KR100570334B1 - 회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론 및 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법 - Google Patents

회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론 및 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법 Download PDF

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Abstract

회전 원통형 타겟과 고정 자석단(22, 24*)을 갖는 스퍼터링 마그네트론으로서 상기 자석단은 상기 타겟의 표면에 가늘고 긴 플라즈마 레이스 트랙을 발생시키도록 조정되어 있고, 상기 가늘고 긴 레이스 트랙은 그 길이의 대부분에 거의평행한 트랙을 갖고 단부에 의해 각 끝에서 닫혀 있고, 상기 레이스 트랙의 트랙 사이의 공간이 국소적으로 증가하여 기판에 스퍼터링을 일으키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론에 관한 것이다. 간격의 증가가 단부에서 또는 평행 트랙부를 따라 있다. 간격의 증가로 인하여 레이스 트랙의 단부 아래에서 타겟침식이 더욱 균일하게 되며 기판에의 코팅도 더욱 균일하게 된다.

Description

회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론 및 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법{A sputtering magnetron with a rotating cylindrical target and a stationary magnet assembly and a method of operating a sputtering magnetron}
본 발명은 마그네트론을 동작시키는 방법뿐만 아니라 튜브형 음극타겟에서 고정 또는 이동기판으로 재료를 스퍼터링 또는 반응성 스퍼터링하는데 사용하는 향상된 회전음극마그네트론에 관한 것이다. 본 발명의 마그네트론의 자석단(magnet assembly)은 플라즈마 레이스 트랙(race-track)에서 국부적 변화가 발생하여 스퍼터링과정에 새로운 이점을 줄 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 새로운 자석단은 곡선으로 배치할 경우에 특히 적절하다.
표준 비반응 금속 스퍼터 모드에서, 평면형 마그네트론의 스퍼터링이 알려져 있다. 그러나, 가장 주목할 단점은 타겟재료에 침식으로 인한 홈이 형성된다는 것인데, 이 홈과 홈을 발생시키는 플라즈마를 흔히 레이스 트랙이라고 한다. 불균일하게 침식된 외형은 본래 타겟 아래에 있는 자석의 구성과 관련이 있다. 결과적으로, 침식홈의 깊이가 어느 시점에서 타겟의 두께와 같게 되기 전에 타겟을 교체하여야 한다. 전형적으로 타겟재료의 30%만이 교체전에 소모되는데 이것은 타겟재료의 비용뿐만 아니라 인건비가 많이 들기 때문에 고비용의 공정이 된다.
평면형 마그네트론을 이용한 반응성 스퍼터링 동안(즉, 플라즈마는 타겟과 반응하는 하나 이상의 기체를 포함한다), 아크 및 플라즈마 불안정이라는 부가적인 문제가 발생한다. 이러한 문제점은 원통형의 회전 타겟 마그네트론을 도입함으로써 해결할 수 있다. 첫째, 회전 타겟 마그네트론을 사용하여 레이스 트랙이 형성되지 않도록 하고 타겟에 소모되는 재료를 80%까지 높인다. 두 번째로, 회전음극의 성질 때문에, 반응성 스퍼터 증착동안 문제의 발생이 적어지고 더욱 안정된 공정이 수행된다. 그렇지만, 많은 양의 재료가 실드(shield)에 증착된다. 이 실드는 원하지 않는 위치에 타겟재료가 증착되는 것을 방지하기 위해 타겟과 기판 사이에 위치해 있다. 따라서, 박리(flaking)의 위험을 줄이기 위해 실드에 대한 규칙적인 클리닝과 광범위한 주의(예를 들어, 수냉)가 있어야 한다. 실드로부터 재료가 박리되는 것은 스퍼터링된 표면을 오염시킬 수 있다.
한 번의 통과 동안(유리 및 웹 코팅(web coating)에서 전형적인 조건임) 균일하게 큰 기판을 코팅하는 것은, 매우 중요한 처리 중의 하나이다. 부가적인 쐐기형 실드를 놓거나(다른 오염입자 생성원을 도입) 자계선의 세기를 변화시킴으로써(다른 자화방향을 갖거나 타겟으로부터 다른 방향에 있는 자석을 사용) 제어할 수 있다. 후자의 방법이 불균일한 코팅이나 타겟재료의 낭비를 가져온다.
원통형 마그네트론은 그 기하학적 구조상 전형적인 단점을 갖고 있다. 자석은 회전 원통형 타겟 튜브 내에 위치한 고정 막대에 장착되어 있다. 자석구성의 너비는 작게 되어 있는데 이것은 끝부분의 회전이 상당히 빠르다는 것을 의미한다. 기존의 자석단은 끝부분의 회전에 있어서 최적의 구성을 갖지 못하여 타겟의 양 끝부분에서 플라즈마의 억제가 감소하고 전자의 손실이 증가하였다. 음극 표면에서 자계의 세기를 크게 하기 위해 가능한한 타겟튜브에 가깝게 하는 것이 바람직하다. 또한, 타겟튜브의 양 끝부분에서, 자석(그리고 레이스 트랙)이 U자형으로 되어 있어 더 많은 타겟재료가 제거된다. U자형의 윗부분은 타겟이 회전하면서 동일한 세로방향 위치에 있는 플라즈마 레이스 트랙의 길이를 나타낸다. 이것은 양 끝부분의 타겟 튜브 주위에 원형의 홈을 남긴다. 결국, 아래있는 튜브재료가 기판에 증착되는 것이 매우 좋지 않기 때문에 튜브의 타겟의 수명은 이 홈의 깊이에 의해 제한을 받는다.
