CN115922534A - 一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 - Google Patents
一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115922534A CN115922534A CN202210873890.1A CN202210873890A CN115922534A CN 115922534 A CN115922534 A CN 115922534A CN 202210873890 A CN202210873890 A CN 202210873890A CN 115922534 A CN115922534 A CN 115922534A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- temperature
- turntable
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备,其中,抛光转台包括:旋转组件;抛光盘,其连接在所述旋转组件上,并用于在其上覆盖抛光垫;温度调整元件,其与所述抛光盘连接,用于调节所述抛光垫的温度;流体介质通道,其设置于所述温度调整元件的下方,以进行散热或供热。本发明利用温度调整元件对抛光垫进行温度调节,同时流体介质通道配合作业。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆的化学机械抛光技术领域,尤其涉及一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备。
背景技术
晶圆制造是制约超/极大规模集成电路(即芯片,IC,Integrated Circuit)产业发展的关键环节。随着摩尔定律的延续,集成电路特征尺寸持续微缩逼近理论极限,晶圆表面质量要求愈加苛刻,因而晶圆制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。化学机械抛光是晶圆制造工艺中非常重要的一个环节。抛光过程是利用承载头将晶圆压于抛光垫表面,依靠晶圆和抛光垫之间的相对运动并借助抛光液中的磨粒实现晶圆表面抛光。
在抛光过程中,由于晶圆与抛光垫之间的摩擦以及微观切削作用,将会产生大量的热导致温度过高。然而对于化学机械抛光来说,抛光液中的化学成分与晶圆表面的化学作用需要在一定温度下进行,如果温度过高,化学作用过快,化学作用与机械去除作用失衡,会使晶圆加工质量受到很大影响。温度可以改变抛光去除速率,例如,温度高、抛光去除速率高,温度低、抛光去除速率低。随着集成电路制程的提高,温度对于抛光的作用日益凸显。因此,需要对化学机械抛光过程中的温度进行控制。
发明内容
本发明实施例提供了一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例的第一方面提供了一种具有温度调节功能的抛光转台,包括:
旋转组件;
抛光盘,其连接在所述旋转组件上,并用于在其上覆盖抛光垫;
温度调整元件,其与所述抛光盘连接,用于调节所述抛光垫的温度;
流体介质通道,其设置于所述温度调整元件的下方,以进行散热或供热。
在一个实施例中,所述温度调整元件为珀尔帖元件;
当所述珀尔帖元件的靠近抛光垫的一端作为放热端向抛光垫放热时,所述流体介质通道向珀尔帖元件的远离抛光垫的吸热端供热;当所述珀尔帖元件的靠近抛光垫的一端作为吸热端从抛光垫吸热时,所述流体介质通道对珀尔帖元件的远离抛光垫的放热端进行散热。
在一个实施例中,所述珀尔帖元件设有多个,排列成阵列,以对抛光垫的不同区域进行不同温度调节,并可以独立控制各区域的温度。
在一个实施例中,多个所述珀尔帖元件按照环形排布,以使抛光垫在半径方向上形成至少两个具有不同温度的环形区域;和/或,
多个所述珀尔帖元件按照扇形排布,以使抛光垫在圆周方向上形成至少两个具有不同温度的扇形区域;和/或,
所述珀尔帖元件沿径向和周向分为多个弓形进行排布。
在一个实施例中,所述抛光盘包括下盘,所述下盘位于所述温度调整元件下方,所述下盘的内部设有所述流体介质通道。
在一个实施例中,所述流体介质通道在所述下盘的内部延伸,所述流体介质通道通过贯穿所述下盘下表面的流入孔和流出孔与管路连通,所述管路穿过所述旋转组件的中空腔室与旋转接头连接,所述管路通过旋转接头连通流体源。
在一个实施例中,所述抛光盘还包括盖在所述下盘上方的上盘,所述温度调整元件夹在所述上盘和所述下盘之间。
在一个实施例中,所述抛光盘包括上盘,所述上盘位于所述温度调整元件上方,所述上盘的下方设有散流盘以提供所述流体介质通道。
在一个实施例中,所述散流盘包括位于其内部的通道、连通通道与上表面的出口、连通通道与下表面的入口以及与所述通道间隔设置的连通其上、下表面的联通孔,流体经入口进入通道并从出口向上排出至散流盘上方的空间,然后流体经联通孔向下排出从而实现循环。
在一个实施例中,所述上盘包括用于承载抛光垫的盘面和从盘面的周侧向下延伸的周壁。
