DE10136005C1 - Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ - Google Patents
Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-TypInfo
- Publication number
- DE10136005C1 DE10136005C1 DE10136005A DE10136005A DE10136005C1 DE 10136005 C1 DE10136005 C1 DE 10136005C1 DE 10136005 A DE10136005 A DE 10136005A DE 10136005 A DE10136005 A DE 10136005A DE 10136005 C1 DE10136005 C1 DE 10136005C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- temperature sensor
- semiconductor
- semiconductor layer
- semiconductor temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/226—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor using microstructures, e.g. silicon spreading resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Ein Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ umfaßt eine Halbleiterschicht (4) mit einer ersten Oberfläche (2), eine erste Elektrode (6a), die eine erste für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors maßgebliche Abmessung aufweist, und eine zweite Elektrode (10a), die eine zweite für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors im wesentlichen unmaßgebliche Abmessung aufweist, wobei der kleinste Abstand zwischen der ersten Elektrode (6a) und der zweiten Elektrode (10a) größer als die erste Abmessung ist.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiter-
Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ und insbe
sondere auf einen Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbrei
tungswiderstands-Typ mit zwei nebeneinander an einer Oberflä
che angeordneten Anschlußelektroden.
Si-Temperatursensoren nach dem Spreading-Resistance-Prinzip
(Ausbreitungswiderstands-Prinzip) sind seit ca. 20 Jahren auf
dem Markt. Bei diesem Prinzip wird der spezifische Widerstand
des Halbleitermaterials gemessen, der stark temperaturabhän
gig ist. Ihr Vorteil ist die kostengünstige Herstellbarkeit
und die im Vergleich zu Metallfilmsensoren wesentlich höhere
Empfindlichkeit bei gleichzeitig ähnlich guter Reproduzier
barkeit der Kennlinie. Diese Sensoren sind in zwei Ausführun
gen bekannt, die in den Fig. 1 und 2 schematisch dargestellt
sind.
Der in Fig. 1 dargestellte Einlochsensor weist an einer er
sten Oberfläche 2 einer Halbleiterschicht 4 eine erste Elek
trode 6a in der Halbleiterschicht 4 mit einer ersten An
schlußelektrode 6b auf der ersten Oberfläche 2 und an einer
zweiten, der ersten Oberfläche 2 gegenüberliegenden Oberflä
che 8 eine zweite Elektrode 10a in der Halbleiterschicht 4
mit einer zweiten Anschlußelektrode 10b auf der zweiten Ober
fläche 8 auf. Die Elektroden 6a, 10a sind hochdotierte Ge
biete in der Halbleiterschicht 4, die beispielsweise eine Do
tierungsdichte von 1020/cm3 aufweisen, im Vergleich zu einer
Dotierungsdichte von ca. 5.1014/cm3 im übrigen Bereich der
Halbleiterschicht 4, dem Widerstandsgebiet. Während die zwei
te Elektrode 10a großflächig ausgebildet ist, ist die erste
Elektrode 6a relativ kleinflächig ausgebildet, d. h. gerade
so groß, wie es das Spreading-Resistance-Prinzip zur Ausbil
dung eines bestimmten Widerstandes erfordert. Eine die erste
Anschlußelektrode 6b bildende Metallschicht steht, wie in
Fig. 1 gezeigt, nur durch ein kleines Loch (Spreadingloch
bzw. Kontaktloch) in einer elektrisch isolierenden Oxid- oder
Nitrid-Schicht 12 mit der Halbleiterschicht 4 in Kontakt.
Durch diese gängige Verwendung eines kleinen Kontaktloches
bzw. einer kleinen ersten Elektrode 6a an der ersten Oberflä
che 2 eines Sensorchips bzw. der Halbleiterschicht 4 und ei
ner großflächigen Kontaktierung bzw. zweiten Elektrode 10a an
der zweiten Oberfläche 8 der Halbleiterschicht 4 bildet sich
zwischen der ersten Elektrode 6a und der zweiten Elektrode
10a eine Stromdichteverteilung aus, die nahe der ersten Elek
trode 6a näherungsweise die Symmetrie einer Halbkugel auf
weist. In dieser Näherung ist der Widerstand R zwischen der
ersten Elektrode 6a und der zweiten Elektrode 10a
wobei ρ der stark temperaturabhängige spezifische Widerstand
des Halbleitermaterials ist, r0 der Ersatzradius der ersten
Elektrode 6a (dieser wird durch die Größe des Kontaktloches
an der ersten Oberfläche 2 bestimmt) ist und r1 der Ersatzra
dius der zweiten Elektrode 10a (dieser wird maßgeblich durch
die Dicke der Halbleiterschicht 4 bestimmt) ist.
Fig. 2 zeigt den auf dem Markt besser bekannten Zweilochsen
sor, der zwei gegeneinander geschaltete Spreading-Widerstände
aufweist. Der Zweilochsensor weist neben der ersten Elektrode
6a an der ersten Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4 und der
zweiten Elektrode 10a an der zweiten Oberfläche 8 der Halb
leiterschicht 4 eine dritte Elektrode 14a mit einer dritten
Anschlußelektrode 14b an der ersten Oberfläche 2 der Halblei
terschicht 4 auf. Die erste Elektrode 6a und die dritte Elek
trode 14a weisen in lateraler Richtung einen Abstand auf, der
im Bereich der Dicke der Halbleiterschicht 4 ist. Größe
re/kleinere Abstände erhöhen/reduzieren den Sensorwiderstand
nur geringfügig. Die dadurch bewirkten Änderungen können
leicht durch eine Erhöhung/Verkleinerung des Spreading-
Kontaktes kompensiert werden. Am Zweilochsensor wird der
elektrische Widerstand zwischen der ersten Elektrode 6a und
der dritten Elektrode 14a gemessen.
Einloch- und Zweilochsensoren, wie sie anhand der Fig. 1 und
2 dargestellt wurden, sind auch in der DE 29 44 015 C2 und in
dem Artikel "Mikroelektronischer Spreading-Widerstand-
Temperatursensor" von M. Beitner und G. Tomasi (Siemens-For
schungs- und Entwicklungsberichte, Band 10 (1981) Nr. 2,
Springer-Verlag 1981, Seiten 65-71) beschrieben.
Ein Vorteil des Einlochsensors ist die bei geeigneter Polung
(erste Elektrode 6a positiv vorgespannt) mögliche Anwendung
bei Temperaturen bis zu 350°C. Bei dieser Polung wird der Ef
fekt der Eigenleitung unterdrückt. Die physikalische Erklä
rung dafür wurde auf der NTG-Fachtagung in Bad Nauheim, 9.
bis 11. März 1982, von Herrn Raab vorgetragen. Da der Sensor
unipolar, d. h. mit definierter Stromrichtung betrieben wer
den muß, muß er als Produkt wie eine Diode mit zwei verschie
denen Anschlüssen spezifiziert werden.
Ein Vorteil des Zweilochsensors ist die polungsunabhängige
Verwendbarkeit. Da der Widerstandswert des Sensors aufgrund
der Symmetrie von der Stromrichtung unabhängig ist, kann er
wie ein Ohmscher Widerstand spezifiziert und eingesetzt wer
den. Nachteilig ist allerdings, daß er nur bis maximal ca.
150°C eingesetzt werden kann, da aufgrund der Eigenleitung
des Halbleitermaterials die Kennlinie bei ca. 170°C abknickt
und bei Temperaturen ab 200°C sogar zweideutige Ergebnisse
auftreten können.
Während alle Zweiloch-Sensoren vom Prinzip her beide Elektro
den 6a, 14a und damit auch beide Anschlußelektroden 6b, 14b
nebeneinander an einer Seite, der Chipoberseite aufweisen,
werden alle bekannten hochtemperaturfähigen Einlochsensoren
zwischen einer ersten Elektrode 6a an einer ersten Oberfläche
und einer zweiten Elektrode 10 an einer gegenüberliegenden
Oberfläche betrieben. Besteht nun Bedarf einen Einlochsensor
für die Messung der Temperatur eines Bauelementes zu nutzen,
so muß die nötige Kontaktierung des auf der Chiprückseite be
findlichen Widerstandskontaktes durch ein elektrisch leitfä
higes Element (z. B. eine Kupferfahne) von der schwer zugäng
lichen Rückseite zu einem besser zugänglichen Bereich verlegt
werden. Gerade für all jene Applikationen, wo ein separates
Temperaturmeßelement elektrisch isoliert auf das zu messende
Element (z. B. mittels einer Klebung) aufgebracht wird, er
fordert dies das Einbringen eines elektrisch leitfähigen Ele
mentes zwischen der Chiprückseite und der Klebung, das kraft-
und formschlüssig mit der Chiprückseite verbunden sein sollte
und den Chiprückseitenkontakt bzw. die zweite Anschlußelek
trode 10b für eine günstigere Kontaktierung bis zu einem
leichter zugänglichen Ort verlängert. Dies hat in der Regel
einen erheblichen Verarbeitungstechnischen und technologi
schen Mehraufwand zur Folge, bildet zusätzliche Fehlerquellen
und kann die thermische Anbindung des Sensors an das zu mes
sende Element verschlechtern. Diese Nachteile bzw. Probleme
verschärfen sich weiter, wenn der Sensor gleichzeitig poten
tialfrei bzw. elektrisch isoliert an dem Bauelement ange
bracht werden soll.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
einfacheren bzw. einfacher aufgebauten Halbleiter-Temperatur
sensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ zu schaffen, der die
elektrischen Eigenschaften des bekannten Einlochsensors auf
weist.
Diese Aufgabe wird durch einen Halbleiter-Temperatursensor
gemäß Anspruch 1 gelöst.
Ein Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-
Typ umfaßt eine Halbleiterschicht mit einer ersten Oberflä
che, eine erste Elektrode, die eine erste, für den Wider
standswert des Halbleiter-Temperatursensors maßgebliche Ab
messung aufweist, und eine zweite Elektrode, die eine zweite
für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors im
wesentlichen unmaßgebliche Abmessung aufweist, wobei der
kleinste Abstand zwischen der ersten Elektrode und der zwei
ten Elektrode größer als die erste Abmessung ist.
Vorzugsweise ist die zweite Elektrode größer oder erheblich
größer als die erste Elektrode. Gemäß einem bevorzugten Aus
führungsbeispiel ist die erste Elektrode kreisförmig und die
zweite Elektrode umschließt die erste Elektrode lateral im
wesentlichen. Die zweite Elektrode bzw. der der ersten Elek
trode zugewandte Rand der zweiten Elektrode kann im wesentli
chen kreisförmig und konzentrisch zur ersten Elektrode sein
oder die erste Elektrode im wesentlichen rechteckförmig um
schließen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht dar
in, den Halbleiter-Temperatursensor unempfindlich gegenüber
elektrischen Potentialen in angrenzenden Bauelementen auszu
gestalten.
Diese Aufgabe wird durch einen Halbleiter-Temperatursensor
mit den oben genannten Merkmalen gelöst, bei dem die Halblei
terschicht einen ersten Teilbereich, in dem die erste Elek
trode und die zweite Elektrode angeordnet sind und einen
zweiten Teilbereich aufweist, wobei zwischen dem ersten Teil
bereich und dem zweiten Teilbereich eine elektrisch isolie
rende Schicht, beispielsweise eine Oxid- oder Nitridschicht,
oder ein pn-Übergang als Sperrschicht angeordnet ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß
ein Halbleiter-Temperatursensor mit elektrischen Eigenschaf
ten, die denen des Einlochsensors ähnlich sind, eine zweite
Elektrode aufweisen kann, die nicht an der der ersten Elek
trode gegenüber liegenden Seite der Halbleiterschicht ange
ordnet ist.