고정 내부 자석단을 갖고 있는 회전 음극 스퍼터링 마그네트론이 US4,422,916, US5,364,518이나 WO96/21750에 공지되어 있다. 특히, US5,364,518와 WO96/21750에서는 타겟 위에 가늘고 긴 플라즈마 레이스 트랙을 만드는 자석단을 제안하고 있는데, 여기서 타겟은 각 단부 또는 U자곡에 의해 각 끝부분에서 종결되는 공간적으로 떨어진 한 쌍의 평행직선길이를 갖는 형태로 되어 있다. 미국특허 US5,364,518은 끝부분에서 레이스 트랙의 트랙을 확장시킴으로써 타겟침식을 제어하는 것을 제안하고 있다. WO96/21750에서 설명된 바와 같이, US5,364,518에 의한 방법은 끝부분에서 레이스 트랙의 트랙이 넓어서, 마그네트론의 공간이 넓어지면서 발생한 자계 세기의 감소와 이에 따른 전자의 손실 때문에, 플라즈마의 불안정을 일으킨다. 대신에, WO97/21750은 레이스 트랙의 끝부분을 첨예하게 하고 있다. 즉, 끝부분을 예각삼각형으로 길게 하거나 타원에 가깝게 또는 포물선형태로 한다. 끝부분을 뾰족하게 하는 것은 특히 삼각형으로 할 때 꼭지점의 반경이 매우 작아진다는 단점이 있다. 이것은 전자가 촘촘한 굴곡을 지나가기 때문에 결과적으로 전자의 손실을 가져온다. 전자의 손실을 줄이기 위해 전자가 트랙에 더욱 밀접하게 결박되도록 이 지점에서 자계를 증가시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 자계를 증가시키는 것은 플라즈마 밀도를 증가시켜 타겟침식을 증가시킨다. 또한, WO97/21750에서는 레이스 트랙의 단부에 포물선 또는 타원에 가까운 형태 등의 복잡한 기하학적 형태를 제안하고 있는데, 그러한 트랙의 개선된 기하학적인 형태를 만드는 방법으로 유일하게 공개된 것은 소위 럼프 자석방법(lumped magnet method)으로 불리는 불연속 부분의 자석을 사용하는 방법이다. 레이스 트랙을 럼프자석을 이용하여 포물선과 같은 복잡한 기하학적 형태로 정확히 만드는 것은 불가능하다. 자석 사이의 층은 매끄러운 곡선과 관계가 없는 성(城)모양의 외관을 보이고 있다(도 3참조).
US5,645,699는 반응성 스퍼터링 동안 기판의 증착율에 영향을 끼치는 양극의 사용을 기술하고 있다. 이 공지된 방법은 레이스 트랙의 끝부분 굴곡에서 전자의 손실은 불가피하다는 가정에서 출발한다.
본 발명은 스퍼터링을 효과적으로 제어할 수 있는 스퍼터링 마그네트론과 그 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 타겟의 끝부분에서 균일하게 침식이 일어날 수 있도록 하는 스퍼터링 마그네트론과 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판에 균일한 증착이 일어날 수 있도록 하는 스퍼터링 마그네트론과 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 레이스 트랙의 끝부분에서 전자손실을 감소 시키는 스퍼터링 마그네트론과 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 타겟의 이용을 향상시키며 기판에 스퍼터링되는 코팅을 바꾸는 새롭고 유용한 방식을 허용하는 스퍼터링 마그네트론과 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론에 있어서, 상기 자석단은 상기 타겟의 표면에 가늘고 긴 플라즈마 레이스 트랙을 발생시키도록 조정되어 있고, 상기 가늘고 긴 레이스 트랙은 그 길이의 대부분에 거의 평행한 트랙을 갖고 단부에 의해 각 끝에서 닫혀 있고, 상기 레이스 트랙의 트랙 사이의 공간이 국부적으로 증가하여 기판에 스퍼터링을 일으키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론을 제공한다.
본 발명은 회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖는 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법에 있어서, 상기 자석단을 사용하여 상기 타겟의 표면에 가늘고 긴 플라즈마 레이스 트랙을 생성하는 단계와, 기판에 실질적인 스퍼터링을 일으키기 위해 상기 레이스 트랙의 트랙 사이의 공간이 국부적으로 증가하는 단계를 포함하고, 상기 가늘고 긴 레이스 트랙은 단부에 의해 각 끝부분이 닫혀 있고 그 길이의 대부분에 거의 평행한 트랙을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법을 제공한다.
본 발명은 실드(shield)에 대한 요구를 거의 줄일 수 있는 이점이 있다. 결과적으로 이러한 실드를 유지하는데 소요되는 비용과 시간을 줄일 수 있으면서 공정 및 제품의 품질에 미치는 실드의 나쁜 영향을 최소화할 수 있다. 이러한 특성은 타겟과 기판 사이의 영역에 원치않는 재료의 증착을 감소시킴으로써 얻을 수 있다. 초과 재료는 여전히 진공실 내로 들어가지만 비임계위치 예를 들면 타겟과 진공실 내벽 사이의 실드 상에 모인다. 이러한 실드는 기판과 직접적인 관계가 없기 때문에 세심한 주의, 유지관리는 요구되지 않으며, 공정이나 박막의 질에 영향을 주지 않는다.
또한, 실드는 기판 위 박막의 불균일을 제어하는데 더 이상 필요하지 않다. 또한, 자석의 세기와 거리를 변화시키는 현재 기술로 타겟재료가 불균일하게 소비되는 것을 극복할 수 있다. 본 발명에 의해, 기판상의 어느 원하는 위치에 기판으로의 스퍼터링 효율의 정밀한 제어를 얻을 수 있으며 또한 원통형 타겟튜브의 균일한 침식을 유지할 있다. 이것은 표준 튜브가 침식측면외형을 균일하게 할 수 있는데 사용될 수 있음을 의미한다.
또한, 본 발명은 자석단을 자유롭게 구성할 수 있도록 한다. 타겟 튜브의 끝부분에서의 U자형 굴곡은 자유롭게 정의되며 자계선을 좀 더 잘 제어할 수 있도록 한다. 따라서, 굴곡부와 직선영역에서 플라즈마 구성은 전자손실이 감소하므로써 얻어질 수 있다. U자곡의 반경이 타겟 튜브의 지름보다 큰 값으로도 변경될 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 자석단에 근접한 자계의 방향이 타겟표면과 수직으로 배열되어 타겟표면에 큰 자계력을 형성하게 한다. 동일하게, 자석단에서 자석의 상부면이 타겟에 대하여 가장 근접한 위치에 오도록 할 수 있는 타겟튜브와 평행하게 배치되어, 가장 큰 자기효율을 준다.
종래의 장치로부터 알려진 타겟튜브의 끝에 있는 원형 침식홈(U자곡에 기인함)은 감소될 수 있으며 어느 경우에는 제거될 수도 있다. 본 발명의 실시예에 따르면 스푼 또는 타원형(즉, 반타원형 이상)이 끝부분영역에서의 레이스 트랙으로 좋다. 홈이 매우 깊어 아래 위치한 재료가 보이게 된 오래되고 낡은 타겟이라도 기판에 잘못된 재료가 증착되는 위험없이 재사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 레이스 트랙이 음극의 후면을 가로지르게 배치되는 경우 동시적인 금속 및 반응성 스퍼터링을 얻을 수 있다.
본 발명은 또한 자석단과 타겟을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론에 있어서,
상기 자석단은 상기 타겟의 표면에 곡선의 플라즈마 레이스 트랙을 생성하도록 조정되어 있고, 상기 자석단은 제 1자극의 자계를 발생시키는 제 1부와, 상기 제 1부에서 사이를 두고 배치되어 제 2자극의 자계를 발생시키는 제 2부로 구성되고, 상기 제 1부와 제 2부는 상기 곡선의 플라즈마 레이스 트랙을 감싸는데 적절한 자계를 정의하고, 상기 제 1부와 제 2부의 하나는 적어도 하나의 자석을 갖고 다른 하나는 상기 자석을 갖는 자기회로를 형성하는 연성자성물질에 의해 경계를 이루는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론을 포함한다. 제 2부가 경계를 이룬다는 것은 제 2부가 자성물질과 비자성물질 사이, 즉 자석어레이 및 타겟 위 대기에 인터페이스인 자극을 정의한다는 것을 의미한다.
종속항은 본 발명의 개개의 실시예를 나타낸다. 본 발명은 그 실시예와 이점을 다음의 도면을 참고하여 설명할 것이다.
본 발명은 특정의 실시예에 대하여 일정한 도면을 참고하여 설명할 것이지만, 이에 한정되지 않으며 청구범위에 의해 특정될 것이다. 기술되는 도면은 단지 개략적이며 한정된 것이 아니다.
도 1과 도 2a, 2b는 본 발명에 의한 스퍼터링 마그네트론(10)의 개략도이다. 도 1은 진공실(2)내에 있는 타겟(4)의 측면도이고, 도 2a는 타겟(4)의 횡단면도이고, 도 2b는 도 2a에서의 타켓(4)의 일부 확대도이다. 진공실(2)은 이동가능한 원통형의 타겟(4)을 포함한다. 타겟(4)은 전기모터 또는 급수탱크(6)를 통해 타겟(4)에 연결된 수력모터 등의 적절한 구동장치에 의해 구동된다. 타겟(4)의 다른 쪽 끝부분은 다른 급수탱크(8)에 의해 지지되어 있어 급수탱크(8)를 통해 타겟(4)과 전원(도시되지 않음)의 냉매가 진공실(2) 안으로 들어온다. 타겟(4)은 스퍼터링 재료로 만든 튜브이거나 외면에 스퍼터링 재료가 여러개의 층(5)을 이룰 수 있다. 타겟(4)은 일반적으로 급수탱크(8)를 통해 공급되는 전압에 의해 음전위 상태에 있다. 전형적인 타겟재료에는 예를 들어 티타늄이나 실리콘이 있다. 스퍼터링되는 기판(12)은 타겟(4)의 근방에 배치되어 있다. 기판(12)은 고정되어 있거나 롤러(11)에 의해 구동되는 타겟(4)을 지나 이동하는 연속적인 판일 수도 있다. 전형적인 기판재료에는 예를 들어 판유리, 플라스틱웹(plastic web) 또는 판금속이 있다. 진공실(2)은 반응성 스퍼터링에 사용하는 질소나 산소 등의 반응성기체를 유입하는 수단(16)뿐만 아니라 아르곤 등의 불활성 기체를 유입하는 수단(14)도 포함한다. 또한, 하나 이상의 기판(12)과 하나 이상의 타겟(4)이 진공실(2) 안에 있을 수 있다.
일반적으로 고정된 자석단(20)은 원통형의 타겟(4) 안에 배치되어 있다. 자석단(20)은 각각의 자석(22, 24)이 도면에서 주어진 형태로 배치되어 구성될 수 있으며, 또한 본 발명의 특징에 따라 한 자극을 형성하는 자석과 이와 다른 자극을 형성하는 특정한 형태를 갖는 연성의 자성물질을 포함할 수 있다. 일반적으로, 타겟층(5) 방향으로 N극을 갖는 자석(22)의 중앙렬이나 열들은 타겟(4) 방향으로 S극을 갖는 연성의 자성물질이나 자석(24)에 의해 둘러싸여 있다. 자석(22, 24)은 자기보존철편으로서 연성의 자성형성부(26) 상에 배치되어 있는데, 형성부(26)는 튜브형이거나 튜브의 일부분일 수 있다. 또한, 자석(22, 24)은 플라스틱 튜브(21)에 삽입되어 자석(22, 24)의 산화를 방지하고 냉매와의 접촉을 방지하기 위해 다른 튜브(19)에 싸여 있다.
타겟재료(5) 바로 위에 자석(22, 24)에 의해 발생하는 자계(17)는 타겟(4)과 기판(12) 사이를 가로지르는 정전계와 결합되어 타겟(4)의 표면(5)에서 기판(12)으로 재료를 스퍼터링하는 폐루프의 플라즈마를 방출한다. 스퍼터링에 의해 발생한 열은 냉각회로에 의해 제거된다. 즉, 중앙의 튜브(23)에서 공급되어 타겟층(5) 아래의 공간(25)을 순환하는 냉매에 의해 냉각된다. 종래의 금속 스퍼터링이나 반응성 스퍼터링을 위해서는, 진공실(2) 안이 10-2내지 10-4 mbar정도의 진공상태가 유지되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 회전하는 원통형 타겟(4)을 갖는 스퍼터링 마그네트론(10)의 자석단(20)이 타겟(4) 표면 상에 가늘고 긴 플라즈마 레이스 트랙(race-track)(50)(도 6, 도 10a 참조)을 형성하도록 조정되어 있는데, 이 가늘고 길게 형성된 플라즈마 레이스 트랙은 대부분의 길이가 거의 평행한 트랙을 갖고 단부에 의해 각 끝이 닫혀 있으며 레이스 트랙의 트랙공간이 국부적으로 변하여(증가하여) 기판에 스퍼터링을 실행한다.
비교를 위해, WO97/21750에서 공지되어 있는 바와 같이, 회전 마그네트론에서의 종래 자석구성이 도 3에 도시되어 있다. 도면에서 타겟 튜브(4)의 한 끝부분만을 나타내고 있는데, 다른 끝부분도 비슷한 배치를 갖는다. 중앙의 자석(22)(이중막대로 도시됨)은 주위를 둘러싸고 있는 자석(24, 24', 24", 24"')에 대하여 반대의 자화방향을 갖고 있다. 자계분포는 거의 평행한 중앙부(28)를 갖고, 튜브 끝부분 근처에 있는 자석(24', 24", 24"')이 폐루프(29)를 만든다. 도 3b는 자석단(20)의 평면도이다. 자석단(20)는 연속적인 직선형 자석(22)을 갖고 있는 것처럼 보이나, 자석단(20)는 선을 따라 배치된 일련의 각 자석블록으로 이루어져 있음을 이해하여야 한다. 이것을 "lumped" 자석단로 부르기도 한다. 럼프 자석(lumped magnet)(24', 24", 24"')은 자계를 형성하는데 이 자계는 일련의 단계를 포함하고 포물선이나 타원에 가까운 매끄러운 곡선에 근사한다. 도 3a는 종래의 자석단(20)의 세로방향의 단면을 나타낸다. 자석(24', 24", 24"')에 의해 형성된 외부루프는 자석단(20)의 원통형 지지물의 곡률(도시하지 않음) 때문에 내부 자석(22)에 대하여 옵셋으로 된다. 도 3c는 타겟(4)의 끝부분의 단면을 나타낸다.
본 발명에 의한 자석단의 예를 도 4 내지 도 11을 참조하여 설명한다. 도 4와 도 5에서, 자석어레이(20)의 단부(29)가 거의 평행한 중앙부(28)의 너비(33)와 비교할 때, 지름(34)이 증가해 있다. 이것은 끝부분에서 타겟(4)의 침식을 제어하는데 사용될 수 있다. 도 9에서, 평행한 중앙부(28)의 부분에서 자석어레이(20)의 공간(35)이 증가해 있다. 이것이 예를 들면, 기판(12)에 스퍼터링되는 코팅의 두께를 줄이는 특별한 효과를 내는데 사용되는 국부적인 스퍼터링의 방향을 변환시킨다. 도 10에서는, 타겟(4)의 대응지역에서 기판(12)으로 스퍼터링되는 재료의 양을 바꾸도록 자석어레이(20)의 단부(29)의 국부공간이 국부적으로 증가해 있다.
도 4a-c에서, 타겟튜브(4)의 한 끝부분만이 도시되어 있는데, 다른 끝부분은 유사하거나 또는 다른 배치를 갖을 수 있다. 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 자석단(20)의 이상적인 표현이다. 중앙의 자석(22)(2개의 막대로 도시됨)은 주위를 둘러싸고 있는 자석(24)에 대하여 반대의 자화방향(예를 들어, 타겟방향으로 N극)을 갖는다. 얻어진 자계분포는 거의 평행한 중앙부(28)를 포함하고, 튜브의 끝부분에 가장 가까운 자석이 끝에 폐루프(29)를 형성한다. 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 자석어레이(20)의 평면도이다. 자석어레이(20)이 연속선(22, 24)으로 도시되어 있으나, 자석어레이(20)은 일련의 각 자석블록으로 이루어져 있거나 하나의 극 또는 양 극으로서 특정 형태의 연성의 자성물질를 포함할 수 있음을 알아야 한다. 도 4a는 자석어레이(20)의 세로방향 단면도를 나타낸다. 자석어레이(20)의 자석(22, 24)은 타겟 튜브(4)의 내경에 가깝게 배열되어 있다. 자석(22, 24)은 연성의 자성 튜브(26)(도 4C에 도시) 또는 튜브의 부분 예컨대 순철 또는 연철 등에 장착된다. 내부 자석(22)은 단부(29)에 타겟(4)의 중앙쪽으로 이중막대의 너비보다 크거나 같은 지름을 갖는 루프(25)를 형성한다. 루프(25)는 같은 위치에서(도시되지 않음) 루프(25)의 형태의 단일 자석으로 교체될 수 있다. 외부 자석(24)도 평행한 중앙부(28)의 끝에서 루프(27)를 형성한다. 루프(27)는 중앙부의 너비(33)보다 크거나 같은 지름(34)를 갖는다. 거의 평행한 중앙지역에 있는 외부자석(24)과 내부자석(22) 사이의 공간이 31로 표시되어 있다. 끝부분의 루프영역(29)에 있는 공간 즉 외부 루프(27)와 자석(22, 24)의 내부 루프(25)의 공간(32)은 공간(31)과 같거나 다를 수 있고(클 수 있음), 루프영역(29) 주위에서 변할 수 있다. 본 발명에 의하면 타겟(4)의 균일한 침식을 위해 공간(32)과 지름(34)은 서로 특정관계로 배열되어 있다.
타겟(4)의 곡률 때문에, 도 4a의 외부 또는 내부 루프(27, 25)의 부분(35, 37)이 중앙부와 단부(22, 24, 36, 38)에 대하여 옵셋으로 나타난다. 도 4c는 타겟튜브(4)를 자른 단면도로서 형성부(26)를 나타낸다.
도 5a-c는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 도 5에서 도 4a-c와 동일한 참조부호는 유사한 구성요소임을 나타낸다. 이 실시예에 있어서, 단부(29)의 내부와 외부 자석(22, 24)은 튜브형 타겟(4)의 내부 주위로 확장되어 외부와 내부(27, 25) 루프의 부분(36, 38)이 기판(12)에서 떨어진 타겟의 후면으로 확장된다. 이러한 자석배치의 효과는, 플라즈마 레이스 트랙이 타겟의 후면 주위의 자석(22, 24)을 따르고 기판(12)에서 멀리 확장되어 타겟재료가 기판보다 진공실(2) 내부에서 스퍼터링된다는 것이다. 본 발명에 의하면, 끝부분 폐루프(25, 27)는 도 4와 5에서 도시한 두 극 사이의 어느 위치에도 있을 수 있다.
도 4a-c와 도 5a-c에서 도시한 실시예를 도 6 내지 도 8을 참고하여 설명한다. 도 6은 본 발명에 의한 플라즈마 레이스 트랙(50)의 끝부분 루프(49)의 개략도이다. 자석(22, 24)은 도 4 또는 도 5에서 개략적으로 도시한 바와 같이 배치되어 플라즈마 레이스 트랙(50)을 생성한다. 끝부분 루프(49)는 3개의 영역을 갖고 있다. 전이영역(52)은 레이스 트랙의 중앙 평행부(56)와 루프(49)의 끝부분 사이에 있다. 이 전이영역(52)은 레이스 트랙(50)의 양측에 스완넥 전이(swan-neck transition)를 포함하여 급격한 코너 또는 방향의 전환를 방지한다. 레이스 트랙(50)의 중간영역(54)에서 거의 평행한 중앙부(56)로의 전이가 작으면 전이영역(52)은 분배된다. 중간영역(54)은 대략 활모양을 갖는 부분이다. 끝부분 영역(58)도 대략 활모양으로 중간영역(54)과 연결되어 있다. 레이스 트랙(50)의 트랙 "s"의 너비는 끝부분 루프(49) 주위에서 변하지만 본 발명에 의하면 이 너비 "s"는 적어도 끝부분 영역(58)에서 거의 일정하다. 레이스 트랙의 트랙 너비는 중간영역(54)과 전이영역(52)에서 끝부분 영역(58)의 "s"에서 레이스 트랙(50)의 중앙부(56)의 너비 "t"로 매끄럽게 변한다. 적어도 대략적으로 중간영역(54)과 끝부분 영역(58)의 활모양 부분이 단절없이 연결되는 것으로 가정한다. 또한, 전이영역(52), 중간영역(54) 및 끝부분 영역(58)에 의해 만들어진 레이스 트랙 형태는 대략 장축 반경 "r"과 단축 반경 "p"을 갖는 타원이다. 잘 알려진 바와 같이, 타원은 다음의 식으로 표현된다.
1=x2/r2+y2/p2 y는 수직축, x는 수평축
자석어레이와 대응하는 플라즈마 레이스 트랙이 도 6에서 도시한 이상적인 것과 다소 다르지만 본 발명을 기술하는 것처럼, 이러한 근사는 본 발명의 범위를 확정하는데 사용되며 본 발명이 플라즈마 레이스 트랙과 대응하는 자석어레이를 포함하여 동일한 효과를 얻을 수 있다는 것은 당업자라면 알 수 있을 것이다.
본 발명에 의하면, "r", "s" 및 "p" 간의 특정관계에 대하여 거리뿐만 아니라 자석의 세기 및 재료를 결합하여 자석이 타겟으로부터 어느 위치에 놓이는 지가 결정되어, 끝부분 루프(49)의 타겟침식이 거의 균일하게 될 수 있다. 본 발명에 의하면 거의 균일하다는 것은 끝부분 루프(49)에서의 타겟침식과 끝부분 루프(49)와 레이스 트랙의 중앙부(56) 사이의 타겟침식에서 20% 이하의 차이가 있음을 의미한다. 본 발명자는 자석의 세기, 재료 및 자석에서 타겟까지의 거리를 결합하여 끝부분 루프(49)의 반경이 상대적으로 클 수 있고 충분히 큰 자계력으로 전자가 쉽게 플라즈마로부터 이탈하지 않고 곡선을 횡단하면서도 그 곡선의 자계를 유지할 수 있어서 타겟침식의 깊이를 제어할 수 있는 "r", "s" 및 "p"의 조합이 있다는 놀라운 사실을 알아 내었다. 굴곡에서 레이스 트랙의 트랙너비의 변화와 자계의 세기 감소와 결합된 굴곡영역(49)의 큰 지름을 갖는 완만한 곡선의 사용으로, 침식이 균일해 지고 전자손실이 최소화된다.
도 7a와 7b는 레이스 트랙의 단부(49)의 주위, 또는 단부와 거의 평행한 중앙부(56) 사이의 침식에서 최대 20%의 차이, 즉 20% 이하의 차이(20%-0%)를 일정한 제한적 결과로서 나타낸다. 이 차이는 본 발명에 의하면 거의 균일한 침식이다. 도 8a와 8b는 타겟침식에서 0% 차이에 대한 유사한 그래프를 나타낸다. 도 7과 도 8에서의 "y"축은 평행 중앙부와 비교하여 침식홈의 단위 너비 당 평균 타겟침식 률과 관련된다(1=중앙부에서처럼 단위 너비 당 동일한 비율). "x"축은 도 6의 타원 근사에 대한 p/r비이다. 도 7a와 8a에서 3번째 차원인 z는 타겟침식 외형 "s"의 너비를 나타낸다(자석 공간과 유사하지만 동일하지는 않음). 본 발명자에 의해 균일한 침식을 만들어 주는 굴곡에서의 레이스 트랙의 너비는 대략 z×p인 것으로 밝혀졌다. 도 7a의 그래프의 예로서, 단위 홈너비(y축) 당 홈침식의 비가 1이면(즉, 굴곡에서 단위 너비 당 침식률이 평행 중앙부에서와 동일)이고 p/r비가 1.5이면, z좌표는 2.8이다. 따라서, 거의 균일한 침식을 얻기 위해 굴곡의 중앙에서 침식홈의 너비가 z.p=2.8p 또는 4.2r로 하여야 한다.
따라서, 도 7a와 8a의 그래프는 동일 침식표면, 즉 비교적 균일한 침식표면을 나타낸다. 도 7a와 도 8a에서 나타낸 동일 침식표면 내 또는 사이에 있는 좌표는 레이스 트랙의 중앙 평행부의 침식깊이에 비하여 20%-0% 사이의 범위에서 침식깊이를 제공한다. 즉, 본 발명에 따라서 끝부분 굴곡에서 거의 균일한 침식이 일어난다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 단부(49)의 레이스 트랙 방향으로 점진적인 변화가 있으면 좋다. 매우 크거나 작은 p/r 비는 플라즈마의 전자가 플라즈마로부터의 전자손실을 가져오는 굴곡을 포함하여 급격히 변하는 경로를 따라가야 함을 의미한다. p/r 비가 2보다 작으면 좋다. 또한, 침식홈너비가 1.5r보다 작으면 좋고 1.2r보다 작으면 더 좋다. 침식홈너비=z.p로 하면, 이 제한조건은 z가 1.5r/p보다 작으면 좋고 1.2r/p보가 작으면 더 좋게 된다. 이 제한은 도 7b와 도 8b에 도시되어 있다. 오른쪽 실선은 z≤1.5r/p와 관련되고, 왼 쪽 점선은 z≤1.2r/p와 관련된다. 도 7a, b 그리고 도 8a, b는 동일한 x축과 y축을 갖는다. 명료하게 하기 위해 도 7b와 도 8b에서 도 7a와 도 8a의 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이러한 제한조건은 약 1.75의 p/r 상에 최대값을 놓는다. p/r비가 1.5보다 작으면 더 좋고, p/r이 약 1에 접근하면 즉 원에 가까우면 더 좋다. 또한, r/p값이 크면 클수록 끝부분 루프(49)가 더 길어져, 타겟의 끝에 공간을 차지하고 자석배치의 설계가 더 어려워지게 한다. 따라서, r/p가 5보다 작거나 같으면 좋다. 모든 제한조건이 포함되면 도 7a와 도 8a의 영역을 정의한다. 이 영역에서는 수용가능한 굴곡의 기하학적인 형태가 얻어진다. 이 수용영역은 0.2≤p/r≤2이고 0.4≤p/r≤1.75이면 더 좋고 0.4≤p/r≤1.75이면 가장 좋다. 이 영역은 스픈형태의 끝부분 루프(49)를 정의한다.
도 9a-e는 본 발명에 의한 다른 실시예를 나타내는 개략도이다. 도 9a-e에서 도 4 및 도 5와 같은 참조부호는 유사한 구성요소임을 나타낸다. 도 9a-c는 자석어레이(20)의 중앙 평행부(28)의 부분을 나타낸 평면도이다. 적어도 평행부(28)의 부분에서, 자석트랙(22, 24)이 전체너비(35)로 확장되는데 이 너비는 근방부분의 너비(33)보다 크다. 자석(22, 24) 사이의 너비(31)는 동일하게 유지된다. 이 국부적 변화의 효과는 도 9d와 도 9e에 개략적으로 도시되어 있다. 전체너비(33)를 갖는 부분에서, 도 9a에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 방향이 주로 기판(12)에 수직이다. 이것은 기판(12)에 국부적으로 두꺼운 스퍼터링된 층(42)을 만들게 된다. 기판(12)이 타겟(4)의 축에 수직인 방향으로 움직이면서, 코팅(40)이 기판(12)의 길이를 따라 증착된다. 도 9e에서 개략적으로 도시한 바와 같이, 자석어레이(20)의 너비(35)에 의해 스퍼터링 방향이 기판(12)에 수직인 각으로 기울어져 있다. 이것은 기판(12)위에 더 편평한 증착 측면외형(42)을 생기게 한다. 또한, 스퍼터링되는 타겟재료의 일부는 기판(12)에 도달하지 못하지만 진공실(2)의 내부에 스퍼터링되거나 혹은 더 좋다면 타겟(4)의 각 측면(도시되지 않음) 상과 이에 평행하게 배치되어 있는 회전타겟에 스퍼터링된다. 회전타겟(4)의 평균침식은 도 9d와 도 9e에서 도시된 양 상태에서 동일하게 된다. 증착층(42)의 세로방향 두께의 측면외형이 도 9f에 도시되어 있다. 이 예는 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니지만 대칭 공간을 나타낸다.
도 10a-c는 본 발명에 의한 또 다른 실시예의 개략도이다. 도 10a-c에서 도 4 및 도 5와 같은 참조부호는 유사한 구성요소를 나타낸다. 이 실시예에서, 자석어레이(20)의 하나 또는 그 이상의 비대칭의 돌출이 레이스 트랙에서 국부돌출(44)을 만들기 위해 끝부분 루프영역(29) 앞 또는 그 안쪽에 평행부(28)의 끝 근처에 있다. 이러한 돌출부(44)의 효과는 타겟(4)에서 기판(12)로 스퍼터링되는 재료의 양을 국부적으로 증가시킨다. 즉, 국부적으로 증착율을 증가시키는 것이다.
도 10a-c에서 도시한 실시예의 응용을 도 11과 비교한다. 도 11a에서, 회전음극 마그네트론의 종래 가늘고 긴 레이스트랙(59)을 나타낸다. 도 11b에서, 도 11a의 레이스 트랙의 종래 타겟침식의 측면외형이 도시되어 있다. 침식은 굴곡부분의 레이스 트랙(59)의 끝에서 더 깊다. 도 11c는 기판(12) 상에서 증착층의 두께를 나타낸다. 스퍼터링이 타겟(4)에 완벽하게 수직이 아니고 각을 이루며 분포되어 있기 때문에, 타겟재료의 일부가 기판에서 떨어져 스퍼터링되면서 레이스 트랙의 끝부분의 증착율이 감소한다. 이것은 타겟의 끝부분에서 증착 두께의 저하가 생기게 된다.
도 11a의 배열로 생성되는 타겟침식 측면외형과 증착두께 측면외형이 각각 도 11b와 도 11c에 도시되어 있다. 돌출부(44)를 부가함으로써 레이스 트랙의 끝부분에 증착된 재료의 양이 증가하여 도 11c에서와 같이 좀 더 사각형에 가까운 증착외형을 갖게 된다. 반면, 타겟침식이 증가하는 타겟의 길이도 도 11b에 도시된 바와 같이 증가한다. 증가하는 타겟침식은 타겟의 중앙영역보다 자주 대체되는 대체가능한 타겟(4)의 끝조각을 사용하거나 타겟의 끝에서 타겟재료의 두께를 증가시켜 보상될 수 있다.
도 4에서 도 11까지 설명한 본 발명의 실시예에서, 자석단(20)은 매끄러운 곡선구조로 형성되어 있는 것처럼 보인다. 본 발명에 의하면, 자석단(20)은 럼프자석으로 형성될 수 있다. 본 발명에 의하면 상업적으로 자주 이용되는 고출력의 딱딱하고 깨지기 쉽고 거의 가공할 수 없는 종래 마그네트론에 사용한 자석이 철과 같은 특정한 연성자성물질과 결합되어 자석단(20)에 향상된 곡선형태를 제공한다면 더 좋다. 연성 자성물질, 예를 들어 연철이 영구자석과 결합하여 본 발명에 따라 마그네트론에 사용되는데, 이런 이점을 갖는 결합은 회전타겟 마그네트론에 한정되지 않는다.
자석과 연성 자성물질의 적절한 결합예가 도 12 내지 도 15에 개략적으로 도시되어 있다. 도 12a 내지 12c는 단면으로서 적절한 자석배치의 예를 나타내는 3개의 개략도이다. 각각은 적어도 1개의 영구자석(60)과 연성 자성물질(62)을 포함한다. 도 12a에서 도시한 것처럼, 전자석 또는 영구자석(60)이 U자형의 연성자성물질(62)와 접촉하여 안쪽에 위치해 있다. 중앙의 자석(60)은 타겟방향으 로 위쪽으로 단일극 예를 들면 N극을 갖고, 다른 극은 연성자성물질에 의해 발생된다. 그러한 배치는 종래 두 열의 자석을 교체할 수 있다. 도 12b에서, 자석(60)이 두 개의 연성 자성물질(62, 64) 사이 예를 들면 다른 크기의 두 U자형 채널 사이에 위치함으로써, 두 열의 종래 자석을 교체한다. 도 12c는 3개의 영구자석(60, 66, 68)과 중개극을 형성하는 연성자석(62)을 나타낸다. 이러한 자석어레이는 여러 쌍의 N극과 S극 사이에서 자계에 의해 생성되는 복수의 플라즈마영역을 생성할 수 있다.
형태처리된 연성자성물질을 사용하는 이점은 다음과 같다.
1) 영구자석의 개수 또는 부피가 종래보다 약 반정도 감소된다.
2) 영구자석의 어레이는 마그네트론에 쉽게 확보되는 연성자성물질에 용이하게 장착될 수 있다. 연성자성물질의 측면들은 단단하고 잔여와 일체이므로 특별한 고정이나 안정화가 요구되지 않는다.
3) 곡선형태의 레이스 트랙은 더 쉽고 정밀하게 생성된다. 연성자성물질 예를 들면 연철은 기계로 성형이 가능하고 단조나 용접 등을 할 수 있어 어떤 모양이라도 만들 수 있다. 따라서 종래 배치에서의 성모양보다 매끄러운 굴곡을 만들 수 있다. 또한, 타원이나 포물선과 같은 복잡한 레이스 트랙형태가 가능하다. 중앙의 영구자석은 럼프형태로 되어 있지만 매끄러운 외부 형태보다 더 쉽게 럼프자석으로 적절한 중앙형태를 만들 수 있다.
4) 연성 자성물질은 적당한 곳에서 분할되고 각 분할된 세그먼트는 앞뒤로 구동되어 레이스 트랙 형태에 동적인 변형을 가져온다.
본 발명은 도 12a-c에서 도시된 기본구조에 변화를 포함하는데 이것은 제한 되어 있지 않다. 예를 들어, 연성자성물질에서 발생되는 극과 영구자석에서 발생되는 극 사이의 공간은 마음대로 바꿀 수 있다. 또한, 연성자성물질의 수직부분의 높이도 마음대로 바꿀 수 있어 발생되는 자계를 변경할 수 있다.
도 13은 도 4에서 개략적으로 도시한 자석단에 대한 적절한 배치의 일부를 나타낸다. 중앙의 영구자석어레이(22)는 거의 원형 또는 타원형인 자석(22')에 의해 경계를 이룬 선에 배치된 일련의 직사각형 자석으로 되어 끝에 굴곡을 형성한다. 이러한 자석은 외부 극(24)을 제공하도록 특히 끝부분에서 매끄러운 곡선으로 형태처리된 U자형의 연성자성물질(24*)에 확보된다. 연성 자성물질(24*)은 지지 실린더(26)에 확보된다.
도 14는 도 5에서 도시한 자석단의 적절한 배치의 일부를 나타낸다. 끝부분의 굴곡은 그 크기가 매우 크고 레이스 트랙은 끝부분의 굴곡에서 타겟 실린더 주위를 오른쪽으로 지나간다. 영구자석(22)의 단일선은 다른 극(24)를 제공하는 U자형 연성자성형성기(24*) 내에 확보된다. 연성자성물질(24*)은 지지튜브(26)에 고정된다. 여기서 고정튜브(26)을 명확히 하기 위해 투명으로 나타내었다. 반경이 매우 커지면, 불연속 영구자석(22) 사이의 틈이 작아진다. 튜브(26)의 곡률에 의한 자석 선(22) 사이의 에지와 불연속을 줄이기 위해, 선(22)을 구성하는 각 자석은 특별히 제작된 연성자성물질(24*)의 베이스의 평면부에 설정될 수 있다. 이러한 구성은 반대의 전자운동을 갖는 이중 폐쇄 레이스트랙(레이스트랙에 안에 다른 레이스트랙이 형성됨)을 형성한다.
도 15는 도 10에서 개략적으로 도시한 자석단의 적절한 배치의 끝부분을 나타낸다. 영구자석(22)은 선에 배치되어 외부의 U자형의 연성자성물질(24*)과 결합하여 레이스 트랙(50)의 중앙 평행부를 형성한다. 또한, 영구자석(22*)은 메인 중앙부(22)에 수직으로 배치된다. 이러한 자석은 외부 만곡을 갖는 U자형의 연성자성형성기(24*) 내에 놓여져 끝부분 기까이 국부돌출부(44)로 도 10a에 도시된 레이스트랙을 형성한다.
본 발명은 적절한 실시예를 참고하여 설명하였지만, 형태나 세부적 사향에 있어서 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않게 다양한 변화와 변경이 가능하다는 것은 당업자라면 알 수 있는 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 회전 음극 스퍼터링 마그네트론의 개략도이다.
도 2a와 2b는 도 1의 마그네트론의 상세도이다.
도 3a-c는 각각 종래 자석단의 측면, 평면 및 종단을 개략적으로 나타낸다.
도 4a-c는 각각 본 발명의 실시예에 의한 자석단의 측면, 평면 및 종단을 개략적으로 나타낸다.
도 5a-c는 본 발명의 다른 실시예에 의한 자석단의 측면, 평면 및 종단을 개략적으로 나타낸다.
도 6은 본 발명에 의한 끝부분 굴곡에서의 이상화된 레이스 트랙을 나타낸다.
도 7a와 7b는 본 발명에 의한 마그네트론의 끝부분의 굴곡에서 침식깊이가 평행 중앙부의 침식깊이보다 크고 20%이하인 관계를 정의하는 그래프를 나타낸다.
도 8a와 도 8b는 본 발명에 의한 마그네트론의 끝부분의 굴곡에서 침식깊이가 평행 중앙부의 침식깊이와 동일한 관계를 정의하는 그래프를 나타낸다.
도 9a-c는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 자석단을 개략적으로 나타낸다.
도 9d-f는 도 9a-c에서 도시된 자석단으로 이루어진 기판 상의 증착 측면외형을 나타낸다.
도 10a은 본 발명에 의한 다른 레이스 트랙의 형태를 나타낸다.
도 10b와 도 10c는 각각 도 10a에 의해 이루어진 스터터링된 재료의 효율과 층두께의 측면외형을 나타낸다.
도 11a-c는 종래 레이스 트랙의 형태, 스퍼터링효율 및 레이어의 두께측면외형을 나타낸다.
도 12a-c는 본 발명에 의한 연성자성물질을 포함하는 또 다른 자석단을 나타낸다.
도 13 내지 도 15는 본 발명에 의한 바람직한 다른 자석단을 나타낸다.

Claims (12)

  1. 회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론에 있어서,
    상기 자석단은 상기 타겟의 표면에 가늘고 길게 형성된 플라즈마 레이스 트랙(50)을 발생시키도록 조정되어 있고, 상기 가늘고 길게 형성된 레이스 트랙은 그 길이의 대부분이 평행한 트랙을 갖고 단부에 의해 각 끝에서 닫혀 있고, 상기 레이스 트랙의 트랙 사이의 공간이 국부적으로 증가하여 기판에 스퍼터링을 일으키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 자석단은 상기 원통형 타겟 내에 위치하고 제 1자극(magnetic polarity)의 자계를 발생시키는 가늘고 길게 형성된 중앙부와, 상기 원통형 타겟 내에 위치하고 상기 가늘고 길게 형성된 중앙부 주위에 배치되어 그 사이에 공간을 형성하고 제 2자극의 자계를 발생시키는 주변부와, 상기 원통형 타겟과 상기 자석단 사이에서 상호 회전을 일으키는 수단을 더 포함하여, 상기 가늘고 길게 형성된 상기 중앙부와 상기 주변부는 상기 레이스 트랙을 감싸도록 자계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 플라즈마 레이스 트랙의 각 단부는 평행한 트랙부분에 각각 수직하고 평행한 방향으로 반경 "p"와 "r"을 갖는 타원에 가깝고, 적어도 단부의 중앙에 있는 레이스 트랙의 너비는 "s"로 나타내고, "s", "p" 및 "r"은 자석단의 상기 중앙부 또는 상기 주변부에서 사용되는 자계력과 자성물질 및 상기 중앙부와 상기 주변부 간의 거리, 상기 중앙부 또는 상기 주변부와 타겟의 거리를 결합하여 단부에서의 타겟침식이 균일하게 되도록 서로 미리 설정된 관계로 선택되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  4. 제 3항에 있어서,
    타겟의 레이스 트랙에 의해 발생되는 침식홈의 너비는 1.5r보다 작은 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  5. 제 1항에 있어서,
    p/r 비는 0.2≤p/r≤2, 0.4≤p/r≤1.75 및 0.6≤p/r≤1.2중 어느 하나로 정의되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 단부는 플라즈마 레이스 트랙의 국부 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 돌출부는 기판에 증착된 증착층이 상기 단부에 가까운 영역에서 더 균일하도록 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  8. 제 1항에 있어서,
    평행한 트랙을 갖는 레이스 트랙의 부분에 있는 트랙 사이의 공간은 국부적으로 변하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 공간은 스퍼터링 타겟재료의 일부가 상기 회전 원통형 타겟에 근접하여 위치한 다른 회전 원통형 타겟으로 스퍼터링되도록 변하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  10. 제 2항 내지 제 9항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 중앙부와 주변부의 하나는 적어도 한 개의 자석을 포함하고 다른 하나는 상기 자석을 갖는 자기회로를 형성하는 연성자성물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  11. 자석단과 타겟을 갖고 있는 스퍼터링 마그네트론에 있어서,
    상기 자석단은 상기 타겟의 표면에 곡선의 플라즈마 레이스 트랙을 생성하도록 조정되어 있고,
    상기 타겟은 상기 타겟 근처에 제 1자극에 의한 자계를 발생시키는 제 1부와, 상기 제 1부에서 사이를 두고 배치되어 제 2자극에 의한 자계를 발생시키는 제 2부로 구성되고,
    상기 제 1부와 제 2부는 상기 곡선의 플라즈마 레이스 트랙을 감싸는 자계를 정의하고, 상기 제 1부와 제 2부의 하나는 적어도 하나의 자석을 갖고 다른 하나는 상기 자석을 갖는 자기회로를 형성하는 연성자성물질에 의해 경계를 이루는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론.
  12. 회전 원통형 타겟과 고정 자석단을 갖는 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법에 있어서,
    상기 자석을 사용하여 상기 타겟의 표면에 가늘고 길게 형성된 플라즈마 레이스 트랙을 생성하는 단계와,
    기판에 실질적인 스퍼터링을 일으키기 위해 상기 레이스 트랙의 트랙 사이의 공간이 국부적으로 증가하는 단계를 포함하고, 상기 가늘고 길게 형성된 레이스 트랙은 단부에 의해 각 끝부분이 닫혀 있고 그 길이의 대부분이 평행한 트랙을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 마그네트론을 작동하는 방법.
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