KR100637904B1 - 레이저에 의한 관통홀 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 미리 구리박(copper foil)에 어떠한 홀도 형성하지 않고 이산화탄소 가스 레이저의 에너지에 의해 고속으로 홀 벽에 관해 높은 신뢰성을 갖는 작은 직경의 관통홀(through hole)을 제조하는 방법과 이에 이용되는 보조재(auxiliary material)에 관한 것으로서, 그 제조방법은 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물(organic substance)의 코팅(coating)이나 시트(sheet)가 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 적어도 하나의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 그리고 상기 투과홀을 형성하기 위해 필요한 펄스(pulse)의 이산화탄소 가스 레이저로 그 표면을 조사함을 포함하여 구성되며; 또한, 이산화탄소 가스 레이저로 구리적층판(copper-clad laminate)에 투과홀이 제조될 때 사용되는 보조재는 금속화합물 분말, 탄소분말과 적어도 900℃의 융점 및 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹중에서 선택된 적어도 하나의 분말이 3 내지 97부피% 함유되는 유기물의 코팅 또는 시트임을 특징으로 한다.

인쇄회로기판, 레이저, 이산화탄소, 보조재, 백업시트

Description

레이저에 의한 관통홀 제조방법{METHOD OF MAKING THROUGH HOLE WITH LASER}

도1은 실시예1과 2에서 이산화탄소 가스 레이저로 관통홀을 위한 투과홀을 제조하는 단계를 보이는 도면으로, (1)은 금속화합물을 함유한 수지의 코팅을 형성하는 단계를 보이며, (2)는 홀을 형성하고 상기 코팅을 제거하는 단계를 보이며, (3)은 구리적층판(copper-clad laminate)의 각 구리박(copper foil)의 전체 표면을 에칭하여 그 일부 두께를 제거(SUEP: surface uniform etching process)하고, 홀 주위의 구리박 돌기(burr)를 제거하고 구리박을 용해하는 단계를 보이며, 그리고 (4)는 구리도금의 단계를 보인다.

도2는 백업시트(backup sheet)가 제공되는 실시예8에서 이산화탄소 가스 레이저로 관통홀을 위한 투과홀을 제조하는 단계를 보인다.

도3은 비교예5에서 관통홀을 위한 투과홀을 제조하는 단계를 보이는 도면으로, (1)은 에칭에 의해 구리박을 제거하는 단계를 보이며, (2)는 홀을 제조하는 단계를 보이고, 그리고 (3)은 구리도금의 단계를 보인다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

a: 수지 코팅, b: 구리박, c: 열경화성 수지층,

d: 투과홀부, e: 돌기, f: 수용성(water-soluble) 수지 조성물

g: 알루미늄박(aluminum foil)

본 발명은 이산화탄소 가스 레이저로 적어도 두 개의 구리층을 갖는 구리적층판에 관통홀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 에칭에 의해 사전에 표면 구리박을 제거하지 않고 고출력 이산화탄소 가스 레이저의 에너지로 구리적층판의 표면을 직접 조사하므로써 관통홀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 제조된 관통홀을 갖는 구리적층판이 적용되는 인쇄회로기판은 주로 소형 반도체 플라스틱 패키지에 이용된다.

반도체 플라스틱 패키지 등에 이용되는 고밀도 인쇄회로기판에서 관통홀은 보통 드릴로 제조된다. 최근 관통홀 직경이 0.15mm이하로 감소되고 있으며, 그에 따라 드릴의 직경도 감소되고 있다. 작은 직경을 갖는 홀이 제조될 때, 드릴의 작은 직경에 의해 드릴이 구부러지거나 부러지거나 혹은 처리 속도가 낮은 문제가 있으며, 이 때문에 생산성이나 신뢰성에 문제를 초래한다.

게다가, 고밀도 인쇄회로기판에서는, 회로의 폭과 공간이 크게 감소하고 있고, 일부 인쇄회로기판에서는, 선/공간이 100㎛/100㎛이하이다. 이 경우, 가끔 패턴 파손이나 회로 단락이 발생하며, 저수율을 초래한다.

게다가, 선정된 방법에 따라 음각필름을 통해 상부와 하부 표면상에 있는 구리박에 동일 크기를 갖는 홀과 이산화탄소 가스 레이저로 상부와 하부 표면을 잇는 관통홀이 제조되는 방법이 적용될 때, 상부와 하부 표면상에 있는 홀의 위치가 서로 벗어나 랜드(land)를 형성하기 어렵다는 문제가 있다. 게다가, 이산화탄소 가스 레이저로 배면 표면(reverse surface)을 조사하므로써 배면 표면상에 구리박을 통과하는 홀을 제조하기 위해서는 고출력의 에너지가 요구된다. 따라서, 배면 측상에 금속시트를 놓으므로써 레이저는 금속시트로 한정된다. 이 경우조차 그 금속시트가 광택을 갖을 때, 레이저빔은 반사되어 구리적층판의 배면 표면을 때리는데, 이는 결함을 일으킨다. 더욱이 동시에 복수개의 구리적층판에 홀을 제조하는 것이 불가능하였다.

유리섬유 기재(glass cloth substrate)와 열경화성 수지로 형성된 구리적층판은 다음과 같은 문제가 있다. 관통홀이 저출력 이산화탄소 가스 레이저로 제조될 때, 상기 유리섬유를 처리하기 어렵고 홀의 내벽은 보풀이 일어나며, 반대로 이산화탄소 가스 레이저의 출력이 높을 때, 홀 내벽은 일직선으로 형성되지 않고 변형된다. 게다가, 구리박이 이산화탄소 가스 레이저로 직접 조사될 때, 레이저는 반사되어 어떠한 홀도 제조될 수 없다.

본 발명의 목적은 구리박에 미리 어떠한 홀도 형성하지 않고 고출력 이산화탄소 가스 레이저의 에너지로 고속으로 홀의 벽에 관하여 고신뢰성을 갖는 작은 직경의 홀을 제조하는 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 구리박에 미리 어떠한 홀도 형성하지 않고 고출력 이 산화탄소 가스 레이저의 에너지로 고속으로 복수개 적층된 구리적층판에 홀벽에 관하여 고신뢰성을 갖는 작은 직경의 홀을 제조하는 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 고출력 이산화탄소 가스 레이저로 홀을 형성하는데 적합한 구리적층판을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 이산화탄소 가스 레이저로 직접 조사되는 구리박 표면에 밀접될 때, 이산화탄소 가스 레이저로 높은 신뢰성 있는 홀을 용이하게 형성할 수 있는 보조재(auxiliary material)를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 이산화탄소 가스로 매우 신뢰성 있는 홀을 용이하게 형성할 수 있는 백업시트(backup sheet)를 제공함에 있다.

본 발명에 따르면, 적어도 두 개의 구리층을 갖는 열경화성 수지 구리적층판에 관통홀을 위한 투과홀(penetration hole)을 형성하는 방법에 있어서, 상기 열경화성 수지 구리적층판의 구리박이 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동(pulse oscillation)에 의해 구리박을 제거하기 충분한 20 내지 60mJ/pulse의 에너지로 처리되고, 상기 방법은 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물의 코팅이나 시트를 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 적어도 하나의 구리박 표면상에서 형성하거나 배열하고, 그리고 상기 투과홀을 형성하기 위해 필요한 펄스의 이산화탄소 가스 레이저로 그 표면을 조사함을 포함하여 구성되는 투과홀 형성방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 방법에 따른 관통홀을 위한 투과홀 형성방법에 있어, 상기 투과홀을 형성한 후, 상기 구리박 표면 양쪽이 그 두께의 일부를 제거하여 평탄한 표면을 형성하고, 그리고 동시에 상기 투과홀상에 부풀어 일어나는 구리박 돌기(burr)를 제거하도록 에칭되는 투과홀 형성 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 방법에 있어, 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물의 코팅이나 시트가 2 내지 10개의 구리적층판의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 이때, 하나의 코팅이나 시트가 하나의 구리적층판의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 상기 2 내지 10개의 구리적층판은 적층되며, 그리고 상기 적층된 구리적층판의 상부 표면은 동시에 투과홀을 형성하도록 이산화탄소 가스 레이저로 조사되는 투과홀의 형성방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 적어도 두 개의 구리층을 구비한 열경화성 수지 구리적층판내의 관통홀을 위한 투과홀을 형성하는 방법에 이용되는 구리적층판에 있어서,

상기 열경화성 수지 구리적층판의 구리박이 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동에 의해 구리박을 제거하기 충분한 20 내지 60mJ/pulse의 에너지로 처리되고, 상기 구리적층판은 적어도 150℃의 유리전이온도(glass transition temperature)와 10 내지 60중량%의 무기질 절연 충진재(insulating inorganic filler)를 갖는 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 함침된 유리직물 기재(glass fabric substrate)의 프리플랙(prepreg)을 함유하는 구리적층판이고, 열경화성 수지와 상기 수지 조성물로부터의 무기질 충진재가 균일하게 혼합된 단면을 구비한 구리적층판이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동에 의해 20 내지 60mJ/pulse의 충분한 에너지로 구리박 표면을 조사하므로써 구리적층판내에 투과홀이 이산화탄소 가스 레이저로 제조될 때 상기 구리적층판의 구리박 표면상에 사용되며, 그리고 금속화합물 분말, 탄소분말과 적어도 900℃의 융점 및 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹중에서 선택된 적어도 하나의 분말이 3 내지 97부피% 함유되는 유기물 코팅 또는 시트인 보조재가 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동에 의해 20 내지 60mJ/pulse의 에너지로 전면 구리박 표면을 조사하므로써 구리적층판내에 이산화탄소 가스 레이저로 홀이 제조될 때 상기 구리적층판의 최외측 배면 구리박 표면상에 사용되며, 그리고 20 내지 200㎛ 두께의 수지층과 금속판을 포함하여 구성되는, 이산화탄소 가스 레이저로 홀을 제조하기 위한 백업시트가 제공된다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명에서는 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동에 의해 구리박을 제거하기 충분한 20 내지 60mJ/pulse의 에너지로 열경화성 수지 구리적층판의 구리박을 처리하므로써, 적어도 두 개의 구리층을 갖는 열경화성 수지 구리적층판에 관통홀을 위한 투과홀을 형성하기 위하여 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물의 (이하, 때로는 "보조재"로 간주되는) 코팅이나 시트(sheet)가 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 적어도 하나의 구리박 표면상에서 형성되거나 배열되고, 그리고 상기 투과홀을 형성하기 위해 필요한 펄스(pulse)의 이산화탄소 가스 레이저로 그 표면을 조사한다.

그 다음, 각 표면상의 구리박 전체 표면은 그 두께의 일부를 제거하도록 동시에 투과홀부(penetration hole portion)상에 일어나는 구리박의 돌기(burr)를 제거하도록 에칭되며, 이에 의해 도금으로 관통홀을 형성하기 위한 투과홀이 얻어지며, 그 홀 주위에 존재하는 구리박이 유지된다. 이런 방식에서는 그 홀 주위와 전면과 배면에 있는 구리박의 위치는 벗어나지 않고, 랜드(land)가 형성될 수 있고, 그 관통홀은 굴곡되지 않으며, 그리고 각 구리박의 두께는 감소된다. 따라서, 금속도금에 의해 얻어진 전면과 배면 구리박 위의 좁은 회로선을 형성하는 후속공정에 있어서는, 회로단락(short circuit)과 패턴 파손(pattern breakage)과 같은 결함은 일어나지 않으며, 고밀도 인쇄회로기판이 제조될 수 있다. 게다가, 이산화탄소 가스 레이저에 의한 처리속도는 드릴에 의한 처리속도에 비해 현저하게 높고, 따라서 본 발명 방법은 생산성 측면과 경제적 측면에서 월등하다.

관통홀을 위한 투과홀이 제조된 후, 각 표면상의 구리박의 전체 표면은 화학적 에칭을 하지 않고 기계적인 경면처리(polish)될 수 있다. 그러나, 돌기를 제거하고 미세 패턴을 형성하기 위하여는 상기 전체 표면을 화학적으로 에칭함이 바람직하다. 게다가 본 발명에 따르면, 관통홀을 위한 투과홀은 양면 구리적층판 뿐만아니라 동일한 수지 조성물을 이용하여 얻어지는 다층 적층판(multi-layered laminate)에서도 제조될 수 있다.

본 명세서에 첨부된 도면에서는 a는 금속 또는 금속화합물 분말을 함유하는 수지 코팅을 보이며, b는 구리박을 나타내고, c는 유리직물 기재 열경화성 수지층을 보이고, d는 투과홀이 이산화탄소 가스 레이저로 제조되는 부분을 보이며, e는 돌기를, f는 수용성(water-soluble) 수지 조성물을 보이고, 그리고 g는 표면이 거친 알루미늄박(surface-gross aluminum foil)을 나타낸다.

본 발명은 보조재가 2 내지 10개의 구리적층판의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 하나의 보조재가 하나의 구리적층판의 구리박 표면상에 있고, 상기 2 내지 10개의 구리적층판은 적층되며, 그리고 동시에 상기 2 내지 10개의 구리적층판에 관통홀을 위한 투과홀, 특히 작은 직경을 갖는 홀을 제조하기 위해 상기 적층된 구리적층판의 상부 표면은 필요한 고출력 이산화탄소 가스 레이저의 펄스로 직접 조사되는 방법을 적용할 수 있다. 투과홀이 제조되는 구리적층판은 그 위에 반도체칩을 실장하기 위해 사용된다. 이 경우, 수용성 수지로 형성된 보조재는 구리적층판상에 배열되고, 한 개의 보조재가 하나의 구리적층판상에 있고, 상기 구리적층판들은 적층되어 서로 고착되고, 관통홀이 제조될 수 있다.

본 발명에서 사용되는 구리적층판은 불가결한 것은 아니다. 예를들면, 열경화성 수지 조성물로 함침된 유리직물 기재(열경화성 수지 조성물로 함침된 유리섬유 강화 프리플랙)와 그 양쪽 표면에 접합된 구리박으로 형성된 양면 구리적층판, 그러한 적층판의 다층 기판, 내층(internal layer)으로서 유리직물 기재 강화 구리적층판을 제공하고 그 적층판의 각 표면상에 자외선 경화(ultraviolet-curable) 수지 조성물을 배열하고 구리 도금을 반복하므로써 형성된 다층 기판, 구리박을 접착제로 폴리이미드 필름에 접합시키므로써 형성된 기판 또는 필름, 그리고 기재로서 유기물 섬유를 갖는 구리적층판과 같은 일반적으로 공지된 구리적층판(다층 기판)을 포함한다. 이 가운데 바람직하게는 기재로서 유리직물이 제공되고 상기 유리직물을 무기물 절연 충진재를 함유하는 열경화성 수지 조성물로 균일하게 함침하므로써 형성된 양면 구리적층판이 사용된다. 관통홀을 위한 투과홀은 하나의 구리층을 갖는 구리적층판에서 자연히 제조될 수 있다. 특별히 제한되지는 않지만, 상기 구리적층판의 두께는 0.05 내지 1.0mm가 바람직하다.

상기 기재는 특별히 제한되지 않는다. 무기 섬유(inorganic fiber)로서, 일반적으로 공지된 유리 직물(glass woven fabric)과 유리 부직포(glass non-woven fabric)가 사용된다.

상세하게는, 상기 유리 섬유는 E, S, D 및 N 유리섬유들을 포함한다. 열경화성 수지 조성물로 함침된 기재에서는 유리(glass) 함량은 한정되지 않는 반면, 이것은 일반적으로 30 내지 85중량%이다. 유기 섬유(organic fiber)로서는 완전 방향족 폴리아미드 섬유(wholly aromatic polyamide fiber)와 액정 폴리에스테르 섬유(liquid crystal polyester fiber)의 직물과 부직포가 사용된다. 게다가, 폴리이미드 필름이 필름의 한 개 혹은 각 표면에 수지층이 접합되는 형태로 사용될 수 있다.

본 발명에서 사용되는 열경화성 수지 조성물의 수지는 일반적으로 공지된 열경화성 수지로부터 선택될 수 있다. 상기 수지의 상세한 예로는 에폭시 수지, 다작용성 시아네이트 에스테르(polyfunctional cyanate ester) 수지, 다작용성 말레이미드-시아네이트 에스테르(polyfunctional maleimide-cyanate ester) 수지, 다작용성 말레이미드 수지와 불포화기를 함유한 폴리 페닐렌 에테르(unsaturated-group- containing polyphenyene ether) 수지를 포함한다. 상기 수지들은 단독 또는 조합하여 사용될 수 있다. 고출력 이산화탄소 가스 레이저로 조사하는 처리를 하므로써 형성된 관통홀의 형태 측면에서는 적어도 150℃의 유리전이온도를 갖는 열경화성 수지 조성물을 사용함이 바람직하다. 내습성(humidity resistance), 이동저항성(anti-migration properties)과 수분 흡수후 전기적 특성 측면에서는 다작용성 시아네이트 에스테르 수지 조성물을 사용함이 바람직하다. 상기 열경화성 수지 조성물은 흑색 또는 어두운 계통의 염료(dark dye) 또는 안료(pigment)를 함유할 수 있다.

본 발명에서 열경화성 수지의 성분으로서 상기 다작용성 시아네이트 에스테르는 그 분자가 적어도 2개의 시아나토기(cyanato group)를 갖는 화합물을 말한다. 그 특정예로는 1,3- 혹은 1,4-디시아나토벤젠, 1,3,5-트리시아나토벤젠, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6 혹은 2,7-디시아나토나프탈렌, 1,3,6-트리시아나토나프탈렌, 4,4-디시아나토비페닐, 비스(4-디시아나토페닐)메탄, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디브로모-4-시아나토페닐)프로판, 비스(4-시아나토페닐)에테르, 비스(4-시아나토페닐)티오에테르, 비스(4-시아나토페닐)술폰, 트리스(4-시아나토페닐)포스파이트, 트리스(4-시아나토페닐)포스페이트 및 노볼락과 시안 할라이드간의 반응에 의해 얻어진 시아네이트류를 포함한다.

상기 화합물이외에, 일본 특허공보 41-1928, 43-18468, 44-4791, 45-11721, 46-41112, 47-26853과 51-63149호에 개시된 다작용성 시아네이트 에스테르 화합물이 사용될 수 있다. 나아가, 상기 다작용성 시아네이트 에스테르 화합물의 시아나토기를 삼중합하여 형성된 트리아진 고리를 갖고 분자량이 400∼6000인 예비중합체(prepolymer)가 사용될 수도 있다. 상기 예비중합체는 무기산(mineral acid) 및 루이스산(Lewis acids)과 같은 산; 소디움 알코올레이트 또는 3차 아민과 같은 염기, 혹은 촉매인 탄산나트륨과 같은 염의 존재하에 상기 다작용성 시아네이트 에스테르를 중합함으로써 얻어진다. 상기 예비중합체는 미반응된 단량체를 포함하며 단량체와 예비중합체의 혼합물 형태로 존재하며, 이 물질은 본 발명에서 적절하게 사용될 수 있다. 일반적으로 상기 수지는 수지가 용해성있는 유기 용매내에서 용액의 형태로 사용된다.

일반적으로 에폭시 수지는 공지된 에폭시 수지로부터 선택될 수 있다. 상기 에폭시 수지의 특정예로는 액체 혹은 고체 비스페놀 A 타입 에폭시 수지, 비스페놀 F 타입 에폭시 수지, 페놀 노볼락 타입 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 타입 에폭시 수지, 지방족 고리형(alicyclic) 에폭시 수지; 부타디엔, 펜타디엔, 비닐시클로헥센 혹은 시클로펜틸 에테르의 이중 결합을 에폭시화하여 제조된 폴리에폭시 화합물; 및 폴리올, 히드록실기 함유 실리콘 수지 및 에포할로히드린의 반응에 의해 얻어진 폴리글리시딜 화합물;을 포함한다. 상기 수지는 단독으로 혹은 혼합하여 사용될 수 있다.

폴리이미드 수지는 공지된 폴리이미드 수지로부터 일반적으로 선택될 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 특정예로는 JP-B-57-005406에서 개시된, 다작용성 말 레이미드 및 폴리아민의 반응 산물, 및 말단이 삼중 결합을 갖는 폴리이미드를 포함한다.

상기 열경화성 수지는 단독으로도 사용될 수 있으나, 특성에 있어 균형을 이루기 위하여 필요하다면 이들을 혼합하는 것도 바람직하다.

본 발명에서 사용된 열경화성 수지 조성물은 조성물의 고유 특성이 손상되지 않는 한 필요하다면 다수의 첨가제를 함유할 수 있다. 상기 첨가제의 예로는 불포화된 폴리에스테르와 같은 중합가능한 이중 결합을 갖는 단량체 및 그 예비중합체; 폴리부타디엔, 에폭시화된 부타디엔, 말레화된 부타디엔, 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리클로로프렌, 부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리이소프렌(polyisoprene), 부틸 고무, 불소 함유 고무(fluorine-containing rubber) 및 천연고무와 같은 저분자량의 액상-고분자량의 탄성 고무; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리-4-메틸펜텐, 폴리스티렌, AS 수지, ABS 수지, MBS 수지, 스티렌-이소프렌 고무, 폴리에틸렌-프로필렌 공중합체, 4-플르오로에틸렌-6-플르오르에틸렌 공중합체; 폴리카보네이트, 폴리페닐렌 에테르, 폴리술폰, 폴리에스테르와 폴리페닐렌 술파이드와 같은 고분자량 예비중합체 혹은 소중합체(oligomer); 및 폴리우레탄을 포함한다. 상기 첨가제는 필요에 따라 사용된다. 나아가, 무기 혹은 유기 충진제, 염료, 안료, 농조화제, 윤활제, 소포제, 분산제, 평준화제(leveling agent), 감광제(photo-sensitizer), 방염제(flame retardant), 광택제(brightener), 중합 억제제 및 틱소트로픽 제제(thixotropic agent)와 같은 다수의 공지된 첨가제가 필요에 따라 단독 혹은 조합하여 사용될 수 있다. 필요하다면 반응성기를 갖는 화합물내로 경화제 혹은 촉매가 혼입된다.

본 발명에서 사용되는 열경화성 수지 조성물은 가열하에 자체 경화된다. 그러나, 그 경화속도는 낮기 때문에 가공성, 경제성 등이 나쁘고, 공지된 열 경화 촉매가 상기 열경화성 수지에 혼합된다. 열경화성 수지의 중량으로 100부당 촉매의 양은 중량으로, 0.005 내지 10이며, 바람직하게는 0.01 내지 5중량부이다.

무기 절연 충진재는 일반적으로 공지된 충진재로부터 선택될 수 있다. 그 특정예로는 천연실리카, 하소 실리카, 및 비정질 실리카와 같은 실리카; 화이트 카본(white carbon), 티타늄 화이트, 에어로겔(aerogel), 점토, 활석, 규회석(wollatonite), 천연운모, 합성운모, 카올린, 마그네시아, 알루미나와 펄라이트를 포함한다. 상기 수지 조성물에서 충진재의 양은 중량으로 10 내지 60%, 바람직하게는 15 내지 50%이다.

나아가, 이산화탄소 가스 레이저의 레이저빔의 산란을 방지하기 위하여 수지에 흑색 염료 또는 안료를 첨가함이 바람직하다. 상기 흑색 염료나 안료의 입자 직경은 균일한 분산을 위해서는 1㎛이하가 바람직하다. 염료나 안료는 일반적으로 공지된 염료나 안료로부터 선택될 수 있다. 수지에 기초한 그 양은 중량으로 0.1 내지 10%가 바람직하다. 나아가, 상기 섬유 표면은 흑색으로 염색되는 유리섬유가 사용될 수 있다.

최외각층으로서 이용되는 구리박은 일반적으로 공지된 구리박으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는 3 내지 18㎛의 두께를 갖는 전해 구리박(electolytic copper foil)이 사용되는 것이다. 내층으로서 사용되는 구리박으로서는 5 내지 18 ㎛의 두께를 갖는 전해 구리박이 사용됨이 바람직하다.

기재 강화(substrate-reinforced) 구리적층판은 상기 열경화성 수지 조성물로 기재를 함침하고, B-스테이지 프리플랙(B-staged prepreg)을 얻기 위해 상기 조성물을 건조하고, 그 다음 그렇게 얻어진 프리플랙의 선정된 수만큼 적층하고, 상기 적층된 프리플랙의 상부와 하부 표면상에 구리박을 각 표면상에 하나를 배열하고, 그리고 그렇게 얻어진 세트(resultant set)를 가열 가압하에 적층 형성(laminate-forming)함으로써 준비되어 양면 구리적층판을 얻는다. 상기 구리적층판이 글라스이외에 다른 수지나 무기물 충진재가 균일하게 분산된 단면을 갖도록 형성될 때 투과홀은 이산화탄소 가스 레이저로 균일하게 형성될 수 있다. 나아가, 상기 구리적층판은 흑색을 띨 때, 레이저빔의 산란이 방지되므로 평탄하지 않은 벽 표면이 없는 균일한 홀을 제조하기 보다 용이하다.

본 발명에서 구리박 표면상에 사용되는 금속화합물 분말을 위한 금속화합물은 일반적으로 공지된 금속화합물로부터 선택될 수 있다. 그 특정예로는 산화티타늄으로 대표되는 티타니아류, 산화마그네슘으로 대표되는 마그네시아류, 산화철로 대표되는 철산화물류, 산화니켈로 대표되는 니켈 산화물류, 산화구리로 대표되는 구리 산화물류, 이산화망간으로 대표되는 망간 산화물류, 산화아연으로 대표되는 아연 산화물류, 이산화규소, 알루미늄 산화물과 산화코발트와 같은 산화물을 포함한다. 나아가, E, A, C, L, D, S, N과 M 글라스들의 분말은 상기 금속화합물의 혼합물이며, 이들은 역시 본 발명에서 사용될 수 있다.

나아가, 상기 금속화합물은 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드, 보론 나이트라이드, 실리콘 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 바륨 나이트라이드, 칼슘 카보네이트, 희토류 금속 황산염류와 같은 일반적으로 공지된 비산화물질을 포함한다. 또한, 탄소도 사용될 수 있다.

나아가, 은, 알루미늄, 비스무스, 코발트, 구리, 철, 망간, 몰리브덴, 니켈, 바나듐, 비소, 실리콘, 주석, 티타늄과 아연과 같은 단일 물질의 분말 혹은 이들의 합금 분말이 사용될 수 있다. 이들 분말은 단독 또는 조합하여 사용될 수 있다.

상기 구리박상의 코팅이나 시트에서 상기 분말의 양은 부피로 3 내지 97%, 바람직하게는 5 내지 95%이다.

상기 금속화합물 분말에서, 바람직하게는 화합물은 이산화탄소 가스 레이저로 조사하여도 해리되지 않고, 따라서 반도체칩과 홀벽의 밀착 성능에 어떠한 악영향을 미치지 않는다. Na, K와 Cl 이온은 반도체의 신뢰성에 악영향을 주며, 따라서 이들중 하나라도 함유되는 분말을 사용하는 것은 바람직하지 않다.

특별히 한정되지는 않으나, 상기 보조재의 유기물은 이들이 혼합되어 구리박의 표면상에 코팅되고 건조후 시트로 형성될 때 벗겨지지 않는 것중에서 선택된다. 상기 유기물은 수지로부터 선택됨이 바람직하다. 환경친화적인 측면에서는 폴리비닐 알코올, 폴리에스테르, 폴리에테르와 전분(starch)과 같은 일반적으로 공지된 수지로부터 선택된 수용성 수지를 사용함이 바람직하다.

금속화합물, 탄소분말 혹은 금속분말을 함유하고 유기물을 함유하는 조성물을 제조하는 방법은 한정되지 않는다. 상기 방법은 상기 물질들이 용매없이 고온에서 혼합기내에서 혼합되고 혼합물이 시트 형태로 추출되는 방법, 용매나 물에 용해 가능한 수지 조성물이 제공되어 상기 분말이 첨가되며 혼합된 물질을 일정하게 교반하면서 혼합하여 코팅 조성물을 형성하고 상기 코팅 조성물이 구리박 표면위에 코팅된 다음 건조되어 필름을 형성하는 방법, 상기 조성물이 시트를 형성하기 위해 필름에 적용되는 방법, 그리고 유기 혹은 무기 기재가 상기 조성물에 함침 건조되어 상기 기재를 함유하는 시트를 형성하는 방법들을 포함한다. 바람직하게는 상기 코팅이나 시트는 시트의 경우에는 전체 30 내지 200㎛ 두께를 갖도록, 그리고 코팅의 경우에는 5 내지 100㎛ 두께를 갖도록 형성되는 것이다. 나아가, 상기 코팅이나 시트는 레이저빔의 반사를 감소시키기 위해 0.5 내지 3㎛ 높이와 깊이의 오목 불록한 미세 형상을 갖도록 형성된다. 금속화합물 또는 이와 유사한 분말은 5㎛이하의 평균 입자 직경을 갖는 분말으로서 일반적으로 유기물에 혼합되어 균일하게 분산된다. 상기 평균 입자직경은 특히 1㎛이하로 함이 바람직하다.

복수의, 즉 2 내지 10개의 구리적층판에서는 상기 금속화합물 분말, 탄소 분말 혹은 금속분말중 적어도 하나의 분말을 함유하는 수지 조성물로 된 코팅이나 시트가 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 홀 형성 위치에 각 구리박 표면상에 형성되거나 놓여지며, 상기 2 내지 10개의 구리적층판은 적층되고, 그리고 상기 홀 형성부들은 빔을 의도된 직경에 초점을 맞춘 고출력 에너지의 이산화탄소 가스 레이저로 조사되어 홀이 제조될 수 있다. 각 구리적층판은 작은 두께를 갖을 때 더 많은 구리적층판이 적층될 수 있다. 레이저 펄스의 조사(shot) 수가 증가하면, 그 결과 작업성이 떨어지게 된다. 홀이 제조될 때, 백업시트(backup sheet)는 레이저빔을 제한하기 위한 보조재로서 일반적으로 배면 표면상에 사용된다.

본 발명에서 수용성 수지 조성물로 형성된 수지층이 배면 표면 구리박과 접촉되도록 백업시트가 배열되고, 상기 배면 표면이 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 구리박 표면에 대향되도록 상기 수지층은 가열 가압하에 상기 배면 표면 구리박상에 적층되는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명에서 사용될 수 있는 백업시트가 상세하게 설명될 것이다. 통과되어 도달되는 고출력의 이산화탄소 가스 레이저를 흡수하기 위한 백업시트는 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 상기 구리박 표면에 대향되는 표면상에 제공된다. 구리적층판으로 향하는 이산화탄소 가스 레이저의 반사를 방지하기 위해, 상기 백업시트는 그 구리적층판을 통과하여 오는 이산화탄소 가스 레이저빔을 제한할 수 있는 재료로서 형성되는 것이 요구된다. 따라서, 본 발명에서 20 내지 200㎛의 두께를 갖는 수지층, 바람직하게는 수용성 수지층이 상기 "배면" 표면 위에 배열되며, 상기 수지층과 접촉되도록, 바람직하게는 적어도 일부가 거기에 접착되도록 30 내지 200㎛의 두께를 갖는 광택성 금속판이 그 위에 적치되고, 그리고 전면 표면상의 구리박 표면상에 배열되거나 혹은 형성된 보조재가 이산화탄소 가스 레이저의 20 내지 60 mJ/pulse 출력 에너지로 직접 조사되어 홀을 제조한다. 이 경우 통과되어 도달되는 이산화탄소 가스 레이저 에너지는 백업시트의 수지층에 흡수되며, 그 에너지의 일부는 수지층 아래에 위치된 광택성 금속판상에 반사된다. 그러나, 그 에너지는 상기 금속판에서 홀을 제조하기에는 불충분하고 상기 반사된 에너지는 상기 수지층에 흡수되며, 그 결과 배면 표면 구리박상에 손상을 입히지 않고 투과홀이 제조될 수 있다. 나아가, 광택성이 없는 금속시트가 사용될 수 있다. 상기 백업 시트는 간단히 배열될 수 있으나, 가열롤(heating roll)로 상기 배면 표면 구리박에 접착시키는 것이 바람직하다.

수지를 구비한 금속시트나 필름시트를 갖는 백업시트가 가열 가압하에 적층될 때, 상기 백업시트 혹은 필름시트의 수지층은 상기 구리박 표면과 접촉되도록 배열되며, 상기 수지층은 상기 구리박 표면에 적층되어 통상 40 내지 150℃, 바람직하게는 60 내지 120℃의 고온과 통상 0.5 내지 30kgf/cm, 바람직하게는 1 내지 5kgf/cm의 선형 압력에서 가열롤에 의해 용융된다. 상기 적층온도는 선택된 수용성 수지의 융점에 따라 다르며, 또한 선형 압력과 적층속도에 따라 다르다. 일반적으로 상기 적층온도는 그 선택된 수용성 수지보다 5 내지 20℃ 정도 높은 온도에서 설정된다.

상온에서 적층을 할 때, 적용된 수지층의 표면은 적층전 물로 3㎛이하 정도 깊이에서 적셔 어느 정도 상기 수용성 수지를 용해시키고, 그 적층은 상기 압력하에 수행될 수 있다. 상기 적시는 방법은 특별히 한정하지는 않으며, 예를들면 그 적용된 수지층의 표면이 롤에 의해 계속 물에 젖게 되어 상기 구리적층판의 적층이 계속 수행되는 방법, 혹은 상기 적용된 수지층의 표면에 계속 물이 분사되어 상기 구리적층판상에 적층되는 것이 계속 이루어지는 방법이 적용될 수 있다. 상승된 온도하에서의 적층은 투과홀이 제조된 후 백업시트가 보다 용이하게 벗겨지므로 바람직하다.

가장 바람직하게는 보조재인 시트나 코팅이 구리적층판의 상부 표면상에 배열되거나 형성되고, 상기 백업시트가 상기 구리적층판의 배면 표면상에 배열된 다음, 그렇게 얻은 상부 표면이 고출력 이산화탄소 가스 레이저로 조사되는 것이다. 상기 백업시트가 그 구리적층판과 밀착되지 않을 때(견고히 적층되지 않을 때), 탄소가 홀 주위에 들러붙고, 다음 단계에서 오염 문제를 일으킬 수 있다. 따라서, 백업시트는 상기 구리적층판에 밀착하여 견고하게 접촉시키는 것이 바람직하다.

상기 각 수지층과 금속판의 두께는 상기 범위로 한정되지 않으며, 더 클 수도 있다. 그러나, 상기 두께 범위는 경제성 측면에서 바람직하다.

나아가, 상기 백업시트는 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 구리박 표면의 구리박의 선정된 크기 만큼 에칭에 의해 제거되고, 수지 등으로 형성된 절연층이 먼저 이산화탄소 가스 레이저의 5 내지 19mJ/pulse 출력으로 제거되어 출력을 20 내지 60mJ/pulse로 증가시켜 투과홀이 제조되는 방법에서도 사용될 수 있다. 백업시트가 보다 큰 두께를 갖을 때는 YAG레이저가 사용될 수 있다.

투과홀이 20 내지 60mJ/pulse의 이산화탄소 가스 레이저 출력 에너지로 조사되어 제조될 때, 상기 홀 주위에는 돌기(burr)가 생긴다. 따라서, 이산화탄소 가스 레이저로 조사한 후, 구리적층판의 표면 양측은 그 두께의 일부를 제거하여 평탄한 표면을 형성하고, 동시에 상기 돌기들이 제거되도록 에칭된다. 그렇게 얻어지는 구리박은 그 위에 미세 패턴을 형성하기 적합하고, 상기 투과홀은 도금되어 관통홀을 형성하며, 그리고 고밀도 인쇄회로기판에 적합한 상기 구리박은 그 홀 주위에 남게 된다.

상기 투과홀부에 생기는 구리의 돌기를 제거하는 방법은 한정되지 않는다. JP-A-02-22887, JP-A-02-22896, JP-A-02-25089, JP-A-02-25090, JP-A-02-59337, JP-A-02-60189, JP-A-02-166789, JP-A-03-25995, JP-A-03-60183, JP-A-03-94491, JP-A-04-199592와 JP-A-04-263488에 개시된 화학적으로 용해("SUEP 방법")하여 금속 표면을 제거하는 방법이 적용될 수 있다. 이 방법에서 상기 에칭은 일반적으로 0.02 내지 1.0㎛/초의 속도로 수행된다.

일반적으로 이산화탄소 가스 레이저는 적외선 파장 영역에서 9.3 내지 10.6㎛의 파장을 사용한다. 그 출력은 20 내지 60mJ/pulse, 바람직하게는 22 내지 50mJ/pulse이다. 상기 출력이 20mJ/pulse 이하일 때, 홀이 제조될 수 있고, 조사수(number of shots)를 증가하여 본 발명의 보조재를 사용할 때는 시간이 걸리고 효과적이지 않다.

본 발명에 따르면, 관통홀을 위한 높은 신뢰성 있는 투과홀이 사전에 어떠한 구리박도 제거하지 않고 적어도 두 개의 구리층을 갖는 열경화성 수지 함침 구리적층판에서 제조될 수 있는 투과홀 제조방법이 제공된다. 나아가 본 발명에 따르면, 상기 투과홀이 제조된 후, 상기 구리박 표면 양측이 각 구리박의 두께를 감소하도록 에칭되어, 이에 따라 투과홀부 주위와 그 속의 돌기들이 그 에칭에 의해 제거될 수 있고, 상기 투과홀 주위와 인접된 양측 표면들 위의 구리박은 남게 되는 관통홀을 위한 투과홀 제조방법이 제공된다. 나아가 본 발명에 따르면, 표면 양측상의 구리박 위치가 서로 벗어나지 않고 랜드(land)가 형성되고, 그 관통홀은 관통홀 방향을 따라 굴곡될 수 없는 투과홀 제조방법이 제공된다. 나아가, 본 발명에 따르면, 홀부위에 있는 돌기들이 에칭에 의해 제거될 때, 상기 구리박 표면이 에칭에 의해 어느 정도 두께 방향으로 제거되는 투과홀 제조방법이 제공되는데, 이 방법은 전면 표면과 배면 표면 회로가 다음 단계에서 구리도금되어 형성될 때, 회로 단락과 패턴 파손 발생이 없는 고밀도 인쇄회로기판을 제조하는데 유리하다. 본 발명에 따르면, 동시에 복수개 적층된 구리적층판에서 투과홀이 제조될 수 있는 투과홀 제조방법이 제공된다. 나아가, 본 발명에 따르면, 드릴의 처리속도에 비해 처리속도가 현저히 높고 생산성이 현저히 개선된 투과홀 제조방법이 제공된다. 본 발명의 상기 구리적층판, 보조재, 그리고 백업시트는 상기 투과홀 제조방법에 매우 적합하다.

[실시예]

본 발명은 아래에 실시예와 비교예를 통해 상세하게 설명되는데, 여기서 다르게 명시하지 않는 한 "부"는 "중량의 일부"를 의미한다.

실시예 1

2,2-비스(4-사이나토페닐)프로판 900부와 비스(4-말레이미드 페놀)메탄 100부를 150℃에서 녹인 다음 교반하면서 4시간동안 반응시켜 예비중합체를 제조하였다. 이 예비중합체를 메틸 에틸 케톤과 디메틸포름아미드의 혼합용매에서 용해하였다. 이 용액에 비스페놀 A타입 에폭시 수지(상표명:Epikote 1001, Yuka-Shell Epoxy k.k. 공급) 400부와 크레졸 노볼락 타입 에폭시수지(상표명:ESCN-220F, Sumimoto Chemical Co., Ltd. 공급) 600부를 첨가한 다음 이 재료를 균질하게 용해하여 혼합하였다. 또한, 촉매로서 아연 옥틸레이트 0.4부를 첨가한 다음 이 재료들을 용해하고 혼합하였다. 이 결과로 얻은 혼합물에 무기충진재(상표명:Calcined Tale BST-200, 평균입자직경 0.4㎛, Nippon Talc K.K 공급)와 흑색안료 2부를 첨가하고 이 재료를 균질하게 교반하면서 혼합하여 바니쉬 A를 제조하였다.

상기 바니쉬는 두께 100㎛의 유리직물을 함침하도록 사용되었으며, 이 함침된 유리직물을 150℃에서 건조하여 170℃에서 120초의 겔화시간을 가지면서 57중량%의 유리직물이 함유된 프리플랙(프리플랙 B)를 제조하였다.

상기 프리플랙 B 4개를 적층한 다음, 두께 12㎛의 전해구리박을 상기 적층 한 프리플랙B 위에 한쪽 표면위에 하나 그리고 다른 표면위에 나머지를 올려놓고, 이 결과로 얻어진 세트를 2시간동안 30mmHg이하의 진공하에서 200℃의 20kgf/m으로 적층형성하여 두께 400㎛의 절연층을 갖는 양면 구리적층판C를 만들었다.

금속산화물 분말로서 흑화 산화구리분말(평균입자직경 0.9㎛) 800부를 수용상태의 폴리비닐알코올분말의 바니쉬에 첨가하고, 이 재료들을 균질하게 혼합하였다(바니쉬 D). 이 바니쉬 D를 상기 양면 구리적층판위에 적용하여 60㎛의 층을 형성하고, 이 층을 110℃에서 30분동안 건조하여 90부피%의 산화물을 갖는 코팅을 형성하였다. 이 표면의 거칠기는 0.7에서 1.0㎛였다.

상기 구리적층판의 표면에 8펄스(조사)의 이산화탄소 가스 레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 직접 조사하여 70개의 블록 각각에 300㎛의 간격으로 직경 100㎛의 투과홀을 900개 형성하였다.

이 표면의 코팅을 60℃의 물로 세척하여 제거하고, 표면을 디스미어처리하고, 그런 다음 상기 구리판의 홀주위의 구리박 돌기(burr)를 제거하고 SUEP법에 의해 구리박의 두께가 7㎛가 될 때까지 표면위에 구리박을 용해하였다. 일반적인 방법으로 구리도금하여 이 결과로 얻어진 기판위에 두께 15㎛의 층(총두께:22㎛)을 형성하였다. 홀 주변에 랜드용 구리박이 전체적으로 남아있었다.

회로(200, 선/공간=50,50㎛), 솔더볼(solder ball)을 위한 랜드 등을 상기 기판의 양 표면위에 형성하고, 적어도 반도체칩, 결합패드 및 솔더볼 패드 이외의 부위에 도금레지스트(plating resist)로 코팅하고, 니켈도금, 금도금을 행하여 인쇄회로기판을 완성하였다. 이 인쇄회로기판에 대한 평가결과를 표 1에 나타내었다.

실시예 2

실시예 1과 같은 방법으로 양면 구리적층판을 제조하였는데, 이때 흑색안료는 첨가하지 않았다. 흑색코팅 조성물(바니쉬 D)을 상기 적층판의 전면 표면에 적용하고 건조하여 코팅을 형성하였다. 그런 다음, 전면 표면에 9펄스(shots)의 이산화탄소 가스레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 투과홀을 만들었다.

이후에는 실시예1과 같이 하여 인쇄회로기판을 완성하였다. 표 1은 이 인쇄회로판에 대한 평과결과를 나타낸다.

실시예3

에폭시수지(상표명:Epikote 5045) 700부, 에폭시수지(상표명:ESCN-220F) 300부, 디시안디아미드 35부 및 2-에틸-4-메틸이미다졸 1부를 메틸 에틸 케톤과 디메틸포름아미드의 혼합용매에서 용해하고, 여기에 하소활석(calcined talc, 상표명:BST-200) 800부를 첨가한 다음, 이들 재료를 강하게 교반하여 균일하게 분산시켜서 바니시 E를 만들었다. 이 바니쉬 E는 두께 100㎛의 유리직물을 함침하도록 사용한 다음, 건조하여 150초의 겔화시간을 가지면서 53중량%의 유리직물을 갖 는 프리플랙(프리플랙 E)를 만들었다.

이 프리플랙 E 두 개를 적층한 다음, 이 적층된 프리플랙의 양표면에 두께 12㎛의 전해구리박을 한쪽 표면위에 하나 그리고 다른 표면위에 나머지를 올려놓고, 이 결과로 얻어진 세트를 2시간동안 30mmHg이하의 진공하에서 190℃의 20kgf/m로 적층형성하여 양면 구리적층판을 얻었는데, 이 판은 두께 200㎛의 절연층을 갖었다.

상기 적층판의 전면과 배면 표면상에 회로를 형성한 다음 흑화 산화구리를 형성하기 위한 처리를 하여 내층기판G를 얻었다.

또한, 두께 80㎛의 액정 폴리에스테르 섬유 부직포(liquid crystal polyester fiber non-woven fabric)을 상기 바니쉬 E에 침적한 다음, 상기 바니쉬E를 건조하여 겔화시간이 150초인 프리플랙을 만들었다. 이와 같이 하여 얻은 프리플랙을 상기 내층기판G의 상부 표면과 하부 표면위에 올려놓고, 그 위에 두께 12㎛의 전해구리박을 올려 놓은 다음, 이 결과로 얻어진 세트를 동일하게 적층형성하여 4층기판을 얻었다.

이와 별도로, 금속화합물 분말(SiO₂:57중량%, MgO:43중량%, 평균입자직경:0.4㎛)을 폴리비닐 알코올과 전분을 함유하는 수지수용액에 첨가하고, 이들 재료를 균질하고 혼합하고 교반하였다. 이 결과로 얻은 혼합물을 두께 50㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름에 적용하여 두께 25㎛의 층을 형성하고 이층을 110℃에서 25분간 건조하여 10부피%의 금속화합물을 가지는 필름과 같은 보조재 H를 얻었다.

상기 필름과 같은 보조재 H를 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 상방향이 되도록 상기 양면 구리적층판위에 올려 놓고, 이 결과로 얻은 양면 구리적층판에 30mJ/pulse의 출력으로 이산화탄소 가스레이저를 9펄스(shots) 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 이후에는 실시예1과 같이 하여 다층 인쇄회로기판을 완성하였다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 1에 나타내었다

비교예 1

실시예 1의 것과 동일한 양면 구리적층판을 제조하고, 이 적층판의 표면에 어떠한 코팅도 형성하지 않고, 실시예 1과 유사한 방법으로 이산화탄소 가스 레이저로 적층판내에 홀을 만들려고 시도하였다. 그러나 홀은 만들어지지 않았다.

비교예 2

실시예 1의 것과 동일한 양면 구리적층판을 제조하고, 홀이 만들어질 위치에 흑색 마커잉크(black marcker ink)로 검게 칠한 다음, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 이산화탄소 가스 레이저를 상기 위치에 홀을 만들기 위해 조사하였다. 그러나 홀은 만들어지지 않았다.

비교예 3

양면 구리적층판을 실시예 3에서와 동일한 방법으로 준비하되 단 실시예 3에서 사용된 두 개의 에폭시수지를 하나의 에폭시수지(Epikote 5045) 1000부만으로 대체하였다. 실시예 1에서 제조한 바니쉬 D를 상기 구리박 표면에 마찬가지로 적용하고 건조하여 두께 60㎛의 코팅을 형성한 다음 이 결과로 얻은 적층판에 이산화탄소 가스레이저를 17mJ/pulse의 출력으로 19회(shots) 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 각 홀벽에는 유리섬유의 보풀이 발견되었고, 각 홀은 편심된 타원형이었다. 그런 다음 SUEP처리를 하지 않고 실시예 3과 동일한 방법으로 인쇄회로기판을 제조하였다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 1에 나타낸다.

비교예 4

실시예 1의 것과 동일한 양면 구리적층판을 사용하고 이 적층판내에 직경 100㎛의 기계적 드릴로 1m/min의 공급속도와 100,000rpm의 회전수로 홀을 300㎛의 간격으로 만들었다.

디스미어 처리한 다음, 마찬가지로 구리도금하고 상기 전면과 배면 표면상에 회로를 형성하고 이어서 실시예 1과 같은 처리하여 인쇄회로기판을 얻었다.

상기 드릴작업에서 두 개의 드릴이 부러졌다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 5

실시예 1의 것과 동일한 양면 구리적층판의 구리박표면을 에칭하고 이 구리박표면에 300㎛의 간격으로 직경 100㎛의 홀을 900개 만들었다. 마찬가지로 상기 구리박의 배면측위의 대응하는 상부위에 직경 100㎛의 홀을 900개 만들었다. 이산화탄소 가스레이저를 17mJ/pulse의 출력으로 8펄스(shots) 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 70개의 각 블록내에 900개, 총 63,000개의 홀을 만들었다. 그런 다음, 비교예 4와 같은 방식으로 디스미어 처리하고, 구리도금하여 각 표면상에 두께 15㎛의 구리층을 형성하고 각 표면에 회로를 만들어 인쇄회로기판을 완성하였다. 표 1은 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 나타낸다.

<측정방법>

1)전면과 배면 표면상의 홀 위치편차, 그리고 250×250mm 정사각형 크기의 원판(work)에 블록 70개로 각 홀의 직경이 100㎛의 홀인 900(총 63,000개의 홀) Holes/block의 홀을 만들기 위한 시간주기.

이 홀들은 이산화탄소 가스레이저 또는 기계적 드릴로 만들었다. 표 1에는 요구되는 시간주기의 최대값과 전면과 배면 표면상의 홀위치의 최대편차값를 나타낸다.

2)회로패턴파손과 회로단락

실시예와 비교예에서, 마찬가지로 홀이 없는 기판을 제조하여 선/공간=50/50㎛를 갖는 머리빗모양의 패턴(comb-like pattern)을 만들고, 그런 다음 에칭한 후 확대경을 통해 200개의 패턴이 뚜렷이 육안으로 관찰되었다. 분자는 회로패턴파손과 회로단락된 총패턴의 개수를 보인다.

3)유리전이온도는 DMA법으로 측정하였다.

4)관통홀 열처리시험

각 관통홀내에 직경 200㎛의 랜드를 형성하고, 900개 홀을 한 표면에서 다른 표면으로 번갈아 연결하였다. 1회 열처리주기는 260℃에서 30초간 납땜을 위한 함침과 실온에서 5분동안 유지하는 것으로 구성되며, 이러한 열처리주기를 200회 반복하였다. 표 1에는 저항값 변화율의 최대값을 나타낸다.

5)가압기구시험(pressure cooker treatment)후의 절연저항값

실시예와 비교예에서, 선/공간=50/50㎛인 패턴에서 어떠한 패턴파손과 회로단락도 없는 적층판을 선택하고, 이 적층판을 흑화처리한 다음 실시예와 비교예에서 사용된 것과 같은 프리플랙 하나를 이 위에 올려놓은 다음, 두께 12㎛의 전해구리박을 이 위에 올려 놓고 이 결과 얻어진 세트를 동일조건으로 적층형성하여 다층기판을 형성하였다. 이 위에 회로를 형성하고 이 다층회로기판을 선정된 시간주기동안 2기압하에서 121℃의 온도로 유지하고 이를 꺼낸 다음, 60%RH의 25℃에서 2시간동안 유지하였다. 그런 다음, 500VDC를 60초동안 적용하고, 이 기판의 내부단자절연저항값을 측정하였다.

6)이동저항성(anti-migration properties)

직경 100㎛ 홀간 거리가 300㎛인 두 개의 관통홀을 독립적으로 연결하고, 이와 같이 연결된 100세트를 만들었다. 50VDC를 85℃와 85%RH의 분위기에서 적용하고, 선정된 시간주기동안 처리한 후 관통홀 사이에 절연저항값을 측정하였다.

비교예 6

무기절연충진재를 이용하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방식으로 양면 구리적층판을 제조하였다. 관통홀을 위한 투과홀은 실시예 1과 같은 방식으로 이산화탄소 가스레이저를 조사하여 만들었다. 일단 SUEP처리 없이 기계적으로 경면처리(polishing)하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 평가결과를 표 2에 나타낸다.

실시예 4

에폭시 결합제(coulping agent) 4부를 추가로 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1에서 마니쉬 A를 제조하는 것과 동일한 방식으로 바니쉬 I를 제조하였다. 그런 다음 바니쉬 A를 상기 바니쉬 I로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 두께 400㎛의 절연층을 갖는 양면 구리적층판 J를 제조하였다.

이와 별도로, 평균입자직경 0.9㎛의 흑화 산화구리분말 800부를 수용상태의 폴리비닐 알코올분말(용융온도 83℃)의 바니쉬에 첨가하고 이들 재료를 균질하게 교반하면서 혼합하였다. 이 혼합물을 두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 위에 적용하여 두께 20㎛의 층을 형성한 다음 이 층을 110℃에서 30분간 건조하여 13부피% 이상의 산화금속을 갖는 필름부착시트(보조재K)를 형성하였다. 이 필름부착시트를 상기 양면 구리적층판 J 위에 올려놓았다. 상기 보조재 K 와 상기 양면 구리적층판J의 세트 3개를 이러한 방식으로 제조하여 적층한 다음, 이 적층세트의 상부표면에 19펄스의 이산화탄소 가스레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 70개 블록내의 각각에 관통홀을 위한 직경 100㎛의 투과홀 900개를 300㎛의 간격으로 만들었다. 상기 표면상의 보조재K를 제거한 다음 홀주위에 구리박 돌기를 SUEP방법으로 용해하여 제거하고 동시에 각 기판내에 구리박이 두께 5㎛로 될 때까지 표면 구리박을 용해하였다. 종래방법에 따라 각 기판에 구리도금하여 두께 15㎛의 층(총 두께:20㎛)을 형성하였다. 랜드를 위해 홀 주위에 전체 구리박을 각 기판상에 남겨놓았다. 회로(200, 선/공간=50/50㎛), 솔더볼을 위한 랜드 등을 각 기판의 양표면에 형성하고, 적어도 반도체 칩, 결합패드와 솔더볼 패드 이외의 위치에 도금레지스트로 코팅하고 니켈도금과 금도금을 행하여 인쇄회로기판을 완성하였다.표 3은 상기 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 보인다.

실시예 5

에폭시 수지(상표명:Epikote 5045) 1,400부, 에폭시 수지(상표명:ESCN220F) 600부, 디시안이미드 70부와 2-에틸-4-메틸이미다졸 2부를 메틸 에틸 케톤과 디메틸포름아미드의 혼합용매에서 용해하고, 무기절연충진재(상표명:BST200, 평균입자직경 0.4㎛, Nippon Talc K.K 공급) 800부를 첨가한 다음, 이 혼합물을 강제적으로 교반하여 균일하게 분산시켜서 바니쉬를 얻었다. 두께 100㎛의 유리직물을 이 바니쉬에 함침하고 이 바니쉬를 건조하여 150초의 겔화시간을 가지면서 55중량%의 유리섬유를 갖는 프리플랙(프리플랙 L)를 만들었다.

프리플랙 L 하나를 사용하였다. 이 프리플랙 L의 양표면상에 두께 12㎛의 전해구리박을 한쪽 표면위에 하나 그리고 다른 표면위에 나머지를 얹히고 이 결과로 얻은 세트를 2시간동안 30mmHg이하의 진공하에서 190℃의 20kgf/m로 적층형성하여 양면 구리적층판 M를 얻었다. 이 절연층의 두께는 100㎛였다.

또한, 이와 별도로, MgO:43부피%, SiO₂:7부피%를 함유하고 평균입자직경이 0.8㎛인 금속산화물을 폴리비닐 알코올용액에서 용해하고 이 결과로 얻은 용액을 두께 25㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름에 적용하여 두께 25㎛의 층을 형성하였다. 이 층을 건조하여 90중량%의 금속산화물을 갖는 수지조성층이 부착된 시트를 제조하였다.

상기 시트를 상기 양면 구리적층판M 위에 얹힌 다음, 실시예 4와 같은 방식으로 적층하였다. 상기 보조재와 상기 양면 적층구리판 8세트를 상기와 같은 방식 으로 제조하여 적층하였다. 상기 적층된 세트의 상부표면에 25펄스(shots)의 이산화탄소 가스레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 이후에는 실시예 4와 같은 방식으로 인쇄회로기판을 제조하였다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 3에 나타낸다.

비교예 7

두 개의 에폭시수지를 2,000부의 Epikote 5045 하나로 대체하는 것을 제외하고는 실시예 5에서와 같이 동일한 방식으로 양면 구리적층판 8개를 제조하였다. 실시예 5에서 사용된 것과 같은 시트를 상기 구리 박 표면상에, 하나의 구리박표면상에 하나의 시트를 얹혀놓은 다음, 상기 시트와 상기 양면 구리적층판 세트 8개를 적층하였다. 상기 적층된 세트의 상부표면에 41펄스(shots)의 이산화탄소 가스레이저를 17mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 상기 투과홀의 홀벽상에는 유리섬유가 관찰되었으며, 상기 홀들은 편심된 타원형이었다. 이와 같이 제조된 적층판을 열수로 세척하고 SUEP처리하지 않고 기계적으로 경면처리하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 3에 나타내었다.

비교예 8

실시예 4의 것과 동일한 3개의 양면 구리적층판의 구리박을 에칭하고 이 적층판의 각각의 구리박 표면내에 구리박에칭에 의해 직경 100㎛의 홀을 300㎛의 간격으로 900개 만들었다. 마찬가지로 상기 각 배면상의 구리박 표면의 대응하는 위치에 직경 100㎛의 홀 900개를 만들어 각 70개 블록내에 패턴 마다 900개, 총 63,000개의 홀을 만들었다. 이들 3개의 구리적층판을 적층하고 이 적층판의 상부표면에 19펄스(shots)의 이산화탄소 가스레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 그후 상기 각 적층판의 구리박표면을 기계적으로 경면처리하고 SUEP처리하지 않고 구리도금하여 각 표면상에 두께 15㎛의 층을 형성하고 각각의 전면과 배면 표면상에 회로를 형성한 다음, 실시예 4에서와 동일한 방식으로 인쇄회로기판을 제조하였다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 3에 나타낸다.

	실시예
	4	5
전면과 배면 표면상의 홀 위치 편차(㎛)	0	0
홀 형태	원	원
홀의 내벽 표면	거의 일직선	거의 일직선
홀의 크기	상부 기판에서 최하부 기판까지 거의 동일	상부 기판에서 최하부 기판까지 거의 동일
랜드주위의 구리박 부스러기	없음	없음
패턴파손과 회로단락 (발생부)	0/200	0/200
유리전이 온도(℃)	235	160
관통홀 열처리 시험(%)	2.6	4.3
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	17	10

	비교예
	7	8
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0	25
홀 형태	타원	상부기판에서는 원, 하부기판에서는 타원
홀의 내벽 표면	심하게 불평탄함	거의 일직선
홀의 크기	하부기판은 보다 작은 직경을 갖음	상부측기판측에서는 거의 동일, 하부측기판에서는 보다 작고 불규칙
랜드주위의 구리박 부스러기	아니오	예
패턴파손과 회로단락 (발생부)	55/200	57/100
유리전이 온도(℃)	139	235
관통홀 열처리 시험(%)	27.8	10.9
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	16	-

실시예 6

두께 400㎛의 절연층을 갖는 양면 구리적층판 C를 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. 폴리비닐 알코올 수용액에서 구리분말(평균입자직경:0.9㎛)을 용해하여 제조한 코팅조성물을 상기 양면 구리적층판 C의 표면에 적용하여 두께 60㎛의 층을 형성하고, 이 층을 건조하여 10부피%의 금속분말을 갖는 코팅을 형성하였다.

이 코팅표면에 6펄스의 이산화탄소가스 레이저를 40mJ/펄스의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 직경 100㎛의 투과홀을 70개의 각 블록내에 300㎛의 간격으로 900개 만들었다. SUEP법에 의해, 홀주위에 돌기를 용해하여 제거하고 구리박이 두께 5㎛로 될 때까지 구리박 표면을 용해하였다. 이 결과로 얻은 기판을 종래방법에 따라 구리도금하여 두께 15㎛의 도금층(총 두께:20㎛)을 형성하였다. 홀 주위에 는 전체 구리박이 그대로 남아 있었다. 회로(200, 선/공간=50/50㎛), 솔더볼을 위한 랜드 등을 전면과 배면 표면상에 형성하고, 적어도 반도체 칩 부위, 결합패드 부위와 솔더볼 패드 부위 이외의 위치에는 도금레지스트을 코팅하고, 니켈도금과 금도금을 행하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 4에 나타낸다.

실시예 7

폴리비닐 알코올과 전분을 함유하는 수지수용액에 니켈분말(평균입자직경 0.7㎛)을 첨가하고, 이들 재료를 균질해지도록 교반하면서 혼합하였다. 이 혼합물을 두께 50㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 한표면에 적용하여 두께 20㎛의 층을 형성한 다음 이 층을 110℃에서 25분간 건조하여 90부피%의 금속분말을 갖는 필름과 같은 홀제조 보조재(hole-making auxiliary material)N를 얻었다. 이 보조재N를 실시예 3에서 제조된 것과 동일한 4층 구리적층판에 올려 놓아서 금속분말을 함유하는 수지층을 이 구리박표면에 접촉하도록 하고, 이 보조재 표면에 7펄스(shots)의 이산화탄소가스 레이저를 30mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 투과홀을 만들었다. 그 후 적층판을 실시예 1과 동일한 방식으로 하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 4에 나타낸다.

실시예 8

실시예 1에서 흑색안료의 양을 8부로 변화시킨 것을 제외하고는 동일한 방식으로 하여 두께 400㎛의 절연층을 갖는 양면 구리적층기판을 제조하였다. 폴리비닐 알코올 수용액에서 구리분말(평균입자직경:0.8㎛)을 용해하여 제조된 코팅조성물을 상기 양면 구리적층판의 표면에 적용하여 두께 60㎛의 층을 형성하고, 이 층을 건조하여 10부피%의 금속분말이 함유된 코팅을 갖는 양면 구리적층판 P를 얻었다. 물에서 부분적으로 비누화된 수용성 폴리비닐 알코올 용액을 금속광택을 갖는 두께 150㎛의 알루미늄 박상에 적용하여 두께 30㎛의 층을 형성한 다음, 이 층을 110℃에서 30분간 건조하여 백업시트를 얻었다. 이 백업시트를 내려 놓고 그 위에 상기 양면 구리적층판이 위치하도록 배열하고, 이 백업시트를 상기 부분적으로 비누화된 수용성 폴리비닐 알코올의 용융점과 같은 또는 그 보다 높은 온도를 갖는 가열롤에 통과시켜 구리박 표면에 접합시켰다. 이 코팅표면에 7펄스의 이산화탄소가스 레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 직경 100㎛의 투과홀을 70개의 각 블록내에 300㎛의 간격으로 900개 만들었다. 이 전면 표면상에 수지층을 60℃의 열수로 세척하여 제거하고 상기 배면 표면상의 백업시트를 벗겨냈다. 그리고, 플라즈마처리를 행하였다. SUEP법에 의해, 홀 주위에 구리박 돌기를 용해하여 제거하고 구리박이 4㎛가 될 때까지 구리박 표면을 용해하였다. 이 결과로 얻은 기판상에 종래방법에 따라 구리도금하여 두께 15㎛의 도금층(총 두께:19㎛)를 형성하였다. 회로(200, 선/공간=50/50㎛)를 전면 표면상에 형성하고, 솔더볼 등을 위한 랜드를 그 배면 표면상에 형성하고, 반도체 칩 부위, 결합패드 부위와 솔더볼 부위 이외의 다른 부위를 도금레지스트로 코팅하고 니켈도금과 금도금을 행하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평가결과를 표 5에 나타낸다.

실시예 9

금속산화분말(MgO 43중량%, SiO₂ 57중량%, 평균입자직경 0.4㎛)을 폴리비닐 알코올과 전분이 포함된 수지수용액에 첨가하고, 이 재료들을 균질해지도록 교반하면서 혼합한 다음, 이 혼합물을 두께 188㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 한표면에 적용하여 두께 25㎛의 층을 형성하였다. 이 층을 110℃에서 25분간 건조하여 90부피%의 금속산화분말을 갖는 필름과 같은 홀제조 보조재Q를 얻었다. 또한, 물과 메탄의 혼합용매에서 부분적으로 비누화된 수용성 폴리비닐 알코올의 용액을 두께 50㎛의 구리박의 광택이 없는 표면상에 적용하여 두께 30㎛의 층을 형성한 다음, 이 층을 건조하여 수지가 부착된 구리박을 얻고, 이를 백업시트로 사용하였다. 이 백업시트를 내려놓고 그 위에 실시예 3에서 제조된 것과 같은 4층구리적층판을 얹은 다음, 산화금속분말을 함유하는 수지층을 구리박표면에 접촉시키기 위해 상기 보조재Q를 그 위에 올려놓고, 이들 백업시트와 보조재를 백업시트와 보조재의 수지의 용융온도 보다 높은 온도에서 1.5kgf의 선형압으로 상기 4층 구리적층판에 접합시켰다. 이 보조재 표면에 9펄스(shots)의 이산화탄소가스 레이저를 28mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 직경 80㎛의 투과홀을 각각 만들고, 그 후 이 기판을 유사하게 처리하여 인쇄회로기판을 만들었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평가결과를 표 5에 나타낸다.

실시예 10

구리를 폴리이미드 필름(상표명:Capton film, 두께 125㎛)의 양 표면위에 피복하여 각각 두께 12㎛의 구리층을 형성하였다. 이와 같이 구리가 피복된 필름(copper-deposit film)을 두 개 제조하고 이를 적층한 다음, 실시예 4의 것과 동일한 백업시트를 내려 놓은 다음, 적층필름을 그 위에 놓고 , 실시예 4의 것과 동일한 보조시트(auxiliary sheet)를 그 위에 앉혔다. 이 보조시트 표면에 이산화탄소 가스 레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 6회(shoots) 조사하여 투과홀을 만들고 이 홀벽을 관찰하였다.

비교예 9

백업시트로서 표면광택을 갖는 두께 1.6mm의 스테인레스 강을 사용하여 실시예 8에서와 같은 방식으로 이산화탄소 가스 레이저를 가지고 실시예 8의 것과 동일한 양면 구리적층판에 홀을 만들었다. 이 경우에 적층판을 통과하는 레이저빔의 부분적인 반사로 투과홀은 부분적으로 잘려나갔다. 또한, 홀주위에 구리박이 상기 반사로 인해 잘려 나갔으며, 홀은 편심되거나 또는 변형되었다. 또한 상기 절단에 의해 형성된 스테인레스 분말이 상기 구리박 표면에 부착된 커팅에 의해 스테인레스 분말이 형성되었다.

	실시예
	8	9
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0	0
홀 형태	원	원
홀의 내벽 표면	일직선	거의 일직선
패턴파손과 회로단락 (발생부)	0/200	0/200
유리전이 온도(℃)	234	160
관통홀 열처리 시험(%)	2.0	5.6
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	21	26

	실시예	비교예
	10	9
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0	0
홀 형태	원	상부부위에서는 원, 하부 부위에서는 변형됨
홀의 내벽 표면	거의 일직선	심하게 불평탄함
패턴파손과 회로단락 (발생부)	-	55/200
유리전이 온도(℃)	-	234
관통홀 열처리 시험(%)	-	8.0
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	10	-

실시예 11

흑색안료의 양을 2부에서 5부로 변화시킨 것을 제외하고는 두께 400㎛의 양면 구리 적층판을 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. 폴리비닐 알코올 수용액내에 구리분말(평균입자직경 0.9㎛)을 용해하여 제조된 코팅조성물을 구리적층판에 적용하여 두께 60㎛의 층을 형성하고, 이 층을 건조하여 10부피%의 금속분말을 함유하는 코팅을 형성하였다. 실시예 8에서 제조된 것과 동일한 백업시트를 내려 놓은 다음, 그 위에 수지층을 갖는 상기 구리적층판을 얹히고 그 끝부분을 접착테이프로 고정한 다음, 상기 수지층에 7펄스(shots)의 이산화탄소가스 레이저를 40mJ/pulse의 출력으로 조사하여 직경 100㎛의 투과홀을 70개의 각 블록내에 300㎛의 간격으로 900개 만들었다. 상기 수용성 수지층을 60℃의 열수로 세척하여 제거하고 상기 백업시트도 제거한 다음, 프라즈마 처리하였다. SUEP방법에 의해, 홀 주위에 구리박 돌기를 용해하여 제거하고, 이와 동시에 표면구리박의 두께가 4㎛ 될 때까지 표면구리박을 용해하였다. 종래방법으로 상기 기판상에 구리도금하여 두께 15㎛(총 두께:19㎛)의 층을 형성하였다. 종래방법에 의해, 회로(200, 선/공간=50/50㎛)를 상기 표면상에 형성하고, 솔더볼 등을 위한 랜드등을 상기 배면 표면상에 형성하였다. 적어도 반도체 칩 부위, 결합패드 부위 및 솔더볼 패드 부위이외의 부위에는 도금레지스트로 코팅하고 니켈도금과 금도금을 행하여 인쇄회로기판을 얻었다. 표 6에 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 나타낸다.

실시예 12

부분적으로 비누화된 폴리비닐 알코올 수용액을 표면광택이 있는 두께 50㎛의 알루미나박의 한 표면에 적용하여 두께 30㎛의 층을 형성한 다음, 이 층을 110℃에서 30분간 건조하여 백업시트를 얻었다. 이 백업시트를 내려놓고, 실시예3에서 제조한 것과 동일한 4층회로기판을 그 위에 올려 놓은 다음, 금속산화물 분말을 함유하는 수지층을 상기 구리박표면에 접촉시키기 위해 실시예 9의 보조재Q와 동일한 보조재를 그 위에 올려놓았다. 이 백업시트와 보조재를 백업시트와 보조재의 수지의 용융온도 보다 높은 온도에서 1.5kgf의 선형압으로 상기 다층 구리적층판에 접합시킨 다음, 이 보조시트에 9펄스(shots)의 이산화탄소가스 레이저를 28mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 각 직경이 80㎛인 투과홀을 만들었다. 그후 이 기판을 유사하게 처리하여 인쇄회로기판을 만들었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 6에 나타낸다.

	실시예
	11	12
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0	0
홀의 형태	원	원
홀 내벽의 표면	일직선	거의 일직선
패턴파손과 회로누락 (발생부)	0/200	0/200
유리전이 온도(℃)	234	160
관통홀 열처리 시험(%)	2.0	5.7
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	21	26

실시예 13

금속분말(스테인레스 강 SUS 304, 평균입자직경:0.6㎛)를 폴리비닐알코올과 전분을 함유하는 수지수용액에 첨가하고 이들 재료를 균질해지도록 교반하면서 혼 합하였다. 그런 다음, 상기 혼합물을 두께 100㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름에 적용하여 두께 10㎛의 층을 형성하고, 이 층을 110℃에서 25분간 건조하여 95부피%의 금속을 갖는 필름과 같은 보조재 S를 얻었다.

이와 별도로, 에폭시수지(상표명:Epikote 5045) 700부, 에폭시수지(상표명:ESCN 220F) 300부, 디시안디이미드 35부 및 2-에틸-4-메틸이미다졸 1부를 메틸 에틸 케톤과 디메틸포름아미드의 혼합용매에서 용해하였다. 또한, 하소활석(상표명:BST-#200) 800부와 흑색안료 5부를 첨가하고, 이 혼합물을 강제적으로 교반하여 균일하게 분산시켜서 바니쉬 T를 얻었다. 두께 100㎛의 유리직물을 이 바니쉬 E로 함침하여 150초의 겔화시간을 가지면서 55중량%의 유리직물을 갖는 프리플랙(프리플랙 U)을 얻었다. 두 개의 프리플랙U를 적층하고, 두께 12㎛의 전해구리박을 상기 적층 프리플랙U상에 한표면에 하나 다른 표면에 다른 나머지를 얹은 다음, 이 결과로 얻은 세트를 2시간동안 30mmHg이하의 진공하에서 190℃의 20kgf/m로 적층형성하여 양면 구리적층판을 얻었다. 이 절연층은 두께가 200㎛이었다.

이와 같이 하여 얻은 양면 구리적층판 두 개를 적층하고, 상기 보조재S를 그 위에 올려놓은 다음, 보조재S에 10펄스(shots)의 이산화탄소 가스레이저를 30mJ/pulse의 출력으로 조사하여 관통홀을 위한 직경 80㎛의 투과홀을 만들었다. 상기 양면 구리적층판의 표면은 실시예 1과 동일한 방식으로 SUEP방법으로 처리하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판에 대한 평과결과를 표 7에 나타낸다.

	실시예
	13
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0
홀 형태	원
홀 내벽의 표면	일직선
패턴파손과 회로누락(발생부)	0/200
유리전이 온도(℃)	160
관통홀 열처리 시험(%)	3.9
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	15

실시예 14

탄소(평균입자직경:0.35㎛)를 부분적으로 비누화된 폴리비닐 알코올에 혼합하여 50부피%의 탄소를 함유하는 바니쉬V를 제조하였다. 이 바니쉬V를 두께 50㎛의 광택이 없는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름에 적용하고 건조하여 두께 37㎛의 수지층을 갖는 홀-제조 보조재W를 얻었다.

상기 실시예 1의 것과 동일한 양면 구리적층판의 전면과 배면 표면상에 회로를 형성하고, 이 결과로 얻은 기판을 흑화 산화구리가 형성되도록 처리하고, 상기 전면과 배면 표면상에 프리플랙B를 올려놓고 그 위에 두께 12㎛의 전해구리박을 올려놓은 다음, 이 결과로 얻은 세트를 유사하게 적층형성하여 4층구리적층판을 얻었다. 상기 홀-제조 보조제W 상기 전면 표면상에 올려놓았다. 물을 연속적으로 연무상태(mist form)로 상기 보조재W의 수지표면에 분사하여 표면에 깊이 2㎛로 침투시킨 다음, 이 보조재W를 상기 구리박표면에 적층하고 실온에서 5kgf의 성형압으로 접합시켰다. 이 보조재 표면에 이산화탄소가스 레이저를 1펄스의 40mJ/pulse의 출력으로 조사하고 그리고, 1펄스의 35mJ/pulse의 출력으로 조사하여 비어홀(Via hole)을 위한 홀을 만들었다. 플라즈마처리한 다음, 구리를 도금하고 회로를 상기 전면과 배면 표면상에 형성하고 귀금속을 도금하여 인쇄회로기판을 얻었다. 이 인쇄회로기판의 평과결과를 표 8에 나타낸다.

	실시예
	14
전면과 배면 표면 상의 홀 위치편차(㎛)	0
홀 형태	원
홀 내벽의 표면	일직선
패턴파손과 회로누락(발생부)	0/200
랜드주위의 구리박 부스러기	없음
유리전이 온도(℃)	234
관통홀 열처리 시험(%)	2.8
홀 제조를 위한 처리시간 주기(분)	13

Claims (20)

1. 적어도 두 개의 구리층을 갖는 열경화성 구리적층판에 관통홀을 위한 투과홀을 형성하는 방법에 있어서,

   상기 열경화성 수지 구리적층판의 구리박은 이산화탄소 가스 레이저의 펄스 진동에 의해 구리박을 제거하기 충분한 20 내지 60mJ/pulse의 에너지로 처리되고, 상기 방법은 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물의 코팅이나 시트가 이산화탄소 가스 레이저로 조사될 적어도 하나의 구리박 표면상에서 형성되거나 배열되고, 그리고 상기 투과홀을 형성하기 위해 필요한 펄스의 이산화탄소 가스 레이저로 그 표면을 조사함을 포함하여 구성되는 투과홀 형성방법
2. 제1항에 있어서, 상기 유기물은 수용성 수지 조성물임을 특징으로 하는 형성방법
3. 제1항에 있어서, 상기 투과홀을 형성한 후, 상기 구리박 표면 양쪽이 그 두께의 일부를 제거하여 평탄한 표면을 형성하고, 그리고 동시에 상기 투과홀상에 부풀어 일어나는 구리박 돌기를 제거하도록 에칭됨을 특징으로 하는 형성방법
4. 제3항에 있어서, 상기 에칭은 그 구리박의 1/3 내지 1/2 두께가 제거되도록 수행됨을 특징으로 하는 형성방법
5. 제1항에 있어서, 상기 금속화합물 분말, 탄소분말 및 금속분말은 1㎛이하의 평균 분말 직경을 갖음을 특징으로 하는 형성방법
6. 제1항에 있어서, 금속 화합물 분말, 탄소분말 및 적어도 900℃의 융점과 적어도 300KJ/mol의 결합에너지를 갖는 금속분말로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 분말을 3 내지 97부피% 함유하는 유기물의 코팅이나 시트가 2 내지 10개의 구리적층판의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 이때, 하나의 코팅이나 시트가 하나의 구리적층판의 구리박 표면상에 형성되거나 배열되고, 상기 2 내지 10개의 구리적층판은 적층되며, 그리고 상기 적층된 구리적층판의 상부 표면은 동시에 투과홀을 형성하도록 이산화탄소 가스 레이저로 조사됨을 특징으로 하는 형성방법
7. 제1항에 있어서, 수지층과 금속판을 구비한 백업시트가 이산화탄소 가스 레이저로 조사되는 구리박의 표면과 대향되는 구리적층판의 최외측 구리박 표면에 적어도 부분적으로 결합됨을 특징으로 하는 형성방법
8. 제7항에 있어서, 상기 수지층은 수용성 수지 조성물로 형성되며, 그 수지층 은 상기 구리박의 표면상에 적치되고, 그리고 상기 백업시트가 가열 가압하에 상기 구리박의 표면상에 적층됨을 특징으로 하는 형성방법
9. 제7항에 있어서, 상기 백업시트의 수지층은 20 내지 200㎛ 두께를 갖음을 특징으로 하는 형성방법
10. 제9항에 있어서, 상기 금속판은 30 내지 200㎛의 두께를 갖고 광택있는 금속판임을 특징으로 하는 형성방법
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