KR100566149B1 - 금속화 배스를 위한 파라미터 결정 방법 및 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 금속화 배스(metalization bath) 내에 금속화 재료를 퇴적시켜 기판의 접속표면 상에 높은 금속접점(24, 25)을 얻기 위하여, 재현가능한 제조 파라미터를 결정하는 방법 및 디바이스에 관한 것이다. 소정 거리만큼 떨어져 설치된 적어도 두 개의 인접한 접속표면을 구비하는 테스트 기판이 금속화 배스(10) 내로 도입된다. 파라미터는, 인접한 접촉표면 상에 금속접점(24, 25)을 형성하는 금속화 재료의 퇴적으로부터 발생하는 전기적 접촉의 결과로서의 전기량 변화에 기초하여 결정된다.

Description

금속화 배스를 위한 파라미터 결정 방법 및 디바이스{METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING A PARAMETER FOR A METALLIZATION BATH}

본 발명은, 청구항 1 또는 청구항 3의 전제부에 기재되어 있는 바와 같이, 금속화 배스(metallization bath) 내에서 금속화 재료를 퇴적(deposit)시켜, 기판의 단자영역위에 융기되어 형성되는 금속접점의 재현가능한 제조(reproducible reproduction)를 위한 파라미터를 결정하는 방법에 관한 것이며, 또한 상기 방법을 수행하기에 적합한 디바이스(청구항 10) 및 상기 방법을 수행하기에 적합한 테스트 기판(청구항 12)에 관한 것이다.

기판, 예를 들어 칩들 또는 다른 전기적 구성요소를 장착하는데 기능하는 캐리어 기판 또는 칩과 같은 기판의 단자영역위에, 융기형성된 금속접점["범프(bumps)"라는 기술용어로도 설명됨]을 제조하는데 있어서, 균일한 형태(morphology)를 갖는 범프를 제조할 수 있기 위해서는 상기 제조 방법을 반복재현할 수 있는 계측(measures)이 실제로 필요하다는 것이 증명되어 왔다. 이것은 범프제조를 위해서 어떤 방법이 선택되는 가와 무관하게 적용되며, 특히 금속화 배스 내의 금속퇴적에 의해서 범프가 제조되는 방법에 있어서 적용된다. 이는 전기분해 또는 습식-화학적 방법(wet-chemistry)에 의해서 수행될 수 있다.

본 발명의 목적은, 형태(morphology)면에 있어서 반복재현되는 범프를 제조할 수 있도록 금속화 배스 내의 과정을 간단히 감시할 수 있게 하는 파라미터를 결정하는 방법을 제안하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은, 청구항 1의 특징을 갖는다.

본 발명에 따른 이러한 제 1 해결책에 따르면, 소정의 간격을 두고 인접한 적어도 두 개의 단자영역을 구비한 테스트 기판이 금속화 배스로 도입되고, 상기 인접한 단자영역위에 금속접점이 축적되어 발생하는 전기접촉의 결과로서의 전기량 변화로부터 상기 파라미터가 결정되는 방법이 제안된다.

본 발명에 따른 방법에 있어서, 단자영역 상의 금속접점이 연속적으로 축적된 결과인 금속접점의 사이가 기부접촉(body contact)되면, 단자영역 사이의 간격을 알고 있다면 금속접점의 적어도 영역면적에 대한 결론을 얻을 수 있게 하는 전기신호를 유도한다. 금속화 배스 내에 용해된 금속화 재료를 기판의 단자영역 상에 등방성(isotropic)으로 퇴적시키는 과정, 즉 단자영역의 표면상 뿐만 아니라 외주영역이나 에지영역에도 금속화 재료를 균일하게 "성장(growth)"시키는 과정에 있어서, 융기형성된 금속접점의 형태에 관련하여서도 직접적인 결론을 얻을 수 있다.

전술한 파라미터가, 상기 단자영역을 둘러싸는 전기적 계측회로의 전기저항 변화로부터 결정된다면 특히 유용하다는 것이 증명되어 왔다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 구성은 청구항 3의 특징에 기초한다.

