KR100540774B1 - 폴리싱장치 및 이 장치용 폴리싱 테이블 - Google Patents
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Abstract
폴리싱 장치는 폴리싱 테이블(12)의 작동온도에 걸쳐 정밀한 제어를 제공함으로써 재료제거의 정도를 정밀하게 제어할 수 있다. 이 폴리싱 장치는 폴리싱 테이블(12), 및 작업물(W)을 폴리싱 테이블(12)을 향해 압착하는 작업물 홀더(14)를 포함하여 이루어진다. 폴리싱 테이블(12)은 폴리싱 테이블 표면에 폴리싱섹션(30) 또는 폴리싱 도구 부착섹션, 및 표면을 따라 형성된 열 매개물 통로(32)를 구비한다. 열 매개물 통로(32)는 폴리싱 테이블(12)의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수개의 온도조절영역내에 각각 제공된 복수개의 온도조절통로를 구비한다.
Description
본 발명은 폴리싱장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼와 같은 작업물상에 편평한 거울면 폴리싱표면(flat and mirror polished surface)을 제공하는 폴리싱 테이블에 관한 것이다.
근래에 초정밀 배선 패턴(pattern) 및 좁은 선간간격(interline spacing)에 의해 집적회로장치에 있어서의 진보가 가능해졌다. 고밀도 집적을 향한 추세는 마이크로회로 패턴(pattern)의 사진평판재생(photolithograpic reproduction)에 있어서 스테퍼(stepper) 촛점의 얕은 깊이를 만족하도록 기판표면이 극도로 편평할 것을 요구하기에 이르렀다. 연마입자를 포함한 폴리싱액을 폴리싱 경계면에 공급하면서 폴리싱 테이블, 및 폴리싱 테이블상에 장착된 연마포상으로 웨이퍼면을 압착하는 웨이퍼 캐리어를 이용한 화학-기계적 폴리싱에 의해 반도체 웨이퍼의 편평한 표면이 얻어질 수 있다.
종래의 폴리싱 장치의 일예가 도 9에 도시된다. 연마포(10)로 덮힌 폴리싱 테이블(12)은 공기실린더로 웨이퍼(W)를 폴리싱 테이블(12)상으로 고정시키고 압착하는 톱링(웨이퍼 캐리어; 14)과 연관하여 사용된다. 용액노즐(16)로부터 폴리싱액(Q)이 공급되고, 이 용액은 연마포(10)와 폴리싱될 웨이퍼(W)의 저부면 사이의 경계면내에 유지된다.
이러한 폴리싱 장치에 있어서, 웨이퍼(W)와 연마포(10) 사이에서 마찰에 의해 열이 발생되고, 이 열의 일부는 폴리싱액에 의해 운반되며, 나머지 열은 톱링(14)과 폴리싱 테이블(12)에 전달되어 이 장치에 제공된 냉각기구에 의해 제거된다. 폴리싱 테이블(12)의 구조형상이 도 10에 도시되며, 스테인레스 스틸로 만들어진 폴리싱 테이블(12)의 원형내부가 샤프트(20)의 내부에 형성된 동심 샤프트 통로(22, 24)를 통해 공급된 열 매개물을 흐르게 하는 나선형의 유체통로(18)를 구비함을 보여준다. 통로(22, 24)를 통해 외부 공급원으로부터 열매개물을 운반하는데 회전식연결(rotary couple)이 사용된다.
일반적으로 화학-기계적 폴리싱에 있어서, 특히 산성 또는 알카리성 용액을 사용할 경우, 재료 제거율(the rate of material removal)은 폴리싱 경계면의 온도에 민감하게 좌우된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 걸쳐 재료제거의 균일성을 향상시키기 위해, 폴리싱 테이블(12)내의 나선형의 유체통로(18)을 통과하여 흐르는 열 유체 매개물의 유량을 제어함으로써 폴리싱 온도분배를 균일하게 또는 미리 설정된 온도분배패턴에 따라 제어하는 것이 요구되었다.
