KR100603914B1 - 포토마스크 지오메트리를 개선하는 방법 - Google Patents

포토마스크 지오메트리를 개선하는 방법 Download PDF

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Abstract

고립된 피쳐(300)에 대한, 어시스팅바(320, 340)를 추가함으로써 포토마스크제조가 개선된다. 상기 바(320, 340)은 조밀하게 모여있는 피쳐에 대하여 중심 대 중심 간격에 대응하는 중심 대 중심 간격으로 추가된다. 조밀하게 모여있는 피쳐에 어시스팅바를 매칭함으로써, 고립된 피쳐의 합성된(combined) 회절패턴은 조밀하게 모여있는 피쳐의 회절패턴과 더욱 흡사하도록 수정된다.

Description

포토마스크 지오메트리를 개선하는 방법{A METHOD OF IMPROVING PHOTOMASK GEOMETRY}
본 발명은 집적회로소자의 프로세싱용 마이크로리소그래피의 분야, 특히 포토리소그래피 마스킹 및 이미징에 관한 것이다.
관련출원
본 출원은 2000년 2월 14일에 출원된 미국특허출원 제 60/182,367호 및 2000년 2월 25일 출원된 제 60/185,046호의 이점을 청구한다.
마스크패턴안에 세기레벨링바(intensity leveling bar)라고도 하는 추가 라인으로 구성되는 근접효과(proximity effect)감소의 방법이 소개되었다. 이것은 J.F. Chen의 미국특허 제 5,242,770호에 개시되어 있으며, 그 전체 명세서는 본 출원에 인용참조된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이들 레벨링바는 마스크상의 고립된 피쳐 대 마스크상의 더욱 조밀한 피쳐의 에지세기경사도(edge intensity gradient)를 매칭하는 기능을 수행한다. 상기 도면에서, 라인(30 내지 34)은 모두 동일한 치수 및 간격으로 설계된다. 라인(32)은 라인(30, 31, 33 및 34)에 근접하게 모여있는 상황, 고립된 상황, 세기레벨링바(36)에 의하여 둘러싸인 상황의, 3가지 개별적인 근접상황을 겪도록 패터닝된다. US 5,242,770호의 바람직한 실시예에 서, 레벨링바(36)의 폭은 상기 라인에 대한 임계치수의 1/5과 같고, 에지 대 에지거리(도 2에 도시된 이격거리(separation distance)(14)와 같음)로 정의되는, 라인(32)으로부터 레벨링바(36)의 분리간격(separation)은 라인(32)의 임계치수의 1.1배이다. 상기 거리는 명영역내에서의 암라인인 것이 바람직하다. 임계치수와 동일한 거리는 암영역내의 명라인에 대한 것이 바람직하다.
최적의 레벨링바분리간격과 최소배선폭(feature size)을 결정하기 위하여 미국특허 제 5,242,770호에 서술된 바와 같은 기존의 방법은 최적의 조건을 만들지 못한다는 것을 발견했다. 또한, 마스킹피쳐의 주파수분포에 기초하는 최적의 분리간격과 레벨링바 폭을 결정하는 방법을 발견했다. 이 방법을 사용하면, 고립된 피쳐 및 조밀한 피쳐의 성능의 매칭이 가능해진다.
집적회로 마이크로리소그래피용 고립된 마스킹피쳐 및 조밀한 마스킹피쳐를 이미징할 때에, 근접효과를 줄이기 위하여 서브해상도 이미징 어시스팅바(assisting bar)(미국특허 제 5,242,770호에서는 레벨링바라 칭함)의 위치를 결정하는 개선책이 서술된다. 본 발명에 따르면, 추가 마스킹 피쳐의 위치는 피쳐가 다른 유사한 피쳐와 근접하게 모여 있는지(조밀한 기하학적 구조(geometry)라 함, 다음에 가장 근접한 피쳐가 최소배선폭의 3배이상급으로 떨어져 있는 경우, 또한 어디에서 피쳐가 고립되거나 거의 고립되는지의 조건하에서, 주대상피쳐의 렌즈퓨필내의 회절패턴을 고려하여 결정된다. 일반적으로, 이들 2개의 회절패턴간의 차이는 0.5 x λ/NA 부근에서 최소배선폭에 대한 1차 회절차수가 존재하는데, 여기서 λ는 노광파장이고 NA는 렌즈개구수이다. 고립된 피쳐의 어느 한쪽에 놓인 서브해상도 어시스팅바의 한쌍은 렌즈내의 그들 주파수분포가 조밀한 피쳐의 1차 회절차수의 주파수와 일치하는 0의 주파수 위로 코사인의 제1노드(first node)를 갖는 코사인곡선이도록 선택된다. 상기 코사인함수에 고립된 피쳐에 대한 회절패턴이 부가됨에 따라, 회절패턴은 조밀한 피쳐의 회절패턴과 더욱 흡사하며 근접효과는 감소된다. 그러므로, 이격거리는 고립된 기하학적 구조의 이미지성능을 목표로 하는 조밀한 기하학적 구조의 피치에 좌우된다. 적절한 주파수의 코사인을 생성하기 위하여는, 주대상의 고립된 피쳐와 어시스팅바간의 중심 대 중심 분리간격은 원하는 조밀한 기하학적 구조의 피치와 같아야 한다. 임계분리간격(critical separation)는 메인피쳐 및 어시스팅바의 중심 대 중심간격이며, 그 외에 사용되는 에지 대 에지간격이 아니다. 이것이 본 발명의 요지이다. 상기 중심 대 중심간격값은 1:1 듀티비 피쳐의 경우, 라인치수의 두배이며 1:1보다 큰 듀티비(duty ratio)의 경우에는 그보다 크다. 상기 거리는 목표로 삼은 조밀한 피쳐의 원하는 피치거리와 등가이다. 1:1.5 피쳐의 성능을 매칭하기 위하여, 예를 들어 분리간격은 2.5x 라인치수이다.
폭이 0이 아닌 피쳐(non-zero width feature)의 한 쌍이 렌즈퓨필내에서 코사인회절함수에 미치는 영향을 고려하여 어시스팅바의 폭이 결정된다. 폭이 0인(zero-width) 바라고 가정한 경우, 코사인은 변조되지 않은(unmodulated) 렌즈퓨필내에 존재하고, 등가의 1차 회절에너지를 추가하기 위하여 제1코사인 노드는 고립된 피쳐회절패턴에 부가된다. 어시스팅바 폭이 증가함에 따라, 렌즈퓨필내의 코사인함수는 바 폭을 나타내는 직사각형함수의 푸리에 변환과 곱해진다. 이것은 렌즈퓨필의 중심에서는 가장 낮은 주파수에서 최대이고 렌즈퓨필의 외측을 향하여 더 높은 주파수에서는 감소하는 sinc 함수이다. 푸리에변환의 축척특성은 더 큰 어시스팅바가 더 낮은 주파수에서 더 많은 댐프닝(dampening)이 일어나게 하는 것이다. 그 영향으로 인하여, 코사인함수의 제1노드가 감소되고, 보정효과의 유효성이 감소되며, 또한 어시스팅바가 프린트될 가능성이 높아진다. 그러므로, 어시스팅바 폭은 가능한한 좁아야 하며, 비간섭성회절한계(incoherent diffraction limit)(0.25xλ/NA)보다 가능한한 훨씬 아래에 있어야 한다.
한 쌍의 폭이 0이 아닌 어시스팅바에 의하여 렌즈퓨필내에 생성된 코사인함수의 변조를 보상하기 위하여, 공간주파수필터링이 이용될 수 있다. 변조 sinc 함수의 역과 흡사한 필터가 바람직하다. 이로인해, 공간주파수필터는 코사인함수의 제1노드를 높이 올리고(boosting), 조밀한 피쳐와 어시스팅바 어시스트된 고립된 피쳐간에 더욱 깊은 흡사성을 갖게 될 것이다.
도 1은 미국특허 제 5,242,770호에 도시된 에지세기레벨링바를 이용한 마스크테스트패턴,
도 2는 고립된 피쳐 및 조밀하게 모여있는 피쳐를 도시한 마스크테스트패턴,
도 3은 본 발명에 따른 이격된 에지세기레벨링바를 갖는 고립된 피쳐의 마스크패턴,
도 4는 공간주파수의 함수로서 도 1 및 2의 조밀한 피쳐의 회절패턴을 나타낸 그래프,
도 5는 공간주파수의 함수로서 도 1 및 2의 고립된 패턴의 회절패턴을 나타낸 그래프,
도 6은 도 3의 고립된 피쳐의 대향측면상에 놓인 어시스팅바의 마스크신호의 세기를 도시한 그래프,
도 7은 공간주파수의 함수로서 도 3의 어시스팅바에 대한 회절패턴을 나타낸 그래프,
도 8은 공간주파수의 함수로서 고립된 피쳐와 도 3의 그 어시스팅바에 대한 회절에너지분포를 나타내는 그래프,
도 9는 어시스팅바 코사인회절에너지로 인한 댐핑(damping)의 그래프도,
도 10a 및 도 10b는 고립된 피쳐에 어시스팅바가 없을 때와 있을 때의 오프엑시스조명을 비교한 도면,
도 11a 내지 11d에서 도 11a는 조밀한 피쳐, 도 11b는 고립된 라인, 도 11c는 한쌍의 어시스팅바를 갖는 고립된 라인, 및 도 11d는 어시스팅바 자체에 대한, 회절패턴의 시뮬레이션된 결과의 그래프,
도 12a 내지 12d에서 도 12a는 조밀한 패턴, 도12b는 고립된 라인, 도 13c는 한쌍의 어시스팅바를 갖는 고립된 라인, 및 도 12d는 어시스팅바 자체에 대한, 2쌍의 어시스팅바를 갖는 회절패턴의 시뮬레이션 결과의 그래프,
도 13a 내지 13d에서 도 13a는 1:1, 도 13b는 1:3, 도 13c는 1:5, 및 도13d는 1:7의 듀티비에서 렌즈퓨필내의 가간섭조명(coherent illumination)의 회절차수의 그래프,
도 14a 및 도 14b에서 도 14a는 어시스팅바가 없는 회절에너지의 효과를 도시하고, 도 14b는 한 쌍의 어시스팅바가 있는 회절에너지의 효과를 도시한 도면,
도 15a는 한 쌍의 바가 있는 회절에너지의 재분포결과를 도시하고 도 15b는 2쌍의 바가 있는 유사한 효과를 도시한 도면,
도 16a 내지 16d에서 도 16a는 어시스팅바가 없는 경우, 도 16b는 한 쌍이 있는 경우, 도 16c는 2쌍이 있는 경우, 도 16d는 3쌍이 있는 경우의 고립된 피쳐의 디포커스(defocus)를 도시한 도면이고, 도 16e는 파장과 개구수의 함수로서 어시스트쌍의 간격을 도시한 도면이다.
도 3은 마스크상에 어시스트피쳐의 위치를 정하는 바람직한 접근법을 도시한다. 상기 예는 명 마스크상에 암 선을 도시하지만, 암 마스크상의 명 라인의 경우에도 유사한 분석이 수행될 수 있다. 어시스트피쳐(320, 340)와 메인피쳐(300)간의 소정의 이격거리는 성매칭하기 위해 성능을 목표로 삼는 듀티비에 따라 좌우된다. 1:1 듀티의 경우, 이격거리는 피치와 동일하게 설정된다. 어시스트피쳐의 크기는 그 위치에 영향을 주지 않는다. 또한, 피치거리의 배수로 어시스트피쳐를 놓으면 어떠한 결과를 보여줄 것이다. 실제로는, 어시스팅바 또는 피쳐는 소정의 피치매치의 분리간격으로 놓인다. 어시스트피쳐는 가능한 한 작아야 한다. 이는 역가우시안성능(inverse gaussian performance)을 위하여 중심 대 에지내에서 sinc(w/p)감쇠를 갖는 퓨필필터를 사용할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 고립된 피쳐 및 어시스팅피쳐의 중심에서 중심까지의 피치는 조밀한 피쳐의 중심 대 중심피치와 동일하다.
도 4는 조밀한 피쳐의 회절패턴 대 공간주파수를 도시하고, 도 5는 고립된 피쳐의 회절패턴 대 공간주파수를 도시한다. 도 6은 도 3에 도시된 바와 같이, 고립된 피쳐의 대향측면상에 놓인 어시스팅바를 도시한다. 도 7에는 어시스트피쳐의 회절패턴만이 도시된다. 코사인함수의 주파수는 cos(2πpu) 이어야 하고, 여기서 p는 매치를 위해 목표로 삼는 조밀한 피쳐의 피치이고, u는 렌즈퓨필내의 1차원 주파수좌표이다. 도 7에서 알 수 있듯이, 코사인함수는 어시스팅바의 폭이 0이 아닌 결과, sinc 함수에 의하여 변조된다. 코사인의 주파수는 제1노드가 조밀한 피쳐의 1차 회절차수와 일치하도록 선택된다. 이는 어시스팅바가 소정의 조밀한 라인의 피치거리의 중심-중심거리에서 이격될 때에 발생한다. 도 8에는, 결과로 나타난 회절에너지분포가 도시된다. 도 8의 어시스트된 고립된 피쳐의 패턴은 도 5의 고립된 피쳐의 패턴보다 도 4의 조밀한 패턴에 더욱 가깝다. 작은 피쳐(0.5x λ/NA에 근사함)의 경우, 이 회절에너지의 작은 부분만이 렌즈내에 들어간다. 더욱 상세하게는, 조밀한 라인에 대한 1차 회절차수의 주파수 부근과 아래(및 어시스팅바 회절에너지코사인의 제1노드의 부근과 아래)의 에너지가 모인다.
엔벨로핑 sinc 함수(enveloping sinc function)는 어시스팅바 코사인회절에너지를 변조시키고, 제1코사인노드에 댐프닝효과를 발생시킨다. 도 9에는, 상기 효과가 도시된다. 어시스팅바 폭이 w이고, (조밀한 피치와 동일한) 이격거리가 p인 경우, 제1노드 또는 1차 회절차수 주파수에서의 에너지의 손실은 정확히 sinc(πw/p)=[sin(πw/p)]/[πw/p]이다.
일례로서, 어시스팅바를 사용하여 260㎚ 조밀한 피치마스크피쳐(130㎚ 1:1)와 고립된 근접효과보정을 타겟으로 한 경우의 도 8을 고려한다. 어시스팅바 폭은 현재의 마스크제작의 한계일 수 있는 80㎚로 선택된다. 도 8에서 알 수 있듯이, (1차 회절차수와 등가인) 제1코사인 노드의 변조는 중심의 퓨필진폭(pupil amplitude)에 비하여 sinc(w/p)=0.85, 즉 85%감쇠로서 계산된다. 더 작은 어시스트피쳐가 감쇠를 더 적게 할 수 있지만, 더 작은 피쳐를 제작하기가 힘들다. 그러므로, 이들 어시스트피쳐의 경우, 1차 회절차수위치에 비하여 퓨필의 중심의 적어도 85% 감쇠의 퓨필필터링을 사용하는 것이 바람직하다. 이는 퓨필내 또는 그 밖의 등가인 퓨필위치나 광학시스템내의 푸리에변환평면에서 공간주파수 필터링을 사용하여 달성될 수 있다. 상기 필터는 (NA/λ의 주파수를 갖는) 렌즈 NA의 범위에 걸쳐 1/[sinc(w/p)]와 흡사하게 설계된 투과 대 주파수분포로 설계된다.
도 11은 상용의 리소그래피 시뮬레이터(Prolith/2 버전 6.05d)를 사용하여 193㎚를 사용한 150㎚ 기하학적 구조의 시뮬레이션 결과를 도시한다. 도 11b에 도시된 바와 같이, 회절패턴은 대략 1:8 간격으로 고립된 피쳐이다. 대략 1:1인 조밀한 피쳐에 대한 회절패턴은 도 11a에 도시된다. 도 11d에는, 폭이 75㎚이고 중심 대 중심 분리간격이 300㎚인 어시스팅바에 대한 회절패턴이 도시된다. 도 11c의 어시스트된 150㎚ 피쳐에 대한 회절패턴은 어시스팅바가 없는, 즉 도 11b의 고립된 피쳐의 패턴보다 도 11a의 조밀한 피쳐의 패턴과 더욱 흡사하다.
또한, 해당 중심피쳐로부터 소정의 피치에 2배인 거리 대 중심으로 중심을 두고 각각 분리된, 제2쌍의 어시스팅피쳐를 추가하여 고립된 피쳐와 조밀한 피쳐간의 회절에너지의 매칭을 개선할 수 있다. 이는 소정의 1차 회절차수에 해당하는 주파수위치 및 소정의 1차의 절반, 즉 0.5/p와 등가인 주파수위치에서도 추가의 코사인노드를 추가하는 효과를 갖는다. 이것은 1차 회절차수 주파수에서 에너지를 상승시키며, 0차의 진폭을 줄인다. 도 12는 2쌍의 50㎚ 어시스팅바와 150㎚ 기하학적 구조에 대한 결과를 도시한다. 이들 바는 메인피쳐의 중심에서 어시스팅바의 중심까지 300 및 600㎚로 이격된다. 다시, 도 12c에 도시된 바와 같이 어시스팅바가 있는 고립된 피쳐의 패턴은 단일 쌍의 바(도 12b) 또는 2중 바(도 12d)가 있는 고립된 피쳐의 패턴보다 도 12a의 조밀한 피쳐의 회절패턴과 훨씬 더 흡사하다.
바람직한 듀티비
이미징성능은 고립된 피쳐에 근접성에 있어서의 소정의 분리간격과 크기파라미터를 갖는 어시스팅바를 추가함으로써 조밀한 피쳐에 더욱 가깝하게 매칭된다. 본 발명에서 코사인곡선함수가 렌즈퓨필내에서 조절되는 경우, 바의 최적의 분리간격과 사이징파라미터가 서술된다. 피쳐는 현실적으로 결코 완전히 고립될 수 없기 때문에(충분히 큰 윈도우가 고려될 지라도 몇몇의 이웃하는 기하학적 구조는 항상 있음), 마스크피쳐 및 어시스팅피쳐 레이아웃을 설계할 때에 이를 고려해야 한다.
조밀하게 모여있는 피쳐와 준고립된(semi-isolated) 피쳐를 비교해 본다. 도 13a 내지 13d는 130㎚ 라인들이 193㎚ 노광파장에서 이미징되고 있는 상황을 도시한다. 상기 도면은 유효개구수가 1인 렌즈퓨필에서의 가간섭성(coherent)조명의 회절차수를 도시한다. 1:3 듀티비피쳐의 2차 회절차수가 1:1 듀티비에 대한 1차 회절차수와 일치하는 경우의 1:1, 1:3, 1:5 및 1:7의 듀티비값이 도시된다. 1:5 듀티비피쳐의 경우, 3차 차수가 1:1 1차 차수와 일치하고, 1:7 듀티비피쳐의 경우, 4차 차수가 일치한다. 어시스팅피쳐 코사인곡선 주파수함수가 렌즈퓨필내에 존재하고, 최대의 회절에너지가 목표로 삼은 피치의 피쳐에 대한 1차 회절차수 위치에 놓일 수 있으면 그 영향이 가장 크기 때문에, 이는 중요한 상황이다. 이들 모든 경우에서, 상기 요구되는 주파수 위치에 회절차수에너지가 있다. 피쳐가 완전히 고립되지 않기 때문에, 더 고립된 (1:3이상으로 정의됨) 기하학적 구조에 부가되는 어시스팅피쳐도 반복성을 갖는다. 또한, 그 주기성에 기인한 퓨필내의 코사인함수는, 이들 동일한 주파수에서 샘플링되며, 하기 식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112002026103558-pct00001
여기서, comb 함수는 디락델타함수(또는 임펄스함수)의 급수이고, u는 퓨필내의 주파수이며, p'는 고립된 피쳐의 피치이다. p'가 p(소정의 매칭 조밀한 피쳐의 피치)의 배수인 경우, 상기의 예와 도 13에 서술한 바와 같이 회절차수가 일치될 것이다. 이것이 본 발명의 요지이다. 마스크피쳐의 설계시, (완전히 고립되지 않고 이웃하는 기하학적 구조와 떨어진) 준고립된 피쳐가 목표로 삼는 피쳐의 피치값의 배수인 피치값을 갖는 경우, 어시스팅바의 성능이 개선될 수 있다. 목표로 삼는 1:1 조밀한 피쳐의 경우, 이것은 더욱 고립된 피쳐에 대하여 1:3, 1:5, 1:7 등과 등가인 피치가 된다. 준고립된 피쳐의 피치가 1:2 또는 1:4인 조밀한 피쳐의 피치 경우에는, 근접보정이 조금 늘거나 늦지 않을 것이다. 목표로 삼은 1:1.2 조밀한 피쳐의 경우, 이것은 1:3.4, 1:5.6 등이 된다. 목표로 삼은 1:1.5 조밀하게 한 피쳐의 경우, 이것은 1:4, 1:6.5 등이 된다. 이들 피쳐 듀티비 또는 피치값을 포함하도록 마스크 기하학적 구조를 설계한다면, 어시스팅피쳐 근접보정방법을 사용할 때에 달성되는 성능개선을 향상시킬 수 있다.
부분 가간섭성(partial coherence)의 효과는 부가의 개선을 이끌어 낼 수 있다. 부분가간섭성값을 통하이 더 커지더라도 유효원(effective source)의 크기를 증가시킴으로써, 조밀하고 어시스트된 고립된 피쳐들의 회절에너지는 모두 더욱 근접하게 된다. 이는 어시스팅피쳐위치(분리간격)또는 크기와는 무방하다.
광범위하게(globally) 고립된 피쳐
피쳐가 상당히 고립되어 있을 때(일반적으로, 라인에 대하여 1:7이상이거나, 공간에 대하여 7:1이상), 어시스트피쳐의 배치방법이 다소 수정될 수 있다. 목적은 디포커스를 포함하는 수차영향에 대한 고립된 기하학적 구조(라인 또는 공간)의 감응성을 줄이는 것이다. 완벽한 렌즈시스템에서는, 렌즈수차가 존재하지 않기 때문에 최대 초점심도가 최고의 관건이다. 수차가 존재하는 경우에는, 초점심도를 최대로 하면서 수차의 영향을 최소로 하는 것이 바람직하다. 수차의 영향이 퓨필내의 회절에너지의 위치에 의존한다는 이전의 논문(Smith, SPIE Optical Microlithography XI 및 XII 1998년 및 1999년)에서도 볼 수 있었다. 어시스팅피쳐를 사용함으로써, 피쳐의 회절에너지는 퓨필의 최적의 위치내에 놓이도록 재분포될 수 있다. 초점심도를 최대로 하려면(또한, 디포커스의 영향도 최소로 하려면), (이미지열화(image degradation)는 퓨필을 가로지르는 회절차수의 위상오차에 의하여 발생되므로) 퓨필 중심의 에너지를 가능한 한 적게 하면서 퓨필의 에지에서 회절에너지를 최대로 하는 것이 바람직하다. 구면수차 및 그 밖의 대칭적 수차에 대하여는 동일한 상황이 존재한다. 비점수차(astigmatism)의 경우, 상기 상황은 퓨필의 에지쪽으로 향하는 에너지의 분포가 수평 및 수직방향을 가로지르는 이미지열화를 초래할 수 있다. 코마수차는 에너지가 퓨필의 에지쪽으로 분포되는 기울기로 균형을 이룰 때에 최소화될 수 있다.
고립된 피쳐는 조밀한 피쳐보다 더 많은 수차의 영향을 받는다. 어시스팅 광근접보정바쌍이 고립된 피쳐의 측면에 놓인 경우, 상술한 코사인 "노드"는 퓨필내의 더 높은 주파수위치에 회절에너지를 놓는다. (더욱 조밀한 피쳐의) 소정의 피치를 매칭시킬 목적이 아니라면, 수차 및 디포커스의 존재시 고립된 피쳐의 성능을 개선시키는 것에 목표를 두어야 한다. 현재의 렌즈의 수차레벨은 0.03 웨이브 RMS(OPD)에 접근한다. 포토레지스트재료내의 토포그래프 전역을 이미징시킬 때에 도입된 디포커스의 양은 이보다 훨씬 큰 0.25 웨이브이다. 이 경우, 디포커스수차가 최소화도록 어시스팅바의 배치를 최적화하는 것이 가장 좋다. 그 밖의 수차가 존재할 경우, 임의의 디포커스수차 상호작용으로 인하여 에너지가 다른 유사한 위치에 놓이지만 대부분은 디포커스조건이 압도하게 되는 설계를 요구할 수 있다. (상기의 내용은 수차를 최소화하는 최적의 퓨필위치를 설명한다.)
퓨필의 에지에 회절에너지를 놓기 위하여, 퓨필에지의 주파수를 알아야 한다. 개구수(NA) 및 파장이 주어진 경우, 이 주파수는 NA/λ이다. 어시스팅바는 상기 NA/λ 주파수의 배수로 놓여져야 한다. 메인피쳐(중심 대 중심)로부터의 거리 λ/NA로 각각 이격된 한쌍의 바를 배치함으로써, 1차 코사인의 기본주파수와 더 높은 주파수 코사인의 고조파(harmonic)의 기본주파수는 최적의 퓨필에지위치에서의 회절에너지에 더한다. 분리간격 λ/NA으로 1쌍의 바가 사용될 수 있다. 제1이격거리에서 및 2λ/NA에 2쌍의 바가 개선에 사용될 수 있다. 3λ/NA에서 추가의 쌍을 추가하여 3쌍이 되면 더욱 개선될 수 있다. 또한, 4쌍이상도 개선된다. 바를 추가시켜도 매우 미비하게 개선되거나 추가의 쌍이 마스크 기하학적 구조에 의하여 거부되는 때가 그 한계이다.
도 14a는 248㎚, 0.52NA 및 180㎚ 21:1 공간(매우 고립됨)에 대한 응용례를 도시한다. 400㎚의 분리간격으로 60㎚ 폭의 어시스트공간피쳐를 추가함으로써, 퓨필내의 회절에너지는 에지쪽으로 또한 중심으로부터 멀리 이동된다(도 14b참조). 도 15a 및 15b는 2쌍 및 3쌍의 바가 제공되어 더욱 개선된 다른 실시예를 도시한다.
도 16a 내지 16e는 디포커스수차를 가지는 성능을 개선시키는 방법을 도시한다. 도 16e는 3쌍의 어시스팅바가 있는 마스크패턴을 도시한다. 0.05웨이브의 디포커스값은 1쌍, 2쌍 및 3쌍의 바와 어시스트되지 않은 바를 비교하기 위하여 도입되었다. 고립된 공간에 대한 RMS OPD는 0.0278웨이브이다. 1쌍의 어시스트피쳐가 있는 도 16b는 상기 값이 0.0235웨이브로 감소됨을 도시한다. 2쌍이면, 상기 값은 0.0203웨이브로 감소된다(도 16c 참조). 3쌍이면, 도 16d에서 알 수 있듯이, 상기 값은 0.0164웨이브로 감소된다. 이 상당한 개선은 180㎚ 공간의 이미징에 대한 디포커스의 영향이 줄어들게 한다. 폭이 60㎚인 어시스트피쳐는 최적의 스레시홀딩 레지스트공정을 적절하게 최적화하면 프린트되지 않는다. 그러므로, 초점심도는 향상될 수 있다.
오프엑시스조명
OPC방법은 맞춤(customized) 조명 또는 오프엑시스조명의 특정 조건에 대하여 최적화 될 수 있다. 조명시스템 개구수의 상대적인 크기의 제어는 리소그래피 투영툴의 성능을 최적화하는 데 사용되어 왔다. 투영시스템 대물렌즈 NA에 대하여 상기 NA의 제어는 마스크평면에서 속칭 부분가간섭성(partial coherence)이라 불리우는 공간가간섭성의 수정(modification of spatial coherence)을 고려한다. 이것은
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조명시스템에서 투영렌즈퓨필에 대한 콘덴서 렌즈퓨필크기의 규격을 통하여 달성된다. 특히, 이것은 회절정보의 광학적 처리의 조작을 고려한다. 종래에는, 투영이미징시스템의 부분가간섭성을 최적으로 하기 위해서는 완전 원형인 조명개구를 사용하면 된다. 일루미네이터 퓨필크기를 갖는 대물렌즈내의 회절정보의 분포를 제어함으로써, 최대 이미지 변조가 얻어질 수 있다. 조명시스템은 완전 원형조명개구에 대한 변형을 고려함으로써 더욱 개량될 수 있다. 0차 및 1차 회절차수가 광축선의 한쪽에 분포되도록 마스크에 소정 각도로 기울어져 입사하는 조명시스템은 개선을 고려할 수 있다. 일반적으로, 이러한 접근은 오프엑시스조명이라고 칭한다. 결과로 나타난 2개의 회절차수는 이미징용으로 충분할 수 있다. 부분적 비간섭성 조명의 상기 기울기 상태에서 가능한 최소의 피치해상도는 0.5λ/NA로서, 종래의 조명에서 가능한 피치해상도는 그 절반이다. 이것은 선택된 각도로 분포된 2개의 협소한 빔으로 조명을 한계함으로써 달성된다. 조명각은 주어진 파장(λ), 개구수(NA), 및 피쳐피치(d)에 대하여 특유하게 선택되며, 조밀한 피쳐의 경우, NA=0.5λ/d이면 sin -1 (0.5λ/d)로 계산될 수 있다. 오프엑시스조명의 가장 현저한 효과는 초점심도를 고려할 때 실감된다. 이 경우, 0차 및 1차 회절차수는 디포커스양에 관계없이 동일한 경로길이를 지난다. 이 결과로서, 초점심도는 사실상 무한대이다.
실제로는, 하나의 협소한 빔 또는 한쌍의 빔을 고려하도록 조명을 한계하는 것은 0 세기를 유발한다. 또한, 이미징은 x-y 평면내의 한 방향을 따라 방위가 잡혀진 피쳐로 한계된다. 이를 극복하기 위하여, 어떤 유한의 세기를 고려하도록 유한의 링폭을 갖는, 소정의 각도에서 조명을 전달하는 고리형 또는 링형 개구가 채택되었다. 결과로 나타난 초점심도는 이상적인 경우보다 작지만, 완전 원형의 개구를 능가하는 개선이 달성된다. 대부분의 집적회로 응용에서, 피쳐는 수평 및 수직방위로 한계되며, 4중극구조(quadrupole configuration)가 더 적당할 수 있다. 여기서, 극은 수평 및 수직마스크피쳐에 대하여 45°로 방위의 대각선위치에 있다. 각 빔은 모든 마스크피쳐에 대하여 오프엑시스되며, 최소의 이미지열화가 존재한다. 고리형 또는 4중극 오프엑시스시스템 중 어느 것은 특정 피쳐크기에 대하여 최적화될 수 있으며, 이는 그 밖의 경우에는 최적이 아닌 조명을 제공할지도 모른다. 목표로 삼아 최적화되는 것들 이외의 피쳐의 경우, 더 높은 주파수성분이 중첩되지 않고 추가의 공간주파수 인공물(artifact)이 도입된다. 이것은 이미징성능이 열화될 수 있게 한다.
조밀한 피쳐(1:1 내지 1:3 라인 대 공간튜티비)를 고려할 때에, 변조 및 초점깊이 개선은 조명형태와 각의 적절한 선택을 통하여 실현될 수 있다. 하지만, 고립된 피쳐의 경우, 이산 회절차수가 존재하지 않는 대신에, 연속적인 회절패턴이 생성된다. 이러한 주파수 표현을 조명극 또는 고리형 링 중 하나로 콘볼빙(convolving)하는 것은 각의 범위에 걸쳐 분포된 회절정보로 귀착될 것이다. 그러므로, 고립된 라인 성능은 오프엑시스조명으로는 개선되지 않는다. 피쳐가 고립되지는 않았지만 낮은 밀도(>1:3 라인 대 공간듀티비)를 가지는 경우, 최적의 조명에 대한 조건은 더욱 조밀한 피쳐의 경우보다는 바람직하지 않을 것이다. 더욱이, 오프엑시스조명의 사용은 일반적으로 낮은 밀도 기하학적 구조를 가지는 큰 피치값을 요구하지 않는다. 조밀한 피쳐 및 거의 고립된 피쳐를 한 곳에서 함께 고려함에 따라, 이들 피쳐에 관한 오프엑시스조명의 영향이 다를 것이며, 조밀한 피쳐성능 대 고립된 피쳐성능의 차이가 커질 수 있다.
어시스트피쳐를 사용하는 광근접보정(OPC)은 오프엑시스조명(OAI)으로 개선될 수 있다. "바람직한 듀티비" 근처에서 상술한 어시스트피쳐를 설계함으로써, 또한 상기 동일한 듀티비 근처로 오프엑시스조명을 설계함으로써(예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 인용되는, 본 출원인의 미국특허출원 제 09/422,398호 "Illumination Device for Projection System and Method for Fabricating" 참조), OPC 및 OAI를 함께 사용하여 둘 중 하나만으로 접근하는 처리복잡성을 줄이거나, 그렇지 않으면 용이하게 달성될 수 없었던 이미징해상도 및 DOF가 가능하게 한다. 그 개념도 상술한 바와 유사하다. 소정의 분리간격 및 크기를 갖는 어시스팅바를 추가함으로써, 더 높은 회절차수는 대물렌즈퓨필내에서 더 낮은 회절차수와 중첩하도록 위치될 수 있다. 조명 및 OPC 모두를 갖는 "마스크피쳐 고조파(mast feature harmonic)" 주변을 설계하면, 서브반파장 피쳐해상도에 대한 더욱 제조하기 쉬운 해결법이 고려된다.
도 10a는 어시스팅바가 없는 고립된 피쳐의 패턴상에 오프엑시스조명의 결과를 도시한다. 상기 도면과 어시스팅바가 추가된 도 10b를 비교한다. 오프엑시스조명은 248㎚의 파장, 0.70의 개구수 및 2중극 오프엑시스조명을 사용하여 라인간격이 450㎚인 150㎚ 라인을 조명하는 데 사용되어 왔다. 2중극 조명은 포토마스크상에 150㎚ 긴 라인의 축선과 직교하는 축선위에 방위를 잡은 2개의 극으로 구성된다. 일루미네이터내의 각 폴의 조명각은 sin-1((λ)/2*p))이고, 여기서 p는 300㎚의 값, 즉 동일한 라인/공간 150㎚ 피쳐의 피치이다. 도 10a는 이들 조건하에서 450㎚ 피치를 갖는 150㎚ 라인의 조명에 대한 대물렌즈퓨필내의 회절차수의 분포를 도시한다. 퓨필의 중심내에서의 에너지는 퓨필의 에지에서의 회절차수의 세기의 30%이다. 이미지평면이 포커스를 지나면서 변경될 때에, 이것은 이미지를 열화시킬 것이다. 도 10b는 어시스팅바를 사용함으로써, 2중극 오프엑시스조명을 사용할 때에 퓨필의 중심에서의 에너지가 감소되는 것을 도시한다. 이미지평면이 포커스를 지나 변경될 때, 이것은 이미지열화를 감소시킨다. 2중극 조명의 효과를 나타낸다. 그 밖의 오프엑시스조명도 유사한 결과를 낳는다.

Claims (31)

  1. 포토마스크로부터 기판상으로 집적회로(IC)에 대응하는 리소그래피패턴을 광학적으로 전사하는 포토마스크에 있어서,
    상기 패턴은 복수의 조밀하게 이격된 피쳐 및 상기 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격된 고립된 피쳐를 포함하고, 상기 고립된 피쳐는 상기 고립된 피쳐의 대향측면에 한 쌍이상의 어시스트바를 가지며, 상기 한 쌍이상의 어시스트바는 어시스트바에 대향하는 고립된 피쳐의 대응하는 측면으로부터 동일하게 이격되고, 상기 어시스트바는 근접효과를 줄이기 위하여 고립된 피쳐의 에지의 에지세기경사도(edge intensity gradient)를 바꾸며,
    각각의 어시스트바의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐들의 피치와 동일하도록 상기 어시스트바를 이격시키는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 어시스트바는 이격되어 그들 회절 코사인의 제1노드가 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수위치에 들어맞게 되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고립된 피쳐는 조밀하게 이격된 피쳐의 7배이상의 피치로 상기 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격되고, 상기 어시스트바는 고립된 피쳐의 중심으로부터,λ는 조명파장이고 NA는 개구수인, λ/NA의 거리의 동일한 배수에 이격되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 어시스트바는 상기 고립된 피쳐로부터 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수와 일치하는 노드를 가진 코사인함수를 가지는 회절패턴을 발생시키는 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    각 어시스트바의 폭은 가능한 한 좁은 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    각 어시스트바의 폭은 비간섭성 회절한계(incoherent diffraction limit)보다 좁은 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    각 추가쌍이 제1쌍의 피치의 배수로 이격되는 2쌍 이상의 어시스트바를 가지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고립된 및 조밀하게 이격된 피쳐는 라인인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 고립된 및 조밀하게 이격된 피쳐는 공간인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  10. 기판의 감광면상으로 빛을 지향하는 일루미네이터를 구비한 포토리소그래피장치에 있어서,
    상기 마스크로부터 기판상으로 집적회로(IC)에 대응하는 리소그래피패턴을 광학적으로 전사하는 포토마스크를 포함하고, 상기 패턴은 복수의 조밀하게 이격된 피쳐 및 상기 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격된 고립된 피쳐를 포함하며, 상기 고립된 피쳐는 상기 고립된 피쳐의 대향측면에 한쌍 이상의 어시스트바를 가지며 상기 어시스트바는 어시스트바에 대향하는 대응 측면으로부터 동등하게 이격되는 것을 특징으로 하여,
    상기 어시스트바는 근접효과를 줄이기 위하여 고립된 피쳐의 에지의 에지세기경사도를 바꾸며, 상기 어시스트바는 각각의 어시스트바의 중심으로부터 인접하여 이격된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치와 같도록 이격되고, 회절에너지를 분포시키기 위한 광원과 포토마스크의 사이에 공간주파수필터가 배치되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피장치.
  11. 광원, 광원을 성형하는 조명스테이지, 및 기판의 감광면에 마스크상의 패턴을 투영하기 위해 포토마스크상으로 성형된 빛을 지향하는 렌즈를 구비한 투영리소그래피장치에서 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법에 있어서,
    포토마스크상에 조밀하게 이격된 마스크 피쳐 1세트를 제공하는 단계를 포함하여, 조밀하게 이격된 피쳐는 조밀한 피쳐 피치를 가지며;
    포토마스크상에 하나 이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계; 및
    각각의 어시스트피쳐의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치와 같도록, 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 어시스트피쳐는 크기에 있서서 서브해상도이며, 렌즈내의 그들의 주파수분포가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수의 주파수와 일치하는 0주파수의 위에 코사인의 제1노드를 갖는 코사인곡선이도록 하는 거리만큼 상기 고립된 피쳐의 양측면상에 놓이는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 어시스트피쳐는 렌즈의 비간섭성 회절한계보다 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 폭은 상기 장치의 개구수로 나눈 광원의 파장의 0.25배보다 작은 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 장치의 퓨필의 중심을 감쇠시키도록 포토마스크의 투영된 이미지를 공간적으로 필터링하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    제1세트의 어시스트피쳐의 피치의 2배에 위치된 제2세트의 어시스트피쳐를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    제1세트 어시스트피쳐의 피치의 3배에 위치된 제3세트의 어시스트피쳐를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    각각의 세트가 제1세트의 어시스트피쳐의 피치의 m배에 위치되는 m세트의 어시스트피쳐를 더 포함하어 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  19. 기지의(known) 파장 및 기지의 개구수의 광원, 광원을 성형하는 조명스테이지, 및 기판의 감광면에 마스크상의 패턴을 투영하기 위해 포토마스크상에 성형된 빛을 지향시키는 렌즈를 구비한 투영리소그래피장치에서 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법에 있어서,
    포토마스크상에 조밀하게 모여있는 1세트의 마스크피쳐를 제공하는 단계;
    포토마스크상에 하나 이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계; 및
    각각의 어시스트피쳐의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 모여있는 마스크피쳐의 피치와 같도록, 파장 및 개구수에 따라 선택된 거리로 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    m세트의 어시스트피쳐가 있고, m세트의 각각의 피쳐는 개구수로 나눈 파장에 대응하는 거리로 이격되는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  21. 포토마스크로부터 기판상으로 집적회로(IC)에 대응하는 리소그래피패턴을 광학적으로 전사하는 포토마스크에 있어서,
    상기 패턴은 복수의 조밀하게 이격된 피쳐 및 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격된 1이상의 준고립된 피쳐를 포함하고, 상기 고립된 피쳐는 상기 고립된 피쳐의 대향측면에 적어도 한 쌍의 어시스트바를 가지며, 상기 어시스트바는 어시스트바에 대향하는 고립된 피쳐의 대응하는 측면으로부터 동일하게 이격되고, 상기 어시스트바는 근접효과를 줄이기 위하여 고립된 피쳐의 에지의 에지세기경사도를 바꾸며,
    각각의 어시스트바의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치와 같도록, 상기 어시스트바를 이격시키고,
    바람직한 듀티비로서 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 듀티비의 홀수배로 상기 준고립된 피쳐를 이격시키는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 바람직한 듀티비는 1:3, 1:5 및 1:7을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  23. 광원, 광원을 성형하는 조명스테이지, 및 기판의 감광면에 마스크상의 패턴을 투영하기 위해 포토마스크상으로 성형된 빛을 지향시키는 렌즈를 구비하는 투영리소그래피장치에서 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법에 있어서,
    포토마스크상에 조밀하게 이격된 피쳐 1세트를 제공하는 단계를 포함하되, 상기 조밀하게 이격된 피쳐는 조밀한 피쳐 피치를 가지며;
    포토마스크상에 하나 이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계;
    각각의 어시스트바의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치와 같도록, 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치에 따라 선택된 거리로 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계; 및
    오프엑시스조명으로 포토마스크를 조명하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법.
  24. 포토마스크로부터 기판상으로 집적회로(IC)에 대응하는 리소그래피패턴을 광학적으로 전사하는 포토마스크에 있어서,
    상기 패턴은 복수의 조밀하게 이격된 피쳐 및 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격된 1이상의 준고립된 피쳐를 포함하고, 상기 고립된 피쳐는 상기 고립된 피쳐의 대향측면에 적어도 한 쌍의 어시스트바를 가지며, 상기 어시스트바는 어시스트바에 대향하는 고립된 피쳐의 대응하는 측면으로부터 동일하게 이격되고, 상기 어시스트바는 근접효과를 줄이기 위하여 고립된 피쳐의 에지의 에지세기경사도를 바꾸며,
    상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치에 따라 상기 어시스트바를 이격시키고,
    상기 어시스트바는 이격되어 그들 회절 코사인의 제1노드가 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수위치에 들어맞게 되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  25. 포토마스크로부터 기판상으로 집적회로(IC)에 대응하는 리소그래피패턴을 광학적으로 전사하는 포토마스크에 있어서,
    상기 패턴은 복수의 조밀하게 이격된 피쳐 및 조밀하게 이격된 피쳐로부터 이격된 1이상의 준고립된 피쳐를 포함하고, 상기 고립된 피쳐는 상기 고립된 피쳐의 대향측면에 적어도 한 쌍의 어시스트바를 가지며, 상기 어시스트바는 어시스트바에 대향하는 고립된 피쳐의 대응하는 측면으로부터 동일하게 이격되고, 상기 어시스트바는 근접효과를 줄이기 위하여 고립된 피쳐의 에지의 에지세기경사도를 바꾸며,
    상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치에 따라 상기 어시스트바를 이격시키고,
    상기 어시스트바는 상기 고립된 피쳐로부터 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수와 일치하는 노드를 가진 코사인함수를 가지는 회절패턴을 발생시키는 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  26. 광원, 광원을 성형하는 조명스테이지, 및 기판의 감광면에 마스크상의 패턴을 투영하기 위해 포토마스크상으로 성형된 빛을 지향시키는 렌즈를 구비하는 투영리소그래피장치에서 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법에 있어서,
    포토마스크상에 조밀하게 이격된 피쳐 1세트를 제공하는 단계를 포함하되, 상기 조밀하게 이격된 피쳐는 조밀한 피쳐 피치를 가지며;
    포토마스크상에 하나 이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계;
    상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치에 따라 선택된 거리로 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 어시스트피쳐는 크기에 있서서 서브해상도이며, 렌즈내의 그들의 주파수분포가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 1차 회절차수의 주파수와 일치하는 0주파수의 위에 코사인의 제1노드를 갖는 코사인곡선이도록 하는 거리만큼 상기 고립된 피쳐의 양측면상에 놓이는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 1이상의 기계 판독가능한 매체에 의해 이송가능한 실행가능한 코드를 포함하여 이루어지는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,
    1이상의 프로그램가능한 컴퓨터에 의한 상기 코드의 실행은, 상기 1이상의 프로그램가능한 컴퓨터로 하여금 포토마스크 상에 광근접보정피쳐를 위치시키기 위한 일련의 단계들을 수행하도록 하며, 상기 일련의 단계들은,
    포토마스크상에 조밀하게 이격된 피쳐 1세트를 제공하는 단계를 포함하되, 상기 조밀하게 이격된 피쳐는 조밀한 피쳐 피치를 가지며;
    포토마스크상에 1이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계;
    각각의 어시스트바의 중심으로부터 인접하여 고립된 피쳐의 중심까지의 거리가 상기 조밀하게 이격된 피쳐의 피치와 같도록, 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  28. 기지의(known) 파장 및 기지의 개구수의 광원, 광원을 성형하는 조명스테이지, 및 기판의 감광면에 마스크상의 패턴을 투영하기 위해 포토마스크상에 성형된 빛을 지향시키는 렌즈를 구비한 투영리소그래피장치에서 포토마스크상에 광근접보정피쳐를 위치시키는 방법에 있어서,
    상기 포토마스크상에 1이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계;
    디포커스 수차들이 최소화되도록, 주어진 파장, 개구수 및 조명 조건 중 하나 이상에 따라 선택된 거리로 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    m세트의 어시스트피쳐가 있고, m세트의 각각의 피쳐는 개구수로 나눈 파장에 대응하는 거리로 이격되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 1이상의 기계 판독가능한 매체에 의해 이송가능한 실행가능한 코드를 포함하여 이루어지는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,
    1이상의 프로그램가능한 컴퓨터에 의한 상기 코드의 실행은, 상기 1이상의 프로그램가능한 컴퓨터로 하여금 포토마스크 상에 광근접보정피쳐를 위치시키기 위한 일련의 단계들을 수행하도록 하며, 상기 일련의 단계들은,
    포토마스크상에 1이상의 고립된 피쳐를 제공하는 단계;
    디포커스 수차들이 최소화되도록, 주어진 파장, 개구수 및 조명 조건 중 하나 이상에 따라 선택된 거리로 상기 고립된 피쳐에 인접한 1이상의 어시스트피쳐를 위치시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  31. 제30항에 있어서,
    m세트의 어시스트피쳐가 있고, m세트의 각각의 피쳐는 개구수로 나눈 파장에 대응하는 거리로 이격되는 것을 특징으로 하는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
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