CN105723225B - 测试针和制造测试针的方法 - Google Patents

测试针和制造测试针的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105723225B
CN105723225B CN201380080737.2A CN201380080737A CN105723225B CN 105723225 B CN105723225 B CN 105723225B CN 201380080737 A CN201380080737 A CN 201380080737A CN 105723225 B CN105723225 B CN 105723225B
Authority
CN
China
Prior art keywords
core element
weight
testing needle
metal alloy
guard component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380080737.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105723225A (zh
Inventor
P.泽伦森
N.施陶特
R.魏兰德
I.普伦策尔
D.F.卢普顿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Publication of CN105723225A publication Critical patent/CN105723225A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105723225B publication Critical patent/CN105723225B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06788—Hand-held or hand-manipulated probes, e.g. for oscilloscopes or for portable test instruments
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for assembling or disassembling contact members with insulating base, case or sleeve

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及用于半导体元件电子测试的测试针(100、100')和电绝缘护套元件(300)，其包括导电芯元件(200)，其中芯元件(200)由金属合金构成，护套元件(300)局部地包围芯元件(200)，且芯元件(200)包括用于与半导体元件电接触的远端接触段(210)。根据本发明设定，芯元件(200)的金属合金包含至少67重量%铑、0.1重量%至1重量%锆、最多1重量%钇和最多1重量%铈。本发明还涉及制造本发明的测试针的方法。

Description

测试针和制造测试针的方法
本发明涉及用于半导体元件电子测试的测试针，其包括导电芯元件和电绝缘护套元件，其中所述芯元件由金属合金构成，所述护套元件局部地包围芯元件，且所述芯元件包括用于与半导体元件电接触的远端接触段。此外，本发明涉及制造测试针的方法。
在芯片制造过程中，在加工后直接使半导体元件与测试针接触，以在半导体元件的未锯切状态下测试集成电路（IC）的功能性。测试针固定在与半导体元件的设计相匹配的测试卡中。在该测试过程中，将半导体元件压到针上并任选穿过钝化层建立针与IC板之间的接触。然后测试各种参数，如接触、在高电流密度下的通过性能和在温度改变时的电性能。
所述测试针必须具有高电导率和高热导率、良好耐蚀性和高硬度以及良好的弹性（Federeigenschaft）。对许多材料而言，硬度的提高通常伴随着脆度的提高，这对弹性和对可加工性而言是不利的。
由于最新发展趋势是半导体元件上IC的日益小型化，必须实现测试针在测试卡上持续更密集组装的排布。因此，要求测试针越来越细。为了满足这些要求，用于制造测试针的材料必须具有高硬度和良好弹性并且可加工成细线。
钨基测试针已知用于对铝垫片的测试。钨、钨合金和钨陶瓷非常硬，因此适合于接触铝垫片，因为必须首先刺穿铝垫片上普遍存在的氧化层或钝化层。但钨对氧化敏感。形成的氧化钨附着在铝垫片上并由此在接触区域中导致不合意的污染。
钨较不适用于对金垫片的测试，因为金垫片比铝垫片不坚固并出于机械原因通常无法承受用含钨测试针的测试。
为了用于金垫片，Pd合金是已知的，例如Deringer Ney公司的Paliney® H3C或Advanced Probing公司的NewTec®。钯的缺点在于，必需复杂的改型（Umform）工艺和沉积硬化以制造合适的钯合金。这增加必要生产步骤的数量。此外，钯的电导率仅勉强满足要求。
US 2006/0197542 A1和US 2010/0239453 A1公开了用作测试针的铱基合金。铱的热导率和电导率低于其它铂族金属，并是脆且无弹性的，因此难以加工。
因此本发明的目的是克服现有技术的缺点。特别地，本发明的目的是找到一种材料，其与许多钯基和/或铂基合金不同，其足够硬以经受对IC的百万次测试并具有比钯和铂或相应合金更好的热导率和电导率。在此，与虽然具有必要硬度的钨不同，该材料应抗氧化。此外，应容易将该材料加工成细测试针，以满足在测试卡上的高组装密度要求。
为了实现所述目的，提出具有权利要求1的特征的用于半导体元件电子测试的测试针。此外，为为了实现所述目的，提出具有权利要求11的特征的制造用于半导体元件电子测试的测试针的方法。从属权利要求各自阐述优选扩展实施方案。关于测试针所描述的特征和细节在此也适用于方法，反之亦然。
本发明的测试针的特征在于芯元件的金属合金包含：
- 至少67重量%铑；
- 0.1重量%至1重量%锆；
- 最多1重量%钇；和
- 最多1重量%铈。
铱和其它铂族金属与铑相比的缺点在于它们的电导率和热导率较低。高电导率和热导率是用于测试针的合意性质，这些由铑满足。
纯铑具有高弹性模量并在用于测试针时表现出过度塑性行为。因此，推荐将铑和铱制成合金。但是，在大于30重量%的铑含量下，将该材料加工成细线变难并且可预料到频繁的断线。
令人惊讶地，已经表明，含有0.1重量%至1重量%的锆含量的铑仍可根据本发明加工成细线，并保留与铱相比在热导率和电导率方面的优点和更低得多的弹性模量，即更好的弹性。