Entsprechend kann die zweite Elektrode an der Chipoberseite
bzw. der gleichen Oberfläche, an der die erste Elektrode an
geordnet ist, angeordnet sein, wobei die zweite Elektrode
vorzugsweise einen Mindestabstand zu der ersten Elektrode
hat, der größer als eine für den Widerstandswert des Halblei
ter-Temperatursensors maßgebliche Abmessung ist, wobei die
zweite Elektrode eine erheblich größere Fläche aufweist als
die erste Elektrode, und wobei die zweite Elektrode eine
weitgehend beliebige Form aufweisen kann. Die für den Wider
stand des Halbleiter-Temperatursensors maßgebliche Abmessung
ist beispielsweise im Fall einer kreisförmigen ersten Elek
trode deren Durchmesser, im Fall einer ersten Elektrode in
Form eines schmalen und langen Rechtecks deren Breite. Denk
bare laterale Formen der zweiten Elektrode sind z. B. ein
konzentrisch zur ersten Elektrode verlaufenden Ring, ein die
erste Elektrode umgebendes Rechteck oder eine beliebige, ne
ben der ersten Elektrode angeordnete Fläche. Durch diese Ver
legung der zweiten Elektrode von der Chiprückseite an die
Oberfläche, an der die erste Elektrode angeordnet ist, wird
die Kontaktierung des Halbleiter-Temperatursensors erheblich
erleichtert. Insbesondere bei Anwendungen, bei denen der Sen
sor als separates Bauelemente beispielsweise mittels einer
Klebung an dem Bauelement angebracht wird, dessen Temperatur
gemessen werden soll, bedeutet dies eine wesentlich einfache
re Kontaktierung beider Elektroden. Ferner ergeben sich neue
Einsatzfelder für den Halbleiter-Temperatursensor gemäß der
vorliegenden Erfindung. Beispielsweise kann er als On-Chip-
Halbleitermeßelement in einer durch Dotierung hergestellten
isolierenden Wanne verwendet werden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Halblei
ter-Temperatursensors vom Ausbreitungswiderstands-
Typ gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung eines weiteren
Halbleiter-Temperatursensors vom Ausbreitungswider
stands-Typ gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung eines bevor
zugten Ausführungsbeispieles eines Halbleiter-
Temperatursensors vom Ausbreitungswiderstands-Typ
gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Schnittdarstellung des Ausfüh
rungsbeispieles aus Fig. 3;
Fig. 5 eine schematische Draufsicht eines weiteren Ausfüh
rungsbeispieles der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine schematische Draufsicht eines weiteren Ausfüh
rungsbeispieles der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine schematische Draufsicht eines weiteren Ausfüh
rungsbeispieles der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 8 eine schematische Schnittdarstellung des Ausfüh
rungsbeispieles aus Fig. 7.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des Halbleiter-
Temperatursensors vom Ausbreitungswiderstands-Typ gemäß der
vorliegenden Erfindung ist in den Fig. 3 und 4 dargestellt.
Dabei ist Fig. 3 eine schematische Darstellung des Schnittes
B-B in Fig. 4 und Fig. 4 ist eine schematische Darstellung
des Schnittes A-A in Fig. 3. An einer ersten Oberfläche 2 ei
ner Halbleiterschicht 4 sind eine erste Elektrode 6a und eine
zweite Elektrode 10a in der Halbleiterschicht 4 angeordnet.
Die Elektroden 6a, 10a sind hochdotierte Gebiete in der Halb
leiterschicht 4, die beispielsweise eine Dotierungsdichte von
1020/cm3 aufweisen. Im Vergleich dazu weist die Halbleiter
schicht 4 im Widerstandsgebiet außerhalb der Elektroden 6a,
10a eine Dotierungsdichte von 7.1014/cm3 auf. An die erste
Elektrode 6a grenzt eine erste Anschlußelektrode 6b an, und
an die zweite Elektrode 10a grenzt eine zweite Anschlußelek
trode 10b an, so daß jeweils ein elektrisch leitfähiger Kon
takt zwischen der ersten Elektrode 6a und der ersten An
schlußelektrode 6b sowie zwischen der zweiten Elektrode 10a
und der zweiten Anschlußelektrode 10b besteht. Die beiden An
schlußelektroden 6b, 10b weisen jeweils eine Metallisierung
bzw. eine Metallschicht auf, die im wesentlichen auf der
Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4 angeordnet sind. In la
teraler Richtung sind die erste Elektrode 6a kreisförmig und
die zweite Elektrode 10a kreisringförmig, wobei beide Elek
troden 6a, 10a konzentrisch angeordnet sind. Der Radius der
ersten Elektrode 6a ist relativ klein gewählt, d. h. gerade
so groß, wie es das Spreading-Resistance-Prinzip zur Ausbil
dung eines bestimmten Widerstandes erfordert, und der Innen
radius der zweiten Elektrode 10a ist so gewählt, daß der Ab
stand d zwischen der ersten Elektrode 6a und der zweiten
Elektrode 10a, d. h. die Differenz des Innenradius der zwei
ten Elektrode 10a und des Radius der ersten Elektrode 6a grö
ßer ist als der Radius der ersten Elektrode 6a. Beispielswei
se weisen die erste Elektrode 6a einen Durchmesser von ca. 25
µm und die zweite Elektrode einen Innenradius von ca. 150 µm
auf. Die Halbleiterschicht 4 umfaßt einen ersten Teilbereich
4a, an dem die erste Elektrode 6a und die zweite Elektrode
10a angeordnet sind, und einen zweiten Teilbereich 4b. Zwi
schen dem ersten Teilbereich 4a und dem zweiten Teilbereich
4b der Halbleiterschicht 4 ist eine elektrisch isolierende
Schicht 16 angeordnet, die den ersten Teilbereich 4a in der
Form einer Wanne elektrisch vollständig von dem zweiten Teil
bereich 4b isoliert.
Die im Verhältnis zum Abstand d zwischen der ersten Elektrode
6a und der zweiten Elektrode 10a kleine laterale Ausdehnung
der ersten Elektrode 6a erzeugt eine ausgeprägt inhomogene
Stromdichteverteilung in dem ersten Teilbereich 4a der Halb
leiterschicht 4 in der Nähe der ersten Elektrode 6a. In un
mittelbarer Umgebung der ersten Elektrode 6a liegt ähnlich
den in den Fig. 1 und 2 dargestellten Halbleiter-Temperatur
sensoren vom Ausbreitungswiderstands-Typ gemäß dem Stand der
Technik eine näherungsweise kugelsymmetrische Stromdichtever
teilung vor. Es folgt eine Abhängigkeit des elektrischen Wi
derstandes R vom spezifischen Widerstand ρ des Halbleiterma
terials, dem Radius bzw. Ersatzradius r0 der ersten Elektrode
6a und dem Ersatzradius r1 der zweiten Elektrode 10a ähnlich
der oben angegebenen Formel, wobei aber der Ersatzradius r1
der zweiten Elektrode 10a eine kompliziertere Funktion der
Geometrie des Halbleiter-Temperatursensors ist und nicht mehr
einfach als der Abstand d zwischen der ersten Elektrode 6a
und der zweiten Elektrode 10a oder der Innenradius der zwei
ten Elektrode 10a interpretiert werden kann.
Aus der ausgeprägt inhomogenen, nahe der ersten Elektrode 6a
näherungsweise kugelsymmetrischen Stromdichteverteilung in
dem ersten Teilbereich 4a der Halbleiterschicht 4 folgt eine
Funktionsweise des in den Fig. 3 und 4 dargestellten
Halbleiter-Temperatursensors, die der des in
Fig. 1 dargestellten herkömmlichen Halbleiter-Temperatur
sensors entspricht bzw. ähnlich ist. Zur Messung einer Tempe
ratur des Halbleiter-Temperatursensors wird der elektrische
Widerstand zwischen der ersten Elektrode 6a und der zweiten
Elektrode 10a gemessen, wobei die erste Elektrode 6a ein po
sitiveres Potential aufweist als die zweite Elektrode 10a.
Bei dieser Polung ist es z. B. bei Verwendung von Silizium
als Halbleitermaterial möglich, Temperaturen bis über 300°C
zu messen. Bei noch höheren Temperaturen ändert sich das Ver
halten des Halbleiter-Temperatursensors aufgrund der Eigen
leitung von PTC- zu NTC-Verhalten.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Einlochsensoren, welche prin
zipbedingt den gleichen Temperatur-Einsatzbereich aufweisen,
sind bei dem Halbleiter-Temperatursensor gemäß der vorliegen
den Erfindung sowohl die erste Elektrode 6a als auch die
zweite Elektrode 10a an ein und derselben Oberfläche der
Halbleiterschicht 4, d. h. lateral nebeneinander angeordnet.
Daraus resultieren erhebliche Vorteile bei der Herstellung
sowie bei der Kontaktierung bzw. elektrischen Beschaltung des
Sensors. Im Gegensatz zu dem bekannten Zweilochsensor wird
dieser Vorteil bei dem Halbleiter-Temperatursensor gemäß der
vorliegenden Erfindung jedoch nicht durch einen eingeschränk
ten Temperatur-Einsatzbereich erkauft.
Die elektrisch isolierende Schicht 16 des dargestellten Aus
führungsbeispieles des Halbleiter-Temperatursensors gemäß der
vorliegenden Erfindung begründet eine besondere Eignung des
Sensors für Anwendungen, bei denen der Sensor in unmittelba
rem mechanischem Kontakt zu anderen elektrischen oder elek
tronischen Bauelementen steht. Der Halbleiter-Temperatur
sensor gemäß dem in den Fig. 3 und 4 dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel kann aufgrund der elektrisch isolierenden
Schicht 16 völlig unabhängig von elektrischen Potentialen der
anderen Bauelemente betrieben werden. Die vorliegende Erfin
dung erleichtert somit die Verwendung eines Halbleiter-Tempe
ratursensors vom Ausbreitungswiderstands-Typ für Temperatur
messungen für all jene Anwendungen, bei denen durch den phy
sikalischen Aufbau des Sensors auf dem zu messenden Element
bzw. in dem zu messenden Element eine Kontaktierung der Rück
seite unmöglich oder ungünstig ist. Beispiele hierfür sind
grundsätzlich alle jene Temperaturmessungen, bei denen die
Forderung nach Potentialtrennung der Sensorrückseite von dem
zu messenden Element besteht (dies ist z. B. der Fall, wenn
der Sensor als separater Chip elektrisch isoliert, jedoch
thermisch gut gekoppelt an dem zu messenden Objekt angebracht
werden soll), oder bei denen beide Sensorkontakte zur Ver
schaltung auf die Chipoberfläche zurückgeführt sein müssen
(dies ist z. B. der Fall, wenn sich der Sensor monolithisch
integriert als Schaltungskomponente auf dem zu messenden
Halbleiterchip befindet und über eine auf oder außerhalb des
Chips befindliche Logik ausgewertet wird). Insbesondere kann
also der Sensor, wenn er als Einzelbauelement ausgeführt ist,
ohne weiteres an einem anderen Bauelement angebracht werden,
ohne daß auf eine elektrische Isolation zwischen dem Sensor
und dem anderen Bauelement geachtet werden muß. Besonders
vorteilhaft ist die elektrische isolierende Schicht 16 auch
dann, wenn der Halbleiter-Temperatursensor einstückig mit an
deren elektronischen Bauelementen, die an oder in derselben
Halbleiterschicht 4 angeordnet sind, ausgeführt wird (On-
Chip-Sensor).
