KR100610300B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 기판, 회로 소자, 층간막, 및 전극을 포함한다. 회로 소자는 기판 상에 형성한다. 층간막은 회로 소자 위에 형성되며 층간 절연층과 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 구비한다. 전극은 층간막 상에 형성한다. 전극 및 회소 소자는 상호 접속부재에 의해 전기적으로 접속된다. 층간막 상의 전극은 실질적으로 균일한 표면 형상을 갖는다.
기판, 회로 소자, 층간 절연층, 층간막, 전극, 표시 장치
Description
도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 반사 화소 전극 구조를 개략적으로 나타낸 도면으로, 도1a는 재귀 반사 화소 전극의 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도1b는 산란 반사 화소 전극의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 실시예의 표시 장치의 제조 방법에 있어서의 재귀 반사 화소 전극의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 실시예의 액정 표시 장치(300)를 개략적으로 도시한 상면도.
도 4는 액정 표시 장치(300)의 액정 패널(301)의 개략적인 단면도.
도 5는 LCD 패널(301)에 이용되는 액티브 매트릭스 기판의 화소 구조를 개략적으로 도시한 도면으로, 도5a는 상면도, 도5b는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 전사 가능한 기초막을 개략적으로 도시한 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명에 따른 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 전사 가능한 재귀 반사층용 기초막의 제작 방법을 설명하기 위한 개략 적인 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 실시예의 액티브 매트릭스형 재귀 반사 액정 패널의 개략적인 단면도.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 다른 전사 가능한 기초막의 제작 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명에 따른 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서의 재귀 반사용 기초막의 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 11a 내지 도 11d는 재귀성 반사 전극을 형성하는 종래의 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 12는 이상적인 재귀 반사층의 구조를 도시한 도면으로서, 도 12a는 상면도, 도12b는 도12a중의 X11b - X11b 및 X11b' - X11b'를 따라 취한 단면도.
도 13a 및 도 13b는 종래의 방법으로 형성된 재귀 반사 전극의 컨택트부 근방의 단면 형상과 경사 각도 변화를 도시한 도면.
도 14a는 종래의 방법으로 형성된 산란 반사 전극의 컨택트부 근방의 단면 형상과 경사 각도 변화를 도시한 도면이고, 도 14b는 종래의 방법으로 형성된 투명한 화소 전극의 컨택트부 근방의 단면 형상과 경사 각도 변화를 도시한 도면.
도 15a는 종래의 방법에 의해 형성된 컨택트부(1501)를 갖는 컨택트 홀부(1502)의 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도15b는 컨택트 홀부(1502)를 포함하지 않는 부분의 단면 구조 (또는 이상적인 단면 구조)를 개략적으로 도시한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
105, 205 : 접속 전극 108 : 층간 절연층(재귀 반사층용 기초막)
109 : 층간막 111a, 111b, 211 : 상호 접속부재
112a, 212b : 화소 전극 201 : 기판
202 : 게이트 전극 203 : 소스 전극
204 : 드레인 전극 207 : 액티브 매트릭스 기판
208 : 재귀 반사층용 기초막 209 : 층간막
210 : 층간 절연층 211 : 상호 접속부재
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 액정 표시 장치(LCD)와 같은 플랫 패널 디스플레이(FPD)가 널리 이용하고 있다. 또한, 두께가 더욱 얇은 "전자 페이퍼"라 불리는 표시 장치의 개발도 진행되고 있다.
액정 표시 장치는 액정층의 전자-광학 특성의 변화를 이용함으로써 표시를 수행한다. 이러한 변화는 그 인가된 전계에 응답하여 자신의 배향 방향을 변경하는 액정 분자에 의해 야기된다. 이 전계는 통상 액정층을 개재하여 상호 대향하는 한 쌍의 전극간에 전압을 생성함으로써 액정층에 인가된다. 이 액정층에 전계를 인가하기 위해 사용하는 한 쌍의 전극의 구조는 액정 표시 장치의 사양에 따라 여러 가지 형태를 취한다.
반사형 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치를 예를 들어 전형적인 전극 구조에 대하여 설명한다. 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 액정층에 전계를 인가하는 전극 쌍은 통상 액티브 매트릭스 기판에 설치된 화소 전극과, 그 화소 전극과 대향하도록 설치된 대향 전극이다.
반사형 액정 표시 장치는 액정층에 입사된 주위 광을 액정층에서 변조한 후, 반사시킴으로써 표시 동작을 수행하는 반사층을 구비한다. 반사형 액정 표시 장치중에는, 화소 전극이 반사층 기능을 겸하는 것도 있다. 즉, 반사율이 높은 금속을 화소 전극용 재료로 이용함으로써, 그러한 반사 기능을 갖춘 화소 전극(「 반사 화소 전극」이라 불리는 경우도 있음)을 얻을 수 있다. 이 반사 화소 전극은, 예를 들면 산란 (또는 확산) 반사 특성(예를 들어, 일본특허공보 제3187369호 참조)이나 재귀 반사 특성(예를 들면, 일본 특원 2000-096075호 참조)을 갖도록 그 표면이 다양한 형상중의 하나로 패터닝된다.
한편, 투과형 액정 표시 장치에서는, 화소 전극은 전형적으로 투명 전극이고 액정층의 표면에 평행한 표면을 갖는 평탄 층으로 형성된다. 그러나, 액정 표시 장치의 시야각 특성 등을 개선하기 위하여, 투명 화소 전극의 표면 형상은 형상 효과 혹은 경사 전계 효과를 이용하는 방법에 의해 제어되기도 한다.
상술한 액정 표시 장치에서, 제어된 표면 형상을 갖는 화소 전극은 액티브 매트릭스 기판상에 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 소정의 표면 형상을 갖도록 층간 절연층을 액티브 매트릭스 기판 상에 형성하고 이후 화소 전극을 층간 절연층 상에 형성한다. 즉, 화소 전극이 형성되어 있는 층간 절연층의 표면 형상에 의해 화소 전극의 표면 형상을 제어한다. 또한, 화소 전극과 능동 소자와의 전기적인 접속은 층간 절연층을 관통하는 컨택트 홀을 통해 이루어진다.
그러나, 상술한 종래의 액정 표시 장치에는 이하의 문제점이 있다. 우선, 도 11a 내지 도 11d를 참조하여 종래의 방법에 의해 재귀 반사 특성을 갖도록 제조된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 문제점을 설명한다.
우선, 도 11a에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(1102), 소스 전극(1103), 드레인 전극(1104), 및 접속 전극(1105) 을 유리 기판(1101) 상에 형성한다. 도 11a 에서, 설명의 편의상, 게이트 전극(1102)을 덮는 반도체 층(채널 영역을 포함)은 생략한다. 이하에서는, 이들 부재를 그 위에 갖는 기판을 간단히 기판(1107)이라 칭한다. 게이트 전극(1102), 소스 전극(1103), 드레인 전극(1104), 및 반도체 층(채널 영역을 포함)은 모두 TFT를 구성한다. 도 11a 내지 11d에 도시하지 않았지만, TFT의 게이트 전극(1102) 및 소스 전극(1103)에는 각각 게이트 버스 라인 및 소스 버스 라인이 접속되어 있다. 접속 전극(1105)은 드레인 전극(1104)에 전기적으로 접속되어 있으며 후술하는 컨택트 홀(1109)을 통해 화소 전극(1110)과 접속된다. 경우에 따라서는, 접속 전극(1105)을 생략한다. 이 경우, 드레인 전극(1104)과 화소 전극(1110)을 직접 접속하도록 드레인 전극(1104)상에 컨택트 홀(1109)을 형성할 필요가 있다.
다음으로 도 11b에 도시한 바와 같이, 예를 들면 미국 특허 제4,601,861호에 개시되어 있는 방법으로 형성된 재귀 반사층용 기초막(1108)을 기판(1107)상에 접착한다. 이 기초막(1108)은 절연 재료(전형적으로는 수지)로 형성되어 있다.
그 후, 도 11c에 도시한 바와 같이, 포토리소그래피법 등을 이용하여 접속 전극(1105)의 위치에 맞추어 기초막(1108)을 관통하는 컨택트 홀(1109)을 형성한다. 즉, 재귀 반사층용 기초막(1108)에 형성한 컨택트 홀(1109) 내에 접속 전극(1105)의 일부를 노출시킨다.
이후, 도 11d에 도시한 바와 같이, 컨택트 홀(1109)에 의해 접속 전극(1105)에 접속되도록 화소 전극(1110)을 기초막(1108)상에 형성한다. 화소 전극(1110)은, 예를 들어 불필요한 영역을 마스킹한 상태에서 기상 공정에 의해 기판 상에 금속 재료(예를 들면, Al)를 선택적으로 증착함으로써 형성하여도 된다. 다른 방법으로, 기판(1107)의 거의 전면에 금속막을 증착하고 포토리소그래피법 등을 이용하여 소정의 형상으로 패터닝하여도 된다. 화소 전극(1110)은 재귀 반사층으로도 기능하는 재귀 반사 화소 전극이다. 이러한 방식으로, 액티브 매트릭스가 얻어진다.