하지만, 종래의 폴리싱 장치에서는 폴리싱 테이블(12)이 스테인레스 스틸로 만들어졌기 때문에 열전도성이 낮고, 원하는 열반응 특성도를 제공하도록 폴리싱 테이블(12)의 온도를 제어하기가 어려웠다. 또한, 열 유체통로(18)의 단순한 무지향성(undirectional) 흐름패턴은 결국 폴리싱 테이블(12)의 중심영역과 바깥쪽 영 역 사이로 열을 전달하는데 있어 시간지연(time lag)으로 이어지고, 폴리싱 테이블(12)이 다른 폴리싱 조건하에 있는 턴테이블의 여러 영역의 개별온도를 제어할 수 없다는 문제점을 나타낸다.
본 발명의 목적은 폴리싱 테이블의 작동온도에 걸쳐 정밀한 제어를 제공함으로써 재료제거(material removal)의 정도를 정밀하게 제어할 수 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 폴리싱 테이블, 및 이 폴리싱 테이블을 향해 작업물을 압착하는 작업물 홀더(holder)를 포함하여 이루어지고, 폴리싱 테이블은 폴리싱 섹션 또는 폴리싱 도구 부착섹션, 및 이 표면을 따라 형성된 열 매개물 통로를 폴리싱 테이블 표면에 구비하고, 열 매개물 통로는 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성되는 복수개의 온도조절영역내에 각각 마련된 복수개의 온도조절통로를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치에 의해 달성된다.
이렇게 함으로써, 열 매개물이 온도변화를 겪지 않고 신속히 통로를 통과할 수 있도록 개별 통로의 길이가 짧아져, 폴리싱 경계면 온도를 안정화시키고 실제 테이블 온도에 신속히 온도제어변화를 반영시킴으로써, 폴리싱 시스템의 시동시간 및 반응도를 향상시킨다. 또한, 열 매개물의 흐름이 폴리싱 테이블의 개별 영역에 대해 제어될 수 있기 때문에, 폴리싱 테이블의 여러 영역에서 발생되는 국부적인 변화에 적합하게, 정밀하게 조정되는 온도제어가 수행될 수 있다.
열 매개물 통로는 방사상으로 중간에 배치된 유체 입구포트로부터 연장하는 2개의 온도조절통로를 구비하고, 이중 하나의 통로는 폴리싱 테이블의 중심까지 연장하며, 다른 통로는 폴리싱 테이블의 외주까지 연장한다.
따라서, 통로는 보다 짧은 길이의 2개의 섹션으로 나누어지고, 열 매개물이 통로를 통과하는데 요구되는 시간은 짧아져, 실제 테이블 온도에 온도제어변화를 신속히 반영할 수 있게 함으로써 폴리싱 시스템의 시동시간 및 반응도를 향상시킨다. 또한 열 매개물은 폴리싱이 수행되는 테이블의 영역내로 흐르기 때문에, 작업물의 온도제어가 신속하게 수행될 수 있다.
온도조절통로내의 유량을 개별적으로 제어하는 흐름조절밸브가 이 장치에 마련된다.
온도조절통로에 공급되는 열 매개물의 온도를 개별적으로 제어하는 온도조절수단이 이 장치에 마련된다.
표면영역의 여러 위치의 온도를 측정하는 센서수단, 및 온도조절통로내를 흐르는 열 매개물의 개별유량을 제어하는 흐름제어수단이 이 장치에 또한 마련된다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 폴리싱 장치는 폴리싱 테이블, 및 폴리싱 테이블을 향해 작업물을 압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지고, 폴리싱 테이블은 폴리싱 테이블의 표면에 폴리싱 섹션 또는 폴리싱 도구 부착섹션, 및 표면을 따라 형성된 열 매개물 통로를 구비하며, 최소한 폴리싱 테이블의 표면영역은 열전도성이 높은 물질로 만들어진다. 바람직한 물질은 0.06 cal/cm/s/℃보다 높은 열전도성을 갖는 SiC를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 폴리싱 테이블은 폴리싱 테이블의 표면에 폴리싱 섹션 또는 폴리싱 도구 부착섹션, 및 표면을 따라 형성된 열 매개물 통로를 구비하고, 열 매개물 통로는 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수개의 온도조절영역내에 각각 제공된 복수개의 온도조절통로를 구비한다.
