JP2000250027A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000250027A JP2000250027A JP11054136A JP5413699A JP2000250027A JP 2000250027 A JP2000250027 A JP 2000250027A JP 11054136 A JP11054136 A JP 11054136A JP 5413699 A JP5413699 A JP 5413699A JP 2000250027 A JP2000250027 A JP 2000250027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- insulating film
- display device
- crystal display
- scattering layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストの低い構成を備えた反射型液晶表
示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本反射型液晶表示装置は、相互に対向す
る一対の基板１、１１を有し、該一対の基板相互間に液
晶が封入され、一対の基板の一方に、光を散乱させるた
めの散乱層８、９が設けられた反射型液晶表示装置であ
る。散乱層が、インクジェット方式によって形成された
凹凸面を有する散乱層である。
示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本反射型液晶表示装置は、相互に対向す
る一対の基板１、１１を有し、該一対の基板相互間に液
晶が封入され、一対の基板の一方に、光を散乱させるた
めの散乱層８、９が設けられた反射型液晶表示装置であ
る。散乱層が、インクジェット方式によって形成された
凹凸面を有する散乱層である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関し、更に詳細には、散乱層を
経済的に形成できる構成を備えた反射型液晶表示装置及
びその製造方法に関するものである。
置およびその製造方法に関し、更に詳細には、散乱層を
経済的に形成できる構成を備えた反射型液晶表示装置及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、反射型液晶表示装置が、携帯端末
機器用の表示装置として盛んに利用されている。反射型
液晶表示装置は、外部から液晶表示装置の内部に入射す
る光を反射板によって反射させて表示を行っている。こ
のような反射型液晶表示装置の一例として、反射板の表
面に滑らかな凹凸形状を設け、この凹凸形状によって外
部から入射した光を効率的に散乱させ、これを表示光と
して利用するタイプの反射型液晶表示装置がある。
機器用の表示装置として盛んに利用されている。反射型
液晶表示装置は、外部から液晶表示装置の内部に入射す
る光を反射板によって反射させて表示を行っている。こ
のような反射型液晶表示装置の一例として、反射板の表
面に滑らかな凹凸形状を設け、この凹凸形状によって外
部から入射した光を効率的に散乱させ、これを表示光と
して利用するタイプの反射型液晶表示装置がある。
【０００３】図１６を参照して、従来の反射型液晶表示
装置の構造を説明する。図１６は従来の反射型液晶表示
装置の構造を示す断面図である。ガラス等の基板１上に
金属層、絶縁層、半導体層等を成膜し、これらの膜に対
して、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程
を施して、所望のパターンを形成することにより、ゲー
ト電極２、ゲート絶縁層３、半導体層４、ソース電極
５、ドレイン電極６からなるスイッチング素子７が製造
される。さらに、先端の丸い凸部８１、絶縁層８２、反
射板９等がスイッチング素子７上に形成されている。
装置の構造を説明する。図１６は従来の反射型液晶表示
装置の構造を示す断面図である。ガラス等の基板１上に
金属層、絶縁層、半導体層等を成膜し、これらの膜に対
して、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程
を施して、所望のパターンを形成することにより、ゲー
ト電極２、ゲート絶縁層３、半導体層４、ソース電極
５、ドレイン電極６からなるスイッチング素子７が製造
される。さらに、先端の丸い凸部８１、絶縁層８２、反
射板９等がスイッチング素子７上に形成されている。
【０００４】この基板１と対向する基板１１上には、液
晶に電圧を印加するために、ＩＴＯ等の透明導電性膜１
２が形成されており、基板１と基板１１の間に、液晶１
５が封入されている。
晶に電圧を印加するために、ＩＴＯ等の透明導電性膜１
２が形成されており、基板１と基板１１の間に、液晶１
５が封入されている。
【０００５】図１７を参照して、上述した従来の反射型
液晶表示装置の製造工程を説明する。図１７（ａ）から
（ｅ）は、従来の方法に従って反射型液晶表示装置を製
造する際の工程毎の基板断面図である。先ず、図１７
（ａ）に示すように、スイッチング素子７が形成されて
いる基板１上に感光性樹脂層８０を成膜する。次いで、
露光・現像処理を行い、図１７（ｂ）に示すように、微
細な凸部８３を形成する。次に、基板を所望の温度で焼
成することにより、図１７（ｃ）に示すように、先端部
分を丸めた凸部８１を形成する。
液晶表示装置の製造工程を説明する。図１７（ａ）から
（ｅ）は、従来の方法に従って反射型液晶表示装置を製
造する際の工程毎の基板断面図である。先ず、図１７
（ａ）に示すように、スイッチング素子７が形成されて
いる基板１上に感光性樹脂層８０を成膜する。次いで、
露光・現像処理を行い、図１７（ｂ）に示すように、微
細な凸部８３を形成する。次に、基板を所望の温度で焼
成することにより、図１７（ｃ）に示すように、先端部
分を丸めた凸部８１を形成する。
【０００６】さらに、上部にスピン塗布等の方法により
樹脂層を形成すると、図１７（ｄ）に示すように、滑ら
かな凹凸形状を有する絶縁膜８２が得られる。この後、
図１７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーによ
るコンタクトホール１０の形成する。アルミニウム等の
金属反射膜の成膜、画素電極のパターニングを行うこと
によって、図１７（ｅ）に示すように、反射板９を形成
し、反射型液晶表示装置を製造する。
樹脂層を形成すると、図１７（ｄ）に示すように、滑ら
かな凹凸形状を有する絶縁膜８２が得られる。この後、
図１７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーによ
るコンタクトホール１０の形成する。アルミニウム等の
金属反射膜の成膜、画素電極のパターニングを行うこと
によって、図１７（ｅ）に示すように、反射板９を形成
し、反射型液晶表示装置を製造する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１７
に示すような方法で反射型液晶表示装置を製造する場
合、薄膜トランジスタの製造過程で反射板を形成する工
程が増える。特に、反射板を形成する場合、凸パターン
形成工程、コンタクトホール形成工程、さらに画素電極
パターニング工程、及びフォトリソグラフィー工程を必
要とする。即ち、このような反射型液晶表示装置では、
反射板形成の工程数が増加するため、それだけ、製造コ
ストが高くなる。
に示すような方法で反射型液晶表示装置を製造する場
合、薄膜トランジスタの製造過程で反射板を形成する工
程が増える。特に、反射板を形成する場合、凸パターン
形成工程、コンタクトホール形成工程、さらに画素電極
パターニング工程、及びフォトリソグラフィー工程を必
要とする。即ち、このような反射型液晶表示装置では、
反射板形成の工程数が増加するため、それだけ、製造コ
ストが高くなる。
【０００８】そこで、本発明の目的は、製造コストの低
い構成を備えた反射型液晶表示装置及びその製造方法を
提供することである。
い構成を備えた反射型液晶表示装置及びその製造方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る反射型液晶表示装置は、相互に対向す
る一対の基板を有し、該一対の基板相互間に液晶が封入
され、前記一対の基板の一方に、光を散乱させるための
散乱層が設けられた反射型液晶表示装置において、前記
散乱層が、インクジェット方式によって形成された凹凸
面を有する散乱層であることを特徴としている。
に、本発明に係る反射型液晶表示装置は、相互に対向す
る一対の基板を有し、該一対の基板相互間に液晶が封入
され、前記一対の基板の一方に、光を散乱させるための
散乱層が設けられた反射型液晶表示装置において、前記
散乱層が、インクジェット方式によって形成された凹凸
面を有する散乱層であることを特徴としている。
【００１０】インクジェット方式を用いて散乱層を形成
することによって、反射板の製造において必要とされた
フォトリソグラフィー工程を省くことができる。好適に