즉 본 발명에 따르면, 적어도 하나의 단자영역을 구비한 테스트 기판이 금속화 배스로 도입되고, 상기 단자영역 상에서 금속접점의 질량에 기인한 전기량을 계측함으로써 파라미터가 결정된다. 상술한 제 1 실시예와는 달리, 본 경우에 있어서는, 소정 간격으로 인접한 단자영역 상에 퇴적된 두 개의 금속접점 사이의 관계로부터 상기 개별 금속접점의 형태에 대한 결론이 유도되는 것이 아니라, 그 반대로, 퇴적과정 동안 단자영역 상에 형성되는 금속화 질량(metallization mass)으로부터 유도되고, 이 금속화 질량은 단자영역 및 금속화 질량으로부터 형성되는 유닛의 전기적 특성을 변화시킨다.

상기와 같은 경우, 단자영역에 접속되는 전기적 계측회로의 전기저항 값으로부터 파라미터가 결정되는 것이 특히 유리하다. 본 발명에 따른 이러한 다양한 방법은, 금속화 재료의 밀도뿐만 아니라 단자영역 상에서 형성되는 금속화 재료 단면과 상기 단자영역 상에 형성된 금속접점의 길이도 오믹(ohmic) 저항값을 결정한다는 사실에 기초한다. 단자영역의 전기량을 알고있다면, 특히 등방성 퇴적과정의 경우에는 금속접점의 형태에 대한 직접적인 결론이 유도될 수 있다.

본 발명에 따른 상기 두 실시예가 기초로하는 목적달성 원리, 즉 전기적 계측회로에서 결정된 전기량에 의거하는 파라미터 결정의 원리에서 출발하여, 계측전류에 의해서 실질적으로 영향을 받지 않는 파라미터의 결정을 가능하게 하기 위해서, 전기량을 결정하기 위해 전기적 계측회로를 폐쇄하되, 예를 들어 저항을 간헐적으로만, 바람직하게는 주기적으로 폐쇄하는 것이 제안된다. 그 결과, 예를 들어 단자영역 사이에 또는 금속화 배스와 단자영역 사이에, 또는, 순수하게 습식-화학 퇴적과정 중인 단자영역 사이에 전류가 흐르는 결과로서, 실질적으로는 갈바닉 효과(galvanic effects)를 억제하는 것이 가능하다.

실제로, 퇴적과정에서 소위 "안정화 성분(stabilizing components)"의 영향, 혹은 이러한 안정화 성분이 제공된 금속화 배스 내에서 퇴적된 금속접점의 형태의 영향은 특정 경우에 있어서 상당하다는 것이 증명되었다. 특히, 금속화 배스 내의 이러한 안정화 성분을 계량하는데 있어서 작은 편차만 있어도, 퇴적되는 금속접점의 형태가 불균형하게 되도록 큰 영향을 준다는 것이 알려져 있다. 이것은, 실질적으로는 금속화 배스의 분해나 또는 배스 컨테이너의 벽 상에 금속화 재료의 원치않는 퇴적을 방지하기 위한 안정화 성분이, 단자영역 상에 소망하는 퇴적을 방해하는 확산 활동을 한다는 사실에 기인한다. 또한, 예를 들어 납과 같은 많은 안정화 성분의 활동은, 통상 알루미늄 패드로서 설계되는 단자영역 표면으로의 확산에 대하여 비선형성을 나타내므로, 단자영역의 표면영역에서 보다 단자영역의 외주영역에서 더욱 큰 퇴적방해 효과(deposition-inhibiting effect)가 검출될 수 있다. 따라서, 금속화 배스 내에서 안정화 성분을 사용하는 것은 단자영역 상에 퇴적된 금속접점의 형태에 상당한 영향을 미친다. 그러므로, 형태가 일정한 금속접점들을 제조하기 위해서는 금속화 배스 내의 안정화 성분의 농도를 지속적으로 감시할 필요가 있음이 밝혀졌다.