在一个实施例中,所述旋转组件包括转轴、轴承、电机和旋转接头,转轴通过轴承固定在基座上实现支撑以及旋转的功能,转轴还与电机连接,转轴下端连接旋转接头。
本发明实施例的第二方面提供了一种化学机械抛光设备,包括:
如上所述的具有温度调节功能的抛光转台;
承载头,用于吸附晶圆并将晶圆按压在抛光垫上进行旋转;
供液部,用于向抛光垫表面提供抛光液;
修整器,用于对抛光垫表面进行修整。
本发明实施例的有益效果包括:利用温度调整元件对抛光垫进行温度调节,同时流体介质通道配合其作业,调节精度高、响应速度快,能够满足先进工艺对调节速度和调节精度的要求。
附图说明
通过结合以下附图所作的详细描述,本发明的优点将变得更清楚和更容易理解,但这些附图只是示意性的,并不限制本发明的保护范围,其中:
图1为本发明一实施例提供的化学机械抛光设备的结构示意图;
图2为实施例一提供的抛光转台的结构示意图;
图3至图5示出了珀尔帖元件的多种设置方式;
图6为实施例二提供的抛光转台的结构示意图;
图7为实施例三提供的抛光转台的结构示意图;
图8为本发明一实施例提供的散流盘的立体图;
图9为图8中散流盘的剖视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例及其附图,对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式,用于说明本发明的构思;这些说明均是解释性和示例性的,不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是,除非特别予以说明,为了便于理解,以下对本发明具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
此外,还需要说明的是,本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明,用以帮助对相对位置或方向的理解,并非旨在限制任何装置或结构的取向。
为了说明本发明所述的技术方案,下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
在本申请中,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization),晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate),其含义和实际作用等同。
如图1所示,本发明一实施例提供的化学机械抛光设备1包括抛光转台10、粘接在抛光转台10上的抛光垫20、吸附晶圆并带动晶圆旋转的承载头30、修整抛光垫20的修整器40、以及向抛光垫20表面提供抛光液的供液部50。
在抛光开始前,机械手将晶圆搬运至存片部处,承载头30从存片部装载晶圆后沿抛光转台10的径向移动至抛光转台10的上方。在化学机械抛光过程中,承载头30将晶圆按压在抛光转台10表面覆盖的抛光垫20上,抛光垫20的尺寸大于待抛光的晶圆的尺寸,例如为晶圆尺寸的1.2倍或更大,由此保证均匀地对晶圆进行抛光。承载头30做旋转运动以及沿抛光转台10的径向往复移动使得与抛光垫20接触的晶圆表面被逐渐抛除,同时抛光转台10旋转,供液部50向抛光垫20表面喷洒抛光液。在抛光液的化学作用下,通过承载头30与抛光转台10的相对运动使晶圆与抛光垫20摩擦以进行抛光。由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶圆与抛光垫20之间流动,抛光液在抛光垫20的传输和旋转离心力的作用下均匀分布,以在晶圆和抛光垫20之间形成一层液体薄膜,液体中的化学成分与晶圆产生化学反应,将不溶物质转化为易溶物质,然后通过磨粒的微机械摩擦将这些化学反应物从晶圆表面去除,溶入流动的液体中带走,即在化学成膜和机械去膜的交替过程中去除表面材料实现表面平坦化处理,从而达到全局平坦化的目的。在抛光期间,修整器40用于对抛光垫20表面形貌进行修整和活化。使用修整器40可以移除残留在抛光垫20表面的杂质颗粒,例如抛光液中的研磨颗粒以及从晶圆表面脱落的废料等,还可以将由于研磨导致的抛光垫20表面形变进行平整化,保证了在抛光期间抛光垫20表面形貌的一致性,进而使抛光去除速率保持稳定。在抛光完成后,承载头30吸附晶圆以将其放置在存片部上,机械手从存片部取得晶圆后将晶圆运送至后处理单元。
在抛光过程中,抛光垫20表面的温度变化会导致晶圆去除速率、抛光均匀性等抛光性能参数发生变化。因此,如图2、图6、图7所示,本发明实施例提供了一种具有温度调节功能的抛光转台10,用于在化学机械抛光时调节抛光垫20和/或抛光液的温度,包括:
旋转组件14,用于实现抛光转台10绕竖向的中轴线旋转。
抛光盘11,其连接在旋转组件14上,并用于在其上覆盖抛光垫20;抛光盘11承受抛光时的下压力,并旋转。
温度调整元件,其与抛光盘11连接,用于调节抛光垫20的温度;温度调整元件可以有多种实现方式,例如,电阻加热元件、红外加热元件、电磁加热元件、微波加热元件、热交换元件或珀尔帖元件12。
流体介质通道13,其设置于温度调整元件的下方,以进行散热或供热。流体介质通道13内通入流体,流体可以是恒温的,例如20℃~25℃。
本发明实施例利用温度调整元件调节抛光垫20表面的温度,调节精度高、响应速度快,能够满足先进工艺对调节速度和调节精度的要求,另外,利用流体介质通道13进行散热或供热,实现热量平稳过渡,避免温度调整元件下方的部件温度过高或过低,影响使用寿命。
如图2所示,在本发明的一个实施例中,温度调整元件为珀尔帖元件12。珀尔帖元件12冷却效果好,降温范围大,可以把温度降至室温以下,响应快、精度高。珀尔帖元件12具有更快的响应速度、更高的温度稳定性,具有精确温控以及高可靠性的优点。
珀尔帖元件12基于珀尔帖效应(Peltier Effect),其工作原理是当有电流通过时珀尔帖元件12会发生一端吸热另一端放热的现象,并且,随着电流方向的不同珀尔帖元件12的吸热端和放热端会互换。可以理解地是,珀尔帖元件12仅仅是热量转移的中介,其自身既不能发热也不能制冷,只是将热量从一端转移至另一端。因此,作为珀尔帖元件12的热量来源应当保持温度稳定以持续提供热量或吸走热量。
举例来说,当珀尔帖元件12靠近抛光垫20的一端向抛光垫20放热,即对抛光垫20进行加热使抛光垫20升温时,珀尔帖元件12的另一端就需要吸热,与珀尔帖元件12的吸热端接触的物质会发生温度降低,如果温度过低,吸热端就很难继续吸热了,需要保证该物质温度基本稳定,所以,本发明实施例设置了流体介质通道13,此时,流体介质通道13向珀尔帖元件12的吸热端供热。
同理,当珀尔帖元件12靠近抛光垫20的一端从抛光垫20吸热,即对抛光垫20进行冷却时,珀尔帖元件12的另一端放热,与珀尔帖元件12的放热端接触的物质温度升高,为了避免温度过高,此时,流体介质通道13可对珀尔帖元件12的放热端进行散热。
下面介绍抛光转台10的几种实现方式。
实施例一
如图2所示,一种具有温度调节功能的抛光转台10包括抛光盘11以及安装在抛光盘11下方的旋转组件14,旋转组件14用于带动抛光盘11绕竖向中轴线旋转。
如图2所示,抛光盘11包括上盘111和下盘114,上盘111盖在下盘114上方,上盘111上方覆盖有抛光垫20。在上盘111和下盘114之间设置有温度调整元件,温度调整元件与上盘111接触,温度调整元件可以固定在上盘111的下表面,也可以固定在下盘114的上表面。
在一个实施例中,上盘111可以由高导热率材料制成,以更好地将热量传递至抛光垫20。高导热率材料可以是金属材料或陶瓷材料,例如不锈钢、碳化硅、氮化硅或氮化铝等。另外,上盘111的厚度可以为5~15mm。
如图2所示,下盘114的内部设置有流体介质通道13,流体介质通道13内通入温度基本恒定的流体,以保证下盘114的温度保持稳定,避免因过热影响寿命或过冷无法提供热量。
在一个实施例中,下盘114的内部设有中空层115,其中通入流体形成流体介质通道13。下盘114的中空层115从靠近中心的位置沿半径方向向外延伸至边缘形成环形的中空区域,且其边缘封闭。另外,下盘114还设有流入孔116和流出孔117,流入孔116和流出孔117从中空层115向下延伸至贯穿下盘114的下表面,通过流入孔116和流出孔117向中空层115内通入和排出流体,实现流体循环。进一步,流入孔116和流出孔117分别连接管路,管路位于旋转组件14的中空腔室并穿过该中空腔室与旋转组件14下方的旋转接头144连接,旋转接头144连接外部的流体源。这里所说的流体可以是水、油、空气等。
可以理解的是,流体介质通道为具有一定形状的流道,可以有多种实现方式,图2中只是一示例,不限于此。流体介质通道还可以设置成盘旋形的流道、辐射状的多条流道、网格状的多条流道等等,只要满足能够通入流体并能流动的流体介质通道,均落入本申请的保护范围之内。
如图2所示,旋转组件14包括转轴141、轴承142、电机143和旋转接头144,下盘114固定在转轴141上,转轴141通过轴承142固定在基座145上实现支撑以及旋转的功能,转轴141还与电机143连接,转轴141下端连接旋转接头144,转轴141内部形成中空腔室,该中空腔室的底端开口耦接旋转接头144的上端。
另外,转轴141的中空腔室内设有温度控制器16,温度控制器16与温度调整元件连接,控制温度调整元件的工作模式,即吸热或放热。温度控制器16还通过旋转接头144与外部的主控制器连接。
如图3至图5所示,在本发明的一个实施例中,珀尔帖元件12设有多个,排列成阵列,以对抛光垫20的不同区域进行不同温度调节,每一个珀尔帖元件12可以由温度控制器16单独控制,从而可以独立控制各区域的温度,快速升温或降温,以维持所需温度。例如,降低第一区域的温度可以降低在该第一区域的抛光垫20对晶圆的抛光速率,升高第二区域的温度可以提高在该第二区域的抛光垫20对晶圆的抛光速率,通过降低和/或提高在不同区域处的抛光速率来创建非均匀抛光轮廓。非均匀抛光轮廓可用于解决和补偿晶圆原始轮廓的非均匀性。
如图3a所示,在一个实施例中,多个珀尔帖元件12按照环形排布,每一个珀尔帖元件12为环形,可单独控制吸热或放热,以使抛光垫20在半径方向上形成至少两个具有不同温度的环形区域。图3中按照环形设置的珀尔帖元件12,可以使抛光垫20形成两个或两个以上的具有可独立控制的温度的环形区域。举例来说,可存在多个温度环形区域,其中每个环形区域可逐渐地比下一个区更冷或更热,例如,最外面的环形区域最冷,最里面的环形区域最热,且中间的每个环形区域从外向内逐渐变热。
如图3b所示,在一个实施例中,仅在部分区域设置环形的珀尔帖元件12,例如边缘区域,仅调节该部分区域的温度。
如图4a所示,在一个实施例中,多个珀尔帖元件12按照扇形排布,每一个珀尔帖元件12为扇形,可单独控制吸热或放热,以使抛光垫20在圆周方向上形成至少两个具有不同温度的扇形区域,调节各个扇形区域的温度。
如图4b所示,在一个实施例中,仅在部分区域设置扇形的珀尔帖元件12,仅调节该部分区域的温度。
如图5a所示,在一个实施例中,珀尔帖元件12可以沿径向和周向分为许多个弓形进行排布,可单独控制每一个弓形的珀尔帖元件12的吸热或放热,以使抛光垫20形成许多个具有不同温度的小区域,以适用于不同的抛光工艺。
如图5b所示,在一个实施例中,仅在部分区域设置弓形的珀尔帖元件12,仅调节该部分区域的温度。
进一步,如图2所示,在本发明的一个实施例中,抛光转台10还设置有温度传感器17,以监测抛光转台10中的温度或与抛光转台10相关的部分的温度,例如,抛光垫20和/或抛光垫20上的浆料的温度。具体地,温度传感器17可以是红外传感器或热电偶传感器,定位在抛光垫20上方且经配置为测量抛光垫20和/或抛光垫20上的浆料的温度。具体来说,温度传感器17还可经配置为沿着抛光垫20的半径在多个点处测量温度,以便生成径向温度分布。温度传感器17将监测到的温度上传给主控制器,主控制器对该温度和目标温度进行比较并生成加热/冷却控制信号传送至温度控制器16,以使温度控制器16控制不同的珀尔帖元件12执行放热或吸热。
本实施例的工作原理为:当珀尔帖元件12的上表面放热、下表面吸热时,需要下盘114将热量传导给珀尔帖元件12,流体介质通道13内的流体通过维持下盘114的温度向珀尔帖元件12供热;当珀尔帖元件12的上表面吸热、下表面放热时,热量传导给下盘114,流体通过冷却下盘114给珀尔帖元件12散热。
实施例二
如图6所示,抛光转台10中的抛光盘11仅包括下盘114,珀尔帖元件12固定在下盘114的上表面,抛光垫20直接安装在珀尔帖元件12上。实施例二中去掉了上盘111,可减少组成部件。
本实施例中,下盘114的内部也设置有流体介质通道13,抛光转台10也可设置温度传感器17,具体技术方案与实施例一中介绍的技术方案类似,在此不再赘述。本实施例中,旋转组件14、珀尔帖元件12的组成结构、布置方式也可与实施例一中介绍的技术方案类似,在此不再赘述。
实施例三
如图7所示,抛光转台10包括抛光盘11以及安装在抛光盘11下方的旋转组件14。
抛光盘11包括上盘111,上盘111的上表面用于粘接抛光垫20。上盘111位于温度调整元件上方,温度调整元件固定在上盘111的下表面。进一步,上盘111为C形,包括用于承载抛光垫20的盘面112和从盘面112的周侧向下延伸的周壁113。珀尔帖元件12固定在盘面112的下表面。上盘111倒扣在旋转组件14上,上盘111的周壁113底端与旋转组件14的转轴141上表面连接。本实施例中,上盘111设置为C形,从而在其下部形成了一容纳空间,可在其中布置其他零部件。
如图7所示,上盘111下方设有散流盘15以提供流体介质通道13。散流盘15固定在转轴141上。
如图8和图9所示,散流盘15包括位于其内部的通道151、连通通道151与散流盘15上表面的出口152、连通通道151与散流盘15下表面的入口153以及与通道151间隔设置的连通散流盘15的上、下表面的联通孔154,流体经入口153进入通道151并从出口152向上排出至散流盘15上方的空间,然后流体经联通孔154向下排出从而实现循环。具体地,多个出口152分布在散流盘15的上表面,朝向珀尔帖元件12。联通孔154可以联通散流盘15的上下空间。
如图9所示,散流盘15内部的通道151位于散流盘15的中间层,通道151包括位于中心区域的中心部以及从中心部沿径向延伸的多个分支部,中心部可以为圆形,分支部可以为扇形,多个分支部沿周向间隔均匀分布。通道151上方设有均匀分布的多组出口152,以便于通道151内的流体经多组出口152均匀地向外喷出,实现均匀地散热或供热。通道151的中心部的下方设有入口153,入口153用于向通道151内流入流体,入口153通过流体管路连接至旋转接头144,旋转接头144连接外部的流体源。
如图8和图9所示,散流盘15还设置有联通孔154,联通孔154贯穿散流盘15的上、下表面。联通孔154可以为扇形,并与通道151的分支部间隔分布。联通孔154可以有多个,沿周向均匀分布。
本实施例中,通道151和联通孔154都设置成均匀分布,可以实现流体场的均匀分布,避免发生温度分布不均匀而影响温度调节的效果。