は、前記散乱層が、表面に凹凸を有する有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜と、絶縁膜を覆う反射効率の高い金属材
料膜との積層構造により構成され、前記有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜がインクジェット方式によって形成され
ている。
することによって、反射板の製造において必要とされた
フォトリソグラフィー工程を省くことができる。好適に
は、前記散乱層が、表面に凹凸を有する有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜と、絶縁膜を覆う反射効率の高い金属材
料膜との積層構造により構成され、前記有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜がインクジェット方式によって形成され
ている。
【００１１】本発明の第１の実施態様では、インクジェ
ットノズルから、絶縁性物質を基板表面に噴出すことに
よって、絶縁膜を形成する。このとき、インクジェット
ノズルあるいは基板を動揺させることで、基板上の所望
の位置に絶縁膜を形成することができ、絶縁性物質の噴
出し量を調整することにより膜厚を変化させ、表面に凹
凸形状を有する膜を形成することができる。また、所望
の位置への膜形成を行わなければ、その部分をコンタク
トホールとして利用できる。これにより、絶縁層形成時
にコンタクトホール同時に形成することができ、従来の
ようにコンタクトホールを形成するためのフォトリソグ
ラフィー工程を省くことができるため、製造工程数を削
減することができる。
ットノズルから、絶縁性物質を基板表面に噴出すことに
よって、絶縁膜を形成する。このとき、インクジェット
ノズルあるいは基板を動揺させることで、基板上の所望
の位置に絶縁膜を形成することができ、絶縁性物質の噴
出し量を調整することにより膜厚を変化させ、表面に凹
凸形状を有する膜を形成することができる。また、所望
の位置への膜形成を行わなければ、その部分をコンタク
トホールとして利用できる。これにより、絶縁層形成時
にコンタクトホール同時に形成することができ、従来の
ようにコンタクトホールを形成するためのフォトリソグ
ラフィー工程を省くことができるため、製造工程数を削
減することができる。
【００１２】本発明の更に好適な第２の実施態様では、
前記有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜が、有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜よりなる凸部と、凸部を覆うように形成
された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜とにより構成さ
れ、凸部と、凸部を覆う絶縁膜とが、インクジェット方
式によって形成されている。これにより、従来のような
凸パターン形成のためのフォトリソグラフィー工程を省
くことができる。
前記有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜が、有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜よりなる凸部と、凸部を覆うように形成
された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜とにより構成さ
れ、凸部と、凸部を覆う絶縁膜とが、インクジェット方
式によって形成されている。これにより、従来のような
凸パターン形成のためのフォトリソグラフィー工程を省
くことができる。
【００１３】本発明の第３の実施態様では、前記有機系
絶縁膜又は無機系絶縁膜が、感光性膜である。本態様で
は、インクジェット方式を用いて形成したパターンに、
フォトリソグラフィー工程を追加することによって、所
望のパターンを形成できる。従って、製造工程数の削減
が可能となる。
絶縁膜又は無機系絶縁膜が、感光性膜である。本態様で
は、インクジェット方式を用いて形成したパターンに、
フォトリソグラフィー工程を追加することによって、所
望のパターンを形成できる。従って、製造工程数の削減
が可能となる。
【００１４】本発明では、散乱層の下部に高反射金属層
を設けた構造でもよく、この場合、上述の第１から第３
の実施態様では、散乱層が平坦でも、凹凸形状を有して
もよい。
を設けた構造でもよく、この場合、上述の第１から第３
の実施態様では、散乱層が平坦でも、凹凸形状を有して
もよい。
【００１５】本発明に係る別の反射型液晶表示装置は、
相互に対向する一対の基板を有し、該一対の基板相互間
に液晶が封入され、前記一対の基板の一方に、光を散乱
させるための散乱層が設けられた反射型液晶表示装置に
おいて、散乱層が、１種類の粒子又は複数種類の相互に
異なる屈折率を有する粒子を含む有機系絶縁膜又は無機
系絶縁膜であって、インクジェット方式によって形成さ
れていることを特徴としている。本態様では、入射光の
散乱を本散乱層で行うため、従来のように、凹凸を有す
る反射板を形成するためのフォトリソグラフィー工程を
省くことができる。
相互に対向する一対の基板を有し、該一対の基板相互間
に液晶が封入され、前記一対の基板の一方に、光を散乱
させるための散乱層が設けられた反射型液晶表示装置に
おいて、散乱層が、１種類の粒子又は複数種類の相互に
異なる屈折率を有する粒子を含む有機系絶縁膜又は無機
系絶縁膜であって、インクジェット方式によって形成さ
れていることを特徴としている。本態様では、入射光の
散乱を本散乱層で行うため、従来のように、凹凸を有す
る反射板を形成するためのフォトリソグラフィー工程を
省くことができる。
【００１６】更には、本発明の第５の実施態様では、前
記散乱層が、導電性粒子を有機系樹脂に混合してなる導
電性有機系樹脂膜であって、インクジェット方式によっ
て形成されていてもよい。これによって、散乱層上部に
液晶に電圧を印加するための電極製造工程数を削減する
ことができる。
記散乱層が、導電性粒子を有機系樹脂に混合してなる導
電性有機系樹脂膜であって、インクジェット方式によっ
て形成されていてもよい。これによって、散乱層上部に
液晶に電圧を印加するための電極製造工程数を削減する
ことができる。
【００１７】また、本発明の第６の実施態様では、前記
散乱層が、顔料粒子を有機系樹脂に混合してなる着色有
機系樹脂膜であって、インクジェット方式によって形成
されていても良い。本態様では、散乱層に着色機能が付
加されるため、従来、対向側基板に設けていたカラーフ
ィルタの製造を行う必要がなくなるためカラー反射型液
晶表示装置の製造工程数を大幅に削減することができ
る。
散乱層が、顔料粒子を有機系樹脂に混合してなる着色有
機系樹脂膜であって、インクジェット方式によって形成
されていても良い。本態様では、散乱層に着色機能が付
加されるため、従来、対向側基板に設けていたカラーフ
ィルタの製造を行う必要がなくなるためカラー反射型液
晶表示装置の製造工程数を大幅に削減することができ
る。
【００１８】本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方
法は、相互に対向する一対の基板を有し、該一対の基板
相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の一方に、光
を散乱させるための散乱層が設けられた反射型液晶表示
装置の製造方法において、前記散乱層を形成する際、イ
ンクジェット方式によって所望の位置に前記散乱層を形
成する。
法は、相互に対向する一対の基板を有し、該一対の基板
相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の一方に、光
を散乱させるための散乱層が設けられた反射型液晶表示
装置の製造方法において、前記散乱層を形成する際、イ
ンクジェット方式によって所望の位置に前記散乱層を形
成する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。反射型液晶表示装置の実施形態例１ 本実施形態例は、本発明の第１の実施形態の反射型液晶
表示装置の実施形態例であって、図１は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の断面図である。基板１上には、図
１に示すように、スイッチング素子７、および絶縁膜
８、反射板９、コンタクトホール１０等が設けてある。
スイッチング素子７は、基板１上に金属層、絶縁層、半
導体層等を成膜し、これらの膜に対して、フォトリソグ
ラフィー工程およびエッチング工程を施すことにより形
成した、ゲート電極２、ゲート絶縁層３、半導体層４、
ソース電極５、ドレイン電極６で構成される
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。反射型液晶表示装置の実施形態例１ 本実施形態例は、本発明の第１の実施形態の反射型液晶
表示装置の実施形態例であって、図１は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の断面図である。基板１上には、図