상술한 관계에 기초하여, 본 발명에 따른 방법의 경우에 있어서는, 금속화 배스에 부가되는 배스 안정제의 농도가 파라미터로서 결정되면 특히 유리하다는 것을 알 수 있다. 이러한 응용에 관련한 바람직한 변형 방법에서는, 테스트 기판에 복수의 단자영역 배열이 제공되며, 각각의 단자영역 배열은, 소정의 접촉간격으로 상호 할당된 두 개의 단자영역을 각각 포함하며(상기 접촉간격은 개별 단자영역 배열마다 다르다),상기 테스트 기판이, 소정의 시간간격 동안 금속화 배스에 담궈진다. 상기 시간간격 동안에, 각각의 단자영역 배열의 단자영역 사이의 전기저항이 반복적으로 계측되고, 안정제의 농도는, 이미 알려져 있는 안정제 농도에 대한 접촉간격 기준값과의 비교결과로서 단락회로 접촉을 갖는 단자영역의 최대 접촉간격의 함수로서 결정된다.

더욱이, 본 발명에 따른 방법이, 금속접점이 형성되는 동안 금속화 배스 내에서 금속화 재료의 퇴적률을 결정하는 파라미터로서 사용되면 유리하다는 것도 알 수 있다.

퇴적률을 결정하기 위한 본 방법의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 소정 접촉간격으로 상호 할당된 두 개의 단자영역을 각각 포함하는 적어도 하나의 단자영역 배열이 제공된 테스트 기판이 금속화 배스 내에 담궈진다. 그 후, 단자영역 배열의 단자영역 사이의 전기저항이 반복적으로 계측되고, 단자영역 사이에 단락회로를 형성하기까지의 시간이 계측된다.

본 발명에 따른 방법을 수행하기에 특히 적합한 디바이스는, 상호 소정간격으로 이격되어 배치된 두 개의 단자영역을 갖는 적어도 하나의 단자영역 배열을 구비하는 테스트 기판으로 구성되며, 상기 단자영역은 저항계측기를 포함하는 전기적 계측회로의 단락회로 극(pole)을 형성한다.

상기 파라미터를 결정하기 위해 금속접점의 질량으로 인한 전기저항이 계측 되는 여러 방법을 수행하기 위해서는, 테스트 기판이 적어도 하나의 단자영역을 가지며, 상기 단자영역은 저항계측기를 갖는 전기적 계측회로의 도전체를 형성한다.

본 발명에 따른 방법을 수행하거나 또는 적절한 디바이스를 형성하는데 특히 적합한 테스트 기판은, 복수의 단자영역 배열을 구비하는 단자영역 배열 세트를 적어도 하나 구비하고, 상기 단자영역 배열 각각은 상호 소정 접촉간격으로 할당된 두 개의 단자영역을 가지며, 여러 단자영역 배열 상호에 할당된 단자영역들 사이의 상기 접촉간격은 서로 다르다.

이러한 방식으로 구성되는 테스트 기판은, 금속화 배스 내에 포함된 안정화 성분의 농도를 결정하는 것과 단자영역 상에 금속화 재료가 퇴적되는 퇴적률을 결정하는 것 모두를 가능하게 한다.

또한, 테스트 기판이 복수개 세트의 단자영역 배열을 포함하고 각 세트내의 단자영역은 동일한 크기이며 여러 세트의 단자영역은 서로 다른 크기인 경우, 상기 방법을 수행한다면 단자영역 표면으로의 안정화 성분의 비선형성 확산작용에 기인하여 단자영역 상에 비등방성 퇴적을 낳게 되는 영향을 검출하는 것도 가능하다.

특히 단자영역 상에 금속접점이 강하게 비등방성 퇴적하는 경우에는, 상호 할당된 두 개의 단자영역 사이에 접촉간격을 형성하기 위해서 단자영역들이 이격된 기판레벨에 배치되도록 하는 단자영역의 공간배열(spatial arrangement)을 가지는 테스트 기판을 설계하는 것이 적합하다.

본 방법의 바람직한 변형이나 본 방법을 수행하는데 적합한 바람직한 실시예가 이하 도면을 참조하여 상세히 설명된다.

도 1은 금속접점을 퇴적시키기 전에 금속화 배스에 담궈진 테스트 기판을 나타내고;

도 2는 도 1에 도시된 테스트 기판에 부분적으로 금속접점이 형성된 상태인 중간단계에 있는 것을 나타내고;

도 3은 도 1에 도시된 테스트 기판에 있어 금속접점이 접촉하는 단계에 있는 것을 나타내고;

도 4는 서로 다른 규격의 단자영역을 포함하는 복수개 세트의 단자영역 배열을 구비한 테스트 기판의 또 다른 실시예를 나타내고,

도 5 내지 도 8은 서로 다른 금속화 배스에서 도 4에 도시된 테스트 기판의 단자영역 배열의 단자영역상에 금속접점을 형성하는 것을 나타내고;

도 9는 서로 다른 크기의 단자영역 상에 퇴적된 금속접점을 나타내고;

도 10은 단자영역의 공간배열을 구비하는 테스트 기판의 또 다른 실시예를 측면도로 나타내고;

도 11은 도 10에 도시된 테스트 기판의 평면도를 나타내며;

도 12는 도 11에 도시된 테스트 기판을 단면선 경로 XII-XII 를 따라서 자른 단면도를 나타낸다.

도 1은 금속화 배스(10)에 용해된 금속화 재료(12)를 테스트 기판(11)의 단자영역 배열(15) 상에 퇴적시키는 것을 시작하기 전에, 테스트 기판(11)이 금속화 배스(10)로 삽입된 직후를 나타내고, 상기 단자영역 배열은 두 개의 단자영역(13, 14)으로 형성되어 있다.

도 1에 도시된 금속화 배스는 예를 들어, "알루미늄 패드"라는 기술용어로도 설명되는 알루미늄 단자영역 상에 금속접점을 형성하게 하는 니켈 배스일 수 있다. 상기 기판은 실질적으로, 예를 들어 본 경우에서와 같이 칩 또는 웨이퍼용 실리콘으로 형성되기도 한다.

본 경우에서 테스트 기판(11)의 단자영역(13, 14)은 두 개의 관통접속부(16, 17)에 의해서 접촉배열(18)을 경유하여 전기적 계측회로(19)로 접속된다. 관통접속부(16, 17)는 금속화 배스(10)를 수용하는 배스 컨테이너(21)의 컨테이너 벽(20)을 관통한다. 여기에 예시적으로 도시된 접촉배열은 컨테이너 벽을 관통하지 않고 주입접촉배열(immersion contact arrangement)로서 형성될 수도 있다. 저항값 계측기(22)를 포함하는 계측회로(19)에 전기적 계측회로(19)의 개폐를 가능하게 하는 스위치 배열(23)이 제공된다.

도 2는 주입시간이 경과된 후 테스트 기판(11)의 단자영역(13, 14) 상태를 나타내는 것으로, 금속화 배스(10)로부터 금속화 재료(12)를 습식-화학적 퇴적한 결과이며, 금속접점(24, 25)이 이미 단자영역(13, 14) 상에 명백히 육안으로 볼 수 있는 방식으로 형성된 상태이다.

도 3은, 금속화 재료(12)의 퇴적으로 단자영역(13, 14) 상에 금속접점(24, 25)이 형성된, 보다 진행된 상태를 도시하며, 이 상태에서는 금속접점(24, 25)이 연속된 접촉의 형성으로 일체가 되어(coalesced) 스위치 배열(23)의 폐쇄위치에서 계측회로(19)의 회로단락을 가능하게 한다. 금속접점(24, 25)이 이렇게 일체화되는 순간은, 저항값 계측기(22)에 의해서 계측되는 저항값의 급강하에 의해서 명확하게 검출될 수 있다.

금속접점(24, 25)이 일체화되는 것과 계측회로(19)의 전기적 파라미터가 현저히 변화하는 것 사이의 상술한 상관관계는, 금속화 배스(10)에서 발생하는 퇴적과정에 대한 특징적인 파라미터의 검출을 가능하게 하고, 이것은 소정 크기 또는 형태의 금속접점을 동일하게 만들어내기 위해 퇴적과정을 감시하는 것을 간단한 방법으로 할 수 있게 한다.

도 4는 각각의 경우에 다양한 크기의 단자영역(42, 43, 44)을 갖는 4 개의 단자영역 배열(30 내지 33, 34 내지 37, 38 내지 41)을 각각 구비하는 3개 세트의 단자영역 배열(27, 28, 29)을 포함하는 테스트 기판(26)을 나타내는 것으로, 하나의 세트(27 내지 29) 내의 단자영역들은 동일한 크기이다. 도 4에 예시적으로 도시된 테스트 기판(26)에서는, 모든 세트의 단자영역 배열(27, 28, 29)에 대하여, 그 접촉간격이 좁은 접촉간격(45)에서 시작하여 점차 접촉간격(46, 47)을 지나서 접촉간격(48)에 이르기까지 동일한 정도로 커지게 되는 방식으로, 해당 단자영역 배열마다 하나씩 할당된 단자영역(42, 43, 44) 사이의 접촉간격(45, 46, 47, 48)이 균일하게 등급화된다. 동시에, 각각의 접촉간격(45 내지 48)은 단자영역 배열의 개별 세트(27 내지 29)에 대하여는 동일한 크기이다.

이와 다른 퇴적방법 또는 금속접점(49 내지 52)의 형태에 미치는 영향을 설명하기 위해서, 각각의 단자영역 배열(30 내지 33) 영역에서 기판(26)의 부분단면도에 기초하여 단자영역 배열의 제 1 세트(27)의 단자영역 배열(30 내지 33)이 도 5 내지 도 8에 도시된다. 도 5 내지 도 8은 각각 다른 금속화 배스 내에서의 퇴적과정에 적용된다. 도 5 내지 도 8은 각각, 개별 접촉간격(45, 46, 47, 48)의 위로 일체화되고 단자영역 상에서 퇴적된 결과인 금속접점(49 내지 52)에 의해 단자영역(42) 사이에 전기적 도전접촉이 형성되는 단계에 있는 금속접점(49 내지 52)의 형태를 나타낸다. 동시에, 각각 사용된 금속화 배스는 안정화 성분의 농도가 서로 다르되 다른 배스 조성물은 동일하며, 상기 안정화 성분은 금속화 배스의 분해를 방지하기 위한 것이다. 본 경우에 있어서, 안정화 성분의 농도는 도 5에서 시작하여 도 8로 갈수록 감소한다.

각 금속접점(53 또는 54)의 형태에 대하여 안정제(stabilizer) 농도가 미치는 영향을 설명하기 위해서 도 9가 참조되며, 이 도면에서, 상기 효과는 극단적으로 서로 다른 크기의 단자영역(55, 56)을 비교하면 전술한 영향이 보다 명확하게 된다. 단자영역(55, 56)의 유한특성으로 인해서, 안정제 성분이 단자영역(55, 56)의 표면으로 확산하는 확산 활동이 차별화되는 결과를 낳는다. 단자영역(55, 56) 표면의 영역에서는, 단자영역(55, 56)의 외주(peripheries)로부터 충분히 멀리 떨어진 곳에 사실상 선형적인 확산작용이 발생하고, 외주영역 자체의 영역에 외주효과의 결과로서 비선형적인 확산작용이 발생한다. 외주영역에서의 상기 비선형적인 확산작용은 예를 들어 납과 같은 안정제 성분에 의해서 영향을 받는 억제활동을 증가시키며, 상기 억제동작은 금속화 배스로부터 금속접점이 단자영역(55, 56) 상에 퇴적되는 것을 방해한다. 따라서, 외주영역 자체의 영역에서 보다는 단자영역(55, 56)의 외주로부터 다소 떨어진 곳에서, 단자영역(55, 56) 상에 접촉재료가 상당히 더 무겁게 퇴적된다. 이러한 불균일 퇴적은 또한 비등방성 퇴적으로 설명되기도 한다. 이와는 대조적으로, 예를 들어 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 안정화 성분이 없는 금속화 배스에서는, 단자영역상에서 금속화 재료가 균일하고 등방성으로 퇴적된다. 즉, 외주영역에서도 단자영역의 외주영역으로부터 다소 떨어진 영역에서와 동일한 정도로 퇴적이 일어난다.

도 9는, 특히 안정제 농도가 높은 금속화 배스에서 관측되는 현상( "베블링(bevelling)"이라는 기술용어로도 설명되는 현상)을 나타낸다. 이 경우에는, 단자영역(55, 56)의 외주영역내 금속접점(53, 54)에서 급경사(severe bevel)가 관측되거나, 대응하는 고농도 안정제를 가진 경우에는 금속접점(53, 54)의 억제가 관측되며, 상기 억제 혹은 경사는 접촉재료가 단자영역(55, 56)의 외주 너머로 성장하는 것을 실질적으로 방지한다. 단자영역의 크기에 따라, 상기 "베블링"은 또한 퇴적에 의해서 달성될 수 있는 금속접점(53, 54)의 높이에 결정적인 영향을 준다. 도 9에서 명백하게 보여주듯이, 동일한 안정제 농도에서 시작하여, 비교적 작은 단자영역(55)에는, 보다 큰 단자영역(56) 상에 퇴적된 금속접점(54)과 비교할 때 보다 작은 높이를 갖는 금속접점(53)이 생길 것이다. 안정제 농도가 상당히 높게되면, 작은 단자영역의 경우에는 퇴적이 완전히 억제되어버릴 수도 있을 것이다.

도 5 내지 도 9를 참조한 상술한 설명으로, 안정제 농도에 의해서 영향을 받은 퇴적과정이, 그 기본원리가 도 1 내지 도 3에 도시되고 또한 금속화 배스의 미지의 안정제 농도를 결정하기 위한 디바이스와 관련하여 사용될 수 있다는 것은 명백하다. 이러한 목적으로, 도 4에 도시된 테스트 기판(26)이 이용될 수 있고, 특히 테스트 기판(26)이 특정 시간간격 동안, 예를 들어 10 내지 20분 동안 미지의 안정제 농도의 금속화 배스로 유입되는 방식으로 이용될 수 있다. 동시에, 개별 단자영역 배열(27 내지 41)은 도 1 내지 도 3에 도시된 방식으로 각각 그들의 단자영역(42, 43, 44)에 의해서 전기적 계측회로(19)에 접속되고, 상기 계측회로는 주기적으로 개폐된다. 특정 시간간격동안 각각의 단자영역 상에 퇴적하여 성장된 금속접점 사이에 전기적 접촉이 발생되는 단자영역 배열에 의존하여, 제 1 의 예측으로서, 금속화 배스에 존재하는 안정제 농도에 대한 정성적인 결론이 얻어질 수 있다. 특정한 최소 크기 이하이고 충분히 높은 안정제 농도를 갖는 단자영역의 경우에는 퇴적과정이 발생하지 않는다. 특정 시간간격의 끝에, 단자영역 배열(30, 31)의 경우에 퇴적된 금속접점을 경유하여 전기적 접촉만이 검출되면, 대응 퇴적률이 낮은 비교적 높은 안정제 농도가 존재한다. 반면에, 비교적 큰 접촉간격(47, 48)으로 상호 할당된 단자영역 배열(32, 33)의 단자영역(42)의 경우 이외에도 전기적 접촉이 검출되면, 대응 퇴적률이 높은 비교적 낮은 안정제 농도가 존재한다. 기준계측값과의 비교를 통해, 전술한 정성적 평가를 넘어서는 안정제 농도의 정량적 결정이 가능하게 되는데, 여기서는 금속화 배스의 알고있는 안정제 농도에 의해서 소정 접촉간격을 갖는 특정 단자영역 배열과 안정제 농도 사이 각각의 상관작업이 수행된다.

특히 도 9를 참조하여 앞에서 설명한 바와 같이, 금속화 배스 안정제 농도가 금속접점의 형태에 미치는 영향은 서로 다른 크기의 단자영역에 대하여 상이하기 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이 서로 다른 크기의 단자영역(43, 44)을 포함하는 단자영역 배열의 세트(28, 29)가 테스트 기판에 더 제공되어, 이 테스트 기판(26)에 의해, 금속접점의 형태에 안정제 농도가 미치는 영향에 대하여 가능한 일반적인 결론(적어도 서로 다른 크기의 단자영역에 대해서)을 얻을 수 있다.

도 10은 상호 할당된 두 개의 단자영역(62)을 각각 가지는 단자영역 배열(58, 59, 60, 61)을 구비하는 테스트 기판(57)을 나타내는데, 이 경우 개별 단자영역 배열(58 내지 61)은 서로 다른 접촉간격(63, 64, 65, 66)을 가지며, 서로 다른 크기의 단자영역을 갖게 할 수도 있다.

도 10 및 11에 나타나듯이, 기판(57)의 캐리어 평판(67) 위에 배치된 단자영역배열(58 내지 61)의 단자영역(62)은, 캐리어-암 타입의 브래킷 돌출부(68 내지 71)의 지지되지 않은 단부에 설치되며, 캐리어 평판(67) 내에 할당된 단자영역(62)에 대향하는 개별 접촉간격(63 내지 66)에 설치된다. 도 12에 나타나듯이, 배스 컨테이너(75)의 컨테이너 벽(74)을 통해서 단자영역(62)의 접촉을 가능하게 하는 외부접점(73)으로 나오는(debouch) 접점 도전체(72)가, 캐리어 평판(67) 및 브래킷 돌출(68 내지 71) 양쪽 모두에 제공된다.

도 12는, 테스트 기판(57)을 이용하여, 단자영역 배열(58)의 단자영역(62) 상에, 도 4에 도시된 테스트 기판(26)의 경우에서와 같이 기판(57)의 표면에 평행한 것이 아니라 그와 반대로 테스트 기판(57)의 표면에 수직으로 형성되는 두 개의 금속접점(76, 77) 사이에 전기적 접촉을 형성하는 것이 가능하다는 것을 명백히 보여준다. 금속접점들 사이에 형성되는 단락회로를 사용하여 금속화 배스 내의 안정제 농도를 결정하는 상술한 방법은, 결과적으로, 예를 들어 도 9에 도시된 바와 같이 퇴적과정의 결과로서 단자영역의 외주부를 넘어서까지는 금속접점이 성장하지 않고 단자영역의 표면상에만 금속접점이 성장하는 경우에도 사용될 수 있다. 도 11 및 도 12로부터 명백하듯이, 캐리어 평판(67) 내에 배치된 하측 단자영역(62)이 금속화 배스 내에 용해된 금속화 재료에 대하여 갖는 접근가능성(accessibility)을 종전과 마찬가지로 우수하게 보장하여, 결과적으로 하측 단자영역 상에서의 퇴적과정의 약화를 가능한 최소화하기 위해서, 브래킷 돌출부(68 내지 71)의 단부에서 단자영역 배열(58 내지 61)의 각 단자영역(62)의 배열은, 캐리어 평판(67)의 위에 단자영역(62)을 배치함으로써 캐리어 평판(67)의 마스킹의 중요성을 가능한 떨어뜨릴 수 있다.

이러한 방법을 수행하는데 사용될 수 있는 디바이스에 대한 부가의 예가 도 1에 점선 패턴으로 도시된다. 이 경우에는, 단자영역(13, 14)에 대해 카운터전극(76)이 제공되어, 소정 포텐셜(U)을 단자영역(13, 14) 상에 가할 수 있게한다. 이것은 단자영역의 전기화학 과정에 영향을 미칠수 있게 하므로, 결과적으로는 상기 디바이스를 다른 금속화 매개체에, 특히 갈바닉 금속화 매개체를 포함하는 금속화 매개체에 적용할 수 있게 한다. 도시된 실시예에서는, 계측과정 동안에만 카운터전극이 단자로부터 분리된다. 또한, 카운터전극은 애노드 극성화에 의해서 단자영역 상에 퇴적된 금속을 다시 용해할 수 있도록 하므로, 그 후의 계측 사이클에 대하여 단자영역을 준비하는 것이 가능하게 한다. 이를 위해, 단자영역을 재생성할 목적만으로 계측후에 카운터 전극이 활성화될 수도 있다.

Claims (14)

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3. 금속화 배스에 금속화 재료를 증착하여, 기판의 단자 영역들 상에 융기형성된 금속접점의 재현가능한 생성물을 위한 파라미터로서 금속화 배스에 첨가된 배스 안정제의 농도를 결정하는 방법에 있어서,

   테스트 기판은 복수의 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들을 구비하고, 각각의 세트의 단자 영역 장치들은 같은 크기의 단자 영역(42, 43, 44)을 포함하여 이루어지며, 여러 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들은 상이한 크기의 단자 영역들을 포함하여 이루어지고, 각각의 세트의 상기 단자 영역 장치들은 정의된 접촉간격(45 내지 48)으로 서로에 대해 할당된 2개의 단자 영역(42 내지 44)들을 구비하며, 상기 접촉간격들은 여러 단자 영역 장치들의 서로에 대해 할당된 단자 영역들간에 상이하고,

   상기 테스트 기판은 상기 금속화 배스 안으로 도입되며,

   상기 파라미터는 상기 단자 영역 상의 상기 금속접촉의 질량으로 인하여 전기량의 측정으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 파라미터 결정 방법.
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10. 제 3항의 방법을 수행하기 위한 디바이스에 있어서,

    테스트 기판(11, 26, 57)은 복수의 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들을 구비하고,각각의 세트의 단자 영역 장치들은 같은 크기의 단자 영역(42, 43, 44)을 포함하여 이루어지며, 여러 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들은 상이한 크기의단자 영역들을 포함하여 이루어지고, 각각의 세트의 상기 단자 영역 장치들은 정의된 접촉간격(45 내지 48)으로 서로에 대해 할당된 2개의 단자 영역(42 내지 44)들을 구비하며, 상기 접촉간격들은 여러 단자 영역 장치들의 서로에 대해 할당된 단자 영역들간에 상이하고, 상기 단자 영역들은, 저항 측정 기구(22)를 포함하여 이루어지는 전기 측정 회로(19)의 단락 극(short-circuit poles)을 형성하는 것을 특징으로 하는 파라미터 결정용 디바이스.
11. 제 10항에 따른 테스트 기판에 있어서,

    복수의 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들을 포함하고, 각각의 세트의 단자 영역 장치들은, 같은 크기의 단자 영역(42, 43, 44)을 포함하여 이루어지며, 상기 여러 세트(27 내지 29)의 단자 영역 장치들은 상이한 크기의 단자 영역들을 포함하여 이루어지고,

    각각의 세트의 상기 단자 영역 장치들은 정의된 접촉간격으로 서로에 대해 할당된 2개의 단자 영역(42 내지 44)들을 구비하며, 상기 접촉간격들은 여러 단자 영역 장치들의 서로에 대해 할당된 단자 영역들간에 상이한 것을 특징으로 하는 테스트 기판.
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