KR100558553B1 - 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정챔버의 내벽에 폴리머의 증착상태를 자동으로 센싱하여 오염될 시 인터록을 발생하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치는, 공정챔버의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 형성된 제1 및 제2 투명창과, 상기 제1 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서와, 상기 제2 투명창에 설치되어 상기 발광센서로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서와, 상기 수광센서로부터 센싱된 전압을 받아 상기 공정챔버 내부의 오염상태를 판단하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함한다.
폴리머 증착, 공정챔버 크리닝, 이물질 검출, 파티클
Description
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치의 구성도
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 석영윈도우의 설치상태도
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명창과 발광센서 및 수광센서의 설치상태를 나타낸 예시도
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광센서와 수광센서의 설치상태 예시도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10: 공정챔버 12: 상부전극
14: 하부전극 16: 웨이퍼
18: RF전원생성부 20: 콘트롤러
22: 표시부 24: 경고음 발생부
26, 28: 제1 및 제2 투명창 30: 발광센서
32: 수광센서 34, 36: 오링
본 발명은 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 관한 것으로, 특히 공정챔버의 내벽에 폴리머의 증착상태를 자동으로 센싱하여 오염될 시 인터록을 발생하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 관한 것이다.
건식 플라즈마 식각, 반응성 이온 식각 및 이온 밀링(ion milling) 기술들이 반도체 기판의 화학적 식각과 관련한 다양한 한계를 극복하기 위하여 개발되어 왔다. 특히, 플라즈마 식각은 수직 식각속도가 수평 식각속도보다 훨씬 크게 만드는 것을 가능하게 하므로, 결국 식각된 형상(feature)의 종횡비(aspect ratio)가 적절히 조절될 수 있다. 사실, 플라즈마 식각은 높은 종횡비를 갖는 미세한 피쳐를 두께 1㎛ 이상인 박막 내에 형성하는 것을 가능하게 한다.
플라즈마 식각 공정 중, 상대적으로 낮은 압력에서 많은 양의 에너지를 가스에 부가하여 결국 가스를 이온화함으로써, 플라즈마가 웨이퍼의 마스킹된 표면 상에 형성된다. 식각될 기판의 전위(electrical potential)를 조절함으로써, 플라즈마 내에서 전하를 띤 종(species)들이 웨이퍼에 실질적으로 수직방향으로 충돌하며, 여기서 웨이퍼의 마스킹되지 않은 영역 내의 물질들이 제거된다.
식각 공정은 종종 식각될 물질과 화학적 반응성이 있는 가스를 사용함으로써 보다 효율적으로 수행될 수 있다. 소위 '반응성 이온 식각'은 플라즈마의 강력한 식각효과를 가스의 화학적 식각효과와 결합시킨다. 그러나, 많은 화학적으로 반응 성 있는 약품(agents)들은 과도한 전극 마모를 초래한다고 알려져 있다.
웨이퍼의 전 표면에 걸쳐 균일한 식각 속도를 얻기 위해 웨이퍼의 표면에 플라즈마를 균일하게 분포시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 미합중국특허 제 4,595,484호, 제 4,792,378호, 제 4,820,371호 및 제 4,960,488호는 전극 내에 많은 수의 구멍(hole)을 통해 가스를 분포시키기 위한 샤워헤드(showerhead) 전극을 개시하고 있다. 이 특허들은 반도체 웨이퍼로 가스 증기의 균일한 유동을 제공하기 위해 짜여진 구멍(aperture) 배열을 가진 가스분배판을 기술하고 있다.
반응성 이온식각 시스템은 일반적으로 상부 전극(또는 양극)과 하부 전극(또는 음극)이 내부에 위치한 식각 챔버로 구성된다. 상기 음극은 상기 양극과 용기 벽에 관해 음의 바이어스가 걸린다. 상기 식각될 웨이퍼는 적당한 마스크로 덮여지고 음극 상에 직접 놓인다. CF4, CHF3, CClF3 및 SF6 또는 상기 가스들의 혼합가스와 같은 화학적으로 반응성이 있는 가스가 O2, N2, He 또는 Ar과 함께 식각 챔버로 유입되어 일반적으로 수 밀리토르(millitorr) 범위의 압력에서 유지된다. 상기 상부 전극에는 상기 가스가 챔버 내의 상기 전극을 통해 균일하게 분포되도록 하는 가스 구멍(hole)이 제공된다. 양극과 음극 사이에 걸린 전기장은 플라즈마를 형성할 반응성 가스를 해리하게 된다. 웨이퍼의 표면은 반응성 이온과의 화학적 상호작용과 웨이퍼 표면에 부딪히는 이온의 운동량(momentum) 전달에 의해 식각된다. 전극에 의해 발생된 전기장은 이온을 음극으로 끌어당겨서, 이온이 주로 표면에 수직방향으로 부딪히도록 유도하여 상기 공정이 잘 정의된(well-defined) 수직 식각된 측벽(vertically etched side wall)을 생산할 수 있도록 한다.
반도체 공정분야에서, 진공 공정챔버는 식각 가스 또는 증착 가스를 진공 챔버에 공급하고 RF장의 인가로 상기 가스를 플라즈마 상태로 활성화시켜 기판 상의 물질의 식각 및 화학기상증착(CVD)을 하는데 사용된다. 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma; ICP)로도 불리는 평행판 트랜스포머 결합 플라즈마(TCPTM), 전자-사이클로트론 공진 반응기(electron-cyclotron resonance reactor) 및 이들의 구성부품의 예가 공동소유인 미합중국특허 제 4,340,462호; 제 4,948,458호; 제 5,200,232호 및 제 5,820,723호에 개시되어 있다. 이러한 반응기에서 플라즈마 분위기의 부식성과, 입자 및/또는 중금속 오염의 최소화 요구때문에, 이러한 장비의 부품은 높은 내부식성을 띠는 것이 바람직하다.
알루미늄 및 알루미늄 합금이 플라즈마 반응기의 내벽(wall)으로 통상적으로 사용된다. 상기 내벽의 부식을 방지하기 위해, 다양한 코팅재로 알루미늄 표면 코팅을 위한 여러가지 기술이 제안되어 왔다. 예를 들면, 미합중국특허 제 5,641,375호는 내벽의 플라즈마 부식 및 마모를 줄이기 위해 양극 산화된(anodized) 알루미늄 챔버를 개시하고 있다. 상기 특허는 궁극적으로는 상기 양극산화층이 스퍼터링되어 떨어지거나 상기 챔버가 교체되어야 한다고 말한다. 미합중국특허 제 5,680,013호는 식각 챔버의 금속표면에 알루미나(Al2O3)를 화염 분무(flame spraying)하기 위한 기술이 미합중국특허 제 4,491,496호에 개시되어 있다고 언급하고 있다. 상기 특허 제 5,680,013호는 알루미늄과 알루미늄 산화막 같은 세라믹 코팅 간의 열팽창계수의 차가 열사이클에 기인한 코팅의 균열 및 부식성 분위기에서의 궁극적인 파괴로 이르게 한다고 언급하고 있다. 미합중국특허 제 5,085,727호 는 플라즈마 챔버의 내벽용 카본 코팅에 대해 개시하는데, 이 코팅은 플라즈마 화학기상증착(plasma assisted CVD)에 의해 증착된다.
챔버 내벽을 보호하기 위해, 미합중국특허 제 5,366,585호; 제 5,556,501호; 제 788,799호; 제 5,798,016호; 및 제 5,885,356호는 라이너(liner) 배열을 제안하고 있다. 예를 들면, 상기 특허 제 5,366,585호는 단단한 알루미나로부터 기계가공되고 최소 0.005인치의 두께를 가진 독립구조의(free standing) 세라믹 라이너를 개시하고 있다. 상기 특허 제 5,366,585호는 또한 화염분무 또는 플라즈마 분무된 알루미나에 의해 제공될 수 있는 하부 알루미늄(underlying aluminium)을 소모시키지 않고 증착된 세라믹층의 사용을 언급하고 있다.