１に示すように、スイッチング素子７、および絶縁膜
８、反射板９、コンタクトホール１０等が設けてある。
スイッチング素子７は、基板１上に金属層、絶縁層、半
導体層等を成膜し、これらの膜に対して、フォトリソグ
ラフィー工程およびエッチング工程を施すことにより形
成した、ゲート電極２、ゲート絶縁層３、半導体層４、
ソース電極５、ドレイン電極６で構成される
【００２０】また、この基板と対向する基板１１上に
は、液晶に電圧を印加するためのＩＴＯ等の透明な導電
性膜１２が形成され、基板１と基板１１の間に、液晶１
５が封入されている。反射板９の表面は、反射板の下部
に形成された微細な凹凸形状を有する絶縁膜８の形状を
反映している。
は、液晶に電圧を印加するためのＩＴＯ等の透明な導電
性膜１２が形成され、基板１と基板１１の間に、液晶１
５が封入されている。反射板９の表面は、反射板の下部
に形成された微細な凹凸形状を有する絶縁膜８の形状を
反映している。
【００２１】製造方法の実施形態例１ 本実施形態例は、第１の実施形態の反射型液晶表示装置
の製造方法の実施形態の一例であって、図２は第１の実
施形態の反射型液晶表示装置を製造する方法を説明する
ための図である。ここで、図２を参照して、実施形態例
の液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、図２に示
すように、基板１上に設置されたインクジェットノズル
２０より、例えばポリイミドのような電気絶縁性の物質
１９を噴出し、絶縁膜８を形成する。絶縁膜８の表面
は、微細な凹凸を有している。この凹凸形状は、入射光
の散乱特性に影響を及ぼし、反射型液晶表示装置の表示
特性を決定するものである。
の製造方法の実施形態の一例であって、図２は第１の実
施形態の反射型液晶表示装置を製造する方法を説明する
ための図である。ここで、図２を参照して、実施形態例
の液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、図２に示
すように、基板１上に設置されたインクジェットノズル
２０より、例えばポリイミドのような電気絶縁性の物質
１９を噴出し、絶縁膜８を形成する。絶縁膜８の表面
は、微細な凹凸を有している。この凹凸形状は、入射光
の散乱特性に影響を及ぼし、反射型液晶表示装置の表示
特性を決定するものである。
【００２２】このような凹凸形状を形成するために、本
実施形態例では、インクジェットノズル２０からの噴出
されるポリイミドの供給量を調整しすることによって、
基板１の所定の位置に噴出される絶縁性物質の量を制御
する。これにより、凹凸形状の凸部分の高さを自由に調
整することができる。また、基板１とインクジェットノ
ズル２０を相対的に移動させることによって、凸部分の
ピッチを変えることもできる。
実施形態例では、インクジェットノズル２０からの噴出
されるポリイミドの供給量を調整しすることによって、
基板１の所定の位置に噴出される絶縁性物質の量を制御
する。これにより、凹凸形状の凸部分の高さを自由に調
整することができる。また、基板１とインクジェットノ
ズル２０を相対的に移動させることによって、凸部分の
ピッチを変えることもできる。
【００２３】なお、絶縁膜を形成するための材料は、ポ
リイミド以外でも、インクジェットノズルを用いて、所
望の位置に噴出すことのできる物質で、粘度が、０．５
ｃｐ〜３０００ｃｐの液体、あるいは固体を含んだ混合
液であればよい。このような材料として、フェノール樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等がある。また、
これらの液を供給するインクジェットノズルには、１ミ
クロン〜５０ミクロンの口径を有し、複数のノズルが配
列した構造のものを用いてもよい。ノズルの口径や配列
数は、パターン形成にかかる時間に影響するが、微細な
パターンを形成する場合は口径の小さいノズルを用いる
ことが望ましい。
リイミド以外でも、インクジェットノズルを用いて、所
望の位置に噴出すことのできる物質で、粘度が、０．５
ｃｐ〜３０００ｃｐの液体、あるいは固体を含んだ混合
液であればよい。このような材料として、フェノール樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等がある。また、
これらの液を供給するインクジェットノズルには、１ミ
クロン〜５０ミクロンの口径を有し、複数のノズルが配
列した構造のものを用いてもよい。ノズルの口径や配列
数は、パターン形成にかかる時間に影響するが、微細な
パターンを形成する場合は口径の小さいノズルを用いる
ことが望ましい。
【００２４】製造方法の実施形態例２ 本実施形態例は、本発明の第２の実施形態の反射型液晶
表示装置の製造方法の実施形態の一例であって、図３
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例の方法で
反射型液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板断面図
である。本実施形態例では、実施形態例１と同様にスイ
ッチング素子７等が形成された基板１の表面に、図３
（ａ）に示すように、インクジェットノズル２０を用い
て、ポリイミド等の樹脂により凸部２１を形成する。凸
部２１は高さ０．３ミクロン〜４ミクロン、そのピッチ
は２ミクロン〜２０ミクロン程度の範囲が望ましい。さ
らに、場合によって熱加える、あるいは光を照射するな
どして、先端部分を丸めることもできる。
表示装置の製造方法の実施形態の一例であって、図３
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例の方法で
反射型液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板断面図
である。本実施形態例では、実施形態例１と同様にスイ
ッチング素子７等が形成された基板１の表面に、図３
（ａ）に示すように、インクジェットノズル２０を用い
て、ポリイミド等の樹脂により凸部２１を形成する。凸
部２１は高さ０．３ミクロン〜４ミクロン、そのピッチ
は２ミクロン〜２０ミクロン程度の範囲が望ましい。さ
らに、場合によって熱加える、あるいは光を照射するな
どして、先端部分を丸めることもできる。
【００２５】次に、図３（ｂ）に示すように、基板１の
表面に、前記凸部２１を覆うように絶縁膜２３を形成す
る。このような絶縁膜２３は、下部凸部２１を反映し表
面に微細な凹凸形状を有している。なお、絶縁膜２３を
インクジェットノズル２０を用いて、コンタクトホール
１０以外の領域に均一に形成することによって、従来の
スピン塗布法によって成膜した膜にコンタクトホールを
形成する場合に必要とされたフォトリソグラフィー工程
を省くことができる。
表面に、前記凸部２１を覆うように絶縁膜２３を形成す
る。このような絶縁膜２３は、下部凸部２１を反映し表
面に微細な凹凸形状を有している。なお、絶縁膜２３を
インクジェットノズル２０を用いて、コンタクトホール
１０以外の領域に均一に形成することによって、従来の
スピン塗布法によって成膜した膜にコンタクトホールを
形成する場合に必要とされたフォトリソグラフィー工程
を省くことができる。
【００２６】製造方法の実施形態例３ 本実施形態例は、本発明の第３の実施形態の反射型液晶
表示装置の製造方法の実施形態例であって、図４（ａ）
から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の方法で反射型
液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板断面図であ
る。図４（ａ）に示すように、基板１上には、インクジ
ェットノズル２０を用いて、感光性樹脂層によるパター
ン２４を形成する。本パターン２４の下地膜にエッチン
グ処理を施した後、図４（ｂ）に示すように、開口パタ
ーンを有するマスク２６を用いて、フォトリソグラフィ
ー処理を行う。
表示装置の製造方法の実施形態例であって、図４（ａ）
から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の方法で反射型
液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板断面図であ
る。図４（ａ）に示すように、基板１上には、インクジ
ェットノズル２０を用いて、感光性樹脂層によるパター
ン２４を形成する。本パターン２４の下地膜にエッチン
グ処理を施した後、図４（ｂ）に示すように、開口パタ
ーンを有するマスク２６を用いて、フォトリソグラフィ
ー処理を行う。
【００２７】これにより、パターン２４を形成した感光
性樹脂から、図４（ｃ）に示すように、新たなパターン
２５を形成することができる。つまり、一層の感光性樹
脂層を、異なるパターン形成工程に利用することができ
るため、製造工程数を短縮化することができる。
性樹脂から、図４（ｃ）に示すように、新たなパターン
２５を形成することができる。つまり、一層の感光性樹
脂層を、異なるパターン形成工程に利用することができ
るため、製造工程数を短縮化することができる。
【００２８】図５は、製造方法の実施形態例１から実施
形態例３で、絶縁膜の上部を覆う反射効率の高い金属層
の製造工程を示す断面図である。スイッチング素子７、
微細な凹凸形状を有する絶縁膜８を形成し、更に縁膜８
の上部に反射板９を形成する。反射板９は、例えば銀等
の微粒子、望ましくは粒径が０．００１ミクロン〜１ミ
クロンの粒子を、溶媒に混入させた混合液２７をインク
ジェットノズル２０によって、基板の所望の位置に噴出
すことによって形成することができる。
形態例３で、絶縁膜の上部を覆う反射効率の高い金属層
の製造工程を示す断面図である。スイッチング素子７、
微細な凹凸形状を有する絶縁膜８を形成し、更に縁膜８
の上部に反射板９を形成する。反射板９は、例えば銀等
の微粒子、望ましくは粒径が０．００１ミクロン〜１ミ
クロンの粒子を、溶媒に混入させた混合液２７をインク
ジェットノズル２０によって、基板の所望の位置に噴出
すことによって形成することができる。
【００２９】反射型液晶表示装置の実施形態例２ 本実施形態例は、本発明の第４の実施形態の反射型液晶
表示装置の実施形態例であって、図６は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例の反射型液晶表示装置は、図６に示すよう
に、相互に対向する一対の基板１と基板１１とを有し、
基板１上にはスイッチング素子７、絶縁膜３１、反射板
９等が形成されている。基板１１上には、屈折率の異な
る粒子が溶媒に混合された溶液を塗布して成膜した有機
系絶縁膜あるいは無機系絶縁膜からなる散乱層３３、お
よびその上部に形成された透明電極１２を有している。
表示装置の実施形態例であって、図６は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例の反射型液晶表示装置は、図６に示すよう
に、相互に対向する一対の基板１と基板１１とを有し、
基板１上にはスイッチング素子７、絶縁膜３１、反射板
９等が形成されている。基板１１上には、屈折率の異な
る粒子が溶媒に混合された溶液を塗布して成膜した有機
系絶縁膜あるいは無機系絶縁膜からなる散乱層３３、お
よびその上部に形成された透明電極１２を有している。
【００３０】本散乱層３３は、図７に示すように、粒径
が０．０１ミクロンから０．５ミクロン程度のガラス粒
子等の透明粒子４２を含んだ有機系絶縁膜あるいは無機
系絶縁膜をインクジェットノズル２０を用いて基板上に
均一に噴き付けることによって形成することができる。
なお、散乱層の膜厚は、所望の散乱性能を得るために、
０．５ミクロンから５ミクロンの範囲で形成することが
望ましい。
が０．０１ミクロンから０．５ミクロン程度のガラス粒
子等の透明粒子４２を含んだ有機系絶縁膜あるいは無機
系絶縁膜をインクジェットノズル２０を用いて基板上に
均一に噴き付けることによって形成することができる。
なお、散乱層の膜厚は、所望の散乱性能を得るために、
０．５ミクロンから５ミクロンの範囲で形成することが
望ましい。
【００３１】反射型液晶表示装置の実施形態例３ 本実施形態例は、本発明の第５の実施形態の反射型液晶
表示装置の実施形態例であって、図８は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例では、図６に示す実施形態例３の散乱層３３
に、導電性を有する粒子４３が混合されており、散乱層
自身が導電性を有している。そのため、実施形態例２で
必要とされていた、液晶に電圧を印加するための透明電
極１２を形成する必要がないため、製造工程数を省くこ
とができる。
表示装置の実施形態例であって、図８は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例では、図６に示す実施形態例３の散乱層３３
に、導電性を有する粒子４３が混合されており、散乱層
自身が導電性を有している。そのため、実施形態例２で
必要とされていた、液晶に電圧を印加するための透明電
極１２を形成する必要がないため、製造工程数を省くこ
とができる。
【００３２】反射型液晶表示装置の実施形態例４ 本実施形態例は、本発明の第６の実施形態の反射型液晶
表示装置の実施形態例であって、図９は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例では、実施形態例２又は実施形態例３の反射
型液晶表示装置の散乱層３３に顔料等の色素４６を混合
させることによって、散乱層３３を着色し、カラー表示
を行うための着色機能を有する散乱層を形成している。
また、有機系絶縁膜を用いる場合、可視光の範囲で特定
の波長を吸収する官能基を有する材料を用いることによ
って、色素を用いずに着色層を形成することも可能であ
る。
表示装置の実施形態例であって、図９は本実施形態例の
反射型液晶表示装置の構成を示す基板断面図である。本
実施形態例では、実施形態例２又は実施形態例３の反射
型液晶表示装置の散乱層３３に顔料等の色素４６を混合
させることによって、散乱層３３を着色し、カラー表示
を行うための着色機能を有する散乱層を形成している。
また、有機系絶縁膜を用いる場合、可視光の範囲で特定
の波長を吸収する官能基を有する材料を用いることによ
って、色素を用いずに着色層を形成することも可能であ
る。
【００３３】
【実施例】以下に、実施例を挙げ、添付図面を参照し
て、本発明を具体的かつ詳細に説明する。実施例１ 図１０を参照して、反射型液晶表示装置の実施例１の製
造方法を詳細に説明する。図１０（ａ）〜（ｆ）は、そ
れぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装置を製
造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図１０
（ａ）に示すように、ガラス等の基板１に、クロム（Ｃ
ｒ）をスパッタリングにより成膜し、この金属層にレジ
ストを塗布し、露光・現像工程を施し、ゲート電極２を
形成した。次いで、図１０（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
法等によって、窒化シリコン層１３、およびアモルファ
スシリコン層１４の積層膜を成膜した。続いて、図１０
（ｃ）に示すように、この積層膜にフォトリソグラフィ
ー（ＰＲ）工程、およびエッチング工程を施すことによ
り、ゲート絶縁層３、半導体層４を形成した。
て、本発明を具体的かつ詳細に説明する。実施例１ 図１０を参照して、反射型液晶表示装置の実施例１の製
造方法を詳細に説明する。図１０（ａ）〜（ｆ）は、そ
れぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装置を製
造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図１０
（ａ）に示すように、ガラス等の基板１に、クロム（Ｃ
ｒ）をスパッタリングにより成膜し、この金属層にレジ
ストを塗布し、露光・現像工程を施し、ゲート電極２を
形成した。次いで、図１０（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
法等によって、窒化シリコン層１３、およびアモルファ
スシリコン層１４の積層膜を成膜した。続いて、図１０
（ｃ）に示すように、この積層膜にフォトリソグラフィ
ー（ＰＲ）工程、およびエッチング工程を施すことによ
り、ゲート絶縁層３、半導体層４を形成した。
【００３４】次いで、図１０（ｄ）に示すように、Ｃｒ
をスパッタにより成膜し、この膜にＰＲ工程、エッチン
グ工程を施すことにより、ソース電極５、ドレイン電極
６をパターニングし、薄膜トランジスタを形成した。こ
の基板１に対し、複数のノズルを配置したインクジェッ
トヘッド６２を用いて、図１０（ｅ）に示すように、熱
硬化性のアクリル樹脂を表面に噴出し、凹凸パターン５
０を有する絶縁膜８を形成した。なお、絶縁層８の形成
工程では、ドレイン電極６の上にアクリル樹脂層をを形
成せず、反射板９とドレイン電極６を導通させるコンタ
クトホール１０とした。
をスパッタにより成膜し、この膜にＰＲ工程、エッチン
グ工程を施すことにより、ソース電極５、ドレイン電極
６をパターニングし、薄膜トランジスタを形成した。こ
の基板１に対し、複数のノズルを配置したインクジェッ
トヘッド６２を用いて、図１０（ｅ）に示すように、熱
硬化性のアクリル樹脂を表面に噴出し、凹凸パターン５
０を有する絶縁膜８を形成した。なお、絶縁層８の形成
工程では、ドレイン電極６の上にアクリル樹脂層をを形
成せず、反射板９とドレイン電極６を導通させるコンタ
クトホール１０とした。
【００３５】次いで、基板１を２００℃で３０分間、オ
ーブンを用いて焼成することで、図１０（ｆ）に示すよ
うに、絶縁層８の表面の凹凸パターン５０の先端部分が
丸くし、表面が滑らかな凹凸形状５３を形成した。さら
に、この上部にＡｌをスパッタすることによって得た金
属層をパターニングすることで反射板９を形成した。こ
のようにして形成した基板１とＩＴＯ電極を有する基板
１１を重ねあわせ、例えばＴＮ型液晶を封入することで
