KR100552552B1 - 표면검사장치의 레이저 광원장치 및 이것을 이용한 표면검사장치 - Google Patents

표면검사장치의 레이저 광원장치 및 이것을 이용한 표면검사장치 Download PDF

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세킨아키히코
미야카와카주히로
이소자키히사시
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가부시키가이샤 탑콘
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Abstract

레이저 광원장치(2)는, 하나의 반도체 레이저(12)에서 출사(出謝)된 레이저광을 집광하는 하나의 집광 렌즈(14)와, 다른 반도체 레이저(13)에서 출사된 레이저광을 집광하는 다른 집광렌즈(15)와, 하나의 집광렌즈에 의해 집광된 레이저광과 다른 집광렌즈에 의해 집광된 레이저광을 1개의 도광수단(16)의 입사단면(16a)에 집속 입사시키는 집속렌즈(17)로 광원유닛(11)이 구성되어 있다.
레이저, 광원장치, 표면검사장치

Description

표면검사장치의 레이저 광원장치 및 이것을 이용한 표면검사장치{LASER LIGHT SOURCE DEVICE OF SURFACE INSPECTION DEVICE AND SURFACE INSPECTION DEVICE USING THE SAME}
도 1은 본 발명에 관계되는 광원장치를 이용한 표면검사장치의 광학계의 개요를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 관계되는 광원장치의 집속구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 나타낸 광원유닛의 확대도이다.
도 4는 도 2에 나타낸 최종단의 집속유닛의 확대도이다.
도 5는 본 발명에 관계되는 광원장치의 광원유닛의 구체적 구성예를 나타내는 설명도로서, 도 6의 광원유닛을 화살표(X)방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 본 발명에 관계되는 광원장치의 광원유닛의 구체적 구성예를 나타내는 설명도로서, 도 5의 광원유닛을 화살표(Y)방향에서 바라본 도면이다.
도 7은 4개의 반도체 레이저를 포함하는 광원유닛을 4개 1조로 하여 4개 1조의 각 집속유닛에 각각 광학 접속한 상태를 나타내는 개념도이다.
도 8은 2개의 반도체 레이저를 포함하는 광학유닛을 4개 1조로 하여 1개의 집속유닛에 광학 접속한 상태를 나타내는 평면도이다.
♣도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♣
1:표면검사장치 2:레이저 광원장치
3:반도체 웨이퍼 4:조사광학계
5, 6:제 1, 2수광계 7:변위장치
8, 10:제 1, 2미러 9:제 1조사 렌즈군
11:광원유닛 12, 13:반도체 레이저
14, 15, 20, 21, 24:집광렌즈 16, 22, 25:광섬유
17, 23:집속렌즈 19:집속유닛
본 발명은 단파장이면서 출력 파워가 낮은 레이저 다이오드를 사용하여 소망의 파워로 높일 수 있는 레이저 광원장치, 그 레이저 광원장치를 이용한 표면검사장치에 관한 것이다.
종래부터, 표면검사장치로는, 레이저를 광원장치의 광원으로 사용하고 있는 것이 알려져 있다(특허공개 2001-235429호 공보 참조.).
또, 복수의 레이저를 광원으로서 이용하고, 조명의 불균일을 제거하기 위해서, 스폿광의 일부를 서로 겹치도록 한 것도 알려져 있다(특허공개 평7-243988호 공보 참조.).
또, 광원으로부터의 광을 광섬유(도광수단)의 입사단면에 입사시키고, 타단면으로부터 출사시켜서, 피검사면을 조명하도록 한 것도 알려져 있다(특허공개 평4-259850호 공보 참조.).
그런데, 최근, 저소비 전력, 스페이스 절약화, 유지보수의 용이성 관점에서, 반도체 레이저(레이저 다이오드)LD가 레이저 광원장치의 광원으로서 계속 이용되고 있다. 또, 표면검사장치의 분해능을 향상시키는 관점에서, 단파장의 반도체 레이저LD를 이용하는 것이 바람직하다.
가령, 종래의 표면검사장치에서는, 파장515㎚, 출력파워75㎽로 직경 55㎚의 이물(입자)의 검출이 가능하다.
광원 이외의 광학계를 그대로 하는 조건하에서, 그 보다도 직경이 작은 이물(가령, 직경 30㎚의 이물)을 검사하는 것으로 한다.
