KR100541124B1 - 전기광학 장치 및 전자기기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전기광학 장치를 구성하는 스위칭 소자 및 배선 및 절연막 상에 적층된 절연막을 용이하게 평탄화할 수 있으며 개구율이 큰 전기광학 장치를 제공한다. 기판(2)과, 상기 기판(2)에 마련되어 있는 스위칭 소자(5) 및 배선(36) 및 절연막(21,55)을 갖는 전기광학 장치에 있어서, 기판(2)은 스위칭 소자(5) 및 배선(36) 및 절연막(21,55) 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응하여 형성된 오목부(10, 11, 12)를 갖고 있다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치의 요부를 나타내는 평면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치의 요부를 도시하며, 도 1의 A-A 단면을 도시한 측단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치의 요부의 제조 공정을 나타내며, 도 1의 A-A 단면을 도시한 측단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치의 요부의 제조 공정을 나타내며, 도 1의 A-A 단면을 나타내는 측단면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치를 나타내는 평면도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치를 도시하며, 도 5의 B-B 단면을 나타내는 측단면도,
도 7은 본 발명의 전기광학 장치가 탑재된 전자기기를 도시하는 도면,
도 8은 본 발명의 전기광학 장치가 탑재된 전자기기를 도시하는 도면,
도 9는 본 발명의 전기광학 장치가 탑재된 전자기기를 도시하는 도면,
도 10은 종래의 유기 액티브 발광 장치의 예로서 도시된 유기 액티브 발광 장치의 요부를 나타내는 측단면도,
도 11은 종래의 유기 액티브 발광 장치의 예로서 도시된 유기 액티브 발광 장치의 요부의 회로도,
도 12는 다른 종래의 기술로서 도시된 액티브 매트릭스 구조의 요부를 나타내는 측단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 전기광학 장치 2 : 기판
5 : 스위칭 소자 8 : 공통 급전선
9 : 제 1층간 절연막 10 : 오목부
11 : 오목부 12 : 오목부
20 : 화소 전극 21 : 제 1 화소 전극
22 : 제 2 화소 전극 23 : 경계 절연막
24 : 경계 절연막 26 : 뱅크
28 : 세로 뱅크 29 : 가로 뱅크
36 : 배선(게이트선) 55 : 게이트 절연막
66 : 화소열
본 발명은, 전기광학 장치 및 상기 전기 광학 장치를 갖는 전자기기에 관한 것이다.
최근, 기판 상에 복수의 박막 트랜지스터(TFT)와, 이 박막 트랜지스터(TFT)에 의해서 구동되며 이 박막 트랜지스터(TFT)에 대응하여 배치된 복수의 유기 EL 소자를 갖는 유기 액티브 EL 발광 장치에 있어서, TFT와 유기 EL 소자의 하부 전극 사이에, 평탄화된 층간 절연막이 배치된 구조가 제안되었다.
도 10은 종래의 이러한 종류의 유기 액티브 발광 장치의 일례를 나타낸 것이다.
부호(148)로 표시된 유기 액티브 발광 장치는, 기판(149) 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터(TFT)(150)와, 대향 전극(151)과 유기층(152)과 하부 전극(153)을 갖고 있는 유기 EL 소자(154)와, 층간 절연막(155)으로 구성되어 있다. 또한, TFT(150)의 단자와 유기 EL 소자(154)의 하부 전극(153)은 층간 절연막(155)에 마련된 콘택트 홀(156)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있고, 이 TFT(150)에 의해서 유기 EL 소자(154)가 구동되도록 되어 있다.
박막 트랜지스터(TFT)(150)는, 도 11에 도시된 제 1 트랜지스터(Trl)(157), 제 2 트랜지스터(Tr2)(158)로 구성되어 있고, 주사 전극선(Yj∼Yj+ n)(159)과, 신호 전극선(Xi∼Xi+ n)(160)과, 공통 전극선(Ci∼Ci+ n)(161)에서 흐르는 전류에 의해서, 유기 E L 소자(154)의 유기층(152)을 구동하도록 되어 있다.
또한, 공통 전극선(Ci∼Ci+ n)(161)과 제 1 트랜지스터(Trl)(157) 사이에는 콘덴서(162)가 형성되어 있고, 전하가 충전되도록 되어 있다.
층간 절연막(155)은, 박막 트랜지스터(TFT)(150) 상에 마련되어 있고, 이 층간 절연막(155)은 하부 전극(153)과의 접합면에서 평탄화되어 있다.
또한, 다른 종래의 기술로서, 도 12에 도시된 바와 같은 액티브 매트릭스 구조의 전기광학 장치가 제안되어 있다.
도 12에 있어서, 이 종래의 액티브 매트릭스 구조의 전기광학 장치(170)는, 유리 기판(171)과, 이 유리 기판(171)의 표면에 형성된 능동층이 되는 제 1 폴리실리콘 층(172)과, 폴리실리콘 층(172)을 열 산화시키는 게이트 절연막(173)과, 게이트 전극이 되는 제 2 폴리실리콘 층(174)과, 제 1 층간 절연막(175)과, 제 2 층간 절연막(176)과, 신호 전극선(178)과, 제 1 콘택트 홀(179)과, 제 2 콘택트 홀(180)과, 제 1 화소 전극(181)과, 제 2 화소 전극(182)과 절연막(183)으로 구성된다.