Die elektrisch isolierende Schicht 16 kann auf verschiedene
Weisen erzeugt werden, beispielsweise durch einen in Sperr
richtung vorgespannten pn-Übergang, durch ein
Dotierungsprofil, durch Implantation von Sauerstoff oder auch
durch eine bereits bei der Herstellung der Halbleiterschicht
4 gewachsene isolierende Schicht, wobei die Seitenwände, d.
h. die Abschnitte der elektrisch isolierenden Schicht 16,
welche den ersten Teilbereich 4a in lateraler Richtung be
grenzen, durch Ätzen von Gräben oder andere Maßnahmen bei
nachfolgenden Verarbeitungsschritten erzeugt werden. Die geo
metrische Form der elektrisch isolierenden Schicht 16 hat ge
ringen Einfluß auf die Funktion des Halbleiter-Temperatur
sensors und kann weitgehend frei gewählt bzw. anderen Erfor
dernissen angepaßt werden, die beispielsweise aus Art, Funk
tion und Anordnung benachbarter Bauelemente resultieren kön
nen, sofern die erste Elektrode 6a und die zweite Elektrode
10a vollständig an dem durch die elektrisch isolierende
Schicht 16 definierten ersten Teilbereich 4a der Halbleiter
schicht 4 angeordnet sind und der erste Teilbereich 4a durch
die Schicht 16 von dem zweiten Teilbereich 4b elektrisch iso
liert ist. Dabei ist die durch die geometrische Form der
elektrisch isolierenden Schicht 16 bestimmte Dicke des ersten
Teilbereiches 4a der Halbleiterschicht 4 vorzugsweise zumin
dest so groß gewählt, daß die näherungsweise kugelsymmetri
sche Stromdichteverteilung nahe der ersten Elektrode 6a nicht
beeinträchtigt wird.
Unter Umständen kann auf die elektrisch isolierende Schicht
16 teilweise oder vollständig verzichtet werden, beispiels
weise wenn der Halbleiter-Temperatursensor das einzige elek
trische oder elektronische Bauelement an und in der Halblei
terschicht 4 darstellt, oder wenn andere Bauelemente selbst
eine elektrische Isolation aufweisen oder so weit beabstandet
sind, daß eine elektrische Wechselwirkung zwischen ihnen und
dem Temperatursensor vernachlässigbar ist.
Die erste Anschlußelektrode 6b und die zweite
Anschlußelektrode 10b können ein oder mehrere Metalle oder
ein anderes Material mit elektrischer Leitfähigkeit aufwei
sen. Die erste Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4 kann,
ähnlich wie es in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist, teilweise
durch eine isolierende Schicht 12, beispielsweise Nitrid oder
Oxid, bedeckt sein, wobei die erste Anschlußelektrode 6b mit
der ersten Elektrode 6a und die zweite Anschlußelektrode 10b
mit der zweiten Elektrode 10a durch entsprechend geformte
Aussparungen in der isolierenden Schicht 12 in elektrischem
Kontakt stehen. Die erste Elektrode 6a und die zweite Elek
trode 10a können ferner abweichend von der schematischen Dar
stellung in Fig. 3 in lateraler Richtung verschiedene Formen
aufweisen. Zwei Beispiele sind in den Fig. 5 und 6 darge
stellt, in denen auf eine Darstellung der optionalen elek
trisch isolierenden Schicht 16 verzichtet wurde.
Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Halblei
ter-Temperatursensors vom Ausbreitungswiderstands-Typ gemäß
der vorliegenden Erfindung, das sich von dem in den Fig. 3
und 4 dargestellten Ausführungsbeispiel durch die laterale
Form der zweiten Elektrode 10a unterscheidet. Die zweite
Elektrode 10a umgibt die erste Elektrode 6a in lateraler
Richtung vollständig, wobei der der ersten Elektrode 6a zuge
wandte Rand der zweiten Elektrode 10a die Form eines Kreises
aufweist, der konzentrisch zu der ebenfalls kreisförmigen er
sten Elektrode 6a angeordnet ist. Ähnlich wie Fig. 3 kann
auch Fig. 5 als schematische Darstellung eines Ausschnittes
der Oberfläche 2 einer lateral weiter ausgedehnten Halblei
terschicht 4, die beispielsweise weitere Bauelemente aufwei
sen kann, oder als in Hinsicht auf die laterale Ausdehnung
vollständige schematische Darstellung eines Einzelbauelement-
Halbleiter-Temperatursensors verstanden werden. Die zweite
Elektrode 10a erstreckt sich entsprechend bis zum Rand des
dargestellten Ausschnittes der ersten Oberfläche 2 der Halb
leiterschicht 4 oder darüber hinaus bzw. bis zum Rand der er
sten Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4.
Fig. 6 zeigt eine schematische Draufsicht eines weiteren Aus
führungsbeispieles eines Halbleiter-Temperatursensors vom
Ausbreitungswiderstands-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung,
das sich von den in den Fig. 3 und 4 bzw. 5 dargestellten
Ausführungsbeispielen durch die laterale Ausdehnung der zwei
ten Elektrode 10a unterscheidet. Die zweite Elektrode 10a um
gibt die erste Elektrode 6a in lateraler Richtung vollstän
dig, wobei ein der ersten Elektrode 6a zugewandter Rand der
zweiten Elektrode 10a die Form eines Rechtecks, insbesondere
eines Quadrats aufweist.
Die Fig. 7 und 8 zeigen eine schematische Draufsicht bzw. ei
ne schematische Schnittdarstellung eines weiteren, bevorzug
ten Ausführungsbeispieles eines Halbleiter-Temperatursensors
vom Ausbreitungswiderstands-Typ gemäß der vorliegenden Erfin
dung. In Fig. 7 sind lediglich die erste Elektrode 6a, die
erste Anschlußelektrode 6b, die zweite Elektrode 10a und die
zweite Anschlußelektrode 10b dargestellt. Die zweite Elektro
de 10a erstreckt sich lateral unter einem großen Teil der er
sten Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4 des Temperatursen
sors. Sie weist einen kreisförmigen Ausschnitt 18 auf, zu dem
konzentrisch die kreisförmige erste Elektrode 6a unter der
ersten Oberfläche 2 angeordnet ist. Die zweite Elektrode 10a
wird teilweise von der zweiten Anschlußelektrode 10b über
deckt. Die erste Elektrode 6a wird vollständig von einer er
sten Anschlußelektrode 6b überdeckt. Die erste Anschlußelek
trode 6b erstreckt sich ferner über einen Bereich 20 der
zweiten Elektrode 10a und einen Ausschnitt 22 der zweiten
Elektrode 10a. In Fig. 7 nicht dargestellte isolierende Oxid-
und Nitrid-Schichten isolieren die Anschlußelektroden 6b, 10b
von der Halbleiterschicht 4 und die erste Anschlußelektrode
6b von der zweiten Elektrode 10a, wie es nachfolgend anhand
der in Fig. 8 gezeigten schematischen Darstellung eines
Schnitts entlang der Linie C-C in Fig. 7 erläutert wird.
Anhand des in Fig. 8 dargestellten vertikalen Schnitts durch
das in Fig. 7 dargestellte Ausführungsbeispiel eines
Temperatursensors gemäß der Erfindung wird gleichzeitig seine Her
stellung beschrieben. Die Halbleiterschicht 4 weist homogen
mit einer Konzentration von ca. 7 × 1014 cm-3 n-dotiertes
Silizium auf. An der ersten Oberfläche 2 der Halbleiter
schicht 4 wird zunächst mittels eines Maskenprozesses eine
Oxidmaske 24 mit einer Dicke von ca. 1 µm erzeugt, deren la
terale Ausdehnung den in Fig. 7 zu erkennenden Ausschnitten
18 und 22 der späteren zweiten Elektrode 10a entspricht, und
die ferner am Ort der späteren ersten Elektrode 6a einen
kreisförmigen Ausschnitt aufweist. In einem folgenden Prozeß
schritt wird in den nicht von der Oxidmaske 24 bedeckten Be
reichen der ersten Oberfläche 2 der Halbleiterschicht 4 eine
n-Dotierung mit einer Dichte von ca. 1,0 × 1020 cm-3 bis zu
einer Tiefe von einigen µm eingetrieben. Diese hochdotierten
Bereiche der Halbleiterschicht 4 an deren ersten Oberfläche 2
bilden die erste Elektrode 6a und die zweite Elektrode 10a.
In einem weiteren Prozeßschritt werden die von der Halblei
terschicht 4 abgewandten Oberflächen der Oxidmaske 24 und der
Elektroden 6a und 10a mit Niederdruck-Nitrid 26 (low pressure
nitride) mit einer Dicke von ca. 0,1 µm abgedeckt. Diese
Schicht soll primär ein Eindringen von Ionen (insbesondere
Na+) verhindern und wird mittels einer Maske und eines Ätz
schrittes lateral strukturiert, um die von der Halbleiter
schicht 4 abgewandte Oberfläche der ersten Elektrode 6a und
den später von der zweiten Anschlußelektrode 10b bedeckten
Bereich der von der Halbleiterschicht 4 abgewandten Oberflä
che der zweiten Elektrode 10a freizulegen. In einem weiteren
Prozeßschritt wird auf der Nitridschicht 26 und den Elektro
den 6a und 10a eine lateral strukturierte Metallisierung aus
Aluminium mit einer Dicke von ca. 1,5 µm aufgebracht, welche
die erste Anschlußelektrode 6b und die zweite Anschlußelek
trode 10b bildet. Wie es in Fig. 8 zu erkennen ist, steht die
erste Anschlußelektrode 6b mit der ersten Elektrode 6a in
Kontakt und ist von der zweiten Elektrode 10a durch die Ni
tridschicht 26 getrennt. Die zweite Anschlußelektrode 10b
steht mit der zweiten Elektrode 10a in Kontakt. In einem
letzten Prozeßschritt wird eine ca. 0,8 µm dicke Nitrid-
Passivierung 28 aufgebracht, welche abgesehen von Kontakt
flecken 30, an denen die erste Anschlußelektrode 6b bzw. die
zweite Anschlußelektrode 10b des fertigen Temperatursensors
kontaktiert werden kann, die gesamten von der Halbleiter
schicht 4 abgewandten und offenliegenden Oberflächen der
zweiten Elektrode 10a, der Anschlußelektroden 6b und 10b und
der Niederdruck-Nitrid-Schicht 26 bedeckt und Plasma-Oxid
aufweist.
Da, wie oben dargestellt, für die Funktion eines Halbleiter-
Temperatursensors vom Ausbreitungswiderstands-Typ näherungs
weise nur die ausgeprägt inhomogene Stromdichteverteilung in
der Halbleiterschicht 4 nahe der ersten Elektrode 6a ent
scheidend ist, kann die zweite Elektrode 10a in lateraler
Richtung eine der in den Fig. 3, 5, 6 und 7 dargestellten
Formen oder weitere, nicht dargestellte Formen aufweisen.
Konvexe Singularitäten an der zweiten Elektrode 10a sind da
bei vorzugsweise zu vermeiden, da sie eine inhomogene Strom
dichteverteilung zur Folge haben, woraus analog dem in Fig. 2
dargestellten herkömmlichen Zweilochsensor Nachteile hin
sichtlich des Temperatur-Einsatzbereiches resultieren können.
Abgesehen von dieser Einschränkung ist es jedoch auch mög
lich, daß die zweite Elektrode 10a die erste Elektrode 6a in
lateraler Richtung nicht vollständig umschließt oder sogar
nur neben der ersten Elektrode 6a angeordnet ist.
In jedem Fall ist die zweite Elektrode 10a vorzugsweise grö
ßer oder wesentlich größer als die erste Elektrode 6a. Da
durch ist gewährleistet, daß die Stromdichteverteilung nahe
der zweiten Elektrode 10a näherungsweise homogen bzw. die In
homogenität der Stromdichteverteilung nahe der zweiten Elek
trode 10a viel schwächer ausgeprägt ist als die Inhomogenität
der Stromdichteverteilung nahe der ersten Elektrode 6a. Da
durch werden die oben in Zusammenhang mit dem Zweilochsensor
gemäß dem Stand der Technik dargestellten Nachteile bezüglich
des Temperatur-Einsatzbereichs vermieden.
Auch die Form der ersten Elektrode 6a kann von der in den
obigen Ausführungsbeispielen dargestellten Kreisform abwei
chen. Beispielsweise kann die erste Elektrode 6a die Form ei
nes Quadrats oder eines Rechtecks aufweisen, wobei alle Ab
weichungen von der Kreisform, die verglichen mit dem Abstand
der ersten Elektrode 6a zur zweiten Elektrode 10a klein sind,
die Stromdichteverteilung nicht wesentlich verändern. Eine
erste Elektrode 6a in der Form eines schmalen und länglichen
Rechteckes erzeugt hingegen in ihrer Umgebung eine ausgeprägt
inhomogene Stromdichteverteilung, welche näherungsweise die
Symmetrie einer Kreiszylinders aufweist. Die für den Wider
standswert des Halbleiter-Temperatursensors maßgebliche Ab
messung ist im Fall einer kreisförmigen ersten Elektrode 6a
deren Radius oder deren Durchmesser und im Fall einer schma
len, länglichen ersten Elektrode 6a deren Breite. Der Raumbe
reich um die erste Elektrode 6a, in dem die Stromdichtever
teilung näherungsweise kugelsymmetrisch bzw. näherungsweise
kreiszylindersymmetrisch ist, ist um so größer, je größer der
Abstand zwischen der ersten Elektrode 6a und der zweiten
Elektrode 10a ist. Der Abstand zwischen der ersten Elektrode
6a und der zweiten Elektrode 10a soll deshalb größer sein als
die für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors
maßgebliche Abmessung der ersten Elektrode 6a.
Claims (8)
1. Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-
Typ, mit folgenden Merkmalen:
einer Halbleiterschicht (4) mit einer ersten Oberfläche (2);
einer ersten Elektrode (6a), die an der ersten Oberfläche (2) an geordnet ist und eine erste für den Widerstandswert des Halb leiter-Temperatursensors maßgebliche Abmessung aufweist; und
einer zweiten Elektrode (10a), die an der ersten Oberfläche (2) angeordnet ist und eine zweite für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors im wesentlichen unmaßgebliche Abmessung aufweist;
wobei der kleinste Abstand zwischen der ersten Elektrode (6a) und der zweiten Elektrode (10a) größer als die erste Abmes sung ist.
einer Halbleiterschicht (4) mit einer ersten Oberfläche (2);
einer ersten Elektrode (6a), die an der ersten Oberfläche (2) an geordnet ist und eine erste für den Widerstandswert des Halb leiter-Temperatursensors maßgebliche Abmessung aufweist; und
einer zweiten Elektrode (10a), die an der ersten Oberfläche (2) angeordnet ist und eine zweite für den Widerstandswert des Halbleiter-Temperatursensors im wesentlichen unmaßgebliche Abmessung aufweist;
wobei der kleinste Abstand zwischen der ersten Elektrode (6a) und der zweiten Elektrode (10a) größer als die erste Abmes sung ist.
2. Halbleiter-Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die
zweite Elektrode (10a) größer ist als die erste Elektrode
(6a).
3. Halbleiter-Temperatursensor nach Anspruch 1 oder 2, bei
dem die erste Elektrode (6a) kreisförmig ist.
4. Halbleiter-Temperatursensor nach einem, der Ansprüche 1 bis
3, bei dem die zweite Elektrode (10a) die erste Elektrode
(6a) lateral im wesentlichen umschließt.
5. Halbleiter-Temperatursensor nach Anspruch 4, bei dem der
der ersten Elektrode (6a) zugewandte Rand der zweiten Elek
trode (10a) im wesentlichen kreisförmig und konzentrisch zur
ersten Elektrode (6a) ist.
6. Halbleiter-Temperatursensor nach Anspruch 4, bei dem der
der ersten Elektrode (6a) zugewandte Rand der zweiten Elek
trode (10a) die erste Elektrode (6a) im wesentlichen recht
eckförmig umschließt.
7. Halbleiter-Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem die Halbleiterschicht (4) einen ersten Teilbereich
(4a), in dem die erste Elektrode (6a) und die zweite Elektro
de (10a) angeordnet sind, und einen zweiten Teilbereich (4b)
aufweist, wobei zwischen dem ersten Teilbereich (4a) und dem
zweiten Teilbereich (4b) eine elektrisch isolierende Schicht
(16) angeordnet ist.
8. Halbleiter-Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem die Halbleiterschicht (4) einen ersten Teilbereich
(4a), in dem die erste Elektrode (6a) und die zweite Elektro
de (10a) angeordnet sind, und einen zweiten Teilbereich (4b)
aufweist, wobei zwischen dem ersten Teilbereich (4a) und dem
zweiten Teilbereich (4b) eine Sperrschicht angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10136005A DE10136005C1 (de) | 2001-06-06 | 2001-07-24 | Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10127420 | 2001-06-06 | ||
DE10136005A DE10136005C1 (de) | 2001-06-06 | 2001-07-24 | Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10136005C1 true DE10136005C1 (de) | 2002-11-28 |
Family
ID=7687351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10136005A Expired - Fee Related DE10136005C1 (de) | 2001-06-06 | 2001-07-24 | Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10136005C1 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053446A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Thermogenic Imaging | High throughput microcalorimeter systems and methods |
US7276351B2 (en) | 2003-09-10 | 2007-10-02 | Seahorse Bioscience | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
DE102007054832A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-14 | Siemens Ag | Flachbilddetektor mit Temperatursensor |
US8202702B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-06-19 | Seahorse Bioscience | Method and device for measuring extracellular acidification and oxygen consumption rate with higher precision |
US8658349B2 (en) | 2006-07-13 | 2014-02-25 | Seahorse Bioscience | Cell analysis apparatus and method |
US9494577B2 (en) | 2012-11-13 | 2016-11-15 | Seahorse Biosciences | Apparatus and methods for three-dimensional tissue measurements based on controlled media flow |
US10118177B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-11-06 | Seahorse Bioscience | Single column microplate system and carrier for analysis of biological samples |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2944015C2 (de) * | 1979-10-31 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Temperatursensor |
-
2001
- 2001-07-24 DE DE10136005A patent/DE10136005C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2944015C2 (de) * | 1979-10-31 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Temperatursensor |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 02-2 66 577 (A), in: Patents Abstracts of Japan, Sect. E, Vol. 15 (1991), No. 18 (E-1023) * |
Z.: Siemens Forschungs- und Entwicklungsberichte, Bd. 10 (1981) Nr. 2, Springer Verlag 1981, S. 65-71 * |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053446A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Thermogenic Imaging | High throughput microcalorimeter systems and methods |
US9170253B2 (en) | 2003-09-10 | 2015-10-27 | Seahorse Bioscience | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
US7638321B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-12-29 | Seahorse Bioscience, Inc. | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
US7851201B2 (en) | 2003-09-10 | 2010-12-14 | Seahorse Bioscience, Inc. | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
US8697431B2 (en) | 2003-09-10 | 2014-04-15 | Seahorse Bioscience, Inc. | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
US7276351B2 (en) | 2003-09-10 | 2007-10-02 | Seahorse Bioscience | Method and device for measuring multiple physiological properties of cells |
US8658349B2 (en) | 2006-07-13 | 2014-02-25 | Seahorse Bioscience | Cell analysis apparatus and method |
US9170255B2 (en) | 2006-07-13 | 2015-10-27 | Seahorse Bioscience | Cell analysis apparatus and method |
US10359418B2 (en) | 2006-07-13 | 2019-07-23 | Seahorse Bioscience | Cell analysis apparatus and method |
DE102007054832A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-14 | Siemens Ag | Flachbilddetektor mit Temperatursensor |
US8202702B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-06-19 | Seahorse Bioscience | Method and device for measuring extracellular acidification and oxygen consumption rate with higher precision |
US9494577B2 (en) | 2012-11-13 | 2016-11-15 | Seahorse Biosciences | Apparatus and methods for three-dimensional tissue measurements based on controlled media flow |
US10118177B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-11-06 | Seahorse Bioscience | Single column microplate system and carrier for analysis of biological samples |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007020263B4 (de) | Verkrallungsstruktur | |
DE102014117723B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE4027753A1 (de) | Kapazitiver kraftsensor | |
DE102010028275A1 (de) | Integrierter Seebeck-Differenztemperatursensor | |
WO2007017252A1 (de) | Halbleitersensor mit grosser bandlücke und isolierender deckschicht | |
EP0148330A2 (de) | Integrierbares Hallelement | |
DE102014107003B4 (de) | Halbleiterbauelement mit integriertem Bruchsensor und Verfahren zum Detektieren eines Bruchs in einem Halbleiterbauelement | |
DE1639255C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Isolierschicht-Feldeffekttransistor | |
WO2007121885A1 (de) | Vertikales hall-sensorelement | |
DE202020101280U1 (de) | Passiver Stromsensor mit vereinfachter Geometrie | |
DE102013103378B4 (de) | Integrierte Schaltung mit Leistungstransistorzellen und einer Verbindungsleitung | |
DE102014114230A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE10136005C1 (de) | Halbleiter-Temperatursensor vom Ausbreitungswiderstands-Typ | |
DE10120520A1 (de) | Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren | |
DE1810322B2 (de) | Bipolarer Transistor fur hohe Ströme und hohe Stromverstärkung | |
DE102005043270B4 (de) | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung von planaren Feldeffekttransistoren sowie zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE102007015295A1 (de) | Temperatursensorstruktur für ein Halbleiterbauelement | |
DE102004008008A1 (de) | Integrierter Flusssensor zum Messen eines Fluidflusses und Verfahren zum Herstellen eines Flusssensors | |
DE102011054739A1 (de) | Thermoelement und Herstellungsverfahren | |
DE102010039325B4 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Lasttransistor und einem Messtransistor und Verfahren zu deren Herstellung | |
WO1992020105A2 (de) | Halbleiterdetektor | |
WO2016066329A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
DE10038891A1 (de) | Thermoelement, elektronisches Gerät und Verfahren zum Herstellen eines Thermoelements | |
EP0704902B1 (de) | Verwendung eines Leistungshalbleiterbauelements mit monolithisch integrierter Sensoranordnung | |
DE102005043271B4 (de) | Vorrichtung zur Messung der Temperatur in vertikal aufgebauten Halbleiterbauelementen bei laufendem Betrieb und kombinierte Teststruktur zur Erfassung der Zuverlässigkeit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |