KR100625521B1 - 아연재를 이용한 초미립자 활성산화아연 분말의 제조방법및 그 제조물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 아연도금 공정에서 용탕의 표면에 형성되는 산화물 막을 제거하여 수거한 1차 아연재에서 금속아연을 분리회수한 후의 폐기물 상태인 2차아연재를 원료로 하여 습식처리방식을 통해 고순도의 초미립 활성 산화아연 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 분쇄공정등의 후속공정 없이 간단한 공정으로 산화아연입자간의 응집이 없는 1㎛이하의 고순도 초미분체를 얻을 수 있다.

산화아연분말, 아연재, 초미립자, 수증기

Description

아연재를 이용한 초미립자 활성산화아연 분말의 제조방법 및 그 제조물{Production of Ultra fine Zinc Oxide Particle from Zinc Ash And The Products thereby}

제1도는 기존의 건식법 중 간접법에 의한 아연화공정의 순서도이다.

제2도는 기존의 건식법 중 직접법에 의한 아연화공정의 순서도이다.

제3도는 기존의 습식법에 의한 아연화공정의 순서도이다.

제4도는 본 발명에 의한 아연화공정의 순서도이다.

본 발명은 도금공정에서 부산물로 얻어지는 아연재(또는 아연부산물)를 정제하여 아연산화물 분말을 얻는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 아연도금 공정에서 용탕의 표면에 형성되는 산화물 막을 제거하여 수거한 1차 아연재에서 금속아연을 분리회수한 후의 폐기물 상태인 2차아연재를 원료로 하여 습식처리방식을 통해 고순도의 초미립 활성 산화아연 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.

산화아연은 고무의 가황촉진제, 합성수지 및 고무의 보강재, 촉매, 전기ㆍ전자부품재료, 도료, 안료, 화장품, 의약품 등의 재료로써 용도가 매우 넓은 물질이 다. 산화아연의 제조방법으로는 건식법과 습식법으로 크게 대별되고, 건식법은 간접법(프랑스법)과 직접법(아메리카법)으로 구분된다.

건식법은 아연증기를 산화하여 산화아연을 얻는 방법인데, 도 1에서 제시한 바와 같이 간접법은 1845년 프랑스의 Leclair가 아연괴를 가열하여 아연증기를 발생시키고 이 증기를 외부에서 약 1,100∼1,400℃로 간접가열시키고 공기를 주입시켜 산화아연(ZnO) 분말을 제조하는 방법이다.

직접법, 일명 아메리카법은 도 2에 나타낸 바와 같이 주로 아연광석에 코우크스, 석탄 등의 환원제를 첨가해서 반사로, 레토르트로(retort furnace), 또는 전기로에서 가열, 환원하여 아연을 증기화하고, 이 아연증기를 공기중에서 산화반응시켜 ZnO를 얻는 방법으로서 간접법에 비하여 Pb, Cd 등의 불순물을 포함하고 있는 것이 단점이 되고 있다.

그리고 도3에 나타난 것과 같은 일반적인 습식법은 독일법이라고도 불리우는데, 주로 각종 공정에서 얻어지는 아연 부산물에 황산등의 적당한 용매를 주입하여 아연용액을 만들고 이들 용액에 부수적으로 용해된 철, 중금속 등을 적당한 침전제를 투입하여 침전ㆍ분리시킨 후 아연침전제를 투입하여 아연화합물을 침전ㆍ분리시켜 건조, 배소, 분쇄하여 ZnO 분말을 제조하는 방법이다. 습식법은 용해, 합성, 여과, 건조, 배소, 분쇄, 선별 등의 공정을 포함하며 최종적으로 얻어지는 산화아연은 응집체의 형상이 된다.

산화아연의 순도는 용도에 따라서 제어되지만 일반적으로 90∼93% 순도의 비표면적이 큰 산화아연미립자가 많이 생산되며, 입자의 형상은 침전이나 가열분해 및 분쇄 과정에서 미립자가 응집하기 때문에 1㎛이하의 초미립자는 2차처리 과정에 의해 많은 영향을 받게 된다. 이렇듯 습식법에 의해 제조된 산화아연의 입경은 건식법의 그것에 비해 작으며, 비표면적이 큰 특징이 있다.

일반적으로 산화아연을 사용할 때에는 도료, 안료, 화장품 등의 경우에서 볼 수 있는 바와 같이 다른 액체와 함께 슬러리화하거나, 고무ㆍ합성수지의 보강제의 경우에서는 다른 고분자와 혼화를 하거나, 전자부품의 경우에는 타 분체와 혼합하여 사용하게 된다. 이러한 경우에 산화아연의 응집 입자의 존재는 상기 응용에 있어서 균일성 및 분산성을 현저히 저해하는 원인이 된다.

따라서 산화아연 분말의 응집을 분해하거나 미립자를 얻을 목적으로 분쇄처리를 하는 것이 필요하다. 그러나 이 경우 공정이 많아지고, 용기, 분쇄볼 등으로부터의 오염이 발생되고, 입도분포가 넓어지는 등 사용상의 폐해를 초래하여 미립자화에는 한계가 있고 초미립자의 산화아연은 얻어지기 어렵다.

본 발명은 상기 습식법의 문제점을 해결하여 고순도, 초미립자형상의 활성 산화아연분말을 단축화된 습식공정으로 제조하는 것을 기술적 과제로 한다. 상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명자는 아연재에 함유된 아연성분을 용해하여 불순물을 제거하고, 재침전한 후 슬러리화 하여 수증기 분위기인 고온의 배소로에서 순간적으로 분해 및 배소시킴으로써 아연재를 원재료로 활용하여 응집도가 낮은 산화아연 미립자를 제조할 수 있다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성한 것이다.

그러므로 본 발명에 의하면, 산화아연의 제조방법에 있어서, 아연, 철, 납, 니켈 및 카드뮴을 포함하는 아연재를 아연재 대비 1.2∼1.5당량의 황산 또는 염산용액에 투입하여 용해시킨 후 여과하여 불용성 불순물을 제거하는 공정; 상기 혼합용액에 과망간산칼륨 또는 과산화수소 용액을 투입하여 철성분을 산화 침전시켜 제거하는 공정; 상기 혼합용액에 아연분말을 납량 대비 1.5∼2.5배 투입하여 납 및 중금속을 석출시켜 제거하는 공정; 불순물이 제거된 상기 황산아연용액에 소다회용액을 1.1∼1.5당량 투입하여 염기성 탄산아연을 침전시키는 공정; 상기 침전물을 수세하고 슬러리상태로 만들고 밀폐된 열교환기에서 100∼200℃로 예열한 후 400∼1,000℃의 수증기 분위기인 배소로에 분사시켜 산화아연분말을 제조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연재를 이용한 초미립자 산화아연 분말의 제조방법이 제공된다.

이하 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.

본 발명은 도금공정에서 부산물로 얻어지는 아연재(또는 아연부산물)를 정제하여 아연산화물 분말을 얻는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 원재료가 되는 아연재는 아연도금공정에서 발생되는 아연재(亞鉛滓)분말로서 아연, 철, 납, 니켈, 카드뮴 및 기타 불순물을 포함한다. 상기 아연재는 아연 60∼80wt%, 철 0.1∼1.0wt%, 납 0.1∼1.0wt%, 니켈 0.01∼0.1wt%, 카드뮴 0.01∼0.1wt% 및 기타 불순물을 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 아연재를 아연재 대비 1.2∼1.5당량의 황산 또는 염산용액(30∼40%)에 투입하여 교반시키면서 용해시키는데, 하기 반응식 (1)과 같이 아연재 중의 아연 성분은 황산아연(ZnSO₄)으로 된다. 상기 황산아연용액을 필터프레스로 여과하여 용액내의 불용성 불순물을 제거한다.

ZnO + H₂SO₄ → ZnSO₄ + H₂O ------ 반응식(1)

상기 불용성 불순물이 제거된 황산아연용액에는 철성분 및 중금속 성분이 함유되어 있는데 본 발명에서는 이에 과망간산칼륨 또는 과산화수소용액을 투입하여 황산아연용액내에 함유된 철성분을 침전시켜 제거한다. 이후, 황산아연용액에 포함된 납, 니켈 및 카드뮴등의 중금속은 아연분말을 투입하여 반응식(2)로 대표되는 것과 같이 치환, 석출시키고 필터 프레스로 여과하여 제거한다.

Zn + Pb²⁺ → Zn²⁺ + Pb ------ 반응식 (2)

이렇게 불순물이 제거된 순수한 황산아연 용액에 소다회용액(30%)을 1.1∼1.5당량 투입하여 다음 반응식(3)으로 대표되는 것과 같이 염기성 탄산아연을 침전시킨다.

ZnSO₄ + Na₂CO₃ + H₂O → (xZnCO₃ ㆍ yZn(OH)₂ㆍzH₂O) + Na₂SO₄ ---반응식(3)

상기 염기성 탄산아연 침전물에는 망초성분 등 가용성 불순물이 미량 부착될 수도 있으므로 충분히 수세하여 고순도의 염기성탄산아연화합물을 얻는다.

상기 염기성탄산아연화합물은 배소로에 투입하기 위하여 슬러리상태로 준비하는데 이 슬러리를 밀폐된 열교환기에서 100∼200℃로 예열한 후 400∼1,000℃의 수증기 분위기인 배소로에 분사시켜 아연분말을 제조한다. 더욱 바람직하기로는 밀폐된 열교환기 내에서 150℃로 예열하고 800∼900℃상의 수증기 분위기의 배소로에 분사시켜 입자간 응집도가 더욱 낮은 아연분말을 제조할 수 있다.

본 발명에 의해 입경 0.1∼1㎛인 초미립자 산화아연 분말을 얻을 수 있는데, 도료, 안료, 화장품 등에 사용시, 고무ㆍ합성수지의 보강제의 경우, 전자부품의 경우에서 타 분체와 혼합하여 사용하는 경우에 분산성이 우수하여 균일한 분포를 이룰 수 있는 장점을 가진다.

이하, 본 발명을 실시예의 방법으로 보다 상세하게 설명하기로 한다. 단 본 발명은 하기의 실시예에 의해 제한되지 않는다.

[실시예 1]

아연도금공정의 부산물로서 아연 70wt%, 철 0.5wt%, 납 0.5wt%, 니켈 0.01wt%, 카드뮴 0.01wt% 및 불순물잔부로 이루어지는 아연재 500g을 3ℓ비커에서 30% 황산용액 1.9ℓ에 투입하여 교반ㆍ용해시킨 후, 여과하여 불용성 불순물을 제거하였다.

상기 혼합용액을 계속 교반하면서 5%의 과망간산칼륨용액으로 철을 완전 산화시켜 제거한 결과 10㎖가 소비되었다. 상기 혼합용액에 아연분말 1.5g을 투입하여 납 및 중금속을 석출시켜 제거하였다. 상기 불순물이 제거된 황산아연용액에 30% 소다회용액을 1.9ℓ투입하여 염기성 탄산아연 700g을 침전시킨 후 수세하고 수분 50%인 슬러리 1,400g을 만들었다. 상기 슬러리를 오토클레이브(Auto clave)에서 150℃로 예열한 후 800℃의 수증기 분위기인 배소로에 분사시켜 산화아연분말 440g을 제조하였다. 제조된 산화아연분말의 물성치는 산화아연 95%, 납 8ppm, 카드뮴 2ppm이고 평균 입도는 0.7㎛이었다.

그러므로 본 발명에 의하면 저급의 아연 부산물을 황산용액에 용해시켜 불순물을 제거하고 침전후 배소시켜 활성 산화아연분말을 얻기 때문에 불순물을 용액상태와 재침전과정에서 제거시킬 수 있는 장점이 있으며, 불순물들이 제거된 슬러리를 고온의 수증기 분위기인 배소로에 직접 분사 분해함으로써 입자간의 응집 없이 1㎛이하의 고순도 초미분체를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 이후 분쇄공정등을 생략할 수 있어 공정이 간단해지는 장점이 있다.

Claims (4)

1. 산화아연의 제조방법에 있어서,

   아연, 철, 납, 니켈 및 카드뮴을 포함하는 아연재를 아연재 대비 1.2∼1.5당량의 황산 또는 염산용액에 투입하여 용해시킨 후 여과하여 불용성 불순물을 제거하는 공정; 상기 혼합용액에 과망간산칼륨 또는 과산화수소 용액을 투입하여 철성분을 산화 침전시켜 제거하는 공정; 상기 혼합용액에 아연분말을 납량 대비 1.5∼2.5배 투입하여 납 및 중금속을 석출시켜 제거하는 공정; 불순물이 제거된 상기 황산아연용액에 소다회용액을 1.1∼1.5당량 투입하여 염기성 탄산아연을 침전시키는 공정; 상기 침전물을 수세하고 슬러리상태로 만들고 밀폐된 열교환기에서 100∼200℃로 예열한 후 400∼1,000℃의 수증기 분위기인 배소로에 분사시켜 산화아연분말을 제조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연재를 이용한 초미립자 산화아연 분말의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 아연재는 아연 60∼80wt%, 철 0.1∼1.0wt%, 납 0.1∼1.0wt%, 니켈 0.01∼0.05wt%, 카드뮴 0.01∼0.05wt% 및 기타 불순물을 포함하고 있는 아연재인 것을 특징으로 하는 아연재를 이용한 초미립자 산화아연 분말의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 염기성 산화아연 슬러리를 밀폐된 열교환기내에서 150℃로 예열하고 800∼900℃의 수증기 분위기 배소로에서 분해시켜 입자간 응집을 억제시키는 것을 특징으로 하는 아연재를 이용한 초미립자 산화아연 분말의 제조방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 의해 제조되고 입경 0.1∼1㎛인 것을 특징으로 하는 초미립자 산화아연 분말.

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