본 발명의 폴리싱장치에 있어서는, 폴리싱 테이블의 여러 영역에서의 개별유량이 제어될 수 있기 때문에, 정밀하게 조정되는 온도제어가 수행되어 국부적인 폴리싱조건에서의 변화 및 변동에 적합할 수 있다. 최소한 표면영역과 연관된 부분에 대해 열전도성이 높은 재료를 선택함으로써 온도제어는 더욱 향상되고, 열통로로부터 표면영역으로의 열전달속도가 촉진되어, 열 지연시간이 감소되고, 반응이 양호한 온도제어(responsive temperature control)가 달성될 수 있다. 따라서, 본 폴리싱 시스템은 다양한 상황에서 우수한 폴리싱을 제공하여, 고집적된 반도체 디바이스의 제조에 중요한 기술을 제공한다.
도 1은 제 1실시예의 폴리싱 테이블의 개략적인 단면도;
도 2는 도 1의 섹션 Ⅱ를 통한 사시도;
도 3은 제 2실시예의 폴리싱 테이블의 개략적인 단면도;
도 4는 도 3의 섹션 Ⅳ을 통한 사시도;
도 5는 도 3의 주요부의 확대된 단면도;
도 6은 제 3실시예의 제어공정의 단계에 대한 순서도;
도 7a는 제 3실시예의 폴리싱 테이블의 개략적인 단면도;
도 7b는 도 7a의 온도조절 유체통로의 개략적인 평면도;
도 8은 제 3실시예의 제어공정 단계에 대한 순서도;
도 9는 종래의 폴리싱 테이블의 단면도; 및
도 10은 도 9의 섹션 Ⅹ을 통한 사시도이다.
다음에, 도 1 및 2를 참조하여 본 발명에 따른 제 1실시예가 설명된다. 폴리싱 테이블(12)은 톱(top)상에 장착된 연마포(10)를 구비한 상부판(30), 톱 표면면적상에 형성된 나선형의 온도조절 유체통로(32)를 구비한 제 2 판(34), 및 방사상으로 연장하고 동심의 유체통로(22, 24)와 각각 연통하는 출입(出入) 열 매개물 공급통로(40, 42)를 구비한 하부판(44)으로 구성된다. 온도조절 유체통로(32)와 하부판(44)의 출입 열 매개물 공급통로(40, 42)를 연통시키는 3개의 연결통로(46a, 46b, 46c)가 제 2 판(34)에 마련된다.
유입 연결통로(46a)는 폴리싱 테이블(12)의 중심 및 외주 사이의 반지름방향 중간점에서 나선형의 온도조절 유체통로(32)와 만난다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 유입 연결통로(46a)의 개구는 작업물(W)의 위치와 대향하도록 폴리싱 테이블(12)의 아래에 위치된다. 유출 연결통로(46b)는 통로(32)의 외측단에 연결되고, 유출 연결통로(46c)는 폴리싱 테이블(12)의 온도조절 유체통로(32)의 내측단에 연결된다.
따라서, 폴리싱 테이블(12)내에 내부 열 매개물 통로가 형성되어, 열 매개물이 하부판(44)의 유입 공급통로(40)를 따라 방사상으로 내부 동심 유체통로(22)의 배출구로부터 흘러 나와, 제 2 판(34)의 유입 연결통로(46a)를 통해 온도조절 유체통로(32)내로 흘러 들어간다. 그 다음, 열 매개물은 온도조절 유체통로(32)를 통해 흘러 내향 및 외향으로 분기된다. 내향 및 외향흐름은 온도조절 유체통로(32)의 내측단 및 외측단에 도달하여, 유출 연결통로(46c, 46b)를 통해 유출 공급통로(42)내로 각각 더 나아가 외부 동심통로(24)를 통해 복귀한다.
이러한 구조의 폴리싱 테이블(12)에 있어서, 온도조절 유체통로(32)는 두 섹션으로 나누어지고, 열 매개물의 순환시간을 짧게 하도록 개별 통로는 짧게 만들어진다. 따라서, 폴리싱작동을 시작하는데 필요한 시간은 단축될 수 있고, 제어작동을 위한 온도변화에 있어서의 신속한 반응이 달성될 수 있다. 또한, 이 실시예에서 통로의 개구가 작업물(W)과 대향하여 위치되기 때문에, 작업물의 가장 어려운 영역에서도 신속한 온도제어가 효과적으로 달성될 수 있는 장점이 있다.