마지막으로, 재귀 반사 화소 전극(1110)을 갖는 액티브 매트릭스 기판과, 별도 제작된 대향 기판(도시하지 않음)을 소정의 간극을 두고 접합한다. 대향 기판은, 예를 들어 컬러 필터(CF)층 및 대향 전극을 순서대로 유리 기판상에 적층한다. 컬러 필터층은 R(적), G(초록) 및 B(청)의 컬러 필터를 가지며 필요에 따라 블랙 매트릭스를 구비한다. 대향 전극은 예를 들어 ITO(인듐 주석 산화물)로 형성하여 도 된다. 이후, 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판사이의 간극에, 예를 들어 산란형 액정 재료(예를 들면 고분자 분산형 액정 재료)를 주입함으로써, 재귀 반사형 액정 표시 장치를 제조한다.
이상적인 재귀 반사 특성을 얻기 위해, 재귀 반사층의 표면 형상은 도12a 및 도12b에 개략적으로 도시한 바와 같이, 기판(1101)의 표면(즉, 표시면에 평행한 평면)에 대하여 상호 다른 방향으로 경사진 2그룹의 평면으로 구성할 필요가 있다. 또한, 이러한 2그룹의 평면은 규칙적으로 반복되는 패턴을 규정할 필요가 있다. 그러나, 상술한 종래의 방법에 의해 형성된 화소 전극(1110)은 도 11d에 도시한 바와 같이 컨택트 홀(1109)상의 평탄부를 갖는다. 따라서, 재귀 반사 화소 전극(1110)의 단면 형상은 이상적인 재귀 반사층의 요철 구조와는 상이하다.
아울러, 이상적인 재귀 반사층이 갖는 규칙적인 요철 구조에서는, 요철 구조의 깊이 L(최상위 포인트; 1101)와 최하위 포인트(1102)와의 높이의 차는 피치(P)에 √6 을 곱하여 3으로 나눔으로써 얻어진다. (즉, L=SQRT(6)*P/3). 따라서, 이상적인 재귀 반사 특성을 얻기 위해서는, 재귀 반사층용 기초막(1108)의 두께가 요철 구조의 깊이 L보다 클 필요가 있다. 즉, 재귀 반사용 기초막(1108) 아래에 형성되어 있는 접속 전극(1105)과 재귀 반사용 기초막(1108)상에 형성되어 있는 화소 전극(1110)을 전기적으로 접속하기 위한 컨택트 홀(1109)의 깊이는 요철 구조의 깊이 L보다 클 필요가 있다.
컨택트 홀(1109)의 깊이가 약 1㎛ 이상이면, 컨택트 홀(1109)의 내면 전체를 박막 증착 프로세스를 이용하여 화소 전극(1110)의 금속 재료로 피복하는 것은 일 반적으로 어렵다. 이러한 이유 때문에, 금속 재료를 컨택트 홀(1109)에 충전하여 전기적인 접속을 충분히 확보하기 위해서는, 컨택트 홀(1109)의 내면에 테이퍼를 만들 필요가 있다. 그러나, 이 경우, 컨택트 홀(1109)의 대각선 크기(즉, 기판(1101)의 표면에 컨택트 홀(1109)을 투영했을 때의 면적)가 커진다. 그 결과, 화소 전극의 다른 부분과 상이한 표면 형상을 갖는 컨택트 홀(1109)에 걸친 화소 전극(1110)의 일부의 면적이 증가하게 된다.
이하에서는, 도 13a 및 도 13b를 참조하여 종래의 제조 방법에 의해 제작된 재귀 반사 화소 전극의 문제점을 더욱 상세하게 설명한다.
도 13a에 도시한 재귀 반사 화소 전극(1110a)은 층간 절연층(1108a)을 관통하는 컨택트 홀(1109)내에서 접속 전극(1105)과 접속되어 있다. 따라서, 컨택트 홀(1109)의 근방 및 그 내부(이하,「컨택트 홀부」라고 칭함)에 위치하는 반사 전극(1110a)의 표면 형상은, 재귀 반사 화소 전극(1110a)의 소정의 형상(1110aR)과 크게 다르다. 접속 전극(또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된 화소 전극의 일부는 이하 "컨택트부"라고 칭한다. 이 컨택트부가 컨택트 홀 내에 위치하면, 컨택트 홀을 덮고 화소 전극의 다른 부분의 표면 형상과 상이한 표면 형상을 갖는 화소 전극의 일부는 이하에서는 "컨택트 홀부"라고 칭한다.
재귀 반사 화소 전극(1110a)의 표면과의 표시면(즉, 유리 기판의 표면)에 의해 규정되는 경사각 Φ의 분포는, 도 13a의 하측에 개략적으로 도시되어 있다. 도 13a에 도시한 바와 같이, 컨택트 홀(1109)의 근방에서 경사각 Φ이 급격하게 변화하고 있으며, 재귀 반사 전극(1110a)의 이상적인 경사각 ΦR으로부터 크게 벗어나 있다. 또한, 컨택트 홀(1109)의 중앙에 평탄부(Φ = 0°)가 형성되어 있다.
이와 같이, 컨택트 홀(1109) 내에서 화소 전극(1110a)과 접속 전극(1105)을 전기적으로 접속하면, 화소 전극(1110a)의 표면 형상이 소정의 형상으로부터 크게 벗어난다. 따라서, 원하는 재귀 반사 특성을 얻을 수 없다. 그 결과, 유효 표시 면적이 실질적으로 줄어들고, 콘트라스트비가 저하되어, 표시 품위가 저하된다.
한편, 도 13b에 도시된 바와 같이, 재귀 반사 화소 전극(1110b)의 최하위 포인트를 포함하는 층간 절연층(1108b)의 일부분을 통해 도 13a에 도시한 컨택트 홀(1109)보다 작은 컨택트 홀(1109)을 형성하면(도 12a 참조), 평탄부(경사각Φ = 0°)가 차지하는 면적은 감소하게 된다. 그러나, 컨택트 홀(1109)의 근방에서의 경사각의 변화가 커져, 원하는 재귀 반사 특성을 얻을 수 없다.
상기한 문제는 재귀 반사층을 이용하는 반사형 표시 장치뿐만 아니라 산란 반사층을 이용하는 반사형 표시 장치에 있어서도 문제가 된다.
예를 들면, 일본특허 제3187369호 공보에는, 산란 반사층의 표면에 형성되는 요철의 형상을 그 표면의 기판면에 대한 경사각으로 규정하고 있다. 그러나, 이와 같이 산란 반사층의 표면 형상을 최적으로 설계하여도, 반사형 표시 장치를 상술한 종래의 방법으로 제조하는 한, 컨택트 홀 상의 산란 반사층의 형상은 설계 형상으로부터 벗어나 원하는 산란 반사 특성을 얻을 수 없다.
도 14a에 개략적으로 도시한 바와 같이, 컨택트 홀(1109) 내에 형성된 산란 반사 전극(1110c)의 표면 형상은 거의 평탄(즉, Φ = 0)하다. 따라서, 경사각 Φ이 급격하게 변화하고, 표면 형상도 컨택트 홀(1109) 근처에서 이상적인 산란 반사 특성을 갖는 소정의 표면 형상(1110cR)과 크게 달라진다. 그 결과, 원하는 산란 반사 특성을 얻을 수 없는 문제가 발생한다.
또한, 상술한 반사형 액정 표시 장치에 한정되지 않고 투과형 액정 표시 장치에서도 유사한 문제점이 발생할 수 있다. 예를 들어, 투과형 액정 표시 장치의 개구율을 향상시키기 위해, 도 14b에 도시한 바와 같이 투명한 층간 절연층(1108d)상에 투명한 화소 전극(1110d)을 형성하는 경우가 있다. 이러한 구성에서, 화소 전극(1110d)과 접속 전극(1105)을 원하는 대로 접속하기 위하여 컨택트 홀(1109)의 내면에 테이퍼(Φ ≤ 45°)를 형성하면, 컨택트 홀(1109)의 근방에서의 경사각 Φ이 변경된다. 이 경우, 액정 분자의 배향도 컨택트 홀(1109) 근처에서 변경되고, 이에 따라 표시 품위의 저하를 초래한다.
또한, 투과형 액정 표시 장치에서도, 액정 분자의 배향 방향을 제어하기 위하여 화소 전극의 표면에 요철을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 화소 전극의 표면 형상이 컨택트 홀의 근방에서 소정의 형상으로부터 벗어나면 표시 품위의 저하를 또한 초래하게 된다.