액티브 매트릭스 구조의 전기광학 장치(170)에 있어서, 절연막(183)은, 제 1 폴리실리콘 층(172), 게이트 절연막(173), 제 2 폴리실리콘 층(174),제 1 층간 절연막(175), 제 2 층간 절연막(176), 신호 전극선(178)을 적층한 다음에 형성되고 평탄화된다.
그런데, 상기 종래의 유기 액티브 발광 장치(148)는, 유기 EL 소자(154)의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지하기 위해서, 층간 절연막(155)의 아래쪽에 마련된 주사 전극선(159) 및 신호 전극선(160) 및 박막 트랜지스터(150)와, 하부 전극(153)과의 절연성을 향상시킬 필요가 있어, 충분한 절연성을 얻는 층 간 절연막(155)을 형성해야 했다.
그러나, 층간 절연막(155)을 고 정밀도로 평탄화하는 것이 용이하지 않고, 절연성이 충분히 얻어지지 않는 경우에는, 유기 EL 소자의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함이 발생해버린다고 하는 문제가 있었다.
또한, 상기의 다른 종래의 액티브 매트릭스 구조의 전기광학 장치(170)에 있어서, 절연막(183)은 제 1 화소 전극(181)을 적층한 후에 형성되고 이어서 평탄화되지만, 제 2 층간 절연막(176)과 제 1 화소 전극(181)이 요철 형상이기 때문에, 화소 전극(181) 상에 형성된 절연막(183)을 평탄화하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이러한 사정을 고려해서 이루어진 것으로, 그 제 1의 목적은, 전기광학 장치를 구성하는 스위칭 소자 및 배선 및 절연막 상에 적층된 절연막을 용이하게 평탄화할 수 있으며, 개구율이 큰 전기광학 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 이하의 수단을 제안하고 있다.
기판과, 상기 기판 상에 마련되어 있는 스위칭 소자 및 배선 및 절연막을 갖는 전기광학 장치에 있어서, 상기 기판은, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응하여 형성된 오목부를 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 전기광학 장치에 의하면, 상기 기판은, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응하여 형성된 오목부를 갖고 있기 때문에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부 내부에 형성하여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부 내부에 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전술된 전기광학 장치로서, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나가 매설되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 전기광학 장치에 의하면, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나가 매설되어 있기 때문에, 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부에 매설하여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부에 용이하게 매설할 수 있다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전술된 전기광학 장치로서, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 매설되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 전기광학 장치에 의하면, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 매설되어 있기 때문에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 매설하여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 용이하게 매설할 수 있다.
또한, 상기 전기광학 장치의 발광을 저해하는 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 매설하면, 상기전기광학 장치의 발광 면적이 커져서, 고 개구율화를 달성할 수 있다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전술된 전기광학 장치로서, 상기 오목부에 매설된 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면과 상기 기판의 상부면이 연속하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 전기광학 장치에 의하면, 상기 오목부에 매설된 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면과 상기 기판의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 상기 기판 및 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면에 평탄한 절연막이 형성되어, 해당 절연막의 평탄화를 용이하게 실행할 수 있으며, 상기 절연막의 평탄화 처리를 생략할 수 있고, 상기 절연막의 상부면에 고 정밀도의 평탄면이 필요한 경우에는 고 정밀도의 평탄화 처리를 용이하게 실행할 수 있으며, 상기 절연막 상에 적층된 화소 전극 및 화소 전극 사이의 경계 절연막을 용이하게 평탄화할 수 있다.
또한, 상기 절연막의 절연성의 편차가 억제되어, 상기 스위칭 소자의 스위칭 특성의 편차를 억제할 수 있다. 또한, 상기 절연막의 절연성이 충분히 확보되어, 안정된 스위칭 특성을 얻을 수 있다.
또한, 상기 절연막 상에 적층된 상기 화소 전극 및 상기 화소 전극 사이의 상기 경계 절연막이 용이하게 평탄화되기 때문에, 용이하게 뱅크를 형성할 수 있다. 또한, 상기 뱅크에 인접하는 형광체의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전술한 전기광학 장치로서, 제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극에 이웃하는 제 2 화소 전극 사이에 경계 절연막이 형성되어, 해당 경계 절연막의 상부면과 상기 화소 전극의 상부면이 연속하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 전기광학 장치에 의하면, 제 1 화소 전극과 상기 제 1 화소 전극에 이웃하는 제 2 화소 전극 사이에 경계 절연막이 형성되어, 해당 경계 절연막의 상부면과 상기 화소 전극의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 상기 화소 전극의 상부면 및 상기 경계 절연막의 상부면에서 평탄면이 형성되어, 상기 화소 전극의 상부면을 용이하게 평탄화할 수 있으며, 상기 화소 전극의 상부면 및 상기 경계 절연막의 상부면에 상기 뱅크를 용이하게 형성할 수 있고, 상기 뱅크에 인접하는 형광체의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있으며, 상기 화소 전극의 상부면에 발광층을 형성했을 때 발광층의 두께가 균일하게 형성되어 발광의 얼룩을 막을 수 있다.