상술된 특징에 추가하여, 상부판(30)의 표면온도는 상부판의 단위면적당 열 매개물의 유량을 일정하게 유지함으로써 균일하게 될 수 있다. 이 목적을 달성하기 위해, 유체통로의 단면적은 각 경우에서 일정한 유량을 달성하도록 온도조절통로(32)의 외측통로(46b를 통한 배수) 및 내측통로(46c를 통한 배수)에서 변화될 수 있다. 또한 고정된 상부판(30)의 단위면적당 일정한 유량을 달성할 수 있도록 유출 연결통로(46b, 46c)내에 적당한 흐름 조절밸브를 제공함으로써 유량을 조절하는 것도 가능하다.
또한 하부판(44)의 저부면에 단열커버를 제공하여 그곳으로부터의 열방출을 방지함으로써 상부판(30)의 온도제어를 용이하게 하는 것이 가능하여, 열 반응시간 지연이 감소되어 상부판(30)의 더욱 향상된 온도제어를 달성할 수 있다.
비록 전술한 실시예에서는 열유체가 하나의 입구포트로부터 공급되고 두 개의 출구포트를 통해 배출되었지만, 유사한 열제어 효과를 얻도록 공통배출구를 통하여 복수개의 입구포트 및 배출구를 배치하여 복수개의 온도조절통로를 제공하는 것도 또한 가능하다.
도 3 내지 6을 참조하여 제 2실시예가 아래에 설명된다. 이 실시예에 있어서, 폴리싱 테이블(12)은 톱상에 장착된 연마포(10)를 구비한 상부판(30), 톱표면상에 형성된 복수개의(도 3에서는 5개) 원형 요홈부(groove) 형상의 온도조절 유체통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)를 구비한 제 2 판(34), 소정의 위치에 형성된 공간(36)을 구비한 제 3 판(38), 및 방사상으로 연장하고 동심의 유체통로(22, 24)와 연통하는 입출 열 매개물 공급통로(40, 42)를 구비한 하부판(44)으로 구성된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 3 판 내의 공간(36)은, 다음에 설명될 제어유닛(CPU, 50) 및 관련된 장치일 뿐만 아니라, 제 2 판(34) 및 하부판(44)의 열 유체통로와 유입 연결파이프(46a)상에 제공된 흐름 조절밸브(48a, 48b, 48c, 48d, 48e) 및 관련된 구동기구를 연통시키는 입출 연결파이프(46a, 46b)를 수용할 목적으로 제공된다.
이 폴리싱 장치에 있어서, 열 유체통로는 열 유체가 다음과 같이 흐르도록 배치된다. 유체는 동심의 중심통로(22)로부터 하부판(44)내로 들어가고, 온도조절 통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)와의 각 교차점까지 유입 공급통로(40)를 따라 방사상으로 흘러, 각 유입 연결파이프(46a)를 통해 위로 흐른다음, 각 통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)를 따라 들어가 절반까지 흐른다. 유체는 유출 통로(42)를 따라 방사상으로 복귀하고, 유출 연결파이프(46b)를 통해 흘러 외부 동심통로(24)를 통해 복귀한다.
상부판(30)의 소정의 위치에, 열전대(thermocouple)(52a, 52b, 52c, 52d, 52e)가 각 온도조절 통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)의 위치에 대응하도록 마련된다. 이 경우에 있어서 열전대로부터의 출력 케이블은 제 3 판(38)내의 중앙공간에 배치된 제어유닛(CPU; 50)에 연결된다. 이 제어유닛(50)은 소정의 소프트웨어에 의해 작동되고, 열전대(52a, 52b, 52c, 52d, 52e)로부터 출력된 전압에 따라 각 흐름조절밸브(48a, 48b, 48c, 48d, 48e)에 대한 밸브제어 신호를 발생시킨다. 이 예에서, CPU는 내부전력에 의해 독립적으로 작동되지만, 적당한 배선회로를 제공함으로써 외부 제어기에 의해 제어될 수도 있다. 흐름조절밸브(48a, 48b, 48c, 48d, 48e)는 전기모터 또는 압력공기원에 의해 작동된다.
이 실시예에서, 폴리싱 테이블(12)을 구성하는 판(30, 34, 38, 44)의 상부의 두 판[상부판(30) 및 제 2 판(34)]는 열제어에 대한 폴리싱표면의 반응도를 향상시키도록 SiC와 같은 높은 열전도성의 재료로 만들어진다. SiC의 열전도성은 스테인레스에 비해 약 2배인 0.07 cal/cm/s/℃이다. 제 3 판(38) 및 하부판(44)이 특별히 높은 열전도성을 가질 필요는 없고, 사실, 스테인레스의 낮은 열전도성이 그 곳을 통하여 흐르는 열 매개물의 온도변화를 방지하는데 바람직하다.
상술된 구성의 폴리싱장치의 작동이 도 6에 도시된 순서도를 참조하여 설명된다. 열 매개물(이 경우 냉각수)은 바람직한 온도로 외부 공급장치에 의해 준비된다. 제어유닛(50)은 각 온도조절 통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)에 대한 목표온도[Tn (n=a, b, ...e)]에 따라 미리 프로그램된다(단계 1). 톱링(14) 및 폴리싱 테이블(12)은 용액노즐(16)을 통해 연마포(10)의 표면상에 폴리싱액(Q)을 공급하면서 각각 회전되고, 작업물(W)의 표면온도는 마찰에 의한 열과 폴리싱액등에 의해 제거된 열사이의 열평형에 따라 변화한다.
폴리싱동안, 소정 간격으로 온도측정이 이루어지고(단계 3), 열전대(52a, 52b, 52c, 52d, 52e)는 제어유닛(50)에 각각의 온도측정값(tn)을 출력한다. 제어유닛(50)은 측정된 온도(tn)와 목표온도(Tn)를 비교하여(단계 4), 만약 (허용가능한 편차범위내에서) Tn=tn이면, 폴리싱은 동일한 설정에서 계속되고 단계 3에 이어지는 단계가 반복된다. 만약 Tn>tn이면, 대응하는 흐름조절밸브(48n)의 개방도의 감소에 의해 유량이 감소되고(단계 5), 만약 Tn<tn이면 흐름조절밸브(48n)의 개방도가 증가되며(단계 6), 단계 3에 이어지는 단계가 반복되어 폴리싱을 계속하게 된다.
따라서, 이 실시예의 폴리싱 장치에 있어서는, 폴리싱 테이블(12)은 각각의 통로에서 독립적으로 유량을 조절할 수 있도록 복수개의 링형상의 영역으로 나누어져 개별 온도조절통로(32a, 32b, 32c, 32d, 32e)를 형성한다. 열 영역의 이러한 구성은 폴리싱표면의 국부적인 폴리싱조건의 변화에 대해 적당하게 반응할 수 있도록 하여, 각 영역에 있어서의 정밀한 온도조절에 의해 작업물(W)에 대해서 온도의 더욱 균일한 분배가 얻어질 수 있다. 또한, 이 실시예에서, 상부판(30)은 열전도성이 높은 SiC로 만들어지기 때문에, 유량변화에 의해 발생되는 결과가 표면온도에 신속하게 반영될 수 있어, 열적으로 반응이 양호한 장치를 제공한다.
도 7a, 7b 및 8은 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 이 경우에서는, 열 매개물을 외부원으로부터 폴리싱 테이블(12)로 향하게 하는 2개의 열 매개물 공급통로(40a, 40b)가 제공된다. 개별 온도조절통로(32a, 32b, .. 32e)의 입구포트는 개별 흐름조절밸브(48a, 48b) 및 연결통로(51)를 통해 열 매개물 공급통로(40a, 40b)로 연통된다. 개별 온도조절통로(32a, 32b, .. 32e)의 출구포트는 연결통로(53)를 통해 복귀통로(54)에 연통한다. 이 경우에 있어서, 통로(32a, 32b, .. 32e)내로 흐르는 열 매개물의 온도는 두 열 매개물의 혼합비를 변경함으로써 변화한다. 온도조절통로의 개별채널은 도 7b에 도시된 바와 같이 동심의 분리된(severed) 링의 각 단부에 위치되고 입출 연결통로(51, 53)에 연결된 입구포트 및 출구포트가 각 통로에 제공되도록 형성된다. 두 열 매개물 통로(40a, 40b)는 단열구조물에 의해 분리된다.
다음에, 도 8에 도시된 순서도를 참조하여 작동단계가 설명된다. 제어 방법론에 있어서, 도 6의 단계 5 및 단계 6의 제어목적은 열 매개물의 유량인 반면, 도 8의 제어목적은 제 1열 매개물과 제 2열 매개물의 혼합비인 것이 도 6과의 차이점이다. 다시 말하면, 측정된 온도가 목표온도보다 낮으면 온수의 비율이 증가되고(단계 5), 반대로 측정된 온도가 목표온도보다 높으면 냉수의 비율이 증가된다(단계 6). 두 매개물의 유량을 동시에 조절하는 것도 가능하다.
이 실시예에서는, 다른 온도의 두 개의 열 매개물이 사용되었기 때문에, 앞서의 실시예와 비교하여 온도변화율이 증가되어, 높은 반응성의 온도제어가 달성될 수 있다. 또한, 냉수에 의해 주어진 낮은 온도부터 온수에 의해 주어진 높은 온도까지 온도제어의 범위가 넓어질 수 있다. 상술한 실시예에 있어서, 균일한 분배를 달성하도록 온도가 제어되지만, 의도적으로 목표된 온도에서 작업물의 여러 영역을 폴리싱하는 것도 가능하다.
상술한 실시형태에 있어서, 폴리싱 테이블은 턴테이블의 표면 판 상에 장착된 연마포를 구비한다. 하지만, 폴리싱 도구로써 표면 판 상에 장착된 회전숫돌(grindstone)을 구비하는 턴테이블을 사용하는 것도 가능하다. 회전숫돌은 변형에 대해 덜 민감하여 고편평도의 폴리싱된 면을 제공할 수 있다. 이 경우에 있어서, 회전숫돌은 열전도성이 높은 물질로 만들어질 수 있어, 폴리싱 테이블의 온도제어에 대해 높은 반응도를 제공할 수 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 액정표시장치의 제작공정에서 작업물에 편평한 거울면 폴리싱표면을 제공하는 폴리싱장치로서 유용하다.
Claims (23)
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더(holder)를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는, 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수 개의 온도조절영역 내에 각각 형성된 복수 개의 온도조절통로를 구비하며,또한 상기 폴리싱 장치에는, 상기 복수 개의 온도조절통로가 위치하는 각 위치의 온도를 측정하는 복수 개의 센서; 및상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 목표온도를 설정하고, 상기 목표온도와 상기 각 위치에서 측정된 온도를 비교하여 상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 온도를 제어가능한 온도조절유닛이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수 개의 온도조절영역 내에 각각 형성된 복수 개의 온도조절통로를 구비하며,상기 열 매개물 통로는, 상기 폴리싱 테이블의 중심과 외주 사이에 배치된 유체 입구포트로부터 연장하는 2개의 상기 온도조절 통로를 포함하고, 이중 하나의 통로는 상기 폴리싱 테이블의 중심까지 연장하고, 다른 통로는 상기 폴리싱 테이블의 외주까지 연장하고,또한 상기 폴리싱 장치에는, 상기 복수 개의 온도조절통로가 위치하는 각 위치의 온도를 측정하는 복수 개의 센서; 및상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 목표온도를 설정하고, 상기 목표온도와 상기 각 위치에서 측정된 온도를 비교하여 상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 온도를 제어가능한 온도조절유닛이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 유체 입구포트는, 폴리싱 동안 상기 작업물 홀더의 위치에 대응하는 방사상 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수 개의 온도조절영역 내에 각각 형성된 복수 개의 온도조절통로를 구비하며,또한 상기 폴리싱 장치에는, 상기 온도조절통로 내의 유체 유량을 개별적으로 제어하는 흐름조절밸브;상기 복수 개의 온도조절통로가 위치하는 각 위치의 온도를 측정하는 복수 개의 센서; 및상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 목표온도를 설정하고, 상기 목표온도와 상기 각 위치에서 측정된 온도를 비교하여 상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 온도를 제어가능한 온도조절유닛이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치
- 삭제
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수 개의 온도조절영역 내에 각각 형성된 복수 개의 온도조절통로를 구비하며,또한 상기 폴리싱 장치에는, 상기 표면영역의 여러 위치의 온도를 측정하는 센서수단; 상기 온도조절통로내를 흐르는 열 매개물의 개별 유량을 제어하는 흐름제어수단;상기 복수 개의 온도조절통로가 위치하는 각 위치의 온도를 측정하는 복수 개의 센서; 및상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 목표온도를 설정하고, 상기 목표온도와 상기 각 위치에서 측정된 온도를 비교하여 상기 복수 개의 온도조절통로의 각각의 온도를 제어가능한 온도조절유닛이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치
- 폴리싱 테이블, 및 작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수개의 온도조절영역내에 각각 형성된 복수개의 온도조절통로를 구비하며,또한, 최소한 상기 폴리싱 테이블의 표면영역은 열전도성이 높은 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 열전도성이 높은 물질은 0.06 cal/cm/s/℃보다 높은 열전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 열전도성이 높은 물질은 SiC를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 삭제
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블을 향해 압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,최소한 상기 폴리싱 테이블의 표면영역은 열전도성이 높은 물질로 만들어지며, 상기 열전도성이 높은 물질은 0.06 cal/cm/s/℃보다 높은 열전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 폴리싱 테이블; 및작업물을 상기 폴리싱 테이블을 향해 압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,최소한 상기 폴리싱 테이블의 표면영역은 열전도성이 높은 물질로 만들어지며, 상기 열전도성이 높은 물질은 SiC를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 삭제
- 표면에 폴리싱 섹션 또는 폴리싱 도구 부착섹션, 및 상기 표면을 따라 형성된 열 매개물 통로를 구비하는 폴리싱 테이블에 있어서,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 표면면적을 방사상으로 나누어 형성된 복수개의 온도조절영역내에 각각 마련된 복수개의 온도조절통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 중심과 외주 사이에 배치된 유체 입구포트로부터 연장하는 2개의 상기 온도조절통로를 구비하고, 이 중 하나의 통로는 상기 폴리싱 테이블의 중심까지 연장하며, 다른 통로는 상기 폴리싱 테이블의 외주까지 연장하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 14항에 있어서,상기 유체 입구포트는 폴리싱동안 상기 작업물 홀더의 위치에 대응하는 방사상 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 장치에 상기 온도조절통로내의 유량을 개별적으로 제어하는 흐름조절밸브가 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 14항에 있어서,상기 장치에 상기 온도조절통로에 공급되는 열 매개물의 온도를 개별적으로 제어하는 온도조절수단이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 14항에 있어서,상기 장치에 상기 표면 영역의 여러 위치의 온도를 측정하는 센서수단, 및 상기 센서수단의 출력에 따라 상기 온도조절통로내를 흐르는 열 매개물의 개별 유량을 제어하는 흐름제어수단이 마련되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 14항에 있어서,최소한 상기 폴리싱 테이블의 표면영역은 열전도성이 높은 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 19항에 있어서,상기 열전도성이 높은 물질은 0.06 cal/cm/s/℃보다 높은 열전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 제 19항에 있어서,상기 열전도성이 높은 물질은 SiC를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 테이블.
- 폴리싱 테이블, 및 작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 상기 폴리싱 테이블의 중심과 외주 사이의 중간에 배치된 유체 입구포트를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
- 폴리싱 테이블, 및 작업물을 상기 폴리싱 테이블에 대해 고정·압착시키는 작업물 홀더를 포함하여 이루어지는 폴리싱 장치로서,상기 폴리싱 테이블은, 폴리싱 섹션 또는 폴리싱도구 부착섹션을 상기 폴리싱 테이블의 표면에 구비하고, 상기 표면을 따라 형성되는 열 매개물 통로를 구비하고,상기 열 매개물 통로는 세 개 이상의 상기 열 매개물의 입구 및 출구용 유체포트를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
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