反射型液晶表示装置を形成した。
ーブンを用いて焼成することで、図１０（ｆ）に示すよ
うに、絶縁層８の表面の凹凸パターン５０の先端部分が
丸くし、表面が滑らかな凹凸形状５３を形成した。さら
に、この上部にＡｌをスパッタすることによって得た金
属層をパターニングすることで反射板９を形成した。こ
のようにして形成した基板１とＩＴＯ電極を有する基板
１１を重ねあわせ、例えばＴＮ型液晶を封入することで
反射型液晶表示装置を形成した。
【００３６】なお、本実施例においては、ゲート電極
２、ソース電極５、ドレイン電極６を形成するために、
Ｃｒを、反射板を形成するために、Ａｌを用いたが、こ
れらの電極の材料はＣｒ、あるいはＡｌに限定されるこ
とはなく、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属
や、ＩＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性膜、さらには、これら
の積層膜でもよい。また、ゲート絶縁層３も窒化シリコ
ンに限らず、酸化シリコンや、絶縁性の塗布膜でもよ
い。塗布膜を用いる場合、インクジェットノズルを用い
て、所望の位置に形成することもできる。
２、ソース電極５、ドレイン電極６を形成するために、
Ｃｒを、反射板を形成するために、Ａｌを用いたが、こ
れらの電極の材料はＣｒ、あるいはＡｌに限定されるこ
とはなく、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属
や、ＩＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性膜、さらには、これら
の積層膜でもよい。また、ゲート絶縁層３も窒化シリコ
ンに限らず、酸化シリコンや、絶縁性の塗布膜でもよ
い。塗布膜を用いる場合、インクジェットノズルを用い
て、所望の位置に形成することもできる。
【００３７】実施例２ 図１１を参照して、第２の実施形態の反射型液晶表示装
置の製造方法を詳細に説明する。図１１（ａ）〜（ｄ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図
１１（ａ）に示すように、実施例１と同様に：ガラス等
の基板１上にスイッチング素子７等を形成し、その上部
にインクジェットヘッド６２を用いて、アクリル樹脂に
よる凸パターン５１を形成する。次いで、図１１（ｂ）
に示すように、基板１を２００℃で３０分間、オーブン
を用いて焼成し、先端部分の丸い凸パターン５２形成し
た。
置の製造方法を詳細に説明する。図１１（ａ）〜（ｄ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図
１１（ａ）に示すように、実施例１と同様に：ガラス等
の基板１上にスイッチング素子７等を形成し、その上部
にインクジェットヘッド６２を用いて、アクリル樹脂に
よる凸パターン５１を形成する。次いで、図１１（ｂ）
に示すように、基板１を２００℃で３０分間、オーブン
を用いて焼成し、先端部分の丸い凸パターン５２形成し
た。
【００３８】さらに、図１１（ｃ）に示すように、この
上部に絶縁膜２３を塗布し、２００℃で３０分間、オー
ブンを用いて焼成した。絶縁膜２３にＰＲ工程、および
エッチング工程を施し、コンタクトホール１０を形成
後、Ａｌ金属層をスパッタし、ＰＲ工程、およびエッチ
ング工程を施して、図１１（ｄ）に示すように、反射板
９を形成した。
上部に絶縁膜２３を塗布し、２００℃で３０分間、オー
ブンを用いて焼成した。絶縁膜２３にＰＲ工程、および
エッチング工程を施し、コンタクトホール１０を形成
後、Ａｌ金属層をスパッタし、ＰＲ工程、およびエッチ
ング工程を施して、図１１（ｄ）に示すように、反射板
９を形成した。
【００３９】実施例３ 図１２を参照して、第３の実施形態の反射型液晶表示装
置の製造方法を詳細に説明する。図１２（ａ）〜（ｅ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図
１２（ａ）に示すように、基板１上にゲート電極２、ゲ
ート絶縁層３、アモルファスシリコン層４を形成後、Ｃ
ｒ膜をスパッタする。次いで、感光性アクリル樹脂（日
本合成ゴム製オプトマーＰＣシリーズ）を用いて、図１
２（ｂ）に示すように、表面に凹凸形状を有する画素パ
ターン７１とソース電極パターン７２を形成し、Ｃｒ膜
をＣｒエッチング液（関東化学製ＣＲＯＹ）を用いてエ
ッチングする。この後、図１２（ｃ）に示すように、マ
スク２６を用いて感光性樹脂層にＰＲ工程を施し、コン
タクトホール１０を形成した。次に、図１２（ｄ）に示
すように、基板１を２００℃で３０分間、オーブンを用
いて焼成し樹脂を硬化させる。さらに、Ａｌ金属層をス
パッタし、ＰＲ工程、およびエッチング工程を施して、
図１２（ｅ）に示すように、反射板９を形成した。
置の製造方法を詳細に説明する。図１２（ａ）〜（ｅ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。まず、図
１２（ａ）に示すように、基板１上にゲート電極２、ゲ
ート絶縁層３、アモルファスシリコン層４を形成後、Ｃ
ｒ膜をスパッタする。次いで、感光性アクリル樹脂（日
本合成ゴム製オプトマーＰＣシリーズ）を用いて、図１
２（ｂ）に示すように、表面に凹凸形状を有する画素パ
ターン７１とソース電極パターン７２を形成し、Ｃｒ膜
をＣｒエッチング液（関東化学製ＣＲＯＹ）を用いてエ
ッチングする。この後、図１２（ｃ）に示すように、マ
スク２６を用いて感光性樹脂層にＰＲ工程を施し、コン
タクトホール１０を形成した。次に、図１２（ｄ）に示
すように、基板１を２００℃で３０分間、オーブンを用
いて焼成し樹脂を硬化させる。さらに、Ａｌ金属層をス
パッタし、ＰＲ工程、およびエッチング工程を施して、
図１２（ｅ）に示すように、反射板９を形成した。
【００４０】実施例４ 図１３を参照して、反射板の実施例１から３以外の他の
製造方法を詳細に説明する。図１３は、本実施例方法に
従って反射型液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板
断面図である。実施例１と同様にガラス等の基板１上に
スイッチング素子７、絶縁膜８、コンタクトホール１０
を形成後、図１３に示すように、インクジェットノズル
２０を用いて、三井金属製のパストランシリーズのよう
な、導電性で光反射機能を有する微粒子を含む液体７３
を噴出し、反射板９を形成した。
製造方法を詳細に説明する。図１３は、本実施例方法に
従って反射型液晶表示装置を製造する際の工程毎の基板
断面図である。実施例１と同様にガラス等の基板１上に
スイッチング素子７、絶縁膜８、コンタクトホール１０
を形成後、図１３に示すように、インクジェットノズル
２０を用いて、三井金属製のパストランシリーズのよう
な、導電性で光反射機能を有する微粒子を含む液体７３
を噴出し、反射板９を形成した。
【００４１】実施例５ 図１４を参照して、第４の実施形態の反射型液晶表示装
置の製造方法を詳細に説明する。図１４（ａ）〜（ｃ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。基板１１
上にインクジェット方式によって、図１４（ａ）に示す
ように、平均粒径が０．２ミクロンのガラス粒子４４を
含んだポリイミドを均一に形成した。このときの膜厚は
２ミクロンとした。さらに、図１４（ｂ）に示すよう
に、その上部に液晶に電圧を印加するためのＩＴＯ電極
を形成した。次いで、本基板１１と、スイッチング素子
７、絶縁膜３１、反射板９等が形成された基板１と重ね
合わせることによって、図１４（ｃ）に示すように、反
射型液晶表示装置を形成した。
置の製造方法を詳細に説明する。図１４（ａ）〜（ｃ）
は、それぞれ、本実施例方法に従って反射型液晶表示装
置を製造する際の工程毎の基板断面図である。基板１１
上にインクジェット方式によって、図１４（ａ）に示す
ように、平均粒径が０．２ミクロンのガラス粒子４４を
含んだポリイミドを均一に形成した。このときの膜厚は
２ミクロンとした。さらに、図１４（ｂ）に示すよう
に、その上部に液晶に電圧を印加するためのＩＴＯ電極
を形成した。次いで、本基板１１と、スイッチング素子
７、絶縁膜３１、反射板９等が形成された基板１と重ね
合わせることによって、図１４（ｃ）に示すように、反
射型液晶表示装置を形成した。
【００４２】実施例６ 図１５を参照して、第５の実施形態の反射型液晶表示装
置の製造方法を詳細に説明する。図１５は、本実施例方
法に従って反射型液晶表示装置を製造する際の基板断面
図である。実施例５における、図１３（ａ）と同様の方
法で形成する散乱層にＩＴＯ粒子４５を混合させ、スイ
ッチング素子７、絶縁膜３１、反射板９等が形成された
基板１と重ね合わせることによって本反射型液晶表示装
置は得られた。
置の製造方法を詳細に説明する。図１５は、本実施例方
法に従って反射型液晶表示装置を製造する際の基板断面
図である。実施例５における、図１３（ａ）と同様の方
法で形成する散乱層にＩＴＯ粒子４５を混合させ、スイ
ッチング素子７、絶縁膜３１、反射板９等が形成された
基板１と重ね合わせることによって本反射型液晶表示装
置は得られた。
【００４３】実施例７ 実施例５における反射型液晶表示装置の製造方法におい
て、前記ポリイミド中に金属の酸化物、塩化物、硫化物
等からなる無機顔料を含有させ、ＲＧＢ３種類の色を有
する散乱層を、図１３（ａ）と同様の方法でそれぞれ所
望の位置に均一に形成した。
て、前記ポリイミド中に金属の酸化物、塩化物、硫化物
等からなる無機顔料を含有させ、ＲＧＢ３種類の色を有
する散乱層を、図１３（ａ）と同様の方法でそれぞれ所
望の位置に均一に形成した。
【００４４】実施例８ 実施例１から６におけるインクジェットノズルが、気泡
の圧力によって、溶液を噴出すバブルジェット方式であ
ってもよい。
の圧力によって、溶液を噴出すバブルジェット方式であ
ってもよい。
【００４５】
【発明の効果】本発明方法によると、反射板の下部に形
成する凹凸形状を有する絶縁層、反射板、あるいは散乱
層をインクジェットノズルを用いて形成することによっ
て、フォトリソ工程、エッチング工程を省くことができ
るため、反射型液晶表示装置を低コストで製造できる。
成する凹凸形状を有する絶縁層、反射板、あるいは散乱
層をインクジェットノズルを用いて形成することによっ
て、フォトリソ工程、エッチング工程を省くことができ
るため、反射型液晶表示装置を低コストで製造できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す反射型液晶表示
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の反射型液晶表示装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の反射型液晶表示装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の反射型液晶表示装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明における反射板の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図６】本発明の第４の実施形態の反射型液晶表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態の反射型液晶表示装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第５の実施形態を示す反射型液晶表示
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図９】本発明の第６の実施形態を示す反射型液晶表示
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図１０】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１２】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１４】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１５】本発明の反射型液晶表示装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図１６】従来の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図１７】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁層 ４ 半導体層 ５ ソース電極 ６ ドレイン電極 ７ スイッチング素子 ８ 凹凸形状を有する絶縁膜 ９ 反射板 １０ コンタクトホール １１ 基板 １２ 透明電極 １３ 窒化シリコン層 １４ アモルファスシリコン層 １５ 液晶 １９ 絶縁性物質 ２０ インクジェットノズル ２１ 凸部 ２３ 絶縁膜 ２４ 感光性樹脂層によるパターン ２５ ＰＲ工程によって形成されたパターン ２６ マスク ３１ 絶縁膜 ３３ 散乱層 ４２ 透明粒子 ４３ 導電性粒子 ４４ ガラス粒子 ４５ ＩＴＯ粒子 ４６ 顔料粒子 ５０ 表面凹凸形状 ５１ 凸部 ５２ 先端の丸い凸パターン ５３ 滑らかな凹凸形状 ６２ インクジェットヘッド ７１ 画素パターン ７２ ソース電極パターン ７３ Ａｇ粒子を含んだ液体 ８０ 感光性樹脂層 ８１ 先端を丸めた凸部 ８２ 絶縁膜 ８３ 感光性膜にＰＲを施し形成した凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C056 FB01 FB08 2H042 BA02 BA03 BA15 BA20 2H090 HA06 HB02X HB07X HC18 HD06 LA05 LA10 LA20 2H091 FA16Y FB02 FB04 FB06 FB08 FB12 FB13 FC01 FC25 FD06 GA07 GA11 GA13 LA12
Claims (13)
- 【請求項１】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の一
方に、光を散乱させるための散乱層が設けられた反射型
液晶表示装置において、 前記散乱層が、インクジェット方式によって形成された
凹凸面を有する散乱層であることを特徴とした反射型液
晶表示装置。 - 【請求項２】 前記散乱層が、表面に凹凸を有する有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜と、絶縁膜を覆う反射効率の
高い金属材料膜との積層構造により構成され、前記有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜がインクジェット方式によっ
て形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反
射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜が、
有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜よりなる凸部と、凸部を
覆うように形成された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜と
により構成され、 凸部と、凸部を覆う絶縁膜とが、インクジェット方式に
よって形成されていることを特徴とする請求項２に記載
の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜が、
感光性膜であることを特徴とする請求項２又は３に記載
の反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の一
方に、光を散乱させるための散乱層が設けられた反射型
液晶表示装置において、 散乱層が、１種類の粒子又は複数種類の相互に異なる屈
折率を有する粒子を含む有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜
であって、インクジェット方式によって形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記散乱層が、導電性粒子を有機系樹脂
に混合してなる導電性有機系樹脂膜であって、インクジ
ェット方式によって形成されていることを特徴とする請
求項５に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記散乱層が、顔料粒子を有機系樹脂に
混合してなる着色有機系樹脂膜であって、インクジェッ
ト方式によって形成されていることを特徴とする請求項
５及び請求項６に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項８】 相互に対向する一対の基板を有し、該一
対の基板相互間に液晶が封入され、前記一対の基板の一
方に、光を散乱させるための散乱層が設けられた反射型
液晶表示装置の製造方法において、 前記散乱層を形成する際、インクジェット方式によって
所望の位置に前記散乱層を形成することを特徴とした反
射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記散乱層が、表面に凹凸を有する有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜と、絶縁膜を覆う反射効率の
高い金属材料膜との積層構造により構成された層、又は
１種類の粒子又は複数種類の相互に異なる屈折率を有す
る粒子を含んでなる含粒有機系絶縁膜又は含粒無機系絶
縁膜からなる層であることを特徴とする請求項８に記載
の反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜
が、感光性膜であることを特徴とする請求項９に記載の
反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 含粒有機系絶縁膜が、導電性粒子を有
機系樹脂に混合してなる導電性有機系樹脂層、及び、顔
料粒子を有機系樹脂に混合してなる着色有機系樹脂層の