일반적으로, 산란광의 강도는 입자 사이즈의 6승에 비례하고, 파장의 4승에 반비례하며, 또 입사파워에 비례한다.
따라서, 입사가능한 레이저의 파장과 출력파워의 관계를 예상하면, 파장 488㎚에서 필요로 하는 출력파워는 2296㎽(밀리와트), 파장405㎚에서 필요로 하는 출력파워는 1089㎽(밀리와트), 파장355㎚에서 필요로 하는 출력파워는 643㎽(밀리와트), 파장325㎚에서 필요로 하는 출력파워는 452㎽(밀리와트), 파장266㎚에서 필요로 하는 출력파워는 203㎽(밀리와트), 파장257㎚에서 필요로 하는 출력파워는 177㎽(밀리와트)이다.
이와 같이, 레이저의 파장이 짧아지면, 요구되는 출력파워도 작은 것으로 된다.
그러나, 극단적으로 파장이 짧은 레이저를 이용하는 것으로 하면, 표면검사 장치의 광원장치에서 사용하는 광학재료를 큰폭으로 변경해야 한다. 이 광학재료를 변경하지 않고, 소비전력을 억제하는 것으로서, 파장405㎚의 반도체 레이저가 유용하지만, 이 반도체 레이저의 출력파워는 30㎽밖에 안된다.
본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 단파장이면서 출력파워가 작은 반도체 레이저를 이용한 경우에도 소망의 큰 파워를 얻을 수가 있는 광원장치 및 그 광원장치를 이용한 표면검사장치를 제공하는데 있다.
본 발명에 관계되는 레이저 광원장치는, 하나의 반도체 레이저에서 출사된 레이저광을 집광하는 하나의 집광 광학계와, 다른 반도체 레이저에서 출사된 레이저광을 집광하는 다른 집광 광학계와, 하나의 집광 광학계에 의해 집광된 레이저광과 다른 광학 광학계에 의해 집광된 레이저광을 1개의 도광수단의 입사단면에 집속 입사시키는 집속 광학계로 이루어지는 광원유닛이 구성되어 있다.
그 레이저 광원장치는, 복수개의 광원유닛 중 하나의 광원유닛의 도광수단의 출사단면으로부터 출사된 레이저광을 집광하는 하나의 집광 광학계와, 다른 도광수단의 출사단면으로부터 출사된 레이저광을 집광하는 다른 집광 광학계와, 하나의 집광 광학계에 의해 집광된 레이저광과 다른 집광 광학계에 의해 집광된 레이저광을 1개의 도광수단의 입사단면에 집속 입사시키는 집속 광학계로 집속유닛을 구비하는 것이 바람직하다.
그 집속유닛은 복수개 설치되고, 이 복수개의 집속유닛의 각 도광수단의 각 출사단면으로부터 출사된 레이저광을 각각 집광하는 집광 광학계와, 이 각 집광 광학계에 의해 집광된 레이저광을 집속시켜서 1개의 도광수단의 입사단면에 집속 입사시키는 집속 광학계를 구비하고 있는 것이 더 한층 바람직하다.
또, 집광 광학계는 콜리메이트 렌즈계인 것이 바람직하다.
상기 하나의 집광 광학계와 상기 다른 집광 광학계는 상기 집속 광학계의 광축을 중심으로 하여 대략 대칭위치에 설치되어 있는 것이 더욱 바람직하다.
상기 도광수단이 광섬유이고, 이 광섬유의 입사단면이 상기 집속 광학계의 초점위치에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 광원유닛과 집속유닛은 광학 집속되어 있는 것이 바람직하다.
광원유닛 내에 배치되어 있는 반도체 레이저가 발생하는 레이저광의 파장은 각각 다르게 되어 있어도 된다. 또, 광원유닛 내에 배치되어 있는 반도체 레이저를 개별적으로 제어하는 구성으로 해도 된다.
본 발명에 관계되는 표면검사장치는 이들의 발명에 관계되는 레이저 광원장치를 이용한다.