상기 특허 제 5,556,501호는 공정 호환성(process-compatible) 있는 폴리머(polymer) 또는 수정(quartz) 또는 세라믹으로 된 라이너를 개시한다. 상기 특허 제 5,788,799호는 저항 발열체가 내장된 온도조절(temperature controlled) 세라믹 라이너를 개시하고 있는데 상기 세라믹은 알루미나, 실리카(silica), 지르코니아(zirconia), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 타이타늄 카바이드(titanium carbide), 지르코늄 카바이드(zirconium carbide), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride), 보론 나이트라이드(boron nitride), 실리콘 나이트라이드(silicon nitride) 및 타이타늄 나이트라이드(titanium nitride)가 될 수 있다. 상기 특허 제 5,798,016호는 알루미늄과 함께 세라믹, 알루미늄, 철 및/또는 수정으로 된 라이너가 기계가공의 용이성으로 인해 바람직하며 Al2O3와 함께 알루미늄 산화물, Sc2O3 또는 Y2O3 Al2O3 코팅하는 것이 플라즈마로부터 알루미늄의 보 호를 제공하기 위한 알루미늄 코팅에 바람직함을 개시하고 있다. 상기 특허 제 5,885,356호는 CVD 챔버에서 사용되는 웨이퍼 주각(pedestal)을 위한 알루미나로 된 세라믹 라이너와 알루미늄 나이트라이드로 된 세라믹 쉴드(shield)를 개시하고 있다. 미합중국특허 제 5,904,778호는 챔버 내벽, 챔버 천정 또는 웨이퍼 주변의 깃(collar)으로 사용되는 독립구조 SiC 상의 SiC CVD 코팅을 개시하고 있다. 미합중국특허 제 5,292,399호는 웨이퍼 주각을 둘러싸는 SiC링을 개시하고 있다. SiC 소결체를 만드는 기술은 미합중국특허 제 5,182,059호에 개시되어 있다.
샤워헤드 가스분배 시스템과 같은 플라즈마 반응기 구성부품에 대해서는, 샤워헤드의 물질에 관하여 여러가지 제안이 제시되고 있다. 예를 들면, 공동 소유인 미합중국특허 제 5,569,356호는 실리콘, 흑연 또는 실리콘 카바이드로 된 샤워헤드를 개시하고 있다. 미합중국특허 제 5,888,957호는 비정질 카본, SiC 또는 Al로 된 샤워헤드 전극에 대해 개시하고 있다. 미합중국특허 제 5,006,220호와 제 5,022,979호는 SiC를 주로 하거나 카본을 주요소로 표면에 고순도의 SiC를 제공하기 위해 CVD에 의해 증착된 SiC가 코팅된 샤워헤드 전극을 개시하고 있다.
반도체 공정 장비의 구성부품의 고순도와 내부식성에 대한 요구의 관점에서, 이러한 구성부품에 사용된 물질 및/또는 코팅의 개선을 위한 기술에 대한 요구가 있다. 더우기, 챔버 물질에 관해서는, 플라즈마 반응기의 수명(service life)을 증가시켜 장치의 비가동 시간(down time)을 줄일 수 있는 물질이 반도체 웨이퍼의 공정비용을 감소시키는데 유용할 것이다.
상기와 같이 플라즈마를 이용한 건식식각챔버는 프로세스를 진행하기 위해 가 스, 압력, RF파워를 사용하여 반도체 웨이퍼를 식각하게 되는데, 식각공정 중에 반응 부산물(Polymer)에 의해 파티클이 발생하여 웨이퍼에 데미지(DEMAGE)를 주게 된다. 건식식각챔버는 내부의 폴리머를 제거하기 위해 일정시간이 경과한 후 프로세스 쳄버를 크리닝게 되는데, 프로세스 관리(Process Management)주기에 상관없이 리크 등에 의한 폴리머가 챔버 내벽에 증착되어 파티클이 다량 발생되므로 웨이퍼에 데미지를 주게 되어 수율을 떨어뜨리는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 챔버 내부의 폴리머의 증착상태를 확인하여 크리닝하여야 하는데, 챔버 내부의 폴리머의 증착상태를 확인할려면 식각 챔버를 벤트시킨 후 오픈하여야 한다. 종래의 식각챔버는 내부를 오픈하여 내부의 폴리머의 증착상태를 확인한 후 다시 공정을 진행하고자 할때는 상당한 시간이 소요되어 생산성이 떨어지는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 식각챔버의 내부를 오픈시키지 않고 공정챔버내부의 폴리머 증착상태를 모니터링할 수 있는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정챔버 내부의 폴리머 증착상태를 모니터링하여 불량발생을 최소화하므로 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치는, 공정챔버의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 형성된 제1 및 제2 투명창과, 상기 제1 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서와, 상기 제2 투명창에 설치되어 상기 발광센서로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서와, 상기 수광센서로부터 센싱된 전압을 받아 상기 공정챔버 내부의 오염상태를 판단하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.
상기 투명창의 내부 돌출부에 끼워져 상기 공정챔버와 압착되어 개스의 누설을 방지하기 위한 오링을 더 포함함을 특징으로 한다.
상기 콘트롤러의 제어에 의해 상기 인터록이 발생될 시 경보음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 투명창의 외부에는 스크류를 체결하기 위한 4개의 홀이 형성됨을 특징으로 한다.
상기 오링은 중간부분에 오목하게 홈이 형성되어 상기 투명창의 돌출부가 삽입되도록 형성됨을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치 의 구성도이다.
웨이퍼를 수용하여 반응가스를 공급받아 플라즈마를 발생하여 식각공정을 진행하는 공정챔버(10)과, 상기 공정챔버(10)의 내측 상부에 설치되며, 고주파 파워가 인가되는 상부전극(12)과; 상기 공정챔버(10) 내부 하측에서 상기 상부전극(12)에 대향하도록 설치되어 위치되는 웨이퍼(16)를 고정하며, 고주파 파워가 인가되는 하부전극(14)과, 고주파(RF)전원을 생성하여 상기 하부전극(14)으로 공급하는 RF전원생성부(18)와, 상기 공정챔버(10)의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 석영(Quarz)으로 형성된 제1 및 제2 투명창(26, 28)과, 상기 제1 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서(30)와, 상기 발광센서(30)로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서(32)와, 상기 제1 투명창(30)의 내부 돌출부에 끼워져 상기 공정공정챔버(10)의 측벽과 압착되어 개스의 누설을 방지하기 위한 오링(34, 36)과, 상기 발광센서(30)를 구동시켜 상기 수광센서(32)로부터 수광빛에 대응하는 전압으로 환산하여 설정 전압이하로 검출될 시 공정챔버(10)의 내벽에 폴리머 증착에 의한 오염상태로 인식하여 인터록을 발생하는 동시에 경고음 및 경고표시를 하도록 제어하는 콘트롤러(20)와, 상기 콘트롤러(20)의 제어에 의해 폴리머 증착에 의한 오염상태를 표시하는 표시부(22)와, 상기 콘트롤러(20)의 제어에 의해 폴리머 증착에 의한 오염상태를 경고하기 위한 경고음을 발생하는 경고음 발생부(24)로 구성되어 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 투명창의 설치상태도이다.
공정챔버(10)의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 석영(Quarz)으로 형성된 제1 및 제2 투명창(26, 28)과, 상기 제1 투명창(26)에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서(30)와, 상기 발광센서(30)로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서(32)와, 상기 제1 투명창(26)의 내부 돌출부에 끼워져 상기 공정챔버(10)의 측벽과 압착되어 개스의 누설을 방지하기 위한 오링(34, 36)을 구비한다. 상기 제1 및 제2 투명창(26, 28)의 외부에는 스크류(42)를 체결하기 위한 4개의 홀(40)이 형성되어 있으며, 상기 공정챔버(10)의 일측과 타측에 각각 개구부(38)가 형성되어 있으며, 상기 오링(34, 36)은 중간부분에 오목하게 홈이 형성되어 상기 제1 및 제2 투명창(26, 28)의 돌출부가 삽입되도록 형성되어 있다.
상술한 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 동작을 상세히 설명한다.
공정챔버(10)는 양 측벽에 대칭으로 개구부(38, 39)가 형성되어 있다. 개구부(38, 39)에는 오링(34, 36)이 끼워진 제1 및 제2 투명창(26, 28)이 삽입되고, 제1 및 제2 투명창(26, 28)은 4개의 홀(40)에 스크류(42)가 각각 체결되어 공정챔버(10)에 고정된다. 그리고 제1 및 제2 투명창(26, 28)에는 발광센서(30)와 수광센서(32)가 각각 설치된다. 상기 발광센서(30)와 수광센서(32)는 콘트롤러(20)에 연결되어 있다.
상기와 같이 구성된 공정챔버(10)는 웨이퍼를 수용하여 반응가스를 공급받아 플라즈마를 발생하여 식각공정을 진행한다. 이때 공정챔버(10) 내에는 다양한 분자상태의 가스가 형성되고 이들의 일부가 공정챔버(10)의 내벽에 폴리머 등에 의한 이물질이 데포된다. 이렇게 식각공정을 수행한 후 대기상태에 있을 시 콘트롤러(20)는 공정챔버(10) 내의 PM주기를 체크한다. PM주기를 체크하여 설정된 시간이 경과되면 크리닝을 할 수 있도록 표시부(22)와 경고음 발생부(24)로 경보상태를 출력한다. 그리고 본 발명의 공정챔버(10)의 양측벽에는 대칭으로 제1 및 제2 투명창(26, 28)이 설치되어 있다. 상기 제1 및 제2 투명창(26, 28)에는 빛을 발광하고 그 발광된 빛을 수광하기 위한 발광센서(30)와 수광센서(32)가 설치되어 있다. 따라서 콘트롤러(20)는 PM(Process Management)주기를 체크하여 설정된 시간이 경과되지 않았으면 공정챔버(10)의 양측벽에 대칭으로 제1 및 제2 투명창(26, 28)에 설치된 발광센서(30)와 수광센서(32)를 체크한다. 이때 발광센서(30)로부터 발광된 직진성을 갖는 빛은 수광센서(32)로 수광된다. 콘트롤러(20)는 수광센서(32)로부터 검출된 전압이 설정된 전압(예를 들어 6V)이상이 검출되는 경우 제1 및 제2 투명창(26, 28)이 폴리머 등이 증착되지 않은 정상적인 상태로 판단한다. 그러나 콘트롤러(20)는 수광센서(32)로부터 검출된 전압미만(예를들어 6V미만)이 되는 경우 제1 및 제2 투명창(26, 28)이 폴리머 등으로 인해 오염된 것으로 판단하여 인터록을 발생하고, 경고음 발생부(24)를 제어하여 경고음을 발생하도록 하는 동시에 표시부(22)에 인터록이 발생되었음을 표시하도록 한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명창과 발광센서 및 수광센서의 설치상태를 나타낸 예시도이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광센서와 수광센서의 설치상태 예시도이다.
도 4는 4개의 발광센서(LS1~LS4)와 4개의 수광센서(RS1~RS4)만을 도시하였 다.
공정챔버(50)의 양측벽에는 8개의 투명창(A1~A8)과 8개의 투명창(B1~B8)을 대칭으로 형성하였다. 그리고 8개의 투명창(A1~A8)에는 8개의 발광센서(LS1~LS8)를 각각 설치하고, 8개의 투명창(B1~B8)에는 8개의 수광센서(RS1~RS8)를 각각 설치하였다. 도 3 및 도 4와 같이 16개의 투명창(A1~A8, B1~B8)에 발광센서(LS1~LS8)와 수광센서(RS1~RS8)가 마주보도록 각각 장착하여 그 8개의 수광센서(RS1~RS8) 중에 하나라도 설정된 전압 예를 들어 6V미만이 검출되면 콘트롤러에서 인터록을 발생하는 것도 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 실시 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버 내부의 폴리머 증착상태를 센서에 의해 실시간으로 모니터링하므로, 파티클로 인한 불량 발생을 최소화할 수 있으며, 또한 공정챔버를 오픈하지 않고 내부의 폴리머 증착상태를 모니터링하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Claims (9)
- 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 있어서,공정챔버의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 형성된 제1 및 제2 투명창과,상기 제1 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서와,상기 제2 투명창에 설치되어 상기 발광센서로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서와,상기 수광센서로부터 센싱된 전압을 받아 상기 공정챔버 내부의 오염상태를 판단하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제1항에 있어서,상기 투명창의 내부 돌출부에 끼워져 상기 공정챔버와 압착되어 개스의 누설을 방지하기 위한 오링을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제1항에 있어서,상기 콘트롤러의 제어에 의해 상기 인터록이 발생될 시 경보음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제1항 내지 제3항 중 그 어느 한 항에 있어서,상기 제1 및 제2 투명창의 외부에는 스크류를 체결하기 위한 4개의 홀이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제2항에 있어서,상기 오링은 중간부분에 오목하게 홈이 형성되어 상기 투명창의 돌출부가 삽입되도록 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 있어서,공정챔버의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 형성된 적어도 2개 이상을 갖는 투명창과,상기 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 적어도 2개 이상을 갖는 발광센서와,상기 투명창에 설치되어 상기 발광센서로부터 발생된 빛을 수광하는 적어도 2개 이상을 갖는 수광센서와,상기 수광센서로부터 센싱된 전압을 받아 상기 공정챔버 내부의 오염상태를 판단하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제6항에 있어서,상기 투명창의 내부 돌출부에 끼워져 상기 공정챔버와 압착되어 개스의 누설을 방지하기 위한 오링을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제6항에 있어서,상기 콘트롤러의 제어에 의해 상기 인터록이 발생될 시 경보음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
- 제6항 내지 제8항 중 그 어느 한 항에 있어서,상기 투명창의 외부에는 스크류를 체결하기 위한 4개의 홀이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치.
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