KR100542955B1 - 모노리식 고주파 안테나스위치 - Google Patents

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    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
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Abstract

안테나 스위치(101)는, 송신시에 출력 전력 증폭기(110)의 출력 차분신호쌍 (190, 200)을 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호(170)에 선택적으로 접속하고 또한 수신기에는, 저잡음 입력 증폭기(120)의 입력 차분신호쌍(210, 220)을 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호(170)에 선택적으로 접속한다. 안테나(130)에 접속된 싱글-엔디드 신호(160)를 가지는 제1발룬(140)은 제1(190) 및 제2(200)출력 차분신호를 전력 출력 증폭기(110)에 접속한다. 안테나(130)에 접속된 싱글-엔디드 신호(180)를 가지는 제2발룬(150)은 제1(210) 및 제2(220) 입력 차분신호를 저잡음 입력 증폭기 (120)에 접속시킨다. 수신시에, 제1다이오드(230)가 제1발룬(140)의 제1출력 차분신호(190)를 제2출력 차분신호(200)에 선택적으로 단락시키고, 송신시에, 제2다이오드(240)는 제2발룬(150)의 제1입력 차분신호(210)를 제2입력 차분신호(220)에 선택적으로 단락시킨다.
싱글-엔디드 신호, 차분신호, 발룬, 단락, 전력 출력 증폭기, 저잡음 입력 증폭기

Description

모노리식 고주파 안테나스위치{MONOLITHIC HIGH FREQUENCY ANTENNA SWITCH}
본 발명은 송수신기의 전력 출력 증폭기(a power output amplifier) 또는 저잡음 입력 증폭기(a low noise input amplifier)를 안테나에 선택적으로 접속하는 스위칭 매카니즘에 관한 것으로서, 특히, 무선 송수신기의 저잡음 입력 증폭기의 차분신호(differential signals) 또는 전력 출력 증폭기의 차분신호를 안테나에 선택적으로 접속하는, 고주파수에서 동작할 수 있는 안테나 스위치에 관한 것이다.
무선 송수신기에 단일 안테나를 접속할 때에, 전송 동안에 송수신기 입력을 안테나로부터 분리하는 한편 송수신기 출력을 안테나에 선택적으로 접속하고 또한 수신 동안에 송수신기 출력을 안테나로부터 분리하는 한편 송수신기 입력을 안테나에 선택적으로 접속하는 매카니즘이 필요하다. 과거에, 송수신기로부터의 입력과 출력 신호들은 전형적으로, 스위칭기능을 제공하는데 사용할 수 있는 다양한 방법들로, 싱글-엔디드 50오옴 환경(a single-ended fifty ohm environment)으로 설계되었다. 예컨대, 송수신기가 전송을 하는지 또는 수신을 하는지에 따라서, 상기 싱글-엔디드 신호들을 안테나에 선택적으로 접속시키기 위해, 계면효과 트랜지스터 (FET)를 단극 이중 스루회로(a single pole double throw circuit) 구성에 통합한다.
비록 단극 이중 스루회로 구성의 계면효과 트랜지스터와 다른 스위칭 매카니즘들을 송수신기와 함께 단일 집적회로 칩에 통합할 수 있다 하더라도, 이들의 동작은 상당히 낮은 주파수로 제한된다. 고주파수에서의 동작은 전형적으로, 스위칭기능을 수행하는데에 있어서 개별적인 PIN 다이오드(a discrete PIN diode)들 또는 값비싼 갈륨비소(Gallium Arsenide) 트랜지스터의 사용을 필요로 한다. 예컨대, 공지의 기술은, 송수신기의 전력 출력 증폭기 또는 저잡음 증폭기에 안테나를 선택적으로 접속하고 또는 분리하기 위해 단락(短絡; a short circuit)을 개로(開路; open circuit)으로 변환하는데 있어서, 1/4 파장 전송선과 함께 PIN 다이오드를 사용한다.