도 1은 본 발명에 관계되는 레이저 광원장치를 이용한 표면검사장치의 광학계의 개요도이다. 이 도 1에 있어서, 1은 표면검사장치이다. 이 표면검사장치(1)는, 레이저 광원장치(2)와, 이 레이저 광원장치(2)로부터 출사된 레이저광을 피검사대상으로서의 반도체 웨이퍼(3)에 조사하는 조사 광학계(4)와, 반도체 웨이퍼(3) 의 표면 검사점(P)으로부터의 조사 광학계(4)에 의해 조사된 레이저광의 산란광을 제 1산란방향에서 수광하는 제 1수광계(5)와, 제 1산란방향과는 다른 제 2산란방향에서 수광하는 제 2수광계(6)와, 반도체 웨이퍼(3)를 조사 광학계로부터 출사된 레이저광에 대해서 상대적으로 직선·회전변위시키는 변위장치(7)를 갖는다.
조사 광학계(4)는, 제 1미러(8), 제 1조사 렌즈군(9), 제 2미러(10)를 갖고, 이들의 광학계를 개재하여 검사점(P)에 소정의 조사각도(θ)로 조사된다.
검사점(P)에 이물이 존재할 때, 레이저광이 소정의 지향성을 따라서 산란된다. 제 1수광계(5)는 검사점(P)으로부터의 산란광을 제 1산란방향에서 수광한다. 제 2수광계(6)는 검사점(P)으로부터의 산란광을 제 2산란방향에서 수광한다. 제 1수광계(5), 제 2수광계(6)로부터의 수광출력은, 도시를 생략한 중앙 연산처리 시스템으로 유입되어 이물의 크기, 형상, 위치 등이 측정된다.
레이저 광원장치(2)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수개의 광원유닛(11)을 갖는다. 각 광원유닛(11)은, 도 3에 확대하여 도시한 바와 같이, 하나의 반도체 레이저(12)에서 출사된 레이저광(P1)을 집광하는 하나의 집광렌즈(14)와, 다른 반도체 레이저(13)에서 출사된 레이저광(P2)을 집광하는 다른 집광렌즈(15)와, 하나의 집광렌즈(14)에 의해 집광된 레이저광(P1)과 다른 집광렌즈(15)에 의해 집광된 레이저광(P2)을 1개의 도광수단으로서의 광섬유(16)의 입사단면(16a)에 집속 입사시키는 집속렌즈(콘덴서 렌즈)(17)로 구성되어 있다. 이들 반도체 레이저(12, 13), 집광렌즈(13, 14), 집속렌즈(17)는 본체(11A)의 내부에 배치된다.
그 반도체 레이저(12)와 반도체 레이저(13)는 단파장의 레이저광, 가령 자색 의 레이저광(파장 405㎚)을 출사하는 것이 이용되고, 그 파장 및 출력파워는 대략 동일하다.
이 발명의 실시예에서, 집광렌즈(14, 15)는 반도체 레이저(12, 13)에서 출사된 레이저광(P1, P1)을 평행하게 하는 역할을 하고, 반도체 레이저(12, 13)의 발광점은 그 집광렌즈(14, 15)의 초점위치(f1)에 설치되어 있다.
반도체 레이저(12), 집광렌즈(14)와 반도체 레이저(13), 집광렌즈(15)는 집속렌즈(17)의 광축(O1)을 중심으로 하여 대략 점대칭 위치에 설치되어 있다. 이 도면에서는, 광축(O1)을 좁혀 대칭위치에 설치되어 있다. 광섬유(16)의 입사단면(16a)은, 집속렌즈(17)의 초점위치(f2)에 설치되어 있다.
각 광원유닛(11)의 각 광섬유(16)는 집속유닛(19)에 도달되어 있다. 집속유닛(19)의 본체(19A)의 내부에는 하나의 광섬유(16)의 출사단면(16b)에서 출사된 레이저광(P3)을 집광하는 하나의 집광렌즈(20)와, 다른 광섬유(16)의 출사단면(16b)에서 출사된 레이저광(P4)을 집광하는 다른 집광렌즈(21)와, 하나의 집광렌즈(20)에 의해 집광된 레이저광(P3)과 다른 집광렌즈(21)에 의해 집광된 레이저광(P4)을 1개의 광섬유(22)의 입사단면(22a)에 집속 입사시키는 집속렌즈(23)가 설치되어 있다.
하나의 집광렌즈(20)와 다른 집광렌즈(21)는 집광렌즈(23)의 축광(O2)을 중심으로 하여 대략 점대칭 위치에 설치되어 있다. 이들 집속유닛(19)은 복수개 설치되어 있다. 각 집속유닛(19)의 각 광섬유(22)는 집속유닛(19')에 도달되어 있다. 이 집속유닛(19')은 복수개의 집속유닛(19)의 광섬유(22)의 각 출사단면(22b)에서 출사된 레이저광을 각각 집광하는 집광렌즈(24)와, 각 집광렌즈(24)에 의해 집광된 레이저광(P5)을 집속시켜서 1개의 광섬유(25)의 입사단면(25a)에 집속 입사시키는 집속렌즈(26)로 구성되어 있다. 그 집광렌즈(24), 집속렌즈(26)는 집속유닛(19')의 본체(19'A) 내부에 설치된다. 이 광섬유(25)에 입사된 레이저광은 도 4에 도시한 바와 같이 광섬유(25)의 출사단면(25b)으로부터 출사된다. 이 출사단면(25b)에서 출사된 레이저광이 검사광으로서 조사 광학계(4)에 도달된다.
그 조사 광학계(4)에는, 광섬유(25)에서 출사되는 레이저광이 타원편광을 이루고 있으므로, 직선편광으로 변환하는 광학소자를 설치하면 좋다. 즉, 광섬유(25)의 출사단면(25b)의 앞쪽에 콜리메이트 렌즈(도시를 생략함)를 설치한다. 이 콜리메이트 렌즈는 출사단면(25b)에서 출사된 레이저광을 콜리메이트 렌즈에 의해 평행광속으로 변환한다. 그 콜리메이트 렌즈의 앞쪽에, 편광빔 스플릿터(도시를 생략함)를 설치한다. 이 평행광속은 그 편광빔 스플릿터(도시를 생략함)에 의해서 P편광성분과 S편광성분으로 분해된다. 그리고, 한쪽의 편광성분의 평행광속의 도중에 1/2파장판(도시를 생략함)을 설치한다. 이 1/2파장판에 의해 그 편광성분의 편광방향이 90도 회전된다. 이 편광방향이 90도 회전된 평행광속과 다른쪽 편광성분의 평행광속을 집광렌즈에 의해 합성하고, 직선편광으로서 반도체 웨이퍼(3)에 수속(收束) 조사시키는 구성으로 한다.
이와 같이 레이저 광원장치(11)는, 광원유닛(11), 집속유닛(19, 19')이 역카스 게이트적으로 광학 접속되어서, 레이저광의 파워가 높아지도록 되어 있다.
(구체적 실시예)
여기에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 1개의 광원유닛(11)에는 4개의 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)가 사용되고 있다. 각 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)는 축광(O1)을 좁혀 대칭위치에 설치되어 있다. 각 광원유닛(11)은 도 7에 도시한 바와 같이 4개의 수속유닛(19)에 각각 광학 접속된다. 그 각 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)의 출력파워는 약 30㎽(밀리와트)이다. 이것에 대해서, 반도체 웨이퍼(3)의 표면검사에 필요로 하는 출력파워는, 입자직경이 30㎚인 것을 검출하는 것으로 하면, 약 1W이다.
그 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)의 개방각(NA1, 도 6참조)은 0.45이고, 집광렌즈(14a, 14b, 15a, 15b)의 초점거리(f1)는 6.5㎜, 각 집광렌즈(14a, 14b, 15a, 15b)에서 출사된 레이저광의 빔직경(s)은 5.85㎜, 주(主)광선 간격(H)은 9.1㎜, 집속렌즈(17)의 광속직경(Φ)은 14.95㎜, 집속렌즈(17)의 초점거리(f2)는 41.5㎜, 집속렌즈(17)의 배율은 6.39, 각 빔의 집광각(θ1)은 0.07, 주광선의 개방각(NA2)은 0.11, 집속렌즈(17)의 전(全)집광 개방각(NA3)은 0.18, 광섬유(16)의 입사단면(16a)에 있어서의 집광빔 직경(Φ')은 10.98μ이다.
각 광섬유(16)에는 코어직경 50㎛, 클래드(clad)직경 140㎛의 G1형 광섬유(그레테트 인덱스제 광섬유)가 이용된다. 그 광섬유(16)의 개구수(NA4)는 약 0.2이다. 이 개구수(NA4)는 전집광 개방각(NA3)보다도 크면 된다.
자색의 파장광에 대한 이 형식의 광섬유(16)의 투과율은 80%이므로, 1개의 광원유닛(11)의 광섬유(16)의 출사단면(16b)에서 출사되는 레이저광의 출력파워는 약 96(30×4×0.8)㎽이다.
이 광원유닛(11)을 4개 이용해서 이 광원유닛(11)의 광섬유(16)에서 출사된 레이저광을 1개의 집속유닛(19)의 광섬유(22)의 입사단면(22a)에 모아서 입사시킨다.
이와 같이 구성하면, 그 1개의 집속유닛(19)의 광섬유(22)의 출사단면(22b)에서 출사되는 레이저광의 출력파워는 약 307㎽가 된다. 따라서, 이 집속유닛(19)을 4개 이용하여 집속유닛(19')의 1개의 광섬유(25)의 입사단면(25a)에 입사시키고, 이 광섬유(25)에 의해 레이저광을 조사 광학계(14)에 도광하게 되면, 광섬유(25)의 출사단면(25b)으로부터 출사되는 레이저광의 출력파워는 982㎽가 되어, 약 1W의 출력파워를 얻을 수 있다.
이 구체적 실시예에서는, 광원유닛(11)이 수용되는 반도체 레이저의 개수를 4개로 하였으나, 광원유닛(11)에 수용되는 반도체 레이저의 개수를 4개로 한정하는 것은 아니며, 2개나 3개라도 좋고, 표면검사장치(1)의 공간적 여유에 대응시켜서 적당한 개수로 할 수 있다. 또, 집속유닛(19)에 광학 접속하는 광원유닛(11)의 개수도 4개로 한정되는 것은 아니다.
가령, 도 8에 도시한 바와 같이, 2개의 반도체 레이저(12, 13)을 갖는 4개의 광원유닛(11)에 대해서, 1개의 수속유닛(19)을 대응시키는 구성으로 해도 된다. 또, 그 도 8에서, 부호 23'는 콜리메이트 렌즈이다.
이 발명의 실시예에서는, 각 광원유닛(11)을 모두 동일 파장을 갖는 것으로서 설명하였으나, 하나의 광원유닛에서 출사되는 레이저광의 파장과 다른 광원유닛에서 출사되는 레이저광의 파장을 달리하는 구성으로 할 수도 있다.
이와 같이 구성하면, 다른 파장의 레이저광을 이용하여 이물의 검사를 행할 수 있다.
복수의 광원유닛을 집속유닛에 광학적으로 접속하여 이용하는 경우, 각 광원유닛(11)내에 배치되는 반도체 레이저(12a, 12b)와 반도체 레이저(13a, 13b)는 각각 레이저광의 파장이 다른 것으로 해도 된다.
이들 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)를 공지의 독립 구동제어회로(도시를 생략함)에 의해 구동제어하는 구성으로 하면, 이 광원유닛(11)내의 반도체 레이저(12a, 12b 또는 13a, 13b)만을 구동함으로써, 다른 단파장의 레이저광을 발생하는 광원으로서 이용할 수 있다.
또, 이들 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)를 동시에 구동시키면, 다른 파장의 레이저광이 혼합된 레이저광을 발생하는 광원으로서 이용할 수 있다. 또, 다채널 제어가능한 구동회로에 의해 각 반도체 레이저(12a, 12b, 13a, 13b)를 일괄 제어해도 된다. 이들의 구동제어회로는, 이 레이저 광원장치의 크기나 측정대상에 의해 정해지는 레이저빔의 파장을 고려해서 선택한다.
이 광원유닛(11)에 의하면, 파장의 절환이나 파장의 혼합을 행하는 경우에, 전용의 광학계를 추가할 필요도, 기계적인 절환을 행할 필요도 없다.
따라서, 신뢰성이 높은 복수 파장 발생용 광원유닛(11)을 제공할 수 있다. 이 광원유닛(11)의 제어에는 공지의 구동제어회로를 이용할 수 있으므로, 그 제어도 용이하다.
반도체 레이저(레이저 다이오드)(12a, 12b, 13a, 13b)의 각 출력이 요구되는 레이저광의 강도를 충족하는 경우에는, 1개의 광원유닛(11)만으로, 파장이 절환되어, 혼합이 가능한 광원을 구성할 수 있다.
또, 이 발명의 실시예에서는, GI형 광섬유를 이용하는 것으로서 설명하였으나, 멀티모드 광섬유인 SI형 광섬유를 이용해도 되고, 싱글 모드형 광섬유를 이용해도 된다. 이 싱글 모드형 광섬유를 이용하는 경우에는, 반도체 레이저와 이 광섬유를 일대일로 대응킬 필요가 있다. 또, 여기서는 광섬유의 코어직경을 50㎛로서 설명하였으나, 62.5㎛, 100㎛의 것을 이용해도 되고, 광섬유의 코어직경, 모드는 이것에 한정되는 것은 아니다.
또, 본 발명의 실시예에서는, 집광렌즈, 집속렌즈를 이용하여 설명하였으나, 렌즈는 1매 구성으로 한정되지는 않으며, 3매 구성이라도 되고, 그 의미로 특허청구의 범위에서는 집광 광학계, 집속 광학계라고 하는 용어를 사용하였다.
본 발명에 관계되는 레이저 광원장치에 의하면, 파장이 짧으면서도 파워가 작은 반도체 레이저를 이용하여 그 출력 파워를 크게 하는 것이 가능한 레이저 광원장치를 얻을 수 있다.
특히, 요구되는 파워를 광원유닛의 개수에 의해 조정할 수 있다. 광원유닛이 고장났을 때, 그 광원유닛만을 교환함으로써 복구할 수 있으므로, 수리의 용이화, 보수의 용이화를 도모할 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 광섬유를 묶는 경우와 달리, 간단히 출력파워를 증대시킬 뿐만 아니라, 1개의 동축인 레이저빔을 얻을 수 있고, 따라서 얻어진 레이저 빔은 임의로 성형이 가능하게 된다.
본 발명에 관계되는 레이저 광원장치에 의하면, 또 간단한 구성에 의해 다양한 파장의 광을 발생시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 광원유닛(11)과, 접속유닛(19)을 갖는 표면검사장치의 레이저광원장치(2)에 있어서,
    상기 광원유닛은 하나의 반도체 레이저(12)에서 출사된 레이저광을 집광하는 하나의 집광 광학계(14)와, 다른 반도체 레이저(13)에서 출사된 레이저광을 집광하는 다른 집광계(15)와, 하나의 집광 광학계에 의해 집광된 레이저광과 다른 집광광학계에 의해 집광된 레이저광을 1개의 도광수단(16)의 입사단면(16a)에 집속 입사시키는 집속광학계(17)를 가지고,
    상기 광원유닛과 도광수단은 복수개로 설치되며,
    상기 집광유닛은 복수개중 하나의 광원유닛의 도광수단 출사단면(16b)으로부터 출사된 레이저광을 집광하는 하나의 집광광학계(20)와, 다른 광원유닛의 도광수단의 출사단면으로부터 출사된 레이저광을 집광하는 다른 집광광학계(21)와, 하나의 집광광학계에 의해 집광된 레이저광과 다른 도광수단에 의해 집광된 레이저광을 1개의 도광수단(22)의 입사단면에 집속 입사시키는 집속광학계(23)를 갖는 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 집속유닛이 복수개 설치되고, 이 복수개의 집속유닛의 각 도광수단의 각 출사단면으로부터 출사된 레이저광을 각각 집광하는 집광광학계와, 이 각 집광광학계에 의해 집광된 레이저광을 집속시켜서 1개의 도광수단의 입사단면에 집속 입사시키는 집속광학계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 집광광학계가 콜리메이트 렌즈계인 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 하나의 집광광학계와 상기 다른 집광광학계는 상기 집속광학계의 광축을 중심으로 대략 대칭위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 도광수단이 광섬유이고, 이 광섬유의 입사단면이 상기 집속광학계의 초점위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 광원유닛과 상기 집속유닛이 광원 집속 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 광원유닛은 그 내부에 배치되어 있는 반도체 레이저가 발생하는 레이저광의 파장은 각각 다른 파장인 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 광원유닛은 그 내부에 배치되어 있는 반도체 레이저가 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 표면검사장치의 레이저 광원장치.
  10. 제 1항, 제 3항 내지 9항중 어느 한 항에 기재된 표면검사장치의 레이저광원 장치를 이용한 표면검사장치.
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