如图7所示,散流盘15的工作原理为:流体源提供流体经旋转接头144、流体管路流向入口153,流体经过入口153进入通道151内,而后从出口152向上排出至散流盘15上方的空间,从而对位于上方的珀尔帖元件12进行散热或供热,然后流体经联通孔154向下排出,通过转轴141的中空腔室流出,以上过程实现了流体的循环。
如图7所示,可以理解的是,抛光转台10包括旋转组件14和珀尔帖元件12,还可设置温度传感器17,其组成结构、位置布局均可与实施例一中介绍的技术方案类似,在此不再赘述。
实施例四
本实施例的方案与实施例三类似,只是将温度调整元件设置在上盘111上方。温度调整元件的上方直接设置抛光垫20。
本实施例中,上盘111、散流盘15、旋转组件14、珀尔帖元件12以及温度传感器17的组成结构、位置布局均可与实施例三中介绍的技术方案类似,在此不再赘述。
本说明书的附图为示意图,辅助说明本发明的构思,示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是,为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构,各附图之间并未按照相同的比例绘制,相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (12)
1.一种具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,包括:
旋转组件;
抛光盘,其连接在所述旋转组件上,并用于在其上覆盖抛光垫;
温度调整元件,其与所述抛光盘连接,用于调节所述抛光垫的温度;
流体介质通道,其设置于所述温度调整元件的下方,以进行散热或供热。
2.如权利要求1所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述温度调整元件为珀尔帖元件;
当所述珀尔帖元件的靠近抛光垫的一端作为放热端向抛光垫放热时,所述流体介质通道向珀尔帖元件的远离抛光垫的吸热端供热;当所述珀尔帖元件的靠近抛光垫的一端作为吸热端从抛光垫吸热时,所述流体介质通道对珀尔帖元件的远离抛光垫的放热端进行散热。
3.如权利要求2所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述珀尔帖元件设有多个,排列成阵列,以对抛光垫的不同区域进行不同温度调节,并可以独立控制各区域的温度。
4.如权利要求3所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,多个所述珀尔帖元件按照环形排布,以使抛光垫在半径方向上形成至少两个具有不同温度的环形区域;和/或,
多个所述珀尔帖元件按照扇形排布,以使抛光垫在圆周方向上形成至少两个具有不同温度的扇形区域;和/或,
所述珀尔帖元件沿径向和周向分为多个弓形进行排布。
5.如权利要求1所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述抛光盘包括下盘,所述下盘位于所述温度调整元件下方,所述下盘的内部设有所述流体介质通道。
6.如权利要求5所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述流体介质通道在所述下盘的内部延伸,所述流体介质通道通过贯穿所述下盘下表面的流入孔和流出孔与管路连通,所述管路穿过所述旋转组件的中空腔室与旋转接头连接,所述管路通过旋转接头连通流体源。
7.如权利要求6所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述抛光盘还包括盖在所述下盘上方的上盘,所述温度调整元件夹在所述上盘和所述下盘之间。
8.如权利要求1所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述抛光盘包括上盘,所述上盘位于所述温度调整元件上方,所述上盘的下方设有散流盘以提供所述流体介质通道。
9.如权利要求8所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述散流盘包括位于其内部的通道、连通通道与上表面的出口、连通通道与下表面的入口以及与所述通道间隔设置的连通其上、下表面的联通孔,流体经入口进入通道并从出口向上排出至散流盘上方的空间,然后流体经联通孔向下排出从而实现循环。
10.如权利要求9所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述上盘包括用于承载抛光垫的盘面和从盘面的周侧向下延伸的周壁。
11.如权利要求1至10任一项所述的具有温度调节功能的抛光转台,其特征在于,所述旋转组件包括转轴、轴承、电机和旋转接头,转轴通过轴承固定在基座上实现支撑以及旋转的功能,转轴还与电机连接,转轴下端连接旋转接头。
12.一种化学机械抛光设备,其特征在于,包括:
如权利要求1至11任一项所述的具有温度调节功能的抛光转台;
承载头,用于吸附晶圆并将晶圆按压在抛光垫上进行旋转;
供液部,用于向抛光垫表面提供抛光液;
修整器,用于对抛光垫表面进行修整。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210873890.1A CN115922534A (zh) | 2022-07-25 | 2022-07-25 | 一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210873890.1A CN115922534A (zh) | 2022-07-25 | 2022-07-25 | 一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115922534A true CN115922534A (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=86699406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210873890.1A Pending CN115922534A (zh) | 2022-07-25 | 2022-07-25 | 一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115922534A (zh) |
-
2022
- 2022-07-25 CN CN202210873890.1A patent/CN115922534A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8292694B2 (en) | Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method | |
US6264789B1 (en) | System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer | |
US7837534B2 (en) | Apparatus for heating or cooling a polishing surface of a polishing apparatus | |
US7169014B2 (en) | Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces | |
KR101678081B1 (ko) | 기판폴리싱장치, 기판폴리싱방법, 및 폴리싱장치에 사용되는 폴리싱패드의 폴리싱면의 온도를 조절하기 위한 장치 | |
US8591286B2 (en) | Apparatus and method for temperature control during polishing | |
US7156720B2 (en) | Substrate holding apparatus | |
WO1999038651A1 (en) | Polishing apparatus and polishing table therefor | |
US10807213B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method | |
CN112405333B (zh) | 一种化学机械抛光装置和抛光方法 | |
US20240157504A1 (en) | Apparatus and method for cmp temperature control | |
US20070123154A1 (en) | Polishing apparatus | |
US6132295A (en) | Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface | |
JPH02199832A (ja) | ウエーハ研磨装置 | |
CN115922534A (zh) | 一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备 | |
JP2000015561A (ja) | 研磨装置 | |
TWI709455B (zh) | 半導體製程方法 | |
US20190287866A1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus containing hydraulic multi-chamber bladder and method of using thereof | |
KR20180127137A (ko) | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 | |
CN113070812A (zh) | 可调温的抛光液输送装置和化学机械抛光设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |