KR100557841B1 - 형광 발광관과 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 애노드 전극과 그리드 전극을 매트릭스 형상으로 배치하고, 절연재의 세퍼레이터 상에 그리드 전극을 형성하는 형광 발광관에 있어서, 형광층 상에 있어서의 세퍼레이터의 이완부의 발생을 방지하기 위한 것이다.

유리 등의 애노드 기판(11) 상에 애노드 전극(21)을 형성하고, 그 위에 스트라이프 형상으로 형광층(22)을 형성한다. 형광층(22) 및 애노드 기판(11)상에, 형광층(22)과 교차하는 방향으로 세퍼레이터(23)를 형성하고, 그 위에 그리드 전극(24)을 형성한다. 세퍼레이터(23)는 절연재 페이스트를 스크린 인쇄 등에 의해 적층하여 형성한다. 그 때에 절연재 페이스트는 애노드 기판(11) 상에서 확산되어, 이완부(231)가 발생한다. 그러나 형광층(22)은 절연재 페이스트의 용제를 흡수하기 때문에, 절연재 페이스트는 형광층(22) 상에서 확산되지 않아, 이완부를 발생시키지 않는다.

형광 발광관, 애노드 전극, 필라멘트, 세퍼레이터

Description

형광 발광관과 그 제조방법{FLUORESCENT LUMINOUS TUBE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

도 1a 내지 1c는 본원 발명의 제 1 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관을 다양한 방법으로 도시하고 있으며, 여기서 도 1c는 도 1a 및 1b의 "X1-X1" 선을 따라 절개한 단면도이고 도 1a 와 도 1b는 도 1c의 "X2-X2" 선을 중심으로 "a" 방향과 "b" 방향에서 각각 도시한 평면도,

도 2a는 도 1b의 일부 확대도,

도 2b는 도 2a의 "X3-X3" 선을 따라 절개한 단면도,

도 3은 도 1b의 세퍼레이터의 위치 벗어남의 영향을 설명하기 위한 부분 확대도,

도 4a는 본원 발명의 제 2 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관의 애노드 기판 일부의 평면도

도 4b는 도 4a의 "X4-X4" 선을 따라 절개한 단면도,

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관의 애노드 기판의 제조 공정을 도시한 순서도,

도 6a 내지 6c는 종래 기술에 의한 그래픽 형광 표시관을 다양한 방법으로 도시하고 있으며, 여기서 도 6a는 평면도, 도 6b는 도 6a의 "Y1-Y1" 선을 따라 절개한 단면도, 도 6c는 도 6b의 일부 확대도,

도 7은 도 6a의 세퍼레이터의 위치 벗어남의 영향을 설명하기 위한 도면.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11 : 애노드 기판 12 : 전면 기판

13 내지 16 : 측면 판 21 : 애노드 전극

22, 22' : 형광층 23, 23' : 세퍼레이터

24, 24' : 그리드 전극 31 : 필라멘트

32 : 캐소드 전극 33 : 금속편

34 : 스페이서

본원 발명은 애노드 전극과 그리드 전극을 매트릭스 형상으로 배치하고, 절연성을 갖는 세퍼레이터상에 그리드 전극을 형성하는 형광 발광관과 그 제조 방법에 관한 것이다.

도 6a 내지 6c를 참조하여 종래의 형광 발광관의 일종인 그래픽 형광 표시관에 대하여 설명한다.

도 6a는 그래픽 형광 표시관의 애노드 기판(Anode substrate)의 평면도, 도 6b는 도 6a의 "Y1-Y1" 부분의 단면도, 도 6c는 도 6b의 일부분의 확대도이다.

참조부호(51)는 유리의 애노드 기판, 참조부호(61)는 캐소드(Cathode)용 필라멘트(Filament), 참조부호(62)는 필라멘트에 장력을 부여하여 유지하는 앵커(Anchor), 참조부호(63)는 필라멘트를 유지하는 서포트(Support), 참조부호(64)는 절연층, 참조부호(71)는 애노드 전극, 참조부호(72)는 형광층, 참조부호(73)는 절연재의 세퍼레이터(Separator), 참조부호(74)는 금속층, 참조부호(75)는 와이어 그리드 전극(Wire grid electrode)이다. 애노드 전극(71)과 와이어 그리드 전극(75)은 매트릭스(Matrix) 형상으로 배치되어 있다.

종래의 그래픽 형광 표시관은 애노드 전극(71) 상에 소정 사이즈의 도트(Dot) 형상인 형광층(72)을 형성하고, 와이어 그리드 전극(75)은 세퍼레이터(73)상에 형성한 금속층(74)에 밀착 고정되어 있다. 세퍼레이터(73)는 애노드 전극(71) 및 애노드 기판(51)[애노드 전극(71)과 애노드 전극(71) 사이] 상에 절연재 페이스트(Paste)를 다수회 인쇄하여, 소정의 높이로 형성되어 있다(예컨대, 일본국 특허 공개 공보 제 1990-123649호 참조).

도 7은 도 6의 세퍼레이터(73)의 위치 벗어남을 설명하기 위한 도면이고, 애노드 기판의 평면도이다. 또한 필라멘트(61), 필라멘트의 앵커(62)와 서포트(63), 세퍼레이터(73)상의 금속층(74)과 와이어 그리드 전극(75)은 생략되어 있다.

도 6의 경우, 형광체 도트(72)는 애노드 전극(71) 상에 소정 사이즈, 소정 간격으로 정확히 배치하고, 또한 세퍼레이터(73)는 형광체 도트(72)와 형광체 도트(72) 사이에 정확히 배치되어 있다.

세퍼레이터(73)를 형성할 때, 그 위치가, 예컨대 도 7과 같이 참조부호(73')로 벗어난 경우에는, 형광체 도트(72)의 일부는 세퍼레이터(73')에 의해 피복되어 버리기 때문에, 형광체 도트(72)의 발광 면적은 당초 설계한 면적보다도 작아지고, 표시 품질이 저하한다. 그 때문에 세퍼레이터(73)의 형성에는 인쇄용 마스크의 고정밀도의 위치 정렬이 필요하게 된다.

한편 세퍼레이터(73)는 애노드 전극(71) 및 애노드 기판(51)[애노드 전극(71)과 애노드 전극(71) 사이] 상에 절연재 페이스트를 인쇄하여 적층 형성하지만, 페이스트는 유동성이 있기 때문에, 세퍼레이터(73)의 1층째는 애노드 전극(71)과 애노드 기판(51) 상에서 확산되어, 도 6c와 같이, 소위 이완부(731)가 발생한다. 이완부(731)의 확산의 정도는 페이스트의 종류에 따라 다르지만 세퍼레이터(73)의 폭보다도 50% 정도 넓어진다.

따라서 세퍼레이터(73)의 형성에는, 인쇄후의 이완부(731)의 크기를 예측하고, 또한 높은 정밀도로 인쇄용 마스크의 위치 정렬을 실행해야 한다. 그 때문에 세퍼레이터(73)의 형성은 어렵고, 형광 표시관의 수율 저하의 원인이 되고 있다. 또한 고정밀도의 위치 정렬 기능을 구비한 인쇄 장치가 필요하게 되기 때문에, 인쇄 장치가 고가로 된다.

또한 표시의 고세밀화에는 세퍼레이터(73)의 간격을 좁게 해야 하지만, 세퍼레이터(73)의 간격은 이완부(731)의 공간이 장해가 되고, 또한 이완부(731)가 형광체 도트(72)를 피복하지 않도록 여유를 두고 설계해야 하기 때문에, 그다지 좁게 할 수 없다. 그 때문에, 표시의 고세밀화가 곤란했다.

본원 발명은 이들의 문제점을 감안하여 형광층 상에 이완부를 발생시키지 않고 세퍼레이터를 형성할 수 있으며, 세퍼레이터의 위치 벗어남의 영향이 없고, 표시의 고세밀화가 가능한 형광 표시관 등의 형광 발광관 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본원 발명의 형광 발광관은 애노드 기판 상에 애노드 전극과 그리드 전극을 매트릭스 형상으로 배치하고, 그리드 전극은 절연성을 갖는 세퍼레이터 상에 형성하며, 형광체 여기용 전자원을 구비하는 형광 발광관에 있어서, 애노드 전극은 애노드 기판 상에 직접 형성하고, 그 애노드 전극상에 스트라이프 형상의 형광층을 형성하며, 상기 세퍼레이터는 형광층 및 애노드 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 형광 발광관은 절연성을 갖는 애노드 기판 상에 애노드 전극과 그리드 전극을 매트릭스 형상으로 배치하고, 그리드 전극은 절연성을 갖는 세퍼레이터 상에 형성하며, 형광체 여기용 전자원을 구비하는 형광 발광관에 있어서, 애노드 전극은 애노드 기판 상에 직접 형성하고, 그 애노드 전극상에 도트 형상 형광층을 형성하며, 상기 세퍼레이터는 도트 형상 형광층 및 애노드 기판 상에 형성하고, 인접하는 각 세퍼레이터의 적어도 일부는 동일한 도트 형상 형광층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 각 형광 발광관에 있어서, 상기 전자원은 필라멘트이고, 그 필라멘트는 캐소드 전극에 초음파 용접되어 있는 것을 특징으로 한다.

본원 발명의 형광 발광관의 제조 방법은 절연성을 갖는 애노드 기판 상에 애노드 전극을 직접 형성하는 단계와, 그 애노드 전극상에 스트라이프 형상 또는 도트 형상 형광층을 형성하는 단계와, 그 형광층 및 애노드 기판 상에, 애노드 전극과 교차하도록 세퍼레이터를 형성하는 단계와, 그 세퍼레이터상에 그리드 전극을 형성하는 단계와, 애노드 기판을 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

도 1a 내지 도 4b에 의해 본원 발명의 바람직한 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관을, 도 5에 의해 본원 발명의 바람직한 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관의 제조 방법을 설명한다. 각 도면에 공통의 부분은 같은 부호를 사용한다.

도 1a 내지 1c와 도 2a 및 2b는 본원 발명의 제 1 실시예에 따른 그래픽 형광 표시관의 평면도와 단면도이다.

도 1a는 도 1c의 "X2-X2" 부분의 화살표(a) 방향의 평면도, 도 1b는 도 1c의 "X2-X2" 부분의 화살표(b) 방향의 평면도, 도 1c는 도 1a 및 도 1b의 "X1-X1" 부분의 단면도, 도 2a는 도 1b의 일부의 확대도, 도 2b는 도 2a의 "X3-X3" 부분의 단면도이다.

참조부호(11)는 유리, 세라믹 등의 절연재로 이루어지는 애노드 기판, 참조부호(12)는 유리, 세라믹 등의 절연재로 이루어지는 전면 기판, 참조부호(13 내지 16)은 유리, 세라믹 등의 절연재로 이루어지는 측면 판, 참조부호(21)는 스트라이프 형상의 ITO(Indium Tin Oxide)와 Al 등의 도전재 층으로 이루어지는 애노드 전극, 참조부호(211)는 애노드 전극(21)의 ITO와 Al 등의 도전재 층으로 이루어지는 배선부, 참조부호(22)는 애노드 전극(21)상에 형성한 스트라이프 형상의 ZnO:Zn 등으로 이루어지는 형광층, 참조부호(23)는 스트라이프 형상의 절연재로 이루어지는 세퍼레이터, 참조부호(24)는 세퍼레이터(23)상에 형성한 스트라이프 형상의 Al 등의 도전재층으로 이루어지는 그리드 전극, 참조부호(241)는 그리드 전극(24)의 Al 등의 도전재층으로 이루어지는 배선부, 참조부호(31)는 텅스텐(W)과 W 합금 등의 심선에 삼원탄산염 등의 전자 방출 물질을 피착한 캐소드용 필라멘트(형광체 여기용 전자원), 참조부호(32)는 알루미늄(Al) 등의 도전재층으로 이루어지는 캐소드 전극, 참조부호(321)는 캐소드 전극(32)의 Al 등의 도전재층으로 이루어지는 배선부, 참조부호(33)는 필라멘트(31)의 단부를 초음파 용접에 의해 캐소드 전극(32)에 고착하는 Al 등으로 이루어지는 금속편, 참조부호(34)는 유리 화이버, 선형상 도체 등으로 이루어지는 필라멘트(31)의 스페이서이다.

애노드 전극(21)과 그리드 전극(24)은 매트릭스 형상으로 배치(교차 배치 또는 직교 배치를 포함함)되어 있다.

또한 애노드 기판(11), 전면 기판(12), 측면 판(13 내지 16)을 프릿(frit) 유리 등의 밀봉재를 사용하여 기밀하게 밀봉, 배기하여 외위기(envelope)를 구성한다.

또한 형광 표시관이 애노드 기판(11)의 외측으로부터 형광층(22)의 발광을 관찰하는 타입인 경우에는, 애노드 기판(11)은 투명(투광성을 가짐)의 유리에 의해 형성하고, 애노드 전극(21)은 ITO 등의 투명 도전재에 의해 형성하든가 또는 Al 등의 불투광성 재료를 메쉬 형상 등의 투광 구조로 형성한다. 또한 형광 표시관이 전면 기판(12)의 외측으로부터 형광층(22)의 발광을 관찰하는 타입인 경우에는, 전면 기판(12)은 투명의 유리에 의해 형성한다.

애노드 전극(21)은 애노드 기판(11) 상에 직접 형성하고[즉 애노드 기판(11)과의 사이에 아무것도 개재시키지 않고 형성함], 두께 10 내지 30 ㎛인 형광층(22)을 형성한다. 형광층(22)은 포토리소법 등에 의해 형성하여 건조시킨 상태에 있기 때문에, 후술하는 바와 같이 세퍼레이터(23)의 용제를 잘 흡수한다. 세퍼레이터(23)는 형광층(22) 및 애노드 기판(11)[애노드 전극(21)과 애노드 전극(21) 사이] 상에 형성한다.

세퍼레이터(23)는 세퍼레이터 형성용의 개구부를 갖는 마스크를 이용하고, 스크린 인쇄에 의해 프릿 유리(절연재료), 용제(Solvent)로 이루어지는 인쇄 페이스트를 10회 인쇄하여 적층 형성했다. 또한 용제로는 에틸셀룰로즈를 테르피네올에 녹인 것을 이용했다.

그리드 전극(24)은 세퍼레이터(23) 위에 그리드 전극 형성용의 개구부를 갖는 마스크를 이용하여, 스크린 인쇄에 의해 도전재 페이스트를 2회 인쇄하여 형성했다.

세퍼레이터(23)와 그리드(24)를 합친 높이는 약 100 ㎛이다.

세퍼레이터(23)의 1층째는 형광층(22) 및 애노드 기판(11)상에 직접 인쇄한 다. 애노드 기판(11)은 인쇄된 세퍼레이터(23)의 용제를 거의 흡수하지 않기 때문에, 세퍼레이터(23)의 페이스트는 애노드 기판(11) 상에서 확산되어, 소위 이완부(231)를 발생시킨다. 그러나 형광층(22)은 인쇄 페이스트의 용제를 흡수하기 때문에(용제의 흡수층으로서의 기능을 갖고 있음), 형광층(22) 상에 인쇄된 페이스트는 이완부를 발생시키기 전에 굳어져 버린다.

여기서 이완부(폭이 넓은 부분)(231)는 세퍼레이터(23)와 애노드 기판(11)의 밀착력(접착력)을 향상시키는 효과를 갖고 있다. 즉, 형광층(22)은 분체 형상이기 때문에, 형광층(22)상에 형성된 세퍼레이터(23)의 밀착력은 그다지 높지 않지만, 애노드 기판(11)상에 형성된 세퍼레이터(23)의 밀착력은 높아진다. 그 때문에 이완부(231)는 세퍼레이터(23)와 애노드 기판(11)과의 밀착력을 높이는 효과가 있다.

본 실시예는 세퍼레이터 형성용 개구부 폭 100 ㎛인 마스크를 이용하여, 세퍼레이터(23)를 형성했다. 애노드 기판(11)상의 세퍼레이터(23)의 1층째의 이완부(231) 부분의 폭(W1)은 150 ㎛인 것에 대하여, 형광층(22) 상의 세퍼레이터(23)의 폭(W2)은 100μm였다. 즉, 형광층(22) 상의 세퍼레이터(23)는 이완부를 거의 발생시키지 않고, 마스크의 개구부와 거의 동일한 폭으로 형성할 수 있었다. 또한 이완부(231)의 인쇄 페이스트는 애노드 기판(11)상을 형광층(22)의 가장자리를 따라 확산되기 때문에, 형광층(22)을 피복하는 일은 거의 없다.

세퍼레이터(23)의 2층째 이후의 층은 1 층째의 인쇄와 동일한 마스크를 이용하여, 인쇄를 반복하여 형성한다. 2 층째 이후는 먼저 인쇄된 세퍼레이터(23) 위에 인쇄하기 때문에, 먼저 인쇄된 층이 인쇄 페이스트의 용제를 흡수한다. 따라서 2 층째 이후의 층은 마스크의 개구부와 거의 동일한 폭으로 형성된다.

또한 애노드 전극(21)[형광층(22)]의 폭(W3)은 260 ㎛, 애노드 전극(21)의 피치(간격)(W4)는 30 ㎛로 설정했다.

도 1은 필라멘트(31)를 전면 기판(12)에 장착하는 예에 대하여 설명했지만, 애노드 전극(21)의 배선부(211) 또는 그리드 전극(24)의 배선부(241) 상에 절연층(도시하지 않음)을 형성하고, 그 절연층상에 캐소드 전극(32)을 형성함으로써, 필라멘트를 애노드 기판(11)에 장착할 수도 있다.

다음에 도 3에 의해 본 실시예의 세퍼레이터의 위치 벗어남에 대하여 설명한다.

형광층(22)의 발광부는 스트라이프 형상 형광층(22) 중, 세퍼레이터(23)와 세퍼레이터(23) 사이에 노출되어 있는 부분이다. 따라서 형광층(22)의 발광부의 사이즈는 세퍼레이터(23)의 간격과 스트라이프 형상 형광층(22)의 폭(W3)에 의해 결정된다(셀프 정렬로 됨).

세퍼레이터(23)를 형성할 때, 스크린 인쇄용 마스크의 위치가 벗어나고, 세퍼레이터(23)가 참조부호(23')의 위치로 벗어난 경우에는, 형광층(22)의 발광부는 세퍼레이터(23')와 세퍼레이터(23') 사이에 노출되어 있는 부분으로 되지만, 형광층(22)은 스트라이프 형상이기 때문에, 세퍼레이터(23')와 세퍼레이터(23') 사이에 반드시 존재한다. 즉, 세퍼레이터의 위치가 참조부호(23)인 경우(당초 예정한 기준 위치의 경우)에도, 참조부호(23′)인 경우(기준 위치보다도 벗어난 경우)에도, 형광층(22)의 발광부의 면적은 동일하게 되어, 인쇄시의 세퍼레이터의 위치 벗어남 은 형광 표시관의 표시 품질에 영향을 주지 않는다. 따라서 인쇄시의 마스크의 위치 결정 정밀도는 종래의 경우보다도 완화되어, 세퍼레이터의 형성이 용이해진다.

또한 본 실시예의 경우, 형광층(22)상의 세퍼레이터에는 이완부가 발생하지 않기 때문에, 종래와 같이 이완부에 의해 형광층의 노출 면적, 즉 발광 면적이 축소하지도 않는다. 또한 본 실시예의 경우, 이완부가 발생하지 않기 때문에, 그 만큼 세퍼레이터의 간격을 좁게 할 수 있고, 따라서 보다 정밀도가 높은 표시가 가능하게 된다.

도 4a와 4b는 본원 발명의 제 2 실시예에 관한 그래픽 형광 표시관의 애노드 기판의 일부의 평면도와 단면도이고, 도 4a는 평면도, 도 4b는 도 4a의 X4-X4 부분의 단면도이다.

애노드 전극(21)상에 도트 형상 형광층(22′)을 형성하고, 그 도트 형상 형광층(22') 및 애노드 기판(11)상에 세퍼레이터(23)를 형성한다. 세퍼레이터(23)는 그 폭방향의 바닥부의 양측의 가장자리부[바닥부의 애노드 전극(21)과 교차하는 방향의 양측의 가장자리부](232a, 232b)가 인접하는 도트 형상 형광층(22′)상에 탑재하도록 형성한다. 이 도트 형상 형광층(22')은 애노드 전극(21)의 길이방향에 있어서 본래 필요한 길이보다도 크게 형성한다. 즉 본래의 발광 도트로서 필요한 면적보다도 크게 형성한다.

여기서 형광층을 도트 형상 등 스트라이프 형상 이외의 형상으로 하여, 애노드 전극(21)의 일부가 노출되도록 형성하면(형광체에 피복되지 않는 부분을 형성하면), 그 노출된 애노드 전극(21)상의 세퍼레이터(23)는 밀착력이 높기 때문에, 이 완부(231)와 더불어 세퍼레이터(23)와 애노드 기판(11)과의 밀착력을 더욱 높일 수 있다.

이 경우, 세퍼레이터(23)의 간격(W6)과 도트 형상 형광층(22')의 애노드 전극(21)의 길이방향의 길이(W5)는 W6<W5로 되고, 세퍼레이터(23)의 폭(W2)과 도트 형상 형광층(22')의 간격(W7)은 W7<W2로 되도록 설정한다. 이와 같이 설정하면, 세퍼레이터(23)의 위치가 도 4b의 참조부호(23')의 위치[그리드 전극(24)은 참조부호(24')의 위치]로 벗어난 경우에도, 인접하는 각 세퍼레이터(23')의 적어도 일부는, 동일한 도트 형상 형광층(22′)상에 형성된다. 따라서 이 경우에는, 인접하는 각 세퍼레이터(23') 사이의 전면에 형광층(22')이 반드시 존재하기 때문에, 종래와 같이 형광층(22')의 발광 면적이 감소하지는 않는다.

또한 이 경우, 세퍼레이터(23)의 위치 벗어남의 허용 범위는 다각형과 직사각형 등의 도트 형상 형광층(22')의 간격(W7)에 의해 결정되기 때문에, 형광층이 스트라이프 형상인 경우보다도 작아지지만, 종래의 도트 형상 형광층의 경우보다도 커진다. 또한 형광층이 도트 형상인 경우, 형광체의 사용량은 형광층이 스트라이프 형상의 경우보다도 적기 때문에 경제적이다.

또한 상기 제 1 실시예의 스트라이프 형상의 형광층은 개구부를 갖는 스트라이프 형상(사다리 형상), 즉 제 2 실시예의 도트 형상 형광체를 사다리 형상으로 연결한 구조인 것이어도 바람직하다.

또한 애노드 기판은 유리 등과 같이 세퍼레이터의 용제를 흡수하지 않는 절연재료로 이루어지는 것 이외에, 표면에 용제를 흡수하지 않는 절연재료를 피착 형 성한 금속 기판, 또는 용제의 흡수성이 있는 절연재료로 이루어지는 기판의 표면에 용제를 흡수하지 않는 절연재료를 피착 형성한 것이어도 바람직하다.

도 5는 본원 발명의 실시예에 관한 애노드 기판의 제조 공정을 도시한 도면이다.

유리, 세라믹 등으로 이루어지는 애노드 기판에 스크린 인쇄법, 스퍼터링법 등에 의해 알루미늄, ITO 등의 도전재로 이루어지는 스트라이프 형상의 애노드 전극을 형성하고(공정 S1), 건조한다(공정 S2). 또한 스퍼터링법에 의해 애노드 전극을 형성하는 경우에는, 공정 S2는 불필요하다. 애노드 전극 상에 후막 포토리소법 등에 의해 스트라이프 형상의 형광층을 형성하고(공정 S3), 건조한다(공정 S4). 형광층 및 애노드 기판 상에 스크린 인쇄법, 디스펜서법, 잉크 제트법 등에 의해, 세퍼레이터를 적층 형성하고(공정 S5), 건조한다(공정 S6). 또한 세퍼레이터의 형성은 각 층마다 공정 S6의 건조를 반복한다. 세퍼레이터 상에 스크린 인쇄법, 디스펜서법, 잉크 제트법 등에 의해, 알루미늄 등의 도전재로 이루어지는 그리드를 형성하고(공정 S7), 건조한다(공정 S8). 그리고, 대기 중에서 소성한다(공정 S9).

상기 각 실시예의 전자원은 열전자원용 필라멘트(핫 캐소드: hot cathode)를 이용한 예에 대하여 설명했지만, 전계 전자 방출형 캐소드(콜드 캐소드: cold cathode)를 이용할 수도 있다.

상기 각 실시예는 그래픽 형광 표시관에 대하여 설명했지만, 형광 표시관의 원리를 응용한 프린터용 형광 발광관, 평면 CRT 등의 형광 발광관이어도 바람직하다.

본원 발명의 세퍼레이터는 만일 세퍼레이터의 위치가 벗어나더라도, 세퍼레이터와 세퍼레이터 사이에는 반드시 형광층이 존재한다. 따라서 본원 발명의 형광층의 발광부의 면적은 세퍼레이터의 위치가 벗어나더라도 항상 일정하게 형성할 수 있다. 즉 세퍼레이터의 위치 벗어남에 의해, 종래와 같이 표시 품질이 저하하지 않고, 또한 세퍼레이터의 형성이 간단해진다. 또한 세퍼레이터의 형성에는 종래와 같이 고정밀도의 위치 정렬 성능을 구비한 장치가 필요하지 않다.

본원 발명의 형광층의 발광부는 세퍼레이터의 간격에 의해 규정되기 때문에, 형광층은 종래의 도트 형상 형광층과 같이 각각의 형광층의 위치와 사이즈를 정확하게, 또한 세퍼레이터가 도트 형상 형광층을 피복하지 않도록 세심한 주의를 기울여 형성할 필요가 없다. 따라서 세퍼레이터와 형광층의 형성이 간단해진다.

본원 발명의 세퍼레이터는 형광층의 부분에 있어서 이완부를 발생시키지 않기 때문에, 간격을 좁게 할 수 있어, 표시를 보다 고세밀화할 수 있다.

본원 발명의 필라멘트는 종래의 복잡한 형상의 입체적 구조인 앵커와 서포터 등을 사용하지 않고, 캐소드 전극에 초음파 용접에 의해 고착하기 때문에, 필라멘트의 유지수단은 얇아져서, 형광 발광관을 얇게 할 수 있다. 또한 필라멘트의 유지수단은 그 가격이 낮아지고, 또한 필라멘트의 고착 작업은 간단해진다. 따라서 본원 발명은 상기한 바와 같이 세퍼레이터의 형성이 간단해짐과 더불어 형광 발광관을 간단하고 저렴하게 제조할 수 있다.

Claims (10)

1. 형광 발광 장치에 있어서,

   기판,

   상기 기판에 직접 형성된 복수 개의 애노드 전극,

   상기 애노드 전극 상에 형성된 스트라이프 패턴의 형광층,

   상기 형광층과 상기 기판상에 형성된 다수 개의 세퍼레이터,

   상기 세퍼레이터 상에 각각 위치되고, 상기 애노드 전극과 함께 매트릭스 구조체를 형성하도록 배열된 그리드 전극 및

   상기 형광층으로부터 이격되고, 상기 형광층의 형광 물질을 여기시키기 위한 전자 방출원을 포함하는

   형광 발광 장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 세퍼레이터 각각은 적층된 복수 개의 층으로 형성되고 상기 복수 개의 층 중 적어도 바닥층은 이완부를 갖고, 상기 이완부는 상기 애노드 기판 상에 직접 형성되는

   형광 발광 장치.
3. 평광 표시 장치에 있어서,

   기판,

   상기 기판 상에 직접 형성된 복수 개의 애노드 전극,

   상기 애노드 전극 상에 형성된 어레이 형태의 형광 도트,

   상기 형광 도트와 상기 기판 상에 형성된 복수 개의 세퍼레이터로서, 이웃하는 두 개의 세퍼레이터 각각의 적어도 일부는 동일 형광 도트 상에 위치되는 세퍼레이터,

   상기 세퍼레이터 상에 각각 형성되고, 상기 애노드 전극과 함께 매트릭스 구조체를 형성하도록 배열된 그리드 전극 및

   상기 형광체 도트로부터 이격되고, 상기 형광층의 형광 물질을 여기시키기 위한 전자 방출원을 포함하는

   형광 표시 장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 세퍼레이터 각각은 적층된 복수 개의 층으로 형성되고 상기 복수 개의 층 중 적어도 바닥층은 이완부를 갖고, 상기 이완부는 상기 애노드 기판 상에 직접 형성되는

   형광 표시 장치.
5. 형광 발광관에 사용되는 애노드 기판을 제조하기 위한 방법으로서,

   애노드 기판 상에 애노드 전극을 직접 형성하는 단계,

   상기 애노드 전극상에 스트라이프 형상 형광층을 형성하는 단계,

   상기 애노드 기판의 노출부 및 상기 형광층 상에 상기 애노드 전극과 교차하도록 세퍼레이터를 형성하는 단계,

   상기 세퍼레이터 상에 그리드 전극을 형성하는 단계 및

   상기 애노드 기판을 소성하는 공정을 포함하는

   방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 세퍼레이터는 용제와 혼합된 절연 물질을 반복적으로 적층함으로써 형성되는

   방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 절연 물질은 인쇄법 또는 디스펜서법 또는 잉크 젯법에 의해 적층 형성되는

   방법.
8. 형광 발광관에 사용되는 애노드 기판을 제조하기 위한 방법으로서,

   애노드 기판 상에 애노드 전극을 직접 형성하는 단계,

   상기 애노드 전극상에 도트 형상 형광층을 형성하는 단계,

   상기 애노드 기판의 노출부 및 상기 형광층 상에 상기 애노드 전극과 교차하도록 세퍼레이터를 형성하여, 이웃하는 두 개의 세퍼레이터 각각의 적어도 일부는 동일 형광 도트 상에 위치하도록 하는 단계,

   상기 세퍼레이터 상에 그리드 전극을 형성하는 단계 및

   상기 애노드 기판을 소성하는 공정을 포함하는

   방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 세퍼레이터는 용제와 혼합된 절연 물질을 반복적으로 적층함으로써 형성되는

   방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 절연 물질은 인쇄법 또는 디스펜서법 또는 잉크 젯법에 의해 적층 형성되는

    방법.

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