KR101937576B1 - 웨이퍼의 양면 연마 장치 - Google Patents

웨이퍼의 양면 연마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101937576B1
KR101937576B1 KR1020170096009A KR20170096009A KR101937576B1 KR 101937576 B1 KR101937576 B1 KR 101937576B1 KR 1020170096009 A KR1020170096009 A KR 1020170096009A KR 20170096009 A KR20170096009 A KR 20170096009A KR 101937576 B1 KR101937576 B1 KR 101937576B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling water
inlet
flow path
water inlet
wafer
Prior art date
Application number
KR1020170096009A
Other languages
English (en)
Inventor
전소영
오현정
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이실트론 주식회사 filed Critical 에스케이실트론 주식회사
Priority to KR1020170096009A priority Critical patent/KR101937576B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101937576B1 publication Critical patent/KR101937576B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B24B55/03Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant designed as a complete equipment for feeding or clarifying coolant

Abstract

본 발명은 냉각수의 입/출구 위치를 변경함에 따라 연마 공정 중 정반의 온도 분포를 균일하게 제공할 수 있는 웨이퍼의 양면 연마 장치에 관한 것이다.
본 발명은 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼의 상/하면을 연마시키는 링판 형상의 상/하정반; 상기 하정반의 내/외주 측에 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼가 장착된 캐리어의 기어치와 맞물려 상기 캐리어를 상기 상/하정반 사이에서 원주 방향으로 회전 이동시키는 내/외부 기어; 상기 상/하정반 중 하나의 내측에 형성되고, 냉각수가 순환되는 냉각수 유로;를 포함하고, 상기 웨이퍼가 집중적으로 연마되는 영역인 상기 정반들의 중간부에 상기 냉각수 유로와 연통되는 냉각수 입구가 구비되고, 상기 정반들의 내/외주부에 상기 냉각수 유로와 연통되는 냉각수 출구가 구비되는 웨이퍼의 양면 연마 장치를 제공한다.

Description

웨이퍼의 양면 연마 장치 {DOUBLE SIDE POLISHING APPARATUS FOR WAFER}
본 발명은 냉각수의 입/출구 위치를 변경함에 따라 연마 공정 중 정반의 온도 분포를 균일하게 제공할 수 있는 웨이퍼의 양면 연마 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.
이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.
그런데, 웨이퍼의 상/하면을 동시에 연마시키는 양면 연마 공정(Double Side Polishing : DSP)이 많이 적용되는데, 이러한 양면 연마 공정에 사용되는 DSP 장비는 슬러리(slurry)를 연마제로 사용하여 정반 가압 하에 연마 패드(pad)와 웨이퍼의 마찰을 통하여 연마를 수행하도록 구성된다.
따라서, DSP 장비는 웨이퍼 가공을 진행할수록 정반에 부착된 패드와 마찰됨에 따라 마찰열이 발생되고, 이러한 마찰열을 냉각수로 식혀주기 위하여 정반 내부에 냉각수 유로가 적용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반의 마찰열 온도 분포가 도시된 그래프이다.
종래의 DSP 장비는 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼 가공을 진행할수록 웨이퍼가 정반의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부(1a) 측 연마패드와 상대적으로 더 많이 마찰하기 때문에 정반의 내/외주부(1b,1c) 온도에 비해서 정반의 중간부(1a) 온도가 더 높게 나타난다.
도 2는 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반 내부의 냉각수 온도 분포가 도시된 그래프이다.
종래의 DSP 장비는 도 2에 도시된 바와 같이 정반 내부에 냉각수를 유동시키는 냉각수 유로가 적용되는데, 정반의 내주부 측에 냉각수 입구(In) 및 냉각수 출구(Out)가 구비되고, 이러한 냉각수 입구(In)와 냉각수 출구(Out) 사이를 구획하는 동시에 외주부 측에서 서로 연통될 수 있도록 반경 방향으로 길게 격벽(2a)이 설치된다.
따라서, 냉각수는 상기 냉각수 입구(In)로 유입되면, 상기 격벽(2a)을 기준으로 일측 반경 방향을 따라 정반의 내주부에서 외주부까지 이동되고, 상기 격벽(2a)의 끝단을 지나서 상기 격벽(2a)을 기준으로 타측 반경 방향을 따라 정반의 외주부에서 내주부까지 이동된 다음, 상기 냉각수 출구(Out)로 빠져나간다.
도 3은 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 마찰과 냉각에 의한 정반의 최종 온도 분포가 도시된 그래프이다.
종래의 DSP 장비는 웨이퍼 가공 중에 마찰열이 발생하는 동시에 냉각 작용이 이뤄지기 때문에 도 3에 도시된 바와 같이 마찰열에 의한 온도 분포에 비해 정반의 최종 온도 분포가 전체적으로 떨어지지만, 여전히 정반의 중간부(1a) 온도가 정반의 내/외주부(1b,1c) 온도보다 상대적으로 높게 나타난다.
도 4는 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반 내부의 냉각수 유속 변화에 따라 정반의 최종 온도 분포가 도시된 그래프이다.
종래 기술에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼 가공 중 정반 내부에 냉각수 유속을 4lmp, 8lmp, 16lmp 로 증가시키더라도 정반의 최종 온도 분포가 전체적으로 떨어지지만, 여전히 정반의 중간부 온도가 정반의 내/외주부 온도보다 상대적으로 높게 나타난다.
물론, 냉각수의 유속 이외에도 냉각수의 온도를 조절할 수 있지만, 정반의 반경 방향으로 나타나는 온도 편차를 줄이기 어렵다.
상기와 같이, 종래 기술에 따른 DSP 장비는, 정반의 내주부 측에 냉각수 입/출구가 구비되기 때문에 웨이퍼의 가공 중 상대적으로 마찰열이 많이 발생되는 정반의 중간부를 효과적으로 냉각시켜줄 수 없고, 이로 인하여 정반의 반경 방향 온도 편차가 커지게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 냉각수의 입/출구 위치를 변경함에 따라 연마 공정 중 정반의 온도 분포를 균일하게 제공할 수 있는 웨이퍼의 양면 연마 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼의 상/하면을 연마시키는 링판 형상의 상/하정반; 상기 하정반의 내/외주 측에 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼가 장착된 캐리어의 기어치와 맞물려 상기 캐리어를 상기 상/하정반 사이에서 원주 방향으로 회전 이동시키는 내/외부 기어; 상기 상/하정반 중 하나의 내측에 형성되고, 냉각수가 순환되는 냉각수 유로;를 포함하고, 상기 웨이퍼가 집중적으로 연마되는 영역인 상기 정반들의 중간부에 상기 냉각수 유로와 연통되는 냉각수 입구가 구비되고, 상기 정반들의 내/외주부에 상기 냉각수 유로와 연통되는 냉각수 출구가 구비되는 웨이퍼의 양면 연마 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치는 정반의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부에 냉각수 입구가 구비되는 동시에 정반의 내/외주부에 냉각수 출구가 구비된 냉각수 유로를 정반의 내측에 적용함으로서, 웨이퍼의 가공으로 인하여 상대적으로 온도가 높은 정반의 중간부를 낮은 온도의 냉각수로 냉각시킬 수 있다.
따라서, 정반 내부로 유입되는 냉각수의 유속 및 온도를 가변시키지 않더라도 정반의 중간부를 효과적으로 냉각시킴으로써, 정반의 반경 방향으로 온도 편차를 해소할 뿐 아니라 정반의 온도 분포를 균일하게 제공할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반의 마찰열 온도 분포가 도시된 그래프.
도 2는 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반 내부의 냉각수 온도 분포가 도시된 그래프.
도 3은 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 마찰과 냉각에 의한 정반의 최종 온도 분포가 도시된 그래프.
도 4는 종래 기술에 따른 DSP가 웨이퍼 가공 중 정반 내부의 냉각수 유속 변화에 따라 정반의 최종 온도 분포가 도시된 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 DSP가 도시된 구성도.
도 6 내지 도 7은 본 발명에 따른 DSP에 적용된 냉각수 유로의 제1,2실시예가 도시된 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 DSP가 웨이퍼 가공을 반복할수록 정반 내부의 냉각수 유로에 유/출입되는 냉각수 온도가 도시된 그래프.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 DSP가 도시된 구성도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치는 도 5에 도시된 바와 같이 회전 및 승강 가능하게 설치된 상정반(110)과, 상기 상정반(110) 하측에 회전 가능하게 설치된 하정반(120)과, 상기 하정반(120)의 내주 측에 회전 가능하게 설치된 내주 기어(130)와, 상기 하정반(120)의 외주 측에 회전 가능하게 설치된 외주 기어(140)와, 상기 상정반(110)의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부 측으로 냉각수를 유입시켜 상기 상정반(110)의 내/외주부 측으로 냉각수를 유출시키는 냉각수 유로(미도시)를 포함하도록 구성된다.
상기 상정반(110)은 링 판 형상으로서, 회전 및 승강 가능하게 설치되고, 하면에 상부 연마패드(미도시)가 접착된다. 물론, 상기 상정반(110)은 폴리싱 공정 중 상부 연마패드와 웨이퍼 사이로 슬러리 또는 순수를 공급할 수 있는 구성이 내장된다.
상기 하정반(120)은 상기 상정반(110)과 같이 링 판 형상으로서, 회전 가능하게 설치되며, 상면에 하부 연마패드(미도시)가 접착된다.
상기 내주 기어(130)는 상기 하정반(120)의 내주단을 따라 기어치 형태로 배열되고, 상기 외주 기어(140)는 상기 하정반(120)의 외주단을 따라 기어치 형태로 배열되며, 상기 내/외주 기어(130,140)는 각각 회전 가능하게 설치된다.
또한, 원판 형태의 캐리어(미도시)는 웨이퍼가 안착되는 홀들이 구비되고, 상기 내/외주 기어(130,140)와 맞물릴 수 있도록 외둘레에 기어치가 구비된다.
따라서, 웨이퍼가 장착된 캐리어가 상기 하정반(120) 위에 올려진 상태에서 상기 내/외주 기어(130,140)와 맞물리면, 상기 상정반(110)이 하강함에 따라 상기 하정반(120)과 맞물리게 되고, 상기 상/하정반(110,120)이 서로 반대 방향으로 회전하는 동시에 상기 내/외주 기어(130,140)도 회전하면, 웨이퍼가 상기 상/하부 연마패드(미도시)와 맞닿은 상태에서 상기 상/하정반(110,120)의 원주 방향을 따라 이동되면서 폴리싱 공정이 진행된다.
물론, 웨이퍼의 가공 마찰열이 발생함에 따라 상기 상/하정반(110,120)의 온도가 높아지는데, 웨이퍼가 집중적으로 마찰되는 영역 즉, 상/하정반(110,120)의 중간부에서 온도가 가장 높게 나타나고, 이로 인하여 상/하정반(110,120)의 반경 방향으로 온도 편차가 더욱 커지게 된다.
상기 냉각수 유로(미도시)는 웨이퍼의 가공 중 생성되는 마찰열을 냉각시키기 위하여 냉각수를 순환시킬 수 있도록 상기 상정반(110) 또는 하정반(120) 내측에 형성되는데, 주로 상기 하정반(120) 내측에 형성된다.
실시예에서, 상기 냉각수 유로(미도시)는 상기 상정반(110)의 반경 방향으로 온도 편차를 해소하기 위하여 폴리싱 공정 중 온도가 가장 높게 나타나는 상정반(110)의 중간부로 냉각수를 유입시킨 다음, 온도가 상대적으로 낮게 나타나는 상정반(110)의 내/외주부로 냉각수를 유출시키도록 구성된다.
또한, 상기 냉각수 유로(미도시)는 냉각 효율을 높이기 위하여 냉각수가 순환하는 유로 길이가 길게 구성되는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명에 따른 DSP에 적용된 냉각수 유로의 제1실시예가 도시된 평면도이다.
본 발명에 따른 냉각수 유로의 제1실시예는 도 6에 도시된 바와 같이 링판 형상의 정반(151) 내부에 형성되는데, 상기 정반(151)의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부에 구비된 냉각수 입구(152)와, 상기 정반(151)의 내/외주부에 구비된 제1,2냉각수 출구(153a,153b)를 포함하고, 상기 냉각수 입구(152)에서 제1,2냉각수 출구(153a,153b)로 냉각수의 유동을 안내하도록 구성된다.
물론, 상기 정반(151)은 상정반 또는 하정반 중 하나가 될 수 있으며, 냉각수가 순환될 수 있도록 내/외주단이 막힌 형태로 구성된다.
상기 냉각수 입구(152)는 상기 정반(151)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치되는데, 상기에서 설명한 바와 같이 정반(151)의 내/외주부 사이에 위치된 중간부에 구비되는 것이 바람직하다.
상기 제1,2냉각수 출구(153a,153b)는 상기 냉각수 입구(152)와 동일한 개수만큼 상기 정반(151)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치되는데, 상기에서 설명한 바와 같이 정반(150)의 내/외주부 영역에 구비되는 것이 바람직하다.
상기 냉각수 유로(150)는 냉각 효율을 높이기 위하여 길게 형성하는 것이 바람직한데, 상기 정반(151)이 링 판 형상이기 때문에 내주 영역의 면적보다 외주 영역의 면적이 넓은 것을 고려하여 상기 냉각수 입구(152)와 상기 제1냉각수 출구(153a) 사이의 제1유로보다 상기 냉각수 입구(152)와 상기 제2냉각수(153b) 출구 사이의 제2유로가 더 길게 형성되는 것이 바람직하다.
상세하게, 상기 냉각수 유로(150)는 상기 제1,2유로를 형성하기 위하여 원주 방향으로 일정 간격을 두고 복수개가 설치된 직선 형태의 반경 방향 격벽(154)과, 반경 방향으로 소정 간격을 두고 설치된 링 형태의 제1,2원주 방향 격벽(155,156)이 구비된다.
이때, 상기 반경 방향 격벽(154)은 상기 냉각수 입구(152) 및 제1,2냉각수 출구(153a,153b)를 원주 방향으로 근접한 다른 냉각수 입구 및 제1,2냉각수 출구(153a,153b)와 각각 원주 방향으로 구획하도록 구비된다.
또한, 상기 제1,2원주 방향 격벽(155,156)은 상기 냉각수 입구(152)와 상기 제1,2냉각수 출구(153a,153b)를 각각 반경 방향으로 구획하도록 구비되는데, 별도로 냉각수가 흐를 수 있는 제1,2홀(155h,156h)이 구비된다.
상기와 같은 냉각수 유로(150)는 상기 제1유로를 상대적으로 짧게 구성하기 위하여, 상기 반경 방향 격벽(154)을 기준으로 상기 냉각수 입구(152)와 제1홀(155h)이 일측에 위치되는 반면, 상기 제1냉각수 출구(153a)가 타측에 위치된다.
또한, 상기 냉각수 유로(150)는 상기 제2유로를 상대적으로 길게 구성하기 위하여, 상기 반경 방향 격벽(154)을 기준으로 상기 냉각수 입구(152)와 제2냉각수 출구(153b)가 일측에 위치되는 반면, 상기 제2홀(156h)이 타측에 위치될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 DSP에 적용된 냉각수 유로의 제2실시예가 도시된 평면도이다.
본 발명에 따른 냉각수 유로의 제2실시예는 도 7에 도시된 바와 같이 링판 형상의 정반(161) 내부에 형성되는데, 상기 정반(161)의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부에 구비된 제1,2냉각수 입구(162a,162b)와, 상기 정반(161)의 내/외주부에 구비된 제1,2냉각수 출구(163a,163b)와, 상기 제1,2냉각수 입구(162a,162b)에서 제1,2냉각수 출구(163,163b)로 냉각수의 유동을 안내하도록 구성된다.
물론, 상기 정반(161)은 상정반 또는 하정반 중 하나가 될 수 있으며, 냉각수가 순환될 수 있도록 내/외주단이 막힌 형태로 구성된다.
상기 제1,2냉각수 입구(162a,162b)는 상기 본체(161)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치되는데, 상기에서 설명한 바와 같이 정반(161)의 내/외주부 사이에 위치된 중간부에 구비되는 것이 바람직하다.
다만, 상기 제1,2냉각수 입구(162a,162b)는 상대적으로 반경 방향을 기준으로 내/외측에 위치되도록 구성된다.
상기 제1,2냉각수 출구(163a,163b)는 상기 제1,2냉각수 입구(162a,162b)와 동일한 개수만큼 상기 본체(161)의 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치되는데, 상기에서 설명한 바와 같이 정반(161)의 내/외주부에 구비되는 것이 바람직하다.
상기 냉각수 유로(160)도 제1실시예에서 냉각수 유로와 마찬가지로 냉각 효율을 높이기 위하여 길게 형성하는데, 상기 정반(161)의 형상을 고려하여 상기 제1냉각수 입구(162a)와 제1냉각수 출구(163a) 사이의 제1유로보다 상기 제2냉각수 입구(162b)와 제2냉각수 출구(163b) 사이의 제2유로가 더 길게 형성되는 것이 바람직하다.
상세하게, 상기 냉각수 유로(160)는 직선 형태의 반경 방향 격벽(164)과, 링 형태의 제1,2,3원주 방향 격벽(165,166,167)이 구비되는데, 상기 반경 방향 격벽(164)과 제1,2원주 방향 격벽(165,166)은 제1실시예에서 냉각수 유로와 동일한 구성이기 때문에 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이때, 상기 제3원주 방향 격벽(167)은 상기 제1,2냉각수 입구(162a,162b)를 각각 반경 방향으로 구획하도록 구비되고, 별도의 홀이 구비되지 않는다.
상기와 같은 냉각수 유로(160)는 상기 제1유로를 상대적으로 짧게 구성하기 위하여, 상기 반경 방향 격벽(164)을 기준으로 상기 제1냉각수 입구(162a)와 제1냉각수 출구(163a)가 일측에 위치되는 반면, 상기 제1홀(165h)이 타측에 위치된다.
또한, 상기 냉각수 유로(160)는 상기 제2유로를 상대적으로 길게 구성하기 위하여, 상기 반경 방향 격벽(164)을 기준으로 상기 제2홀(166h)이 일측에 위치되는 반면, 상기 제2냉각수 입구(162b)와 제2냉각수 출구(163b)가 타측에 위치된다.
본 발명에 적용된 냉각수 유로의 제1,2실시예는 별도로 냉각수 입구들 및 냉각수 출구들에서 냉각수의 온도를 각각 측정하는 온도 센서(미도시)가 구비될 수 있고, 이러한 온도 센서에서 측정된 온도를 기준으로 냉각수 유로를 순환하기 전/후의 냉각수 온도 차이를 고려하여 냉각수 유로로 공급되는 냉각수의 온도 및 유량을 제어하는 냉각수 제어부(미도시)가 구비될 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 DSP가 웨이퍼 가공을 반복할수록 정반 내부의 냉각수 유로에 유/출입되는 냉각수 온도가 도시된 그래프이다.
본 발명에 따르면, 반복적으로 폴리싱 공정을 진행하더라도 마찰열이 가장 많이 발생하는 정반의 중간부 측으로 상대적으로 낮은 온도의 냉각수를 유입시킨 다음, 마찰열이 덜 발생하는 정반의 내/외주부 측으로 상대적으로 높은 온도의 냉각수를 유출시킬 수 있으며, 정반의 반경 방향으로 나타나는 온도 편차를 효과적으로 해소하여 정반의 온도 분포를 균일하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 도 8에 도시된 바와 같이 정반 내부의 냉각수 유로에 공급되는 냉각수의 온도는 20±1℃로 유지할 경우, 폴리싱 공정을 반복하여 진행하더라도 정반 내부의 냉각수 유로에서 유출되는 냉각수의 온도를 22±1℃로 유지하고, 상정반 내부의 온도를 21.5±1℃ 정도로 유지할 수 있다.
110 : 상정반 120 : 하정반
130 : 내주 기어 140 : 외주 기어
150 : 냉각수 유로

Claims (8)

  1. 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼의 상/하면을 연마시키는 링판 형상의 상/하정반;
    상기 하정반의 내/외주 측에 회전 가능하게 설치되고, 웨이퍼가 장착된 캐리어의 기어치와 맞물려 상기 캐리어를 상기 상/하정반 사이에서 원주 방향으로 회전 이동시키는 내/외부 기어;
    상기 상/하정반 중 하나의 내측에 형성되고, 냉각수 입구와 냉각수 출구 사이에 냉각수가 순환되는 냉각수 유로;를 포함하고,
    상기 냉각수 입구는,
    상기 냉각수 유로가 구비된 정반의 내주부와 외주부 사이에 위치하는 중간부에 원주 방향으로 일정 간격을 두고 복수개의 냉각수 입구로 구성되고,
    상기 냉각수 출구는,
    상기 냉각수 유로가 구비된 정반의 내주부에 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치된 복수개의 제1냉각수 출구와, 상기 냉각수 유로가 구비된 정반의 외주부에 원주 방향으로 일정 간격을 두고 위치된 복수개의 제2냉각수 출구로 구성되며,
    상기 냉각수 유로는,
    상기 냉각수 입구 및 제1,2냉각수 출구를 근접한 다른 냉각수 입구 및 제1,2냉각수 출구와 원주 방향으로 각각 구획하는 반경 방향 격벽과,
    상기 냉각수 입구를 상기 제1,2냉각수 출구와 반경 방향으로 각각 구획하는 제1,2원주 방향 격벽과,
    상기 냉각수 입구로부터 상기 제1,2냉각수 출구로 냉각수가 흐르도록 상기 제1,2원주 방향 격벽에 각각 구비된 제1,2홀을 포함하는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 유로는,
    상기 냉각수 입구와 상기 제1냉각수 출구 사이의 제1유로보다 상기 냉각수 입구로부터 상기 제2냉각수 출구 사이의 제2유로가 더 길게 형성되는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 입구와 제2냉각수 출구 및 제1홀은,
    상기 반경 방향 격벽들 사이의 원주 방향 일측에 위치되고,
    상기 제1냉각수 출구 및 제2홀은,
    상기 반경 방향 격벽들 사이의 원주 방향 타측에 위치되는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 입구는,
    상기 제1냉각수 출구와 각각 근접하게 위치된 제1냉각수 입구와,
    상기 제2냉각수 출구와 각각 근접하게 위치된 제2냉각수 입구로 구성되고,
    상기 냉각수 유로는,
    상기 제1,2냉각수 입구를 반경 방향으로 각각 구획하는 제3원주 방향 격벽을 더 포함하는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1냉각수 입/출구 및 제2홀은,
    상기 반경 방향 격벽들 사이의 원주 방향 일측에 위치되고,
    상기 제2냉각수 입/출구 및 제1홀은,
    상기 반경 방향 격벽들 사이의 원주 방향 타측에 위치되는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1냉각수의 입구와 출구 및 제2냉각수의 입구와 출구 측에 각각 구비된 온도 센서; 및
    상기 온도 센서들에 의해 측정된 온도 차이에 따라 상기 제1냉각수 입구 및 제2냉각수 입구로 공급되는 냉각수의 온도 및 유량을 제어하는 냉각수 제어부;를 더 포함하는 웨이퍼의 양면 연마 장치.
KR1020170096009A 2017-07-28 2017-07-28 웨이퍼의 양면 연마 장치 KR101937576B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170096009A KR101937576B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 웨이퍼의 양면 연마 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170096009A KR101937576B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 웨이퍼의 양면 연마 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101937576B1 true KR101937576B1 (ko) 2019-01-10

Family

ID=65020913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170096009A KR101937576B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 웨이퍼의 양면 연마 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101937576B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116985039A (zh) * 2023-08-11 2023-11-03 苏州博宏源机械制造有限公司 一种双面抛光机的水冷机构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001198803A (ja) 2000-01-24 2001-07-24 Fujikoshi Mach Corp 研磨用定盤
US20030003850A1 (en) 2001-06-27 2003-01-02 Eaton Robert A. Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing
US20140024296A1 (en) 2012-07-23 2014-01-23 Jh Rhodes Company, Inc. Non-planar glass polishing pad and method of manufacture

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001198803A (ja) 2000-01-24 2001-07-24 Fujikoshi Mach Corp 研磨用定盤
US20030003850A1 (en) 2001-06-27 2003-01-02 Eaton Robert A. Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing
US20140024296A1 (en) 2012-07-23 2014-01-23 Jh Rhodes Company, Inc. Non-planar glass polishing pad and method of manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116985039A (zh) * 2023-08-11 2023-11-03 苏州博宏源机械制造有限公司 一种双面抛光机的水冷机构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100540774B1 (ko) 폴리싱장치 및 이 장치용 폴리싱 테이블
CN205465663U (zh) 化学机械研磨装置
KR20120017280A (ko) 연마 시스템용 연마 패드
KR20090115934A (ko) 연마 장치
KR101937576B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마 장치
TW201937017A (zh) 半導體晶圓
US9576807B2 (en) Wafer polishing apparatus and method
JP2000271857A (ja) 大口径ウェーハの両面加工方法及び装置
TW202216358A (zh) 用於cmp溫度控制的設備及方法
TWI643973B (zh) 晶圓載盤以及金屬有機化學氣相沈積設備
TWI566289B (zh) Tray and workpiece double-sided grinding device
KR101941768B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마장치
CN102343563B (zh) 硅片抛光大盘
JP5282440B2 (ja) 評価用ウェーハ及び両面研磨の研磨代の評価方法
JP2014065088A (ja) 研磨装置
KR20110062352A (ko) 쿨링 부재가 개선된 연마정반 및 이를 구비한 웨이퍼 연마장치
KR20180060034A (ko) 웨이퍼의 연마 장치
KR20210122988A (ko) 에피 웨이퍼 제조장치
JPH02274464A (ja) 半導体ウエハの研磨装置及び方法
JP6972184B2 (ja) 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ
CN216399203U (zh) 研磨设备
US20220411959A1 (en) Susceptor and manufacturing method thereof
JP5170056B2 (ja) エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法
KR101941769B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마장치
JP4000779B2 (ja) エピタキシャル成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant