KR100585200B1 - Chuck table for manufacturing semiconductor - Google Patents

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KR100585200B1 KR1020050025609A KR20050025609A KR100585200B1 KR 100585200 B1 KR100585200 B1 KR 100585200B1 KR 1020050025609 A KR1020050025609 A KR 1020050025609A KR 20050025609 A KR20050025609 A KR 20050025609A KR 100585200 B1 KR100585200 B1 KR 100585200B1
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곽노권
정현권
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Abstract

본 발명에 따른 척테이블은 척테이블은 척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하는 반도체 제조공정용 척테이블에 있어서, 상기 척바디에는 반도체 스트립의 절단공정에서 발생된 스크랩이 상기 척바디의 상측에서 선접촉하며 배출되도록 형성된 돌출부를 구비하여 절삭시 발생되는 스크랩이 척테이블로부터 원활하게 배출시킨다. In the chuck table according to the present invention, the chuck table includes a chuck body and a suction pad coupled to an upper portion of the chuck body and a suction pad on which the semiconductor strip is adsorbed, wherein the chuck body has a cutting process of the semiconductor strip. The scrap generated in the upper portion of the chuck body has a protrusion formed to be discharged in line with the upper side of the scrap generated during cutting smoothly discharged from the chuck table.

척테이블, 반도체 스트립, 패키지, 흡착패드, 스크랩 Chuck Table, Semiconductor Strip, Package, Suction Pad, Scrap

Description

반도체 제조공정용 척테이블{Chuck table for manufacturing semiconductor}Chuck table for manufacturing semiconductor

도1은 종래의 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional chuck table for a semiconductor manufacturing process.

도2는 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 사시도이다. 2 is a perspective view showing a chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.

도3은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 평면도이다. 3 is a plan view showing a chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.

도4는 도3의 A-A선에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 단면도이다. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a chuck table for a semiconductor manufacturing process along a line A-A in FIG. 3.

도5는 도3에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 저면도이다. 5 is a bottom view of the chuck table for the semiconductor manufacturing process according to FIG.

도6은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블의 돌출부의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다. 6 is a plan view showing another embodiment of the protrusion of the chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.

- 첨부도면의 주요부부에 대한 용어설명 --Explanation of terms for main parts of attached drawings-

10: 척바디 20: 흡착패드10: chuck body 20: adsorption pad

30: 돌출부 32: 유로홈30: protrusion 32: euro groove

34: 절삭날 도피홈34: Cutting edge escape groove

S: 반도체 스트립 S': 스크랩S: semiconductor strip S ': scrap

본 발명은 반도체 제조공정용 척테이블에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 반도체 절단공정에서 반도체 스트립이 개개의 반도체 패키지로 절삭되는 과정에서 발생되는 데브리스(Debris), 칩조각, 스크랩(Scrap)(이하, '스크랩'이라 함)을 상기 척테이블로부터 원활하게 배출시킬 수 있는 반도체 제조공정용 척테이블에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chuck table for a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to debris, chips, and scrap generated in the process of cutting a semiconductor strip into individual semiconductor packages in a semiconductor cutting process. The invention relates to a chuck table for a semiconductor manufacturing process capable of smoothly discharging a scrap from the chuck table.

일반적으로, 반도체 제조공정은 크게 FAB(Fabrication)공정과 어셈블리(Assembly)공정으로 이루어지는데, FAB공정에서는 실리콘 웨이퍼 상에 집적회로를 설계하여 반도체 칩을 형성하고, 어셈블리공정에서는 반도체 칩에 리드프레임 부착, 상기 반도체 칩과 리드프레임간의 통전을 위한 와이어 본딩(Wire bonding) 혹은 솔더볼(Solder ball)을 형성하는 솔더링 공정, 그리고 에폭시 등의 레진(Resin) 등을 이용한 몰딩 공정 등을 차례로 진행하여 반도체 스트립을 형성하게 된다. In general, a semiconductor manufacturing process is mainly composed of a fabrication (FAB) process and an assembly process. In the FAB process, an integrated circuit is designed on a silicon wafer to form a semiconductor chip, and in the assembly process, a lead frame is attached to the semiconductor chip. The semiconductor strip may be formed by sequentially performing a wire bonding or solder ball forming process for conducting electricity between the semiconductor chip and the lead frame, and a molding process using a resin such as epoxy. To form.

이러한 반도체 스트립은 소정의 픽커수단에 의해 척테이블(Chuck table)에 안착된 상태에서 절단장치로 이송된 후 절삭날(회전 블레이드)에 의해 개별적인 유닛 패키지 형태로 절단된다. 이와 같이, 반도체 제조공정 시스템에서는 반도체 스트립을 절단장치로 이송하며 절단공정동안 반도체 스트립 및/또는 반도체 패키지를 지지하는 척테이블이 필수적으로 구비되어야 한다.Such semiconductor strips are transferred to a cutting device in a state of being seated on a chuck table by a predetermined picker means and then cut into individual unit packages by cutting edges (rotary blades). As such, in a semiconductor manufacturing process system, a chuck table for transferring the semiconductor strip to the cutting device and supporting the semiconductor strip and / or the semiconductor package during the cutting process must be provided.

한편, 이러한 척테이블의 일반적인 구조가 도1에 도시되어 있다. On the other hand, the general structure of such a chuck table is shown in FIG.

도1은 종래의 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional chuck table for a semiconductor manufacturing process.

도1에 도시된 바와 같이, 종래의 척테이블은 척바디(10)와 흡착패드(20)로 구성되어 있다. 상기 척바디(10)는 상기 흡착패드(20)를 지지하는 요소이다. 이러 한 척바디(10)의 상부에는 상기 흡착패드(20)가 고정되는 패드안착홈(12)이 구비되어 있으며, 외부 진공원(미도시)에 연결된 다수의 진공연결공(14)이 관통 형성되어 있다. 상기 흡착패드(20)는 반도체 스트립(S)을 직접 진공 흡착하는 요소로서, 상기 척바디(10)의 패드안착홈(12)에 삽입 고정되어 있다. 이러한 흡착패드(20)는 통상 반도체 스트립의 손상을 방지하면서 반도체 기판과의 기밀유지를 위해 고무재질로 형성된다. 이러한 흡착패드(20)의 상부에는 다수의 흡착공간부(22)가 형성되어 있으며, 상기 흡착공간부(22)를 에워싸는 밀폐부(26)가 형성되어 있고, 이 밀폐부(26)에는 절삭날을 도피하기 위한 절삭홈(27)이 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착공간부(22)에는 상기 진공연결공(14)과 연결된 진공흡착공(24)이 형성되어 있다. As shown in Figure 1, the conventional chuck table is composed of a chuck body 10 and the suction pad (20). The chuck body 10 is an element supporting the suction pad 20. The upper part of the chuck body 10 is provided with a pad seating groove 12 to which the suction pad 20 is fixed, and a plurality of vacuum connection holes 14 connected to an external vacuum source (not shown) are formed therethrough. It is. The adsorption pad 20 is an element that directly vacuum-absorbs the semiconductor strip S, and is inserted into and fixed to the pad seating groove 12 of the chuck body 10. The suction pad 20 is generally formed of a rubber material for airtightness with the semiconductor substrate while preventing damage to the semiconductor strip. A plurality of adsorption spaces 22 are formed at the upper portion of the adsorption pad 20, and a seal 26 surrounding the adsorption space 22 is formed, and the seal 26 has a cutting edge. Cutting grooves 27 for escaping are formed. In addition, the suction space 22 is formed with a vacuum suction hole 24 connected to the vacuum connection hole (14).

이와 같이 구성되어, 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 안착되면 상기 진공연결공(14) 및 진공흡착공(24)을 통해 상기 흡착공간부(22)로 진공력이 제공되어 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 진공흡착된다. 이후, 척 테이블에 안착된 반도체 스트립은 절단장치로 이송된 후 절삭날(회전 블레이드)에 의해 개별적인 유닛 패키지 형태로 절단된다. When the semiconductor strip S is seated on the adsorption pad 20, the vacuum force is provided to the adsorption space 22 through the vacuum connection hole 14 and the vacuum adsorption hole 24. Strip S is vacuum-adsorbed to the adsorption pad 20. Thereafter, the semiconductor strip seated on the chuck table is transferred to the cutting device and then cut into individual unit packages by cutting edges (rotary blades).

한편, 이러한 절단과정에서 각각의 유닛 패키지 부분을 제외한 나머지 부분, 즉 스크랩은 노즐부로부터 분사되는 고압의 에어 및/또는 세척수 및 냉각수에 의해 척 테이블 외부로 배출된다. On the other hand, in this cutting process, the remaining portions except for each unit package portion, that is, the scrap, are discharged out of the chuck table by the high pressure air and / or the washing water and the cooling water sprayed from the nozzle unit.

하지만, 척테이블로부터 스크랩을 제거하는 과정에서 상기 스크랩이 상기 척테이블과 면접촉하기 때문에 척바디(10)로부터 잘 분리되지 않는 문제점이 있었다. 즉, 고압의 에어 및/또는 물에 의해서도 스크랩이 원활하게 배출되지 않아 반도체 스트립의 절단공정을 방해하는 경우가 종종 발생하게 된다. However, there is a problem that the scrap is not separated from the chuck body 10 because the scrap is in surface contact with the chuck table in the process of removing the scrap from the chuck table. In other words, even when the high-pressure air and / or water scraps are not smoothly discharged to interfere with the cutting process of the semiconductor strip often occurs.

또한, 도1에 도시된 바와 같이 절단공정 중 반도체 스트립의 외측 부분의 절삭시 외측부분이 더 무겁기 때문에 절삭날이 반도체 스트립을 절삭하는 과정에서 반도체 스트립(S)의 외측단이 아래로 쳐지기 때문에 절삭면에서 크랙(Crack)이 발생하여 절삭정밀도가 크게 떨어지는 문제점이 있었다. In addition, as shown in FIG. 1, since the outer portion is heavier during the cutting of the outer portion of the semiconductor strip during the cutting process, the outer end of the semiconductor strip S is struck down in the process of cutting the semiconductor strip. There was a problem in that the crack (Crack) occurs in the cutting surface is greatly reduced cutting precision.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 절단공정에서 반도체 스트립이 개개의 반도체 패키지로 절삭되는 과정에서 발생되는 스크랩을 척테이블로부터 원활하게 배출시킬 수 있는 반도체 제조공정용 척테이블을 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is a semiconductor that can smoothly discharge scrap generated in the process of cutting the semiconductor strip into individual semiconductor packages in the semiconductor cutting process from the chuck table It is to provide a chuck table for the manufacturing process.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 척테이블은 척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하는 반도체 제조공정용 척테이블에 있어서, 상기 척바디에는 반도체 스트립의 절단공정에서 발생된 스크랩이 상기 척바디의 상측에서 선접촉하며 배출되도록 형성된 돌출부를 구비한 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the chuck table according to the present invention is a chuck table for a semiconductor manufacturing process including a chuck body and a suction pad coupled to the upper portion of the chuck body and the semiconductor strip is adsorbed, the chuck body is a semiconductor The scrap generated in the cutting process of the strip is characterized in that it has a protrusion formed to be discharged in line contact with the upper side of the chuck body.

상기 돌출부는 스크랩의 배출방향을 따라 나란히 배열된 것을 특징으로 한다. The protrusions are arranged side by side along the discharge direction of the scrap.

상기 돌출부는 반원형 단면구조인 것을 특징으로 한다. The protrusion is characterized in that the semi-circular cross-sectional structure.

상기 돌출부의 상측에는 상기 돌출부의 길이방향을 가로지르는 방향으로 유 로홈이 형성되어 고압의 유체에 의해 스크랩이 상기 척바디로부터 용이하게 배출되도록 된 것을 특징으로 한다. Euro grooves are formed in a direction crossing the longitudinal direction of the protrusions so that the scrap is easily discharged from the chuck body by the high pressure fluid.

상기 돌출부의 최상단 높이는 상기 흡착패드의 최상단 높이와 일치하도록 설계하여 절삭시 스크랩이 아래로 쳐지는 것을 방지함으로써, 절삭된 몰드면에 크랙이 발생하는 최소화하는 것을 특징으로 한다. The top height of the protrusion is designed to coincide with the top height of the suction pad to prevent the scrap from falling down during cutting, thereby minimizing the occurrence of cracks in the cut mold surface.

이하, 본 발명의 반도체 제조공정용 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a chuck table for a semiconductor manufacturing process of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예를 설명함에 있어, 이미 설명한 종래기술 및 실시예의 구성요소와 대응되는 구성요소에 대하여는 동일한 명칭 및 동일한 참조부호를 부여하기로 한다. 또한, 대칭적으로 배치되거나 복수개로 이루어진 구성요소에 대해서는 그 중 하나에 대해서만 참조부호를 부여하여 설명하기로 한다. 또한, 참조부호 S는 피가공물로서 반도체 스트립을 의미한다. In describing the embodiments according to the present invention, the same names and the same reference numerals will be given to the components corresponding to those of the prior art and the embodiments described above. In addition, symmetrically arranged or a plurality of components will be described with reference numerals to only one of them. In addition, reference numeral S denotes a semiconductor strip as a workpiece.

도2는 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 사시도이고, 도3은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 평면도이고, 도4는 도3의 A-A선에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 단면도이고, 도5는 도3의 B-B선에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 단면도이며, 도6은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 척테이블의 돌출부의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다. Figure 2 is a perspective view showing a chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention, Figure 3 is a plan view showing a chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention, Figure 4 is a semiconductor manufacturing process according to the line AA of Figure 3 5 is a cross-sectional view showing a chuck table for a semiconductor manufacturing process along the line BB of FIG. 3, and FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the protrusion of the chuck table for a semiconductor manufacturing process according to the present invention. to be.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 척테이블은 척바디(10)와, 상기 척바디 (10)의 상부에 결합되며 반도체 스트립(S)이 흡착되는 흡착패드(20)를 포함하는 반도체 제조공정용 척테이블로서, 상기 척바디(10)에는 반도체 스트립(S)의 절단공정에서 발생된 스크랩(S')이 상기 척바디(10) 상측에서 선접촉하도록 돌출부(30)를 구비한다. 그리고, 상기 돌출부(30)와 돌출부(30) 사이에는 절삭날(미도시)이 지나가는 절삭날 도피홈(34)이 형성된다. As shown, the chuck table according to the present invention is a semiconductor manufacturing process including a chuck body 10, the suction pad 20 is coupled to the upper portion of the chuck body 10, the semiconductor strip (S) is adsorbed As the chuck table, the chuck body 10 includes a protrusion 30 so that the scrap S 'generated during the cutting process of the semiconductor strip S is in line contact with the chuck body 10. A cutting edge escape groove 34 through which a cutting edge (not shown) passes is formed between the protrusion 30 and the protrusion 30.

또한, 상기 척바디(10)는 스크랩(S')의 배출이 용이하도록 상기 흡착패드(20)에서 외측방향으로 테이퍼지게 형성된다. In addition, the chuck body 10 is formed to be tapered outward from the suction pad 20 to facilitate the discharge of the scrap (S ').

상기 척바디(10)의 상측 테두리에는 돌출부(30)가 형성되는데, 본 실시예에서 상기 돌출부(30)는 반원형 단면구조로 형성된다. 즉, 상기 돌출부(30)는 절단공정시 반도체 스트립(S)에서 발생되는 스크랩(S')과 선접촉하게 된다. 다시 말해, 상기 돌출부가 반원형 단면구조를 가짐으로써 스크랩(S')의 배출을 원활하게 한다. Protruding portion 30 is formed on the upper edge of the chuck body 10, in the present embodiment, the protruding portion 30 is formed in a semi-circular cross-sectional structure. That is, the protrusion 30 is in line contact with the scrap (S ') generated in the semiconductor strip (S) during the cutting process. In other words, the protrusion has a semi-circular cross-sectional structure to facilitate the discharge of the scrap (S ').

그리고, 상기 돌출부(30)는 흡착패드(20)로부터 척바디(10)의 외측방향으로 연장되어 배열된다. In addition, the protrusion 30 extends outward from the suction pad 20 in the chuck body 10.

바람직하게는, 도6에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부(30)는 스크랩(S')이 고압의 유체에 의해 상기 척바디(10)로부터 용이하게 배출되도록 유체분사방향에 대해 경사지게 형성된다. 다시 말해, 상기 돌출부(30)는 경사지게 배열되어 고압의 유체가 척바디(10)의 외측으로 퍼지면서 분사되도록 설계하여 상기 돌출부(30) 상측에 부착된 스크랩(S')이 상기 척바디(10)로부터 용이하게 이탈되는 것을 도와준다. Preferably, as shown in FIG. 6, the protrusion 30 is formed to be inclined with respect to the fluid injection direction so that the scrap S ′ is easily discharged from the chuck body 10 by the high pressure fluid. In other words, the protrusions 30 are arranged to be inclined so that the high pressure fluid is sprayed while spreading to the outside of the chuck body 10 so that the scrap S 'attached to the upper side of the protrusions 30 is the chuck body 10. ) To help you easily get away from it.

한편, 도6에서 상기 돌출부(30)는 상기 척테이블이 노즐부가 상기 척테이블 의 아래부분에서 분사되고, 상기 척테이블이 반시계방향으로 회전하는 경우를 도시한 것으로, 노즐부의 분사방향이나 상기 척테이블의 회전방향에 따라 상기 돌출부(30)의 배치방향은 다르게 변형될 수 있다. On the other hand, in Fig. 6, the projection 30 is a case where the chuck table is sprayed from the lower portion of the chuck table, the chuck table is rotated in the counterclockwise direction, the nozzle direction or the chuck According to the rotational direction of the table, the direction in which the protrusions 30 are arranged may be changed differently.

더욱 바람직하게는, 상기 돌출부(30)의 상측에는 유로홈(32)이 형성되어 고압의 유체에 의해 스크랩(S')이 상기 척바디(10)로부터 용이하게 배출되도록 한다. More preferably, the flow path groove 32 is formed on the upper side of the protrusion 30 so that the scrap S 'is easily discharged from the chuck body 10 by the high pressure fluid.

또한, 상기 돌출부(30)의 최상단 높이는 상기 흡착패드(20)의 최상단 높이와 일치하도록 설계하여 절삭시 스크랩(S')이 돌출부에 지지되도록 하여 절삭면의 크랙(Crack) 발생을 최소화한다. In addition, the top height of the protrusion 30 is designed to coincide with the top height of the suction pad 20 so that the scrap (S ') is supported on the protrusion during cutting to minimize the occurrence of cracks on the cutting surface.

이하, 본 발명의 반도체 제조공정용 척테이블의 작동상태를 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, the operating state of the chuck table for a semiconductor manufacturing process of the present invention will be described in detail.