또한, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 이웃하는 화소 전극 사이에 상기 경계 절연막이 형성되기 때문에, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 이웃하는 화소 전극 사이를 전기적으로 절연할 수 있다.
또한, 본 발명의 전기광학 장치는, 전술된 전기광학 장치로서, 상기 화소 전극 상에 소정의 방향으로 연장하는 막대 형상 뱅크가 복수 나열되어 형성되고, 상기 막대 형상 뱅크의 양단부에는 상기 막대 형상 뱅크와 교차하는 방향으로 연장하 는 단부 뱅크가 접속되어 있으며, 막대 형상 뱅크 및 단부 뱅크에 의해서 형성된 공간에 형광체가 마련되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 전기광학 장치는, 상기 화소 전극 상에 소정의 방향에 연장하는 막대 형상 뱅크가 복수 나열되어 형성되고, 상기 막대 형상 뱅크의 양단부에는 상기 막대 형상 뱅크와 교차하는 방향으로 연장하는 단부 뱅크가 접속되어 있으며, 막대 형상 뱅크 및 단부 뱅크에 의해서 형성된 공간에 형광체가 마련되어 있기 때문에, 해당 막대 형상 뱅크와 해당 단부 뱅크에 의하여 둘러싸인 해당 발광체에 의해서, 동일한 색의 직사각형 형상의 화소열이 형성되어, 전기광학 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 막대 형상 뱅크의 아래쪽에 마련된 상기 경계 절연막의 폭은, 높은 치수의 정밀도가 필요하지 않기 때문에, 용이하게 전기광학 장치를 제작할 수 있다.
또한, 액적 토출법에 의해서 상기 막대 형상 뱅크 및 상기 단부 뱅크에 의해서 형성된 공간에 정공 주입 재료 용액 또는 발광 폴리머 용액을 도포할 때에, 상기 막대형상 뱅크가 연장하는 방향에 있어서 고 정밀도의 정렬이 필요하지 않게 되어 공정을용이하게 할 수 있다. 또한, 제품 비율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화소 결함을 막을 수 있다. 또한, 막 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 전자기기는, 전술한 전기광학 장치를 갖춘 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 바람직한 성능을 갖은 전자기기를 얻을 수 있다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 6은, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기광학 장치를 나타내는 도면이며, 도 1은 전기광학 장치의 요부를 나타내는 평면도, 도 2는 도 1의 A-A 단면을 나타내는 측단면도이다. 도 3 및 도 4는 전기광학 장치의 제조 공정을 나타내며 도 1의 A-A 단면을 나타내는 측단면도, 도 5는 전기광학 장치의 평면도, 도 6은 도 5의 B-B 단면을 나타내는 측단면도이다.
이 실시예의 전기광학 장치(1)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 기판(2)과, 기판(2)에 마련되어 있는 제 1 및 제 2 TFT(3,4)로 구성되는 스위칭 소자(5)와, 화상 신호를 유지하는 유지 용량(6)의 아래쪽에 마련되어 있는 하층 전극(7)과, 하층 전극(7) 상에 마련된 공통 급전선(8)과 하층 전극(7)을 전기적으로 절연하는 제 1 층간 절연막(9)을 갖는 전기광학 장치(1)에 있어서, 기판(2)은, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 위치에 대응하여 형성된 오목부(10,11,12)를 갖고 있다.
또한, 오목부(10,11,12)에 스위칭 소자(5)와, 하층 전극(7)과, 제 1 층간 절연막(9)이 매설되어 있다.
또한, 오목부(10,11)에 매설된 스위칭 소자(5)의 소스 영역(15,16) 및 드레인 영역(17,18)의 상부면과 기판(2)의 상부면이 연속하여 있으며, 오목부(12)에 매설된 하층 전극(7)의 상부면과 소스 영역(16)에 대응하는 오목부(10)의 기저면이 연속하고 있다.
또한, 화소 전극(20)은, 도 5에 도시하는 바와 같이 격자 형상으로 배치되어 있고, 제 1 화소 전극(21)(20)과, 제 1 화소 전극(21)(20)에 이웃하는 제 2 화소 전극(22)(20) 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성되며, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면이 연속하고 있다.
또한, 화소 전극(20) 상에는 뱅크(26)가 형성되며, 화소면(27)에 대하여 세로 방향으로 연장하는 막대 형상의 세로 뱅크(28)가 복수 나열되어 형성되고, 세로 뱅크(28)의 양단부에는 세로 뱅크(28)와 교차하는 방향으로 연장하는 가로 뱅크(29)가 접속되어 있으며, 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해 형성된 공간에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 형광체(30)가 마련되도록 되어 있다.
또한, 상술한 제 1 TFT(3)에는, 그의 게이트 전극(35)에 배선(게이트선)(36)으로부터의 주사 신호가 공급되어 있다.
유지 용량(6)은 데이터선(37)에 접속된 제 1 TFT(3)의 소스 영역(15), 드레인 영역(17)을 거쳐서 공급된 화상 신호의 전위를 유지하도록 되어 있다.
제 2 TFT(4)의 게이트 전극(38)에는, 유지 용량(6)에 의해서 유지된 화상 신호가 공급되어 있다.
화소 전극(20)에는 공통 급전선(8)에 접속된 제 2 TFT(4)의 소스 영역(16) 및 드레인 영역(18)으로부터 공급된 전류가 공급되도록 되어 있다.
제 1 TFT(3)에 있어서, 게이트 전극(35)은 배선(게이트선)(36)의 일부로서 형성되어 있고, 소스 영역(15)은 데이터선(37)과 콘택트 홀(40)을 거쳐서 전기적으 로 접속되어 있다. 또한, 드레인 영역(17)은 드레인 전극(41)과 콘택트 홀(42)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다.
드레인 전극(41)은, 제 2 TFT(4)의 게이트 전극(38)과 유지 용량(6)의 하층 전극(7)과 전기적으로 접속되어 있고, 제 2 TFT(4)의 게이트 전극(38) 및 오목부(12)에 마련된 하층 전극(7)은 일체로 형성되어 있고, 드레인 전극(41)과 게이트 전극(38)은 콘택트 홀(44)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제 2 TFT(4)는, 소스 영역(16)에 공통 급전선(8)이 콘택트 홀(45)을 거쳐서 전기적으로 접속되며, 드레인 영역(18)은 콘택트 홀(46)에 마련된 도 2에 도시된 중계 전극(49)을 거쳐서 화소 전극(20)과 전기적으로 접속되어 있다.
다음에, 전기광학 장치(1)의 제조 방법을 말한다.
우선, 기판(2)에 대해 에칭을 하여 오목부(10)를 형성한다(a). 오목부(10)의 기판(2) 표면으로부터 깊이는, TFT(3,4)의 소스 영역(15,16) 및 드레인 영역(17,18)의 폴리실리콘(51,52)의 두께와 같게 한다. 다음에, 기판(2)에 대해 2 회째 에칭을 실행하여, 2 단째 오목부(11)를 형성한다(b). 오목부(11)의 기판(2) 표면으로부터 깊이는, 게이트 전극(35,38)과 그 아래의 폴리실리콘(51,52)의 막 두께의 합계와 같게 한다. 또한, 기판(2)에 대해 3 회째 에칭을 실행하여, 3 단째 오목부(12)를 형성한다(c).
오목부(12)의 기판(2) 표면으로부터 깊이는, 소스 영역(16)의 폴리실리콘(52)과 게이트 절연막(55)과 하층 전극(7)의 막 두께의 합계와 같게 한다.
이렇게 하여 에칭된 기판(2)에 대하여, 필요에 따라, 테트라에틸오소실리케이트(TEOS) 또는 산소 등을 원료 가스로 하여 플라즈마 CVD 법에 의해서 도시되지 않은 하지 보호막을 형성한다. 그 위에, 플라즈마 CVD 법에 의해서 비정질 실리콘 막으로 이루어지는 반도체 막을 형성한 후에, 레이저 어닐링 또는 고정 성장법 등의 결정화 공정을 행하여, 반도체 막을 폴리실리콘 막으로 결정화하고, 폴리실리콘 막을 패터닝하여하여 TFT가 되는 폴리실리콘(51,52)을 형성하며, 폴리실리콘(51,52)의 상부면 위치가 기판(2)의 상부면 위치와 동일한 위치가 되도록 평탄면이 형성된다(d).
폴리실리콘(51,52)은, 전술한 소스 영역(15,16), 드레인 영역(17,18)이 된다. 다음에 이 표면에 TEOS 또는 산소 등을 원료 가스로 하여, 게이트 절연막(55)을 형성한다(e).
다음에, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 등의 금속막으로 이루어지는 도전막을 스퍼터 법에 의해서 형성한 후에 패터닝을 하여, 게이트 전극(35,38) 및 하층 전극(7)을 형성한다. 이 때에, 도 1에 도시된 배선(게이트선)(36)도 동시에 형성한다. 이 상태에서, 고농도의 인 이온을 주입하여, 게이트 전극(35,38)에 대하여 자기 정합적으로 소스, 드레인 영역을 형성한다(f). 불순물이 도입되지 않은 게이트 전극(35,38)의 하위 부분이 채널 영역이 된다. 다음에, 제 1 층간 절연막(9)을 적층한 후에, 콘택트 홀(40,42,45,46)을 형성한 후에(g), 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티티타늄, 텅스텐 등의 금속막으로 이루어지는 도전막을 스퍼터 법에 의해서 형성한 후에 패터닝을 행하여, 데이터선(37), 드레인 전 극(41), 공통 급전선(8) 및 중계 전극(49)의 하층 부분(57)을 형성한다(h).
다음에, 제 2 층간 절연막(59)을 형성하여, 중계 전극(49)에 상당하는 부분에 콘택트 홀(46)을 형성한다(i). 그 후, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 등의 금속막으로 이루어지는 도전막을 스퍼터 법에 의해서 형성한 후에 패터닝을 행하고, 중계 전극(49)의 상층 부분(61)을 형성하며, 평탄화층(63)이 형성된다(j). 다음에, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 등의 금속막 및 ITO를 적층한 후에 패터닝을 행하여 화소 전극(20)을 형성한다(k). 다음에, 화소 전극(20)에 이웃하는 화소 전극 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성되고, 이 경계 절연막(23,24)의 상부면은 화소 전극(20)의 상부면과 같은 높이가 되도록 형성한다(I). 이와 같이 형성된 경계 절연막(23,24)의 폭은 2㎛가 되도록 형성한다.
상술한 바와 같이 전기광학 장치(1)의 요부가 형성되고, 전기광학 장치(1)에는 화소면(27)이 형성된다.
다음에, 화소면(27)을 분리하여, 형광체(30)를 구획하는 뱅크(26)를 형성한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 뱅크(26)는 격자 형상으로 형성된다. 뱅크(26)의 재료는 폴리이미드 물질로 되어있다. 뱅크(26)의 화소 간격(76)은 4㎛, 뱅크(26)와 평행한 방향의 화소 피치(77)는 127㎛, 뱅크(26)의 화소 피치(78)는 43㎛, 뱅크(26)의 높이(85)는 1.7㎛가 되도록 형성한다.
그 후, 화소 전극(20)의 표면을 산소 플라즈마 처리함으로써, 정공 주입 재 료 또는 발광 폴리머 등의 형광 재료에 대한 친화성이 커지도록(접촉각이 20도 이하가 되도록)한다. 다음에, 프레온 플라즈마 처리에 의해서, 뱅크(26) 표면의 정공 주입 재료 또는 발광 폴리머 등의 형광 재료에 대한 친화성이 작게 되도록(접촉각이 50도 이상이 되도록)한다.
그 후, 액적 토출법에 의해서, 뱅크(26)에 의해서 화소 전극(20)을 둘러싼 타원 형상의 화소열(66)에 정공 주입 재료 용액을 도포하고, 가열 처리에 의해서 건조시켜 도시되지 않은 정공 주입층을 형성한다. 이 정공 주입층 상에 액적 토출법에 의해서 화소열(66)마다 빨강, 파랑, 초록의 발광 폴리머 용액을 구별해서 도포하고, 가열 처리 또는 감압 처리에 의해서 건조시켜 발광층을 형성한다.
발광층을 형성한 다음, 표시 영역의 대략 전체 면에 투명 전극을 형성하여, 전기광학 장치(1)가 완성된다. 단지, 실물에 대하여 산소와 수분의 영향을 억제하기 위하여, 투명한 플라스틱이나 유리 기판 등을 접착하거나, SiO2 또는 유기 박막을 형성한다.
각부 치수로부터, 본 실시예의 전기광학 장치의 개구율을 계산하면, (43-4) × (127-2) / (127×43)= 89.3%가 되어, 대단히 큰 개구율이 얻어진다.
상기의 공정에 의해 형성된 정공 주입층 및 발광 폴리머층의 두께를 측정한 바, 뱅크(26)와의 직교 방향에서는 물론, 뱅크(26)와 평행한 방향에서도 막 두께의 균일성이 종래 기술에 비하여 향상되었다.
이와 같이 구성된 전기광학 장치(1)에 있어서는, 도 1에 도시하는 바와 같 이, 기판(2)과, 기판(2)에 마련되어 있는 제 1 및 제 2 TFT(3,4)로 구성되는 스위칭 소자(5)와, 화상 신호를 유지하는 유지 용량(6)의 아래쪽에 마련되어 있는 하층 전극(7)과, 하층 전극(7) 상에 마련된 공통 급전선(8)과 하층 전극(7)을 전기적으로 절연하는 제 1 층간 절연막(9)을 갖는 전기광학 장치(1)에 있어서, 기판(2)은, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 위치에 대응하여 형성된 오목부(10,11,12)를 갖고 있기 때문에, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)은 오목부(10,11,12) 내부에 형성된다.
또한, 오목부(10,11,12)에 스위칭 소자(5)와 하층 전극(7)과 제 1 층간 절연막(9)이 매설되어 있기 때문에, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)은 오목부(10, 11, 12)에 매설된다.
또한, 오목부(10,11)에 매설된 스위칭 소자(5)의 소스 영역(15,16) 및 드레인 영역(17,18)의 상부면과 기판(2)의 상부면이 연속하고 있으며, 오목부(12)에 매설된 하층 전극(7)의 상부면과 소스 영역(16)에 대응하는 오목부(10)의 기저면이 연속하고 있기 때문에, 기판(2) 및 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 상부면에 평탄한 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)이 형성된다.
또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 절연성의 편차가 억제된다. 또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 절연성이 충분히 확보된다. 또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55) 상에 적층되는 화소 전극(20) 및 경계 절연막(23,24)이 용이하게 평탄화된다.
또한, 화소 전극(20)은 도 5에 도시하는 바와 같이 격자 형상으로 배치되어 있고, 제 1 화소 전극(21)(20)과, 제 1 화소 전극(21)(20)에 이웃하는 제 2 화소 전극(22)(20) 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성되며, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면에서 평탄면이 형성된다. 또한, 제 1 화소 전극(21)(20)과 제 2 화소 전극(22)(20) 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성된다.
또한, 화소 전극(20)상에는 뱅크(26)가 형성되어, 화소면(27)에 대하여 세로 방향으로 연장하는 막대 형상의 세로 뱅크(28)가 복수 나열되어 형성되고, 세로 뱅크(28)의 양단부에는 세로 뱅크(28)와 교차하는 방향으로 연장하는 가로 뱅크(29)가 접속되어 있으며, 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해서 형성된 공간에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 형광체(30)가 마련되도록 되어 있기 때문에, 세로 뱅크(28)와 가로 뱅크(29)에 의해서 둘러싸인 형광체(30)에 의해서, 동일한 색의 직사각형 형상의 화소열(66)이 형성된다.
또한, 세로 뱅크(28)의 아래쪽에 마련된 경계 절연막(23)의 폭은, 고 정밀도의 치수가 불필요하게 된다.
또한, 액적 토출법에 의해서 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해서 형성된 공간에 정공 주입 재료 용액 또는 발광 폴리머 용액을 도포할 때는, 세로 뱅크(28)가 연장하는 방향에서, 고 정밀의 정렬 정밀도가 불필요하게 된다.
상술한 바와 같이, 상기 전기광학 장치(1)에 있어서는, 기판(2)과, 기판(2)에 마련되어 있는 제 1 및 제 2 TFT(3,4)로 구성되는 스위칭 소자(5)와, 화상 신호를 유지하는 유지 용량(6) 아래쪽에 마련되어 있는 하층 전극(7)과, 하층 전극(7) 상에 마련된 공통 급전선(8)과 하층 전극(7)을 전기적으로 절연하는 제 1 층간 절연막(9)을 갖는 전기광학 장치(1)에 있어서, 기판(2)은, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 위치에 대응하여 형성된 오목부(10,11,12)를 갖고 있기 때문에, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)을 오목부(10,11,12) 내부에 형성할 수 있다.
또한, 오목부(10,11,12)가 형성되기 때문에, 이들에 스위칭 소자(5)와 하층 전극(7)과 제 1 층간 절연막(9)을 용이하게 매설할 수 있다.
또한, 오목부(10,11)에 매설된 스위칭 소자(5)의 소스 영역(15,16) 및 드레인 영역(17,18)의 상부면과 기판(2)의 상부면이 연속하고 있으며, 오목부(12)에 매설된 하층 전극(7)의 상부면과 소스 영역(16)에 대응하는 오목부(10)의 기저면이 연속하고 있기 때문에, 기판(2) 및 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 상부면에 평탄한 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)이 형성되어, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 평탄화를 용이하게 실행할 수 있고, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 평탄화 처리를 생략할 수도 있으며, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 상부면에서 고 정밀도의 평탄면이 필요한 경우에는 고 정밀도의 평탄화 처리를 용이하게 실행할 수 있고, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55) 상에 적층된 화소 전극(20) 및 경계 절연막(23,24)을 용이하게 평탄화할 수 있다.
또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 절연성의 편차가 억제되어, 스위칭 소자(5)의 스위칭 특성의 편차를 억제할 수 있다.
또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55)의 절연성이 충분히 확보되어, 스위칭 소자(5)의 안정된 스위칭 특성을 얻을 수 있다.
또한, 제 1 층간 절연막(9) 및 게이트 절연막(55) 상에 적층된 화소 전극(20) 및 경계 절연막(23,24)은 용이하게 평탄화되기 때문에, 용이하게 뱅크(26)를 형성할 수 있으며, 뱅크(26)에 인접하는 형광체(30)의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있다.
또한, 화소 전극(20)은, 도 5에 도시하는 바와 같이 격자 형상으로 배치되어 있고, 제 1 화소 전극(21)(20)과, 제 1 화소 전극(21)(20)에 이웃하는 제 2 화소 전극(22)(20) 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성되어, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면에서 평탄면이 형성되기 때문에, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22)(20)의 상부면을 용이하게 평탄화할 수 있으며, 경계 절연막(23,24)의 상부면 및 제 1 화소 전극(21)(20)의 상부면 및 제 2 화소 전극(22) (20)의 상부면에 뱅크(26)를 용이하게 형성할 수 있고, 뱅크(26)에 인접하는 형광체(30)의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있으며, 상기 화소 전극의 상부면 에 발광층을 형성한 때는, 발광층의 두께가 균일하게 형성되어, 발광의 얼룩을 막을 수 있다.
또한, 제 1 화소 전극(21)(20)과 제 2 화소 전극(22)(20) 사이에 경계 절연막(23,24)이 형성되기 때문에, 제 1 화소 전극(21)(20)과 제 2 화소 전극(22)(20)은 전기적으로 절연될 수 있다.
또한, 화소 전극(20) 상에는 뱅크(26)가 형성되어, 화소면(27)에 대하여 세로 방향으로 연장하는 막대 형상의 세로 뱅크(28)가 복수 나열되어 형성되며, 세로 뱅크(28)의 양단부에는 세로 뱅크(28)와 교차하는 방향으로 연장하는 가로 뱅크(29)가 접속되어 있고, 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해서 형성된 공간에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 형광체(30)가 마련되도록 되어 있기 때문에, 세로 뱅크(28)와 가로 뱅크(29)에 의해서 둘러싸인 형광체(30)에 의해서 동일한 색의 직사각형 형상의 화소열(66)이 형성되어, 전기광학 장치(1)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 세로 뱅크(28) 아래쪽에 마련된 경계 절연막(23)의 폭은 고 정밀도가 불필요하게 되어, 용이하게 전기광학 장치(1)를 제작할 수 있다.
또한, 액적 토출법에 의해서 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해서 형성된 공간에 정공 주입 재료 용액 또는 발광 폴리머 용액을 도포할 때는, 세로 뱅크(28)가 연장하는 방향에서, 고 정밀도의 정렬이 불필요하게 되어, 공정을 용이하게 하며, 제품 비율을 향상시킬 수 있고, 화소 결함을 막을 수 있으며, 막 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기 전기광학 장치를 갖춘 전자기기의 예에 대하여 설명한다.
도 7은, 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 7에 있어서, 부호(210)는 휴대 전화 본체를 나타내며, 부호(211)는 상기 유기 EL 전기광학 장치를 이용한 표시부를 나타내고 있다.
도 8은, 손목 시계형 전자기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 8에 있어서, 부호(220)는 시계 본체를 나타내며, 부호(221)는 상기 전기광학 장치를 이용한 표시부를 나타내고 있다.
도 9는, 워드 프로세서, 개인용 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 9에 있어서, 부호(230)는 정보 처리 장치, 부호(231)는 키보드 등의 입력부, 부호(232)는 정보 처리 장치 본체, 부호(233)는 상기 전기광학 장치를 이용한 표시부를 나타내고 있다.
도 7 내지 도 9에 도시된 전자기기는, 상기 실시예의 전기광학 장치(1)를 갖추고 있기 때문에, 표시 품질이 우수하여, 밝은 화면의 표시부를 갖춘 전자기기를 실현할 수 있다.
또, 상기 실시예에서는, 기판(2)과, 기판(2)에 마련되어 있는 제 1 및 제 2 TFT(3,4)로 구성되는 스위칭 소자(5)와, 화상 신호를 유지하는 유지 용량(6) 아래쪽에 마련되어 있는 하층 전극(7)과, 하층 전극(7) 상에 마련된 공통 급전선(8)과 하층 전극(7)을 전기적으로 절연하는 제 1 층간 절연막(9)을 갖는 전기광학 장치(1)에 있어서, 기판(2)은, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)의 위치에 대응하여 형성된 오목부(10,11,12)를 갖고 있는 전기광학 장치(1) 에 대하여 설명했지만, 오목부(10,11,12)에 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9) 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 매설하더라도 좋다.
이러한 구성에 의하면, 오목부(10,11,l2)에, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9) 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 매설되어 있기 때문에, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9)중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 오목부(10,11,12)에 매설되어, 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9) 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 오목부(10,11,12)에 용이하게 매설할 수 있다.
또한, 전기광학 장치(1)의 발광을 저해하는 스위칭 소자(5) 및 하층 전극(7) 및 제 1 층간 절연막(9) 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 오목부(10,11,12)에 매설되기 때문에, 전기광학 장치(1)의 발광 면적이 커져, 고 개구율화를 달성할 수 있다.
또한, 전기광학 장치(1)에 있어서는, 화소 전극(20) 상에는 뱅크(26)가 형성되어, 화소면(27)에 대하여 세로 방향으로 연장하는 막대 형상의 세로 뱅크(28)가 복수 나열되어 형성되고, 세로 뱅크(28)의 양단부에는 세로 뱅크(28)와 교차하는 방향으로 연장하는 가로 뱅크(29)가 접속되어 있으며, 세로 뱅크(28) 및 가로 뱅크(29)에 의해서 형성된 공간에는 도 6에 도시하는 바와 같이 형광체(30)가 마련되지만, 전기광학 장치(1)의 구동 방식에 따라서는, 화소면(27)에 대하여 가로 방향으로 연장하는 복수의 막대 형상 뱅크와, 이 막대 형상 뱅크의 단부에 대해 세로 방향으로 연장하는 뱅크에 의해서 형성되는 공간에 형광체(30)를 마련하더라도 좋 다.
또한, 상기 실시예에서는, 도 5에 도시된 뱅크(26)의 재료는 폴리이미드를 채용했지만, 폴리이미드에 한정되지 않고, 대기압 하 또는 감압 하의 플라즈마 처리로 플루오르화함으로써 발액화할 수 있는 재료이면 종류는 상관없다.
이상 설명한 바와 같이, 이 전기광학 장치에 의하면, 기판은, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응하여 형성된 오목부를 갖고 있기 때문에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부의 내부에 형성하여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부의 내부에 용이하게 형성할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나가 매설되어 있기 때문에, 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부에 매설하여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 상기 오목부에 용이하게 매설할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 매설되어 있기 때문에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 매설하 여, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 용이하게 매설할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 전기광학 장치의 발광을 저해하는 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체를 상기 오목부에 매설하여, 상기전기광학 장치의 발광 면적이 커져, 고 개구율화를 달성할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 오목부에 매설된 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면과 상기 기판의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 상기 기판 및 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면에, 평탄한 절연막이 형성되어, 해당 절연막의 평탄화를 용이하게 실행할 수 있는 효과가 얻어지며, 상기 절연막의 평탄화 처리를 생략할 수 있는 효과가 얻어지고, 상기 절연막의 상부면에서 고 정밀도의 평탄면이 필요한 경우에는 고 정밀도의 평탄화 처리를 용이하게 실행할 수 있는 효과가 얻어지며, 상기 절연막 상에 적층된 화소 전극 및 화소 전극 사이의 경계 절연막을 용이하게 평탄화할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 절연막의 절연성의 편차가 억제되어, 상기 스위칭 소자의 스위칭 특성의 편차를 억제할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 절연막의 절연성이 충분히 확보되어, 안정한 스위칭 특성을 얻을 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 절연막 상에 적층되는 상기 화소 전극 및 상기 화소 전극 사이의 상기 경계 절연막은 용이하게 평탄화되기 때문에, 용이하게 뱅크를 형성할 수 있는 효과가 얻어지고, 해당 뱅크에 인접하는 형광체의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극에 이웃하는 제 2 화소 전극 사이에 경계 절연막이 형성되어, 상기 경계 절연막의 상부면과 상기 화소 전극의 상부면이 연속하고 있기 때문에, 상기 화소 전극의 상부면 및 상기 경계 절연막의 상부면에서 평탄면이 형성되어, 상기 화소 전극의 상부면을 용이하게 평탄화할 수 있는 효과가 얻어지며, 상기 화소 전극의 상부면 및 상기 경계 절연막의 상부면에 상기 뱅크를 용이하게 형성할 수 있는 효과가 얻어지고, 상기 뱅크에 인접하는 형광체의 발광 불량이나 전극 형성 공정에서의 결함을 방지할 수 있는 효과가 얻어지며, 상기 화소 전극의 상부면에 발광층을 형성한 때는, 발광층의 두께가 균일하게 형성되어, 발광의 얼룩을 막을 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 이웃하는 화소 전극 사이에 상기 경계 절연막이 형성되기 때문에, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 이웃하는 화소 전극 사이를 전기적으로 절연할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 화소 전극 상에 소정의 방향으로 연장하는 막대 형상 뱅크가 복수 나열되어 형성되며, 상기 막대 형상 뱅크의 양단부에는 상기 막대 형상 뱅크에 교차하는 방향으로 연장하는 단부 뱅크가 접속되어 있고, 막대 형상 뱅크 및 단부 뱅크에 의해서 형성된 공간에 형광체가 마련되어 있기 때문에, 해당 막대 형상 뱅크와 해당 단부 뱅크에 의하여 둘러싸인 해당 형광체에 의해서, 동일한 색의 직사 각형 형상의 화소열이 형성되어, 전기광학 장치의 개구율을 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상기 막대 형상 뱅크 아래쪽에 마련된 상기 경계 절연막의 폭은 높은 치수 정밀도가 불필요하게 되어, 용이하게 전기광학 장치를 제작할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 액적 토출법에 의해서 상기 막대 형상 뱅크 및 상기 단부 뱅크에 의해서 형성된 공간에 정공 주입 재료 용액 또는 발광 폴리머 용액을 도포할 때는, 상기 막대 형상 뱅크가 연장하는 방향에서, 고 정밀도의 정렬이 불필요하게 되어, 공정을 용이하게 할 수 있는 효과가 얻어지고 제품 비율을 향상시킬 수 있는 효과가 얻어지며, 화소 결함을 막을 수 있는 효과가 얻어지고, 막 두께 균일성을 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 바람직한 성능을 갖은 전자기기를 얻을 수 있는 효과가 얻어진다.
Claims (9)
- 기판과, 상기 기판 상에 마련되어 있는 스위칭 소자 및 배선 및 절연막을 구비한 전기광학 장치에 있어서,상기 기판은, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 위치에 대응하여 형성된 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 오목부에, 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나를 갖는 적층체가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 오목부에 매설된 상기 스위칭 소자 및 상기 배선 및 상기 절연막 중 적어도 어느 하나의 상부면과, 상기 기판의 상부면이 연속하고 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극에 인접하는 제 2 화소 전극 사이에 경계 절연막이 형성되고, 상기 경계 절연막의 상부면과, 상기 화소 전극의 상부면이 연속하고 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화소 전극 상에 소정의 방향으로 연장하는 막대형 뱅크가 복수 나열되어 형성되고, 상기 막대형 뱅크의 양단부에는 상기 막대형 뱅크에 교차하는 방향으로 연장하는 단부 뱅크가 접속되어 있으며, 상기 막대형 뱅크 및 상기 단부 뱅크에 의해 형성된 공간에 형광체가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기광학 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 기재된 전기광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.
- 제 5 항에 기재된 전기광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.
- 제 6 항에 기재된 전기광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.
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