少なくともいずれかであることを特徴とする請求項９に
記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記散乱層が、インクジェット方式に
代えて、バブルジェット方式で形成されていることを特
徴とする請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の
反射型液晶表示装置。 - 【請求項１３】 インクジェット方式に代えて、バブル
ジェット方式で前記散乱層を形成することを特徴とする
請求項８から１１のうちのいずれか１項に記載の反射型
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11054136A JP2000250027A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11054136A JP2000250027A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003106259A Division JP3713712B2 (ja) | 2003-04-10 | 2003-04-10 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250027A true JP2000250027A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12962174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11054136A Pending JP2000250027A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000250027A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148609A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2002229060A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Nec Corp | 反射型表示装置及びその製造方法 |
| WO2003053698A1 (fr) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Seiko Epson Corporation | Unite tete et procede de fixation de celle-ci, dispositif de dessin, procedes de fabrication d'un dispositif d'affichage a cristaux liquides, dispositif electroluminescent organique, dispositif a decharge d'electrons, dispositif pdp, dispositif d'affichage a electrophorese, filtre couleur et dispositif ∨ |
| JP2003330040A (ja) * | 2003-06-11 | 2003-11-19 | Nec Lcd Technologies Ltd | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPWO2002099478A1 (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ、表示装置及び電子機器、及びこれらの製造方法、並びに表示装置の製造装置 |
| JP2004335301A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子用基板の製造方法 |
| JP2006146063A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Sharp Corp | ３次元形状の形成方法、および液晶表示装置の製造方法 |
| US7239364B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-07-03 | Seiko Epson Corporation | Display substrate having non-uniform reflectivity in a high transmittance region and non-uniform reflectivity in a high reflectivity region, liquid crystal device using display substrate, electronic appliances comprising liquid crystal device, and method of manufacturing thereof |
| KR100866082B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2008-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사 또는 반사투과형 액정표시장치와 반사층 및 제조방법 |
| US7522243B2 (en) | 2002-03-01 | 2009-04-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for fabricating the display device |
| KR100906956B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US7662432B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Pattern formation method |
| JP2010037582A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、太陽電池パネルの製造方法および太陽電池パネルの製造装置 |
| US7695757B2 (en) | 2003-05-08 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| KR101090580B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2011-12-08 | 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 | 방현층의 형성 방법, 방현 필름과 그의 제조 방법 및방현층 형성용의 잉크젯 장치 |
-
1999
- 1999-03-02 JP JP11054136A patent/JP2000250027A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148609A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100429429B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2004-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 반사형 액정 디스플레이 장치와 그 제조 방법 |
| US7514303B2 (en) | 2000-11-10 | 2009-04-07 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating reflection type liquid crystal display |
| US6862056B2 (en) | 2000-11-10 | 2005-03-01 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection type liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7220625B2 (en) | 2000-11-10 | 2007-05-22 | Nec Lcd Technologies | Method of fabricating reflection type liquid crystal display |
| JP2002229060A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Nec Corp | 反射型表示装置及びその製造方法 |
| JP4651826B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-16 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 反射型表示装置及びその製造方法 |
| JPWO2002099478A1 (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ、表示装置及び電子機器、及びこれらの製造方法、並びに表示装置の製造装置 |
| WO2003053698A1 (fr) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Seiko Epson Corporation | Unite tete et procede de fixation de celle-ci, dispositif de dessin, procedes de fabrication d'un dispositif d'affichage a cristaux liquides, dispositif electroluminescent organique, dispositif a decharge d'electrons, dispositif pdp, dispositif d'affichage a electrophorese, filtre couleur et dispositif ∨ |
| KR100866082B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2008-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사 또는 반사투과형 액정표시장치와 반사층 및 제조방법 |
| US7239364B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-07-03 | Seiko Epson Corporation | Display substrate having non-uniform reflectivity in a high transmittance region and non-uniform reflectivity in a high reflectivity region, liquid crystal device using display substrate, electronic appliances comprising liquid crystal device, and method of manufacturing thereof |
| US7372527B2 (en) | 2001-12-27 | 2008-05-13 | Seiko Epson Corporation | Display substrate, liquid crystal device using display substrate, electronic appliances comprising liquid crystal device, and method for manufacturing thereof |
| US7522243B2 (en) | 2002-03-01 | 2009-04-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for fabricating the display device |
| KR101090580B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2011-12-08 | 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 | 방현층의 형성 방법, 방현 필름과 그의 제조 방법 및방현층 형성용의 잉크젯 장치 |
| KR100906956B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2004335301A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子用基板の製造方法 |
| US7695757B2 (en) | 2003-05-08 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| JP2003330040A (ja) * | 2003-06-11 | 2003-11-19 | Nec Lcd Technologies Ltd | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006146063A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Sharp Corp | ３次元形状の形成方法、および液晶表示装置の製造方法 |
| US7662432B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Pattern formation method |
| JP2010037582A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、太陽電池パネルの製造方法および太陽電池パネルの製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100510423B1 (ko) | 컬러 필터, 표시 장치 및 전자 기기 | |
| USRE36711E (en) | Method of fabricating a liquid crystal display | |
| KR100433229B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2000250027A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| CN109920825B (zh) | 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| KR100772940B1 (ko) | 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그 제조방법 | |
| US8581252B2 (en) | Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof | |
| JP3933497B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| KR20100065615A (ko) | 액정 표시장치, 이를 위한 표시판 및 그 제조 방법 | |
| US20030214620A1 (en) | Liquid crystal display and a fabricating method thereof | |
| KR100993101B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
| CN101960369B (zh) | 显示面板、阵列基板、滤色器基板以及显示面板的制造方法 | |
| JPH10186349A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3800876B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3713712B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH10221712A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR100546701B1 (ko) | 액정표시장치의 칼라필터 제조방법 | |
| JP3991518B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2002049031A (ja) | 液晶装置およびその製造方法 | |
| KR20020034285A (ko) | 색 필터 기판 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 액정 표시장치 | |
| KR100975772B1 (ko) | 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는액정표시장치 | |
| EP0719424B1 (en) | Light modulator | |
| KR20020015835A (ko) | 컬러 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| KR20050064272A (ko) | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 | |
| KR960009378Y1 (ko) | 액정 디스플레이용 칼라필터 기판의 구조 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050310 |