반도체 스트립(S)이 척테이블에 안착된 상태에서 절단공정으로 이송된 경우, 절삭날(회전 블레이드)의 작동에 의해 개별적인 유닛 패키지 형태로 절단된다. 이때, 절단공정에서 스크랩(S')이 발생하게 되는데, 이렇게 발생된 스크랩(S')이 노즐부에서 분사된 고압의 에어 및/또는 물에 의해 대부분이 척테이블의 외부로 배출된다. 이때, 스크랩(S')이 원활하게 배출되는 이유는 반원형 단면구조를 가진 돌출부(30)에 의해 상기 스크랩(S')이 상기 돌출부(30)에 선접촉을 하기 때문에, 종전 면접촉에 비해 훨씬 원활하게 상기 스크랩(S')을 척테이블 외부로 배출시킬 수 있다.When the semiconductor strip S is transferred to the cutting process while seated on the chuck table, the semiconductor strip S is cut into individual unit packages by the operation of a cutting blade (rotary blade). At this time, the scrap (S ') is generated in the cutting process, most of the scrap (S') is discharged to the outside of the chuck table by the high pressure air and / or water injected from the nozzle unit. At this time, the reason that the scrap (S ') is smoothly discharged because the scrap (S') is in line contact with the protrusions 30 by the protrusion 30 having a semi-circular cross-sectional structure, much more than the conventional surface contact The scrap (S ') can be smoothly discharged to the outside of the chuck table.

또한, 상기 돌출부(30)가 유체의 분사방향에 대해 경사지게 배열되어 돌출부(30)의 경사방향을 따라 에어 및/또는 물이 분산되면서 상기 돌출부(30) 상측에 밀 착된 스크랩(S')이 상기 척바디(10)로부터 용이하게 분리된다. In addition, the protrusions 30 are arranged to be inclined with respect to the injection direction of the fluid so that air and / or water is dispersed along the inclination direction of the protrusions 30, so that the scrap S ′ closely contacting the upper side of the protrusions 30 is formed. It is easily separated from the chuck body 10.

그리고, 상기 돌출부(30)의 상측에 형성된 유로홈(32)을 따라 고압의 유체 일부가 상기 유로홈(32)을 따라 분사되면서 선접촉된 스크랩(S')이 상기 척바디(10)로부터 용이하게 이탈되게 하여 스크랩(S')이 척테이블 외부로 원활하게 배출되도록 한다. In addition, a portion of the high pressure fluid is injected along the flow path groove 32 along the flow path groove 32 formed above the protrusion 30 so that the scrap S 'that is in line contact is easily removed from the chuck body 10. So that the scrap (S ') is smoothly discharged to the outside of the chuck table.

또한, 상기 돌출부(30)의 최상단 높이는 상기 흡착패드(20)의 최상단 높이와 일치하도록 설계하여 절삭시 스크랩(S')의 외측단이 절단시 아래로 쳐지더라도 스크랩(S')이 돌출부에 지지되어 더이상 아래로 쳐지지 않으므로, 스트립의 저면에 형성된 몰드부분에 크랙이 발생하는 것이 방지된다. 즉, 절삭날(회전 블레이드)이 반도체 스트립(S)을 절삭하는 동안 스크랩(S')의 외측단이 상기 돌출부(30)의 상단에 지지됨으로써, 절삭면에서 크랙 발생을 최소화시켜 절삭정밀도를 크게 향상시키게 된다. 여기서, 절단공정에 무리를 주지않는 범위 내에서 흡착패드(20)의 최상단의 높이가 상기 돌출부(30)의 최상단의 높이보다 다소 높게 형성되어도 된다. In addition, the top height of the protrusion 30 is designed to match the top height of the adsorption pad 20 so that the scrap S 'is supported by the protrusion even when the outer end of the scrap S' is cut down during cutting. Since it is no longer struck down, cracks are prevented from occurring in the mold portion formed on the bottom of the strip. That is, while the cutting edge (rotary blade) is cutting the semiconductor strip S, the outer end of the scrap (S ') is supported on the upper end of the protrusion 30, thereby minimizing the occurrence of cracks in the cutting surface to increase the cutting precision Will be improved. Here, the height of the uppermost end of the suction pad 20 may be formed somewhat higher than the height of the uppermost end of the protruding portion 30 within a range not impairing the cutting process.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 척테이블은 반도체 절단공정에서 반도체 스트립이 개개의 반도체 패키지로 절삭되는 과정에서 발생되는 스크랩(S')을 척테이블로부터 원활하게 배출시킬 수 있는 효과가 있다. 즉, 척바디의 상측에 형성된 반원형의 돌출부로 인해 상기 돌출부와 스크랩이 선접촉을 하게 되어 고압의 유체에 의해 척테이블로부터 스크랩이 용이하게 이탈되어 배출된다. As described above, the chuck table according to the present invention has an effect of smoothly discharging the scrap (S ') generated in the process of cutting the semiconductor strip into individual semiconductor packages in the semiconductor cutting process from the chuck table. That is, the semicircular protrusions formed on the upper side of the chuck body make the protrusions and the scraps come into line contact, and the scraps are easily discharged from the chuck table by the high pressure fluid.

이상의 예에서와 같이, 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일한 원 리를 이용하여 다양하게 응용될 수 있을 것이다. 즉, 상기 실시예에서 반도체 스트립이 피가공물인 경우만 설명되어 있으나, 이에 한정되지 않고 본 발명은 다양한 반도체 제품 및 반제품에도 적용할 수 있다. 또한, 상기 돌출부의 형상은 반원형, 삼각형, 타원형 등의 단면구조 뿐만 아니라 선접촉이 가능하도록 다양한 형상으로 설계변경 가능할 것이다. 따라서, 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라고 해석되야 할 것이다. As in the above example, the present invention may be variously applied using the same principle by appropriately modifying the above embodiments. That is, in the above embodiment, only the case where the semiconductor strip is a workpiece is described. However, the present invention is not limited thereto and the present invention can be applied to various semiconductor products and semi-finished products. In addition, the shape of the protrusion will be able to change the design in a variety of shapes to enable line contact as well as a semi-circular, triangular, oval cross-sectional structure. Therefore, it should be interpreted that the above description does not limit the scope of the present invention, which is defined by the limits of the following claims.

Claims (5)

척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하는 반도체 제조공정용 척테이블에 있어서, In the chuck table for a semiconductor manufacturing process comprising a chuck body and a suction pad coupled to the upper portion of the chuck body, the semiconductor strip is adsorbed, 상기 척바디에는 반도체 스트립의 절단공정에서 발생된 스크랩이 상기 척바디의 상측에서 선접촉하며 배출되도록 형성된 돌출부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.The chuck body has a chuck table for a semiconductor manufacturing process, characterized in that the protrusion is formed so that the scrap generated in the cutting process of the semiconductor strip is in line contact with the upper side of the chuck body discharged. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌출부는 스크랩의 배출방향을 따라 나란히 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.The protrusion is a chuck table for a semiconductor manufacturing process, characterized in that arranged side by side along the discharge direction of the scrap. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 돌출부는 반원형 단면구조인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.The protruding portion is a semi-circular cross-sectional structure of the semiconductor manufacturing process chuck table. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 돌출부의 상측에는 상기 돌출부의 길이방향을 가로지르는 방향으로 유로홈이 형성되어 고압의 유체에 의해 스크랩이 상기 척바디로부터 용이하게 배출되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.A chuck table for a semiconductor manufacturing process as above, wherein a flow path groove is formed in a direction crossing the longitudinal direction of the protrusion so that scrap is easily discharged from the chuck body by a high pressure fluid. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 돌출부의 최상단 높이는 상기 흡착패드의 최상단 높이와 일치하도록 설계하여 절삭시 스크랩이 아래로 쳐지는 것을 방지함으로써, 절삭된 몰드면에 크랙이 발생하는 최소화하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.The top height of the protrusion is designed to match the top height of the suction pad to prevent the scrap from hitting down during cutting, thereby minimizing the occurrence of cracks on the cut mold surface.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101415162B1 (en) * 2012-08-20 2014-07-04 한미반도체 주식회사 Suction unit for semiconductor manufacturing apparatus
KR101560305B1 (en) * 2010-09-20 2015-10-14 한미반도체 주식회사 Board dicing system and apparatus for supporting board

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