KR100637718B1 - 매엽식 반도체 에칭 장비 - Google Patents

매엽식 반도체 에칭 장비 Download PDF

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KR100637718B1
KR100637718B1 KR1020050093080A KR20050093080A KR100637718B1 KR 100637718 B1 KR100637718 B1 KR 100637718B1 KR 1020050093080 A KR1020050093080 A KR 1020050093080A KR 20050093080 A KR20050093080 A KR 20050093080A KR 100637718 B1 KR100637718 B1 KR 100637718B1
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박근영
김태호
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 매엽식 반도체 에칭 장비에 관한 것으로, 웨이퍼를 지지하는 스핀 헤드와, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 구동부와, 상기 구동부와 상기 스핀 헤드를 연결시키는 스핀들과, 상기 스핀들 내부에 회전 가능하게 조합되어 상기 웨이퍼의 배면의 복수 지점에 케미컬을 분사하는 백 노즐 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 백 노즐을 이동식으로 설계함으로써 유연성있고 효과적인 백 에칭을 할 수 있게 된다. 따라서, 박막에 따른 다양한 반도체 공정 개발 및 진행을 할 수 있는 효과가 있다.
반도체, 매엽식 에칭, 백 에칭, 붐 스윙

Description

매엽식 반도체 에칭 장비{SINGLE TYPE SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS}
도 1은 종래 기술에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 이용한 백 에칭 방법을 도시한 저면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 이용한 백 에칭 방법을 도시한 저면도.
< 도면의 주요부부에 대한 부호의 설명 >
100, 200; 매엽식 반도체 에칭 장비 111,211; 스핀 헤드
112,212; 웨이퍼 척 113,213; 핀
114,214; 중공축 115,215; 스핀들
116,216; 케미컬 관 117,217; 스핀 모터
118,133,218,233; 벨트 119,134,219; 고정축
120,220,131,231; 풀리 121,212; 붐 스윙 모터
123,223; 드레인 포트 130,230; 지지부
132,232; 백 노즐 몸체 234; 이동축
본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매엽식 반도체 에칭 장비에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해선 반도체 웨이퍼 상에 다층의 박막을 형성하는데 박막 형성에는 에칭 공정이 필수적으로 채택되는 것이 일반적이다. 에칭 공정에 있어서 웨이퍼의 배면에 증착된 박막 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하므로 이러한 불필요한 박막 등과 같은 이물질을 제거하기 위한 목적으로 도 1에 도시된 매엽식 반도체 에칭 장비를 이용하여 웨이퍼의 배면에도 에칭 공정을 적용한다.
도 1을 참조하면, 스핀 모터(17)에서 발생된 회전력이 벨트(18)에 의해 중공축(14) 주위의 스핀들(15)로 전달되어 스핀 헤드(11)가 회전된다. 이에 따라, 스핀 헤드(11) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 회전한다. 웨이퍼(W)는 스핀 헤드(11) 상에서 웨이퍼 척(12)에 의해 고정되고 핀(13)에 의해 지지된다. 중공축(14) 내에는 백 노즐(16)이 구비되어 있어 웨이퍼(W)의 배면에 에천트를 분사한다.
그런데, 종래의 매엽식 반도체 에칭 장비(10)는 웨이퍼(W) 배면의 중심부로만 에천트로 사용되는 케미컬을 분사할 수 있는 구조이다. 따라서, 케미컬은 웨이퍼(W)가 회전함에 따라 웨이퍼(W)의 가장자리부로 몰리는 현상이 생겨 웨이퍼(W) 배면 전체적으로 에칭속도가 차이가 나는 문제점이 있다. 또한, 웨이퍼(W) 배면의 중심부로만 케미컬이 분사되므로 선택적인 에칭이 곤란하다는 문제점이 있다. 선택적인 에칭이 곤란하다는 것은 웨이퍼(W) 배면의 중심부가 아닌 다른 곳에 이물질이 많은 경우에 특히 문제가 될 소지가 많다. 이러한 종래의 백 에칭의 문제점들은 백 노즐(16)이 웨이퍼(W)의 배면 중심부 위치에 고정되어 있는 것에 야기한다.
본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 효과적인 웨이퍼 배면 에칭을 할 수 있는 매엽식 반도체 에칭 장비를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성할 수 있는 본 발명에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비는 백 노즐을 고정식이 아닌 이동식으로 설계한 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비는, 웨이퍼를 지지하는 스핀 헤드와, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 구동부와, 상기 구동부와 상기 스핀 헤드를 연결시키는 스핀들과, 상기 스핀들 내부에 회전 가능하게 조합되어 상기 웨이퍼의 배면의 복수 지점에 케미컬을 분사하는 백 노즐 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 백 노즐 어셈블리는, 상기 스핀들 내부에 배치된 회전 가능한 제1 고정축과, 상기 제1 고정축을 회전시키는 모터와, 상기 스핀 헤드의 내부에 배치된, 상기 제1 고정축과 조합되어 상기 제1 고정축의 회전에 의해 회전 가능한 제2 고정축과, 상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축을 고정 지지하는 지지부와, 상기 제2 고정축과 조합되어 상기 제2 고정축을 중심으로 회전 가능한 백 노즐 몸체와, 상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬 이동 경로를 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 백 노즐 몸체는 상기 제2 고정축을 중심으로 회전함으로써 상기 웨이퍼의 배면에 상기 케미컬을 곡선형으로 분사한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 백 노즐 어셈블리는, 상기 스핀들 내부에 배치된 회전 가능한 고정축과, 상기 고정축을 회전시키는 모터와, 상기 고정축을 지지하는 지지부와, 상기 스핀 헤드의 내부에 배치된, 상기 고정축과 조합되어 상기 고정축의 회전에 의해 회전 가능한 이동축과, 상기 이동축과 조합되어 상기 이동축을 중심으로 회전 가능한 백 노즐 몸체와, 상기 고정축과 상기 이동축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬 이동 경로를 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 백 노즐 몸체는 상기 고정축을 중심으로 회전하고 이와 동시에 상기 이동축이 상기 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이를 이동함으로써 상기 웨이퍼의 배면에 상기 케미컬을 선형으로 분사한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드의 가장자리에 형성되어 상기 스핀 헤드로 떨어지는 케미컬을 외부로 배출시키는 경로인 드레인 포트를 더 포함한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 있어서, 웨이퍼를 지지하며 스핀들의 회전에 의해 회전하는 스핀 헤드와, 상기 스핀들을 회전시키는 모 터와, 상기 스핀들의 내부에 배치되어 제1 고정축을 포함하는 중공축과, 상기 제1 고정축을 회전시키는 모터와, 상기 제1 고정축의 회전을 전달받아 회전하는 제2 고정축과, 제2 고정축을 중심으로 회전하여 상기 웨이퍼의 배면에 곡선형으로 케미컬을 분사하는 백 노즐 몸체와, 상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬관을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 속이 빈 내부 공간을 포함하고, 상기 내부 공간으로 떨어지는 케미컬을 배출시키는 드레인 포트를 포함한다.
본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축을 고정 지지하는 지지부를 더 포함한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 다른 변형 실시예에 있어서, 웨이퍼를 지지하며 스핀들의 회전에 의해 회전하는 스핀 헤드와, 상기 스핀들을 회전시키는 모터와, 상기 스핀들의 내부에 배치되어 고정축을 포함하는 중공축과, 상기 고정축을 회전시키는 모터와, 상기 고정축의 회전을 전달받아 회전하는, 위치 변경 가능한 이동축과, 상기 고정축을 중심으로 회전함과 동시에 상기 이동축의 위치 변경에 의해 상기 웨이퍼의 배면에 선형으로 케미컬을 분사하는 백 노즐 몸체와, 상기 고정축과 상기 이동축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬관을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 변형 실시예에 있어서, 상기 이동축은 상기 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이를 이동한다.
본 발명의 다른 변형 실시예에 있어서, 상기 스핀 헤드는 속이 빈 내부 공간을 포함하고, 상기 내부 공간으로 떨어지는 케미컬을 배출시키는 드레인 포트를 포함한다.
본 발명의 다른 변형 실시예에 있어서, 상기 고정축을 고정 지지하는 지지부를 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 백 노즐을 이동식으로 설계함으로써 유연성있고 효과적인 백 에칭을 할 수 있게 된다. 따라서, 박막에 따른 다양한 반도체 공정 개발 및 진행을 할 수 있게 된다.
이하 본 발명에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
(제1 실시예)
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 이용한 백 에칭 방법을 도시한 저면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비(100)는 모터(117; 이하, 스핀 모터(spin motor)라 칭한다)에서 발생된 회전력이 벨트(118)에 의해 중공축(114) 주위의 스핀들(115)로 전달되어 스핀 헤드(111)가 회전된다. 이에 따라, 스핀 헤드(111) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 회전한다. 스핀 헤드(111)의 내부는 속이 비어 있는 형태이고, 그 공간(140)의 끝부분에는 드레인 포트(123;drain port)가 마련된다.
웨이퍼(W)는 스핀 헤드(111) 상에서 웨이퍼 척(112)에 의해 고정되고 핀(113)에 의해 지지된다. 중공축(114) 내에는 고정축(119)이 있고 그 고정축(119) 내에는 케미컬의 이동 경로인 관(116)이 구비되고 웨이퍼(W)의 배면에 에천트인 케미컬을 분사한다. 관(116)은 소정의 배관으로 구성될 수 있고, 또는 고정축(119)의 내부의 관 형태로 비어있는 공간으로 정의될 수 있다.
고정축(119)의 하부에는 풀리(120)가 조합되어 있고 벨트(122)를 통해 모터(121; 이하, 붐 스윙 모터(boom swing motor)라 칭한다)의 회전력을 전달받아 회전한다. 고정축(119)의 상부에는 풀리(131)가 조합되어 있다. 이 풀리(131)는 지지부(130)에 지지된 고정축(134)에 회전 가능하게 조립된 백 노즐 몸체(132)와 벨트(133)를 통해 연결된다. 그리고, 관(116)은 고정축(119)으로부터 백 노즐 몸체(132)까지 연장되어 백 노즐 몸체(132)의 끝부분을 통해 케미컬을 분사한다.
붐 스윙 모터(121)가 회전하게 되면 벨트(122)에 의해 그 회전력이 풀리(120)에 전달되어 풀리(120)와 연결된 고정축(119)이 회전한다. 고정축(119)이 회전하면 풀리(131)가 회전하고, 풀리(131)와는 벨트(133)를 매개로 연결된 백 노즐 몸체(132)가 고정축(134)을 축으로 회전한다. 스핀 모터(117)가 회전하면 벨트(118)가 그 회전력을 스핀들(115)로 전달하고, 스핀들(115)과 조립된 스핀 헤드(111)가 회전함으로서 웨이퍼(W) 또한 회전하게 된다. 그리고, 관(116)을 통해 케미컬이 제공되면 백 노즐 몸체(132)의 끝부분으로부터 케미컬이 웨이퍼(W)이 배면으로 분사된다.
상기와 같은 동작의 결과, 도 3에 도시된 바와 같이, 백 노즐 몸체(132)가 고정축(134)을 중심으로 회전하고, 회전하는 스핀 헤드(111)과 아울러 같이 회전하므로 관(116)에서 나오는 케미컬은 웨이퍼(W) 배면의 중심부를 비롯한 모든 부위에 골고루 분사된다. 여기서, 도 3에는 백 노즐 몸체(132)가 좌우 양쪽으로 번갈아 180°회전하는 붐 스윙(boom swing) 형태의 동작이 도시되었으나 360°회전 역시 가능함은 물론이다.
한편, 웨이퍼(W)의 배면으로 분사된 케미컬 중 일부는 스핀 헤드(111)의 속이 빈 공간(140) 내로 떨어질 수 있다. 공간(140) 내부로 떨어진 케미컬은 스핀 헤드(111)가 회전하는 경우 원심력에 의해 스핀 헤드(111)의 가장자리에 형성된 드레인 포트(123)를 통해 외부로 배출된다.
(제2 실시예)
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 도시한 단면도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비를 이용한 백 에칭 방법을 도시한 저면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비는 제1 실시예의 장비와 대동소이하므로 이하에선 상이한 점만을 설명하고 그 외 동일한 점에 대해서는 개략적으로 설명하거나 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 매엽식 반도체 에칭 장비(200)는 스핀 모터(217)에서 발생된 회전력이 벨트(218)에 의해 중공축(214) 주위의 스핀들(215)로 전달되어 스핀 헤드(211)가 회전된다. 이에 따라, 스핀 헤드(211) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 회전한다. 스핀 헤드(211)의 내부의 공간(240)의 끝부분에는 원심력에 의해 케미컬이 외부로 배출될 수 있도록 하는 드레인 포트(223;drain port)가 마련된다.
웨이퍼(W)는 스핀 헤드(211) 상에서 웨이퍼 척(212) 및 핀(213)에 의해 지지 고정된다. 중공축(214) 내에는 고정축(219)이 있고 그 고정축(219) 내에는 케미컬의 이동 경로로서 관(216)이 형성되어 있어 웨이퍼(W)의 배면에 케미컬을 분사한다.
고정축(219)의 하부에는 풀리(220)가 조합되어 있고 벨트(222)를 통해 붐 스윙 모터(221)의 회전력을 전달받아 회전한다. 고정축(219)의 상부에는 풀리(231)가 조합되어 있고, 풀리(231)는 고정축(219)을 중심으로 회전 가능한 이동축(234)에 회전 가능하게 조립된 백 노즐 몸체(232)와 벨트(233)를 통해 연결된다. 케미컬 관(216)은 고정축(219)으로부터 백 노즐 몸체(232)까지 연장되어 백 노즐 몸체(232)의 끝부분을 통해 케미컬을 분사한다.
붐 스윙 모터(221)가 회전하게 되면 벨트(222)에 의해 그 회전력이 풀리(220)에 전달되어 풀리(220)와 연결된 고정축(219)이 회전한다. 고정축(219)이 회 전하면 풀리(231)가 회전하고, 풀리(231)와는 벨트(233)를 매개로 연결된 백 노즐 몸체(232)가 회전하는데 이동축(234)을 축으로 회전한다. 여기서, 이동축(234)은 지지부(230)에 의해 지지되지 아니하므로 그 자리에서 고정되지 아니하고 고정축(219)을 중심으로 회전 가능하다. 스핀 모터(217)가 회전하면 벨트(218)가 그 회전력을 스핀들(215)로 전달하고, 스핀들(215)과 조립된 스핀 헤드(211)가 회전함으로서 웨이퍼(W) 또한 회전하게 된다. 그리고, 케미컬 관(216)을 통해 케미컬이 제공되면 백 노즐 몸체(232)의 끝부분으로부터 케미컬이 웨이퍼(W)이 배면으로 분사된다.
도 5를 참조하면, 백 노즐 몸체(232)가 고정축(219)을 중심으로 반시계 방향으로 회전하고 또한 이동축(234)이 웨이퍼(W)의 중심부로부터 바깥을 향해 위치 변경하게 되면 백 노즐 몸체(232)은 우측을 향하는 선형 운동(①) 형태로 움직이게 된다. 이와 반대로, 백 노즐 몸체(232)가 고정축(219)을 중심으로 시계 방향으로 회전하고 또한 이동축(234)이 웨이퍼(W)의 바깥으로부터 중심부를 향해 위치 변경하게 되면 백 노즐 몸체(232)은 좌측을 향하는 선형 운동(②) 형태로 움직이게 된다. 이와 아울러, 웨이퍼(W)는 회전하는 스핀 헤드(211)와 같이 회전하므로 케미컬 관(216)에서 나오는 케미컬은 웨이퍼(W) 배면의 중심부를 비롯한 모든 부위에 골고루 분사된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 백 노즐을 이동식으로 설계함으로써 유연성있고 효과적인 백 에칭을 할 수 있게 된다. 따라서, 박막에 따른 다양한 반도체 공정 개발 및 진행을 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼를 지지하는 스핀 헤드와;
    상기 스핀 헤드를 회전시키는 구동부와;
    상기 구동부와 상기 스핀 헤드를 연결시키는 스핀들과;
    상기 스핀들 내부에 회전 가능하게 조합되어 상기 웨이퍼의 배면의 복수 지점에 케미컬을 분사하는 백 노즐 어셈블리;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 백 노즐 어셈블리는,
    상기 스핀들 내부에 배치된 회전 가능한 제1 고정축과;
    상기 제1 고정축을 회전시키는 모터와;
    상기 스핀 헤드의 내부에 배치된, 상기 제1 고정축과 조합되어 상기 제1 고정축의 회전에 의해 회전 가능한 제2 고정축과;
    상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축을 고정 지지하는 지지부와;
    상기 제2 고정축과 조합되어 상기 제2 고정축을 중심으로 회전 가능한 백 노즐 몸체와;
    상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬 이동 경로;
    를 포함하는 것을 특징으로 매엽식 반도체 에칭 장비.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 백 노즐 몸체는 상기 제2 고정축을 중심으로 회전함으로써 상기 웨이퍼의 배면에 상기 케미컬을 곡선형으로 분사하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 백 노즐 어셈블리는,
    상기 스핀들 내부에 배치된 회전 가능한 고정축과;
    상기 고정축을 회전시키는 모터와;
    상기 고정축을 지지하는 지지부와;
    상기 스핀 헤드의 내부에 배치된, 상기 고정축과 조합되어 상기 고정축의 회전에 의해 회전 가능한 이동축과;
    상기 이동축과 조합되어 상기 이동축을 중심으로 회전 가능한 백 노즐 몸체와;
    상기 고정축과 상기 이동축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬 이동 경로;
    를 포함하는 것을 특징으로 매엽식 반도체 에칭 장비.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 백 노즐 몸체는 상기 고정축을 중심으로 회전하고 이와 동시에 상기 이동축이 상기 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이를 이동함으로써 상기 웨이퍼의 배면에 상기 케미컬을 선형으로 분사하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스핀 헤드의 가장자리에 형성되어 상기 스핀 헤드로 떨어지는 케미컬을 외부로 배출시키는 경로인 드레인 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  7. 웨이퍼를 지지하며 스핀들의 회전에 의해 회전하는 스핀 헤드와;
    상기 스핀들을 회전시키는 모터와;
    상기 스핀들의 내부에 배치되어 제1 고정축을 포함하는 중공축과;
    상기 제1 고정축을 회전시키는 모터와;
    상기 제1 고정축의 회전을 전달받아 회전하는 제2 고정축과;
    제2 고정축을 중심으로 회전하여 상기 웨이퍼의 배면에 곡선형으로 케미컬을 분사하는 백 노즐 몸체와;
    상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬관;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 스핀 헤드는 속이 빈 내부 공간을 포함하고, 상기 내부 공간으로 떨어지는 케미컬을 배출시키는 드레인 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 고정축과 상기 제2 고정축을 고정 지지하는 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  10. 웨이퍼를 지지하며 스핀들의 회전에 의해 회전하는 스핀 헤드와;
    상기 스핀들을 회전시키는 모터와;
    상기 스핀들의 내부에 배치되어 고정축을 포함하는 중공축과;
    상기 고정축을 회전시키는 모터와;
    상기 고정축의 회전을 전달받아 회전하는, 위치 변경 가능한 이동축과;
    상기 고정축을 중심으로 회전함과 동시에 상기 이동축의 위치 변경에 의해 상기 웨이퍼의 배면에 선형으로 케미컬을 분사하는 백 노즐 몸체와;
    상기 고정축과 상기 이동축과 상기 백 노즐 몸체를 통관하여 형성된 케미컬관;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이동축은 상기 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이를 이동하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 스핀 헤드는 속이 빈 내부 공간을 포함하고, 상기 내부 공간으로 떨어지는 케미컬을 배출시키는 드레인 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 고정축을 고정 지지하는 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 반도체 에칭 장비.
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