오늘날, 무선전화 산업계는 무선장치의 크기를 감소시키기를 더 원한다. 무선장비의 크기를 감소시키기 위해, 단일 집적회로 칩에 보다 많은 기능들이 통합된다. 그러나, 보다 많은 기능이 단일 집적회로에 통합되면, 상이한 기능블록들 간의 간섭이 증가한다. 상기 간섭을 감소시키기 위해, 부품들 간에 주고받는 신호들은 싱글-엔디드 신호 보다는 차분신호로서 라우트된다. 따라서, 안테나 스위치를 "온-칩"으로 통합하기 위해, 전력 출력 증폭기의 차분 출력신호쌍과 저잡음 증폭기의 차분 입력신호쌍을 안테나의 싱글-엔디드 신호에 접속하는 매카니즘이 필요하다. 또한, 상기 안테나 스위치는, 오늘날의 무선전화와 미래에 출현할 많은 무선전화들이 사용하는, 상당히 높은 무선주파수에서 동작할 필요가 있다. 이들 무선주파수들은 2기가헤르츠를 넘어선다.
따라서, 송수신기의 저잡음 입력 증폭기의 차분 입력신호쌍과 전력 출력 증 폭기의 차분 입력신호쌍을 안테나의 싱글-엔디드 신호에 선택적으로 접속하는 안테나 스위치를 고안하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 안테나 스위치가 2 기가헤르츠를 넘어서는 주파수에서 동작하고 또한 송수신기와 함께, 단일 집적회로 칩, 특히 바이폴라 상보 금속산화물 반도체에 집적화 될 수 있다면, 이 또한 바람직하다. 또한, 안테나 스위치의 제조비용이 저렴하다면, 이 역시 바람직하다.
본 발명은, 송신시에 출력 전력 증폭기의 출력 차분 신호쌍을 안테나의 싱글-엔디드 신호에 선택적으로 접속하고 또한 수신기에 저잡음 입력 증폭기의 입력 차분 신호쌍을 안테나의 싱글-엔디드 신호에 선택적으로 접속하는 안테나 스위치를 포함한다. 제1발룬(balun; 평형 대 불평형 변성기)의 싱글-엔디드 신호는 안테나에 전기 접속되고, 상기 제1발룬의 제1 및 제2차분신호는 전력 출력 증폭기에 전기 접속된다. 제2발룬의 싱글-엔디드 신호는 안테나에 전기 접속되고, 상기 제2발룬의 제1 및 제2차분신호는 저잡음 입력 증폭기에 전기 접속된다. 송수신기가 수신을 할 때에, 제1다이오드가 제1발룬의 상기 제1차분신호를 상기 제2차분신호로 선택적으로 단락시켜, 상기 제1발룬에서 개로(open circuit)를 만든다. 그러므로, 상기 싱글-엔디드 신호는 상기 제1발룬의 상기 제1 및 제2차분신호들로부터 분리된다. 마찬가지로, 송수신기가 수신을 할 때에, 제2다이오드가 상기 제2발룬의 상기 제1차분신호를 상기 제2차분신호로 선택적으로 단락시켜, 상기 제2발룬에서 개로를 만든다. 그러므로, 상기 싱글-엔디드 신호는 상기 제2발룬의 제1 및 제2차분신호들로부터 분리된다. 본 발명에 사용하는 바람직한 다이오드는, 정전(elector-static) 보호를 위해 집적회로 칩들에서 사용하는 바이폴라 상보 금속산화물 반도체이다.
본 발명의 보다 완벽한 이해를 위해, 첨부도면들과 함께 이루어진 다음의 상세한 설명을 참조하면 된다.
도 1은 본 발명의 안테나 스위치회로의 기능 블록도.
도 1을 참조하여, 안테나 스위치를 구현하는 회로의 기능 블록도를 설명한다. 송수신기(100)는 출력신호를 송신하는 전력 출력 증폭기(110)와 입력신호를 수신하는 저잡음 입력 증폭기(120)를 포함한다. 전력 출력 증폭기(110)와 저잡음 입력 증폭기(120)는 안테나 스위치(101)를 통해 안테나(130)에 전기 접속된다. 바람직한 실시예에서, 송수신기(100)와 안테나 스위치(101)는 단일 집적화 반도체부품으로서 제조한다. 안테나 스위치(101)는 전력 출력 증폭기(110)와 저잡음 입력 증폭기(120)를 안테나(103)에 각가 접속하는 제1발룬(140)과 제2발룬(150)을 포함한다. 제1발룬(140)의 싱글-엔디드 신호포트(160)는 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호포트(170)에 전기 접속된다. 마찬가지로, 제2발룬(150)의 싱글-엔디드 신호포트 (180)는 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호포트(170)에 전기 접속된다.
전력 출력 증폭기(110)의 출력은 제1출력 차분신호(190)와 제2출력 차분신호 (200)를 포함하는 출력 차분신호쌍을 통해 제1발룬(140)에 전기 접속된다. 마찬가지로, 저잡음 입력 증폭기(120)의 입력은 제1입력 차분신호(210)와 제2입력 차분신호(220)를 포함하는 입력 차분 신호쌍을 통해 제2발룬(150)에 전기 접속된다.
제1다이오드(230)가 상기 제1출력 차분신호(190)와 제2출력 차분신호(200) 간에 전기 접속된다. 다이오드의 음극과 양극에 적절한 전압을 인가함으로써 상기 제1다이오드(230)의 어떠한 방향성도 수용할 수 있다 하더라도, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 제1다이오드(230)의 음극은 상기 제1출력 차분신호(190)에 전기 접속되고, 제1다이오드(230)의 양극은 상기 제2출력 차분신호(200)에 전기 접속된다.
제2다이오드(240)가 상기 제1입력 차분신호(210)와 상기 제2입력 차분신호 (220) 간에 전기 접속된다. 제1다이오드(230)와 마찬가지로, 제2다이오드(240)의 어떠한 방향성도 수용할 수 있지만, 그러나 본 실시예에서는, 제2다이오드(240)의 양극은 상기 제1입력 차분신호(210)에 전기 접속되고, 제2다이오드(240)의 음극은 상기 제2입력 차분신호(220)에 전기 접속된다.
본 발명에 사용하는 발룬(140 및 150)의 구성과 용법은 산업계에 잘 공지되어 있다. 예컨대, 제1발룬(140)과 제2발룬(150)은 제1인덕터(300)와, 제1커패시터 (308)와, 제2인덕터(305)와 제2커패시터(315)에 의해 생성된 공진 로프(resonance loop)를 포함한다. 중간 탭(center tap)(320)은 전원전압(Vcc) 또는 접지와 같은 적절한 전압에 전기 접속되어, 제1다이오드(230)와 제2다이오드(240)를 바이어싱하는데 사용되는 적절한 기준전압을 생성한다. 바람직한 실시예에서, 제1발룬(140)의 중간 탭(320)은 Vcc에 접속되는 반면, 제2발룬(150)의 중간 탭(320)은 접지에 접속된다.
발룬(140 및 150)에 사용되는 부품들과 회로들의 값들은, 원하는, 송신 및 수신신호들의 동작주파수를 토대로 선택된다. 또한, 그 값들이 원하는, 송신 및 수신신호들의 동작주파수를 토대로 선택되는 직류 차단 커패시터(direct current blocking capacitor)(250)들이 직류 신호들을 차단하기 위해 포함된다. 비록, 본 발명은 모든 동작주파수에 적용할 수 있지만, 본 발명의 장점은 특히, 값싼 "온-칩" 해결책이 존재하지 않는 고주파수에 적절하다.
상기 제1발룬(140)은, 원하는, 송신 및 수신신호의 동작주파수에서 공진하도록 설계된다. 이들 상황하에서, 제1발룬(140)의 제1출력 차분신호(190)와 제2출력 차분신호(200) 간의 단락은, 싱글-엔디드 신호포트(160)에서 개로상태가 되게 한다. 상기 개로상태는, 상기 싱글-엔디드 신호포트(160)에서부터 상기 제1출력 차분신호(190)와 상기 제2출력 차분신호(200)를 분리시켜, 안테나(130)로부터 전력 출력 증폭기(110)를 분리시키게 된다. 앞으로 설명하는 바와 같이, 본 발명은 발룬들의 이러한 특성들을 안테나 스위치를 실현하는데 사용한다.
마찬가지로, 제2발룬(150)은, 원하는, 송신 및 수신신호의 동작주파수에서 공진하도록 설계되고, 또한 제2발룬(150)의 상기 제1입력 차분신호(210)와 상기 제2입력 차분신호(220) 간의 단락은 싱글-엔디드 신호포트(180)에서 개로상태가 되게 한다. 상기 개로상태는, 상기 싱글-엔디드 신호포트(180)에서부터 상기 제2입력 차분신호(210)와 제2입력 차분신호(220)를 분리시켜, 안테나(130)로부터 저잡음 입력 증폭기(120)를 분리시키게 된다.
전송 중에 안테나(130)로부터 저잡음 입력 증폭기(120)를 분리시키기 위해, 제어기(300)가 제어 신호선(310)을 통해, 전원전압 Vcc와 같은 순방향 바이어싱 전 압을 제2다이오드(240)의 양극에 인가한다. 제2다이오드(240)의 음극이 제2발룬 (150)의 중간 탭(320)을 통해 접지에 접속되기 때문에, 전원전압 Vcc는 순방향 바이어싱이다. 비록, 제1다이오드(230)와 제2다이오드(240)에 개별적인 바이어싱 전압을 인가하는데 개별적인 제어 신호선(310)들을 사용할 수 있다 하더라도, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 단일의 신호 제어선(310)과 단일의 바이어싱 전압을 사용한다. 따라서, 제어 신호선(310)은 제1다이오드(230)의 음극에 전기 접속된다. 그러므로, 제어기(300)가 제2다이오드(240)의 양극에 순방향 바이어싱 전압(Vcc)을 인가하면, 제1다이오드(230)의 음극에 역 바이어싱 전압을 동시에 인가하게 되는데, 이는, 제1다이오드(230)의 양극이 제1발룬(140)의 중간 탭(320)을 통해 전원전압(Vcc)에 접속되어 있기 때문이다.
상기 제2다이오드(240) 양단이 상기 순방향 바이어스 전압은, 제1입력 차분신호(210)와 제2입력 차분신호(220) 간에 단락을 일으키고, 이는 제2발룬(150)의 싱글-엔디드 신호포트(180)에서 개로상태를 발생시켜, 상기 제1입력 차분신호(210)와 상기 제2입력 차분신호(220)를 상기 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호포트(170)로부터 분리시킨다. 동시에, 제어기(300)는 제1다이오드(230) 양단에 역 바이어싱 전압을 인가한다. 상기 제1다이오드(230) 양단의 역 바이어스 전압은 제1다이오드 (230) 양단에 개로의 등가(equivalent)를 생성하고, 제1발룬이 정상적인 형태로 작동하고, 제1발룬(140)을 통해 출력 차분신호쌍들이 안테나(130)에 전기 접속된다.
비슷한 형태로, 수신 동안에 안테나(130)로부터 전력 출력 증폭기(110)를 분리시키기 위해, 제어기(300)가 제1다이오드(230)의 음극에 전압을 인가하여, 상기 제1다이오드(230)를 순방향 바이어스된 상태로 둔다. 예컨대, 접지에 제어 신호선 (310)을 접속함으로써, 제어기(300)는 제1다이오드(230)에 순방향 바이어싱 전압을 인가하게 되는데, 이는, 제1다이오드(230)의 양극이 제1발룬(140)의 중간 탭(320)을 통해 전원전압(Vcc)에 접속되기 때문이다. 제1다이오드(230) 양단의 순방향 바이어스 전압은 상기 제1출력 차분신호(190)와 제2출력 차분신호(200) 간에 단락을 일으키고, 이는 제1발룬(104)의 싱글-엔디드 신호포트(160)에서 개로상태를 일으켜, 상기 제1출력 차분신호(190)와 제2출력 차분신호(200)를 안테나(130)의 싱글-엔디드 신호포트(170)로부터 분리시킨다.
동시에, 제어기(300)는 제어 신호선(310)을 통해 제2다이오드(240) 양단에 역 바이어싱 전압을 인가한다. 상기 제2다이오드(240) 양단의 상기 역 바이어스 전압은 제2다이오드(240) 양단에 개로의 등가를 생성하여, 상기 제2발룬(150)이 정상적인 형태로 작동하고, 입력 차분신호쌍들은 제2발룬(150)을 통해 안테나(130)에 전기 접속된다.
본 발명의 바람직한 실시예는 또한, 유도성(誘導性) 저역통과 필터 (inductive low pass filter)(312)를 포함한다. 상기 유도성 저역통과 필터들은 제1입력 차분신호(210)로부터 제1출력 차분신호(190)를 분리시키는데 조력한다. 또한, 제1다이오드(230)와 제2다이오드(240)를 순방향 바이어스하고 또한 역방향 바이어스 하는데 전원전압(Vcc)과 접지를 사용하였지만, 다이오드들을 순방햐과 역방향으로 바이어스하는 어떠한 전압들도 사용할 수 있다.
상당이 높은 주파수, 예컨대 2 기가헤르츠 이상에서 작동하기 위해, 상기 제1다이오드(230)와 제2다이오드(230)는 소정의 동작특성들을 필요로 한다. 상기 제1 및 제2다이오드(230 및 240)로서 사용하기 위한 이상적인 다이오드들은 다음과 같은 특성을 가진다. 즉, 순반향 바이어스 상태에서 동작하는 동안에 낮은 직렬저항(rs)과, 긴 주행시간(transit time)(1/τ)과, 낮은 역방향 바이어스 접합커패시턴스(Cjo)를 가진다. 비록, 갈륨비소(GaS)와 같은 값비싼 반도체장치들을 안테나 스위치와 송수신기에 통합하는 집적회로 칩을 구성하는데 사용할 수 있다 하더라도, 이러한 장치는 엄청나게 비쌀 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 바이폴라 상보 금속산화물 반도체(BiCMOS) 제조프로세스를 사용하여, 상기 요구 사항들을 충족하는 저렴한 다이오드를 제조한다. 회로 스위치들로서는 사용하지 않았지만, 바이폴라 상보 금속산화물 반도체에서 정전 방전(ESD) 보호를 위해 현재 사용하고 있는 다이오드들이 원하는 특성을 가지고 있다. 예컨대, 필립스 규빅 1 실리콘 칩 제조프로세스(Philips Qubic 1 silicon chip manufacturing process)에서, DB100W로 분류된 정전 방전 보호 다이오드는, 순방향 상태에서 3오옴과 동일한 직렬저항(rs)과, 5 나노초(nanosecond)와 동일한 τ와, 126 펨토 패럿(femtofarads)과 동일한 역방향 바이어스 접합 커패시턴스(Cjo)를 가진다. 이들 값들은 본 발명의 바람직한 실시예에서, 300 메가헤르츠 이상의 주파수에서의 동작에 충분하다. 역방향 바이어스 상태에서, 상기 다이오드는 126 펨토패럿과 동일한 접합 커패시턴스를 가진다. 이들 정전 방전 보호 다이오드를의 설계와 동작에 관한 더 자세한 정보는, 필립스 큐빅 1 디자인 메뉴얼 또는 다른 유사 바이폴라 상보 금속산화물 반도체 디자인 메뉴얼에서 찾아볼 수 있다. 원하는 주파수에서 동작 이외에도, 이러한 유형의, 바이폴라 상보 금속산화물 반도체 정전 방전 보호 다이오드들은 제조하기에 저렴하고 또한, 송수신기의 다른 기능들과 함께 집적회로 칩에 쉽게 집적화할 수 있다. 정전 방전 보호를 위해 바이폴라 상보 금속산화물 반도체 다이오드의 사용이 잘 공지되어 있다 하더라도, 고속 "온-칩" 스위칭 기능을 제공하는 다이오드로서의 사용은, 이전에 산업계에 알려지지 않았다.
본 발명의 방법과 장치의 바람직한 실시예를 첨부도면과 상기의 상세한 설명에 설명하였다 하더라도, 본 발명은 기술된 실시예에 제한되지 않고, 청구범위에 주어진 본 발명의 사상을 벗어나는 일이 없이 수 많은 재구성과, 수정과 대안들이 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있다.

Claims (11)

  1. 안테나에 전기 접속된 싱글-엔디드 신호와 출력 증폭기에 전기 접속된 제1 및 제2출력 차분신호를 가지는 발룬과,
    상기 안테나로부터 출력 증폭기를 분리하면 상기 발룬의 제1출력 차분신호를 제2출력 차분신호에 선택적으로 단락하는 수단을 포함하는, 안테나로부터 출력 증폭기를 분리하는 안테나 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발룬의 상기 제1출력 차분신호를 상기 제2출력 차분신호에 선택적으로 단락하는 상기 수단은,
    상기 제1발룬의 제1출력 차분신호와 제2출력 차분신호 간에 전기 접속된 다이오드와,
    안테나에서부터 출력 증폭기를 분리하면 다이오드를 순방향 바이어싱하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  3. 안테나에 전기 접속된 싱글-엔디드 신호와, 입력 증폭기에 전기 접속된 제1 및 제2입력 차분신호를 가지는 발룬과,
    상기 안테나에서부터 입력 증폭기를 분리하면 상기 발룬의 상기 제1입력 차분신호를 상기 제2입력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안테나에서부터 입력 증폭기를 분리시키는 안테나 스위치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 발룬의 상기 제1입력 차분신호를 상기 제2입력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 상기 수단은,
    상기 발룬의 제1입력 차분신호와 제2입력 차분신호 간에 전기 접속된 다이오드와,
    안테나에서부터 상기 입력 증폭기를 분리하면 상기 다이오드를 순방향 바이어싱하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  5. 안테나에 전기 접속된 싱글-엔디드 신호와, 전력 출력 증폭기에 전기 접속된 제1 및 제2출력 차분신호를 가지는 제1발룬과,
    안테나에 전기 접속된 싱글-엔디드 신호와, 저잡음 입력 증폭기에 전기 접속된 제1 및 제2입력 차분신호를 가지는 제2발룬과,
    수신시에, 상기 제1발룬의 상기 제1출력 차분신호를 상기 제2출력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 수단과,
    송신시에, 상기 제2발룬의 상기 제1입력 차분신호를 상기 제2입력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1발룬의 상기 제1출력 차분신호를 상기 제2출력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 상기 수단은,
    상기 제1발룬의 제1출력 차분신호와 제2출력 차분신호 간에 전기 접속된 제1 다이오드와,
    수신시에 제1다이오드를 순방향 바이어싱하고 송신시에 제1다이오드를 역방향 바이어싱하는 수단을 포함하고,
    상기 제2발룬의 상기 제1입력 차분신호를 상기 제2입력 차분신호에 선택적으로 단락시키는 상기 수단은,
    상기 제2발룬의 상기 제1입력 차분신호와 제2입력 차분신호 간에 전기 접속된 제2다이오드와,
    수신시에 제2다이오드를 역방향 바이어싱하고 송신시에 제2다이오드를 순방향 바이어싱하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1다이오드를 바이어싱하는 수단과 상기 제2다이오드를 바이어싱하는 수단이, 수신시에 상기 제1다이오드의 양극에는 순방향 바이어스 전압을, 제2다이오드의 양극에는 역방향 바이어스 전압을 선택적으로 인가하고 또한 송신시에 상기 제1다이오드의 양극에는 역방향 바이어스 전압을, 상기 제2다이오드의 양극에는 순방향 바이어스 전압을 선택적으로 인가하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1다이오드를 바이어싱하는 수단은 상기 제1다이오드의 음극에 직류 전원 전압 Vcc를 전기적으로 접속시키고 상기 제1다이오드 음극에 기준 전압을 제공하는 제1발룬 상의 중간 탭을 더 포함하고, 상기 제2다이오드를 바이어싱하는 수단은 상기 제2다이오드의 음극에 직류 접지 전압을 전기적으로 접속시키고 상기 제2다이오드의 음극에 기준 전압을 제공하는 제2발룬 상의 중간 탭을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1다이오드와 상기 제2다이오드는 갈륨비소 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1다이오드와 상기 제2다이오드는 바이폴라 상보 금속산화물 반도체 다이오드인 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1다이오드와 상기 제2다이오드는 바이폴라 상보 금속산화물 반도체 정전 방전 보호 다이오드인 것을 특징으로 하는 안테나 스위치.
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