또한, 상술한 문제는 예시한 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 한정되지 않으며, 단순 매트릭스형 액정 표시 장치에서도 발생하는 경우가 있다. 또한, 액정 표시 장치 이외에, 전기-광학 효과를 갖는 표시 매체층을 갖는 표시 장치에도 유사한 문제점이 발생할 수 있다.
상기한 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명의 주된 목적은, 전극과 회로 소자 사이에 마련되는 층간 절연층에 형성된 상호 접속부재를 통해 회로 소자와 상기 전극이 상호 전기적으로 접속된 구조를 갖는 표시 장치의 표시 품위를 향상시키는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 그와 같은 표시 장치를 효율적으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시 장치는, 바람직하게는 기판과, 회로 소자와, 층간막과, 전극을 포함한다. 상기 회로 소자는 바람직하게는 상기 기판상에 설치된다. 상기 층간막은 바람직하게는 상기 회로 소자상에 설치되며, 바람직하게는 층간 절연층 및 상기 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 갖는다. 상기 전극은 바람직하게는 상기 층간막상에 설치된다. 상기 전극과 상기 회로 소자는 바람직하게는 상기 상호 접속부재를 통해 상호 전기적으로 접속된다. 상기 층간막상의 상기 전극은 바람직하게는 실질적으로 균일한 표면 형상을 갖는다. 아울러, 본 명세서에서 회로 소자란, 능동 소자(예를 들어, TFT나 MIM)나 수동 소자(예를 들어, 저항 소자나 용량 소자) 등의 회로 소자 및 배선이나 전극을 포함하는 것으로 한다.
본 발명의 바람직한 일실시예에서, 상기 전극은 바람직하게는 광을 반사 기능을 가지며, 상기 층간막상의 상기 전극은 바람직하게는 실질적으로 균일한 반사 특성을 갖는다.
이 바람직한 실시예에서, 상기 전극은 재귀 반사 특성을 갖는 것이어도 된다.
다른 바람직한 실시예에서, 상기 전극은 산란 반사 특성을 갖는 것이어도 된다.
또다른 바람직한 실시예에서, 바람직하게는 상기 상호 접속부재는 상기 층간 절연층보다 열팽창 계수가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
또다른 바람직한 실시예에서, 상기 상호 접속부재 및 상기 층간 절연층이 모두 수지를 포함하는 재료로 형성된다.
특히, 상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것이 바람직하다.
보다 상세하게, 수지를 경화할 때, 상기 상호 접속부재는 상기 층간 절연층보다 경화 수축이 작은 수지를 포함하는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
또다른 바람직한 실시예에서, 상기 전극은 화소 전극이어도 된다. 이 경우, 표시 장치는 바람직하게는 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극과, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 설치된 액정층을 갖는다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시예에 따르면, 기판과, 상기 기판상에 설치된 회로 소자와, 상기 회로 소자상에 설치되며, 층간 절연층 및 상기 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 갖는 층간막과, 상기 층간막상에 설치된 전극을 구비하는 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 이 표시 장치에서, 상기 전극과 상기 회로 소자는 바람직하게는 상기 상호 접속부재를 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 본 발명의 방법은, 바람직하게는 (a) 상기 층간 절연층과, 상기 층간 절연층을 관통하는 상기 상호 접속부재를 갖는 상기 층간막을 형성하는 단계와, (b) 단계 (a) 이후에 상기 전극이 설치되는 영역의 상기 층간막 일부의 표면 형상을 소정의 형상으로 가공하는 단계와, (c) 상기 층간막상에 상기 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일실시예에서, 상기 단계 (b)는, 바람직하게는 상기 층간막의 일부의 표면 형상을, 상기 전극이 설치되는 영역에 걸쳐 실질적으로 균일한 소정의 형상으로 변경하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에서, 상기 단계 (b)는, 바람직하게는 상기 층간막의 일부의 표면 형상을, 상기 전극에 재귀 반사 특성을 부여하는 형상으로 변경하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 또다른 실시예에서, 상기 단계 (b)는, 상기 층간막의 일부의 표면 형상을, 상기 전극에 산란 반사 특성을 부여하는 형상으로 변경하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 또다른 실시예에서, 상기 단계 (a) 및 (b)는, 상기 회로 소자가 설치된 상기 기판상 이외의 위치에서 실행하여도 된다. 이 경우, 이 방법은 상기 단계 (a) 및 (b)를 수행한 후, 상기 층간막을 상기 회로 소자가 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 더 포함하여도 된다.
다른 방법으로, 상기 단계 (a) 내지 (c)는 상기 회로 소자가 설치된 상기 기판상에서 실행하여도 된다.
바람직한 또다른 실시예에서, 상기 단계 (a)는, 개구를 갖는 상기 층간 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 개구에 도전성 재료를 충전하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하여도 된다. 상술하면, 상기 회로 소자가 도전층을 포함하면, 상기 도전성 재료를 상기 개구에 충전하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 상기 도전층으로부터 발생한 전계를 이용하는 단계를 포함하여도 된다. 전계를 이용하는 이러한 방법은 전해 중합, 전착(electrodeposition) (또는 전기 도금) 및 전착 분석을 포함한다. 다른 방법으로, 개구를 도전성 재료로 상기 개구에 충전하는 단계는 잉크젯 공정을 수행하는 단계를 포함하여도 된다.
바람직한 또다른 실시예에서, 상기 단계 (a)는, 도전성 재료의 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계, 및 상기 상호 접속부재가 상기 층간 절연층에 의해 둘러쌓이도록 상기 층간 절연층을 형성하는 단계를 포함하여도 된다. 이 실시예에서, 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하여도 된다. 다른 방법으로, 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 디스펜서를 이용하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하여도 된다.
바람직한 또다른 실시예에서, 상기 단계 (a)는, 수지를 포함하는 상기 층간 절연층 및 수지를 포함하는 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하여도 된다.
이 실시예에서, 바람직하게는상기 단계 (b)는 상기 층간막을 가열하는 단계를 포함한다. 상술하면, 상기 단계 (a)는, 바람직하게는 상기 층간 절연층보다 열팽창 계수가 작은 재료로 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함한다.
바람직한 실시예에서, 상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지이어도 된다. 이 경우, 상기 수지를 경화할 때, 바람직하게는 상기 상호 접속부재의 재료에 포함된 수지는 상기 층간 절연층의 재료에 포함된 수지보다 적게 수축된다.
본 발명의 다른 특성, 소자, 공정, 단계, 특징은 첨부 도면을 참조하여 다음의 본 발명의 바람직한 실시예들의 상세한 설명에 의해 자명할 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법을 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 다음의 바람직한 실시예에서, 본 발명은 반사형 액정 표시 장치에 적용한다. 그러나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않는다.
먼저, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치의 반사 화소 전극 구조를 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명한다. 도 1a는 재귀 반사 화소 전극의 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 1b는 산란 반사 화소 전극의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하의 설명에서, 도 11a 내지 11d에 도시한 종래의 제조 방법에 의해 제작된 액티브 매트릭스 기판의 구성 요소와 실질적으로 동일한 기능을 갖는 구성 요소에는 동일한 명칭을 사용하고, 그 설명을 생략한다.
도 1a에 도시한 바와 같이, 바람직한 실시예에 따른 재귀 반사 화소 전극(112a)의 표면 형상은 실질적으로 균일하고 소정의 형상을 가지고 있어 실질적으로 균일한 재귀 반사 특성을 갖는다. 상술하면, 반사 화소 전극(112a)용 기초막인 층간막(109)은 반사 화소 전극(112a)과 접속 전극(105)을 전기적으로 접속하는 상호 접속부재(111a)와 층간 절연층(108a)을 갖는다. 이 층간막(109)의 표면 형상은 실질적으로 균일하다. 즉, 상호 접속부재(111a)와 층간 절연층(108a)의 표면은 실질적으로 연속하여, 소정의 표면 형상을 규정한다.
도 1a의 하부는 반사 화소 전극(112a)의 표면의 표시면 (또는 유리 기판의 표면)에 대한 경사각 Φ의 분포를 나타낸다. 도 1a에서 알 수 있듯이, 경사각 Φ이 서로 다른 2그룹의 평면이 반사 화소 전극(112a)의 표면상에 규칙적으로 형성되어 있다. 즉, 화소 전극(112a)은 층간 절연층(108a)상에서도 상호 접속부재(111a)상에서도 소정의 형상을 유지하고 있다.
도 1b에 도시한 바와 같이, 이 실시예의 산란 반사 전극(112b)의 표면 형상도 실질적으로 균일하고 소정의 형상을 가지고 있고, 실질적으로 균일한 산란 반사 특성을 갖는다. 상술하면, 반사 화소 전극(112b)의 기초막인 층간막(109)은 반사 화소 전극(112b)과 접속 전극(105)을 전기적으로 접속하는 상호 접속부재(111b)와 층간 절연층(108b)을 갖는다. 층간막(109)의 표면 형상은 실질적으로 균일하다. 즉, 상호 접속부재(111b)와 층간 절연층(108b)의 표면은 실질적으로 연속하여 소정의 표면 형상을 규정하고 있다.
도 1b의 하부는 반사 화소 전극(112b)의 표면과 표시면에 의해 규정되는 경사각 Φ의 분포를 나타낸다. 도 1b에서 알 수 있듯이, 경사각 Φ이 규칙적으로 변화하고 있다. 즉, 화소 전극(112b)의 표면의 형상은 층간 절연층(108b)상에서도 상호 접속부재(111b)상에서도 소정의 형상을 유지한다. 따라서, 경사각 Φ은 규칙적이고 주기적으로 변화한다.
산란 반사 특성을 갖는 화소 전극의 표면 형상은, 도 1b에 도시한 예에 한정되지 않으며 여러 가지 형상이어도 된다. 특히, 요철 패턴의 주기가 일정하면, 광 간섭에 의해 표시 품위가 저하될 수 있다. 이러한 이유 때문에, 오히려 요철 패턴 의 주기는 랜덤하게 반복되는 것이 바람직하다. 이 실시예에 따르면, 반사 전극(112b)의 전 표면상에 요철 패턴이 랜덤하게 반복될 수 있다. 종래의 제조 방법에 의해 제조된 반사형 화소 전극에서는, 컨택트 홀을 형성함에 따른 표면 형상의 변형이 주기적으로 나타나고, 그러한 주기적인 변형에 의해 초래되는 광 간섭에 의해 표시 품위가 저하되는 경우가 발생하였다. 한편, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 광 간섭을 최소화한 양호한 산란 반사 특성을 갖는 반사 전극을 형성할 수 있다.
재귀 반사 화소 전극(112a) 또는 산란 반사 화소 전극(112b)이 "실질적으로 균일한 표면 형상"을 가질 때, 반사 화소 전극(112a 또는 112b)의 재귀 반사 특성 또는 산란 반사 특성이 상호 접속부재상 및 층간 절연층상에서 실질적으로 유사하게 보여야 한다. 따라서, 이 경우, 상호 접속부재와 층간 절연층간의 재귀 반사 또는 산란 반사의 차가 최종 표시 품위에 현저하게 영향을 주지 않을 정도로 작아야 한다. 이하, 반사 전극에서 층간 접속부의 표면 형상 변형 정도의 평가 방법에 대하여 설명한다.
도 13a, 13b, 14a, 및 14b를 참조하여 설명한 바와 같이, 종래의 방법으로 형성한 재귀 또는 산란 반사 화소 전극에서는, 컨택트 홀부에서의 이 반사 화소 전극의 표면과 표시면에 의해 규정되는 경사각 Φc는 컨택트 홀부 이외 부분의 표면과 표시면에 규정되는 경사각과 거의 동일한 이상적인 경사각 ΦR과 매우 다르다. Φc와 ΦR과의 차이가 클수록, 컨택트 홀부의 실제 광학 특성과 원하는 (또는 설계한) 광학 특성(즉, 예상되는 반사 특성)간의 차이도 커진다. 다시 말하면, Φc와 ΦR과의 차이가 작으면 작을수록, 원하는 광학 특성에 가까운 광학 특성을 얻기 쉬워진다. 또한, 경사각 ΦR과 Φc 간에 단지 미소한 차이가 존재할 때, 컨택트 홀부의 단면 영역은, 반사형 화소 전극을 표시 스크린에 대하여 수직으로 관측할 때 다른 어떠한 부분의 단면 영역과 크게 다르지 않아야 한다.
이하, 종래의 방법에 의해 형성된 컨택트 구조보다도 이상적인 광학 특성을 얻기 위해 필요한 컨택트 홀부에 대한 표면 형상을 상기 단면적의 차에 의거하여 평가하는 방법을 설명한다. 컨택트 홀부에 대한 바람직한 표면 형상을 특징짓는, 컨택트 홀부와 다른 부분과의 단면적 차는 원하는 반사 화소 전극의 표면 형상에 따라 다르다. 따라서, 이하에서는 서로 다른 표면 형상을 갖는 2개의 특정한 반사형 화소 전극의 경우로 나누어 설명한다.
먼저, 평탄한 표면 형상의 화소 전극에 대하여 바람직한 표면 형상을 특징짓는 바람직한 차에 대하여 설명한다.
도 14b에 도시한 바와 같이, 층간 절연층(1108d)에 컨택트 홀(1109)을 형성한 경우, 컨택트부(1401)를 포함하는 컨택트 홀부(1402)에서 화소 전극(1110d)의 표면의 경사각 Φc이 다른 부분과 서로 다르다. 즉, 컨택트 홀부(1402)의 표면 형상이 이상적인 표면 형상과 다르다.
기판면에 평행한 면 내에 (x, y) 좌표계를 취하고, 제1 좌표(x1, y1) 및 제2 좌표(x2, y1)(단, x1 < x2 임) 세트에 의해 컨택트 홀부(1402)의 단면적을 계산한다고 가정한다. 다음의 예에서, 컨택트 홀부(1402)의 단면적은 그 부분의 층간 절연층(1108d)의 단면적으로 근사하여 얻는다.
(층간 절연층과 상호 접속부재를 포함하는) 층간막이 이상적인 표면 형상(1110dR)을 갖는 경우, 도 14b에서 도시한 바와 같이 제1 좌표에서 제2 좌표에 이르는 층간막의 단면적(이상적인 단면적(SR)이라 부른다)은 (x2 - x1)과 층간막(1108d)의 두께(d)의 곱으로 얻어진다. 도 14a, 14b, 15a, 및 도 15b에서는 상호 접속부재를 생략하고, 층간막과 층간 절연층을 동일한 참조 부호로 나타낸다.)
한편, 컨택트 홀(1109)을 형성한 경우, 컨택트 홀부(1402)의 단면적 Sc은 적어도 컨택트부(1401)의 폭과 두께 d의 곱만큼 이상적인 경우의 단면적 SR보다 작아진다(즉, Sc < SR). 또한, 도 14b에 도시한 바와 같이, 컨택트 홀(1109)이 경사진 측면을 갖는 경우, Sc와 SR간의 차이는 측면을 포함하는 그 부분의 단면적에 의해 더 커진다. 즉, Sc는, 컨택트부(1401)의 폭 및 두께 d의 곱과 {(컨택트 홀부(1402)의 폭 - 컨택트부(1401)의 폭) × 두께 d}/2를, 이상적인 단면적 SR으로부터 감산하여 얻어진다.
종래의 방법에 따르면, 경사각 Φ이 90°인 측면을 갖는 컨택트 홀(1109)을 형성하고 또한 단선을 발생시키지 않고 화소 전극(1110d)을 형성하는 것은 어렵다. 따라서, 종래의 방법에 의해 형성된 컨택트 홀부(1402)의 단면적(Sc)은 이상적인 단면적(SR)의 1/2 미만(즉, Sc < SR/2)이다. 즉, 컨택트 홀부(1402)의 실제 단면적 Sc와 이상적인 단면적(SR)과의 차는 이상적인 단면적(SR)의 1/2 보다 크게 된다 (즉, SR - Sc > SR/2). 본 발명에 따르면, 이상적인 단면적을 갖는 컨택트 홀부를 형성할 수 있다. 그러나, 적어도 이상적인 단면적(SR)과의 차가 SR/2 이하인 단면 적을 갖는 컨택트 홀부를 형성하면(즉, SR - Sc ≤ SR/2), 종래의 것보다 표시 품위가 우수한 표시 장치를 얻을 수 있다. 본 발명의 효과를 현저하게 얻기 위해, 컨택트 홀부의 단면적(Sc)이 이상적인 단면적(SR)보다 SR/4 이하 만큼 작은 것이 바람직하다(즉, SR - Sc ≤ SR/4).
다음으로, 도 13a, 13b, 또는 도 14a에 도시한 바와 같은 요철 형상의 표면을 갖는 화소 전극에 대하여 바람직한 표면 형상을 특징짓는 단면적의 조건을 도 15a 및 도 15b를 참조하여 설명한다.
도 15a는 종래의 방법에 의해 형성된 컨택트부(1501)를 갖는 컨택트 홀부(1502)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸다. 도 15b는 컨택트 홀부(1502)를 포함하지 않는 부분의 단면 구조 (또는 이상적인 단면 구조)를 개략적으로 나타낸다. 도 15a 및 도 15b에서, 층간 절연층(또는 층간막)(1508)의 두께(D)(x, y)는 요철 부분의 두께(L)(x, y)와 평판 부분의 두께(δ)로서 표현된다(즉, D(x, y) = L(x, y) + δ).
컨택트 홀(1509)을 형성하면, 컨택트 홀(1502)의 단면적(Sc)D(x, y)을 x1∼x2의 범위에서 적분한 면적은 적어도 컨택트부(1501)상의 층간막(1508)의 두께(δ)를 갖는 부분(즉, 컨택트부(1501)의 폭 × δ)만큼 이상적인 단면적(SR)보다 작아진다. 즉, 상기한 바와 동일한 이유로, 종래의 방법에 따르면 (SR - Sc)의 값을 컨택트부(1501)의 폭 × δ보다 작게는 할 수 없다. 본 발명에 따르면, 이상적인 단면적을 갖는 컨택트 홀부를 형성할 수 있다. 그러나, 적어도 이상적인 단면적(SR)과의 차가 컨택트부(1501)의 폭 × δ이하의 단면적을 갖는 컨택트 홀부를 형성하면, 종래의 것보다 표시 품위가 우수한 표시 장치를 얻을 수 있다. 본 발명의 효과를 현저하게 얻기 위해, 컨택트 홀부의 단면적(Sc)은 이상적인 단면적(SR)보다 (컨택트부(1501)의 폭 × δ)/2 이하 만큼 작은 것이 바람직하다.
상기한 모든 실시예에 있어서, (SR - Sc)의 값은 가능한 작은 것이 바람직하고, 이상적으로는 (SR - Sc)=0 인 컨택트 홀부를 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 양산성이나 표시 품위를 고려하여 어느 정도의 편차는 허용된다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다. 상술한 전극 구조를 갖는 표시 장치는 이하에 설명하는 제조 방법을 이용하여 효율적으로 제조할 수 있다.
도 11a 내지 11d를 참조하여 설명한 종래의 제조 방법에서는, 소정의 표면 형상을 갖는 기초막(1108)을 형성한 후, 기초막에 컨택트 홀(1109)을 형성하고 컨택트 홀(1109) 내에 노출된 접속 전극(1105)과 반사 전극(1110)과의 접속을 수행하고 있다. 한편, 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은, (a) 층간 절연층과, 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 갖는 층간막을 형성하는 단계, (b) 적어도 반사 전극이 설치되는 영역의 층간막의 표면 형상을 소정의 형상으로 변경하는 단계, 및 (c) 층간막상에 반사 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 즉, 본 발명의 제조 방법에서, 상호 접속부재는 재귀 반사층용 기초막의 일부이고, 그 표면은 층간 절연층의 표면과 함께 소정의 형상으로 패터닝된다. 따라서, 층간막의 표면 및 그 위에 형성되는 반사 전극의 표면의 형상은 실질적으로 균일해진다.
도 2a 내지 2d를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 재귀 반사 전극을 구비 하는 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 유리 기판(201)상에 게이트 전극(202), 소스 전극(203), 드레인 전극(204), 및 접속 전극(205)을 형성한다. 도 2a에서, 게이트 전극(202)을 덮는 (채널 영역을 포함하는) 반도체 층은 설명의 편의상 도시하지 않았다. 이러한 구성 요소를 포함하는 기판을 이하에서는 기판(207)으로 칭한다.
다음으로, 도 2b에 도시한 바와 같이, 층간 절연층(210)과, 층간 절연층(210)을 관통하는 상호 접속부재(211)를 갖는 층간막(209)을 기판(207)상에 형성한다. 도 2b에서는 하나의 상호 접속부재(211)를 도시하고 있지만, 상호 접속부재(211)는 접속 전극(205)에 대하여 복수개 설치하여도 된다.
다음으로, 도 2c에 도시한 바와 같이 층간막(209)의 표면을 소정의 표면 형상으로 패터닝하여 재귀 반사층용 기초막(208)을 얻는다.
그 후, 도 2d에 도시한 바와 같이, 반사 전극(212)을 재귀 반사용 기초막(208)상에 형성한다. 반사 전극(212)은 도 11d를 참조하여 종래 기술에서 설명한 바와 같이 여러 가지 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 층간막(209)은 기판(207)상에서 형성하여도 되고, 미리 제작된 층간막(209)을 기판(207)상에 배치하여도 된다. 또한, 층간막(209)의 표면 형상을 소정의 형상으로 패터닝한 후에, 그 패터닝된 층간막(209)(즉, 기초막(208))을 기판(207)상으로 전사하여도 된다. 즉, 상호 접속부재(211)를 갖는 재귀 반사층용 기초막(208)을 형성한 후에 기판(207)상에 이 기초막(208)을 배치하여도 된다. 상호 접속부재(211)는 접속 전극(205)에 접속되도록 화소 피치에 대응하는 피치에서 형성된다. 또한, 반사 전극(212) 또는 그 반사 전극(212)을 형성하기 위한 반사 도전막을 기초막(208)상에 형성한 후에, 이 기초막(208)을 기판(207)상에 전사하여도 된다. 한편, 연성 재료를 이용하여 반사 도전층을 형성하는 경우에는, 층간막(209)상에 반사 도전층(혹은 반사 전극)을 형성한 후, 그 표면을 소정의 형상으로 패터닝할 수도 있다. 층간막(209)의 구체적인 형성 방법은 이하에서 상세하게 설명한다.
이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여 액티브 매트릭스형 반사 기판과 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 도 3 및 도 4를 참조하여 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 일례를 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치(300)는, 액정 패널(301), 액정 패널(301)내의 스위칭 소자를 선택적으로 구동하기 위한 게이트 드라이브 회로(302), 액정 패널(301)내의 각 화소 전극에 신호를 공급하는 소스 드라이브 회로(303), 게이트 드라이버(304) 및 소스 드라이버(305)를 구비한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 액정 패널(301)은 한 쌍의 절연 기판(401,402)과, 이들 기판(401,402) 사이에 설치된 액정층(403)을 구비하고 있다. 절연 기판(401)은 바람직하게는 투명 기판이고, 전형적으로는 유리 기판이다.
액정층(403)에 대향하도록 복수의 화소 전극(404)이 기판(401)상에 매트릭스 형상으로 배치된다. 복수의 화소 전극(404)중 하나와 또 한쪽 기판(즉, 대향 기판; 402)의 내측 표면에 형성된 공통 투명 전극(405)간에 소정의 전압이 발생하여, 소정의 화소에 대응하는 액정층(403)의 일부에 인가된다. 이러한 방식으로, 액정 표시 장치는 액정 분자들의 배향 방향의 변경을 이용함으로써 표시 동작을 수행할 수 있다. 이 실시예에서, 화소 전극(404)은 반사 전극이고, 그 표면 형상은 소정의 형상을 갖는다. 그러나, 도 4에서는 설명의 편의상 이 화소 전극을 평탄하게 나타낸다.
각 화소 전극(404)은 기판(401)상에 형성된 관련 박막 트랜지스터(TFT; 406) 및 소스 버스 라인(407)을 통해 소스 드라이버 회로(303)에 접속되어 있다. 박막 트랜지스터(406)의 ON/OFF 상태는 기판(401)에 형성된 게이트 버스 라인(도시하지 않음)에 전압을 선택적으로 공급함으로써 제어된다. 이 게이트 버스 라인은 게이트 드라이버 회로(302)에 접속되어 있다.
한편, 예를 들어, 액정층(403)에 대향하도록 블랙 매트릭스(408), R(적), G(녹), B(청)을 포함하는 컬러 필터층(409), 및 공통 투명 전극(405)을 이 순서대로 대향 기판(402) 상에 형성한다.
또한, 기판(401)과 대향 기판(402)의 가장 내부 표면상에는 배향 처리를 실시한 한 쌍의 배향층(410)이 형성된다. 기판(401)과 대향 기판(402)과의 소정 간극은 스페이서(411)에 의해 유지되어 액정층(403)의 두께를 규정한다.
다음으로, LCD 패널(301)에 이용되는 액티브 매트릭스 기판의 예를 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한다. 도 5a는 공지된 단위 화소 영역의 레이아웃을 나타낸다. 도 5b는 도 5a중의 Vb-Vb 단면도를 나타낸다.
도 5a 및 5b에 도시한 바와 같이, 유리 등의 기판상에 복수의 게이트 버스 라인(501)과, 게이트 버스 라인(501)에 거의 직각으로 교차하는 복수의 소스 버스 라인(502)이 설치되어 있다. 게이트 버스 라인(501)과 소스 버스 라인(502)은 절연층(503)을 사이에 두고 서로 다른 층 상에 위치한다. 게이트 버스 라인(501)과 소스 버스 라인(502)으로 둘러싸인 영역 내에는, 예를 들어 화소 전극(도시하지 않음)과의 전기적 도통을 실현하기 위한 접속 전극(504)이, 투명 도전막으로 형성된다. 접속 전극(504)은 게이트 버스 라인(501)과 소스 버스 라인(502)이 교차하는 부분의 근방에 형성된 박막 트랜지스터(505)를 통해 소스 버스 라인(502)으로부터 신호를 수신한다. 접속 전극(504)의 아래에는 게이트 버스 라인(501)에 평행한 용량 커패시터 라인(506)이 형성되어, 화소 전극과 용량 커패시터 라인 간에 저장 용량을 형성한다.
도 5a 및 5b에 도시한 바와 같이, TFT(505)는, 게이트 버스 라인(501)으로부터 연장되는 브랜치(즉, 게이트 전극(507)), 게이트 전극(507)을 덮는 게이트 절연막(503), 게이트 절연막(503)을 통해 게이트 전극(507)과 중첩되어 있는 진성 반도체층(508), 진성 반도체층(508)상의 도핑된 반도체층(509), 도핑된 반도체층(509)을 통해 진성 반도체층(508)의 소스/드레인 영역에 접속되는 소스 전극(510), 및 드레인 전극(511)을 구비하고 있다. 소스 전극(510)은 소스 버스 라인(502)으로부터 연장 설치되며, 소스 버스 라인(502)과 일체적으로 형성된다. 드레인 전극(511)은 박막 트랜지스터(505)의 드레인 영역과 접속 전극(504)을 전기적으로 접속하기 위한 도전성 부재이다. TFT(505)의 드레인 영역(505)은, 예를 들면 금속막을 패터닝함으로써 소스 버스 라인(502) 및 소스 전극(510)과 동시에 형성되어도 된다. 이 경우, 드레인 전극(511)과 접속 전극(504)은 특별히 나누어 형성할 필요는 없으며, 드레인 전극(510)과 접속 전극(504)을 일체화하여 형성하는 것도 가능하다. 즉, 소스 버스 라인(502), 소스 전극(510), 드레인 전극(511) 및 접속 전극(504)은 예를 들어 포토리소그래피법에 의해 동일한 막을 패터닝함으로써 형성된다.
소스 전극(510)과 드레인 전극(511)은 진성 반도체층(508)의 채널 영역을 통해 접속된다. 채널 영역의 도통 상태는 게이트 전극(507)의 전위에 의해 제어된다. TFT(505)가 n채널형인 경우, 게이트 전극(507)의 전위를 트랜지스터의 반전 임계치 이상으로 증가시키면 박막 트랜지스터(505)는 턴온 상태로 된다. 이 때, 소스 전극(510)과 드레인 전극(511)은 전기적으로 도통하기 때문에, 소스 버스 라인(502)과 접속 전극(504) 사이에 전류가 흐른다.
이하, 도 6, 및 도 7a 내지 7d을 참조하여 재귀 반사 전극의 형성 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 도 2b에서 설명한 층간막(209)을 전사 가능한 막으로 형성하는 예를 설명한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 기초막(601)상에, 버퍼층(602), 이형층(603), 재귀 반사층용 기초막이 되는 층(604), 다른 이형 작용이 있는 층(605), 다른 완충 작용이 있는 층(606), 보호층(607)을 순서대로 형성한 다층막(608)을 준비한다. 재귀 반사층용 기초막(즉, 도 2b의 층간막(209))이 되는 층(604)은 상술한 바와 같이 절연성 재료로 형성되어 있는 층간 절연층(609)과 도전성 재료로 형성되어 있는 상호 접속부재(610)를 갖는다. 상호 접속부재(610)는 각 화소의 접속 전극에 대응 하도록 규칙적으로 배열되어 있다. 다층막(608)을 구성하는 다른 층들은 공지된 전사용 막과 동일한 재료를 이용하여 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
이 전사 가능한 다층막(608)을 전사함으로써, 도 2b의 층간막(209)을 얻을 수 있다. 그 후, 후술하는 스탬핑 등의 방법에 의해 층간막(209)의 표면을 소정의 형상으로 패터닝함으로써, 재귀 반사층용 기초막(208)을 얻을 수 있다.
이하, 도 7a 내지 7d를 참조하여 재귀 반사층용 기초막(208)을 전사가능한 막으로 형성하는 예를 설명한다.
먼저, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 버퍼층(702), 및 이형층(703)을 순서대로 기초막(701)상에 형성하고 이후 그 위에 도 2b에 도시한 층간 절연층(210)이 될 절연층(709)을 증착한다. 다음으로, 이 절연층(709)중 도전성 부재(도 2b에서 상호 접속부재(211)에 대응)가 형성될 부분의 절연층을, 예를 들면 포토리소그래피법 등에 의해 선택적으로 제거하고, 개구를 도전성 재료로 충전함으로써 도전부(710)를 형성한다. 절연층(709)을 증착한 후 도전부(710)를 형성할 필요는 없다. 다른 방법으로, 도전성 부재(710)를 먼저 형성하고 그 주위를 둘러싸도록 절연층(709)을 형성하여도 된다. 이 방법에 대해서는 후술한다.
다음으로, 재귀 반사층용 기초막을 형성하기 위한 층간막(709')(도 2b의 층간막(209)에 대응)의 표면을 재귀 반사 패턴 마스터(711)를 이용하여 소정의 형상으로 패터닝하고, 이에 따라 도 7c에 나타낸 바와 같은 재귀 반사층용 기초막(704)을 형성한다. 재귀 반사 기능을 구현하는 표면 형상은 다음의 방식으로 얻어도 된다. 예를 들어, 층간막(709')을 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지를 이용하여 형성하여도 된다. 이 경우, 이 층간막(709')에 마스터(또는 몰드(mold))(711)를 프레스하면서 층간막(709')을 구성하는 수지를 경화시켜도 된다.
이후, 재귀 반사층용 재귀 반사층용 기초막(704)상에, 이형층(705), 다른 버퍼층(706), 및 보호층(707)을 이 순서대로 형성하고, 이에 따라 도 7d에 나타낸 바와 같이 재귀 반사층을 위해 전사가능한 기초막(704)을 갖는 다층 구조(708)를 얻는다.
이 전사용 재귀 반사층용 기초막(704)은 도 2c에 도시한 바와 같이 액티브 매트릭스 기판(207)에 대하여 접속 전극(205)상에 도전부(710)(상호 접속부재(211)에 대응)가 중첩되도록 정렬하여 접착된다. 이와 같이 제작된 다층막(708)을 이용하면, 액티브 매트릭스 기판(207)의 드레인과 화소 전극과의 전기적인 접속이 용이해짐과 동시에 재귀 반사 기능을 갖는 표면을 유용하게 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이 형성된 재귀 반사 전극을 갖는 액티브 매트릭스 기판을 이용하여, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같은 액티브 매트릭스형 재귀 반사 패널(812)을 제조할 수 있다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 재귀 반사 패널(812)은 한 쌍의 절연 기판(801,802)과, 이들 기판(801,802)의 사이에 설치된 액정층(803)을 구비하고 있다.
복수의 재귀 반사 화소 전극(804)을 액정층(803)에 대향하도록 기판(801)상에 매트릭스 형상으로 배치한다. 화소 전극(804)중 하나 및 또 한쪽 기판(즉, 대향 기판)(802)의 내측 표면에 형성된 공통 투명 전극(805)간에 소정의 전압이 발생 하고, 이 전압은 소정의 화소에 대응하는 액정층(803)의 일부에 인가된다. 각 재귀 반사 화소 전극(804)은 기판(801)상에 형성된 TFT(806)를 통해 소스 버스 라인(807)에 접속되어 있다.
한편, 액정층(803)에 대향하도록 블랙 매트릭스(808), 예를 들면 적(R), 초록(G), 청(B)으로 이루어진 컬러 필터(809), 및 공통 투명 전극(805)을 순서대로 대향 기판(802) 상에 설치한다.
또한, 기판(801)과 대향 기판(802)의 가장 깊은 내면상에는 배향 처리를 실시한 한 쌍의 배향층(810)을 형성한다. 또한, 기판(801)과 대향 기판(802)간의 소정의 간극은 스페이서(811)에 의해 유지되어 액정층(803)의 두께를 규정한다.
액정층(803)은 산란형 액정 표시 모드(예를 들면, 순방향 산란 액정 표시 모드)에서 동작하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 액정성 모노머와 네마틱 액정 재료, 광 반응 개시제 등을 혼합한 재료를 기판간의 간극에 주입하여 자외선 등을 조사한다. 이에 따라, 전압 무인가시에는 입사광에 대하여 투명하고 전압을 인가시에는 입사광에 대하여 순방향으로 산란하는 순방향 산란 액정층을 형성할 수 있다.
이 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 재귀 반사 패널(812)은, 반사 화소 전극(804)의 모든 영역에 대하여 양호한 재귀 반사 특성을 얻을 수 있고 이에 따라 밝고 콘트라스트비가 높은 표시를 실현할 수 있다.
상기한 바람직한 실시예에서, 반사 화소 전극은 재귀 반사 특성을 갖는다. 다른 방법으로, 이 반사 화소 전극은 마스터(711)의 형상을 바꿈으로써 산란 반사 특성을 가질 수도 있다.
이하, 재귀 반사 전극(또는 재귀 반사층용 기초막)을 형성하는 방법을 더 상세히 설명한다.
먼저, 도 2b에 도시한 바와 같이 상호 접속부재(211)를 화소 피치에 대응하도록 형성한 후에 층간 절연층(210)을 상호 접속부재(211)간의 갭에 충전되도록 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
상호 접속부재를 형성하는 도전성 재료로는 도전성 수지를 사용한다. 여기서 말하는 "도전성 수지"는, 절연성 수지에 도전성 재료를 분산시킨 도전성 재료 분산 수지나, 고분자 그 자체가 도전성을 갖는 유기 도전성 화합물을 이용하여도 상관없다. 도전성 재료 분산 수지에 이용되는 절연성 매트릭스 수지 재료로는, 예를 들면 아크릴 수지류, 올레핀류, 폴리아미드 혹은 폴리이미드, 폴리에스테르, 페놀 수지류, 에폭시 수지류, 및 폴리우레탄류 등을 들 수 있다. 또한, 도전성 분산 재료로는 카본(C) 혹은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 아연(Zn) 등의 다양한 도전성 금속, 혹은 이들 금속의 합금 등을 미립자로 한 것을 사용할 수 있다. 또한, 유기 도전성 화합물로는 폴리아세티렌, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등을 사용할 수 있다.
매트릭스 수지로서 아크릴 수지 등의 광 경화성 수지를 이용하면, 포토리소그래피법을 이용하여 수지를 패터닝할 수도 있어, 제조 공정을 간략화할 수 있다. 또한, 수지를 레이저 박리 등의 방법을 이용하여 패터닝하여도 된다. 도전성 수지 재료를 이용하여 화소 피치에 따라 복수의 도전부(즉, 상호 접속부재)를 형성한다. 이때, 1개의 접속 전극상에 적어도 1개의 도전부가 접촉하도록 형성한다. 또한, 도전성 부재의 두께는 재귀 반사 전극의 표면 패턴의 피치를 √6 으로 곱하고 나서 3으로 나눈 값, 즉 재귀 반사 전극의 표면 패턴의 최대 깊이 이상이 되도록 한다. 또한, 포토리소그래피법을 이용하는 대신에 디스펜서 등의 패턴 도포 장치(applicator)를 이용하여 소정의 위치에 도전부를 형성할 수도 있다.
포토리소그래피법을 이용하여 도전부를 형성한 경우에, 도전부의 표면을 재귀 반사 기능을 갖는 형상으로 패터닝하기 위한 스탬핑 공정(후술)은 도전성 부재의 열 경화성 또는 열 가소성을 이용하여 수행한다. 한편, 다른 방법으로 도전부를 형성한 경우에는, 표면의 패터닝시 열 경화성 및 광 경화성중 어느 한쪽을 이용하거나 양쪽을 조합하여도 된다.
다음으로, 이러한 방식으로 소정의 패턴으로 형성된 복수의 도전부의 간극을 절연성 수지로 매립한다. 이 공정 단계에서, 도전성 수지와 절연성 수지를 반드시 동일한 타입의 수지를 사용할 필요는 없다. 그러나, 예를 들면, 후속 공정 단계의 열 히스테리시스에 의한 스트레스나 화학 약품 등의 공정에 대한 저항성 등을 고려하면, 도전성 수지와 절연 수지를 동일한 타입으로 사용하는 것이 바람직하다.
층간막의 표면에 대하여 스탬핑 공정 단계를 실시함으로써 재귀 반산 표면 형상을 형상한다면, 그 형상을 고정하기 위하여 광 경화성 및/또는 열 경화성을 이용한다. 따라서, 층간막을 구성하는 수지는 경화 수축을 일으킨다. 이 경우, 도전부를 형성하는 수지와 층간 절연층을 형성하는 수지의 특성이 극단적으로 다르면, 도전부와 층간 절연층 간의 경계에서 표면 형상은 변형되어 원하는 재귀 반사 특성을 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 도전부의 경화 수축이 층간 절연층보다 크 면, 도전부의 표면이 층간 절연층의 표면보다 낮아져 이들 위에 형성되는 전극과의 전기적인 접속이 불안정하게 되는 경우가 있다. 이러한 이유 때문에, 도전부는 층간 절연층보다 경화 수축이 작은 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 스탬프된 표면 형상을 수지의 열 가소성 또는 열 경화성을 이용하여 고정시킬 때, 냉각시의 조건에 특히 주의할 필요가 있다. 같은 정도의 열팽창 계수를 갖는 수지 재료의 조합에 있어서도, 급속한 냉각을 수행하면 수축때문에 표면 형상이 변형될 뿐만 아니라 균열이 발생하게 되는 경우가 있다. 이것을 수지가 일반적으로 비교적 큰 열팽창 계수를 갖기 때문이다. 이러한 이유 때문에, 냉각은 되도록이면 시간을 들여 마스터에 의해 프레스된 상태에서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 사용하는 도전성 수지 재료 및 절연성 수지 재료의 열팽창 계수는 같은 정도(예를 들면, 한 쪽이 다른 쪽의 10배 이하)의 것이 바람직하다. 열팽창 계수가 서로 다른 2개의 수지 재료를 이용하는 경우, 도전성 수지 재료쪽이 절연성 수지 재료보다 열팽창 계수가 작은 것이 바람직하다. 이것은 전술한 바와 같이 도전부의 표면이 층간 절연층의 표면보다 낮아 이들 위에 형성되는 전극과의 전기적인 접속이 불안정하게 되는 경우가 있기 때문이다. 도전부는 바람직하게는 예를 들면 아크릴계 수지에서 카본 미립자들을 분산시킴으로써 얻어지는 도전성 수지로 제조하며, 약 2×10-5 cm/cm·℃의 열팽창 계수를 갖는다. 한편, 층간 절연층은 바람직하게는 약 5×10-5 cm/cm·℃의 열팽창 계수를 갖는 아크릴계 절연 수지로 제조한다.
TFT가 형성된 기판상에 재귀 반사층용 기초막을 전사한 후, 그 어셈블리는 세정, 건조, 소성, 도포 등의 다양한 공지된 프로세스를 거치게 된다. 이러한 방식으로, 재귀 반사 전극을 갖는 TFT 액정 표시 장치가 완성된다. 따라서, 재귀 반사층용 기초막은 이들 공정에 대한 충분한 내성을 가질 필요가 있다. 상술하면, 재귀 반사층용 기초막에 요구되는 특성으로는, 진공 공정시 또는 다양한 용제에 대하여 팽윤율(또는 수분 흡수율)이 낮을 것, 가열에 의해 형상이 크게 변화하지 않을 것 등을 들 수 있다. 물론, 프로세스 환경을 제어하여 원하는 수분 흡수율을 얻을 필요가 있다. 상술하면, 기초막의 수분 흡수율은 바람직하게는 약 0.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.2% 질량 이하이다. 기초막의 최대 허용 온도(즉, 기초막이 자신의 형상을 유지하기 위한 온도)는 약 150℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 약 200℃ 이상이다. 재귀 반사층용 기초막이 거치는 진공 공정은, 예를 들면 액정 재료의 진공 주입 공정이어도 된다. 기초막의 형상은 10-3torr 차수의 진공도에서 유지되어야 한다. 또한, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜 등의 알콜류에 대한 내성을 갖는 것이 바람직하다.
이하, 도 9a 내지 9c를 참조하여 재귀 반사층용 기초막을 형성하는 다른 방법을 설명한다.
도 9a에 나타낸 바와 같이, 베이스막(901)상에, 버퍼층(902), 이형층(903)을 순서대로 적층한다. 그후, 그 위에 도전부(910)로 매립된 개구부(911)를 갖는 절연층(909)을 형성한다.
다음에, 도 9b에 도시한 바와 같이 절연층(909)의 개구부(911)에 잉크젯법을 이용하여 도전성 수지 재료를 충전한다. 이러한 방식으로, 절연층(909)과 도전부(910)가 동일층에 존재하는 재귀 반사층용 기초막이 얻어진다. 이후, 도 9c에 도시한 바와 같이, 이형층(905), 버퍼층(906), 보호층(907)을 형성하여 재귀 반사층용 전사가능한 기초막을 포함하는 다층막(908)을 제조한다. 이후, 이러한 방식으로 형성되는 다층 구조(908)는 상기한 것과 동일한 공정 단계들을 거치게 된다.
이 방법은 전사용 막의 형성뿐만 아니라 액티브 매트릭스 기판상에 직접 재귀 반사층용 기초막을 형성하는 경우에도 적용될 수 있다. 또한, 도전부로 매립된 개구부(911)를 갖는 절연층(909)을 액티브 매트릭스 기판에 전사하고 나서 도전성 재료를 개구부에(911)에 매립하여도 된다.
이하, 재귀 반사층용 기초막을 형성하기 위한 다른 방법을 도 10a 내지 10d를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 10a에 도시한 바와 같이 베이스막(1001)상에 버퍼층(1002), 이형층(1003)을 이 순서대로 적층한다. 다음에, 그 위에 도전부(1010)로 매립될 개구부(1011)을 갖는 절연층(1009)을 형성한다.
후속하여, 절연층(1009)의 개구부에 도전 재료를 매립하지 않고, 그 위에 이형층(1005), 버퍼층(1006), 보호층(1007)을 형성하여 전사가능한 절연층(1009)을 포함하는 다층 구조(1008)를 제조한다.
다음에, 도 10b에 나타낸 바와 같이 절연층(1009)을 액티브 매트릭스 기판(1012)상에 전사한다.
이하, 절연층(1009)이 전사된 액티브 매트릭스 기판(1012)을 도전성 수지를 혼입한 전해 중합액에 침지하고, 소스 버스 라인(1014)으로부터 트랜지스터 소자(1015) 및 드레인 전극(1016)을 통해 접속 전극(1017)에 전압을 인가한다. 이후, 도전성 수지는 절연층(1009)의 개구부(1011) 내부에 노출되어 있는 접속 전극(1017)상에 전해 중합 반응에 의해 증착된다. 그 결과, 도 10c에 나타낸 바와 같이 도전부(1010)를 형성한다. 이러한 방식으로, 상호 접속부재와 층간 절연층을 갖는 층간막이 얻어진다. 이 바람직한 실시예에서, 도전부(1010)는 전해 중합 공정에 의해 형성된다. 다른 방법으로, 도전부(1010)는 전계를 이용하여 도전 재료를 증착하는 다른 어떠한 방법(즉, 전기도금 또는 전착 공정)에 의해 형성하여도 된다.
전계를 이용하여 도전 재료를 증착하는 방법에 따르면, 드레인 전극(1016) 혹은 컨택트용 접속 전극(1017)의 표면상에 도전 재료가 증착될 수 있다. 따라서, 도전 재료와 드레인 전극(1016) 혹은 접속 전극(1017)과의 전기적인 도통이 확실하게 얻어지는 이점이 있다. 전계를 이용하는 증착 방법은 액티브 매트릭스 기판상에 컨택트부를 형성하는 경우에 특히 유효하다.
이하, 몰드(1018)를 이용하여 스탬핑 공정을 통해 층간막의 표면 형상을 소정의 형상으로 패터닝함으로써, 재귀 반사층용 기초막이 형성된다.
상기한 바람직한 실시예는 재귀 반사 화소 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다. 그러나, 형성될 표면 형상을 변형함으로써, 예를 들어 산란 반사 화소 전극을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법에 의해 반사 전극에 한정되지 않고 투명 전극을 형성하여도 된다. 또한, 층간막상에 형성되는 전극은 화소 전극에 한정되지 않으며, 액정층 등의 표시 매체층에 전압을 인가하는 전극이며, 층간막의 하부에 형성되는 회로 소자와 전기적으로 접속되는 전극이면 된다.
본 발명을 바람직한 실시예로서 설명하였지만, 본 발명을 다양하게 변형하여 상기한 특정 실시예 이외의 다른 많은 실시예를 가정할 수 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상과 범위내에서의 모든 변형은 청구범위에 의해서만 제한된다.
상기한 본 발명의 다양한 바람직한 실시예는, 층간 절연층내에 형성된 상호 접속부재에 의해 서로 전기적으로 접속된 전극 및 회소 소자를 갖는 표시 장치의 표시 품위를 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명에 의해 재귀 반사형 표시 장치나 산란 반사형 표시 장치의 표시 품위를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예는 상기한 표시 장치를 효율적으로 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
Claims (30)
- 기판;상기 기판상에 설치된 회로 소자;상기 회로 소자상에 설치되며, 층간 절연층 및 상기 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 갖는 층간막; 및상기 층간막상에 설치된 전극을 포함하고,상기 전극과 상기 회로 소자는 상기 상호 접속부재를 통해 상호 전기적으로 접속되며, 상기 층간막상의 상기 전극은 실질적으로 균일한 요철 표면 형상을 구비하며,상기 상호 접속부재의 표면 및 상기 층간 절연층의 표면은 연속적인 요철 형상을 가지고, 이에 의해 상기 전극의 요철 표면 형상을 정의하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 전극은 광을 반사하는 기능을 가지며,상기 층간막상의 상기 전극의 반사 특성은 실질적으로 균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전극은 재귀 반사 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전극은 산란 반사 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 상호 접속부재는, 상기 층간 절연층보다 열팽창 계수가 작은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 상호 접속부재 및 상기 층간 절연층은 모두 수지를 포함하는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제6항에 있어서,상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제7항에 있어서,상기 수지를 경화할 때, 상기 상호 접속부재의 재료에 포함된 수지는, 상기 층간 절연층의 재료에 포함된 수지보다 적게 수축되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 전극은 화소 전극이며,상기 표시 장치는,상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극; 및상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 설치된 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 기판, 상기 기판상에 설치된 회로 소자, 상기 회로 소자상에 설치되며 층간 절연층 및 상기 층간 절연층을 관통하는 상호 접속부재를 갖는 층간막, 및 상기 층간막상에 설치된 전극을 구비하며, 상기 전극과 상기 회로 소자가 상기 상호 접속부재에 의해 서로 전기적으로 접속되는 표시 장치의 제조 방법으로서,(a) 상기 층간 절연층과 상기 층간 절연층을 관통하는 상기 상호 접속부재를 갖는 상기 층간막을 형성하는 단계;(b) 상기 단계 (a)를 수행한 후, 상기 전극이 설치되는 층간막의 일부를 소정의 형상으로 변경하는 단계; 및(c) 상기 층간막상에 상기 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 단계 (b)는 전극이 제공되는 영역 상의 상기 층간막의 일부의 표면 형상을 실질적으로 균일한 요철의 소정 형상으로 변경하는 단계를 포함하며,상기 단계 (b)에 있어서, 상기 상호 접속부재의 표면 및 상기 층간 절연층의 표면은 연속적인 요철 형상을 구비하고,상기 단계 (c)에 있어서, 상기 전극의 표면 형상은 요철인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제10항에 있어서,상기 단계 (b)는, 상기 층간막의 일부의 표면 형상을, 상기 전극에 재귀 반사 특성을 부여하는 형상으로 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (b)는, 상기 층간막의 일부의 표면 형상을, 상기 전극에 산란 반사 특성을 부여하는 형상으로 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (a) 및 (b)는, 상기 회로 소자가 설치된 상기 기판상 이외의 위치에서 실행되며,상기 단계 (a) 및 (b)를 수행한 후, 상기 층간막을 상기 회로 소자가 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (a) 내지 (c)는, 상기 회로 소자가 설치된 상기 기판상에서 실행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (a)는,개구를 갖는 상기 층간 절연층을 형성하는 단계; 및상기 개구에 도전성 재료를 충전하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 회로 소자는 도전층을 포함하며,상기 개구에 상기 도전성 재료를 충전하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 상기 도전층으로부터 발생한 전계를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 개구에 상기 도전성 재료를 충전하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 잉크젯 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (a)는,도전성 재료의 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계; 및상기 상호 접속부재 이외의 영역에 상기 층간 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 상호 접속부재를 형성하는 단계는, 디스펜서를 이용하여 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 단계 (a)는, 수지를 포함하는 상기 층간 절연층 및 수지를 포함하는 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제22항에 있어서,상기 단계 (b)는 상기 층간막을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제23항에 있어서,상기 단계 (a)는, 상기 층간 절연층보다 열팽창 계수가 작은 재료로 상기 상호 접속부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제22항에 있어서,상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제25항에 있어서,상기 수지를 경화할 때, 상기 상호 접속부재의 재료에 포함된 수지는 상기 층간 절연층의 재료에 포함된 수지보다 적게 수축되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 층간 절연층 및 상기 상호 접속부재의 표면 형상은 함께 변하여 상기 층간막 내에서 요철 상면(upper surface)을 형성함으로써, 상기 층간막의 요철 상면의 적어도 일부에서 상기 층간 절연층 및 상기 상호 접속부재의 상면이 모두 실질상 공통각으로 수평에 대해 각을 이루어, 상기 층간막의 연속적인 각이 진 표면부를 정의하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 삭제
- 제10항에 있어서,상기 단계 (b)에 있어서, 상기 층간 절연층 및 상기 상호 접속부재의 표면 형상은 함께 변하여 상기 층간막 내에서 요철 상면을 형성함으로써, 상기 층간막의 요철 상면의 적어도 일부에서 상기 층간 절연층 및 상기 상호 접속부재의 상면이 모두 실질상 공통각으로 수평에 대해 각을 이루어, 상기 층간막의 연속적인 각이 진 표면부를 정의하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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