已经表明，含有至少67重量%铑的铑含量和0.1重量%至1重量%锆的锆含量的铑基金属合金可容易加工成细线，由此可获得用作测试针的芯元件的金属合金，其可利用纯铑在硬度、热导率、电导率和低弹性模量方面的优点以用于半导体元件电子测试的测试针中。
通过伴随着锆与铑制合金所产生的金属结构的晶粒细化，阻碍在高于150℃的温度下的晶粒生长并由此令人惊讶地实现该金属合金在最大50微米至100微米直径下的良好可变形性。此外，通过将锆和任选钇和铈加入合金中，产生一种不同于纯铑而可硬化以制造测试针芯元件的金属合金。在变形至目标直径后，该材料可通过简单温度处理硬化，这可廉价地实现。
在此，可以调节本发明的铑基金属合金的硬度，以能确保少或完全不损害金垫片。用于接触金垫片的本发明测试针具有400 HV至650 HV的硬度。同时，可调节至该金属合金的高硬度以用在用于铝垫片的测试针中。用于接触铝垫片的本发明测试针具有500 HV至750 HV的硬度。此外，可容易加工，由此能在标准工艺中制造直径50微米至150微米，例如80微米的线而不必预料到断线。同时，该测试针可以制成具有高的线性度，以实现精确接触接触点（金垫片或铝垫片）。同时，本发明的测试针具有足够弹性，以致测试针在接触过程中没有表现出塑性变形，因此使测试针与接触垫片之间的接触稳定，且测试针的磨损最小化。
特别地，用于芯元件所述的金属合金的重大优点在于，它们可蚀刻。薄铑层的可蚀刻性有利于测试针制造过程中的尖端成型。用于薄铑层的结构化的蚀刻介质是本领域技术人员已知的。
在本发明的范围内，术语“芯元件”是指在横截面上观察到的测试针内部，其中该芯元件是导电的并且为细长形状。该芯元件由金属合金构成，该芯元件特别包含至少67重量%铑、0.1至1重量%锆、最多1重量%钇和最多1重量%铈。
在本发明的范围内，术语“半导体元件”是指在衬底体上逐层构建的集成电路系统。该术语还包括施加到逐层构建的集成电路系统上并用于连接到传导元件例如接合线、带上的电流传导装置。因此，这尤其包括接触垫片或晶片。
术语“护套元件”是指在横截面上观察到的至少部分包围芯元件的元件，其中该护套元件是电绝缘的。
“远端接触段”是芯元件的末端区，经其在半导体元件电子测试过程中建立测试针和半导体元件上的接触垫片之间的接触。在一个实施方案中，远端接触段包括用于该远端接触段在接触垫片上的实际接触的尖端。
“晶粒度”是金属结构的晶粒的直径，其中横穿芯元件的纵轴测量该直径。
“晶粒细化”是指金属和金属合金的如下性质，即通过将一种或多种特定元素与金属或金属合金制成合金，观察到该金属或金属合金的金属结构的晶粒度改变成更小的晶粒度。
“硬拉状态”是指该金属合金在成型后，例如在由锭拉制成线后的状态。在金属或金属合金的冷成型过程中，金属或金属合金的晶格变形，由此提高该金属或金属合金的强度，但降低可变形性。
“热处理状态”是指该金属合金在温度处理后的状态。通过冷成型合金的温度处理，至少部分出现新的金属结构，由此至少部分再次建立冷成型前的合金原始性质。
“温度处理”是指在升高的温度下处理该金属合金，其中“升高的温度”是指至少150℃的温度。
“过耦合”是指在电气工程中公知的平行线相互影响的现象。由于过耦合（也称为串扰），不同线之间相互干扰。过耦合造成紧靠相邻设置的测试针中的信号干扰。
该测试针的一个优选实施方案的特征在于，芯元件的金属合金包含至少97重量%铑。如果测试针的芯元件的铑含量高，实现纯铑在高热导率、高电导率、高弹性和高硬度方面的良好基本性质。与0.1重量%至1重量%的锆含量组合，还可容易地产生细并可硬化的线以用于制造本发明的测试针。
在所述测试针的另一个优选实施方案中设定，芯元件的金属合金具有下列组成之一：
- 该金属合金由0.1至1重量%锆和余量铑构成；
- 该金属合金由0.1至1重量%锆、0.001重量%至1重量%钇和余量铑构成；
- 该金属合金由0.1至1重量%锆、0.001重量%至1重量%铈和余量铑构成；
- 该金属合金由0.1至1重量%锆、0.001重量%至1重量%铈和0.001重量%至1重量%钇和余量铑构成。
本发明的金属合金的这些组成已证实在对于测试针提到的重要性质方面特别有利。
该测试针的另一个优选实施方案设定，芯元件的金属合金包含0.2重量%至0.6重量%锆。所述组成导致形成芯元件的金属合金的良好后续可硬化性，以可在稍后的时间点调节硬度，这有利于用在测试针中。
在本发明的另一个实施方案中设定，芯元件的金属合金包含两种金属的至少一种：0.01重量%至0.5重量%钇和0.01重量%至0.5重量%铈。将钇和/或铈优选以上述含量添加到合金中提供了通过温度处理有利地控制金属合金的硬度和金属合金的可硬化性的另一个可能方式。
此外可设定，芯元件的金属合金包含0.01重量%至15重量%铂和/或0.01重量%至15重量%铱。通过将铂和/或铱添加到合金中，能够改进该金属合金的机械性质。特别地，改进由此类金属合金制成的芯元件的弹性和/或硬度。
还可设定，芯元件的金属合金显示晶粒细化，以与至少99.999%纯铑相比具有更高的可延展性。通过与纯铑相比该金属合金的晶粒细化，提高可延展性从而能够将该金属合金容易并成本有利地加工成直径50微米至100微米的线。
还可设定，芯元件的金属合金具有等粒度（gleichkörnig）的金属结构。尤其在等粒度的金属结构中，有利地实现本发明的金属合金在可成型成为细线方面的优点。
可设定，芯元件的金属合金的平均晶粒度为0.01微米至2微米，优选0.02微米至0.5微米，特别优选0.05微米至0.1微米。所述晶粒度实现特别容易加工成细线以形成本发明的测试针的芯元件。
在该测试针的一个优选实施方案中设定，芯元件的金属合金的硬度为300 HV至800 HV。所述硬度范围适合于现有技术已知的对半导体元件的所有测试方法。该测试针的一个优选实施方案设定，芯元件的金属合金在硬拉状态下的硬度为500 HV至750 HV和/或在热处理状态下的硬度为400 HV至650 HV，以经由芯元件的远端接触段接触具有金垫片或铝垫片的半导体元件。所述硬度值适合于接触金垫片和铝垫片，由此使用于测试针的形成芯元件的金属合金具有宽应用范围。
此外可设定，芯元件的远端接触段形成为锥状。具有锥状的形成为尖端的芯元件接触段的测试针是一个优选实施方案，因为其可容易制造并在用于测试卡时是优选的。
在另一个实施方案中设定，该芯元件包括用于与测试卡电接触的近端接触段。该测试针的芯元件必须具有未被护套元件包围并可在测试卡上电接触的近端接触段。
该测试针的另一个实施方案设定，该测试针的芯元件具有20微米至300微米的直径。形成该测试针的芯元件的金属合金适合于产生覆盖宽应用范围的用于测试针的芯元件。在一个优选实施方案中设定，该测试针的芯元件具有60微米至100微米的直径，以使该测试针用在根据悬臂（Cantilever）试验中设置的测试卡上。另一个优选实施方案设定，该测试针的芯元件具有175微米至225微米的直径，以使该测试针用在具有垂直设置的测试针的测试卡上。
另一个优选实施方案设定，护套元件在周向上完全包围芯元件且护套元件在纵向上部分包围芯元件。可容易和成本有利地制造具有这些几何的测试针。
另一个有利的实施方案设定，将电绝缘护套元件形成为壳管状，特别是壳管状并能推到芯元件上，以形成芯元件与护套元件之间的用力锁合（kraftschlüssig）的接合。可推到测试针的芯元件上的壳管状绝缘护套元件的单独制造实现测试针的容易和成本有利的制造方式。
或者设定，电绝缘护套元件形成为涂层，以形成芯元件与护套元件之间的牢固粘连（stoffschlüssig）的接合。涂层可以实现为薄的，例如层厚度小于6微米，以通过涂层实现测试针在测试卡上的高组装密度的要求。
还可设定，层状的导电包封元件在周向上完全包围该电绝缘护套元件并在纵向上至少部分包围该电绝缘护套元件，以消除相邻设置的测试针之间的过耦合。通过为测试针配备层状的导电包封元件，可以有效消除相邻设置的测试针之间的过耦合。当测试卡上的测试针的组装密度高时，观察到过耦合增强。通过该层状的导电包封元件，在半导体元件测试过程中屏蔽芯元件中的信号流并由此使其较少受相邻干扰信号的影响。该层状的导电包封元件的层厚度为1至10微米，优选5微米。
在此可设定，该层状的导电包封元件通过导电接地而接地。该层状的导电包封元件的接地用于在出现干扰电流时快速均衡电势。
该测试针的另一个有利的实施方设定，层状的电绝缘包封元件在周向上完全包围层状的导电包封元件和在纵向上至少部分包围层状的导电包封元件，以屏蔽该层状的导电包封元件。通过屏蔽该层状的导电包封元件，防止在导电包封元件互相接触时的有害影响并实现可靠和稳定的测量。
本发明的测试针的一个实施方案在此设定，电绝缘护套元件和/或层状的电绝缘包封元件包含至少一种选自如下的塑料或由至少一种选自如下的塑料构成：聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚氨酯酰亚胺和聚对二甲苯。这些塑料在紧密度（所谓的“抗针孔性”）、电击穿强度和热强度方面比其它塑料有利。因此，所述塑料具有在例如0.06毫米的涂层厚度下至少170 V/µm的击穿电压和在根据DIN 60851-6:2012的热冲击试验中至少180℃的热强度。
本发明的测试针的另一个实施方案设定，层状的导电包封元件包含至少一种选自如下的塑料或由至少一种选自如下的塑料构成：聚乙炔、聚亚苯基、聚吡咯、聚噻吩、聚喹啉和聚吡啶。所述聚合物是在其主链中具有共轭双键并因此适合于形成层状的导电包封元件的导电聚合物。
导电包封元件和电绝缘包封元件类似于电绝缘护套元件以壳管状或涂层形式形成。
上述本发明的目的还通过制造用于半导体元件电子测试的测试针的方法来实现，其中所述测试针包括导电芯元件，其中该芯元件由金属合金构成，且所述测试针包括电绝缘护套元件，其中该护套元件局部地包围芯元件，且所述芯元件包括用于该测试针在半导体元件上的电接触的远端接触段，所述方法包括下列步骤
a. 提供由形成所述芯元件的金属合金制成的圆柱状预成型体，其中该金属合金包含
- 至少67重量%铑；
- 0.1重量%至1重量%锆；
- 最多1重量%钇；和
- 最多1重量%铈；
b. 将所述预成型体拉制成线；
c. 将所述线分成线段，以形成所述测试针的导电芯元件；
d. 将所述电绝缘护套元件施加到所述芯元件上；
e. 形成所述芯元件的锥状远端接触段。
关于测试针所述的特征和细节在此也适用于所述方法，反之亦然。
可以在将线分成线段之后将护套元件施加到芯元件上，也可以在将线分成线段之前将护套元件施加到芯元件上。
本发明的测试针可以通过本发明方法的多种可行组合来制造。
本发明的方法的一个优选实施方案设定，通过温度处理将芯元件的金属合金硬化，其中通过该温度处理调节硬度。本发明基于令人惊讶的发现，即通过将锆与铑以所示含量制合金，能够提供可硬化并具有用作测试针的芯元件的必要弹性和必要硬度的金属合金。此外，该金属合金容易预先加工，以能容易制造测试针的芯元件。随后可以通过经拉制的线和/或预制的测试针的退火或回火来调节硬度。可以可变地调节适合于测试金垫片或铝垫片的接触点的硬度。
在此可优选设定，该温度处理在150℃至600℃的温度下进行且该温度处理进行至少10分钟的时间段。在此优选设定，该温度处理在200℃至400℃的范围内进行。
此外设定，通过蚀刻形成根据步骤e.的芯元件的锥状远端接触段。形成芯元件的本发明的金属合金可良好蚀刻，以致可以容易并且毫不费力地蚀刻该芯元件的远端接触段以形成尖端，因此不涉及测试针的复杂的机械削尖。
在本发明的方法的范围内可设定，在步骤d.后，将层状的导电包封元件以在纵向上至少部分和在周向上完全包围的方式施加到电绝缘护套元件上。为测试针配备层状的导电包封元件的优点在于，由此消除在半导体元件电测试过程中相邻设置的测试针之间的过耦合。在测试卡上的测试针的高组装密度下，过耦合可能特别成问题。通过该层状的导电包封元件，在半导体元件测试过程中屏蔽芯元件中的信号流并由此使其较少受相邻干扰信号的影响。
本发明的方法的另一个实施方案设定，在施加层状的导电包封元件后，将层状的电绝缘包封元件以在纵向上至少部分和在周向上完全包围的方式施加到层状的导电包封元件上。通过将层状的电绝缘包封元件施加到层状的导电包封元件上，额外地屏蔽该层状的导电包封元件。通过屏蔽该层状的导电包封元件，防止在导电包封元件互相接触时的有害影响并在半导体元件电测试过程中实现可靠和稳定的测量。
在本发明的方法的另一个优选实施方案中，在步骤c.之前进行步骤d.，并将护套元件在纵向上完全施加到芯元件上。通过在将线分成线段之前将电绝缘护套元件施加到芯元件上，可以容易和合理地制造测试针的前体。在此可设定，在步骤c.之前进行步骤d.，并此外将层状的导电包封元件和/或层状的电绝缘包封元件在纵向上施加到芯元件上。此外可设想，在步骤d中将护套元件在纵向上完全和在周向上完全施加到芯元件上。
通常有利的是，首先完全施加护套元件并在后续步骤中将其部分去除，其中从芯元件上至少部分移除护套元件，以在远端和/或近端接触段的区域暴露出芯元件。这类似适用于导电包封元件和电绝缘包封元件。
优选地，通过机械移除和/或溶剂进行所述移除。机械方法还是溶剂更适合于该移除，这取决于用于护套元件的一种或多种塑料的选择。
此外可设定，通过从液相或气相中沉积来施加护套元件、导电包封元件或电绝缘包封元件。从液相还是气相中的沉积更适合，这取决于用于护套元件、导电包封元件和电绝缘包封元件的塑料的选择。
在从液相中沉积时，有利地通过在浸渍浴中涂敷或通过喷涂来施加护套元件、导电包封元件或电绝缘包封元件。
在从气相中沉积时，有利地通过真空涂覆施加护套元件、导电包封元件或电绝缘包封元件。
本发明的方法的另一个优选实施方案设定，在近端和/或远端接触段的区域中通过蜡涂层遮盖芯元件，以易于移除护套元件、导电包封元件或电绝缘包封元件。因为用于测试针上的塑料的移除方法通常仅在高机械精度下或借助侵蚀性化学品才可行，在实际涂覆前施加的蜡涂层可易于该移除，这是因为为护套元件、导电包封元件或电绝缘包封元件选择的塑料因此不会与芯元件的金属合金形成牢固粘连的接合。
从权利要求书、下文的说明书和附图中可看出本发明的其它措施和优点。在附图中通过多个实施例示出本发明。在此，通过相同标号表示相同或功能上相同或功能上相应的元件。本发明不限于这些实施例。
图1显示包括导电芯元件和电绝缘护套元件的本发明测试针的纵截面；
图2显示包括层状的导电包封元件的本发明测试针的另一个实施方案的纵截面；
图3显示根据图1的本发明测试针的横截面；
图4显示根据图2的本发明测试针的横截面；
图5显示所选铑基金属合金的温度-硬度曲线（绝对硬度），且
图6显示所选铑基金属合金的温度-硬度曲线（硬度的相对变化）。
图1是包括导电芯元件200和电绝缘护套元件300的本发明的测试针100的纵截面示意图。测试针100具有长度201。测试针100包括远端接触段210。护套元件300在远端接触段210的区域中不包围芯元件200。无护套元件的远端接触段210的区域具有长度211。测试针100包括近端接触段220。护套元件300在近端接触段220的区域中不包围芯元件200。近端接触段220具有长度221。为了使该测试针用在悬臂试验中，长度221为60至100毫米。为了使该测试针用在垂直设置的测试针的试验中，长度220为5至40毫米。
图1中所示的远端接触段210在尖端区域为锥状。远端接触段210用于在半导体试验过程中接触半导体元件。近端接触段220用于在测试卡上的接触，由此将多个测试针100设置在一个测试卡上。
图1中的本发明的芯元件200包含金属合金。该金属合金包含至少67重量%铑、0.18至1重量%锆、最多1重量%钇和最多1重量%铈。在本发明的一个优选实施方案中，芯元件200的金属合金包含至少97重量%铑。在本发明的另一个优选实施方案中，芯元件200的金属合金包含0.2重量%至0.6重量%锆。
在本发明的一个优选实施方案中，电绝缘护套元件300以壳管状形成并推到芯元件200上以建立芯元件200和护套元件300之间的用力锁合的接合。当多个测试针100彼此紧邻地密集设置在测试卡上且这些测试针互相接触时，电绝缘护套元件300防止在半导体元件测试过程中出现短路。
在本发明的一个可选的优选实施方案中，电绝缘护套元件300以涂层形形成，以建立芯元件200和护套元件300的牢固粘连的接合。通过从液相或气相中沉积，以涂层形式形成护套元件300。在从液相中沉积时，优选通过在浸渍浴中涂敷或喷涂施加护套元件300。在从气相中沉积时，优选通过真空涂覆施加护套元件300。
优选在线上施加涂层，该线在稍后的制造步骤中分成线段以形成芯元件200。在将经涂覆的线分成线段后，在远端接触段210的区域和近端接触段220的区域中从芯元件200上去除该涂层。通过机械移除和/或溶剂从远端接触段210的区域和近端接触段220的区域中去除护套元件300。
在本发明的一个优选实施方案中，该移除通过溶剂，优选通过酸进行，其既有效并无残留地去除远端接触段210区域和近端接触段220区域中的涂层，且不化学侵蚀芯元件200。
在本发明的另一个优选实施方案中，在后续步骤中形成的远端接触段210的区域中和在后续步骤中形成的近端接触段220的区域中，通过蜡涂层遮盖该线。由此，在后续制造步骤中容易去除形成电绝缘护套元件300的涂层。
在以壳管状或涂层形式施加护套元件300后，通过抛光或蚀刻将远端接触段210成型为锥状以形成尖端。在本发明的一个优选实施方案中，通过蚀刻形成测试针100的尖端。
使用具有高击穿电压和耐温度性并良好附着在芯元件200上的塑料以形成电绝缘护套元件300。聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚氨酯酰亚胺和聚对二甲苯是优选的。
图2是包括层状的导电包封元件310的本发明的测试针100'的另一个实施方案的纵截面示意图。测试针100'具有长度201。测试针100'包括远端接触段210。在远端接触段210的区域中，芯元件200未被护套元件300和层状的导电包封元件310包围。无护套元件和无层状导电包封元件310的远端接触段210的区域具有长度211。测试针100'包括近端接触段220。在近端接触段220的区域中，芯元件200未被护套元件300和层状的导电包封元件310包围。近端接触段220具有长度220。
层状的导电包封元件310是导电的，以消除在半导体元件测试过程中相邻设置的测试针之间的过耦合。层状的导电包封元件310优选通过电接地（未显示）接地，以在半导体元件测试过程中建立快速电势均衡。
在该测试针的一个实施方案中，层状的导电包封元件310以壳管状形成并推到护套元件300上，以建立护套元件300和层状的导电包封元件310之间的用力锁合的接合。
在本发明的另一个实施方案中，层状的导电包封元件310以涂层形式施加到护套元件300上。该涂层的施加方法类似于所描述的用于施加电绝缘护套元件300的方法。
为了形成层状的导电包封元件310，使用具有良好电导率和同时具有高耐温度性并良好附着在护套元件300上的导电聚合物。聚乙炔、聚亚苯基、聚吡咯、聚噻吩、聚喹啉和聚吡啶是优选的。
本发明的另一个实施方案设定，用电绝缘包围元件（未显示）包围层状的导电包封元件310。层状的电绝缘包围元件在电和机械方面屏蔽层状的导电包封元件310。其功能是防止在导电包封元件互相接触时的有害影响并在测试针在半导体元件上接触的过程中实现可靠和稳定的测量。
图3是根据图1的本发明的测试针100的横截面示意图。测试针100包括导电芯元件200。导电芯元件200具有直径202。电绝缘护套元件300具有直径302。在本发明的测试针中，芯元件200的直径202为20微米至300微米。在一个优选实施方案中，直径202为60微米至100微米。具有所述芯元件直径的测试针适合用于悬臂试验。在一个可选的优选实施方案中，芯元件直径202为175微米至225微米。具有所述芯元件直径的测试针适合用在具有垂直设置的测试针的测试卡上。
图4是根据图2的本发明的测试针100'的横截面示意图。导电芯元件200具有直径202。包括电绝缘护套元件300和层状的导电包封元件310的导电芯元件200具有直径311。
在测试卡（未显示）中，多个图1至4中所示的测试针100、100'经由卡体牢固连接，以通过一次按压测试卡就测试半导体元件（未显示）上的多个电接点（接触垫片）。相应的测试方法是本领域技术人员已知的。在此不详细论述它们。
所用测试针必须具有高硬度以及同时良好的弹性。由于测试针通常用于百万次试验并为此必须具有足够的强度，所以需要高硬度。为了使测试针与半导体元件之间的接触稳定并使测试针的磨损最小化，需要良好的弹性。
在使用纯铑的实验中，证实可以制造具有最大0.08毫米的芯元件200直径202的用于测试针的芯元件200。但纯铑表现出过度塑性行为。在受试表面上很小压力下时，制成的测试针表现出塑性变形，即不可逆。
此外，制造各种低合金的铑基金属合金并研究锻造行为。研究的所有铑基金属合金表现出优异的变形行为。
研究在锻造和辊轧工艺（温/冷）中的改型行为并测定铑基金属合金在高达500℃的温度下的可硬化性。
所有铑基金属合金可以良好变形而无断裂，并在一些情况下明显更好地硬化，这归因于铑基金属合金中沉积物的形成。如图6中所示，从室温下478 HV的硬度开始，硬度的增量高达51 HV。因此表明，在此论述的铑基金属合金的各个代表具有用于满足上文所述要求的重要先决条件。
以制造具有0.080毫米直径202（=D）的用于芯元件200的线为目标，加工合适的候选合金。为此，在电弧熔体或离子束熔体或电子束熔体中制造由预合金和99.9%纯铑构成的合金。将锭在1200℃下热锻多个周期。随后，用带槽轧辊处理这些锭，并将线热拉至D = 0.3毫米，然后冷拉至直径D = 0.080毫米，且在这之间反复退火。
借助拉制实验和磨片样品中的硬度分析来评估和/或测量机械性质，借助断线频率和一个段线中以克计的施用量（Ausbringung）来评估和/或测量可加工性，借助温度-硬度曲线（图5和6）评估和/或测量可硬化性，并借助在1000毫米长的线段上的4点测量来评估和/或测量电导率。
表1: 下表1规定纯铑参照物A和具有各自组成的四种不同的本发明铑基金属合金B至E：
表1 Rh (重量%) Zr (重量%) Ce (重量%) Y (重量%)
铑A 100 0 0 0
合金B 余量 0.5 (5000 ppm) 0 0
合金C 余量 0.2 0 0
合金D 余量 0.5 0.05 0.05
合金E 余量 0.2 0.05 0.05
图5用于证明本发明的铑基金属合金的可硬化性。在实验中，其中一些由于沉积物而表现出最高的硬度和最强的硬化。所提到的合金范围中可包括另一些本发明的铑基金属合金组成。根据图5的图表显示四种优选铑基金属合金的维氏硬度（[HV10]）对比回火温度或退火温度（[℃]）。最上方的曲线401显示含有0.2重量%锆的铑基金属合金（合金C）的硬度，从上往下第二条曲线402（在400℃下回火时具有第二高的硬度）显示含有0.5重量%锆、0.05重量%钇和0.05重量%铈的铑基金属合金（合金D）的硬度，从上往下第三条曲线403（在200℃下回火时具有第二高的硬度）显示含有0.2重量%锆、0.005重量%钇和0.005重量%铈的铑基金属合金（合金E）的硬度，从上往下第四条曲线404（在200℃下回火时具有所有铑基金属合金中最低的硬度）显示含有0.5重量%锆的铑基金属合金（合金B）的硬度。此外，图5中显示经回火的含有小于50 ppm杂质的纯铑的硬度（虚线）。本发明的铑基金属合金在200℃和更高温度下回火时的优势显而易见。所述回火在每种情况下进行30分钟的退火时间。
在对本发明的铑基金属合金的实验中，可测量到显著改进的机械性质。在硬拉状态下进行这些实验。
表2: 铑和铑基金属合金RhZr0.2和RhZr0.5的机械性质。用于测定维氏硬度的试验冲头的重量为0.025克（HV0.025）。
材料 抗拉强度 硬度
N/mm² HV0.025
Rh (参照物) 1570 520
RhZr0.2 2200-3300 480-690
RhZr0.5 2400-3090 490-650
此外，发现将锆、钇和铈的添加到铑中使得最大0.050毫米的芯元件200的细横截面的可加工性显著改进。
表3: 本发明的铑基金属合金和铑的可加工性：在相同制造的情况下，测定用于芯元件200的经拉制的线的每一百米的断线数。此外，给出制成的用于芯元件200的线的平均重量，即经拉制的线在断裂前平均可达到的重量。
材料 断线 施用量
每100米 g
合金A 18 <0.5
合金B 1 >5
合金C 2 >6
合金D 2 >7
合金E 3 >5
基于在不同退火温度下的硬度测量，在图6中显示所述铑基金属合金的可硬化性。在此，图6显示维氏硬度（HV）随着以℃计的退火温度的变化。可以通过随后的硬化来后续提高最终硬度。因此，可以在较低强度下改型，这对改型结果（例如测试针的线性度）具有正面影响。此外，根据本发明，可通过调节硬度将该材料调节到用于金垫片或铝垫片。
纯铑的硬度在温度处理时降低，而对于本发明的铑基金属合金可以首先进行测试针100、100'的改型或制造，然后可通过随后的温度处理调节硬度，特别是提高硬度。
在实验中表明，锆在所述浓度范围内对铑的可加工性和硬化具有正面影响。通过将锆加到合金中（特别是使用0.2重量% Zr和使用0.5重量% Zr），可将本发明的铑基金属合金加工成具有0.080毫米直径的用于芯元件200的无断裂线。可达到的硬度超过620 HV。用作测试针100、100'需要450至500 HV的硬度并可以在本发明的铑基金属合金中借助随后的标准-回火工艺调节以利于优化测试针100、100'的线性度。将钇和铈加到合金中也导致硬度提高和可加工性改进。纯铑或含有由于工艺所致最多100 ppm的铂和铱杂质的铑都没有表现出这一效果（见图5和6）。对于由此类纯铑制成的测试针100、100'，无法将加工成直径0.080毫米的用于芯元件200的无断裂线的这种加工发展成适用于连续生产的工艺。
对由RhPt5Zr0.05和RhIr6Zr0.05制成的用于芯元件200的线的弯曲实验表明这些材料组合物极好地适用于满足对测试针100、100'的弹性和硬度的特殊要求。
总体而言，确定本发明的合金类别是高导电铑基金属合金，其与市场上既有的钯合金相比具有高电导率的特征。
钯、铂和铑的电导率分别为9.26 106 A/(V m)、9.43 106 A/(V m)和23.3 106 A/(V m)（40%IACS），而测得含有0.2重量%锆的铑合金（合金C）的电导率为18.5 106 A/(V m)（32%IACS），测得含有0.5重量%锆、0.05重量%钇和0.05重量%铈的铑合金（合金D）的电导率为16.8 106 A/(V m)（29%IACS），测得含有0.2重量%锆、0.005重量%钇和0.005重量%铈的铑合金的电导率（合金E）为18 106 A/(V m)（31%IACS），并测得含有0.5重量%锆的铑合金（合金B）的电导率为18 106 A/(V m)。在下列条件下测定电导率：4点测量，U = 10 V和I = 10mA。通过测量电压降来计算电阻。为了计算%IACS值，将比电导率与退火铜的比电导率求比例（100% IACS = 58 MS/m）。
在温度处理后本发明的铑基金属合金的硬度明显改进，而电导率明显高于钯和铂。通过本发明的铑基金属合金，能够制造比钯和/或铂更适合用于制造测试针100、100'的用于细芯元件200的线，而无法制造用于所述用途的由纯铑制成的用于芯元件200的相应的线。有利地，本发明的铑基金属合金在制成用于测试针100、100'的芯元件200后可通过温度处理进行该材料的后续硬化。
将少量钇、铈和锆与铑制成合金，这带来显著提高的重结晶温度和改进的机械性质。据推测这可归因于铑-锆相在晶界处的沉积。
下面给出一些纯元素和合金的电导率。铜的电导率为59 106 A/(V m)、铑23.3 106A/(V m)、铂9.43 106 A/(V m)、钯9.26 106 A/(V m)、PtNi20（尤其在亚洲用作标准的一种合金）3.77 106 A/(V m)和Pd35Ag30Au10Pt10CuZn 5.8 106 A/(V m)，其中后一合金是广泛使用的测试针材料。
如上文解释，电导率对该材料在电接触技术中的功能至关重要。本发明的铑基金属合金与用于测试针的已知合金相比具有高电导率。其明显高于具有小于7 106 A/(V m)电导率的市售材料PtNi、PdAgCu。
对于各自含有小于0.1重量%锆和100 ppm至1.1%重量%钇和铈且余量为铑的铑基金属合金和对于含有1.1重量%锆且余量为铑的铑基金属合金，只有在每100米线至少17次断线的频繁断线下才可以拉制如上所述制造的用于芯元件200的线。由于频繁断线，连续生产工艺不适用于这些合金，因此未测得线与线的最大施用量。
基于本发明人关于铂和铱与铑的混溶性和制合金性以及此类混合物和合金的材料性质的考虑，推断出将铂和/或铱加到本发明的铑基金属合金中对材料性质总体上具有积极影响。因此，含有0.1重量%至1重量%锆和0.1重量%至30重量%铂和/或0.01重量%至30重量%铱的铑基金属合金是另一种优选的本发明的铑基金属合金。
由相应的二元相图可看出，元素铑和铂在从4重量% 铂以上时可完全混溶，以及元素铑和铱在从5重量%铱以上时可完全混溶，因此推断也适用于本发明的铑基金属合金。
将铂加到合金中可能会降低本发明的铑基金属合金的弹性模量和提高其弹性。这是对暴露在频繁的交变载荷下的接触部件，特别是测试针而言有利的性质。
上述说明书以及权利要求书、附图和实施例中公开的本发明的特征可以单独，也可以以各种任意组合的形式对于在各种实施方案实现本发明而言是重要的。
附图标记列表
100、100' 测试针
200 芯元件
201 芯元件200的长度
202 芯元件200的直径
210 芯元件200的远端接触段
211 远端接触段210的长度
220 芯元件200的近端接触段
221 近端接触段220的长度
300 护套元件
302 测试针100的直径
310 层状的导电包封元件
311 测试针100'的直径
401、401' RhZr0.2铑基金属合金
402、402' RhZr0.5Y0.05Ce0.05铑基金属合金
403、403' RhZr0.2Y0.005Ce0.005铑基金属合金
404、404' RhZr0.5铑基金属合金。

Claims (15)

1.用于半导体元件电子测试的测试针(100、100')，其包括导电芯元件(200)和电绝缘护套元件(300)，其中芯元件(200)由金属合金构成，护套元件(300)局部地包围芯元件(200)，且芯元件(200)包括用于与半导体元件电接触的远端接触段(210)，其特征在于芯元件(200)的金属合金包含：
- 至少67重量%铑；
- 0.1重量%至1重量%锆；
- 最多1重量%钇；和
- 最多1重量%铈。
2.根据权利要求1所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)的金属合金包含至少97重量%铑。
3.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)的金属合金包含0.1重量%至0.6重量%锆。
4.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)的金属合金包含两种金属的至少一种：
- 0.01重量%至0.5重量%钇，和
- 0.01重量%至0.5重量%铈。
5.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)的金属合金显示晶粒细化，以与至少99.999%纯铑相比具有更高的可延展性。
6.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)的金属合金在硬拉状态下的硬度为500 HV至750 HV和/或在热处理状态下的硬度为400 HV至650 HV，以经由所述芯元件的远端接触段接触具有金垫片或铝垫片的半导体元件。
7.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于护套元件(300)在周向上完全包围芯元件(200)且护套元件(300)在纵向上部分包围芯元件(200)。
8.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于层状的导电包封元件(310)在周向上完全包围电绝缘护套元件(300)并在纵向上至少部分包围电绝缘护套元件(300)，以消除相邻设置的测试针之间的过耦合。
9.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于形成锥状的远端接触段(210)。
10.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其特征在于芯元件(200)包括用于与测试卡电接触的近端接触段(220)。
11.制造用于半导体元件电子测试的测试针(100、100')的方法，其中测试针(100、100')包括导电芯元件(200)，其中芯元件(200)由金属合金构成，且测试针(100、100')包括电绝缘护套元件(300)，其中护套元件(300)局部地包围芯元件(200)，且芯元件(200)包括远端接触段(210)以使测试针(100、100')在半导体元件上电接触，所述方法包括下列步骤：
a. 提供由形成芯元件(200)的金属合金制成的圆柱状预成型体，其中所述金属合金包含
- 至少67重量%铑；
- 0.1重量%至1重量%锆；
- 最多1重量%钇；和
- 最多1重量%铈；
b. 将所述预成型体拉制成线；
c. 将所述线分成线段，以形成测试针(100、100')的导电芯元件(200)；
d. 将电绝缘护套元件(300)施加到芯元件(200)上；
e. 形成所述芯元件的锥状远端接触段(210)。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于通过温度处理将芯元件(200)的金属合金硬化，其中通过所述温度处理调节硬度。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述温度处理在150℃至600℃的温度下进行且所述温度处理进行至少10分钟的时间段。
14.根据前述权利要求11至13任一项所述的方法，其特征在于通过蚀刻形成根据步骤e.的芯元件(200)的锥状远端接触段(210)。
15.根据权利要求1或2所述的测试针(100、100')，其根据权利要求11至13任一项所述的方法来制造。
CN201380080737.2A 2013-11-07 2013-11-07 测试针和制造测试针的方法 Active CN105723225B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2013/073267 WO2015067312A1 (de) 2013-11-07 2013-11-07 Prüfnadel und verfahren zur herstellung einer prüfnadel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105723225A CN105723225A (zh) 2016-06-29
CN105723225B true CN105723225B (zh) 2019-01-11

Family

ID=49619887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380080737.2A Active CN105723225B (zh) 2013-11-07 2013-11-07 测试针和制造测试针的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9810714B2 (zh)
EP (1) EP3066480B1 (zh)
JP (1) JP6223567B2 (zh)
CN (1) CN105723225B (zh)
CA (1) CA2929896A1 (zh)
WO (1) WO2015067312A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10578647B2 (en) * 2017-09-29 2020-03-03 Intel Corporation Probes for wafer sorting
EP3862759B1 (de) * 2020-02-04 2022-05-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Manteldraht und verfahren zur herstellung von manteldrähten
KR20240017651A (ko) * 2022-08-01 2024-02-08 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 그 제조방법
EP4325227A1 (de) 2022-08-16 2024-02-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Bandförmiger verbundwerkstoff für prüfnadeln
CN116469809B (zh) * 2022-08-29 2024-02-23 深圳市立能威微电子有限公司 一种具有芯片修正组件的检测装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1135268A (zh) * 1993-11-16 1996-11-06 佛姆法克特股份有限公司 用于互联、插件和半导体组件的接触结构及其方法
CN1352746A (zh) * 2000-06-12 2002-06-05 菲康姆株式会社 可适探针装置
US20020113612A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-22 Nguyen Vinh T. Contact probe pin for wafer probing apparatus
CN1683933A (zh) * 2004-04-13 2005-10-19 旺矽科技股份有限公司 探针元件及其测试卡
CN101809176A (zh) * 2008-02-27 2010-08-18 田中贵金属工业株式会社 硬度、加工性及防污特性优良的铱合金
CN103348254A (zh) * 2011-02-08 2013-10-09 田中贵金属工业株式会社 硬度、加工性及防污特性优异的适合作为探针用线材的铑合金

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441315B1 (en) * 1998-11-10 2002-08-27 Formfactor, Inc. Contact structures with blades having a wiping motion
KR20040045452A (ko) * 2001-09-24 2004-06-01 리카 일렉트로닉스 인터내셔널, 인크. 전기 테스트 프로브 및 그 제조 방법
JP4216823B2 (ja) 2005-03-04 2009-01-28 田中貴金属工業株式会社 プローブピン及び該ブロ−ブビンを備えたブロ−ブカ−ド
DE102006015167B3 (de) * 2006-03-30 2007-07-19 W.C. Heraeus Gmbh Verbund aus intermetallischen Phasen und Metall
JP2008019487A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Ishifuku Metal Ind Co Ltd Ｒｈ基合金
US7876087B2 (en) * 2006-09-12 2011-01-25 Innoconnex, Inc. Probe card repair using coupons with spring contacts and separate atachment points
GB2478480B (en) * 2008-12-24 2014-04-30 Japan Transp Engineering Company Metal material processing method and rotary tool
DE102010001567A1 (de) * 2010-02-04 2011-08-04 Robert Bosch GmbH, 70469 Elektrisch leitfähiges Material
JP5036892B2 (ja) * 2010-05-10 2012-09-26 株式会社神戸製鋼所 コンタクトプローブ
JP5798315B2 (ja) * 2010-11-19 2015-10-21 株式会社神戸製鋼所 コンタクトプローブピン

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1135268A (zh) * 1993-11-16 1996-11-06 佛姆法克特股份有限公司 用于互联、插件和半导体组件的接触结构及其方法
CN1352746A (zh) * 2000-06-12 2002-06-05 菲康姆株式会社 可适探针装置
US20020113612A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-22 Nguyen Vinh T. Contact probe pin for wafer probing apparatus
CN1683933A (zh) * 2004-04-13 2005-10-19 旺矽科技股份有限公司 探针元件及其测试卡
CN101809176A (zh) * 2008-02-27 2010-08-18 田中贵金属工业株式会社 硬度、加工性及防污特性优良的铱合金
CN103348254A (zh) * 2011-02-08 2013-10-09 田中贵金属工业株式会社 硬度、加工性及防污特性优异的适合作为探针用线材的铑合金

Also Published As

Publication number Publication date
EP3066480A1 (de) 2016-09-14
CN105723225A (zh) 2016-06-29
CA2929896A1 (en) 2015-05-14
US9810714B2 (en) 2017-11-07
EP3066480B1 (de) 2018-02-28
US20160252547A1 (en) 2016-09-01
JP6223567B2 (ja) 2017-11-01
WO2015067312A1 (de) 2015-05-14
JP2016535847A (ja) 2016-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105723225B (zh) 测试针和制造测试针的方法
US20050162177A1 (en) Multi-signal single beam probe
KR101427506B1 (ko) 콘택트 프로브
TWI574013B (zh) 探針卡、探針結構及其製造方法
AU4232396A (en) Method for fabricating a self-limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice
JP5597385B2 (ja) 電気的試験用プローブ、それを用いた電気的接続装置、及びプローブの製造方法
TW201043969A (en) Wire material for spring, contact probe, and probe unit
EP3557266B1 (en) Contact probe and electrical connection jig
TW200937019A (en) Probes of cantilever probe card
TWI525202B (zh) 用於製造供測試針使用之線材的銠合金
JP2003142189A (ja) Ｉｃソケット用コンタクトピン
TW200937020A (en) Probes of vertical probe card
CN101894828B (zh) 具有测试焊垫的硅晶圆及其测试方法
TW201610447A (zh) 晶片電子零件之特性檢查與分類用的裝置
JP7008541B2 (ja) プローブ針
KR100949984B1 (ko) 프로브 카드용 니들
TWI737765B (zh) 用於晶圓測試接觸件之堆疊立柱凸塊接觸及其相關方法
Lin et al. Research on fretting resistance and fretting wear property of Ni-Au contact pair
CN101587134A (zh) 垂直式探针卡的探针
JP2016217919A (ja) プローブ
TW201120454A (en) Probe structure for providing measurement of heavy current and voltage level.
KR101251926B1 (ko) 프로브 유닛
KR200398199Y1 (ko) 백금 베이스 합금을 재질로 하는 프로브 카드용 탐침
JP2009008487A (ja) プローブカード用プローブ針
Miyazono et al. Contact characteristic for Iridium-coated probem

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant