JP7304857B2 - マグネトロンスパッタリング源及びコーティングシステム装置 - Google Patents
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Description
スパッタリング源のサイズは、基板をコーティングすることができる範囲の長さよりも実質的に大きく(例えば、ターゲット長さ方向により長く)することができる。しかしながら、このアプローチは、堆積装置全体のサイズをかなり大きくし、コーティング蒸気のより大きな部分が基板を越えた領域に堆積し、したがって失われるため、コーティング蒸気の利用率を減少させる。
代替方法として、より強力な磁石(異なるタイプ又はより高密度の配置)をスパッタリング源の端部ゾーン7に使用して、中央ゾーン6と比較してこれらの端部ゾーンのスパッタリングターゲットの表面により強い磁場を生成することができる。これにより、侵食率が増大し、中央ゾーンと比較してこれらの端部ゾーンからのコーティング材料フラックスが大きくなる。このようにして、端部ゾーン7の近くでスパッタリング源を通過する基板のコーティング厚さの減少を低減することができ、被コーティング基板の均一性が改善される。しかしながら、ターゲットの利用又は寿命は最も深い侵食を有するレーストラック領域によって決定されるので、このアプローチは、ターゲット材料の正味の利用率が低下するため、かなりの欠点を有する。最大侵食深さに達すると、ターゲットを使い果たしたと見なさなければならない。バッキングプレート(ほとんどの場合、良好な冷却効率のために銅で作られている)に接着されたターゲット材料の場合、最も高い侵食率を有する位置での侵食がバッキングプレートに接着されたターゲット材料の厚さに達すると、ターゲットは使い果たされる。完全なターゲット(機械的安定性のために金属に限定される)の場合、ターゲット材料の残りの厚さがターゲットの裏側を流れる冷却液からの圧力に対して依然として機械的安定性を保証する特定の最小値に達したとき、ターゲットを使い果たしたと見なさなければならない。この場合も、最小ターゲット材料厚に関する基準は、侵食率が最も高い位置に適用される。
ターゲットの長さ方向及び幅方向において、ターゲット及びターゲットの背後のマグネトロンアセンブリの実質的に同じ全体寸法と、
単純な永久磁石アレイを有する矩形ターゲットのためのマグネトロンと比較して、ターゲットの長さに沿って測定される改善されたコーティング厚さの均一性と、
ターゲットの利用又は寿命にわたって改善された安定したコーティング厚さの均一性と、
ターゲットの全長及び幅にわたって、特にターゲットの両端部ゾーンにおいても、ターゲット表面のレーストラックにおける侵食深さの改善された均一性と、
等しい永久磁石の使用による低コストのマグネトロン設計と、
上記の目標を達成するために既存のマグネトロンスパッタ源を新しいマグネトロン設計で変更する可能性と
を可能にする、矩形ターゲット用のマグネトロン設計を提案する。
・単位長さあたりの強度が等しく、分極がその長さ寸法に垂直な永久磁石のみが、本発明のマグネトロンスパッタリング源のアセンブリに使用される。
・反対の極性の磁石は、ターゲット表面のレーストラック内の磁場の同等の垂直断面プロファイル及び強度分布を実現するために、本質的に等しい距離で組み立てられる。
・磁石アセンブリは、ターゲットを通って延び、全体的な「二重T字形」を囲む磁場を生じ、ターゲット上の対応する「二重T字形」のレーストラックにおける侵食の局所化を引き起こす。
・等しい極性の隣接する磁石間の蛇行周期Mpは、中央ゾーン60及び端部ゾーン70において一定である。
・蛇行振幅Maは、中央ゾーン60における蛇行振幅Ma60の下限と、端部ゾーン70における上限Ma-maxとの間で変更することができ、振幅Ma60の下限は0であることができ(すなわち、直線形状のレーストラック)、上限Ma-maxはターゲットの幅からレーストラック自体の幅を引いたものの半分であることができる(レーストラックは重なり合うことができない)。
・最大蛇行振幅Ma-max(マグネトロンアセンブリの最も長い蛇行振幅)は端部ゾーン70に位置する。
・第2の表面は、侵食の深さが最大となる中央トレンチ線を有するトレンチとして閉じた侵食ゾーンを含み、中央トレンチ線の各点で局所的なトレンチの深さが定義される。
・侵食トレンチのトレンチ縁は、侵食深さが中央侵食深さの10%である線によって定義される。
・トレンチ幅は、中央トレンチ線の周囲に配置されたトレンチ縁の距離として定義される。
・トレンチ線全体に沿った局所的なトレンチの深さは実質的に等しい。
・中央トレンチ線は、x方向と垂直なy方向平面とにまたがる平面内に延びる。
・中央トレンチ線の各点は平面内のy方向の無限ストライプに形成することができ、そのx方向の幅はトレンチの幅に対応し、各点はストライプの中心線上にある。
2 基板
3a 回転スピンドル
4 コーティング蒸気
5 ターゲット
6 中央部分/中央ゾーン
7 端部ゾーン
10 侵食ゾーン/レーストラック
11 ループセクション/ループ形状レーストラックセクション
12 侵食セクション/トラック
13 ループセクション/ループ形状レーストラックセクション
20 侵食ゾーン/レーストラック
26 侵食セクション/トラック
27 ループセクション/ループ形状レーストラックセクション
28 (遷移)経路
50 マグネトロン装置
51 端部ゾーン
52 中央ゾーン
53 端部ゾーン
60 中央ゾーン
70 端部ゾーン
100 コーティングシステム装置
111 内側磁石アセンブリ
112 外側磁石アセンブリ
501 外側磁石
502 外側磁石
503 外側磁石
511 外側磁石(アセンブリ)
512 内側磁石(アセンブリ)
C 中心線
d 距離
d1 第1の蛇行方向
d2 第2の蛇行方向
Ma 蛇行振幅
Ma60 蛇行振幅
Ma70 蛇行振幅
Ma-max 最大蛇行振幅
Mp 蛇行周期
Mp60 蛇行周期長
Mp70 蛇行周期長
W 幅
Claims (9)
- 基板(2)をコーティングするためのマグネトロンスパッタリング源(1)であって、
前側にターゲット表面を有するターゲット(5)と、
前記ターゲット(5)の裏側にあるマグネトロン装置(511、512)であって、内側磁石アセンブリ(512)と外側磁石アセンブリ(511)との間で前記ターゲット表面にループ形状の侵食ゾーン(20)を形成するために、前記ターゲット表面の近くに磁場を生成するためのマグネトロン装置(511、512)と
を含み、
前記侵食ゾーン(20)は、距離(d)を有する2つの平行なトラック(26)を有する中間セクションと、それぞれが前記平行なトラック(26)の隣接する端部を接続し、前記距離(d)の方向に前記距離(d)よりも大きいループ幅(w)を有する2つの湾曲した端部ループセクション(27)とを含み、前記端部ループセクションをカバーする2つの幅の広い部分と前記中間セクションをカバーする1つの幅の狭い部分とを有する前記侵食ゾーンの主要形状をもたらし、
前記ターゲット(5)は細長い平板の装置として形成され、間に矩形の中央ゾーン(52)を有する2つの矩形の端部ゾーン(51、53)を含み、前記端部ゾーン(51、53)は前記中央ゾーン(52)よりも幅が広い、マグネトロンスパッタリング源(1)。 - 前記端部ループセクション(27)の形状は、矩形、三角形、菱形、円形、長円形、楕円形の基本形状の1つ又は組み合わせを含む、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記平行なトラックのそれぞれが直線状である、請求項1又は2に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記中間セクション及び前記端部ループセクション(27)の少なくとも1つが、前記主要形状に沿った蛇行型二次形状を含む、請求項1、2又は3のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記中間セクションにおける第1の蛇行振幅(Ma60)が、前記端部ループセクション(27)における第2の蛇行振幅(Ma70、Ma-max)よりも小さい、請求項4に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記第1の蛇行振幅(Ma60)は、前記第1の蛇行振幅(Ma60)よりも大きくかつ前記第2の蛇行振幅(Ma70、Ma-max)よりも小さい蛇行振幅を有する少なくとも一つの蛇行を経て、前記第2の蛇行振幅(Ma70、Ma-max)に徐々に変化する、請求項5に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記中間セクションにおける第1の蛇行方向(d1)が、前記端部ループセクション(27)における第2の蛇行方向(d2)とは異なる、請求項4、5又は6に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 前記端部ゾーン(51、53)及び前記中央ゾーン(52)は、バックプレート上に別々に取り付けられている、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタリング源(1)を含むコーティングシステム装置(100)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762594622P | 2017-12-05 | 2017-12-05 | |
US62/594,622 | 2017-12-05 | ||
PCT/EP2018/081799 WO2019110288A1 (en) | 2017-12-05 | 2018-11-19 | Magnetron sputtering source and coating system arrangement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021505762A JP2021505762A (ja) | 2021-02-18 |
JP7304857B2 true JP7304857B2 (ja) | 2023-07-07 |
Family
ID=64426914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020530554A Active JP7304857B2 (ja) | 2017-12-05 | 2018-11-19 | マグネトロンスパッタリング源及びコーティングシステム装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11594402B2 (ja) |
EP (1) | EP3721466B1 (ja) |
JP (1) | JP7304857B2 (ja) |
KR (1) | KR102616581B1 (ja) |
CN (1) | CN111868877B (ja) |
WO (1) | WO2019110288A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116426893B (zh) * | 2023-06-13 | 2023-08-18 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 磁控溅射设备及方法 |
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2018
- 2018-11-19 JP JP2020530554A patent/JP7304857B2/ja active Active
- 2018-11-19 EP EP18807278.9A patent/EP3721466B1/en active Active
- 2018-11-19 CN CN201880086676.3A patent/CN111868877B/zh active Active
- 2018-11-19 US US16/770,271 patent/US11594402B2/en active Active
- 2018-11-19 KR KR1020207018886A patent/KR102616581B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-19 WO PCT/EP2018/081799 patent/WO2019110288A1/en unknown
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Publication number | Publication date |
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KR102616581B1 (ko) | 2023-12-20 |
EP3721466B1 (en) | 2023-06-07 |
US11594402B2 (en) | 2023-02-28 |
EP3721466A1 (en) | 2020-10-14 |
US20210375603A1 (en) | 2021-12-02 |
KR20200095513A (ko) | 2020-08-10 |
CN111868877A (zh) | 2020-10-30 |
JP2021505762A (ja) | 2021-02-18 |
WO2019110288A1 (en) | 2019-06-13 |
CN111868877B (zh) | 2023-08-18 |
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