buffer to temporarily storing valid data stored in storage plane, and control system and control method thereof
JP5053552B2 (ja) 異種の非揮発性メモリを持つデータ記憶装置とその駆動方法
US7057911B2 (en) Memory structure, a system, and an electronic device, as well as a method in connection with a memory circuit
US8321633B2 (en) Memory card and method for storing data on memory card
US20100169549A1 (en) Memory system and controller
KR100634436B1 (ko) 멀티 칩 시스템 및 그것의 부트코드 페치 방법
US20050050261A1 (en) High density flash memory with high speed cache data interface
US6888733B2 (en) Multiple chip system including a plurality of non-volatile semiconductor memory devices
US7725621B2 (en) Semiconductor device and data transfer method
KR100707308B1 (ko) 엠엠씨 인터페이스를 갖는 플래시 메모리 장치 및 그것을포함한 메모리 시스템
JP3875139B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置、そのデータ書き込み制御方法およびプログラム
WO2002077824A1 (en) Using volatile memory to buffer non-volatile memory
US7035965B2 (en) Flash memory with data decompression
US20070028037A1 (en) Memory system with automatic dual-buffering
KR100640555B1 (ko) 데이터 복사 방법 및 이를 위한 어플리케이션 프로세서
TWI641988B (zh) 用來於一記憶裝置中進行編程管理之方法以及記憶裝置及其控制器
US7035966B2 (en) Processing system with direct memory transfer
US8503241B2 (en) Electronic apparatus and data reading method
KR100974914B1 (ko) 스마트 카드에 적합한 디엠에이를 이용한 유에스비 데이터 전송 방법
KR102242957B1 (ko) 고속 낸드 메모리 시스템과 고속 낸드 메모리 패키지 디바이스
CN117632809B (zh) 存储器控制器、数据读取方法及存储装置
KR101175250B1 (ko) 낸드 플래시 메모리 장치와 그의 컨트롤러 및 이들의 라이트 오퍼레이션 방법
JP2005190312A (ja) マルチチップパッケージ型メモリシステムおよびコンピュータシステム
JP2022188493A (ja) Ｉｃカード
CN117762346A (zh) 存储器读取方法、存储器存储装置及存储器控制器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120925

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160930

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180927

Year of fee payment: 13