KR100595325B1 - 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광감지 소자영역의 확산영역을 형성할 때 인접한 트랜지스터 영역에 주입되는 것을 방지하여 안정적인 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극의 상부에 이온주입 방지막을 형성하는 단계; 광감지 소자영역을 개구하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴과 상기 이온주입 방지막을 마스크로 상기 광감지 소자영역에 이온주입하여 N 형 확산영역을 형성하는 단계; 상기 광감지 소자영역의 상기 N 형 확산영역 상에 P 형 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
시모스 이미지 센서, 광감지 소자, 이온주입방지막, 채널링
Description
도 1은 종래기술의 시모스 이미지 센서의 단면도
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
210 : 기판 211 : 에피층
214 : 게이트전극 215 : 스페이서
216 : 게이트절연막 220 : 고농도 N 형 확산영역
221 : 저농도 N 형 확산영역
본 발명은 반도체 시모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 광감지 소자영역의 확산영역을 형성할 때 인접한 트랜지스터 영역에 주입되는 것을 방지하여 안정적인 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기신호로 변환시키 는 반도체 소자로써, 개별 모스(MOS:metal-oxide-silicon) 캐패시터(capacitor)가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 이중결합소자(CCD:charge coupled device)와 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로에 사용하는 시모스(CMOS)기술을 이용하여 화소수 만큼 모스 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용한 시모스(CMOS:complementary MOS) 이미지 센서가 있다.
그리고 피사체의 정보를 전기적인 신호로 변환하는 시모스 이미지 센서는 포토다이오드가 들어있는 시그날 처리칩 들로 구성되어 있으며, 칩 하나에 증폭기(Amplifier), 아날로그/디지탈 변환기(A/D converter), 내부 전압 발생기(Internal voltage generator), 타이밍 제너레이터(Timing generator) 그리고 디지털 로직(Digital logic) 등이 결합되기도 하는데, 이는 공간과 전력 그리고 비용절감에 큰 장점을 갖고 있다. 이중결합소자(CCD)가 전문공정을 통하여 제조하지만, 시모스 이미지 센서는 이중결합소자보다 가격이 저렴한 실리콘 웨이퍼(Wafer)의 식각 공정을 통하여 대량생산이 가능하며, 집적도에서도 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 시모스 이미지 센서에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술의 시모스 이미지 센서의 단면도이다.
고농도 P 형 기판(110) 상에 저농도 P 형의 에피층(111)을 성장시키고, 에피 층(111)에 소자간의 격리를 위하여 트렌치를 형성하고 절연막을 충신시키는 STI(shallow trench isolation)(118)을 형성한다. 그리고 STI(118)를 포함하는 에피층(111) 상에 게이트절연막(116)을 형성하고, 게이트절연막(116) 상에 다결정실리콘으로 게이트전극(119)을 형성한다. 게이트전극(119) 양측의 에피층(111)에 저에너지(low energy)의 저농도 N 형 확산영역(120)을 형성한다. 그리고 게이트전극(119)을 포함한 에피층(111) 상에 감광막 패턴(130)을 형성하고, 감광막 패턴을 마스크(130)로 이온주입하여 광감지 소자영역에 고에너지(high energy)의 저농도 N 형 확산형역(121)을 형성한다. 감광막 패턴(130)을 제거하고 게이트전극(119) 양측면에 스페이서(spacer)(122)을 형성하고 고농도 N 형 확산영역(123)을 형성한다.
광감지 소자영역의 저농도 N 형 확산영역(121) 상에 기판(110) 보다는 낮고 에피층(111) 보다는 높은 P 형 불순물을 에피층(111)에 이온주입하여 P 형 확산영역(124)을 형성한다.
상기와 같은 방법으로 시모스 이미지 센서를 제조하면, 광감지 소자영역은 깊은 접합(deep junction)을 요구하므로, 감광막 패턴을 이용하여 광감지 소자영역에 통상적으로 150 ~ 250 KeV 정도의 고에너지의 저농도 N 형 확산영역을 형성한다. 이때, 이온주입 마스크로 사용하는 감광막 패턴이 광감지 소자영역과 인접한 게이트전극 상에 완전히 차폐되지 않는 부분이 존재하며, 이로인해 고에너지의 이온이 게이트전극을 통하여 에피층에 주입되는 채널링(channeling)현상이 발생한다.
또한 집적도가 높아질 수록 게이트전극의 두께가 얇아지게 되어 이러한 현상은 더욱 심해지며, 채널링 현상에 의해 트랜지스터가 매우 불안정하게 되며, 문턱 전압 등에 영향을 주는 문제가 있다.
이와 같은 종래 기술의 시모스 이미지 센서는 다음과 같은 문제가 있다.
광감지 소자영역은 깊은 접합(deep junction)을 요구하므로, 감광막 패턴을 이용하여 고에너지의 저농도 N 형 확산영역을 형성하며, 이온주입 마스크로 사용하는 감광막 패턴이 광감지 소자영역과 인접한 게이트전극 상에 완전히 차폐되지 않는 부분이 존재하며, 이로인해 고에너지의 이온이 게이트전극을 통하여 에피층에 주입되는 채널링(channeling)현상이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 종래기술의 시모스 이미지 센서의 문제를 해결하기 위한 것으로, 게이트전극 상에 이온주입 방지막을 설치하여 광감지 소자영역의 확산영역을 형성할 때 채널링 현상을 방지하여 안정적인 특성을 가진 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법은 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극의 상부에 이온주입 방지막을 형성하는 단계; 광감지 소자영역을 개구하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴과 상기 이온주입 방지막을 마스크로 상기 광감지 소자영역에 이온주입하여 N 형 확산영역을 형성하는 단계; 상기 광감지 소자영역의 상기 N 형 확산영역 상에 P 형 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스 및 드레인으로 사용하는 저농도 N 형 확산영역과 고농도 N 형 확산영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스 및 드레인으로 사용하는 저농도 N 형 확산영역과 고농도 N 형 확산영역은 저에너지로 이온주입하고, 상기 광감지 소자영역의 상기 N 형 확산영역은 고에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법에 있어서, 상기 이온주입 방지막은 금속 실리사이드로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 2와 같이, 고농도 P 형 기판(210) 상에 저농도 P 형의 에피층(211)을 성장시키고, 에피층(211)에 소자간의 격리를 위하여 트렌치를 형성하고 절연막을 충전시키는 STI(shallow trench isolation)(218)을 형성한다. 그리고 에피층(211) 상에 게이트절연막(216)을 성장시키고, 게이트절연막(216) 상에 다결정실리콘으로 게이트전극(214)을 형성하고, 게이트전극(214) 양측을 개구하는 제 1 감광막 패턴 (230)을 형성하고 100 KeV 이하로 저에너지(low energy)의 이온을 주입하여 저농도 N 형 확산영역(221)을 형성한다.
도 3과 같이, 제 1 감광막 패턴(230)을 제거하고, 게이트전극(214) 양측면에 스페이서(spacer)(215)를 형성한다. 게이트전극(214)를 포함하는 트랜지스터 영역에 금속층(도시하지 않음)을 형성하고 금속층과 게이트전극(214)을 구성하는 다결정실리콘과 금속층과 트랜지스터 영역의 에피층(211)과 반응시켜 금속 살리사이드층(metal salicide layer)(231)을 형성한다. 그리고 광감지 소자영역을 개구하는 제 2 감광막 패턴(232)을 형성하고, 150 ~250 KeV 정도의 고에너지(high energy)로 이온주입하여 광감지 소자의 저농도 N 형 확산영역(225)을 형성한다.
도 4와 같이, 게이트전극(214) 양측의 에피층(211)에 소오스(source) 및 드레인(drain) 영역의 고농도 N 형 확산영역(220)을 형성하고, 광감지 소자영역의 저농도 N 형 확산영역(221) 상에 기판(210) 보다는 낮고 에피층(211) 보다는 높은 P 형 불순물을 에피층(211)에 이온주입하여 P 형 확산영역(222)을 형성한다.
이와 같은 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
광감지 소자영역과 인접한 게이트전극의 상부에 이온주입 방지막을 설치하여 고에너지의 광감지 소자영역의 형성할 때, 이온이 게이트전극을 통하여 기판에 주입되는 것을 방지하여 트랜지스터가 안정적인 특성을 가지는 효과가 있다.
Claims (4)
- 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극의 상부에 이온주입 방지막을 형성하는 단계;광감지 소자영역을 개구하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴과 상기 이온주입 방지막을 마스크로 상기 광감지 소자영역에 이온주입하여 N 형 확산영역을 형성하는 단계;상기 광감지 소자영역의 상기 N 형 확산영역 상에 P 형 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스 및 드레인으로 사용하는 저농도 N 형 확산영역과 고농도 N 형 확산영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 게이트전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스 및 드레인으로 사용하는 저농도 N 형 확산영역과 고농도 N 형 확산영역은 저에너지로 이온주입하고, 상기 광감지 소자영역의 상기 N 형 확산영역은 고에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법.
- 제 1 항 내지는 제 3 항에 있어서,상기 이온주입 방지막은 금속 실리사이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법.
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